【課題】モジュール積層体を構成する各部材を精度良く位置決めできると共に、モジュール積層体の積層方向の寸法精度を高めることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、半導体モジュール２を複数個積層して構成してなる。半導体モジュール２は、半導体素子２１と放熱板２２と封止部２３と壁部２４と貫通冷媒流路とを有する。半導体モジュール２及び蓋部３は、放熱面２２１の法線方向に積層されて１つのモジュール積層体１０を構成している。壁部２４の内側には、沿面冷媒流路４２が形成されている。半導体モジュール２及び蓋部３は、互いの積層方向Ｘの位置決めをすると共に、モジュール積層体１０の積層方向Ｘの寸法Ｌを決めるガイド部材６に保持されている。半導体モジュール２の壁部２４同士の間及び蓋部３と半導体モジュール２の壁部２４との間には、弾性シール部材２９が配設されている。 （もっと読む）

【課題】擬似ウエハーの樹脂層にレーザ等でビアホールを形成することなく、簡単な工程で微細な貫通ビアを形成してチップの実装密度を高める半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体チップ２０と、複数の突起を有する金属構造体とを支持基板１１上の所定の箇所に配置し、前記複数の半導体チップ及び前記金属構造体２５を樹脂で覆って固化し、前記固化した樹脂の一部及び前記金属構造体の一部を除去、平坦化して、前記金属構造体の前記突起２５ａを貫通ビアとして露出させ、前記半導体チップ及び前記貫通ビアが埋め込まれた樹脂層を前記支持基板から剥離し、前記剥離面に所定の配線パターンを形成して擬似ウエハーを完成する。 （もっと読む）

【課題】積層型半導体装置において、半導体装置の反りを抑制し、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１上にフリップチップ接続された半導体素子１２を有し、基板１１と半導体素子１２の間にはアンダーフィル樹脂１３が充填されている。半導体素子の外周部には接合ランド１４が設けられ、基板１１全域が樹脂１５により封止されている。また、樹脂１５上面から接合ランド１４に至る開口部１６か形成されている。 （もっと読む）

【課題】発熱した半導体素子を少ない冷媒によって効率的に冷却することができる半導体モジュールの積層体を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール２の積層体１は、半導体素子３をモールド樹脂４内に配置して形成した半導体モジュール２を複数積層してなる。モールド樹脂４には、半導体素子３を冷却する冷媒を流すための冷媒流路４１が形成してある。半導体素子３には、放熱板３２が対向して配置してある。放熱板３２には、冷媒流路４１の一部に流れる冷媒Ｃを吸い上げる多孔質体５が設けてある。半導体モジュール２の積層体１は、多孔質体５に吸い上げた冷媒Ｃを放熱板３２の熱によって蒸発させて半導体素子３を冷却するよう構成してある。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの積層体の組付が容易であり、長期の使用に対して合わせ面の封止状態を持続させることができる半導体モジュールの積層体を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール２の積層体１は、半導体素子３をモールド樹脂４内に配置して形成した半導体モジュール２を複数積層してなる。モールド樹脂４は、冷媒流路４１と、冷媒流路４１の外周側の合わせ面４２の全周に形成したシール充填溝４６と、シール充填溝４６に連通する充填連結口４７とを有している。複数の半導体モジュール２に対する両側の積層端には、蓋体２１Ａ、２１Ｂが積層してあると共に、一方の蓋体２１Ａには、シール充填溝４６に連通する充填注入口２４が形成してある。半導体モジュール２の積層体１は、充填注入口２４から注入したシール材６を、充填連結口４７を経由して複数のシール充填溝４６へ連続して充填してなる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張差によって合わせ面に剥離が生じることがなく、半導体モジュールの積層体の組付が容易であり、長期の使用に対して合わせ面の封止状態を持続させることができる半導体モジュールの積層体を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール２の積層体１は、半導体素子３をモールド樹脂４によってモールド成形してなる半導体モジュール２を複数積層してなる。モールド樹脂４には、半導体素子３を冷却する冷媒Ｃを流すための冷媒流路４１が形成してある。積層体１は、モールド樹脂４が互いに合わさる合わせ面４２に設けた接合材６１を溶着させることにより、半導体モジュール２を複数積層してなる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑えつつ、高密度実装化を図ることの可能な半導体装置の
製造方法を提供する。
【解決手段】エポキシ基板１６と、エポキシ基板１６の表面に搭載された半導体素子１ａと、半導体素子１ａを封止する封止樹脂５ａと、エポキシ基板１６の裏面に形成された複数のバンプ３とを備えた第１の半導体装置１１０を準備する一方で、複数の端子２を備えた半導体素子１ｂと、複数の端子２を露出するように半導体素子１ｂを封止する封止樹脂５ｂとを備えた第２の半導体装置１２０を準備し、第１の半導体装置１１０及び第２の半導体装置１２０の各々に対する最終テストを行い、最終テストを行った後に、第１の半導体装置１１０の複数のバンプ３が形成された面と、第２の半導体装置１２０の複数の端子２が形成された面とを向かい合わせて、第２の半導体装置１２０を第１の半導体装置１１０に搭載する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に上下に積層された第１の階層と第２の階層とにそれぞれ分配された第１の電気素子と第２の電気素子との間の良好な電気的接続を可能にするほどに広い上面を有し、かつ熱膨張に伴う損傷を生じないほどに小さな断面を有する相互配線を備えたマイクロ電子デバイスを製造する方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、互いに異なる長さを有する少なくとも１本の第１のアームと少なくとも１本の第２のアームとを、各アームが、各アームの断面積より十分に広い上面を有する導電パッドと、基板上に定められている固着エリアとを機械的に直接に接続するように作製するステップ（１０２）と、この導電パッドを、第１の階層の領域内に形成し、次いで、第２の電気素子との電気的接続に先立って、導電パッドの上面が、第２の階層の領域の下端または内部の、基板に平行な面内に存在している接続位置まで変位させるステップ（１０６）とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰ構造の半導体パッケージの一部を構成する半導体装置であって、汎用性が高く、そのサイズが抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、第１の配線基板２０、第２の配線基板３０、半導体チップ１２、導電性のワイヤ１４および封止体１６を備える。半導体チップ１２は、第１の配線基板２０の、第１の外部電極パッド２４が設けられた第１の面２２とは反対側の第２の面２３に搭載されている。第２の配線基板３０は、半導体チップ１２を挟んで第１の配線基板２０とは反対側に配置されている。第２の配線基板３０の、第１の配線基板２０とは反対側に向いた第３の面３２には、第２の外部電極パッド３４が設けられている。導電性のワイヤ１４は、第１の配線基板２０と第２の配線基板３０とを電気的に接続する。封止体１６は、第２の配線基板３０の第３の面３２を露出させるように、少なくともワイヤを覆っている。 （もっと読む）

【目的】パッケージの形成面積を増大させることなく、複数の半導体パッケージを積層することが可能な半導体積層パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【構成】下部パッケージの上面において上部パッケージの底面に設けられている実装用パッドと物理的且つ電気的に接続される連結用パッドと、下部パッケージ内の半導体ＩＣチップのチップパッド及び上記連結用パッド間を電気的に接続する為の配線経路と、を備えたパッケージ接続基板を下部パッケージ内の半導体ＩＣチップの上面に固着する。 （もっと読む）