【課題】バッテリの電源投入時等の電源電圧の急激なオーバーシュートに対する耐性を向上させるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路１は、バッテリからの高電圧レベルの入力信号Ｖ_ＩＮを入力するレベルシフト部１０と、レベルシフト部１０の中間信号Ｖｍを一定以下に制限するクランプ部２０と、中間信号をより低電圧のＣＭＯＳレベルで出力する出力バッファ部３０とを備える。出力バッファ部３０の初段においてｐＭＯＳトランジスタ３１の負荷を抵抗３２とすることにより、電源電圧のオーバーシュートに対する耐性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】レベル変換における動作範囲を広くする。
【解決手段】第１の電位（ＶＤＤ１）の波高値を有する入力パルス信号（ＶＩＮ）を入力するＣＭＯＳインバータ回路（Ｐ１、Ｎ１）と、第１の電位よりも高電位となる第２の電位（ＶＤＤ２）の電源で動作し、一端（ＮＤ１）をＣＭＯＳインバータ回路の出力端に接続し、他端から第２の電位の波高値を有し入力パルス信号と同相の出力パルス信号（ＶＯＵＴ）を出力するラッチ回路（ＩＮＶ１、Ｐ３）と、第１の電位以上かつ第２の電位未満の電源供給をＣＭＯＳインバータ回路に対して行う電源供給回路（Ｐ２、ＩＮＶ２）と、を備え、電源供給回路は、入力パルス信号が少なくとも接地レベルとなる場合に電源供給を制限するように機能する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減できるＰＬＤ回路、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】ＰＬＤ回路は、各トランジスター列が直列接続されたプログラマブルな複数のトランジスターを有する第１〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍを含む。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの一端に第１の非直流電源ＶＳ１が供給される。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの各トランジスター列は、複数の入力信号ＸＰ（Ｘ１Ｐ〜ＸｉＰ）、ＸＮ（Ｘ１Ｎ〜ＸｉＮ）によってオン・オフされる。第１の非直流電源ＶＳ１の電圧により規定される第１のホールド期間に、第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの他端のノードである第１〜第ｍのノードＮＡ１〜ＮＡｍの電圧レベルを各々出力する。 （もっと読む）

【課題】
内部回路の一部の回路が起動または停止したときに内部電源電圧の変動が緩和されるようにした集積回路を提供する。
【解決手段】
電源が供給される集積回路において，電源が供給され内部電源を内部に供給する電源配線と，内部電源を供給される第１及び第２の内部回路と，第２の内部回路を非動作状態から動作状態に制御するイネーブル信号を第２の内部回路に供給するイネーブル信号供給回路とを有し，イネーブル信号供給回路は，イネーブル信号が非動作状態から動作状態に変化したときに動作状態の期間を間欠的に発生する調整イネーブル信号を生成し第２の内部回路に供給する。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ時における半導体装置の消費電力を低減する。
【解決手段】スタンバイ時においてハイレベルを出力すべき論理回路については、一対の電源ノードを擬似電源線ＶＤＤＴ１Ｌ，ＶＳＳＴＬに接続し、スタンバイ時においてローレベルを出力すべき論理回路については、一対の電源ノードを擬似電源線ＶＤＤＴＬ，ＶＳＳＴ１Ｌに接続する。スタンバイ時における擬似電源線ＶＤＤＴＬ，ＶＤＤＴ１Ｌ，ＶＳＳＴＬ，ＶＳＳＴ１Ｌの電位ＶＤＤＴ，ＶＤＤＴ１，ＶＳＳＴ，ＶＳＳＴ１は、ＶＤＤＴ＜ＶＤＤＴ１＜ＶＤＤ、ＶＳＳＴ＞ＶＳＳＴ１＞ＶＳＳを満たす。これにより、スタンバイ状態においてオンするトランジスタのゲート電極と基板との間を流れるリーク電流や、スタンバイ状態においてオフするトランジスタのドレインと基板との間を流れるリーク電流が低減される。 （もっと読む）

【課題】チップの製造プロセスの微細化にともなって各種リーク電流（サブスレッショルドリーク電流、ゲートトンネルリーク電流、GIDL(Gate-Induced Drain Leakage)電流などの接合リーク電流）が増大している。それらのリーク電流はチップの消費電流を増加する。
【解決手段】第１回路ブロックと、前記第１回路ブロックに接続される第１電源線及び第２電源線と、前記第１電源線と第１電位を供給する第１電位点とを接続するための第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲートに接続される第１駆動回路と、前記第１駆動回路より駆動力の大きい第２駆動回路とを有し、第１の状態から前記第１の状態よりも前記第１電源線と前記第２電源線の間の電位差が大きい第２の状態へ遷移する場合に、第１の期間において前記第１トランジスタを前記第１駆動回路によって駆動し、その後第２の期間において前記第１トランジスタを前記第２駆動回路によって駆動する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の立ち上がるタイミングのばらつきを低減することの可能な駆動回路、およびこの駆動回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】バッファ回路１は、互いに直列に接続されたインバータ回路１０およびインバータ回路２０を備えている。インバータ回路２０は、３つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂，Ｔｒ₂₃を有している。そのうちの２つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂は、デュアルゲート型のトランジスタである。これらトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂のバックゲートの電圧を調整することにより、トランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂の閾値電圧を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】
正相出力信号と逆相出力信号とが１８０°の位相差で位相が一致する単相差動変換回路を提供する。
【解決手段】
単相差動変換回路は，単相入力信号が入力される入力端子と，正相出力信号が出力される正相出力端子と，正相出力信号と差動関係にある逆相出力信号が出力される逆相出力端子と，入力端子と正相出力端子との間に設けられ，直列に接続された第１，第２のインバータを少なくとも含む第１のインバータ列と，入力端子と逆相出力端子との間に設けられ，直列に接続された第３，第４，第５のインバータを少なくとも含み第１のインバータ列よりも段数が１段多い第２のインバータ列とを有し，第１のインバータ列は，さらに，第１のインバータの出力端子にドレインが接続され，導通しない電圧にゲートが接続されたトランジスタを有するダミーインバータを有する。好ましくは，第１，第２，ダミー，第３，第４，第５のインバータのゲート幅の比が，ｍ／２：ｍ^２：ｍ／２：１：ｍ：ｍ^２であり，前記ｍはインバータの増倍率である。 （もっと読む）

【課題】終端抵抗のオンオフの切り替え時に外部端子にインピーダンスの急激な変化が生じることを低減する。
【解決手段】外部端子（図２のＤＱに相当）と、外部端子に接続され、出力信号を外部端子に出力可能とする出力回路（図２の２１に相当）と、外部端子に終端抵抗をオンオフ可能に接続する終端回路（図２の２２に相当）と、終端抵抗がオフ状態又はオン状態のいずれか一方の状態から他方の状態に変化するまでの時間を、データ出力時に出力信号が一方の論理レベルから他方の論理レベルへ変化するまでの時間以上となるように制御する第１のスルーレート制御回路（図２の２３ａに相当）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】入力信号のＨレベルまたはＬレベルを正しく検知できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、閾値調整信号に基づいて論理閾値電位を調整可能な入力バッファ（入力ＣＭＯＳ回路１１）と、入力バッファの入力と出力とが結線されたレプリカ（レプリカ１２）と、予め設定された基準電位（ノードＮｄＨの電位）を発生する基準電位発生回路（基準電位発生回路１３）と、レプリカ（レプリカ１２）の出力電位（ノードＮｄＲの電位）と基準電位（ノードＮｄＨの電位）とを比較し、閾値調整信号（閾値調整信号ＣＴＲＬ）を入力バッファ（入力ＣＭＯＳ回路１１）とレプリカ（レプリカ１２）とに出力する比較回路（比較回路１４）と、を備える。 （もっと読む）