表示装置の製造方法
【課題】金属配線の下層を加工または損傷させることなく、金属配線がショート不良となることを未然に防止できるレーザー修正工程を有する表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法は、当該表示部が有するガラス基板１１上に形成された駆動回路層１２の表面を平坦化する平坦化膜１３と、平坦化膜１３上に積層された上部電極層１４Ｐと、上部電極層１４Ｐ上に形成され上部電極層１４Ｐを画素形成領域ごとに配置された上部電極１４として分離形成するためのパターニングされたレジスト２０とを準備する第１工程と、隣接する画素形成領域の間の領域に残存するレジスト残り２０Ｎに対し、２６６ｎｍの波長を有するレーザーを照射することにより、レジスト残り２０Ｎを除去する第２工程と、当該第２工程の完了後、全ての画素に対して、レジスト２０をマスクとしてエッチングする第３工程とを含む。
【解決手段】複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法は、当該表示部が有するガラス基板１１上に形成された駆動回路層１２の表面を平坦化する平坦化膜１３と、平坦化膜１３上に積層された上部電極層１４Ｐと、上部電極層１４Ｐ上に形成され上部電極層１４Ｐを画素形成領域ごとに配置された上部電極１４として分離形成するためのパターニングされたレジスト２０とを準備する第１工程と、隣接する画素形成領域の間の領域に残存するレジスト残り２０Ｎに対し、２６６ｎｍの波長を有するレーザーを照射することにより、レジスト残り２０Ｎを除去する第２工程と、当該第２工程の完了後、全ての画素に対して、レジスト２０をマスクとしてエッチングする第３工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特にレーザー照射による修正工程を含む製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流駆動型の発光素子を用いた画像表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記す。）を用いた有機ＥＬディスプレイが知られている。この有機ＥＬディスプレイは、視野角特性が良好で、消費電力が少ないという利点を有するため、次世代のＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）候補として注目されている。
【０００３】
通常、画素を構成する有機ＥＬ素子はマトリクス状に配置される。例えば、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイでは、複数の走査線と複数のデータ線との交点に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が設けられ、このＴＦＴに保持容量素子（コンデンサ）及び駆動トランジスタのゲートが接続されている。そして、選択した走査線を通じてこのＴＦＴをオンさせ、データ線からのデータ信号を駆動トランジスタ及び保持容量素子に入力し、その駆動トランジスタ及び保持容量素子によって有機ＥＬ素子の発光タイミングを制御する。この画素駆動回路の構成により、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイでは、次の走査（選択）まで有機ＥＬ素子を発光させることが可能であるため、デューティ比が上がってもディスプレイの輝度減少を招くようなことはない。しかしながら、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイに代表されるように、発光画素の駆動回路構成が複雑になるほど、また、発光画素数が増加するほど、微細加工を必要とする製造工程において、回路素子や配線の短絡や開放といった電気的な不具合が発生してしまう。
【０００４】
この対策として、製造工程において発生した配線等の短絡をＹＡＧレーザー照射により解消する方法が挙げられる。ＹＡＧレーザーは、他のレーザーに比べ装置化が簡単で、このような修正に対して扱いが適している。
【０００５】
特許文献１には、ＹＡＧレーザーを用いた有機ＥＬパネルの欠陥修正方法が開示されている。具体的には、予め、有機ＥＬパネルの電極材質に対応して、当該材質からなる電極の下層に損傷を与えずに当該電極のショート欠陥部を除去するための、レーザー波長及び出力条件を把握しておく。そして、ショート欠陥部を除去する際には、それぞれ、把握した電極材質に対応したレーザー波長及び出力条件にて、ＹＡＧレーザーを照射してショート欠陥部を除去する。また、第３高調波である３５５ｎｍの波長を有するレーザー照射では、熱影響によるバリ等が発生することから、光分解反応を主要因とする加工が可能な第４高調波である２６６ｎｍの波長を有するレーザー照射が選択されている。これにより、ショート欠陥部の下層に対し熱損傷を与えることなく修正することが可能であるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１９９９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、有機ＥＬパネルの金属配線等に、ＹＡＧレーザーを直接照射して加工する場合、レーザーの照射パワーにより、下層が損傷を受ける可能性がある。金属配線の下層として、例えば、絶縁体からなる平坦化膜が存在する場合、当該平坦化膜は、ＹＡＧレーザーの第４高調波である２６６ｎｍの波長を用いても、その照射パワーの強度が閾値を超えると、加工が開始されてしまう。レーザー照射により平坦化膜の加工が開始されると、加工された平坦化膜の平坦性が損なわれ、その上層に積層される有機層及び上部透明電極の積層精度が低下し、高歩留り及び高精細なディスプレイを実現することが困難となる。
【０００８】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、金属配線の下層を加工または損傷させることなく、金属配線がショート不良となることを未然に防止できるレーザー修正工程を有する表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法であって、前記表示部が有する基板上に形成された層の表面を平坦化する平坦化膜と、当該平坦化膜上に積層された電極層と、当該電極層上に形成され当該電極層を画素形成領域ごとに配置された電極として分離形成するためのパターニングされたレジストとを準備する第１工程と、隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストに対し、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長を有するレーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去する第２工程と、前記第２工程の完了後、全ての画素に対して、前記レジストをマスクとしてエッチングする第３工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の表示装置の製造方法によれば、ショート欠陥部の下層を損傷させずに金属配線を良好な形状に復元できる修正を、製造工程中にて実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る表示装置の構造断面図である。
【図２】レジスト残りのある画素の工程断面図及び上面図である。
【図３】波長２６６ｎｍのレーザーパワーと各膜の加工量との関係を表すグラフである。
【図４Ａ】適切な形状を有するスリットを介してレーザー照射された画素の工程断面図である。
【図４Ｂ】スリットを介してレーザー照射された画素の上面図である。
【図５】不適切な形状を有するスリットを介してレーザー照射された画素の工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る表示装置の製造工程を説明する工程断面図である。
【図７Ａ】本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するレーザー照射画素の上面図である。
【図７Ｂ】本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法の変形例１を説明するレーザー照射画素の上面図である。
【図７Ｃ】本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法の変形例２を説明するレーザー照射画素の上面図である。
【図８】本発明の表示装置を内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法であって、前記表示部が有する基板上に形成された層の表面を平坦化する平坦化膜と、当該平坦化膜上に積層された電極層と、当該電極層上に形成され当該電極層を画素形成領域ごとに配置された電極として分離形成するためのパターニングされたレジストとを準備する第１工程と、隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストに対し、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長を有するレーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去する第２工程と、前記第２工程の完了後、全ての画素に対して、前記レジストをマスクとしてエッチングする第３工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
本態様によると、パターニング崩れして残存したレジストを、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長のレーザーを照射することにより除去する。これにより、上記レーザーが照射されたレジスト及びその下層への熱蓄積が極めて小さく、専ら光分解反応により加工されるので、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリ発生が抑制される。よって、電極層の下層である平坦化膜に損傷を与えることなく、残存したレジスト、さらにはその下層の電極層を除去することが可能となる。
【００１４】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第２工程では、前記レーザーの照射を開始する時の照射パワーは、前記レーザーを前記平坦化膜の表面に照射した場合に前記平坦化膜が加工され始める照射パワーより小さいことが好ましい。
【００１５】
平坦化膜の加工開始パワーが電極層及びレジストのそれに比べて大きいことを利用することにより、平坦化膜を加工することなく残存するレジスト及びその下層の電極層を除去することが可能となる。
【００１６】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第２工程では、前記レーザーを複数回照射することにより、前記残存するレジストを除去してもよい。
【００１７】
ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長より短い波長を有するレーザー照射は、照射部位での熱発生は少なく、光分解反応を引き起こすことによりレジスト及び電極層を除去するものである。よって、複数回レーザー照射しても、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリ発生を懸念する必要がない。また、一度のレーザー照射により残存するレジストを除去する工程に比べて、複数回のレーザー照射により残存するレジストを除去する工程の方が、レーザー加工のばらつきが平準化され、また、加工形状等の自由度が向上するので、本発明の表示装置の製造方法と一工程としては好適である。
【００１８】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、さらに、前記第１工程と前記第２工程との間に、前記表示装置が有する全画素に対して、前記レジストのパターン検査を実行し、隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストにより、前記隣接する画素形成領域上のレジストが分離されていない画素を検出するレジスト欠陥検出工程を含み、前記第２工程では、前記レジスト欠陥検出工程にて検出された画素に対して、前記レーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去してもよい。
【００１９】
これにより、残存するレジストの存在する画素のみに対し、上述したレーザー照射を施すことが可能となる。よって、製造工程の簡略化及び歩留まりの向上が見込まれる。
【００２０】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第３工程の後、エッチングされて形成された前記電極の表面上に、画素を囲む堤の形状にパターニングされたバンクを形成するバンク形成工程と、前記バンク内に、発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層上に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、前記上部電極上に、保護膜及び封止層を順次形成する封止層形成工程とを含んでもよい。
【００２１】
これにより、上記レーザー照射による修正工程を含む表示装置の製造工程が実現される。
【００２２】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第２工程では、前記レーザーの照射幅は、前記隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔よりも狭く、かつ、前記照射幅の一端と当該一端に対応する前記辺とのレーザー照射方向における距離の差が前記電極層の膜厚以上であり、かつ、前記照射幅の他端と当該他端と対応する前記辺とのレーザー照射方向における距離の差が前記電極層の膜厚以上であることが好ましい。
【００２３】
レーザー照射により、残存していたレジストとその下層に電極層の一部とが除去されても、その後の第３工程によりエッチングされた電極層の間隔が、本来の隣接する画素形成領域の間隔より大きくなることを回避できる。
【００２４】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第２工程では、前記レーザーを照射する領域は、前記残存するレジストの領域の一部を含み、前記辺方向の前記レーザーを照射する領域の一端と他端との距離は、前記隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔以上に長く、かつ、前記一端及び前記他端は前記隣接する画素形成領域に挟まれる領域外にあることが好ましい。
【００２５】
これにより、第３工程後に形成された、対向する電極の向かい合う側面が平行になる。従って、その後に、隣接する画素形成領域に挟まれる領域上に形成されるバンクの形状を崩すことなく形成することができ、発光層の均一性が損なわれず、表示装置の高画質を維持することが可能となる。
【００２６】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図に基づき説明する。なお、以下では、全ての図を通じて同一又は相当する要素には同じ符号を付して、その重複する説明を省略する。また、以下では、上面発光方式の陽極（アノード）を下面に、また、陰極（カソード）を上面とする有機ＥＬ素子からなる画像表示装置を例に説明するが、これに限られない。
【００２７】
（実施の形態１）
本実施の形態に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法であって、基板上に形成された層の表面を平坦化する平坦化膜と、当該平坦化膜上に積層された電極層と、当該電極層上に形成され当該電極層を画素領域ごとに配置された電極として分離形成するためのパターニングされたレジストとを準備する第１工程と、隣接する画素形成領域の間の領域に残存するレジストに対し、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長を有するレーザーを照射することにより、残存するレジストを除去する第２工程と、当該第２工程の完了後、全ての画素に対してレジストをマスクとしてエッチングする第３工程とを含む。
【００２８】
これにより、ショート欠陥部の下層を損傷させずに電極層を良好な形状に復元できる修正を、製造工程中にて実施できる。
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
図１は、本発明の実施の形態に係る表示装置の構造断面図である。同図には、表示装置１０を構成する表示部である有機ＥＬ表示パネルの断面図が描かれている。同図に記載された表示装置１０は、ガラス基板１１と、駆動回路層１２と、平坦化膜１３と、下部電極１４と、バンク１５と、ＥＬ層１６と、上部電極１７と、保護膜１８と、封止層１９とを備える。
【００３１】
ガラス基板１１は、例えば、ガラスからなる基板であるが、樹脂からなるフレキシブル基板であってもよい。ガラス基板１１は、駆動回路層１２とともに、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を構成する。なお、有機ＥＬ表示パネルがトップエミッション構造の場合には、ガラス基板１１は透明である必要はないので、非透明の基板、例えば、シリコン基板を用いることもできる。
【００３２】
駆動回路層１２は、ガラス基板１１の上に形成された層であり、駆動トランジスタ、保持容量、及びスイッチングトランジスタ２１等を備える。
【００３３】
平坦化膜１３は、駆動回路層１２の表面の凹凸を平坦化することにより、上層に形成される有機ＥＬ素子の膜厚の均一性を確保する。平坦化膜１３は、有機物または無機物からなる絶縁膜であり、例えば、ＳｉＮＸ、ＳｉＯＸ、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられ、膜厚は、例えば、５μｍである。平坦化の手法としては、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などが挙げられる。
【００３４】
図１に記載された表示装置１０が、例えば、トップエミッション構造の場合、ＥＬ層１６に電圧を印加すると、ＥＬ層１６で光が生じ、透明陰極である上部電極１７、透明である保護膜１８及び封止層１９を通じて光が上方に出射する。また、ＥＬ層１６で生じた光のうち下方に向かったものは、反射陽極である下部電極１４で反射され、上部電極１７、保護膜１８及び封止層１９を通じて光が上方に出射する。
【００３５】
下部電極１４は、平坦化膜１３の表面上に積層され、上部電極１７に対して正の電圧をＥＬ層１６に印加する電極である。下部電極１４と駆動回路層１２が有する駆動トランジスタとは平坦化膜１３内に形成されたビアで接続されている。下部電極１４を構成する電極材料としては、例えば、非晶質炭素膜（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｃａｒｂｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＡＣＬ）とインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）との積層膜（ＡＣＬ２００ｎｍ／ＩＺＯ１６ｎｍ）や、反射率の高い金属であるＡｌ合金が好ましい。
【００３６】
ＥＬ層１６は、発光層であり、下部電極１４の上であってバンク１５で囲まれた領域に形成される。ＥＬ層１６は、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層及び電子注入層等から構成される。
【００３７】
正孔注入層は、下部電極１４の表面上に形成され、正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して、有機発光層へ正孔を注入する機能を有する。これにより、ＥＬ層１６の駆動電圧が低電圧化され、正孔注入の安定化により素子が長寿命化される。正孔注入層の材料としては、例えばＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）などを用いることができる。
【００３８】
正孔輸送層は、正孔注入層の表面上に形成され、正孔注入層から注入された正孔を有機発光層内へ効率良く輸送し、有機発光層と正孔注入層との界面での励起子の失活防止をし、さらには電子をブロックする機能を有する。正孔輸送層としては、例えば、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を有する有機高分子材料であり、例えば、トリフェルアミン、ポリアニリンなどが挙げられる。
【００３９】
なお、正孔輸送層は、その隣接層である正孔注入層や有機発光層の材料により、省略される場合がある。
【００４０】
有機発光層は、正孔輸送層の表面上に形成され、正孔と電子が注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。
【００４１】
有機発光層としては、インクジェットやスピンコートのような湿式成膜法で成膜できる発光性の有機材料を用いることが好ましい。これにより、大画面の基板に対して、簡易で均一な成膜が可能となる。この材料としては、特に限定されるものではないが、高分子有機材料が好ましい。高分子有機材料の特徴としては、デバイス構造が簡単であること、膜の信頼性に優れ、低電圧駆動のデバイスであることも挙げることができる。
【００４２】
電子注入層は、有機発光層の上に形成され、有機発光層への電子注入の障壁を低減しＥＬ層１６の駆動電圧を低電圧化すること、励起子失活を抑制する機能を有する。これにより、電子注入を安定化し素子を長寿命化すること、上部電極１７との密着を強化し発光面の均一性を向上させ素子欠陥を減少させることが可能となる。電子注入層は、特に限定されるものではないが、好ましくはバリウム、アルミニウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、さらに、バリウム−アルミニウム積層体などからなる。
【００４３】
バンク１５は、パターニング形成された下部電極１４の間及び下部電極１４の表面上に、画素を囲む堤の形状にパターニング形成され、ＥＬ層１６を所定の領域に形成するバンクとしての機能を有する。バンク１５に用いられる材料は、無機物質および有機物質のいずれであってもよいが、有機物質の方が、一般的に、撥水性が高いので、より好ましく用いることができる。このような材料の例としては、ポリイミド、ポリアクリルなどの樹脂が挙げられる。バンク１５のパターニングの方法としては、特に限定されるものではないが、感光性の材料を用いたフォトリソグラフィ法を適用することが好ましい。
【００４４】
上部電極１７は、電子注入層の表面上に積層され、下部電極１４に対して負の電圧をＥＬ層１６に印加し、電子を有機発光層に注入する機能を有する。上部電極１７としては、特に限定されるものではないが、透過率の高い物質および構造を用いることが好ましい。これにより、発光効率が高いトップエミッション有機ＥＬ素子を実現することができる。上部電極１７の構成としては、特に限定されるものではないが、金属酸化物層が用いられる。この金属酸化物層としては、特に限定されるものではないが、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、あるいはＩＺＯからなる層が用いられる。
【００４５】
保護膜１８は、上部電極１７の表面上に形成され、水分から素子を保護する機能を有する。保護膜１８は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、または有機膜からなる。
【００４６】
封止層１９は、保護膜１８の表面上に形成される。封止層１９は、例えば、封止ガラスからなる。
【００４７】
図２は、レジスト残りのある画素の工程断面図及び上面図である。図２の（ａ）は、下部電極１４をパターニングするためのレジスト２０をパターニング形成した直後の工程断面図であり、パターニングされたレジスト２０の間に、レジスト残りが存在する画素の断面図である。また、図２の（ｂ）は、図２（ａ）で示されたレジスト残りが存在する画素の上面図である。なお、図２の（ａ）では、既に形成されている駆動回路層１２及びガラス基板１１は、図示を省略している。
【００４８】
図２に示されたようなレジスト残りが存在する状態のまま、その後の工程にて下部電極１４をエッチングした場合、パターニングされるべき下部電極の間に電極が残存してしまい、下部電極間でショート欠陥が発生してしまう。
【００４９】
本発明の表示装置の製造方法では、下部電極１４をパターニングするためのレジスト２０をパターニング形成した直後に、レジストのパターン検査を実行する。これにより、レジスト残りが存在する画素を検出し、検出された画素のレジスト残りの部分にレーザーを照射して当該レジスト残りを消失させる。
【００５０】
図３は、波長２６６ｎｍのレーザーパワーと各膜の加工量との関係を表すグラフである。同図において、横軸は、ＹＡＧレーザーの第４高調波である２６６ｎｍの波長を有するレーザーの照射パワーを表している。また、縦軸は、上記レーザーを平坦化膜、レジスト、下部電極にそれぞれ照射した場合の、各膜の加工深さを表している。
【００５１】
図３より、下部電極及びレジストは、レーザーパワーを０から増加させるにつれ、当該レーザーパワーに応じて加工されている。一方、平坦化膜は、レーザーパワーが２００ｍＪ／ｃｍ２までは加工されず、当該パワーから加工が開始される。
【００５２】
上述した波長２６６ｎｍのレーザーの加工特性、つまり、平坦化膜の加工開始パワーが下部電極及びレジストのそれに比べて大きいことを利用することにより、レジスト残り及びその下層の下部電極を、平坦化膜を加工することなく切断することが可能となる。
【００５３】
なお、ＹＡＧレーザーの基本波から第３高調波までの波長を用いたレーザー照射では、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリが発生する。これは、ＹＡＧレーザーの基本波から第３高調波までの波長を用いたレーザー照射では、いずれの膜においても当該照射で発生する熱により加工されてしまうことによるものである。一方、上記波長２６６ｎｍのレーザー照射では、照射された膜への熱蓄積が極めて小さく、専ら光分解反応により加工されるので、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリ発生が抑制される。
【００５４】
上述した、レジスト残りへのレーザー照射において、当該レーザー照射すべき部位に、スリットを設けることが望ましい。
【００５５】
図４Ａは、適切な形状を有するスリットを介してレーザー照射された画素の工程断面図である。また、図４Ｂは、スリットを介してレーザー照射された画素の上面図である。図４Ａは、図２の（ａ）に示された、レジスト残りが存在する画素を模式的に示した断面図であり、下部電極１４の上に、パターニングされたレジスト２０とともに、レジスト残り２０Ｎが存在している。
【００５６】
レジスト残り２０Ｎを除去するためにレーザーをレジスト残り２０Ｎに照射する場合、レジスト層の上部に適切な形状を有するスリット３０Ａを設けることが望ましい。スリット３０Ａの適切な形状とは、スリット３０Ａの開口が、本来パターニングされるべきレジスト２０の間隔よりも小さく、かつ、当該スリット３０Ａの外周辺と本来パターニングされるべきレジスト２０の端部とのレーザー照射方向における距離の差（図４ＡにおけるＬ１及びＬ２）が下部電極１４の膜厚ｔ以上であるような形状である。換言すれば、レーザーの照射幅が、隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔よりも狭く、かつ、レーザー照射幅の一端と当該一端と対応する上記辺とのレーザー照射方向における距離の差（Ｌ１）が下部電極１４の膜厚以上であり、かつ、レーザー照射幅の他端と当該他端と対応する上記辺とのレーザー照射方向における距離の差（Ｌ２）が下部電極１４の膜厚以上である。ここで、画素形成領域とは、下部電極１４が形成される領域のことである。
【００５７】
上記のように、スリット３０Ａを上記適切な形状とすることにより、レーザー照射でレジスト残り２０Ｎとその下層に位置する下部電極１４の一部とが除去されても、その後のエッチング工程によりパターニングされた下部電極１４の間隔が、本来パターニングされるべき下部電極１４の間隔より大きくなることを回避できる。
【００５８】
図５は、不適切な形状を有するスリットを介してレーザー照射された画素の工程断面図である。同図に記載されたスリット３０Ｂの開口は、本来パターニングされるべきレジスト２０の間隔よりも広い。スリット３０Ｂを介してレーザー照射した場合、レーザー照射でレジスト残り２０Ｎとその下層に位置する下部電極１４の一部とが除去されると、その後のエッチング工程によりパターニングされた下部電極１４の間隔が、下部電極１４のサイドエッチングにより、本来パターニングされるべき下部電極１４の間隔より大きくなってしまう。
【００５９】
次に、上述したレーザー照射による修正工程を含む本発明の表示装置の製造工程について、詳細に説明する。
【００６０】
図６は、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造工程を説明する工程断面図である。
【００６１】
まず、図６の（ａ）に示すように、ガラス基板１１の上に駆動回路層１２を形成する。その後、駆動回路層１２の上に、層間絶縁層としても機能する平坦化膜１３を形成する。平坦化膜１３は、例えば、リソグラフィ技術により有機物から構成され、最上部が平坦化されている。
【００６２】
次に、図６の（ｂ）に示すように、平坦化膜１３の表面に、下部電極層１４Ｐを積層する。下部電極層１４Ｐは、電極層であり、例えば、Ａｌ合金をスパッタ法により５００ｎｍの膜厚に製膜することにより形成される。
【００６３】
次に、図６の（ｃ）に示すように、下部電極層１４Ｐの表面に、レジスト膜２０Ｐを形成する。
【００６４】
次に、図６の（ｄ）に示すように、レジスト膜２０Ｐを、下層の下部電極層１４Ｐを画素形成領域ごとに配置された下部電極１４として分離形成するために、パターニングする。レジスト膜２０Ｐは、例えば、リソグラフィ技術を用いて１μｍの膜厚にパターニング形成される。
【００６５】
上述した、平坦化膜１３と、下部電極層１４Ｐと、レジスト膜２０Ｐをパターニングする工程は、第１工程に相当する。
【００６６】
次に、レジストパターンが所望の箇所だけに形成されているかを、画像検査装置を用いて検査する。その結果、図６の（ｄ）に示すように、パターン崩れ等により、所望のレジストパターンであるレジスト２０以外の箇所、つまり、隣接する画素形成領域の間の領域にレジスト残り２０Ｎが残存する画素が検出された場合、当該画素を、隣接する画素形成領域上のレジストが分離されていない画素としてレーザー照射による修正対象画素とする。本工程は、隣接する画素形成領域上のレジストが分離されていない画素を検出するレジスト欠陥検出工程に相当する。
【００６７】
具体的には、図６の（ｅ）に示すように、図４Ａで示された適切な形状を有するスリット３０Ａをマスクとして、レジスト残り２０Ｎにレーザーを照射する。具体的には、レジスト残り２０Ｎを除去するために、ＹＡＧレーザーの第４高調波である２６６ｎｍの波長を有するレーザー照射により、レーザー照射パワーを２０ｍＪ／ｃｍ２にしてレジスト残り２０Ｎを照射する。このとき、レーザー照射パワーは、平坦化膜１３の加工開始パワーである２００ｍＪ／ｃｍ２以下であることが望ましい。本工程は、レジスト残り２０Ｎに対し、上記レーザーを照射することにより、レジスト残り２０Ｎを除去する第２工程に相当する。
【００６８】
なお、上述したレジスト残り２０Ｎへのレーザー照射は、間欠的に複数回実行してもよい。ＹＡＧレーザーの第４高調波である２６６ｎｍの波長を有するレーザー照射は、前述したように、照射部位での熱発生は少なく、光分解反応を引き起こすことによりレジストを除去するものである。よって、複数回レーザー照射しても、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリ発生を懸念する必要がない。これにより、一度のレーザー照射によりレジスト残り２０Ｎを除去する工程に比べて、複数回のレーザー照射によりレジスト残り２０Ｎを除去する工程の方が、レーザー加工のばらつきが平準化され、また、加工形状等の自由度が向上するので、本発明の表示装置の製造方法と一工程としては好適である。
【００６９】
これにより、図６の（ｆ）に示すように、レジスト残り２０Ｎの下部に存在した下部電極層１４Ｐの一部も同時に除去されるが、さらにその下層である平坦化膜１３の一部は加工されない。
【００７０】
次に、図６の（ｇ）に示すように、パターニングされたレジスト２０をマスクとし、例えば、量産性に優れたウエットエッチング技術により、下部電極層１４Ｐをエッチングすることにより、パターニングされた下部電極１４を形成する。本工程は、全ての画素に対して、レジスト２０をマスクとしてエッチングする第３工程に相当する。その後、エッチング後のレジスト２０を除去する。
【００７１】
次に、図６の（ｈ）に示すように、下部電極１４の表面上に、有機膜１５Ｐを積層する。
【００７２】
次に、図６の（ｉ）に示すように、下部電極１４上にＥＬ層１６を画素ごとに充填するために、積層された有機膜１５Ｐを、リソグラフィ技術を用いて、画素を囲む堤の形状にパターニングしてバンク１５を形成する。パターニングされたバンク１５は、例えば、膜厚は１μｍである。本工程は、エッチングされて形成された下部電極１４の表面上に、画素を囲む堤の形状にパターニングされたバンク１５を形成するバンク形成工程に相当する。
【００７３】
次に、図６の（ｊ）に示すように、バンク１５内に、印刷技術等を用いてＥＬ層１６を充填形成する。本工程は、発光層形成工程に相当する。
【００７４】
その後、ＥＬ層１６の上に、上部電極１７を、例えば蒸着法により形成する。本工程は、上部電極形成工程に相当する。
【００７５】
最後に、上部電極１７の上に、保護膜１８及び封止層１９を順次形成する。本工程は、封止層形成工程に相当する。
【００７６】
なお、上述した画像検査装置によるレジストパターンの検査において、レジスト残り２０Ｎが存在する画素が検出されなかった場合には、図６（ｅ）及び図６（ｆ）に記載されたレーザー照射工程を経ずに、図６（ｇ）に記載されたエッチング工程を実行する。
【００７７】
以上の製造工程により、ショート欠陥部の下層である平坦化膜１３を損傷させずに良好な下部電極１４の形状を復元するためのレジストの修正を実施できる。また、複数回のレーザー照射による修正工程も可能であり、これにより、レーザー加工のばらつきが平準化され、また、加工形状等の自由度が向上する。
【００７８】
なお、レーザー照射範囲は、レジスト残り２０Ｎが存在する部位のみに限定されるのではなく、レジスト残り２０Ｎが存在する部位を含み、本来下部電極層１４Ｐが除去されるべき画素内領域にわたる範囲とすることが望ましい。以下、このようなレーザー照射範囲とすることの効果について説明する。
【００７９】
図７Ａは、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するレーザー照射画素の上面図である。図７Ｂは、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法の変形例１を説明するレーザー照射画素の上面図である。一方、図７Ｃは、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法の変形例２を説明するレーザー照射画素の上面図である。
【００８０】
図７Ａ及び図７Ｂは、上から順に、図４Ａ及び図４Ｂに記載されたスリット３０Ａをマスクとしてレーザー照射された場合の上面図、エッチング後の下部電極１４の形状、ならびに、当該下部電極１４の表面上に形成されたバンク１５の上面図及び断面図を表している。また、図７Ｃは、上から順に、スリット３０Ｓをマスクとしてレーザー照射された場合の上面図、エッチング後の下部電極１４の形状、ならびに、当該下部電極１４の表面上に形成されたバンク１５の上面図及び断面図を表している。
【００８１】
図７Ａに記載されたスリット３０Ａをマスクとしてレーザー照射された場合、レーザー照射後の下部電極層１４Ｐは、スリット３０Ａの開口部内の領域のみ除去されている。この状態で、さらに次工程にてエッチングされる場合、スリット３０Ａにより開口された部分の下部電極層１４Ｐでは、レーザー照射により形成された断面からのサイドエッチが寄与し、レーザー照射されずに下部電極層１４Ｐが残っていた部分に比べ、下部電極１４の一部が後退する。従って、レジスト残り２０Ｎの下にあった下部電極層１４Ｐが除去されることで、隣接する下部電極１４間において、当該隣接する下部電極１４同士が短絡することを抑制できる。しかし、エッチング工程後に形成される、対向する下部電極１４の形状が一様とならない。この状態で、下部電極１４表面上にバンク１５が形成されると、バンク１５の傾斜部形状（図７ＡにおけるＸ−Ｘ’断面とＹ−Ｙ’断面との形状差）が一様とならず、ＥＬ層１６の均一性が損なわれ、表示装置の画質が低下することとなる。また、下部電極１４の一部が後退することで、バンク１５の端が下部電極１４表面上に形成されない領域が発生することも想定される。
【００８２】
そこで、スリット３０Ａの開口部の幅を小さくし、Ｌ１及びＬ２を調整することで、図７Ｂに記載されたように、下部電極１４の形状をレジスト残り２０Ｎの下にあった下部電極層１４Ｐの一部が残存する状態にすることができる。これにより、バンク１５の端が下部電極１４表面上に形成されない可能性を低減できる。
【００８３】
しかしながら、エッチング工程後に形成された、対向する下部電極１４の形状が一様とならない問題は残る。
【００８４】
これに対し、図７Ｃに記載されたスリット３０Ｓをマスクとしてレーザー照射された場合、スリット３０Ｓは、下部電極１４にわたり開口されているので、レーザー照射後の下部電極層１４Ｐは、スリット３０Ｓの開口部にわたり除去されている。この状態で、さらに次工程にてエッチングされる場合、スリット３０Ｓにより開口された部分の下部電極層１４Ｐでは、レーザー照射により形成された断面からのサイドエッチが寄与し下部電極１４が一様に後退する。そうすると、エッチング工程後に形成された、対向する下部電極１４の形状を一様とできる。この状態で、下部電極１４表面上にバンク１５が形成されると、バンク１５の傾斜部形状（図７ＣにおけるＸ−Ｘ’断面とＹ−Ｙ’断面との形状差）は一様となり、ＥＬ層１６の均一性が損なわれず、表示装置の高画質を維持することが可能となる。
【００８５】
つまり、レーザーが照射される領域は、レジスト残り２０Ｎの領域の一部を含み、隣接する画素形成領域の対向する辺方向のレーザー照射領域の一端と他端との距離は、隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔以上に長く、かつ、レーザー照射領域の一端及び他端は隣接する画素形成領域に挟まれる領域外にあることが望ましい。
【００８６】
以上、本発明の表示装置の製造方法について、実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明に係る表示装置の製造方法は、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態及びその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態及びその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００８７】
また、例えば、本発明に係る表示装置の製造方法は、図８に記載されたような薄型フラットＴＶの製造に使用される。これにより、ショート欠陥部の下層を損傷させることなく、また良好な形状を保持できる金属配線が修正された表示パネルを有する薄型フラットＴＶが実現される。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の表示装置の製造方法は、大画面及び高解像度が要望される、薄型テレビ、パーソナルコンピュータのディスプレイなどの技術分野に有用である。
【符号の説明】
【００８９】
１０ 表示装置
１１ ガラス基板
１２ 駆動回路層
１３ 平坦化膜
１４ 下部電極
１４Ｐ 下部電極層
１５ バンク
１５Ｐ 有機膜
１６ ＥＬ層
１７ 上部電極
１８ 保護膜
１９ 封止層
２０ レジスト
２０Ｐ レジスト膜
２０Ｎ レジスト残り
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｓ スリット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特にレーザー照射による修正工程を含む製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流駆動型の発光素子を用いた画像表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記す。）を用いた有機ＥＬディスプレイが知られている。この有機ＥＬディスプレイは、視野角特性が良好で、消費電力が少ないという利点を有するため、次世代のＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）候補として注目されている。
【０００３】
通常、画素を構成する有機ＥＬ素子はマトリクス状に配置される。例えば、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイでは、複数の走査線と複数のデータ線との交点に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が設けられ、このＴＦＴに保持容量素子（コンデンサ）及び駆動トランジスタのゲートが接続されている。そして、選択した走査線を通じてこのＴＦＴをオンさせ、データ線からのデータ信号を駆動トランジスタ及び保持容量素子に入力し、その駆動トランジスタ及び保持容量素子によって有機ＥＬ素子の発光タイミングを制御する。この画素駆動回路の構成により、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイでは、次の走査（選択）まで有機ＥＬ素子を発光させることが可能であるため、デューティ比が上がってもディスプレイの輝度減少を招くようなことはない。しかしながら、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイに代表されるように、発光画素の駆動回路構成が複雑になるほど、また、発光画素数が増加するほど、微細加工を必要とする製造工程において、回路素子や配線の短絡や開放といった電気的な不具合が発生してしまう。
【０００４】
この対策として、製造工程において発生した配線等の短絡をＹＡＧレーザー照射により解消する方法が挙げられる。ＹＡＧレーザーは、他のレーザーに比べ装置化が簡単で、このような修正に対して扱いが適している。
【０００５】
特許文献１には、ＹＡＧレーザーを用いた有機ＥＬパネルの欠陥修正方法が開示されている。具体的には、予め、有機ＥＬパネルの電極材質に対応して、当該材質からなる電極の下層に損傷を与えずに当該電極のショート欠陥部を除去するための、レーザー波長及び出力条件を把握しておく。そして、ショート欠陥部を除去する際には、それぞれ、把握した電極材質に対応したレーザー波長及び出力条件にて、ＹＡＧレーザーを照射してショート欠陥部を除去する。また、第３高調波である３５５ｎｍの波長を有するレーザー照射では、熱影響によるバリ等が発生することから、光分解反応を主要因とする加工が可能な第４高調波である２６６ｎｍの波長を有するレーザー照射が選択されている。これにより、ショート欠陥部の下層に対し熱損傷を与えることなく修正することが可能であるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１９９９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、有機ＥＬパネルの金属配線等に、ＹＡＧレーザーを直接照射して加工する場合、レーザーの照射パワーにより、下層が損傷を受ける可能性がある。金属配線の下層として、例えば、絶縁体からなる平坦化膜が存在する場合、当該平坦化膜は、ＹＡＧレーザーの第４高調波である２６６ｎｍの波長を用いても、その照射パワーの強度が閾値を超えると、加工が開始されてしまう。レーザー照射により平坦化膜の加工が開始されると、加工された平坦化膜の平坦性が損なわれ、その上層に積層される有機層及び上部透明電極の積層精度が低下し、高歩留り及び高精細なディスプレイを実現することが困難となる。
【０００８】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、金属配線の下層を加工または損傷させることなく、金属配線がショート不良となることを未然に防止できるレーザー修正工程を有する表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法であって、前記表示部が有する基板上に形成された層の表面を平坦化する平坦化膜と、当該平坦化膜上に積層された電極層と、当該電極層上に形成され当該電極層を画素形成領域ごとに配置された電極として分離形成するためのパターニングされたレジストとを準備する第１工程と、隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストに対し、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長を有するレーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去する第２工程と、前記第２工程の完了後、全ての画素に対して、前記レジストをマスクとしてエッチングする第３工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の表示装置の製造方法によれば、ショート欠陥部の下層を損傷させずに金属配線を良好な形状に復元できる修正を、製造工程中にて実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る表示装置の構造断面図である。
【図２】レジスト残りのある画素の工程断面図及び上面図である。
【図３】波長２６６ｎｍのレーザーパワーと各膜の加工量との関係を表すグラフである。
【図４Ａ】適切な形状を有するスリットを介してレーザー照射された画素の工程断面図である。
【図４Ｂ】スリットを介してレーザー照射された画素の上面図である。
【図５】不適切な形状を有するスリットを介してレーザー照射された画素の工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る表示装置の製造工程を説明する工程断面図である。
【図７Ａ】本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するレーザー照射画素の上面図である。
【図７Ｂ】本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法の変形例１を説明するレーザー照射画素の上面図である。
【図７Ｃ】本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法の変形例２を説明するレーザー照射画素の上面図である。
【図８】本発明の表示装置を内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法であって、前記表示部が有する基板上に形成された層の表面を平坦化する平坦化膜と、当該平坦化膜上に積層された電極層と、当該電極層上に形成され当該電極層を画素形成領域ごとに配置された電極として分離形成するためのパターニングされたレジストとを準備する第１工程と、隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストに対し、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長を有するレーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去する第２工程と、前記第２工程の完了後、全ての画素に対して、前記レジストをマスクとしてエッチングする第３工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
本態様によると、パターニング崩れして残存したレジストを、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長のレーザーを照射することにより除去する。これにより、上記レーザーが照射されたレジスト及びその下層への熱蓄積が極めて小さく、専ら光分解反応により加工されるので、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリ発生が抑制される。よって、電極層の下層である平坦化膜に損傷を与えることなく、残存したレジスト、さらにはその下層の電極層を除去することが可能となる。
【００１４】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第２工程では、前記レーザーの照射を開始する時の照射パワーは、前記レーザーを前記平坦化膜の表面に照射した場合に前記平坦化膜が加工され始める照射パワーより小さいことが好ましい。
【００１５】
平坦化膜の加工開始パワーが電極層及びレジストのそれに比べて大きいことを利用することにより、平坦化膜を加工することなく残存するレジスト及びその下層の電極層を除去することが可能となる。
【００１６】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第２工程では、前記レーザーを複数回照射することにより、前記残存するレジストを除去してもよい。
【００１７】
ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長より短い波長を有するレーザー照射は、照射部位での熱発生は少なく、光分解反応を引き起こすことによりレジスト及び電極層を除去するものである。よって、複数回レーザー照射しても、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリ発生を懸念する必要がない。また、一度のレーザー照射により残存するレジストを除去する工程に比べて、複数回のレーザー照射により残存するレジストを除去する工程の方が、レーザー加工のばらつきが平準化され、また、加工形状等の自由度が向上するので、本発明の表示装置の製造方法と一工程としては好適である。
【００１８】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、さらに、前記第１工程と前記第２工程との間に、前記表示装置が有する全画素に対して、前記レジストのパターン検査を実行し、隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストにより、前記隣接する画素形成領域上のレジストが分離されていない画素を検出するレジスト欠陥検出工程を含み、前記第２工程では、前記レジスト欠陥検出工程にて検出された画素に対して、前記レーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去してもよい。
【００１９】
これにより、残存するレジストの存在する画素のみに対し、上述したレーザー照射を施すことが可能となる。よって、製造工程の簡略化及び歩留まりの向上が見込まれる。
【００２０】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第３工程の後、エッチングされて形成された前記電極の表面上に、画素を囲む堤の形状にパターニングされたバンクを形成するバンク形成工程と、前記バンク内に、発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層上に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、前記上部電極上に、保護膜及び封止層を順次形成する封止層形成工程とを含んでもよい。
【００２１】
これにより、上記レーザー照射による修正工程を含む表示装置の製造工程が実現される。
【００２２】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第２工程では、前記レーザーの照射幅は、前記隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔よりも狭く、かつ、前記照射幅の一端と当該一端に対応する前記辺とのレーザー照射方向における距離の差が前記電極層の膜厚以上であり、かつ、前記照射幅の他端と当該他端と対応する前記辺とのレーザー照射方向における距離の差が前記電極層の膜厚以上であることが好ましい。
【００２３】
レーザー照射により、残存していたレジストとその下層に電極層の一部とが除去されても、その後の第３工程によりエッチングされた電極層の間隔が、本来の隣接する画素形成領域の間隔より大きくなることを回避できる。
【００２４】
また、本発明に係る表示装置の製造方法の一態様は、前記第２工程では、前記レーザーを照射する領域は、前記残存するレジストの領域の一部を含み、前記辺方向の前記レーザーを照射する領域の一端と他端との距離は、前記隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔以上に長く、かつ、前記一端及び前記他端は前記隣接する画素形成領域に挟まれる領域外にあることが好ましい。
【００２５】
これにより、第３工程後に形成された、対向する電極の向かい合う側面が平行になる。従って、その後に、隣接する画素形成領域に挟まれる領域上に形成されるバンクの形状を崩すことなく形成することができ、発光層の均一性が損なわれず、表示装置の高画質を維持することが可能となる。
【００２６】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図に基づき説明する。なお、以下では、全ての図を通じて同一又は相当する要素には同じ符号を付して、その重複する説明を省略する。また、以下では、上面発光方式の陽極（アノード）を下面に、また、陰極（カソード）を上面とする有機ＥＬ素子からなる画像表示装置を例に説明するが、これに限られない。
【００２７】
（実施の形態１）
本実施の形態に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法であって、基板上に形成された層の表面を平坦化する平坦化膜と、当該平坦化膜上に積層された電極層と、当該電極層上に形成され当該電極層を画素領域ごとに配置された電極として分離形成するためのパターニングされたレジストとを準備する第１工程と、隣接する画素形成領域の間の領域に残存するレジストに対し、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長を有するレーザーを照射することにより、残存するレジストを除去する第２工程と、当該第２工程の完了後、全ての画素に対してレジストをマスクとしてエッチングする第３工程とを含む。
【００２８】
これにより、ショート欠陥部の下層を損傷させずに電極層を良好な形状に復元できる修正を、製造工程中にて実施できる。
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
図１は、本発明の実施の形態に係る表示装置の構造断面図である。同図には、表示装置１０を構成する表示部である有機ＥＬ表示パネルの断面図が描かれている。同図に記載された表示装置１０は、ガラス基板１１と、駆動回路層１２と、平坦化膜１３と、下部電極１４と、バンク１５と、ＥＬ層１６と、上部電極１７と、保護膜１８と、封止層１９とを備える。
【００３１】
ガラス基板１１は、例えば、ガラスからなる基板であるが、樹脂からなるフレキシブル基板であってもよい。ガラス基板１１は、駆動回路層１２とともに、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を構成する。なお、有機ＥＬ表示パネルがトップエミッション構造の場合には、ガラス基板１１は透明である必要はないので、非透明の基板、例えば、シリコン基板を用いることもできる。
【００３２】
駆動回路層１２は、ガラス基板１１の上に形成された層であり、駆動トランジスタ、保持容量、及びスイッチングトランジスタ２１等を備える。
【００３３】
平坦化膜１３は、駆動回路層１２の表面の凹凸を平坦化することにより、上層に形成される有機ＥＬ素子の膜厚の均一性を確保する。平坦化膜１３は、有機物または無機物からなる絶縁膜であり、例えば、ＳｉＮＸ、ＳｉＯＸ、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられ、膜厚は、例えば、５μｍである。平坦化の手法としては、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などが挙げられる。
【００３４】
図１に記載された表示装置１０が、例えば、トップエミッション構造の場合、ＥＬ層１６に電圧を印加すると、ＥＬ層１６で光が生じ、透明陰極である上部電極１７、透明である保護膜１８及び封止層１９を通じて光が上方に出射する。また、ＥＬ層１６で生じた光のうち下方に向かったものは、反射陽極である下部電極１４で反射され、上部電極１７、保護膜１８及び封止層１９を通じて光が上方に出射する。
【００３５】
下部電極１４は、平坦化膜１３の表面上に積層され、上部電極１７に対して正の電圧をＥＬ層１６に印加する電極である。下部電極１４と駆動回路層１２が有する駆動トランジスタとは平坦化膜１３内に形成されたビアで接続されている。下部電極１４を構成する電極材料としては、例えば、非晶質炭素膜（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｃａｒｂｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＡＣＬ）とインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）との積層膜（ＡＣＬ２００ｎｍ／ＩＺＯ１６ｎｍ）や、反射率の高い金属であるＡｌ合金が好ましい。
【００３６】
ＥＬ層１６は、発光層であり、下部電極１４の上であってバンク１５で囲まれた領域に形成される。ＥＬ層１６は、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層及び電子注入層等から構成される。
【００３７】
正孔注入層は、下部電極１４の表面上に形成され、正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して、有機発光層へ正孔を注入する機能を有する。これにより、ＥＬ層１６の駆動電圧が低電圧化され、正孔注入の安定化により素子が長寿命化される。正孔注入層の材料としては、例えばＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）などを用いることができる。
【００３８】
正孔輸送層は、正孔注入層の表面上に形成され、正孔注入層から注入された正孔を有機発光層内へ効率良く輸送し、有機発光層と正孔注入層との界面での励起子の失活防止をし、さらには電子をブロックする機能を有する。正孔輸送層としては、例えば、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を有する有機高分子材料であり、例えば、トリフェルアミン、ポリアニリンなどが挙げられる。
【００３９】
なお、正孔輸送層は、その隣接層である正孔注入層や有機発光層の材料により、省略される場合がある。
【００４０】
有機発光層は、正孔輸送層の表面上に形成され、正孔と電子が注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。
【００４１】
有機発光層としては、インクジェットやスピンコートのような湿式成膜法で成膜できる発光性の有機材料を用いることが好ましい。これにより、大画面の基板に対して、簡易で均一な成膜が可能となる。この材料としては、特に限定されるものではないが、高分子有機材料が好ましい。高分子有機材料の特徴としては、デバイス構造が簡単であること、膜の信頼性に優れ、低電圧駆動のデバイスであることも挙げることができる。
【００４２】
電子注入層は、有機発光層の上に形成され、有機発光層への電子注入の障壁を低減しＥＬ層１６の駆動電圧を低電圧化すること、励起子失活を抑制する機能を有する。これにより、電子注入を安定化し素子を長寿命化すること、上部電極１７との密着を強化し発光面の均一性を向上させ素子欠陥を減少させることが可能となる。電子注入層は、特に限定されるものではないが、好ましくはバリウム、アルミニウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、さらに、バリウム−アルミニウム積層体などからなる。
【００４３】
バンク１５は、パターニング形成された下部電極１４の間及び下部電極１４の表面上に、画素を囲む堤の形状にパターニング形成され、ＥＬ層１６を所定の領域に形成するバンクとしての機能を有する。バンク１５に用いられる材料は、無機物質および有機物質のいずれであってもよいが、有機物質の方が、一般的に、撥水性が高いので、より好ましく用いることができる。このような材料の例としては、ポリイミド、ポリアクリルなどの樹脂が挙げられる。バンク１５のパターニングの方法としては、特に限定されるものではないが、感光性の材料を用いたフォトリソグラフィ法を適用することが好ましい。
【００４４】
上部電極１７は、電子注入層の表面上に積層され、下部電極１４に対して負の電圧をＥＬ層１６に印加し、電子を有機発光層に注入する機能を有する。上部電極１７としては、特に限定されるものではないが、透過率の高い物質および構造を用いることが好ましい。これにより、発光効率が高いトップエミッション有機ＥＬ素子を実現することができる。上部電極１７の構成としては、特に限定されるものではないが、金属酸化物層が用いられる。この金属酸化物層としては、特に限定されるものではないが、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、あるいはＩＺＯからなる層が用いられる。
【００４５】
保護膜１８は、上部電極１７の表面上に形成され、水分から素子を保護する機能を有する。保護膜１８は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、または有機膜からなる。
【００４６】
封止層１９は、保護膜１８の表面上に形成される。封止層１９は、例えば、封止ガラスからなる。
【００４７】
図２は、レジスト残りのある画素の工程断面図及び上面図である。図２の（ａ）は、下部電極１４をパターニングするためのレジスト２０をパターニング形成した直後の工程断面図であり、パターニングされたレジスト２０の間に、レジスト残りが存在する画素の断面図である。また、図２の（ｂ）は、図２（ａ）で示されたレジスト残りが存在する画素の上面図である。なお、図２の（ａ）では、既に形成されている駆動回路層１２及びガラス基板１１は、図示を省略している。
【００４８】
図２に示されたようなレジスト残りが存在する状態のまま、その後の工程にて下部電極１４をエッチングした場合、パターニングされるべき下部電極の間に電極が残存してしまい、下部電極間でショート欠陥が発生してしまう。
【００４９】
本発明の表示装置の製造方法では、下部電極１４をパターニングするためのレジスト２０をパターニング形成した直後に、レジストのパターン検査を実行する。これにより、レジスト残りが存在する画素を検出し、検出された画素のレジスト残りの部分にレーザーを照射して当該レジスト残りを消失させる。
【００５０】
図３は、波長２６６ｎｍのレーザーパワーと各膜の加工量との関係を表すグラフである。同図において、横軸は、ＹＡＧレーザーの第４高調波である２６６ｎｍの波長を有するレーザーの照射パワーを表している。また、縦軸は、上記レーザーを平坦化膜、レジスト、下部電極にそれぞれ照射した場合の、各膜の加工深さを表している。
【００５１】
図３より、下部電極及びレジストは、レーザーパワーを０から増加させるにつれ、当該レーザーパワーに応じて加工されている。一方、平坦化膜は、レーザーパワーが２００ｍＪ／ｃｍ２までは加工されず、当該パワーから加工が開始される。
【００５２】
上述した波長２６６ｎｍのレーザーの加工特性、つまり、平坦化膜の加工開始パワーが下部電極及びレジストのそれに比べて大きいことを利用することにより、レジスト残り及びその下層の下部電極を、平坦化膜を加工することなく切断することが可能となる。
【００５３】
なお、ＹＡＧレーザーの基本波から第３高調波までの波長を用いたレーザー照射では、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリが発生する。これは、ＹＡＧレーザーの基本波から第３高調波までの波長を用いたレーザー照射では、いずれの膜においても当該照射で発生する熱により加工されてしまうことによるものである。一方、上記波長２６６ｎｍのレーザー照射では、照射された膜への熱蓄積が極めて小さく、専ら光分解反応により加工されるので、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリ発生が抑制される。
【００５４】
上述した、レジスト残りへのレーザー照射において、当該レーザー照射すべき部位に、スリットを設けることが望ましい。
【００５５】
図４Ａは、適切な形状を有するスリットを介してレーザー照射された画素の工程断面図である。また、図４Ｂは、スリットを介してレーザー照射された画素の上面図である。図４Ａは、図２の（ａ）に示された、レジスト残りが存在する画素を模式的に示した断面図であり、下部電極１４の上に、パターニングされたレジスト２０とともに、レジスト残り２０Ｎが存在している。
【００５６】
レジスト残り２０Ｎを除去するためにレーザーをレジスト残り２０Ｎに照射する場合、レジスト層の上部に適切な形状を有するスリット３０Ａを設けることが望ましい。スリット３０Ａの適切な形状とは、スリット３０Ａの開口が、本来パターニングされるべきレジスト２０の間隔よりも小さく、かつ、当該スリット３０Ａの外周辺と本来パターニングされるべきレジスト２０の端部とのレーザー照射方向における距離の差（図４ＡにおけるＬ１及びＬ２）が下部電極１４の膜厚ｔ以上であるような形状である。換言すれば、レーザーの照射幅が、隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔よりも狭く、かつ、レーザー照射幅の一端と当該一端と対応する上記辺とのレーザー照射方向における距離の差（Ｌ１）が下部電極１４の膜厚以上であり、かつ、レーザー照射幅の他端と当該他端と対応する上記辺とのレーザー照射方向における距離の差（Ｌ２）が下部電極１４の膜厚以上である。ここで、画素形成領域とは、下部電極１４が形成される領域のことである。
【００５７】
上記のように、スリット３０Ａを上記適切な形状とすることにより、レーザー照射でレジスト残り２０Ｎとその下層に位置する下部電極１４の一部とが除去されても、その後のエッチング工程によりパターニングされた下部電極１４の間隔が、本来パターニングされるべき下部電極１４の間隔より大きくなることを回避できる。
【００５８】
図５は、不適切な形状を有するスリットを介してレーザー照射された画素の工程断面図である。同図に記載されたスリット３０Ｂの開口は、本来パターニングされるべきレジスト２０の間隔よりも広い。スリット３０Ｂを介してレーザー照射した場合、レーザー照射でレジスト残り２０Ｎとその下層に位置する下部電極１４の一部とが除去されると、その後のエッチング工程によりパターニングされた下部電極１４の間隔が、下部電極１４のサイドエッチングにより、本来パターニングされるべき下部電極１４の間隔より大きくなってしまう。
【００５９】
次に、上述したレーザー照射による修正工程を含む本発明の表示装置の製造工程について、詳細に説明する。
【００６０】
図６は、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造工程を説明する工程断面図である。
【００６１】
まず、図６の（ａ）に示すように、ガラス基板１１の上に駆動回路層１２を形成する。その後、駆動回路層１２の上に、層間絶縁層としても機能する平坦化膜１３を形成する。平坦化膜１３は、例えば、リソグラフィ技術により有機物から構成され、最上部が平坦化されている。
【００６２】
次に、図６の（ｂ）に示すように、平坦化膜１３の表面に、下部電極層１４Ｐを積層する。下部電極層１４Ｐは、電極層であり、例えば、Ａｌ合金をスパッタ法により５００ｎｍの膜厚に製膜することにより形成される。
【００６３】
次に、図６の（ｃ）に示すように、下部電極層１４Ｐの表面に、レジスト膜２０Ｐを形成する。
【００６４】
次に、図６の（ｄ）に示すように、レジスト膜２０Ｐを、下層の下部電極層１４Ｐを画素形成領域ごとに配置された下部電極１４として分離形成するために、パターニングする。レジスト膜２０Ｐは、例えば、リソグラフィ技術を用いて１μｍの膜厚にパターニング形成される。
【００６５】
上述した、平坦化膜１３と、下部電極層１４Ｐと、レジスト膜２０Ｐをパターニングする工程は、第１工程に相当する。
【００６６】
次に、レジストパターンが所望の箇所だけに形成されているかを、画像検査装置を用いて検査する。その結果、図６の（ｄ）に示すように、パターン崩れ等により、所望のレジストパターンであるレジスト２０以外の箇所、つまり、隣接する画素形成領域の間の領域にレジスト残り２０Ｎが残存する画素が検出された場合、当該画素を、隣接する画素形成領域上のレジストが分離されていない画素としてレーザー照射による修正対象画素とする。本工程は、隣接する画素形成領域上のレジストが分離されていない画素を検出するレジスト欠陥検出工程に相当する。
【００６７】
具体的には、図６の（ｅ）に示すように、図４Ａで示された適切な形状を有するスリット３０Ａをマスクとして、レジスト残り２０Ｎにレーザーを照射する。具体的には、レジスト残り２０Ｎを除去するために、ＹＡＧレーザーの第４高調波である２６６ｎｍの波長を有するレーザー照射により、レーザー照射パワーを２０ｍＪ／ｃｍ２にしてレジスト残り２０Ｎを照射する。このとき、レーザー照射パワーは、平坦化膜１３の加工開始パワーである２００ｍＪ／ｃｍ２以下であることが望ましい。本工程は、レジスト残り２０Ｎに対し、上記レーザーを照射することにより、レジスト残り２０Ｎを除去する第２工程に相当する。
【００６８】
なお、上述したレジスト残り２０Ｎへのレーザー照射は、間欠的に複数回実行してもよい。ＹＡＧレーザーの第４高調波である２６６ｎｍの波長を有するレーザー照射は、前述したように、照射部位での熱発生は少なく、光分解反応を引き起こすことによりレジストを除去するものである。よって、複数回レーザー照射しても、熱によるレジスト後退や照射周辺部のバリ発生を懸念する必要がない。これにより、一度のレーザー照射によりレジスト残り２０Ｎを除去する工程に比べて、複数回のレーザー照射によりレジスト残り２０Ｎを除去する工程の方が、レーザー加工のばらつきが平準化され、また、加工形状等の自由度が向上するので、本発明の表示装置の製造方法と一工程としては好適である。
【００６９】
これにより、図６の（ｆ）に示すように、レジスト残り２０Ｎの下部に存在した下部電極層１４Ｐの一部も同時に除去されるが、さらにその下層である平坦化膜１３の一部は加工されない。
【００７０】
次に、図６の（ｇ）に示すように、パターニングされたレジスト２０をマスクとし、例えば、量産性に優れたウエットエッチング技術により、下部電極層１４Ｐをエッチングすることにより、パターニングされた下部電極１４を形成する。本工程は、全ての画素に対して、レジスト２０をマスクとしてエッチングする第３工程に相当する。その後、エッチング後のレジスト２０を除去する。
【００７１】
次に、図６の（ｈ）に示すように、下部電極１４の表面上に、有機膜１５Ｐを積層する。
【００７２】
次に、図６の（ｉ）に示すように、下部電極１４上にＥＬ層１６を画素ごとに充填するために、積層された有機膜１５Ｐを、リソグラフィ技術を用いて、画素を囲む堤の形状にパターニングしてバンク１５を形成する。パターニングされたバンク１５は、例えば、膜厚は１μｍである。本工程は、エッチングされて形成された下部電極１４の表面上に、画素を囲む堤の形状にパターニングされたバンク１５を形成するバンク形成工程に相当する。
【００７３】
次に、図６の（ｊ）に示すように、バンク１５内に、印刷技術等を用いてＥＬ層１６を充填形成する。本工程は、発光層形成工程に相当する。
【００７４】
その後、ＥＬ層１６の上に、上部電極１７を、例えば蒸着法により形成する。本工程は、上部電極形成工程に相当する。
【００７５】
最後に、上部電極１７の上に、保護膜１８及び封止層１９を順次形成する。本工程は、封止層形成工程に相当する。
【００７６】
なお、上述した画像検査装置によるレジストパターンの検査において、レジスト残り２０Ｎが存在する画素が検出されなかった場合には、図６（ｅ）及び図６（ｆ）に記載されたレーザー照射工程を経ずに、図６（ｇ）に記載されたエッチング工程を実行する。
【００７７】
以上の製造工程により、ショート欠陥部の下層である平坦化膜１３を損傷させずに良好な下部電極１４の形状を復元するためのレジストの修正を実施できる。また、複数回のレーザー照射による修正工程も可能であり、これにより、レーザー加工のばらつきが平準化され、また、加工形状等の自由度が向上する。
【００７８】
なお、レーザー照射範囲は、レジスト残り２０Ｎが存在する部位のみに限定されるのではなく、レジスト残り２０Ｎが存在する部位を含み、本来下部電極層１４Ｐが除去されるべき画素内領域にわたる範囲とすることが望ましい。以下、このようなレーザー照射範囲とすることの効果について説明する。
【００７９】
図７Ａは、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するレーザー照射画素の上面図である。図７Ｂは、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法の変形例１を説明するレーザー照射画素の上面図である。一方、図７Ｃは、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法の変形例２を説明するレーザー照射画素の上面図である。
【００８０】
図７Ａ及び図７Ｂは、上から順に、図４Ａ及び図４Ｂに記載されたスリット３０Ａをマスクとしてレーザー照射された場合の上面図、エッチング後の下部電極１４の形状、ならびに、当該下部電極１４の表面上に形成されたバンク１５の上面図及び断面図を表している。また、図７Ｃは、上から順に、スリット３０Ｓをマスクとしてレーザー照射された場合の上面図、エッチング後の下部電極１４の形状、ならびに、当該下部電極１４の表面上に形成されたバンク１５の上面図及び断面図を表している。
【００８１】
図７Ａに記載されたスリット３０Ａをマスクとしてレーザー照射された場合、レーザー照射後の下部電極層１４Ｐは、スリット３０Ａの開口部内の領域のみ除去されている。この状態で、さらに次工程にてエッチングされる場合、スリット３０Ａにより開口された部分の下部電極層１４Ｐでは、レーザー照射により形成された断面からのサイドエッチが寄与し、レーザー照射されずに下部電極層１４Ｐが残っていた部分に比べ、下部電極１４の一部が後退する。従って、レジスト残り２０Ｎの下にあった下部電極層１４Ｐが除去されることで、隣接する下部電極１４間において、当該隣接する下部電極１４同士が短絡することを抑制できる。しかし、エッチング工程後に形成される、対向する下部電極１４の形状が一様とならない。この状態で、下部電極１４表面上にバンク１５が形成されると、バンク１５の傾斜部形状（図７ＡにおけるＸ−Ｘ’断面とＹ−Ｙ’断面との形状差）が一様とならず、ＥＬ層１６の均一性が損なわれ、表示装置の画質が低下することとなる。また、下部電極１４の一部が後退することで、バンク１５の端が下部電極１４表面上に形成されない領域が発生することも想定される。
【００８２】
そこで、スリット３０Ａの開口部の幅を小さくし、Ｌ１及びＬ２を調整することで、図７Ｂに記載されたように、下部電極１４の形状をレジスト残り２０Ｎの下にあった下部電極層１４Ｐの一部が残存する状態にすることができる。これにより、バンク１５の端が下部電極１４表面上に形成されない可能性を低減できる。
【００８３】
しかしながら、エッチング工程後に形成された、対向する下部電極１４の形状が一様とならない問題は残る。
【００８４】
これに対し、図７Ｃに記載されたスリット３０Ｓをマスクとしてレーザー照射された場合、スリット３０Ｓは、下部電極１４にわたり開口されているので、レーザー照射後の下部電極層１４Ｐは、スリット３０Ｓの開口部にわたり除去されている。この状態で、さらに次工程にてエッチングされる場合、スリット３０Ｓにより開口された部分の下部電極層１４Ｐでは、レーザー照射により形成された断面からのサイドエッチが寄与し下部電極１４が一様に後退する。そうすると、エッチング工程後に形成された、対向する下部電極１４の形状を一様とできる。この状態で、下部電極１４表面上にバンク１５が形成されると、バンク１５の傾斜部形状（図７ＣにおけるＸ−Ｘ’断面とＹ−Ｙ’断面との形状差）は一様となり、ＥＬ層１６の均一性が損なわれず、表示装置の高画質を維持することが可能となる。
【００８５】
つまり、レーザーが照射される領域は、レジスト残り２０Ｎの領域の一部を含み、隣接する画素形成領域の対向する辺方向のレーザー照射領域の一端と他端との距離は、隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔以上に長く、かつ、レーザー照射領域の一端及び他端は隣接する画素形成領域に挟まれる領域外にあることが望ましい。
【００８６】
以上、本発明の表示装置の製造方法について、実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明に係る表示装置の製造方法は、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態及びその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態及びその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００８７】
また、例えば、本発明に係る表示装置の製造方法は、図８に記載されたような薄型フラットＴＶの製造に使用される。これにより、ショート欠陥部の下層を損傷させることなく、また良好な形状を保持できる金属配線が修正された表示パネルを有する薄型フラットＴＶが実現される。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の表示装置の製造方法は、大画面及び高解像度が要望される、薄型テレビ、パーソナルコンピュータのディスプレイなどの技術分野に有用である。
【符号の説明】
【００８９】
１０ 表示装置
１１ ガラス基板
１２ 駆動回路層
１３ 平坦化膜
１４ 下部電極
１４Ｐ 下部電極層
１５ バンク
１５Ｐ 有機膜
１６ ＥＬ層
１７ 上部電極
１８ 保護膜
１９ 封止層
２０ レジスト
２０Ｐ レジスト膜
２０Ｎ レジスト残り
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｓ スリット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法であって、
前記表示部が有する基板上に形成された層の表面を平坦化する平坦化膜と、当該平坦化膜上に積層された電極層と、当該電極層上に形成され当該電極層を画素形成領域ごとに配置された電極として分離形成するためのパターニングされたレジストとを準備する第１工程と、
隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストに対し、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長を有するレーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去する第２工程と、
前記第２工程の完了後、全ての画素に対して、前記レジストをマスクとしてエッチングする第３工程とを含む
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２工程では、前記レーザーの照射を開始する時の照射パワーは、前記レーザーを前記平坦化膜の表面に照射した場合に前記平坦化膜が加工され始める照射パワーより小さい
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２工程では、前記レーザーを複数回照射することにより、前記残存するレジストを除去する
請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
さらに、前記第１工程と前記第２工程との間に、
前記表示装置が有する全画素に対して、前記レジストのパターン検査を実行し、隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストにより、前記隣接する画素形成領域上のレジストが分離されていない画素を検出するレジスト欠陥検出工程を含み、
前記第２工程では、前記レジスト欠陥検出工程にて検出された画素に対して、前記レーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去する
請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程の後、エッチングされて形成された前記電極の表面上に、画素を囲む堤の形状にパターニングされたバンクを形成するバンク形成工程と、
前記バンク内に、発光層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層上に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、
前記上部電極上に、保護膜及び封止層を順次形成する封止層形成工程とを含む
請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２工程では、前記レーザーの照射幅は、前記隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔よりも狭く、かつ、前記照射幅の一端と当該一端に対応する前記辺とのレーザー照射方向における距離の差が前記電極層の膜厚以上であり、かつ、前記照射幅の他端と当該他端と対応する前記辺とのレーザー照射方向における距離の差が前記電極層の膜厚以上である
請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程では、前記レーザーを照射する領域は、前記残存するレジストの領域の一部を含み、
前記辺方向の前記レーザーを照射する領域の一端と他端との距離は、前記隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔以上に長く、かつ、前記一端及び前記他端は前記隣接する画素形成領域に挟まれる領域外にある
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法であって、
前記表示部が有する基板上に形成された層の表面を平坦化する平坦化膜と、当該平坦化膜上に積層された電極層と、当該電極層上に形成され当該電極層を画素形成領域ごとに配置された電極として分離形成するためのパターニングされたレジストとを準備する第１工程と、
隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストに対し、ＹＡＧレーザーの第３高調波の波長よりも短い波長を有するレーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去する第２工程と、
前記第２工程の完了後、全ての画素に対して、前記レジストをマスクとしてエッチングする第３工程とを含む
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２工程では、前記レーザーの照射を開始する時の照射パワーは、前記レーザーを前記平坦化膜の表面に照射した場合に前記平坦化膜が加工され始める照射パワーより小さい
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２工程では、前記レーザーを複数回照射することにより、前記残存するレジストを除去する
請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
さらに、前記第１工程と前記第２工程との間に、
前記表示装置が有する全画素に対して、前記レジストのパターン検査を実行し、隣接する前記画素形成領域の間の領域に残存する前記レジストにより、前記隣接する画素形成領域上のレジストが分離されていない画素を検出するレジスト欠陥検出工程を含み、
前記第２工程では、前記レジスト欠陥検出工程にて検出された画素に対して、前記レーザーを照射することにより、前記残存するレジストを除去する
請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程の後、エッチングされて形成された前記電極の表面上に、画素を囲む堤の形状にパターニングされたバンクを形成するバンク形成工程と、
前記バンク内に、発光層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層上に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、
前記上部電極上に、保護膜及び封止層を順次形成する封止層形成工程とを含む
請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２工程では、前記レーザーの照射幅は、前記隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔よりも狭く、かつ、前記照射幅の一端と当該一端に対応する前記辺とのレーザー照射方向における距離の差が前記電極層の膜厚以上であり、かつ、前記照射幅の他端と当該他端と対応する前記辺とのレーザー照射方向における距離の差が前記電極層の膜厚以上である
請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程では、前記レーザーを照射する領域は、前記残存するレジストの領域の一部を含み、
前記辺方向の前記レーザーを照射する領域の一端と他端との距離は、前記隣接する画素形成領域の対向する辺の間隔以上に長く、かつ、前記一端及び前記他端は前記隣接する画素形成領域に挟まれる領域外にある
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８】
【公開番号】特開２０１３−３７８２０（Ｐ２０１３−３７８２０Ａ）
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７１３９６（Ｐ２０１１−１７１３９６）
【出願日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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