【課題】低温時に半導体素子に印加される電圧を抑制しながら半導体素子の温度を上昇させることができる半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体装置１００は、ＩＧＢＴ１４に直列に接続されている負特性サーミスタ１２と、ＩＧＢＴ１４と負特性サーミスタ１２に対して並列に接続されている正特性サーミスタ１６を備える。低温時には、負特性サーミスタの抵抗が大となり正特性サーミスタの抵抗が小となる。負特性サーミスタの抵抗が大となるめ、ＩＧＢＴに印加される電圧が抑制される。同時に、正特性サーミスタには大電流が流れて発熱する。正特性サーミスタの発熱によってＩＧＢＴが昇温する。高温時には、負特性サーミスタの抵抗が小となり正特性サーミスタの抵抗が大となる。従って、高温時には、負特性サーミスタと正特性サーミスタはＩＧＢＴの動作に影響を与えない。半導体装置１００は、高温時にはあたかも単純なＩＧＢＴとして機能する。 （もっと読む）

【課題】高電圧・大電流で動作する半導体チップの故障時の短絡電流を遮断する小型、低コストの半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップに電気的に接合された電極と外部接続端子との間を電気的に接続する配線部を遮断する遮断機構を備える半導体装置であって、上記配線部は、並列に接続された複数の配線を備え、上記遮断機構は、上記複数の配線の一部を遮断する遮断部と、上記半導体チップの短絡モードを検出する検出装置とを備え、上記遮断部により上記複数の配線の一部を遮断して上記半導体チップに流れる電流を上記複数の配線の残りに転流して上記複数の配線の残りを遮断する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を制御する制御装置を備えた半導体装置であって、制御装置の設置スペース確保が容易なものでありながら、制御装置を設置する位置を可変とすることが容易となる半導体装置を提供する。
【解決手段】放熱部材２上に載置されて樹脂封止７されており、入力される電力を調整して出力する半導体素子３と、前記樹脂の外部において、外部装置との電気的接続が可能であるリード端子１と、を備えるとともに、前記半導体素子と前記リード端子とを電気的に接続する、接続部材５を更に備えることにより、前記外部装置と前記半導体素子との電気的接続が可能である半導体装置であって、前記調整を制御する制御装置４が、前記接続部材上に固定されている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】主回路の配線部材であるリードフレームに信頼性の高いヒューズ機能を持たせて半導体装置の過電流保護が行えるようにする。
【解決手段】絶縁基板２にマウントした半導体チップ３の上面主電極と絶縁基板の導体パターン２ｂ，２ｃとの間に主回路の配線用リード材としてリードフレーム４を布設し、該リードフレームの両端を接合相手部材に接合した半導体装置において、前記リードフレームの中間部位に線膨張係数がリードフレーム材と異なる絶縁材の条片１０を重ね合わせて一体結合し、そのバイメタル効果により過電流が流れた際にリードフレームの中間部位を撓ませて破断させ、主回路をオープン状態にして過電流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの温度が変動しても、半導体モジュールに設けられたチャネル回路が正常に通信を行うこと。
【解決手段】 第１高速チャネル回路１０２を有するプロセッサモジュール１００と、第１高速チャネル回路１０２と通信を行う第２高速チャネル回路１１１を有するブリッジコントローラ１１０と、プロセッサモジュール１００の温度を取得する温度取得部１２４と、前記取得した温度が設定温度以上であるか否を判別し、前記設定温度以上であると判別した場合に、第１高速チャネル回路１０２と第２高速チャネル回路１１１との通信の初期化を実行するための命令を前記第１の半導体モジュールおよび第２の半導体モジュールに発行する初期化制御部１２１とを具備する。 （もっと読む）

接続導体（１９，２０）を介してエネルギー蓄積器（１１）に接続されているパワー半導体回路（１８）を備えた配電および送電用のパワー半導体モジュール（２）であって、故障時に発生する電流振幅を制限してパワー電子装置を効果的に保護するパワー半導体モジュール（２）を提供するために、接続導体（１９，２０）が、閾値を上回る電流負荷時に開路する開路設定点（１５）を有し、接続導体（１９，２０）がさらに開路設定点に並列接続された抵抗（１６）を有することを提案する。
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【課題】センサーからの前兆情報を活用し電気磁気パルス（ＥＭＰ）よりＩＣ等の半導体素子の焼損を防ぐ遮断機を提供する。
【解決手段】ＲＦＩＤのアンテナとＲＦＩＤ用ＩＣの間に、センサーからの電気磁気パルス前兆情報を活用しＩＣの焼損を防ぐ装置、ＥＭＰブレーカーを設置する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に接続される負荷を最終的に保護することができかつ極めて小型・軽量化を図ることが可能な信頼性の高いヒューズ付半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２が実装された回路基板１に半導体装置に隣接して形成されたパターン５と、パターンの上面５ｂに形成された溝７と、パターンの上面かつ溝の一側端周縁部を含む領域に低融点金属部材で形成された電極９とからなるヒューズ機構６と、一端部４ａが半導体装置の電極３に接続され他端部４ｂがヒューズ機構の電極９に接続されてこれらを電気的に接続するワイヤ４とを備え、パターンに過電流が流れたときにヒューズ機構の電極９が溶けて溝に流れ込みワイヤの他端と切断されて半導体装置とパターンとを電気的に遮断する。 （もっと読む）

【課題】ホットスポットより少ない温度センサでの正確な温度管理を行う。
【解決手段】本発明の例に関わる温度制御システムは、チップ１１内に形成される複数の演算器１２と、複数の演算器１２のパフォーマンスをモニタし、パフォーマンス情報を出力するパフォーマンスモニタ回路１３と、チップ１１内に形成され、チップ温度に関する検出信号を出力する温度センサ１４と、検出信号に基づき温度情報を出力する温度検出部１５と、複数の演算器１２のパフォーマンス、チップ温度及びホットスポットの温度の関係を表すテーブルを格納し、そのテーブルに基づき、パフォーマンス情報及び温度情報からホットスポットの温度を推定するシステムコントローラ１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波パルス駆動が可能でスイッチング損失が小さく、過熱遮断動作後のゲート電流も小さい、パワーＭＯＳＦＥＴの保護回路ならびに保護回路を有する保護回路内蔵パワーＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】第１の半導体チップと第２の半導体チップとを樹脂封止により同一パッケージに実装した半導体装置において、第１の半導体チップにパワーＭＯＳＦＥＴを形成し、第２の半導体チップは、パワーＭＯＳＦＥＴを保護する回路を形成する。 （もっと読む）