【目的】 最も濃い密度のプラズマが発生する部分を被処理試料面より離し、かつプラズマ発生部分においては被処理試料面に対してプラズマをできるだけ均一にし、また装置は大型化することがなく、しかも、電極構成や磁界構成に対し、マージンがあり、調整が容易な有磁場プラズマ処理装置を提供する。
【構成】 有磁場プラズマ処理装置において、平行に配置される対をなす磁界発生用コイル３，４と、この対をなす磁界発生用コイル３と４間に位置し、かつ磁界発生用コイル３，４と平行に配置される高周波印加電極７と、磁界発生用コイル３，４の外側に位置し、かつ高周波印加電極７と平行に配置される接地電極９，１０を設け、高密度プラズマを発生する高密度プラズマ発生部１Ｂを具備する。 （もっと読む）

【目的】 ウェハ保持に単極式静電チャックを用いた場合の後処理として必要な残留電荷除去を、照射損傷層やレジスト表面硬化層の除去を兼ねて行う。
【構成】 単極式静電チャック１上にウェハ４上を保持しながらＳｉＯ₂ 層間絶縁膜をフルオロカーボン（ＦＣ）系ガスを用いてエッチングした後、（ａ）Ｏ₂ガスを導入し、残留ＦＣ系ガスとの反応によりＦ^* リッチなプラズマを生成させるか、または（ｂ）一旦ＦＣ系ガスを排気してからＯ₂ ガスを導入し、Ｏ^* リッチなプラズマを生成させる。これらのプラズマを通じて残留電荷を除去すれば、前者（ａ）の場合は下地のたとえばシリコン系材料層表面に生じた照射損傷層を同時にライトエッチでき、後者（ｂ）の場合は化学増幅型レジスト材料等からなるレジスト・マスクの表面硬化層を同時にアッシングできる。省エネルギー化に有効。 （もっと読む）

【構成】マイクロ波プラズマ処理装置の、真空室の一部を円形導波管真空室１とし、その側面に矩形導波管真空室２を、その長辺方向が円形導波管真空室１の軸方向に平行になるように接続し、矩形導波管真空室２部に真空仕切りとなるマイクロ波導入窓４を設け、矩形導波管部との接続部を除く円形導波管部の外周に磁気コイル６、７を設け、真空室内に電子サイクロトロン共鳴条件以上の磁場を印加して、試料１０のマイクロ波プラズマ処理を行う。
【効果】マイクロ波プラズマ処理装置の処理の均一性を高め、かつ導電性膜の形成を可能にすることができる。 （もっと読む）

【目的】 プラズマの放電開始が容易であって放電中には大面積に均一性が良いプラズマを生成し、しかも複数種類のプロセスに対しても各プロセスに応じた最適のプラズマを生成する。
【構成】 マイクロ波を導入する導波管６とプラズマ17を生成する真空槽３との間に、その開口度が可変である絞り９を有するマイクロ波導入窓12が設けられている。放電開始時には絞り９を絞ってマイクロ波導入窓12の開口面積を小さくして放電開始を容易にし、放電開始後は絞り９を拡げてマイクロ波導入窓12の開口面積を大きくして広い面積で均一性が良いプラズマ17を生成する。また、複数種類のプロセスを連続して行なう場合、各プロセスに応じてマイクロ波導入窓12の開口面積を変化させて、各プロセスにおける最適なプラズマを生成する。 （もっと読む）

【目的】 磁界印加型の高周波プラズマ処理装置を用いて、エッチングを行うときのゲート・リーク等のプラズマ・ダメージの発生を低減する。
【構成】 基板電極１１に高周波電界を印加してプラズマを発生させ、さらにこのプラズマに電磁石ユニット１３より磁界を印加してその基板電極１１上に置かれた試料ウエハ１８のエッチングを行うプラズマ処理装置において、印加磁界の基板電極１１上の試料ウエハ１８上での強度分布の傾きを零にするように構成する。これにより、エッチングを行うときのプラズマ・ダメージを、エッチング速度とその均一性を確保しながら、低減することができる。 （もっと読む）

【目的】 ランプの効率を損なうことなく装置を小型化し、照射面からのノイズ漏洩もなくす。
【構成】 無電極放電ランプ１は、放電気体を封入した透光性の放電容器２と、放電容器２の外周に周回した誘導コイル３とより成る。電磁シールド手段６は導電性メッシュで構成され、形状はランプ１を被う略半球状で、メッシュのピッチは誘導コイル３の近傍で粗く、他の部分では蜜に構成されている。 （もっと読む）

【目的】プラズマ室を構成するベルジャーの内面に金属薄膜が形成されるのを防ぎ、長期間に亘る使用を可能にする。
【構成】円筒導波管１０３のフランジ部１０３ａとメインチャンバーに取り付けたフランジ金具１０２との間に、両者に対して絶縁された終端部材１１０とマイクロは導入板１１１とを配置し、これらをフランジ金具１０２に対して固定する。円筒導波管１０３内に配置したベルジャーを終端部材１１０により支持し、終端部材１１０に設けた環状の板部１１０ａにより、フランジ金具１０２の内周部とイオン引出し電極１０６の外周部との間の領域をベルジャー１０５内の空間から遮蔽する。マイクロ波導入板１１１と円筒導波管のフランジ部１０３ａとの間にチョークを構成する。 （もっと読む）

【構成】 本体コイル２７がプラズマ生成室１１の外周部上方に配設された上部コイル２５と外周部側方に配設された側部コイル２６とから形成される一方、試料台１９の下方にミラー磁場形成用コイル３０が配設され、少なくとも側部コイル２６がプラズマ生成室１１と所定の間隔を有して配置されたマイクロ波プラズマ装置。
【効果】 試料Ｓの全面にわたって均一に所望の良好な処理を施すことができる。 （もっと読む）

コーティングされた基材を調製する方法が開示される。この基材は、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを特定の原子比で含む、プラズマで生じさせたポリマーで被覆され、このポリマーは一定の官能基も含む。プラズマ重合プロセスにおいては１０⁶〜１０⁸Ｊ／ｋｇのパワー密度を使用する。 （もっと読む）