【課題】入力信号に基づいて位相の一致した相補の出力信号を生成する。
【解決手段】入力信号ＩＮＴを受けて反転信号ＩＮＢを出力するインバータ１１と、反転信号ＩＮＢを受けて内部信号ＩＮＴＴを出力するインバータ１２と、反転信号ＩＮＢを電源とし、入力信号ＩＮＴを受けて内部信号ＩＮＢＢを出力するインバータ２１と、を備える。本発明によれば、一方の信号パス上の信号を他方の信号パスに含まれるインバータの電源として用いていることから、調整用の容量や抵抗を付加することなく、一対の出力信号の位相を正確に一致させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】デジタル信号を高速で送受信するための入出力回路を、ＥＭ耐性を保ちつつ、小さな回路面積で、実現する。
【解決手段】出力バッファ２１は、電源−グランド間に接続されたトランジスタＴＰ１，ＴＮ１と、ノードｎ１と入出力端子２３との間に接続された抵抗素子Ｒ１とを備え、出力バッファ２２は、電源−グランド間に接続されたトランジスタＴＰ２，ＴＮ２と、ノードｎ２と入出力端子２３との間に接続された抵抗素子Ｒ２とを備えている。信号入力モードにおいて、出力バッファ２１，２２によって１つの終端回路を構成する。例えば、トランジスタＴＰ１，ＴＮ２をＯＮ、トランジスタＴＮ１，ＴＰ２をＯＦＦにし、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２を通る電流パスを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を低減する。
【解決手段】内部回路（ＬＫ＃２）の内部ノードに対応して対応の内部ノードの信号をラッチする複数のラッチ回路（Ｆ１−Ｆ７）をテストパス（３０２）に配置する。内部回路のＭＩＳトランジスタは、ラッチ回路のＭＩＳトランジスタよりスタンバイ状態時にゲートトンネル電流が低減される状態に設定される。 （もっと読む）

【課題】メモリアレイのワードライン・ドライバ回路として使用できる、大きくなく、低消費電力の回路を提供する。
【解決手段】半導体・オン・インシュレータ（ＳｅＯＩ）基板上に形成された回路であって、電源電位を印加する為の第１、第２の端子間に第２のチャネル型のトランジスタと直列の第１のチャネル型のトランジスタを含み、トランジスタの各々が薄層におけるドレイン領域およびソース領域と、ソース領域とドレイン領域間に延びるチャネルと、チャネルの上方に配置されたフロント・コントロール・ゲートとを備え、各トランジスタが、トランジスタのチャネルの下方のベース基板に形成され、かつトランジスタの閾値電圧を調整する為にバイアスされうるバック・コントロール・ゲートを有し、トランジスタのうちの少なくとも１つが閾値電圧を十分に調整するバックゲート信号の作用の下、空乏モードで動作するように構成される。 （もっと読む）

【課題】
内部電源電圧を遮断するパワーダウンモードへの移行を誤動作無く確実に実行するパワーダウンモードの移行シーケンスを備えた電子回路を提供する。
【解決手段】
電源電圧から降圧してシステム電圧を発生するシステム電圧発生回路１０と、システム電圧を供給されて動作する第１の内部回路３０と、電源電圧を供給されて動作する入出力回路２４と、第１の内部回路３０からの信号を入力し、電源電圧の電圧レベルに変換するレベルシフタ２３と、システム電圧発生回路１０を制御する制御回路４０とを備え、制御回路４０は起動信号Ｐ４を入力し、この起動信号に所定の遅延時間を与えた短絡制御信号Ｐ５を出力する遅延回路１００を有し、起動信号はレベルシフタ２３を非活性又は活性として制御し、短絡制御信号はシステム電圧発生回路１０を停止状態又は動作状態として制御する構成とした。 （もっと読む）

【課題】従来の受信回路では、耐ノイズ性が低い問題があった。
【解決手段】本発明の受信回路の一態様は、送信回路Ｔｘとは異なる電源系において動作する受信回路Ｒｘであって、送信回路Ｒｘが絶縁素子ＩＳＯを介して出力する送信信号に基づき生成される受信信号Ａの信号レベルの変化に応じて受信データＤｒｘ１の論理レベルを切り替える状態保持回路１０と、受信データＤｒｘ１の論理レベルが切り替わる第１のタイミングから予め設定された第１の期間が経過するまでの期間において、状態保持回路１０に受信データＤｒｘ１の論理レベルの保持を指示するホールド信号Ｄを生成する状態保持制御回路２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリの出力バッファの平均電流値を低減し、消費電流を抑制すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、メモリリードアドレスＤの連続性を判定し、判定結果Ｈを出力するアドレス連続性判定回路２３と、判定結果Ｈに基づいて、メモリリードアドレスＤに対応するリードデータを出力するメモリの出力バッファ２２の駆動能力を制御する駆動能力切り替え制御回路２４と、ＣＰＵの要求リードアドレスＡに対応するリードデータが当該ＣＰＵへ到達するまでの期間に、ＣＰＵ要求リードアドレスＡに連続する予想アドレスを生成するアドレス生成部１２と、予想アドレスに対応するリードデータを格納するプリロードバッファ１４を備える。 （もっと読む）

【課題】低振幅のデジタル入力信号を高振幅の電圧信号に高速にレベル変換可能としレベル変換信号の安定な保持を可能とし、構成を簡易化する。
【解決手段】第１のトランジスタＭ１のゲートと、第２及び第３のトランジスタＭ２、Ｍ３の一方のトランジスタのゲートには、第１の制御信号Ｓ１が共通に入力され、第２及び第３のトランジスタＭ２、Ｍ３の他方のトランジスタのゲートには、第１の電源と第２の電源の電源振幅よりも低振幅の入力信号ＩＮが入力される入力端子１に接続される。第２の制御信号Ｓ２によりオン又はオフに制御されるクロックドインバータ１０と、第１の出力端子３に入力が接続されたインバータ２０と、第１のノード２とインバータ２０の出力との間に接続され、第３の制御信号Ｓ３によりオン又はオフに制御されるスイッチＳＷ１を備えている。 （もっと読む）

【課題】動作上の欠点を除去し、また、用いるトランジスタ数が少ない静的動作のレベルコンバータ回路を備えたＭＯＳトランジスタ回路を提供する。
【解決手段】高電源電圧回路側の第一のＣＭＯＳインバータの遷移領域ＴＲＨが、低電源電圧回路側の第二のＣＭＯＳインバータの出力論理信号の変化範囲に含まれるように前記第一のＣＭＯＳインバータと前記第二のＣＭＯＳインバータの動作を設定し、第一のＣＭＯＳインバータをレベル変換回路とし、第一のＣＭＯＳインバータを第二のＣＭＯＳインバータの出力で駆動するように構成する。 （もっと読む）

【課題】基準電位の異なるＴＴＬレベルの信号をＣＭＯＳレベルの信号へ正しく変換が行えるレベル変換回路及びバッテリ装置を提供する。
【解決手段】第１電源と第３電源の間に設けられＴＴＬレベルの信号を入力し第１電源の電圧または第３電源の電圧に反転して出力する反転回路を備えた入力部と、第１電源と第３電源の間に設けられ入力部の出力信号を反転して出力するインバータ回路と、第１電源と第２電源の間に設けられ入力部の出力信号とインバータ回路の出力信号を入力しインバータ回路の出力信号をＣＭＯＳレベルの信号に反転して出力するレベル変換部と、を備え、入力部の反転回路は直列に接続したＰＭＯＳトランジスタと電流リミット回路とＮＭＯＳトランジスタを備えた。 （もっと読む）