【課題】高密度実装では占有面積の低減と低背化がキーとなっている。半導体デバイスを積層化した構造は高密度実装に適しているが、強度確保のための樹脂インターポーザの厚さ、上下のデバイスを電気接続する導電ボールの大きさ、ワイヤボンディングのための空間確保などにより、低背化が制限されていた。
【解決手段】樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザの採用、電気接続を複数の微小な金属塊から成る導電路で形成、フリップチップ構成の採用などにより、低背化が達成された。また、前記金属塊の形状、大きさ、配置などを最適化することにより、積層化プロセスが容易になった。 （もっと読む）

【課題】装置の全長寸法を増加させることなく絶縁性能を高めた大電力スタックの提供を目的とする。
【解決手段】本発明の大電力スタックは、複数個の平型半導体素子１０と金属製冷却フィン８とを交互に積層した積層体と、積層体の両端に設けられこれを圧接する金属製プレート７と、金属製プレート７間に渡され圧接圧力を保持する金属製ボルト４と、金属製ボルト４を被覆する円筒状の絶縁パイプ１と、金属製冷却フィン８に配設され、金属製冷却フィン８・絶縁パイプ１間の位置決めを行う絶縁物で構成された位置決め板５とを備える。絶縁パイプ１は、金属製プレート７に隣接配置される、第１外径を有するベローズ形状の第１部分と、第１部分から金属製プレート７と反対の中央方向に延在する、第１外径よりも小さい第２外径を有する円筒状の第２部分とを有し、絶縁パイプ１の第２部分は位置決め板５の穴５ａ、５ｂを貫通する。 （もっと読む）

【課題】電子機器に搭載する場合に搭載面積を抑えることができ、搭載されている部品素子が外部から電磁波の影響を抑えることができるモジュールを提供する。
【解決手段】一方の主面に凹部空間が設けられ他方の主面に部品素子搭載パッドが設けられているカバーと、前記凹部空間の底面及び側面に一体的に設けられている金属からなるシールド膜と、前記部品素子搭載パッドに搭載されている部品素子と、から構成されていることを特徴とするモジュールと 配線基板と、前記配線基板に搭載されている配線基板用部品素子と、から主に構成されており、前記配線基板に搭載されている前記配線基板用部品素子が前記凹部空間内に収納され、前記シールド膜が所定の一つの配線基板接続端子と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板をヒートシンクと電気的に接触させることによって逆交互接触積層構造を構成し、電子製品の高さが限定されている場合であっても、製品の機能を高めることができる高密度集積回路モジュール構造を提供する。
【解決手段】高密度集積回路モジュール構造は、少なくとも基板２０とヒートシンク３０とを具備し、基板は、ヒートシンクと電気的に接触させることによって逆交互接触積層構造を構成し、熱伝導体３１は少なくとも非平坦構造を有する。この構成によって、電子製品の限定された高さ内で製品の機能を高めることができ、かつ、耐振動性や放熱性を高めることができる。組立手続工程において、はんだボールとキャリアの結合を行う工程が不要となり、製品の機能向上、容量の拡大、製造コストの低減を図りつつ組立作業を簡素化できる。 （もっと読む）

【課題】それぞれのパッケージにおいて予めテスト可能であり、製品ＭＰＭの最終テスト歩留まりをより高くする。
【解決手段】積み重ねられた下側および上側パッケージを有する半導体マルチパッケージモジュールであって、パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイスを有し、上側および下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続されるものである。また、半導体マルチパッケージモジュールの形成方法であって、下側基板およびダイスを有するモールドされた下側パッケージを供給し、上側基板を有するモールドされた上側パッケージを前記下側パッケージの上側表面上に取り付け、前記上側および下側基板間のｚ軸相互接続を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】積層される２つの半導体装置間の接合性を損なうことなく、接続不良を回避する。
【解決手段】積層型半導体装置５０は、第１の配線基板１に形成された複数の第１の電極４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅと、各第１の電極４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅに形成され、柱状に突出する複数の突出電極５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅと、を備えている。また、積層型半導体装置５０は、第２の配線基板２１に形成された複数の第２の電極２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅと、同一のはんだ量で形成された複数のはんだ電極２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅと、を備えている。各突出電極５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅは、はんだ電極２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅよりも高融点材料で形成され、且つ第１の電極とはんだ電極との離間距離が大きいほど、高さが高く設定されている。 （もっと読む）

【課題】接合熱処理温度が低くて済み、凝固後は高い融点を確保し得る高耐熱性の電子デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】複数枚の基板ＷＦ１〜ＷＦｒのそれぞれは、縦導体３１と、接続導体４とを有している。複数枚の基板ＷＦ１〜ＷＦｒのうち、隣接する基板ＷＦ１、ＷＦ２は、一方の基板ＷＦ２の接続導体（縦導体）３１が、他方の基板ＷＦ１の接続導体４と、接合膜５によって接合されている。接合膜５は、第１金属または合金成分と、それよりも融点の高い第２金属または合金成分とを含み、凝固後の溶融温度が第１金属または合金成分の融点よりも高くなっている。 （もっと読む）

【課題】樹脂補強等の後工程補強を行うことなく、上層の表面実装デバイスと下層の表面実装デバイスとの接続強度を向上させた実装構造体を提供する。
【解決手段】混合ＰＯＰ型のＢＧＡパッケージを、プリント基板に直接実装される第１ＢＧＡパッケージ２１と、第１ＢＧＡパッケージ２１の表面の面内方向に配列・実装された、１段の及び／又は多段に積層された複数の第２ＢＧＡパッケージ２２、２３とにより構成する。上下に隣接する２つのＢＧＡパッケージにおいて、下層のＢＧＡパッケージの、上層のＢＧＡパッケージと対向する側の面に、上層のＢＧＡパッケージが有する複数の半田ボールにそれぞれ対応する複数のパッドを形成し、複数のパッドを、下層のＢＧＡパッケージの、上層のＢＧＡパッケージと対向する側の面に形成された複数の第２凹所の各底部にそれぞれ設ける。 （もっと読む）

【課題】両面空冷方式の半導体装置を備えるインバータ回路ユニットについて、半導体装置の構造を活用した位置決め機構の実施により、組立て性及び製品性能を確保する。
【解決手段】インバータ回路ユニット３０は、半導体装置１０を収納するとともに、内部に配置された複数個の第１のフィン１１２に対して送風される空気の取り入れ口である複数個の通風口３２ｂを側面に形成する通風路形成部材３２，３３を備える。通風路形成部材３２，３３は、隣り合う通風口３２ｂを仕切る仕切り部３２ａと、内壁面から突出する凸部であって主面に平行な方向Ｘの外方に本体部２２６よりも突き出る部分における基板部１１０間の隙間１１０ＣＬに嵌まる第１の凸部３８と、を有する。仕切り部３２ａは、半導体モジュール２２を挟む基板部１１０間を外側から覆うとともに、内壁面側に第１の凸部３８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本体の側面に配線が形成された積層チップパッケージを、低コストで短時間に大量生産すると共に、配線を精度よく形成する。
【解決手段】積層チップパッケージは、本体と、本体の側面に配置された配線を備えている。本体は、複数の階層部分を含んでいる。積層チップパッケージの製造方法では、まず、複数の構造体を形成する。複数の構造体の各々は、配線予定面２Ｐｃを有する本体形成部分を少なくとも１つ含む。次に、配線予定面２Ｐｃが上方向に向くように、複数の構造体を、配線予定面２Ｐｃよりも低い位置にある上面を有する治具１２２によって囲って整列させる。次に、樹脂フィルムを用いて、治具１２２および複数の構造体を覆う樹脂層１３３を形成する。次に、配線予定面２Ｐｃが露出するまで樹脂層１３３を研磨する。次に、配線予定面２Ｐｃに対して一括して配線を形成する。次に、本体形成部分を分離する。 （もっと読む）