【課題】本明細書では、半導体装置が短絡状態で動作する場合における、半導体装置全体の短絡耐量を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書が開示する半導体装置２は、素子領域６０と、表面電極３６と、熱伝導部材４０と、保護膜３８とを備える。素子領域６０は、複数個のゲート電極２２を備える。表面電極３６は、素子領域６０の表面に形成されている。熱伝導部材４０は、表面電極３６の中心部の表面側に形成され、素子領域６０の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。保護膜３８は、表面電極３６の表面側であって、中心部の周囲を取り囲む周辺部に形成されている。素子領域６０は、表面電極３６の中心部の裏面側に形成されるエミッタ中心領域７０では、表面電極３６の周辺部の裏面側に形成されるエミッタ周辺領域７２と比較して、オン状態となる時間が長い。 （もっと読む）

【課題】表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Ｓｉ基板にパターンエッチングして溝を形成した後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板１の表面側に半導体機能領域２０を形成し、裏面側を研削して半導体基板１を所要の厚さに減じた後、表面側に保護膜２４を塗布し、裏面側にフォトレジスト２５を用いて所要の開口パターンを形成し、該パターン開口部から半導体基板１をエッチングして裏面に溝１６を形成し、その後、裏面側のフォトレジスト２５を研磨により除去し、裏面側半導体機能層を形成する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】低電流領域でのオン電圧を低減することができる、ＳｉＣ−ＩＧＢＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】エミッタ電極２６と、エミッタ電極２６に接続されたエミッタ領域４１と、エミッタ領域４１に対してＳｉＣ半導体層２３の裏面２５側にエミッタ領域４１に接して形成されたチャネル領域３９と、チャネル領域３９に対してＳｉＣ半導体層２３の裏面２５側にチャネル領域３９に接して形成されたＳｉＣベース層３３と、ＳｉＣベース層３３に対してＳｉＣ半導体層２３の裏面２５側にＳｉＣベース層３３に接して形成されたコレクタ領域３７と、コレクタ領域３７に接続されたコレクタ電極２７とを含む、ＳｉＣ−ＩＧＢＴ９に対してＭＯＳＦＥＴ１１を並列に接続する。 （もっと読む）

【課題】 過電流検出による保護と、温度検出による保護とを、好適に行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を有する半導体装置であって、半導体基板が、メイン素子領域と、メイン素子領域よりも小さい電流が流れるサブ素子領域を有しており、サブ素子領域が、半導体基板を平面視したときに半導体基板の中心と重なる位置に形成されており、半導体基板上であって、半導体基板を平面視したときにサブ素子領域と重なる位置に、温度検出素子が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極と半導体基板が良好にオーミック接合している半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の電極形成面に、単原子の金属イオンを注入するイオン注入工程と、金属イオンが注入された半導体基板をアニール処理して半導体基板にシリサイド層を形成するアニール工程と、アニール工程の後に、半導体基板の電極形成面に電極を形成する電極形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】低電流域のＲ_ｏｎを低減でき、大電流域で伝導度変調を行えるＭＯＳＦＥＴを備え、アプリケーションに最適なデバイス特性に制御できる半導体装置と製法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ｎ−型ベース層２と、ｎ−型ベース層２の表面部に部分的に形成されたｐ型ベース層４と、ｐ型ベース層４の表面部に部分的に形成されたｎ^＋型ソース層５と、ｎ^＋型ソース層５およびｎ−型ベース層２の間のｐ型ベース層４の表面に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介してｐ型ベース層４に対向するゲート電極７と、ｐ型ベース層４に連なるようにｎ−型ベース層２内に形成されたｐ型コラム層３と、ｎ−型ベース層２の裏面部に部分的に形成されたｐ^＋型コレクタ層１０と、ｎ^＋型ソース層５に電気的に接続されたソース電極８と、ｎ−型ベース層２およびｐ^＋型コレクタ層１０に電気的に接続されたドレイン電極１１とを含む。 （もっと読む）

【課題】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されたダイオードで発生するリカバリ電流を低減させる。
【解決手段】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されているダイオードに順方向電流が流れている間に、逆導通ＩＧＢＴのゲート−エミッタ間にゲート閾値電圧よりも低い電圧を印加することで、逆導通ＩＧＢＴのドリフト領域への正孔の注入を抑制し、リカバリ電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの両面冷却により効率的な放熱が可能な積層構造を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は第１半導体チップ１０ａと、前記第１半導体チップ１０ａの一方の面に設けられた放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａと、第２半導体チップ１０と、前記第２半導体チップ１０ｂの一方の面に設けられた放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂとを有する。また、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極１４を介して、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂが接するように設けられる。半導体装置１の製造方法は、第１半導体チップ１０ａの一方の面に放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａを接合する工程と、第２半導体チップ１０ｂの一方の面に放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程と、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程とを有する。 （もっと読む）