【目的】 本発明は、ＬＳＩの発熱を抑える熱冷却装置を提供することを目的とする。
【構成】 拡散層よりも深い溝１０は大電流を駆動するＮＭＯＳ１に隣接したＰ＋拡散領域１１内に設けられる。溝１０を被覆するＡｌ配線１２は、ビアホ−ル７を介して２層目のＡｌパッド１３に接続され、前記パッド１３は金属ワイヤ１４によってパッケ−ジのリ−ドフレ−ム内部端子もしくはダイアタッチ部に接続される。
【効果】 ＬＳＩの内部で発生した大量の熱を効果的にパッケ−ジの内部端子やダイアタッチ部に伝達してパッケ−ジ外部に放熱することができるため、ＬＳＩの温度上昇を抑制する効果が大きい。また、深い溝を通して基板シリコンの内部電位をＶｄｄまたはＧｎｄに固定することができるため、外部ノイズに起因したラッチアップを防止することができる。 （もっと読む）

【目的】 導体損及び誘電体損による高周波の発熱を効率良く放熱して、発熱が間欠的に繰り返し生じることによる熱ストレスによってトランジスタの出力側リードの剥がれやコンデンサのアース側導体パターンの亀裂の発生を防止して電気的接続を確保し、長期間安定して高周波電力増幅器を動作できるようにする。
【構成】 熱伝導率の良好な誘電体から成り、かつプリント配線基板１の導体パターン２との出力整合用コンデンサの機能を合わせ持つ電極９を、熱伝導率の良好な金属部材からなるスペーサ１０に設けて電極付きスペーサ８を形成する。そして、この電極付きスペーサ８の電極９を前記トランジスタＱ１の出力側リード５ａと半田付け等により接続させ、スペーサ１０は放熱器に実装し、導体損や誘電体損により電極９に発生する熱を放熱器に逃がすようにする。 （もっと読む）