【課題】第１中間電極の損傷を防止でき、磁界強度を容易に変更できる圧力勾配型プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】順に配置された、陰極と、第１および第２中間電極と、陽極とを有する圧力勾配型プラズマ発生装置であって、第１および第２中間電極は、所定の大きさのオリフィスを備える。第１中間電極２は、内部に電磁石が配置されている。この電磁石は、オリフィス２ａを取り囲むように周方向に沿って配置した複数のコイル５１〜５４を含む。これにより、環状の永久磁石を配置した場合と同様に、外側のループ状の磁力線５５と内側のループ状の磁力線５６とを形成することができ、オリフィス２ａ内に磁界を形成するとともに、陰極側の側面に平行な磁界５７，５８を広範囲に形成できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を成膜する場合にも、直流高密度プラズマを安定させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】軸方向に収束しているプラズマを、陽極表面付近において軸に垂直な方向に広げる作用をする磁場を発生させる。すなわち軸上に、一対の筒型の永久磁石を並べて配置し、その内側に陽極を配置する。一対の永久磁石は、磁化の向きが軸方向について互いに逆向きである。この一対の永久磁石により、軸方向の磁場が互いに打ち消し合ってゼロとなる面を形成できるため、プラズマを広げることができる。これにより、陽極の中心領域に絶縁膜が短時間で堆積せず、プラズマを安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】短時間でアーク放電を生じさせることができるとともに、アーク放電移行後には陰極を保護することができる直流高密度プラズマ源を提供する。
【解決手段】中間電極１３、１４の内部には、電磁石１５、１６を配置し、陰極１１の外周側には永久磁石１７を配置する。永久磁石１７は軸方向に沿って可動な構成とする。これにより、永久磁石１７を中間電極１３に近づけて配置することによって、陰極１１と中間電極１３との間の磁場をゼロにしてプラズマを拡散させ、陰極１１を保護することが可能になる。また、永久磁石１７を中間電極１３から離して配置することにより、陰極１１と中間電極１３との間の磁場はゼロにならないため、グロー放電時の電離ガスを収束させ、短時間でアーク放電に移行させることができる。 （もっと読む）

【課題】発生するプラズマを広範囲に低濃度に分布した状態で輸送して被処理体の均一な処理を行うことができる表面処理装置及びそれによって表面処理される光学素子成形用型を提供すること。
【解決手段】表面処理装置１は、真空チャンバ２と、筒状の絶縁物を介してトリガー電極と接続されたターゲットと、ターゲットの周囲にアーク放電を誘起させるアーク電極とを有し、アーク放電によって生じるプラズマ８を放出する蒸着源１０と、光学素子成形用型母材１１を載置する支持台１２と、磁石１３を有して、蒸着源１０から放出されるプラズマ８の進行方向が、支持台１２の近傍において中心軸線Ｃ方向となるように偏向させる偏向部１５とを備えている。磁石１３は周方向断面が略矩形でリング状に一体に形成された多面体とされている。 （もっと読む）

【課題】大きいイオン出力電流を有する改良されたフィルタ付きプラズマ発生装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ及びマクロ粒子を備える材料を放射する形態とされた蒸発可能な面１０２を有するカソード１０１と、プラズマを向け得る出力開口と、偏向電極１０６、１０７を有して、マクロ粒子の一部の透過を防止しつつ、プラズマの一部を出力開口まで伝達する形態とされたフィルタとを備える、プラズマ発生装置であって、カソード１０１と偏向電極１０６、１０７との間にて第一の極性を有する第一の磁界成分を発生させる第一の要素１１９と、第一の極性と反対の第二の極性をカソード１０１の蒸発可能な面１０２に有し、蒸発可能な面１０２と偏向電極１０６、１０７との間に低磁界領域が形成されるようにする第二の磁界成分を発生させる第二の要素１４１、１４２とを備える。 （もっと読む）

【目的】一部に真空アークプラズマを用いて、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に単一膜、混合膜及び積層膜を成膜するプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びこれらを用いて処理された目的物を提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマであり、第１と第２プラズマ導入路２２、２３を介して共通輸送ダクト１０に導入される。このとき、第１及び第２プラズマ１６、１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。各プラズマ導入路のプラズマ導入角度は共通輸送ダクト１０の輸送方向に対して鋭角に設定されている。 （もっと読む）

【目的】例えばＤＬＣ膜とバッファ膜といった多層膜を、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に積層形成することのできるプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びそのプラズマ処理装置によって表面処理された被処理物の提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマである。各プラズマ発生に伴って生じるドロップレット２３を分離、除去して、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０を経由してプラズマ処理部１に誘導する。このとき、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。 （もっと読む）

アーク放電が作用する表面を有するターゲットからなり、前記ターゲットは磁界発生装置の作用範囲内に配置され、前記磁界発生装置は反対極性を有する少なくとも２つのマグネットシステムからなると共に、発生する当該磁界の前記表面に対する垂直成分Ｂ_^が前記表面の大部分にわたって基本的にコンスタントに小さな値を有するかまたはゼロとなるように形成されている真空アークソースならびにその作用方法が開示される。
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本発明は、ターゲットの背後の長方形ターゲット(32)の短側面(32c,32d)に沿って配置される操縦導体(62,64,66,68)を含む操縦磁場源と、ターゲット(32)の対向する長側面(32a,32b)に生成された磁場間のプラズマ流を閉じ込めるターゲット(32)の長側面(32a,32b)に沿って配置された磁気焦点合わせシステムとを提供する。プラズマ焦点合わせシステムは、カソードの作用軸からプラズマ流を偏向させるのに用いられ得る。各操縦導体(62,64,66,68)は、独立して制御され得る。さらなる実施形態において、電気的に独立している操縦導体(62,64,66,68)は、カソード板(32)の対向する長側面(32a,32b)に沿って配置され、一つの導体を流れる電流を変化させることにより、アークスポットの経路を浸食溝を広げるようにシフトする。本発明は、複数の内部アノードも提供し、プラズマ流を偏向するための取り囲みアノードを任意的に提供する。 （もっと読む）

【目的】 プラズマ生成用の高周波電源を間欠運転することにより、プラズマ中でのガス分子の解離反応を抑制し、エッチングあるいはＣＶＤの工程の特性を良好なものとすることができるプラズマ発生装置を提供すること。
【構成】 チャンバ１０内にプラズマを発生させ、チャンバ内に載置された被処理体にプラズマを用いて所定の処理を施すプラズマ発生装置において、チャンバ内の上記被処理体に対向してチャンバ１０の外に配置された高周波コイル１６，１７と、被処理体が載置される載置台に設けられた下部電極１３と、高周波コイル及び下部電極に供給する高周波電源を間欠的に供給する電源部２２とから構成される。 （もっと読む）