【課題】ＣＣＤの温度を精度よく検出する。
【解決手段】ＣＣＤ４４は、このＣＣＤ４４の動作確認に用いられるテスト用端子５７と、ＣＣＤ４４の温度を検出するための温度センサ６０とを備えている。テスト用端子５７は、パッケージ５０の側面から背面にかけて露呈されている。温度センサ６０は、温度に応じて電気抵抗値が可変する温度検出部６２と、温度検出部６２の電気抵抗値を調べるための接続端子６４、６６とを備え、温度検出部６２をテスト用端子５７に当接させた状態でパッケージ５０の背面に取り付けられる。 （もっと読む）

本発明は，特にLEDをベースにしたランプ用の照明センサに関する。当該照明センサは少なくとも１個の光センサと温度センサとを有する。当該光センサ及び温度センサは，共通のハウジング内で共通の基板上に一体化されている。
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【課題】 パワー素子を実装した着脱自在なパワー基板の接続部の接続状態を検出するとともに、該接続部に不具合が発生した場合でも、パワー素子に対応する制御対象を好適に制御可能な車両用電子制御装置を提供する。
【解決手段】 パワー素子を実装した着脱自在なパワー基板２０を有して構成されるＥＣＵ１００であって、パワー基板２０の接続状態を検出する否定論理積回路ＮＡＮＤ１３と、伝達経路Ｄと、５Ｖ電源１１からの２つの入力経路とで構成される接続状態検出手段と、接続状態検出手段が、接続状態が未接続であることを検出した場合に、パワー素子の駆動を中止する駆動中止手段としてのポート後ＳＷ７と、接続状態が接続から未接続になった場合に、Ｔ秒間の間、駆動中止手段がパワー素子の駆動を中止することを禁止する禁止手段としてのＨｉホールド回路９とを備える。 （もっと読む）

【課題】事故時に飽和しない特殊な電流計測用変成器を用いることなく、一般の電流計測用変成器を使用して事故時でも位相制御遮断を可能とする、安価で高精度の電力用開閉制御装置を得る。
【解決手段】電力系統線路２から電流計測用変成器３によって電流を取得し、その電流波形から電力系統線路２に接続された遮断器４の開極タイミングを決定する電力用開閉制御装置において、電流計測用変成器３の飽和した２次側電流波形を波形推定処理して１次側電流波形を推定し遮断器４の開極タイミングを決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護対象となるＩＣの動作温度範囲を不必要に狭めることなく、より高精度で安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な温度保護回路、並びに、これを備えた電源装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る温度保護回路は、監視対象温度と複数の閾値温度とを各々比較し、前記監視対象温度が所定の確認期間に亘ってある閾値温度以上に維持されたときに前記監視対象温度が当該閾値温度に達したと判断する手段と；前記監視対象温度と比較される閾値温度が低いほど、確認期間を長く設定する手段と；前記監視対象温度がいずれの閾値温度まで達したと判断されたかによって、各々対応する温度保護信号（Ｓａｒｍ、Ｓｌｍｔ、Ｓｔｓｄ１、Ｓｔｓｄ２）を生成する手段と；を有して成る構成としている。 （もっと読む）

【課題】 記憶手段に正規データを書込んだ後に、誤データが書込まれることを防止することができる電子デバイスを提供する。
【解決手段】 処理情報が書込まれるＲＯＭ１６と前記ＲＯＭ１６と電気的に接続されて前記ＲＯＭ１６に処理情報の書き込みを可能とした書込専用端子１２、あるいは前記ＲＯＭ１６と電気的に接続されて前記ＲＯＭ１６を情報の書き込みが可能な状態に切り替える信号を入力するための書込切替端子（不図示）とを有する電子デバイス１０ａであって、前記書込専用端子１２あるいは書込切替端子と前記ＲＯＭ１６との間に前記電気的接続を切断するヒューズ１４を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大電流が生じる場合であっても発熱などの弊害を生じさせることがなく，またパワー素子の回路に十分なスペースがない場合であっても前記パワー素子の過電流を検知することが可能な過電流判定装置を提供すること。
【解決手段】 前記シャントレギュレータ７により出力された定電圧Ｖｒｅｆを出力する。また，該定電圧Ｖｒｅｆを前記抵抗６ｄ，６ｅにより分圧し，その分圧後の定電圧Ｖｔｈが基準電圧として用いる。また，ダイオード５ａのアノード側の電圧Ｖｄと前記Ｖｔｈとをコンパレータ８により比較する。 （もっと読む）

【課題】 構成が簡単であり組付け容易性が向上する半導体素子の冷却構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子の冷却構造は、互いに対向する第一および第二主表面６１，６２を有する半導体素子６０と、第一主表面６１に接触し、貫通ビア４１および磁気センサ７０を含む多層配線基板３１と、第二主表面６２に接触する導電性接合材５０とを備える。多層配線基板３１を用いて半導体素子６０と大電流用リード１１との接続がなされる。 （もっと読む）

【課題】 温度検出用ダイオードの温度特性を正確に決定できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 このパワー半導体モジュール１０は、一方の面にスイッチング素子が載置された放熱用の金属ベース板１１は、たとえば銅ベース板として構成されている。この金属ベース板１１の一方の面には、樹脂などの外囲ケース１４によって保護されたＩＧＢＴチップが固定され、外囲ケース１４の外部に複数の主端子１５が突設されている。また、金属ベース板１１の他方の面には高い電気抵抗率ρ（=１７×１０^-8Ωｍ）の金属膜１６が加熱体として成膜されている。誘導加熱による温度計測装置を用いて、放熱用の金属ベース板１１の温度を非接触で測定することで、ＩＧＢＴチップ内の温度検出用ダイオードの温度特性を正確に決定できる。 （もっと読む）

制御可能な半導体（１０２）、センサ（１０６）及びコントローラ（１０４）を備えるデバイス（１００）が提供される。制御可能な半導体（１０２）は第１の動作パラメータ及び第２の動作パラメータに関連付けられ、少なくとも第１の動作パラメータは制御可能である。センサ（１０６）は制御可能な半導体デバイス（１０２）と通信し、第２の動作パラメータに関連するデータを取得する。コントローラ（１０４）は制御可能な半導体デバイス（１０２）及びセンサ（１０６）と通信する。コントローラ（１０４）は、制御可能な半導体（１０２）に関連付けられるデバイスデータにアクセスし、第１の動作パラメータを制御し、第１のセンサ（１０６）から第２の動作パラメータに関連するデータを受信するように構成される。コントローラ（１０４）は、デバイスデータに基づいて第１の予測値を求め、第２の動作パラメータに関連するデータを第１の予測値と比較し、この比較に基づいて第１の条件が検出される場合には、第１の動作パラメータを動的に変更する。
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