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国際特許分類[H03B15/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 振動の発生,直接のまたは周波数変換による振動の発生,スイッチング動作を行なわない能動素子を用いた回路による振動の発生;このような回路による雑音の発生 (3,506) | 電流磁気効果装置,例.ホール効果装置,を用いた振動の発生,または超伝導効果を用いた振動の発生 (31)

国際特許分類[H03B15/00]に分類される特許

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【課題】小型化された超音波ひずみ発振技術を、金属とか半導体に限らず、絶縁体さらに磁性体又は非磁性体といったあらゆる機能性材料に適用して、該機能性材料の物性状態をリアルタイムに制御する。
【解決手段】本発明は、物性状態が制御される機能性材料と、該機能性材料に接触或いは結合して力学的な弾性ひずみを与えるひずみ発振子と、該ひずみ発振子に接続して該ひずみ発振子に固有な共鳴周波数に対して周波数変調或いは振幅変調した信号を印加し、その発振ひずみを制御する信号発信機とを備える。この機能性材料は、スピンの磁気配向状態或いは電気伝導状態を、それに与える力学的な弾性ひずみで操作する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は高い特性を示すスピントロニクス素子を実現するために、0.65以上のスピン偏極率を持つCoFe基ホイスラー合金とそれを用いた高特性スピントロニクス素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 CoFe(GaGeX−1)ホイスラー合金は0.25<X<0.60の領域でPCAR法により測定したスピン偏極率は0.65以上の高い値を示す。また1288Kと高いキュリー点をもつことから、CoFe(GaGeX−1)ホイスラー合金が実用材料として有望である。実際、CoFe(GaGeX−1)ホイスラー合金を電極としたCPP−GMR素子は世界最高のMR比を、STO素子では高い出力を、NLSV素子では高いスピン信号を示した。 (もっと読む)


【課題】巨大磁気抵抗効果接合部を有する発振回路を提供する。
【解決手段】巨大磁気抵抗効果を有する接合部を基盤とした発振器。発振器は電流が横断する巨大磁気抵抗効果を有するn個(nは、1以上の整数)の基本接合部のグループを2つ備え、2つのグループ各々における接合部は直列接続され、かつそれぞれの主電流(I)によってエネルギーを得、両グループの端子の両端間の電圧が加算されることにより発振回路の出力Sにおいて電圧を供給する。第1のグループの1個以上の接合部の端子の両端間の電圧は位相比較器PHCの第1の入力E1に印加され、他方のグループの1個以上の接合部の端子の両端間の電圧は位相比較器の別の入力E2に印加される。位相比較器は2つの出力S1、S2において、入力に印加された電圧間の平均位相差によって決まる同じ振幅で逆符号の二次電流+i、−iを供給する。 (もっと読む)


【課題】発振器及び該発振器の動作方法を提供する。
【解決手段】印加電流、印加電圧及び印加磁場のうち少なくとも一つによって可変的な磁化方向を有する少なくとも1層の磁性層を含み、所定の周波数を有した発振信号を生成する発振部、及び発振部と同じ基板上に集積され、発振信号を差動増幅し、出力信号を提供する出力端子を含む発振器である。 (もっと読む)


【課題】安定したスピントルク発振が実現でき、信頼性が高いスピントルク発振器を提供する。
【解決手段】スピントルク発振器は主磁極6の上に、磁化固定層4、非磁性中間層3、第一の磁性層1、第二の磁性層2、キャップ層5、対向磁極7を順に積層した構成であり、bcc結晶構造を有する面内磁気異方性を有した第一の磁性層1と、その上に積層されたCo及びNiの多層膜からなる垂直磁気異方性を有した第二の磁性層2からなる積層構造を有する。 (もっと読む)


【課題】発振器及びその動作方法を提供する。
【解決手段】固定された磁化方向を有する固定層、固定層上に備わった第1自由層及び前記第1自由層上に備わった第2自由層を含むことができる発振器であり、該発振器は、第1自由層及び第2自由層のうち少なくとも1層の磁気モーメントの歳差運動を利用して、信号を発生するように構成されうる。 (もっと読む)


【課題】 三端子型磁気抵抗効果素子に関し、一次元線状巨大磁気抵抗素子の特性や磁壁の移動を外部から制御する。
【解決手段】 第1の強磁性体層と、前記第1の強磁性体層より保磁力の大きな第2の強磁性体層と、前記第1の強磁性体層と前記第2の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第1の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。 (もっと読む)


【課題】安定かつ大きなマイクロ波磁界を発生するマイクロ波発振器、磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発振器10は、外部磁界に応じてマイクロ波磁界を発生する発振素子11と、発振素子11の一の面に配置された第1電極13と、発振素子11の一の面と対向する他の面に配置された第2電極14とを備え、発振素子11は、ボルテックス状態の磁区構造を有する磁性層を有し、ボルテックスの中心が移動することなく、第1電極13および第2電極14の一方から他方の方向へ注入されたスピン偏極した電子によってマイクロ波磁界を発生する。 (もっと読む)


【課題】検波出力や発振出力等の点で、著しい特性向上は困難である。
【解決手段】マイクロ波素子100は、面内磁化膜の磁化自由層103と、面内磁化膜の磁化固定層105と、磁化自由層103と磁化固定層105の間に設けられたトンネルバリア層104とを有する磁気抵抗素子を用いたマイクロ波素子において、磁気抵抗素子の膜面直方向の軸から3°以上30°以下の外部磁界を印加する外部磁界印加機構302と、磁化固定層105の膜面直方向の反磁界に対する磁化自由層103の膜面直方向の反磁界の比が0.5以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スーパーヘテロダイン式の受信器を使用する従来の信号処理方式により、システムの複雑さおよび費用が増加し、かつアナログ式ミキサーにより振動・他の人工的信号が入り込むなどを避ける手段を提供する。
【解決手段】デジタルダウンコンバージョンおよびサブサンプリングを使用した核磁気共鳴(NMR)受信器を採用する。既知の位相に対応する、参照時間、送信および受信信号位相を追跡する。デジタルダウンコンバージョン54および搬送位相補正55は、対象となるNMR変調を生成するために行われ、位相決定回路52は、fsでインクリメントされるNビットカウンタと、各過渡的なサンプリング期間開始用の搬送生成器再設定から経過した時間を示すカウントレジスタを含む。これにより検知されたNMR信号に対して位相補正を適用し、送信器もしくはダウンコンバータNCO再設定などのシステム変更または搬送周波数変更を補償できる。 (もっと読む)


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