【課題】負荷信号の駆動を細やかに制御し、消費電力を低減する。
【解決手段】マイコン側に接続された発光ダイオード１１と、受光素子２１およびプッシュプル回路を備えたＩＧＢＴゲート制御部２０と、交流制御のための双方向スイッチ部３０とからなり、双方向スイッチ部３０は、エミッタ同士を接続するとともに、各ゲートにプッシュプル回路の出力を接続した第１ＩＧＢＴ３１および第２ＩＧＢＴ３２と、アノード同士を接続した第１ＦＲＤ３３および第２ＦＲＤ３４とからなり、第１ＩＧＢＴ３１のコレクタと第１ＦＲＤ３３のカソード、及び第２ＩＧＢＴ３２のコレクタと第２ＦＲＤ３４のカソードとをそれぞれ接続し、第１ＩＧＢＴ３１および第２ＩＧＢＴ３２のエミッタ同士の接続点と、第１ＦＲＤ３３および第２ＦＲＤ３４のアノード同士の接続点とを信号線で接続することにより、出力側の交流電流のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 ＩＧＢＴのゲートに印加される電圧をＶｃｃに近づけ、ＩＧＢＴのスイッチング損失を抑えることができる駆動回路を提供する。
【解決手段】 駆動回路が、電源電位にドレインが接続された第１のＮチャネルＭＯＳと、接地電位にソースが接続された第２のＮチャネルＭＯＳと、第１のＮチャネルＭＯＳのソースと第２のＮチャネルＭＯＳのドレインとに接続された出力部と、第１のＮチャネルＭＯＳのゲートと第２のＮチャネルＭＯＳのゲートとに接続された入力部とを有し、第１のＮチャネルＭＯＳと第２のＮチャネルＭＯＳとが交互にオン状態になるＣＭＯＳを有する駆動回路が、出力部に接続されたトランジスタのゲート電圧を制御する。電源電位と出力部との間に、第１のＮチャネルＭＯＳがオン状態になった場合に、オン状態となる素子を備える。 （もっと読む）

【課題】 電力変換装置のスイッチング手段または整流手段として用いられる半導体スイッチ回路の発生損失を低減する。
【解決手段】 逆並列接続される外付けダイオードまたは内蔵ダイオードを還流ダイオードとするSiCを素材とする静電誘導トランジスタを主スイッチ素子に並列に接続し、オン・オフ制御のタイミングを主スイッチ素子に同期させる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、低損失で交流を整流することができる整流器を提供することである。
【解決手段】 ｐ型半導体からなるベースＢとサブエミッタＳは、互いに接しないようにして、ｎ型半導体からなるコレクタＣに接合されている。ｎ型半導体からなるエミッタＥは、ベースＢに接合されている。ベースＢ−エミッタＥ間には抵抗器Ｒが接続され、サブエミッタＳにはバイアス用電源ＶＢの正極が接続され、エミッタＥには負極が接続される。コレクタＣとエミッタＥが実質的に同電位となったとき、ベースＢ−サブエミッタＳ間が導通して抵抗器Ｒに電圧降下が生じるが、コレクタＣ−エミッタＥ間は導通しない。コレクタＣを基準としたエミッタＥの電圧が更に低下すると、コレクタＣ−エミッタＥ間が導通する。 （もっと読む）

【課題】 パワーデバイスのスイッチングによる電源の電圧変動の影響を小さくして駆動回路の誤動作を少なくする。
【解決手段】 ドライブ制御回路３を外部電源ＶＤＤにより直接駆動し、異常検知・保護制御回路４およびスイッチング制御回路２はそれぞれ専用の降圧回路６，７により外部電源ＶＤＤの電圧よりも低い電圧で駆動する。また、ドライブ制御回路３の接地端子ＥＧとパワーデバイス８の接地端子Ｋとの間を配線１１により接続するとともに、異常検知・保護制御回路４およびスイッチング制御回路２の接地端子ＳＧとパワーデバイス８の接地端子Ｋとの間を配線１２により接続する。 （もっと読む）

【目的】 高周波に応用においても、スイッチングロスの少ないなどの多くの優れた特性を有するダブルゲート型半導体装置を従来のＩＧＢＴなどと同様に１つの制御信号で、確実に制御可能な制御装置を実現する。
【構成】 制御装置２０を入力端子Ｐ１に入力される制御信号からゲートＧ１に制御信号を供給する第１ゲート制御回路２１と、同じ入力端子Ｐ１に入力される制御信号からゲートＧ２に制御信号を供給する第２ゲート制御回路２２とにより構成する。第１ゲート制御回路２１には、ディレイ回路３１を設置し、ゲートＧ２にオフ信号が供給されサイリスタ状態からトランジスタ状態に移行した後にゲートＧ１にオフ信号を供給し、ダブルゲート型半導体装置を確実に停止させる。 （もっと読む）

【目的】 自動的に電流制限動作を行う過電流制限回路を備えたＩＧＢＴなどのスイッチング部を有する半導体装置において、電流制限動作時にスイッチング部を駆動するゲート駆動信号自体を制御することにより、電流制限動作の原因となっている過電流状態を解除すると共に、過電流状態であることを知らせるアラーム信号を発信可能とする。
【構成】 スイッチング部１の入力端子Ｐｇの電圧を、判定回路３のコンパレータ３１により判断し、電流制限回路２０が稼働したことによるスイッチング部１の入力インピーダンスの変化から過電流が流れる状態にあることを判断する。その結果に基づき、制御部４において入力信号をオンからオフに切り換え、スイッチング部１をオフとすると共に、アラーム信号を発信する。 （もっと読む）

【目的】タ−ンオフ遅れ時間を長期化せずに逆バイアス電圧を低減でき、従ってサ−ジ電圧障害を阻止できる逆バイアス制御回路を得る。
【構成】逆バイアス電圧によりタ−ンオフする電圧駆動形スイッチング素子において、逆バイアス電圧を受けた時、タ−ンオフ遅れに相当する時間遅れて動作して通流電流の立ち下がり時間中逆バイアス電圧を所定のレベルに低減する降圧回路と、電圧駆動形スイッチング素子のタ−ンオフ時間の終期に降圧回路の動作を停止させる信号を発する回復回路とを備えてなるものとする。また、逆阻止用ダイオ−ドが、トランジスタのエミッタ側に順バイアス電流を阻止する向きに直列接続されてなるものとする。さらに、逆バイアス制御回路が１チップ化されてモジュ−ル化された電圧駆動形スイッチング素子の近傍に搭載され、相互にワイヤ−ボンディングされた半導体装置として形成されてなるものとする。 （もっと読む）