【課題】グラフェンを活性領域に使った電子装置において、グラフェンにバンドギャップをもたせ、オンオフを可能とする。
【解決手段】電子装置は、基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたグラフェンシートと、前記グラフェンシートの一端に形成されたソース電極と、前記グラフェンシートの他端に形成されたドレイン電極と、前記グラフェンシートに前記ソース領域とドレイン領域との間でゲート電圧を印加するゲート電極と、前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極の間において、前記ソース電極からドレイン電極へのキャリアの流れを横切って形成された、複数の開口部よりなる開口部列と、を備え、前記各々の開口部は少なくとも一つのジグザグ端により画成されており、前記少なくとも一つのジグザグ端は、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対し、いずれも３０°の角度をなす。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】基底面転位が高度に配向しているＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基底面転位の直線性が高く、基底面転位が結晶学的に等価な３つの＜１１−２０＞方向に配向している１又は２以上の配向領域を有するＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、｛０００１｝面最上位部側のオフセット角が小さく、かつオフセット方向下流側のオフセット角が大きい種結晶を用い、この種結晶の上に新たな結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】水素アニール処理を必要とせず、かつ従来よりも低い温度の真空アニールで高品質のグラフェンを形成することが可能なＳｉＣ基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】スクラッチが除去されてステップテラス構造が出現する程度に単結晶ＳｉＣ表面を平坦化加工することが可能な触媒基準エッチング（ＣＡＲＥ）法による精密加工工程と、洗浄工程と、真空中で８００〜１１００℃、１〜１０分間熱処理してＳｉＣ表面にグラフェンを形成するアニール工程と、からなるグラフェン成膜方法とし、前記アニール工程の熱処理条件を制御することによりグラフェンの層数を単層又は２層に制御する。 （もっと読む）

【課題】グラフェン膜と金属電極との間の接触抵抗を低減してグラフェン膜と金属電極とが良好に電気的接合された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るグラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置は、単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、前記グラフェン膜と直接接触する下地層としての酸化アルミニウム膜が前記グラフェン膜の下部のみに形成されており、前記酸化アルミニウム膜の組成がAl_2-xO_3+x（x ≧ 0）であり、前記グラフェン膜と金属電極とが直接接合し、該接合箇所には凹凸構造が形成され、前記凹凸構造は、前記酸化アルミニウム膜に形成された少なくとも１つのコーン状凹部と、前記コーン状凹部を含む前記酸化アルミニウム膜の表面に沿って該表面と平行に成長した前記グラフェン膜と、前記グラフェン膜を覆いかつ前記コーン状凹部を埋めるように形成された前記金属層とから構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板や石英基板等をベースとした材料・プロセスを用いることによって、高品質なグラフェン膜を有する基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。更に、かかる基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素上のグラフェン・バッファ層の活性化のための方法およびデバイスを提供する。
【解決手段】炭化ケイ素層上に形成された１つ以上のグラフェン層を有する構造を電気的に活性化させる方法は、炭化ケイ素層と１つ以上のグラフェン層の最下層との間に配置された酸化シリコン層を形成するように構造に酸化プロセスを行うことによって最下層グラフェン層を電気的に活性化するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】支持体（１０１）と支持体上に構築された少なくとも１つのブロック（１０４）とを含む半導体構造（１００）を提供する。
【解決手段】ブロックは、第１の半導体材料ベースの層（１０６_１、１０６_２、１０６_３）と第１の材料とは異なる第２の半導体材料ベースの層（１０７_１、１０７_２、１０７_３）とを交互に含むスタックであって、前記層（１０６_１、１０６_２、１０６_３）が層（１０７_１、１０７_２、１０７_３）より大きな寸法を有し、したがってスタックが横方向の歯状のプロファイル（１０８、３０８）を有する、スタックと、歯状のプロファイル（１０８）によって形成された空間を充填する複数のスペーサ（１１２_１、１１２_２、１１２_３、１１３_１、１１３_２、１１３_３）であって、第１の材料とは異なる第３の材料から作られるスペーサとを含む。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素中の結晶欠陥を低減することができるプロセスならびにその結果得られる構造体およびデバイスを提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素ベースのパワーデバイスが、＜０００１＞方向に対して８°よりも小さいオフアクシス角を形成する平坦な表面を有する炭化ケイ素ドリフト層を含む。 （もっと読む）

【課題】坩堝の割れを抑制し、かつ意図しない不純物の混入を抑制した結晶を製造する結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶製造方法は、坩堝１０１内壁１０１ａと原料１７との間に緩衝層１１０を配置した結晶製造装置を準備する工程と、結晶製造装置内で結晶を成長する工程とを備えている。準備する工程では、成長する工程において結晶を成長する温度よりも高い融点を有し、かつ坩堝１０１を構成する材料よりも高い空孔率、高い延性、および高い脆性の少なくとも一方を有する緩衝層１１０を配置する。 （もっと読む）