【課題】検出に適したしきい値を判別するのに適した情報を表示する。
【解決手段】投光部１０３および受光部１０４と、受光処理により得られた受光量をあらかじめ設定されたしきい値と比較することにより入光状態および非入光状態のいずれであるかを判別して、その判別結果を出力する検出部として機能する制御部１０５と、受光量を表示することが可能な表示部１００とを具備する光電センサにおいて、現在設定されているしきい値により判別される複数の入光期間および複数の受光期間を対象に、各入光期間の中で受光量が相対的に最も低くなった期間における受光量と、各受光期間の中で受光量が相対的に最も高くなった期間における受光量とをそれぞれ特定し、特定された２つの代表受光量を、表示部１００に表示する。 （もっと読む）

【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子ＬＤの駆動電流を増減する駆動回路３である。差動信号の正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子と、差動信号の逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子と、発光素子ＬＤのアノードに接続されている端子と、正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第１及び第２の電圧制御電流源回路を備える。第１の電圧制御電流源回路には、正相信号Ｖｉｎｐに対応する電圧及び逆相信号Ｖｉｎｎの逆相に対応する電圧が入力され、第２の電圧制御電流源回路には、逆相信号Ｖｉｎｎに対応する電圧及び正相信号Ｖｉｎｐの逆相に対応する電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、特殊なプロセスを用いることなく、充放電回路全体の耐圧を向上させることを可能にして、低コストで出力用ＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗化を図る。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５のゲート・ソース間に配された複数の充放電回路７ａ、７ｂを直列に接続し、これらの充放電回路７ａ、７ｂの各々に、２つのフォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの各々を並列に接続した。この構成においては、各フォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの光起電力に相当する電圧が、そのフォトダイオードアレイに並列に接続された充放電回路（７ａ又は７ｂ）内のＭＯＳＦＥＴ（８ａ又は８ｂ）のみにかかり、それ以外の充放電回路内のＭＯＳＦＥＴにはかからない。従って、２つの充放電回路７ａ、７ｂの全体の耐圧を、これらの充放電回路７ａ、７ｂに含まれる、複数のＭＯＳＦＥＴ８ａ、８ｂの耐圧の合計にすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーにおいて、ＬＥＤの駆動電力の低減を図る。
【解決手段】半導体リレー１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】ユーザが特に意識をしなくとも、感度が自動的に調整されて、調整された感度による受光量により適切なしきい値を容易に設定できるようにする。
【解決手段】光電センサの使用目的別に、しきい値の設定に用いる受光量の取り込みを指示する操作の内容が異なる設定処理を準備して、各設定処理につき、感度を調整するタイミングを判断する上での判断規準と、感度の調整に用いる受光量の目標値と、調整された感度による受光量の中からしきい値の設定に用いられる基準受光量を定めるための処理の手順とが定義されたプログラムをメモリ１０６に登録する。ＣＰＵ１０５は、操作部１１０における操作の内容に基づき当該操作に対応する設定処理を特定して、操作に応じて受光量のサンプリングを実行しながら、特定された設定処理用のプログラムに従って感度調整のタイミングを判別して感度調整処理を実行した後に、基準受光量を決定する。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ安価な構成であるにも拘わらず、スナバ回路及び制御回路のいずれの損傷に対しても、他の電子部品の焼損を適切に防止する。
【解決手段】入力端子の間に接続される発光素子８からの光を光電変換する受光素子９と、交流電源３と負荷４とが接続される出力端子６と、受光素子９の一端と出力端子６の一方とを結ぶ第１接続ライン１１と、受光素子９の他端と出力端子６の他方とを結ぶ第２接続ライン１２と、第１接続ライン１１と第２接続ライン１２の間に接続される、受光素子９からの出力に基づいて導通するスイッチング素子１２と、コンデンサと抵抗とを直列接続してなるスナバ回路１４とを備える。スナバ回路１４の抵抗は、第１接続ライン１１の、受光素子９の一端と、スイッチング素子１２の一端との間に接続し、抵抗とスイッチング素子１２の一端との間に過電流防護素子２１を接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、装置全体のチップサイズを小さくして、チップコストの低減と実装面積の縮小化を図る。
【解決手段】従来はｐ型単結晶シリコン島２１３に形成していた（充放電回路における）ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２０８（図（ａ）参照）を、ｎ型単結晶シリコン島１３に形成したｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ８（図（ｂ）参照）に変更した。これにより、ｎ型単結晶シリコン島１３のキャリアの通路の断面積を、ｐ型単結晶シリコン島２１３のキャリアの通路の断面積の２分の１以下にしても、これらのキャリアの通路における抵抗値を同じにすることができる。従って、ＭＯＳＦＥＴ８をｎ型単結晶シリコン島１３にｎチャネル型で形成することにより、オン抵抗を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８に比べて大きくすることなく、ＭＯＳＦＥＴ８のゲート幅Ｗ３を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８のゲート幅Ｗ１より小さくできる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させ、しかも、このオン／オフ動作の速度を、従来よりも速くする。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースと誘電体分離チップの１０の支持基板１４とを電気的に接続したことにより、誘電体分離チップ１０の支持基板１４の電位を、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースの電位に固定することができる。これにより、活性領域・支持基板間容量Ｃ_ＰＣに貯めることが可能な電荷の量の安定化を図れ、しかも、この容量Ｃ_ＰＣの電気的な接続先が固定される。従って、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させることができる。また、従来と異なり、上記容量Ｃ_ＰＣの全てが、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のゲート・ソース間に並列に配置されて寄生容量として働くことがなくなるので、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を、従来よりも速くすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】光電スイッチを複数台連装して使用する場合に相互干渉があっても正常に入光状態か遮光状態かを判定する。
【解決手段】投光部１０は、投光周期と投光パルス幅がそれぞれ異なる３つの投光パターンＡ〜Ｃのうち、パターン選択部１１で選択された特定の投光パターンに従って投光する。受光部２０のパルス幅判定回路３０は、パターン選択部２１で選択された投光部１０と同じ投光パターンのパルス幅の情報に基づいて、投光パルス幅の投光パターンによる違いを受光信号のパルス幅の違いとして検出し、自発光か干渉光かを区別する。 （もっと読む）