【課題】ノイズを低減することができるインターフェース回路を提供することを課題とする。
【解決手段】インターフェース回路は、電源電圧端子が第１の電源電圧ノードに接続され、入力信号を増幅する第１のバッファ（１１１）と、第２の電源電圧ノード及び前記第１のバッファの電源電圧端子間に接続されるスイッチ（１２４）と、前記第１のバッファの入力信号がローレベルからハイレベルに立ち上がると、遅延時間経過後に前記スイッチをオフからオンに切り換える第１の制御回路（１２７）とを有する。 （もっと読む）

【課題】クロック信号の出力バッファにおいて、クロック信号の周波数に応じたスルーレートの調整を行うことによりＥＭＩノイズを抑制することが可能なスルーレートコントロール装置、およびスルーレートコントロール方法を提供すること。
【解決手段】変換ゲインＧｉに応じて、入力されるＶＣＯ入力電圧Ｖｉをクロック信号ＣＫｏに変換する電圧制御発振器１５ａを有するＰＬＬ回路２４ａと、ＶＣＯ入力電圧Ｖｉおよび変換ゲインＧｉの各々に対して正の相関関係を有する制御電流Ｉｂを出力する電圧電流変換器１９ａと、制御電流Ｉｂに応じてドライブ電流を設定するバッファ制御回路２１ａと、ドライブ電流で、クロック信号ＣＫｏを出力する出力回路２２ａとを備える。よって、クロック信号ＣＫｏの周波数ｆに比例して出力回路２２ａのドライブ能力が大きくなる関係を有し、周波数ｆに応じて好適なスルーレートが決定することができる。 （もっと読む）

【課題】伝播遅延時間を短縮する。
【解決手段】インバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２と、ラッチ回路１と、反転駆動回路２，３と、セレクタ４を備える。Ｎ１＝ＶＳＳ２、Ｎ２＝ＶＳＳ２、Ｎ３＝ＶＳＳ２、Ｎ４＝ＶＤＤ２のとき、入力端子ＩＮがＶＤＤ１→ＶＳＳ１に変化したとき、トランジスタＭＰ５をオンして大きな電流をＶＤＤ２からノードＮ１に流し高速にノードＮ１をＶＳＳ１→ＶＤＤ２に変化させる。その後、トランジスタＭＰ５はオフし、ノードＮ１はインバータＩＮＶ４でＶＤＤ２に保持される。これで、Ｎ１＝ＶＤＤ２、Ｎ２＝ＶＤＤ２、Ｎ３＝ＶＤＤ２、Ｎ４＝ＶＳＳ２となる。次に入力端子ＩＮがＶＳＳ１→ＶＤＤ１に変化したとき、トランジスタＭＮ２がオンして大きな電流をノードＮ１からＶＳＳ２に流し高速にノードＮ１をＶＤＤ２→ＶＳＳ２に変化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の制御に好適な制御信号発生回路を提供する。
【解決手段】ジョンソンカウンタ３１は、フリップフロップＦＦ１〜ＦＦ４およびゲート回路４１〜４４を含み、順次入力されるスタート信号ＳＴ１〜ＳＴ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｈ」レベルにした後、順次入力されるストップ信号ＳＰ１〜ＳＰ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｌ」レベルにする。したがって、多数のフリップフロップを用いることなく、所望の時間間隔で制御信号Ｃ１〜Ｃ４を順次「Ｈ」レベルにし、順次「Ｌ」レベルにすることができる。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能であり、且つ消費電力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】レベルシフタ、第１のバッファ、及び第２のバッファと、第１のスイッチ及び第２のスイッチと、第１の端子、第１の端子から入力される信号の反転信号が入力される第２の端子、及び第１のスイッチ及び第２のスイッチの状態を制御するクロック信号が入力される第３の端子と、を備えるラッチ回路を有する。レベルシフタの第１の出力端子は、第１のスイッチを介して、第１のバッファ及び第２のバッファそれぞれの一の入力端子と接続し、レベルシフタの第２の出力端子は、第２のスイッチを介して、第１のバッファ及び第２のバッファそれぞれの他の入力端子と接続する。レベルシフタの第１の入力端子は、第１のバッファの出力端子と接続し、レベルシフタの第２の入力端子は、第２のバッファの出力端子と接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体を用いた半導体装置として、論理回路がある。論理回路にはダイナミック論理回路とスタティック論理回路とがあり、トランジスタ等を用いて構成される。ダイナミック論理回路は情報を一定期間保持することができる。そのため、ダイナミック論理回路は、スタティック論理回路と比較して、トランジスタからのリーク電流が問題となる。
【解決手段】論理回路は、オフ電流が小さい第１のトランジスタと、ゲートが電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、第２のトランジスタのゲートのノードには第１のトランジスタを介して電荷が供給される。ノードに対して、第１及び第２の容量を介して電荷を供給する。電荷の状態に応じて、第２のトランジスタのオン、オフが制御される。第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ｐ型の第１のトランジスタ、ｎ型の第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを有する。第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の電位を供給することができる機能を有する配線に接続され、他方は、第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続される。第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と接続され、他方は、第４のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続される。第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の電位よりも低い第２の電位を供給することができる機能を有する配線に接続される。第３のトランジスタ及び第４のトランジスタのチャネル形成領域には酸化物半導体材料が用いられる。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を少なくできる半導体装置を提供する。
【解決手段】データを出力する出力部を各々備えた複数の半導体チップと、出力部の各々と接続された配線と、配線を介して複数の半導体チップの各々からデータを受け付ける受付部と、を含み、出力部が順番に駆動する半導体装置にて、出力部の各々は、オン状態時の抵抗値を変更可能であり、自己の駆動開始時から自己の次に駆動を開始する出力部の駆動開始時の前のタイミングまでの第１期間の間は、オン状態時の抵抗値を第１抵抗値にしてデータを配線に出力し、第１期間が経過した時点から自己の駆動終了時までの第２期間の間は、オン状態時の抵抗値を第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値にしてデータを配線に出力する。 （もっと読む）

【課題】 待機動作時のオフリーク電流を削減した論理回路を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置１００は、第１の動作電圧または第１の動作電圧よりも小さい第２の動作電圧を供給する電源供給部１１０と、電源供給部１１０から第１または第２の動作電圧を受け取る低しきい値のＰ型トランジスタＴｐと、トランジスタＴｐと基準電位との間に接続されたＮ型トランジスタＴｎとを有し、トランジスタＴｐ、Ｔｎは、ゲートに入力された信号Dinに応じて出力信号Doutを生成する論理回路を構成する。電源供給部１１０は、通常動作時、第１の動作電圧をトランジスタＴｐのソースに供給し、待機動作時、第２の動作電圧をトランジスタＴｐのソースに供給する。第２の動作電圧は、トランジスタＴｐ、Ｔｎそれぞれのゲート・ソース間電圧の振幅がトランジスタＴｐ、Ｔｎのしきい値よりも大きくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】高音の音声信号が所定のレベル以上で所定時間以上入力されたときに、利得を低減させて高音過電流が発生することを防止する。
【解決手段】出力ドライバのパワートランジスタに流れる電流が所定時間以上にわたって所定値を超えた場合に高音過電流検出信号を発生する高音過電流検出手段と、前記高音過電流検出信号が発生されると前記プリアンプの通過周波数帯域を低くさせる通過周波数帯域切替手段とを設けた。 （もっと読む）