【課題】貫通電極が絶縁膜で被覆されていようがいまいが、貫通電極と配線の接触面積を確保すること。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置は、第１の半導体チップ２００と、第１の半導体チップ２００上に積層された第２の半導体チップ３００と、第１の半導体チップ２００と第２の半導体チップ３００とを接続する貫通電極１２０と、を有している。貫通電極１２０は、第１の貫通電極部１２２と第２の貫通電極部１２４を有している。第１の貫通電極部１２２は、第２の半導体チップ３００において、第２の絶縁膜４２の上面から第２の配線３２の上部まで設けられている。第２の貫通電極部１２４は、第１の貫通電極部１２２の下面と繋がっており、かつ第２の配線３２と同一層から第２の半導体チップ３００の第１の配線３０上部まで設けられている。第１の貫通電極部１２２と第２の貫通電極部１２４の孔径は、平面視で、第１の貫通電極部１２２の孔径の方が大きい。 （もっと読む）

【課題】金属配線パターンの寄生抵抗を低減可能なダミーパターンの設計方法を提供する。
【解決手段】切り欠きパターン２を一及び逆方向に各所定値Δｘ１だけ縮小して縮小図形４を生成した後、各所定値Δｘ１だけ拡大してダミーパターン５を生成し、その外形を抽出して矩形図形６を生成した後、各所定値Δｘ１だけ縮小して縮小図形７を生成し、ダミーパターン５から縮小図形７を論理減算して切り欠き図形８及び矩形図形９を生成し、切り欠き図形８を抽出してダミーパターン５から論理減算して矩形図形１０を生成した後、各所定値Δｘ１だけ縮小して縮小図形１１を生成し、矩形図形１０から縮小図形１１を論理減算して第１，第２のビア配置領域１２，１３を生成し、各ビア配置領域１２，１３にビア１４をそれぞれ配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極に、加工性と機能性の双方を高めた絶縁リングを設ける。
【解決手段】ドライエッチングにより形成された絶縁リング用環状溝ＣＧａ，ＣＧｂには絶縁物質が充填され、単独絶縁リング６２ａ，６２ｂが形成されている。また、ドライエッチングにより形成されたＴＳＶ用貫通孔ＴＨａ，ＴＨｂの側壁は、絶縁膜で覆われ、ＴＳＶ側壁絶縁リング６１ａ，６１ｂが形成されている。また、ＴＳＶ用貫通孔ＴＨａ，ＴＨｂの残りの部分には、シード／バリア層７１を介して、例えば銅のような誘電体が充填されており、それによりＴＳＶ７が形成されている。ＴＳＶ側壁絶縁リング６１の厚さは、絶縁リング用環状溝ＣＧの幅、言い換えれば、単独絶縁リング６２の厚さの約半分である。従って、ＴＳＶ側壁絶縁リング６１の厚さは、ＴＳＶ側壁絶縁リングを単独で設けた場合のその厚さの３分の１程度にすることができる。 （もっと読む）