【課題】リードフレームに直接接合される表面実装素子に起因して過電流が流れ予期せぬ部位に不都合が発生しないようにすることができる回路装置を提供する。
【解決手段】２の端子をもつコンデンサ６１と、コンデンサ６１の端子を端子接合部のそれぞれに直接接合されたリードフレーム２０及び３０と、コンデンサ６１及びリードフレーム２０及び３０を封止する封止材８０と、を有し、リードフレーム２０及び３０は封止材８０にて封止するときに挟持して支持できる支持部と、コンデンサ６１に対して電気的に直列な部位に電気的に切断された切断部（リードフレーム３０及び４０の間）とをもち、リードフレームの切断部に接合されて電気的に接続し且つリードフレーム２０、３０及び４０が溶断するよりも低い電流で溶断するボンディングワイヤ７１を有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの本数を減らすことで品質を向上することができるイグナイタを提供する。
【解決手段】チップ抵抗基板１５において保護抵抗２１とＧａｐ抵抗２２とを並列接続し、電源リード１２とチップ抵抗基板１５とを第１ワイヤ２３で接続し、チップ抵抗基板１５とＩＣチップ１６とを第２ワイヤ２８で接続する。また、ＩＣチップ１６に高周波サージをＧＮＤ２０に流す保護回路２９を設ける。これにより、Ｇａｐ抵抗２２を通過した高周波サージをＩＣチップ１６内の保護回路２９を介してＧＮＤ２０に流すことができ、Ｇａｐ抵抗２２とＧＮＤ２０とを接続するためのワイヤを廃止できる。これにより、ワイヤの本数を減らすことができ、コストも低減できる。 （もっと読む）

【課題】４つの縦型トランジスタ素子によってＨブリッジ回路を構成しつつ、体格を小型化することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】縦型トランジスタ素子を有する複数の半導体チップが基材上に搭載され、４つの縦型トランジスタ素子によってＨブリッジ回路が構成された半導体装置であって、ハイサイド側の縦型トランジスタ素子を有する半導体チップが、第１接着部材を介して基材上に積層固定され、２つの縦型トランジスタ素子の第２電極が、第１接着部材及び基材を介して電気的に接続されている。また、ローサイド側の縦型トランジスタ素子を有する２つの半導体チップが、ハイサイド側の半導体チップの一部と対向された状態で、第２接着部材を介してハイサイド側の半導体チップ上に積層固定されている。そして、ハイサイド側の第１電極と該第１電極に対応するローサイド側の第２電極とが、第２接着部材を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクを冷却するための冷却ファンの異常を検出する方法および装置を提供する。
【解決手段】電流が（Ｉｘ），（Ｉｙ）であるときのヒートシンクの温度（Ｔｘ），（Ｔｙ）を夫々検出し、電流が（Ｉｘ）（Ｉｙ）であるときの前記ヒートシンク上のスイッチング素子の素子損失（Ｐｘ），（Ｐｙ）を求め、ヒートシンクの温度（Ｔ）と、素子損失（Ｐ）と、ヒートシンクの熱抵抗（Ｒ）と、ヒートシンクの周囲温度（Ｔ₀）とからなる関係式に、前記温度（Ｔｘ），（Ｔｙ）と前記素子損失（Ｐｘ），（Ｐｙ）とを代入して２つの連立方程式を立て、これらの２つの連立方程式を解いて現在のヒートシンクの熱抵抗（Ｒ）を求め、該熱抵抗（Ｒ）を冷却ファンの正常時のヒートシンクの熱抵抗（Ｒ）と比較し、該現在の熱抵抗（Ｒ）が冷却ファンの正常時のヒートシンクの熱抵抗（Ｒ）よりも大きい場合に、冷却ファンの風量が低下していると判断する。
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ヒューズの機能を替え、かつ半永久的に使用しうるＭＩＴ素子を用いて、パワートランジスタの発熱を防止することによって、パワートランジスタを保護しうるトランジスタの発熱制御回路及びその発熱制御方法を提供する。所定の臨界温度で急激な金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）が発生するＭＩＴ素子と、駆動素子に接続されて駆動素子への電力供給を制御するパワートランジスタと、を含み、ＭＩＴ素子がトランジスタの表面あるいは発熱部分に取り付けられ、回路的にはトランジスタのベースまたはゲート端子に接続され、トランジスタが臨界温度以上に上昇した時、ＭＩＴ素子がトランジスタの電流を減らすか、遮断することによって、トランジスタの発熱を防止する発熱制御回路である。
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【課題】モータ制御ユニットにおいて、絶縁チューブを用いることなく、温度ヒューズ４０のヒューズ本体４１と放熱部材１０との間を電気的に絶縁する。
【解決手段】モータ制御ユニットにおいて、放熱部材１０の内部空間１０ａ内には、ＭＯＳＦＥＴ３０、温度ヒューズ４０、および樹脂スペーサ６０が収納されている。樹脂スペーサ６０には、電気絶縁部６８ａ、６８ｂ、６８ｃが設けられているので、温度ヒューズ４０のヒューズ本体４１の外郭部４１ａが一方のリード線と同一電位になっているものであっても、絶縁チューブを用いることなく、温度ヒューズ４０のヒューズ本体４１と放熱部材１０との間を電気的に絶縁することができる。電気絶縁部６８ａ、６８ｂ、６８ｃは、樹脂スペーサ６０に設けられているものであるので、部品数も増えない。温度ヒューズに絶縁チューブを被せる工程が必要なくなるので、製造コストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】低コストで占有面積を縮小した、半導体素子を温度測定可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、駆動電圧を印加される制御電極を有しその駆動電圧に基づき導電状態と非導電状態との間で切り替わるＩＧＢＴ１１と、駆動電圧を制御電極に印加する駆動回路２２と、所定の周波数で振動する電圧検出信号Ｗを制御電極に入力させることでＩＧＢＴ１１にかかる電圧と一定の関係を有する第１電圧を検出する検出回路２１と、検出回路２１にて検出した第１電圧に基づきＩＧＢＴ１１の温度を算出し当該算出した温度に基づき駆動回路２２を制御する制御回路２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】環境温度が変化してもモニタ波長のシフト量が±０．５ｐｍ以内の安定な波長制御を可能とするため、サーミスタ素子搭載用絶縁プレートの各幅に対する最適な厚さを各々の材質毎に見出す。
【解決手段】絶縁プレートはエタロン素子と異なる熱伝導率を有するものとする。そして、エタロン素子の中央部の温度変動をΔＴ_Eとし、絶縁プレートのサーミスタ素子搭載面での温度変動をΔＴとし、エタロン素子の幅をｗ１、厚さをｔ１とし、絶縁プレートの幅をｗ２、厚さをｔ２としたとき、ｗ２とｔ２は、ｗ２をｗ１で規格化したｗ２／ｗ１とｔ２をｔ１で規格化したｔ２／ｔ１との関係が、ｗ２／ｗ１を横軸としｔ２／ｔ１を縦軸としたグラフにおいてΔＴ＝ΔＴ_E＋０．２℃となるｗ２／ｗ１とｔ２／ｔ１の関係を表す実線１と、ΔＴ＝ΔＴ_E−０．２℃となるｗ２／ｗ１とｔ２／ｔ１の関係を表す実線２とで囲まれた範囲内となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】素子全体の温度を検出できるとともに，温度検出用の回路を簡素化できる電子回路装置を提供すること。
【解決手段】本発明の電子回路装置１は，半導体素子２１と，半導体素子２１の素子駆動用基板１１と，半導体素子２１と素子駆動用基板１１との間に配置されたシールド板２４とを有する電子回路装置１であって，素子駆動用基板１１における半導体素子２１側の面に設けられ，逆バイアス電圧が印加される赤外線フォトダイオード１２を有し，シールド板２４には貫通孔２５が形成されており，赤外線フォトダイオード１２は，半導体素子２１からの赤外線をシールド板２４の貫通孔２５を通して受ける位置に配置されているものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電力用半導体素子が短絡故障して過電流が流れたときに、過電流を確実に遮断することができる過電流遮断機能を備えた樹脂封止型パワーモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と外部端子とを電気的に接続する接続手段と、前記半導体素子および前記接続手段を封止するように成形された、開口部を有する封止樹脂部とを備え、前記接続手段の一部が前記開口部において前記封止樹脂部から露出していることを特徴とする。 （もっと読む）