【課題】開口率の向上された発光装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、プラスチック基板上に有する発光装置であって、配線は、容量の上に設けられ、容量は、配線の少なくとも一部と重なる領域を有する。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたＥＬ材料とを有し、容量は、第２の領域と、第２の領域上に第１の絶縁膜を介して設けられる第３の領域とを有する。第１の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上することができるＥＬ表示装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線と有するＥＬ表示装置である。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたＥＬ材料とを有し、容量は、第２の領域と、第２の領域上に第１の絶縁膜を介して設けられる第３の領域とを有する。第１の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ膜、陰極の断線を防止する技術を提供することを課題とする。陰極と陽極に
挟まれた部分で、ＥＬ膜の膜厚が局所的に薄くなることを抑えることができ、ＥＬ膜に局
所的に電界が集中することを防ぐことができる。
【解決手段】陽極１００上に絶縁膜１０１を形成し、絶縁膜１０１上にＥＬ膜１０２、陰
極１０３を形成したＥＬ素子において、絶縁膜１０１の下端部、上端部を曲面形状とする
。また、絶縁膜１０１の中央部のテーパー角を３５°以上７０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にＯＬＥＤのような発光素子を含む画素回路を形成する。
【解決手段】画素回路が配列する表示部１００と、表示部１００から離間して囲むように設けられ、複数の画素回路を駆動する走査線駆動回路１４０、データ線駆動回路１５０とがシリコン基板に形成される。Ｎウェル１０４は、表示部１００にわたって連続的に形成される。複数の画素回路の各々は、それぞれ複数のトランジスターを有し、当該トランジスターはＮウェル１０４に共通に形成されるとともに、基板電位を共通である。表示部１００におけるＮウェル１０４は導電型の異なるＰ型半導体基板領域１０２で囲まれる。 （もっと読む）

【課題】３次元表示を行う表示装置におけるクロストークを抑制する。
【解決手段】３次元表示を行うに際して複数の画素の一部のそれぞれが所望の色表示を行い、残部の全てが黒表示を行う。よって、複数の画素の全部のそれぞれが所望の色表示を行う場合と比較して、クロストークの発生を抑制することが可能である。また、表示状態に応じて所望の色表示が行われる複数の画素を変更する。よって、３次元表示を行う際に所望の色表示を行う複数の画素が固定されている場合と比較して、画素における表示の変化が顕在化するまでの期間を長期化（長寿命化）すること及び複数の画素間における表示のバラツキを低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】金属配線の下層を加工または損傷させることなく、金属配線がショート不良となることを未然に防止できるレーザー修正工程を有する表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法は、当該表示部が有するガラス基板１１上に形成された駆動回路層１２の表面を平坦化する平坦化膜１３と、平坦化膜１３上に積層された上部電極層１４Ｐと、上部電極層１４Ｐ上に形成され上部電極層１４Ｐを画素形成領域ごとに配置された上部電極１４として分離形成するためのパターニングされたレジスト２０とを準備する第１工程と、隣接する画素形成領域の間の領域に残存するレジスト残り２０Ｎに対し、２６６ｎｍの波長を有するレーザーを照射することにより、レジスト残り２０Ｎを除去する第２工程と、当該第２工程の完了後、全ての画素に対して、レジスト２０をマスクとしてエッチングする第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】外光反射を抑え、かつ発光層から出射された光の取り出し効率の低下を抑えることの可能な表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】発光層と、前記発光層側から入射した光を表示面側に反射する反射部と、
前記表示面に設けられた吸収型偏光板と、前記発光層と前記吸収型偏光板との間の位相差板と、前記位相差板と前記吸収型偏光板との間に設けられ、前記位相差板の透過光のうち、所定の光軸方向の光を反射する反射型偏光板と、前記発光層と前記反射型偏光板との間に設けられると共に、外光の一部を吸収する外光反射抑制層とを備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において生じるＴＦＴのバラツキを低減する。
【解決手段】トランジスタと、第１のソース配線と、隣り合う第２のソース配線と、電源供給線とを有し、第１のソース配線は、トランジスタと電気的に接続することができ、記トランジスタは、チャネル形成領域を有し、チャネル形成領域は、電源供給線と重なる領域を有し、チャネル形成領域は、第２のソース配線と重なる領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線と重ならない半導体装置である。その結果、チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比が０．１〜０．０１であるＴＦＴを提供することができ、各ＴＦＴ間のバラツキを低減することができる。さらに、電源供給線は第１のソース配線よりも幅の広い領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線よりも幅の広い領域を有する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】電子機器はそのボタンの大きさの制約が大きく、また、操作の柔軟性が損なわれている。よって視覚的にわかりやすく、操作性に優れる表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】画素は、第１乃至第６の薄膜トランジスタと、ＥＬ素子と、を有し、ＥＬ素子は、画素電極を有し、画素電極は、第１の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、第２の薄膜トランジスタのゲートは、第３の薄膜トランジスタのゲートに接続され、第４の薄膜トランジスタのゲートは、第５の薄膜トランジスタのゲートに接続され、第３の薄膜トランジスタの第１の端子は、第１の薄膜トランジスタのゲートと電気的に接続され、第１乃至第６の薄膜トランジスタは、第１の絶縁膜に覆われている。 （もっと読む）