説明

インジウム錫酸化物繊維体とその製造方法

【課題】 優れた導電性を有するITO繊維体を容易に製造する技術を提供する。
【手段】 インジウム塩およびスズ塩を有機溶媒に溶解した有機溶液中で生成させたインジウム錫複合沈殿物を乾燥し脱水させて得た繊維状酸化物前駆体によって形成したことを特徴とする繊維状インジウム錫複合酸化物であり、インジウム塩およびスズ塩を有機溶媒に溶解した有機溶液に、好ましくはオゾンないし酸素を吹き込んで酸化処理しながらアルカリを添加してpH5〜8に調整してインジウム錫複合沈殿物を生成さ、この沈殿物を純水洗浄した後に、50℃以上の温度で繊維状粉末になるまで乾燥して繊維状ITO酸化物前駆体粉末を形成し、300℃以上で焼成することによって繊維状インジウム錫複合酸化物を得る。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示素子やタッチパネル、電磁波シールド材、静電気防止などに使用される透明導電膜あるいは赤外線反射膜等の用途で各種エレクトロニクス素子の分野で好適に用いられるインジウム錫酸化物(ITO)について、繊維状ITOとその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
透明電極用塗料の導電フィラーとして用いられるITO粉末は、球状であるよりも棒状または鱗片状などの形状異方性を有するほうが、膜形成した場合に導電パスが形成されやすく、従って少量で導電性を発現しやすいため望ましいとされている。そこで、形状異方性を有するITO粒子の製造が種々検討されてきた。
【0003】
例えば特開平6−227815号公報(特許文献1)には、水溶液中での湿式反応により液相から直接ITO粉末を生成させる方法によって、短径0.05〜0.07mm、長径0.3〜0.35mmの針状ITO粉末を製造する例が記載されている。しかし、この方法は形状異方性を有するITO粉末を安定して得ることが難しく、しかもインジウムと錫の析出速度が異なると組成が不均一になりやすいと云う問題があり、また、粉末のアスペクト比(直径/短径比)は7程度である。
【0004】
特開平4−325415号公報(特許文献2)、特開平6−227816号公報(特許文献3)、特開平6−227817号公報(特許文献4)、特開平7−232920号公報(特許文献5)、特開平10−17325号公報(特許文献6)には、形状異方性を有する酸化インジウム粉末を形成した後、これに錫をドープして焼成することによりITO粉末を製造する方法が開示さている。しかし、これらの方法の多くは先に酸化インジウムの針状粉末を製造した後に、その表面に酸化スズを析出させたものであり、製造が煩雑であると共に、得られる針状粉末のアスペクト比もせいぜい10までが限界である。
【0005】
さらに、従来の湿式製法の多くはインジウムおよび錫の無機溶液を用いたものであり、形状異方性を有するITO粉末を安定して得ることは難しく、粉末の形状もせいぜい棒状か針状であり、アスペクト比10以上の繊維状体を得るのは難しいうえに、純度の高いものが得られ難く、透明電極用塗料の導電フィラーとして満足できるものではなかった。また、非常に工程が煩雑でありコスト高でもあった。
【特許文献1】特開平6−227815号公報
【特許文献2】特開平4−325415号公報
【特許文献3】特開平6−227816号公報
【特許文献4】特開平6−227817号公報
【特許文献5】特開平7−232920号公報
【特許文献6】特開平10−17325号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、繊維状インジウム錫酸化物について、従来の製造方法における上記問題を解決したものであり、高純度でアスペクト比の高い繊維状のITO粉末を容易に製造する方法と、その繊維状ITO粉末を提供する。
【0007】
本発明は、インジウム塩および錫塩を有機溶媒に溶解し、この有機溶媒母液中で生成した沈殿物(ITO前駆体)を用いることによって、高純度でアスペクト比が高く、かつ比較的低い焼成温度でも優れた導電性を有する繊維状ITOを容易に形成できるようにした。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、以下の構成からなるインジウム錫酸化物繊維体およびその製造方法に関する。
(1)角型断面形状を有することを特徴とするインジウム錫酸化物繊維体。
(2)インジウム錫酸化物多結晶の集合体によって形成された角型断面形状を有するインジウム錫酸化物繊維体。
(3)断面径が1〜500μmの角型断面を有し、断面長さと繊維長さの比(アスペクト比)が10以上である上記(1)または上記(2)に記載するインジウム錫酸化物繊維体。
(4)インジウム塩とスズ塩を溶解した有機溶媒母液中で生成したインジウム錫複合沈殿物からなるインジウム錫酸化物前駆体を200℃以上に加熱溶融して得られる角型断面形状を有する上記(1)〜上記(3)の何れかに記載するインジウム錫酸化物繊維体。
(5)インジウム塩とスズ塩を溶解した有機溶媒母液中で生成したインジウム錫複合沈殿物からなるインジウム錫酸化物前駆体を200℃以上に加熱溶融して角型断面形状を有するインジウム錫酸化物繊維体を製造する方法。
(6)インジウム塩とスズ塩を有機溶媒に溶解し、この有機溶媒母液のpHを5〜8に調整してインジウム錫複合沈殿物を生成させ、インジウム錫複合沈殿物を母液から分離し、純水洗浄してインジウム錫酸化物前駆体を製造し、このインジウム錫酸化物前駆体を200℃以上に焼成して角型断面形状を有するインジウム錫酸化物繊維体を製造する方法。
(7)上記(5)または上記(6)の製造方法において、有機溶媒母液から分離して洗浄したインジウム錫酸化物前駆体を脱水するまで乾燥して粉末状のインジウム錫酸化物前駆体を製造し、該前駆体を200℃以上に焼成してインジウム錫酸化物繊維体を製造する方法。
(8)上記(5)または上記(6)の製造方法において、有機溶媒母液から分離して洗浄したインジウム錫酸化物前駆体を100℃未満で加熱溶融して粘性液体にし、この粘性液体を200℃以上に焼成して角型断面形状を有するインジウム錫酸化物繊維体を製造する方法。
(9)上記(8)の製造方法において、インジウム錫酸化物前駆体の粘性液体を引伸ばし、または紡糸して200℃以上に焼成してインジウム錫酸化物の長繊維体を製造する方法。
【発明の効果】
【0009】
本発明のインジウム錫酸化物繊維体は、インジウム錫酸化物多結晶の集合体によって形成された角型断面形状を有する繊維体であり、具体的には、例えば、断面長さが1〜100μの角型断面を有し、断面長さと繊維長さの比(アスペクト比)が10以上の繊維体である。従って、本発明のインジウム錫酸化物繊維体は導電フィラーとして用いると、繊維が長いので相互に良く絡み合って接触するので比較的少量でも優れた導電性を得ることができる。また、断面が角型であるので材料相互あるいは他の材料との接着性・接合性や加工性が良いなどの利点を有する。
【0010】
また、本発明のインジウム錫酸化物繊維体は、有機溶媒母液中で生成したインジウム錫複合沈澱物をインジウム錫酸化物前駆体として用いるので、インジウムや錫の有機化合物を用いる従来の方法よりも容易にかつ格段に低コストで導電性に優れたインジウム錫酸化物繊維体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
図1に本発明の製造方法の工程を示す。図示するように、本発明は、インジウム塩および錫塩を有機溶媒に溶解し、この有機溶媒母液中でインジウム錫複合沈澱物を生成させ、この沈殿物を用いて角型断面を有するインジウム錫酸化物繊維体を形成する技術に関する。上記インジウム錫複合沈澱物およびこの沈澱物を処理したものをインジウム錫酸化物前駆体と云う。
【0012】
本発明のインジウム錫複合沈殿物は、インジウム塩およびスズ塩を有機溶媒に溶解した有機溶媒母液中で生成したものである。インジウム塩としては、塩化インジウム、硝酸インジウム、硫酸インジウム、酢酸インジウム、シュウ酸インジウム等の無機インジウム塩の水溶液を用いることができる。また、錫塩としては、塩化錫、硝酸錫、硫酸錫、酢酸錫、シュウ酸錫等の無機錫塩を用いることができる。
【0013】
インジウム錫複合沈殿物を生成させる有機溶媒母液は、インジウム塩を溶解した有機溶媒と錫塩を溶解した有機溶媒を混合したものでもよく、あるいは有機溶媒にインジウム塩と錫塩とを加えて溶解したものでも良い。インジウムと錫の配合割合(In:Sn)は、繊維体に含まれるインジウムと錫との元素含有比率で、99:1〜80:20の割合が適当であり、目的のインジウム錫比に応じて調整すれば良い。
【0014】
有機溶媒としては、インジウム塩と錫塩が溶解し、生成したインジウムスズ複合沈殿物と反応しないものであれば良い。例えば、(a)エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、(b)メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール等のアルキルエーテル類、(c)アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン等のケトン類、(d)N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、(e)トルエン、キシレン、ヘキサン等の炭化水素類、(f)ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類などを使用することができる。好ましくは、アルコール系、ケトン系である。これらの溶媒は単独でも良く、2種以上の混合溶媒として使用してもよい。
【0015】
有機溶媒中のインジウム塩の濃度は1〜40wt%が適当であり、より好ましくは4〜20wt%である。また溶液中の錫塩の濃度は上記インジウム塩と錫塩との混合比率に対応する濃度であれば良い。
【0016】
インジウム塩と錫塩を溶解した有機溶媒母液のpHを調整してインジウム錫複合沈澱物を生成させる(沈殿化工程)。この沈澱物を生成させるには、例えば、上記溶液を5℃〜80℃、好ましくは10℃〜40℃に保持し、同様の温度に保持したアンモニアあるいはアンモニアエタノール等のアンモニウム化合物やアルカリ金属化合物等のアルカリ水溶液を上記溶液に加えてpHを調整すると良い。このpH調整によってインジウム錫複合物が沈殿する。沈殿物を生成させる反応時間は30分〜6時間程度であれば良い。
【0017】
上記沈殿化工程において、有機溶媒母液のpHを5〜8、好ましくはpH6〜7に調整するのが好ましい。pHが上記範囲よりも低いと沈殿物が生じない。一方、pHが上記範囲よりも高いと沈殿物は生成するが、次工程の加熱時に沈殿物が溶融し難く、粘性液を得ることができない。
【0018】
有機溶媒母液中で上記沈殿物を生成させる際に、この有機溶媒液を酸化処理し、さらにアルカリを添加してpH調整して沈殿物を生成させると良い。この酸化処理は、例えば5%オゾン−95%酸素のガスを上記有機溶媒液に吹き込んでバブリングさせれば良い。酸化剤として過塩素酸を用いても良い。
【0019】
有機溶媒母液を酸化処理しながらアルカリを添加してpH調整し上記沈殿物を生成させたものは、より短時間で沈澱を生成させることができ、しかも、この沈殿物を加熱溶融したときに透明性の高い液状(粘性液)のインジウム錫酸化物前駆体を得ることができる。
【0020】
上記沈殿物が生じた有機溶媒母液はこの沈殿物が分散した白濁溶液になる。これを遠心分離して上澄み液を除去し、次いでイオン交換水などを加えて洗浄し、更に遠心分離して上澄み液を除去する操作を繰り返して、残留する有機溶媒や塩素分などを除去する。上澄み液の電気伝導度が100μS/cm程度以下になるまで純水洗浄を繰り返すと良い。
【0021】
塩化インジウムおよび塩化錫などの塩化物を原料に用いて生成したインジウム錫複合沈殿物には僅かに塩素が残留している。純水洗浄を繰り返して塩素含有量を10mol%以下にするのが好ましい。塩素含有量がこれより多いと周辺材料に対して塩素の影響が強くなることが懸念されるので好ましくはない。塩素含有量が10mol%以下の沈殿物は、これを分離回収して低温加熱して融解したときに透明性の高い液状のインジウム錫酸化物前駆体を得ることができる。
【0022】
純水洗浄した上記インジウム錫沈殿物を50℃以上の温度で粉末になるまで乾燥して脱水させると繊維状インジウム錫酸化物前駆体の粉末が得られる。この繊維状ITO前駆体粉末は、X線回折の結果(図3)から、インジウム錫水酸化物〔(InSn)(OH)3〕であり、繊維軸方向に非常に強く結晶化した構造であることが推察される。
【0023】
上記繊維状ITO前駆体粉末あるいは繊維状ITO前駆体粘性液体を大気中で200℃以上、好ましくは300℃以上に焼成することによって、インジウム錫水酸化物〔(InSn)(OH)3〕の水酸基が分解し、インジウム錫酸化物(In2-xSnxO)の繊維体(ITO繊維体)を得ることができる。この繊維体は断面が角型であり、具体的には図2に示すように断面径が0.5〜500μm、例えば断面径5〜50nm、繊維長さ5〜100nmの矩形ないし四角形であり、インジウム錫酸化物の多結晶集合体によって形成されている。
【0024】
一方、有機溶媒母液から分離して純水洗浄した沈殿物を、50〜100℃、好ましくは70℃〜80℃で加熱すると、乳白色の沈殿物が溶融(融解)して無色透明な粘性液体になる。具体的には、この前駆体は、例えば、透過率50%以上の透明性を有し、粘度0.5〜10000mPa・s程度であって、通常のゼリーやペーストよりは粘性が低い液状のインジウム錫酸化物前駆体である。これをインジウムスズ酸化物前駆体粘性液(ITO前駆体粘性液)と云う。このインジウム錫酸化物前駆体の粘性液体を引伸ばし、あるいは紡糸して200℃以上に焼成することによって繊維長さが5mm以上のインジウム錫酸化物繊維体を製造することができる。
【0025】
本発明のインジウム錫酸化物繊維体は、沈殿物の合成条件や乾燥条件を調整することによってアスペクト比10以上のものを得ることができる。また、上記ITO繊維は、例えば300℃以上で焼成したものの電気伝導率は概ね0.1〜10/Scm-1であり、優れた導電性を有する。
【実施例1】
【0026】
塩化インジウム(InCl3・2H2O)および塩化スズ(SnCl2・2H2O)をそれぞれエタノールに溶解して濃度0.05Mの溶液を調製した。これらの溶液をIn2-xSnx3の組成式において、x=0.05〜0.25になるように混合した。このエタノール混合溶液にオゾン5%を含む酸素ガスを導入してバブリング処理を2時間行った。次いで、この混合エタノール溶液のpHが6.3〜6.8になるように濃度0.2Mのアンモニアエタノール溶液を加え、ペースト状の沈殿物を生成させた。混合エタノール溶液は生成した沈殿物が分散して乳白色を示した。この沈殿物を含む溶液を遠心分離して上澄み液を除去し、さらにイオン交換水を加えて遠心分離する操作を2回繰り返して沈殿物を洗浄した。この純水洗浄した沈殿物を回収した。
【0027】
この沈殿物を空気中、110℃で乾燥して繊維体を得た。これを図2に示す。この繊維体をさらに350℃で2時間焼成してITO繊維を得た。このITO繊維体を図3および図4に示した。また、このITO繊維体の断面を図5に示した。このITO繊維体は図4に示すように繊維長さが約1cm〜1.5cmの繊維体であり、図5に示すように角形断面を有している。このITO繊維体についてX線回折によって成分を測定した。この結果を図6に示した。なお、上記沈殿物を80℃、100℃で乾燥焼成した比較試料のX線回折測定結果、および200℃で乾燥焼成した試料のX線回折測定結果を併せて図6に示した。
【0028】
図6に示すように、80℃乾燥、100℃焼成の何れについても酸化インジウムのピークは見られず、〔(InSn)(OH)3〕の回折角度23度付近の(0,0,2)面および回折角度46度付近の(0,0,4)面のシャープなピークが観測される。200℃で焼成したものは酸化インジウムの僅かなピークが生じており、この焼成温度で繊維状ITOが生成していることがわかる。350℃で焼成したものは、酸化インジウムの大きなピークが生じており、結晶性の高い繊維状インジウム錫複合酸化物が形成されていることが確認された。
【0029】
また、上記粉末を250℃〜800℃で焼成して得たITO繊維について、直流4端子法によって電気伝導度を測定した。この結果を図7に示した。図7に示すように、ITO繊維の電気伝導度は概ね0.1〜10/Scm-1であり、優れた導電性を有する。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】本発明の製造方法を示す工程図
【図2】実施例1のITO繊維の写真
【図3】実施例1のITO繊維の写真
【図4】実施例1のITO繊維の写真
【図5】実施例1のITO繊維の断面顕微鏡写真
【図6】実施例1のITO繊維のX線回折チャート
【図7】実施例1のITO繊維の電気伝導度グラフ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
角型断面形状を有することを特徴とするインジウム錫酸化物繊維体。
【請求項2】
インジウム錫酸化物多結晶の集合体によって形成された角型断面形状を有するインジウム錫酸化物繊維体。
【請求項3】
断面径が1〜500μmの角型断面を有し、断面長さと繊維長さの比(アスペクト比)が10以上である請求項1または2に記載するインジウム錫酸化物繊維体。
【請求項4】
インジウム塩とスズ塩を溶解した有機溶媒母液中で生成したインジウム錫複合沈殿物からなるインジウム錫酸化物前駆体を200℃以上に加熱溶融して得られる角型断面形状を有する請求項1〜3の何れかに記載するインジウム錫酸化物繊維体。
【請求項5】
インジウム塩とスズ塩を溶解した有機溶媒母液中で生成したインジウム錫複合沈殿物からなるインジウム錫酸化物前駆体を200℃以上に加熱溶融して角型断面形状を有するインジウム錫酸化物繊維体を製造する方法。
【請求項6】
インジウム塩とスズ塩を有機溶媒に溶解し、この有機溶媒母液のpHを5〜8に調整してインジウム錫複合沈殿物を生成させ、インジウム錫複合沈殿物を母液から分離し、純水洗浄してインジウム錫酸化物前駆体を製造し、このインジウム錫酸化物前駆体を200℃以上に焼成して角型断面形状を有するインジウム錫酸化物繊維体を製造する方法。
【請求項7】
請求項5または6の製造方法において、有機溶媒母液から分離して洗浄したインジウム錫酸化物前駆体を脱水するまで乾燥して粉末状のインジウム錫酸化物前駆体を製造し、該前駆体を200℃以上に焼成してインジウム錫酸化物繊維体を製造する方法。
【請求項8】
請求項5または6の製造方法において、有機溶媒母液から分離して洗浄したインジウム錫酸化物前駆体を100℃未満で加熱溶融して粘性液体にし、この粘性液体を200℃以上に焼成して角型断面形状を有するインジウム錫酸化物繊維体を製造する方法。
【請求項9】
請求項8の製造方法において、インジウム錫酸化物前駆体の粘性液体を引伸ばし、または紡糸して200℃以上に焼成してインジウム錫酸化物の長繊維体を製造する方法。



【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2006−225257(P2006−225257A)
【公開日】平成18年8月31日(2006.8.31)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−10407(P2006−10407)
【出願日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【出願人】(000006264)三菱マテリアル株式会社 (4,417)
【出願人】(597065282)株式会社ジェムコ (151)
【出願人】(504409543)国立大学法人秋田大学 (210)
【Fターム(参考)】