【課題】ヒステリシス電圧や応答速度の電源電圧依存性を緩和し、幅広い範囲の電源電圧条件下で動作するヒステリシス特性を有する入力回路を提供すること。
【解決手段】低電源電圧条件下でヒステリシス電圧が小さくなる回路（ＰＭＯＳトランジスタ１０１〜１０３及び、インバータ５０１）と、低電源電圧条件下でヒステリシス電圧が大きくなる回路（ＰＭＯＳトランジスタ１０１、１０４及び、インバータ５０１）とを設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の出力ドライバーのインピーダンスのバラツキを抑制し、高速なキャリブレーションを実現する。
【解決手段】半導体装置の出力ドライバーと同一構成のレプリカ回路を含むキャリブレーション回路をチップ内に予め用意する。出力ドライバーに最大電流を流す電圧条件をレプリカ回路に与え、レプリカ回路のインピーダンスを外部抵抗の抵抗値に一致させるように制御し、第１のキャリブレーションを行う。第２のキャリブレーションは、第１のキャリブレーションで得られたテーブルパラメータを使用してレプリカ回路を使用することなく出力ドライバーのインピーダンス調整を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レベルシフタ誤動作防止回路に係り、レベルシフタの誤動作を、信号伝達の過大な遅延と消費電流の増大とを招くことなく防止することにある。
【解決手段】伝達すべき信号に応じて駆動されるＮ型トランジスタ３０と、Ｎ型トランジスタ３０の出力に応じて駆動されるＰ型トランジスタ３２と、Ｐ型トランジスタ３２を駆動するために設けられるプルアップ抵抗３４と、を有する、基準電圧が互いに異なる２つの回路系の間で信号伝達を行うレベルシフタ１６の誤動作を防止する回路において、２つの回路系の基準電圧が相対変位した際、Ｎ型トランジスタ３０に存在する寄生容量３６へプルアップ抵抗３４を介して充電電流が供給される前に、その寄生容量３６へ充電電流を供給する急速充電手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】ゲートリークによる消費電力の増大を抑制し、電源［ＶＤＤ］−［ＧＮＤ］間のノイズを低減すること。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、機能ブロックと領域部３ｂとを具備している。機能ブロックは、電源［ＶＤＤ］−［ＧＮＤ］間に設けられ、常に動作する。領域部３ｂにおいて、周辺機能ブロック４は、信号線９と電源［ＧＮＤ］との間に設けられ、動作モード又は非動作モードを実行する。電源スイッチＭＰは、電源［ＶＤＤ］と信号線９との間に設けられ、動作モードにおいて電圧ＶＤＤを信号線９に供給し、非動作モードにおいて信号線９への電圧ＶＤＤの供給を遮断する。ＭＯＳトランジスタは、周辺機能ブロック４に設けられ、そのバックゲートに電源［ＶＤＤ］と電源［ＧＮＤ］との一方の電源が接続されていて、非動作モードにおいて、そのゲートに他方の電源が接続され、そのゲートとバックゲート間に寄生容量を発生する。 （もっと読む）

【課題】異なる電圧レベル規定間でインターフェースすることのできる、入力／出力（ＩＯ）インターフェース・サーキットを提供する。
【解決手段】供給電圧から、制御できる範囲で第１バイアス電圧を作り出し、ＩＯレシーバーの作動電圧耐容最高リミット以下に抑える作業、及び、ＩＯパッドを通して供給されている外部電圧から、制御できる範囲で第２バイアス電圧を作り出し、ＩＯレシーバーの作動電圧耐容最高リミット以下に抑える作業、を含む手法。この手法はまた、ノーマル状態及び耐性状態の際には第１バイアス電圧、あるいはフェイルセーフ状態の際には第２バイアス電圧から、出力電圧を導出する作業をも含む。耐性状態とは、集積回路のＩＯパッドを通して供給されている外部電圧が、ゼロと供給電圧以上の値との間で変化する作動モードであり、フェイルセーフ状態とは、供給電圧がゼロの作動モードである。 （もっと読む）

【課題】内部電源ノイズを正確に測定を行える半導体集積回路の提供。
【解決手段】ＴＥＳＴ信号を出力するテスト制御回路１０１と、テストモード対応バッファ回路１１１と、通常出力バッファ回路１１３とを具備する。テストモード対応バッファ回路１１１は、ＴＥＳＴ信号としてテストモードを示す第１ＴＥＳＴ信号を受け取ると、第１ＴＥＳＴ信号を受けている間、第１端子１２１を介して内部の電源電圧又は接地電圧に固定された第１出力信号を出力し、ＴＥＳＴ信号として通常モードを示す第２ＴＥＳＴ信号を受け取ると、通常動作の入力バッファとして外部信号を受け取る、又は、通常動作の出力バッファとして第２出力信号を出力する。通常出力バッファ回路１１３は、テストモード対応バッファ回路１１１がＴＥＳＴ信号に基づいて動作する間、第２端子１２３を介して通常動作の出力バッファとして第３出力信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置側において自動的にキャリブレーション動作を行う。
【解決手段】出力バッファ７１のインピーダンスを調整するキャリブレーション回路１００と、オートリフレッシュコマンドＡＲが所定回数発行されたことに応答してキャリブレーション回路１００を活性化させるキャリブレーション起動回路２００とを備える。本発明によれば、コントローラ側からキャリブレーションコマンドを発行することなく、半導体装置側にて自動的にキャリブレーション動作を行うことが可能となる。しかも、オートリフレッシュコマンドＡＲが所定回数発行されたことに応答してキャリブレーション動作を行っていることから、定期的なキャリブレーション動作が確保されるとともに、キャリブレーション動作中にコントローラからリード動作やライト動作を要求されることもない。 （もっと読む）

【課題】出力端子と単位バッファとの間の寄生抵抗に起因するインピーダンス誤差を低減する。
【解決手段】出力端子ＤＱと、単位バッファ１１１〜１１ｎと、単位バッファ１１１〜１１ｎと出力端子ＤＱとをそれぞれ接続する複数の出力配線経路とを備える。各出力配線経路は、それぞれ対応する単位バッファに個別に割り当てられた個別出力配線部１６１Ｐ〜１６ｎＰ，１６１Ｎ〜１６ｎＮを有しており、これら出力配線経路に対応する単位バッファは、該出力配線経路によって共有された共通出力配線部であって、個別出力配線部よりも抵抗値の高い共通出力配線部を介することなく出力端子ＤＱに接続されている。これにより、出力端子ＤＱと単位バッファ１１１〜１１ｎとの間の寄生抵抗によるインピーダンス誤差が抑制される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体集積回路は、データの送受信を精度良く行うことができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、双方向用信号線を介してデータの送受信が行われるＳｏＣ回路１００及びＳＤＲＡＭ回路１０１を備え、ＳｏＣ回路１００は、電源と双方向用信号線との間に設けられた抵抗２０７，２０８と、抵抗２０７，２０８に流れる電流のオンオフを制御するスイッチ２０９，２１０と、を有するターミネーション回路２０４と、データ受信時にはスイッチ２０９，２１０をオンし、データ送信時にはスイッチ２０９，２１０をオフし、データ受信後にさらに別のデータを受信する場合には、先のデータ受信後から所定の期間スイッチ２０９，２１０をオンし続けるように、ターミネーション回路２０４に対して制御信号２００を出力する制御回路２０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体集積回路は、データの送信を精度良く行うことができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、複数の信号線を介してパラレルに送信データを送信するＳｏＣ回路１００と、送信データを受信するＳＤＲＡＭ回路１０１と、を備える。ＳｏＣ回路１００は、各信号線に対して設けられ、送信データを出力するためのデータ送信モードと、出力をハイインピーダンスにするためのハイインピーダンスモードと、が切り替わる複数のデータ出力回路２０３と、データ出力回路２０３に対して、送信データと予め設定された固定データとのいずれかを選択して出力するデータ選択回路２５６と、各データ出力回路２０３において、ハイインピーダンスモードからデータ送信モードへモードが切り替わってから実際に送信データの出力を開始するまでの間、固定データを出力するように制御する制御回路２０５と、を備える。 （もっと読む）