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国際特許分類[H03F3/72]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器 (6,434) | ゲート増幅器,すなわち,制御信号によって動作または非動作になる増幅器 (35)

国際特許分類[H03F3/72]に分類される特許

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【課題】良好な逆回復特性と良好なEMCとを同時に実現することが出来て、かつ、従来の半導体装置よりも安価である半導体装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、FET3のソースとMOSFET4のドレインとが接続されるとともに、一端が、FET3のゲートに接続され、他端が、MOSFET4のソースに接続される抵抗Rgsと、アノードが、FET3のゲートに接続され、カソードが、MOSFET4ソースに接続されるダイオードD1とを備える。 (もっと読む)


【課題】時分割複信方式の無線送受信装置において、簡易な方法で電力増幅器の高速でのオン/オフの切り替え制御を実現して送信部側から受信部側への電流のリークを効果的に抑制することにより、電流のリークによる干渉を防止し、また、電力効率を改善する。
【解決手段】時分割複信方式による無線通信装置1において、送信信号生成手段13は送信信号を生成する。電力増幅手段16は、生成された送信信号を増幅する。制御信号生成手段19は、電力増幅手段16のドレイン電圧を制御するためのドレイン電圧制御信号及び電力増幅手段16のゲート電圧を制御するためのゲート電圧制御信号を生成する。スイッチ部18は、ドレイン電圧制御信号にしたがって、受信時においては、電力増幅手段16のドレイン電源をオフに切り替える。また、電力増幅手段16は、ゲート電圧制御信号にしたがって、受信時においては送信時よりも高いゲート電圧を設定する。 (もっと読む)


【課題】チョッパアンプの出力電圧には所定時間毎に反転する増幅後電圧(Vs)または所定時間毎に反転するオフセット電圧が含まれており、出力電圧から増幅後電圧(Vs)のみを取出してデジタル変換する必要があり、回路が大規模化する。
【解決手段】チョッパアンプとデジタル変換回路を構成する比較回路の間に伝達回路を設ける。伝達回路は、重畳電圧(V1)とデジタル値から変換したアナログ電圧(Vd)を入力し、2種類の電圧(第1出力電圧(VI),第2出力電圧(VII))を出力する。第1出力電圧(VI)と第2出力電圧(VII)の差は、増幅後電圧(Vs)とアナログ電圧(Vd)の差に比例している。この結果、比較回路で増幅後電圧(Vs)とアナログ電圧(Vd)の大小関係を判別することができ、カウンタ回路のカウント値をアップまたはダウンさせ、カウント値を増幅後電圧(Vs)に追従させることができる。 (もっと読む)


【課題】高周波増幅用のFETのドレインに印加されるパルス電圧の安定化を図る。
【解決手段】駆動用電源11の出力電圧に基づきMOS−FETQ1を駆動する。Q1はパルス信号源12から出力される基準パルス信号bでスイッチングさせ、Q1オン時は、コンデンサC1の電荷を移行させて得られる電圧でQ1を非飽和状態で駆動する。Q1のスイッチングによりソース電極に得られるパルス電圧を、ゲート電極に供給される高周波信号を増幅する高周波電力FETQ2の駆動電圧としてドレイン電極に印加する。Q2のドレイン電極に発生するパルス電圧dと基準パルス信号bの電圧をオペアンプOP2で比較し、Q1のゲート電極にフィードバックする。非飽和状態で駆動されるQ1にフィードバックさせたことで、Q1に印加されるパルス内ドレイン電圧の低下を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】定電流回路の定電流源トランジスタを破損せずに、安定的にシャットダウンを行う。
【解決手段】電流切り替え回路は、エミッタフォロア回路(EF回路)と、定電流回路と、定電流回路をオン/オフするスイッチSW1とを備える。EF回路は、ベースが信号入力端子IN1に接続され、コレクタが電源VCC1に接続され、エミッタが信号出力端子OUT1に接続されたトランジスタQ1からなる。定電流回路は、ベースがスイッチSW1の出力に接続され、コレクタがトランジスタQ1のエミッタに接続されたトランジスタQ2と、第1の端子がトランジスタQ2のエミッタに接続され、第2の端子が電源VEE1に接続された抵抗RS1と、第1の端子がトランジスタQ2のコレクタに接続され、第2の端子が電源VEE1に接続されたリーク電流源JREAK1とからなる。 (もっと読む)


【課題】高速に起動・シャットダウンが可能な高周波増幅回路を実現すること。
【解決手段】バイアス電圧Va、Vbの供給が停止されると、高周波信号を増幅するトランジスタTr1〜Tr3はオフとなる。また、同時にトランジスタTr4、Tr5がオフとなり、キャパシタC1、C2の放電は遮断される。そのため、キャパシタC1、C2には一定の電荷が保持される。その結果、高周波増幅回路1は高速にシャットダウンされる。また、バイアス電圧Va、Vbが供給されると、キャパシタC1、C2には一定の電荷が保持されるため、キャパシタC1、C2が充電されるまでの時間は非常に短くなる。そのため、高高周波増幅回路1は高速に起動される。 (もっと読む)


【課題】振幅レンジを拡大したミュート回路を提供する。
【解決手段】ミュートトランジスタ2は、接地電圧を中心として正負にスイングするミュート対象となるオーディオ信号SOUTが伝搬する信号ライン5と、接地端子との間に設けられた、NPN型バイポーラトランジスタである。ミュート制御回路20は、ミュート状態において、ミュートトランジスタ2のベースに正電圧の制御信号MUTEを出力してミュートトランジスタ2をオンし、非ミュート状態において、ミュートトランジスタ2のベースに負電圧の制御信号MUTEを出力してミュートトランジスタ2をオフする。負電圧生成回路22は、正の電源電圧Vddを受け、負電圧−VNEGを生成する。レベルシフト回路24は、電源電圧Vddと接地電圧のいずれかのレベルをとる制御信号S1を受け、電源電圧Vddと負電圧−VNEGのいずれかのレベルをとる制御信号MUTEにレベルシフトする。 (もっと読む)


【課題】パルスレーダ等の送信部に用いられる高周波増幅器において、送信出力の迅速な遮断を行い、雑音出力を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】高周波増幅器103に使用されている電界効果トランジスタ(FET)T2の遮断を電圧の高いドレイン電圧の遮断ではなく、動作点遷移で実現している。一般的に高出力用の高周波増幅器に用いられている電界効果トランジスタはA級動作で用いられていることに着目し、電圧の低いゲート電圧を高速に変化させて、電界効果トランジスタT2をC級動作状態とすることによって、電界効果トランジスタT2の増幅機能を著しく低減させることができる。A級からC級への動作状態の遷移によって、電界効果トランジスタT2の電源は落ちなくても、電界効果トランジスタT2の増幅機能を著しく低下させるとによって、高周波増幅器103からの雑音出力を遮断することができる。 (もっと読む)


【課題】広いレンジの入力コモン電圧に対して安定して動作し、かつ、低消費電流の増幅回路及びA/Dコンバータを提供すること。
【解決手段】本発明に係る増幅回路は、第1の電源VDDと第2の電源GNDとの間で動作する増幅回路PA100であって、制御端子に入力信号VinP、VinNが入力されるトランジスタ対N1、N2と、その各トランジスタN1、N2と第1の電源との間に設けられた負荷抵抗対P1、P2と、第2の電源とトランジスタ対N1、N2との間に設けられた定電流源CSと、第2の電源とトランジスタ対N1、N2との間において定電流源CSと直列に接続され、クロック信号に応じてオンオフが制御される第1のスイッチN3と、を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタで回路構成した場合であっても安定した動作をする差動増幅器やセンスアンプ等を提供する。
【解決手段】差動増幅回路(10)とイコライズ回路(20)とを有する差動増幅器において、差動増幅回路(10)は差動出力を発生する第一及び第二出力端(Vout1,Vout2)を有し、イコライズ回路(20)は、第一及び第二出力端相互間に接続された、NMOS TFT(TN3)及びPMOS TFT(TP3)の直列回路(20)によって構成される。 (もっと読む)


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