エレクトロクロミック装置
本発明は、線熱膨張係数が３５から６０．１０−７／℃である第１非強化ガラス基板（Ｓ１）を含むエレクトロクロミック装置であって、該基板（Ｓ１）が、少なくとも１つの透明導電層（２、４）、エレクトロクロミック物質層（ＥＣ２）、イオン導電性電解質（ＥＬ）および対電極（ＥＣ１）を含む積層でコーティングされる装置に関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的に制御された窓を創出するために主として設計された、透明性を制御したエレクトロクロミック装置およびこの製造方法からなる。本発明は、このタイプの装置が備え付けられたエレクトロクロミック窓の他に、この装置の使用方法、および種々様々な用途への後者の適用方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
光透過能力を、良好なレベルの透明性を基準にして、完全な不透明まで通して調整することができる窓が公知である。この窓は多様な技術分野に用途があることが示されている。
【０００３】
従って、例えば、外部の状態および利用者の選択に依存して特定の場所に差す陽光のレベルを調整することができるように、この窓を住居に用いることができる。この窓は、外部または隣室のいずれかに関する特定の場所の住人のプライバシーを守るために、遮蔽シェード（ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ ｓｈａｄｅｓ）として用いることもできる。
【０００４】
自動車分野において、このような装置は、例えば、運転手に向かって反射する光の流れを制御し、運転手が光によって目が眩むのを防ぐため、自動車内の風防および／または側窓または屋根ガラス（ｒｏｏｆ ｇｌａｓｓ）に加え、特定の自動車用アクセサリ、例えば、特にバックミラーの透明性のレベルを調整するのに用いることができる。もちろん、この装置を他の分野、特に航空学の分野において用い、例えば、航空機丸窓／窓の透明性を制御することができる。
【０００５】
エレクトロクロミック装置は不透明状態で吸収性であるため、光、特に陽光に露出するとき、過熱しやすい。これは陳列窓として用いられるエレクトロクロミック装置に特にあてはまる。この窓が枠にはめ込まれるとき、例えば、建築物の正面に用いられるとき、結果として、しばしば、ガラスの中央と縁との間に熱変動が出現し、窓の破壊を引き起こしやすい。明るい陽光における陰（ｓｈａｄｏｗ ｃａｓｔ）は同様の効果を生じ得る。このため、エレクトロクロミック装置において用いられるソーダ石灰シリカガラスの基板は、現時点では、熱機械的抵抗力の増加が得られるように強化される（ｔｅｍｐｅｒｅｄ ｏｒ ｈａｒｄｅｎｅｄ）。しかしながら、強化ガラスの使用には不利益がある。このタイプのガラスは切断することができないため、最初に最終形状に切断されていない限り、ガラス基板上に薄膜を被着することができない。建築計画に依存して、切断するガラスの最終形状は大きく変化し得る。薄層をマグネトロン陰極スパッタリング（ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｃａｔｈｏｄｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によってガラスに適用するとき、様々なサイズの基板が金属基板支持体上に配置される。層を被着させるための設定は、ガラスと金属基板支持体との表面積比が考慮されるように個別に調整する必要がある。これにより、この過程は制御困難となる。経済的および物流的理由から、および製造の容易さのため、この薄層を標準サイズ、通常は大サイズの基板上に被着させた後、この基板を所望のサイズまで切断することが可能であることが好ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らは、線熱膨張係数が明瞭に決定されているガラス基板を用いることにより、この目標が達成されていることを示すことができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
従って、本発明の主題は、線熱膨張係数が３５から６０．１０−７／℃である第１の（ｉｎｉｔｉａｌ）非強化ガラス基板を含むエレクトロクロミック装置であって、該基板が少なくとも１つの透明導電層、エレクトロクロミック物質の層、イオン性電解質導体の層および対電極からなる積層でコーティングされる装置である。実際、現在用いられるソーダ石灰シリカ型のガラスは８９．１０−７／℃のオーダーの熱膨張係数を有する。
【０００８】
線膨張係数は線膨張の平均係数を指す。この係数は周囲に近い温度（典型的には、２０℃、３０℃または５０℃）およびガラス転移温度を下回る温度、例えば、３００℃、４００℃、または５００℃でも測定することができる。典型的には、考慮される温度範囲は２０℃から３００℃の範囲である。ガラスの縦膨張は温度に依存して線形的に変化するため、ガラス転移温度を下回る温度範囲においては、温度の選択が結果に実質的に影響を及ぼすことはない。
【０００９】
本発明における装置は、好ましくは、しばしば前面基板として知られる第２ガラス基板を含む。この第２基板も定義されるような線熱膨張係数を有することができ、または反対に、例えば８５から９０．１０−７／℃のオーダーの、標準線熱膨張係数を有していてもよい。
【００１０】
好ましくは、第１ガラス基板は５０．１０−７／℃以下、または４５．１０−７／℃以下の低線熱膨張係数を有するべきである。
【００１１】
第１ガラス基板は、好ましくは、ＳｉＯ２含有率が４０％以上、特に５０％であるようなタイプのシリカ系ガラス酸化物であるべきである。本明細書において、含有率は質量濃度の観点で示される。
【００１２】
第１ガラス基板は、好ましくは、以下の酸化物：ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、および少なくとも１種類のアルカリ土類金属の酸化物を含む化学組成物であるべきである。
【００１３】
前述の酸化物に加えて、基板の組成物は酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）および／または少なくとも１種類のアルカリ金属酸化物も含むことができる。
【００１４】
基板の組成物は以下の酸化物：ＺｒＯ２、Ｐ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＳＯ３、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３の１以上を含むこともできる。
【００１５】
基板は、以下の酸化物：
鉄、バナジウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、セリウム、ネオジム、プラセオジムおよびエルビウム
金属コロイド、例えば、銅、銀もしくは金、または元素もしくはイオン形態にあるもの、例えば、セレンもしくはイオウ
を含む、１種類以上の着色剤を含むこともできる。
【００１６】
シリカ（ＳｉＯ２）含有率は、好ましくは５０から７５％、特に５０から６５％であるべきである。実際、高含有率には粘度の増加が伴う。
【００１７】
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）含有率は、好ましくは１から２０％、特に５から１５％であるべきである。高アルミナ含有率は、ガラスの粘度の増加に加えて、失透する傾向につながり得る。
【００１８】
酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）はガラスの粘度および熱膨張係数の両者を低減するのに有用に用いることができる。この含有率は、好ましくは２０％以下、好ましくは１５％であるべきである。
【００１９】
アルカリ土類金属にはマグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムが含まれる。カルシウムおよびマグネシウムが、低経費およびガラスの密度に対する低い衝撃性のために好ましい。アルカリ土類金属の酸化物は、膨張係数を著しく不利にすることなしに、ガラスの粘度を低減させ、融合を容易にするのに有用である。しかしながら、多量では、これらはガラスの失透を促進し得る。従って、合計含有率は、好ましくは、２５％以下であり、または２０％および１５％でさえある。
【００２０】
アルカリ金属にはリチウム、ナトリウムおよびカリウムが含まれ、ナトリウムおよびカリウムが低経費のために好ましい。アルカリ金属の酸化物は、ガラスとの融合を、粘度および失透する傾向を低減させることにより、容易にする効果を有する。しかしながら、この酸化物は熱膨張係数の著しい増加につながり、合計含有率は、好ましくは８％以下、特には６％であり、５％ですらある。
【００２１】
第１基板は、好ましくは、以下からなる化学組成を備え、以下に定義される質量限界内であるべきである。
【００２２】
ＳｉＯ２ ５０から８２％ 好ましくは５０から７５％
Ｂ２Ｏ３ ０から２０％
Ａｌ２Ｏ３ ０から２２％
ＭｇＯ ０から１０％
ＣａＯ ０から１５％
ＳｒＯ ０から５％
ＢａＯ ０から１５％
ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ ０から１５％ 好ましくは５から１５％
Ｎａ２Ｏ ０から６％
Ｋ２Ｏ ０から８％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ ０から８％
さらにより好ましくは、第１基板は、以下で定義される質量限度内の、以下で構成される化学組成を有するべきである。
【００２３】
ＳｉＯ２ ５０から６０％
Ｂ２Ｏ３ １０から１５％
Ａｌ２Ｏ３ １０から１５％
ＭｇＯ ２から５％
ＣａＯ ２から５％
ＳｒＯ ０から１％
ＢａＯ ０から１％
ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ ５から１５％
Ｎａ２Ｏ ０から５％
Ｋ２Ｏ ０から５％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ １から６％。
【００２４】
各々のガラス基板は当業者が熟知する技術を用いて製造することができる。一般には粉末形態の、天然物または化学産業の副生物である原料を混合した後、炉に入れる。炉は、バーナーによって（空気中で、ガラス浴および／または炉の裏張り内に浸漬させ、原料またはガラス浴に作用させる。）、または再度、ガラス浴に浸漬された電極、典型的には、モリブデン中の電極を用いることによって加熱することができる。炉は、例えば、シリカ、アルミナ、ムライト（ポルセライナイト（ｐｏｒｃｅｌａｉｎｉｔｅ））、クロム酸化物の、および／またはアルミナ−ジルコン−シリカの固溶体の状態の、耐火レンガで一般に構成されるべきである。原料は加熱の効果に様々に反応し、これが溶融ガラス浴の入手につながる。ガラス浴内の温度は、典型的には１３００から１７００℃、特に１５５０から１６５０℃の範囲をとる。次に、溶融ガラスを形成機器に送る。形成機器は、例えば、薄い溶融浴への注ぎ入れ（「フロートガラス」の作製法として公知の方法）により、または積層ローラー（ｌａｍｉｎａｔｉｎｇ ｒｏｌｌｅｒｓ）を用いることにより形成する。得られたガラスのシートは、一般には、冷却段階の間に生じ得るあらゆる機械的拘束が除去されるように再焼成する。
【００２５】
本発明のエレクトロクロミック装置は、好ましくは、第１基板から出発する順序で、または逆の順序で、以下からなる。
− 透明導電層、
− エレクトロクロミック物質と同じ電荷を有するイオンが逆に挿入され得るような、対電極、
− イオン性電解質導体の層、
− 適切な電気エネルギーを受けるときに、挿入および除去状態に対応する酸化の状態が特有の着色を獲得する、イオンを逆におよび同時に挿入することができるエレクトロクロミック材料の層であり、これらのうちのあるものは他の第２透明導電層よりも大きい光透過を提示する層、
− 第２透明導電層。
【００２６】
代わりに、２つの透明導電層の間の層の順序を、最初にエレクトロクロミック物質、次いで電解質、最後に対電極となるよう、逆転させることができる。
【００２７】
エレクトロクロミック物質は、好ましくは、（陰極エレクトロクロミック物質としての）タングステン酸化物基板、またはイリジウム酸化物のうちの１つ（陽極エレクトロクロミック物質）を有するべきである。これらの物質はカチオン、特にリチウムプロトンまたはイオンを挿入することができる。
【００２８】
対電極は、好ましくは、中性着色層またはエレクトロクロミック層が着色状態にあるとき少なくとも透明であるか、または僅かに着色するだけである着色層からなるべきである。対電極は、好ましくは、タングステン、ニッケル、イリジウム、クロム、鉄、コバルトもしくはロジウムのような元素の酸化物に基づくか、またはこれらの元素のうちの少なくとも２つの混合酸化物、特には、ニッケルおよびタングステン酸化物混合物に基づくものであるべきである。エレクトロクロミック物質がタングステン酸化物、着色状態が最も還元された状態を表す陰極エレクトロクロミック物質からなる場合、例えば、ニッケル酸化物またはイリジウム酸化物系陽極エレクトロクロミック物質を対電極として用いることができる。これには、特に混合バナジウムおよびタングステン酸化物またはニッケルおよびタングステン酸化物混合物の層が含まれ得る。エレクトロクロミック物質がイリジウム酸化物である場合、陰極エレクトロクロミック物質、例えば、タングステン酸化物に基づくものが対電極の一部の役割を果たし得る。光学的に不偏の物質、例えば、セリウム酸化物または電子導電性ポリマー（ポリアニリン）もしくはプルシアンブルーのような有機物質なども、酸化状態において用いることができる。
【００２９】
第１の実施方法を用いると、電解質はポリマーまたはゲル、特にプロトン導電性ポリマー（ｐｒｏｔｏｎｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｐｏｌｙｍｅｒ）、例えば、欧州特許ＥＰ０２５３７１３およびＥＰ０６７０３４６に記載されるもの、またはリチウムイオンを導電するためのポリマー、例えば、特許ＥＰ０３８２６２３、ＥＰ０５１８７５４もしくはＥＰ０５３２４０８に記載されるものの形態で現れる。そこで、これらは混合エレクトロクロミック系と呼ばれる。
【００３０】
第２の実施方法によると、電解質は電気的に隔離されたイオン導電体を形成する無機層から構成される。そこで、これらのエレクトロクロミック系は「全固体（ａｌｌ−ｓｏｌｉｄ）」であると呼ばれる。欧州特許ＥＰ０８６７７５２およびＥＰ０８３１３６０を参照のこと。
【００３１】
本発明の装置は、２つの導電層が、陰極着色ポリマー、イオン導電体電子絶縁ポリマー（および、特にＨ＋またはＬｉ＋）および、最後に、陽極着色ポリマー（例えば、ポリアニリンまたはポリピロール）からなる積層のいずれかの側部に配置される、「全ポリマー（ａｌｌ−ｐｏｌｙｍｅｒ）」型のものであってもよい。
【００３２】
エレクトロクロミック積層は様々な層、特に、例えば、次の層の被着を容易にするか、または機械的もしくは化学的攻撃に対して特定の層を保護する（腐食、摩耗等に対する耐性）ように設計されている、下層、最上層または中間層からなるものであってもよい。エレクトロクロミック積層は、例えば、シリカ系および／またはアルミナ系保護層で覆うことができる。
【００３３】
本発明における装置は、以下のように製造することができる。インジウムおよびスズ酸化物（ＩＴＯ）の層またはフッ素ドープスズ酸化物の層、例えばイリジウム酸化物（ＩｒＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯ３）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）の、エレクトロクロミック機能層および上部導電性電極から一般になる支持基板上に、この基板が透明であろうとこの他であろうと、下部導電性電極を配置する。
【００３４】
もちろん、下部および上部導電性電極の両者は、これらにそれぞれの電流を供給するため、コネクタに取り付けなければならない。接続は、通常、上部および下部電極とそれぞれ接触させて配置される金属ホイルを用いて獲得される。
【００３５】
エレクトロクロミック装置は、一般には、第２基板（第１基板はエレクトロクロミック積層が被着されるものである。）を有する。これを達成する幾つかの方法が可能である。これら２つの基板を積層することができ、積層されたポリマー（特に、ポリビニルブチラール基部を有するもの、またはエチレンおよび酢酸ビニルのコポリマー−ＥＶＡ−からなるもの、またはポリウレタンで製造されるもの）は、この積層で覆われた第１基板および第２基板の間に接触させて配置される。両基板は、第２および第１基板の間に間隙が存在する限り、通常はこれらの２つの基板の間にガス層を挿入する周囲枠により、複層ガラスとして代わりに取り付けることができる。ガスは、好ましくは、アルゴンであるべきである。両者の場合において、エレクトロクロミック積層はあらゆるタイプの化学的または機械的攻撃に対して保護されるような方法で、２つの基板の間に配置される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明によるエレクトロクロミック装置を模式的に表す。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
図１を参照すると、本発明のエレクトロクロミック装置は、好ましくは「完全固体」で、連続的に以下からなるべきである。
− ３５から６０．１０−７／℃の線熱膨張係数の第１ガラス基板Ｓ１、
− 好ましくはＩＴＯ系で、例えば２５０ｎｍ厚の、特に熱いときに被着された、平方抵抗（ｓｑｕａｒｅ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が１０オームのオーダーである下部導電性電極層２であり、この変形は、スズドープフッ素（ｔｉｎ−ｄｏｐｅｄ ｆｌｕｏｒｉｎｅ）もしくはアンチモン酸化物の層、または、特にＩＴＯについて１５から２０ｎｍ、ＺｎＯ：Ａｌについて６０から８０ｎｍ、銀について３から１５ｎｍ、ＺｎＯ：Ａｌについて６０から８０ｎｍ、ＩＴＯについて１５から２０ｎｍのそれぞれの厚みの、ＩＴＯ／ＺｎＯ：Ａｌ／Ａｇ／ＺｎＯ：Ａｌ／ＩＴＯ型の層の積み重ねからなる多層からなり得る下部導電性電極層２、
− 構造が特に以下に記述されるものである、エレクトロクロミック系３、
− 好ましくはＩＴＯに基づく、例えば１１０ｎｍ厚の、もしくはＳｎＯ２：Ｆの上部導電層４、または、変形としての、他の導電性元素からなる上部導電層４。上部伝道層４は、とりわけ、導電層を、導電度および／または導電性ストリップもしくはワイヤの数でこれを上回る層と関連付けることからなり得る。このような多成分導電層の実装のためには、さらに詳しくは、出願ＷＯ−００／５７２４３を参照されたい。このタイプの導電層の好ましい製造方法は、ＩＴＯ層（１以上の導電層で覆われていてもいなくてもよい。）にポリマーシート７の表面上に横たえられた導電性ワイヤ６の網を適用することに存し、このシート７は、この組立体を第２基板Ｓ２上で組み立て、エレクトロクロミック積層を電流リード（図示せず）のうちの１つに連結することを可能にする中間シートとして役立つ。
− 線熱膨張係数が、これも３５から６０．１０−７／℃であり得る、第２ガラス基板Ｓ２。
【００３８】
エレクトロクロミック積層３は、好ましくは、以下であるべきである。
− 対電極、他の金属と合金化されていてもいなくてもよい、４０から１００ｎｍの厚みを有するイリジウム酸化物（水和物）または４０から４００ｎｍ厚の、水和もしくは非水和の、ニッケル酸化物の陽極エレクトロクロミック物質ＥＣ１の層として役立ち、
− 層は、典型的には１００ｎｍ厚のタングステン酸化物の層と、これに続く、典型的には２５０ｎｍ厚の、水和タンタル酸化物、水和ケイ素酸化物、水和ジルコニウム酸化物、水和アンチモン酸化物またはこれらのあらゆる混合物のいずれかであり得る酸化物層からなる、電解質ＥＬとして機能し、
− 層は、例えば５００ｎｍ厚の、タングステンＷＯ３または混合バナジウムおよびタングステン酸化物に基づく陰極エレクトロクロミック物質ＥＣ２である。
【００３９】
別の好ましいエレクトロクロミック積層は、第１基板からの順序で開始して、以下からなる。
− 例えば３００ｎｍ厚の、タングステン酸化物ＷＯ３に基づく陰極エレクトロクロミック物質の層、
− 典型的には１８０ｎｍ厚のタングステン酸化物の層、次いで典型的には５０ｎｍ厚のケイ素酸化物の層からなる、電解質ＥＬとして役立つ層、
− 例えば２５０ｎｍ厚の、混合ニッケルおよびタングステン酸化物の対電極。この積層を、典型的にはＩＴＯおよび／またはスズドープ酸化物に基づく、２つの透明電極の間に挿入する。このタイプの積層において、挿入または除去可能であるカチオンは、好ましくは、リチウムであるべきである。
【００４０】
これらの層、好ましくは、磁場援用陰極粉砕（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｃａｔｈｏｄｉｃ ｐｕｌｖｅｒｉｚａｔｉｏｎ）によって被着させるべきである。変形として、熱蒸発もしくは電子流によって支援される蒸発により、レーザーアブレーションにより、プラズマもしくはマイクロ波によって支援される可能性のある化学蒸着（ＣＶＤ）により、または大気圧技術により、特に、ゾル−ゲル合成による層の被着により、特に、焼戻し、スプレーコーティングもしくは層誘導（ｌａｍｉｎａｒ ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ）によりこれを得ることができる。
【００４１】
フランス出願ＦＲ−２７８１０８４に記述されるように、周辺における電気漏洩が減少するように、機械的手段、またはパルス化され得るレーザー照射によって生成されるチャンネルにより、活動積層３の全体にわたって、または周囲の一部に、切り込みを入れることができる。
【００４２】
さらにこの装置には、好ましくは、表面２および３（２および３は基板Ｓ１およびＳ２の内面の慣習的なナンバリングである。）に接触する第１周辺継目が組み込まれ、この第１周辺継目は外部の化学的攻撃に対する障壁を創出するのに適合する。
【００４３】
第２周辺継目（図示せず）は、輸送の手段を取り付ける手段、内部および外部の間の防水、審美的機能、ならびに補強を取り込む手段が創出されるように、Ｓ１、Ｓ２の端部ならびに表面１および４（１および４は基板Ｓ１およびＳ２の外面に一致するナンバリングである。）と接触する。
【００４４】
この装置またはエレクトロクロミックガラスパネルには、建築物または自動車、列車もしくは航空機型の乗物の外部に取り付けられる窓（例えば、丸窓）を通過する日光の量の制御に用途がある。この目的は、過剰の日光が存在する場合においてのみではあるが、コックピット／自動車および他の室内の過熱の低減が可能になることである。
【００４５】
窓ガラスを通しての可視性の程度を制御するために、特に窓ガラスを曇らせるために、または望ましいときに窓ガラスを通してあらゆるものが見えることを妨げるために用いることもできる。望ましいときには、あらゆる可視性を妨げるのに用いることができる。これには、建築物、列車、航空機内の内部仕切りとして据えられ、または自動車側窓として取り付けられるガラスが含まれ得る。また、運転手が見えない状態になるのを防止するのにバックミラーとして用いられる鏡、または、注意を最もよく引きつけるため、必要なときに、もしくは断続的に、メッセージが現れるようにメッセージを表示するパネルも含まれ得る。
【００４６】
従って、本発明の主題は、本発明に基づく装置を含む、建築物もしくは運搬用車両のグレージング、仕切り、バックミラーまたはメッセージパネルでもある。
【００４７】
以下の例は本発明を説明するが、これは本発明を限定しない。
【００４８】
以下の表１および２は、本発明に基づくエレクトロクロミック装置に組み込まれる基板に用いることができる、ガラスの組成の幾つかの例を示す。
【００４９】
これらの表の各々は、（％で表される）酸化物質量含有率、および「ＣＴＥ」と記載され、１０−７／℃で表される熱膨張係数を示す。線熱膨張係数は、典型的には、標準ＮＦ−Ｂ３０−１０３に基づいて測定する。
【００５０】
【表１】
【００５１】
【表２】
【００５２】
これらの組成を提示するガラス基板を、フローティングによって得た後、エレクトロクロミック積層が被着される第１基板として、図１におけるエレクトロクロミック装置に組み込む。
【００５３】
得られたガラスは、強化または硬化ソーダ石灰シリカで製造されたエレクトロクロミックガラスと同様に、またはこれよりも熱機械的に良好に挙動する。他方、制限が存在しないことは、このガラスを切断してはめ込むことができることを意味する。従って、大きい基板上にエレクトロクロミック積層の層を置き、次にこれを切断してコーティングされた基板を所望のサイズに適合させることができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的に制御された窓を創出するために主として設計された、透明性を制御したエレクトロクロミック装置およびこの製造方法からなる。本発明は、このタイプの装置が備え付けられたエレクトロクロミック窓の他に、この装置の使用方法、および種々様々な用途への後者の適用方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
光透過能力を、良好なレベルの透明性を基準にして、完全な不透明まで通して調整することができる窓が公知である。この窓は多様な技術分野に用途があることが示されている。
【０００３】
従って、例えば、外部の状態および利用者の選択に依存して特定の場所に差す陽光のレベルを調整することができるように、この窓を住居に用いることができる。この窓は、外部または隣室のいずれかに関する特定の場所の住人のプライバシーを守るために、遮蔽シェード（ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ ｓｈａｄｅｓ）として用いることもできる。
【０００４】
自動車分野において、このような装置は、例えば、運転手に向かって反射する光の流れを制御し、運転手が光によって目が眩むのを防ぐため、自動車内の風防および／または側窓または屋根ガラス（ｒｏｏｆ ｇｌａｓｓ）に加え、特定の自動車用アクセサリ、例えば、特にバックミラーの透明性のレベルを調整するのに用いることができる。もちろん、この装置を他の分野、特に航空学の分野において用い、例えば、航空機丸窓／窓の透明性を制御することができる。
【０００５】
エレクトロクロミック装置は不透明状態で吸収性であるため、光、特に陽光に露出するとき、過熱しやすい。これは陳列窓として用いられるエレクトロクロミック装置に特にあてはまる。この窓が枠にはめ込まれるとき、例えば、建築物の正面に用いられるとき、結果として、しばしば、ガラスの中央と縁との間に熱変動が出現し、窓の破壊を引き起こしやすい。明るい陽光における陰（ｓｈａｄｏｗ ｃａｓｔ）は同様の効果を生じ得る。このため、エレクトロクロミック装置において用いられるソーダ石灰シリカガラスの基板は、現時点では、熱機械的抵抗力の増加が得られるように強化される（ｔｅｍｐｅｒｅｄ ｏｒ ｈａｒｄｅｎｅｄ）。しかしながら、強化ガラスの使用には不利益がある。このタイプのガラスは切断することができないため、最初に最終形状に切断されていない限り、ガラス基板上に薄膜を被着することができない。建築計画に依存して、切断するガラスの最終形状は大きく変化し得る。薄層をマグネトロン陰極スパッタリング（ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｃａｔｈｏｄｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によってガラスに適用するとき、様々なサイズの基板が金属基板支持体上に配置される。層を被着させるための設定は、ガラスと金属基板支持体との表面積比が考慮されるように個別に調整する必要がある。これにより、この過程は制御困難となる。経済的および物流的理由から、および製造の容易さのため、この薄層を標準サイズ、通常は大サイズの基板上に被着させた後、この基板を所望のサイズまで切断することが可能であることが好ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らは、線熱膨張係数が明瞭に決定されているガラス基板を用いることにより、この目標が達成されていることを示すことができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
従って、本発明の主題は、線熱膨張係数が３５から６０．１０−７／℃である第１の（ｉｎｉｔｉａｌ）非強化ガラス基板を含むエレクトロクロミック装置であって、該基板が少なくとも１つの透明導電層、エレクトロクロミック物質の層、イオン性電解質導体の層および対電極からなる積層でコーティングされる装置である。実際、現在用いられるソーダ石灰シリカ型のガラスは８９．１０−７／℃のオーダーの熱膨張係数を有する。
【０００８】
線膨張係数は線膨張の平均係数を指す。この係数は周囲に近い温度（典型的には、２０℃、３０℃または５０℃）およびガラス転移温度を下回る温度、例えば、３００℃、４００℃、または５００℃でも測定することができる。典型的には、考慮される温度範囲は２０℃から３００℃の範囲である。ガラスの縦膨張は温度に依存して線形的に変化するため、ガラス転移温度を下回る温度範囲においては、温度の選択が結果に実質的に影響を及ぼすことはない。
【０００９】
本発明における装置は、好ましくは、しばしば前面基板として知られる第２ガラス基板を含む。この第２基板も定義されるような線熱膨張係数を有することができ、または反対に、例えば８５から９０．１０−７／℃のオーダーの、標準線熱膨張係数を有していてもよい。
【００１０】
好ましくは、第１ガラス基板は５０．１０−７／℃以下、または４５．１０−７／℃以下の低線熱膨張係数を有するべきである。
【００１１】
第１ガラス基板は、好ましくは、ＳｉＯ２含有率が４０％以上、特に５０％であるようなタイプのシリカ系ガラス酸化物であるべきである。本明細書において、含有率は質量濃度の観点で示される。
【００１２】
第１ガラス基板は、好ましくは、以下の酸化物：ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、および少なくとも１種類のアルカリ土類金属の酸化物を含む化学組成物であるべきである。
【００１３】
前述の酸化物に加えて、基板の組成物は酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）および／または少なくとも１種類のアルカリ金属酸化物も含むことができる。
【００１４】
基板の組成物は以下の酸化物：ＺｒＯ２、Ｐ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＳＯ３、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３の１以上を含むこともできる。
【００１５】
基板は、以下の酸化物：
鉄、バナジウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、セリウム、ネオジム、プラセオジムおよびエルビウム
金属コロイド、例えば、銅、銀もしくは金、または元素もしくはイオン形態にあるもの、例えば、セレンもしくはイオウ
を含む、１種類以上の着色剤を含むこともできる。
【００１６】
シリカ（ＳｉＯ２）含有率は、好ましくは５０から７５％、特に５０から６５％であるべきである。実際、高含有率には粘度の増加が伴う。
【００１７】
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）含有率は、好ましくは１から２０％、特に５から１５％であるべきである。高アルミナ含有率は、ガラスの粘度の増加に加えて、失透する傾向につながり得る。
【００１８】
酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）はガラスの粘度および熱膨張係数の両者を低減するのに有用に用いることができる。この含有率は、好ましくは２０％以下、好ましくは１５％であるべきである。
【００１９】
アルカリ土類金属にはマグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムが含まれる。カルシウムおよびマグネシウムが、低経費およびガラスの密度に対する低い衝撃性のために好ましい。アルカリ土類金属の酸化物は、膨張係数を著しく不利にすることなしに、ガラスの粘度を低減させ、融合を容易にするのに有用である。しかしながら、多量では、これらはガラスの失透を促進し得る。従って、合計含有率は、好ましくは、２５％以下であり、または２０％および１５％でさえある。
【００２０】
アルカリ金属にはリチウム、ナトリウムおよびカリウムが含まれ、ナトリウムおよびカリウムが低経費のために好ましい。アルカリ金属の酸化物は、ガラスとの融合を、粘度および失透する傾向を低減させることにより、容易にする効果を有する。しかしながら、この酸化物は熱膨張係数の著しい増加につながり、合計含有率は、好ましくは８％以下、特には６％であり、５％ですらある。
【００２１】
第１基板は、好ましくは、以下からなる化学組成を備え、以下に定義される質量限界内であるべきである。
【００２２】
ＳｉＯ２ ５０から８２％ 好ましくは５０から７５％
Ｂ２Ｏ３ ０から２０％
Ａｌ２Ｏ３ ０から２２％
ＭｇＯ ０から１０％
ＣａＯ ０から１５％
ＳｒＯ ０から５％
ＢａＯ ０から１５％
ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ ０から１５％ 好ましくは５から１５％
Ｎａ２Ｏ ０から６％
Ｋ２Ｏ ０から８％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ ０から８％
さらにより好ましくは、第１基板は、以下で定義される質量限度内の、以下で構成される化学組成を有するべきである。
【００２３】
ＳｉＯ２ ５０から６０％
Ｂ２Ｏ３ １０から１５％
Ａｌ２Ｏ３ １０から１５％
ＭｇＯ ２から５％
ＣａＯ ２から５％
ＳｒＯ ０から１％
ＢａＯ ０から１％
ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ ５から１５％
Ｎａ２Ｏ ０から５％
Ｋ２Ｏ ０から５％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ １から６％。
【００２４】
各々のガラス基板は当業者が熟知する技術を用いて製造することができる。一般には粉末形態の、天然物または化学産業の副生物である原料を混合した後、炉に入れる。炉は、バーナーによって（空気中で、ガラス浴および／または炉の裏張り内に浸漬させ、原料またはガラス浴に作用させる。）、または再度、ガラス浴に浸漬された電極、典型的には、モリブデン中の電極を用いることによって加熱することができる。炉は、例えば、シリカ、アルミナ、ムライト（ポルセライナイト（ｐｏｒｃｅｌａｉｎｉｔｅ））、クロム酸化物の、および／またはアルミナ−ジルコン−シリカの固溶体の状態の、耐火レンガで一般に構成されるべきである。原料は加熱の効果に様々に反応し、これが溶融ガラス浴の入手につながる。ガラス浴内の温度は、典型的には１３００から１７００℃、特に１５５０から１６５０℃の範囲をとる。次に、溶融ガラスを形成機器に送る。形成機器は、例えば、薄い溶融浴への注ぎ入れ（「フロートガラス」の作製法として公知の方法）により、または積層ローラー（ｌａｍｉｎａｔｉｎｇ ｒｏｌｌｅｒｓ）を用いることにより形成する。得られたガラスのシートは、一般には、冷却段階の間に生じ得るあらゆる機械的拘束が除去されるように再焼成する。
【００２５】
本発明のエレクトロクロミック装置は、好ましくは、第１基板から出発する順序で、または逆の順序で、以下からなる。
− 透明導電層、
− エレクトロクロミック物質と同じ電荷を有するイオンが逆に挿入され得るような、対電極、
− イオン性電解質導体の層、
− 適切な電気エネルギーを受けるときに、挿入および除去状態に対応する酸化の状態が特有の着色を獲得する、イオンを逆におよび同時に挿入することができるエレクトロクロミック材料の層であり、これらのうちのあるものは他の第２透明導電層よりも大きい光透過を提示する層、
− 第２透明導電層。
【００２６】
代わりに、２つの透明導電層の間の層の順序を、最初にエレクトロクロミック物質、次いで電解質、最後に対電極となるよう、逆転させることができる。
【００２７】
エレクトロクロミック物質は、好ましくは、（陰極エレクトロクロミック物質としての）タングステン酸化物基板、またはイリジウム酸化物のうちの１つ（陽極エレクトロクロミック物質）を有するべきである。これらの物質はカチオン、特にリチウムプロトンまたはイオンを挿入することができる。
【００２８】
対電極は、好ましくは、中性着色層またはエレクトロクロミック層が着色状態にあるとき少なくとも透明であるか、または僅かに着色するだけである着色層からなるべきである。対電極は、好ましくは、タングステン、ニッケル、イリジウム、クロム、鉄、コバルトもしくはロジウムのような元素の酸化物に基づくか、またはこれらの元素のうちの少なくとも２つの混合酸化物、特には、ニッケルおよびタングステン酸化物混合物に基づくものであるべきである。エレクトロクロミック物質がタングステン酸化物、着色状態が最も還元された状態を表す陰極エレクトロクロミック物質からなる場合、例えば、ニッケル酸化物またはイリジウム酸化物系陽極エレクトロクロミック物質を対電極として用いることができる。これには、特に混合バナジウムおよびタングステン酸化物またはニッケルおよびタングステン酸化物混合物の層が含まれ得る。エレクトロクロミック物質がイリジウム酸化物である場合、陰極エレクトロクロミック物質、例えば、タングステン酸化物に基づくものが対電極の一部の役割を果たし得る。光学的に不偏の物質、例えば、セリウム酸化物または電子導電性ポリマー（ポリアニリン）もしくはプルシアンブルーのような有機物質なども、酸化状態において用いることができる。
【００２９】
第１の実施方法を用いると、電解質はポリマーまたはゲル、特にプロトン導電性ポリマー（ｐｒｏｔｏｎｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｐｏｌｙｍｅｒ）、例えば、欧州特許ＥＰ０２５３７１３およびＥＰ０６７０３４６に記載されるもの、またはリチウムイオンを導電するためのポリマー、例えば、特許ＥＰ０３８２６２３、ＥＰ０５１８７５４もしくはＥＰ０５３２４０８に記載されるものの形態で現れる。そこで、これらは混合エレクトロクロミック系と呼ばれる。
【００３０】
第２の実施方法によると、電解質は電気的に隔離されたイオン導電体を形成する無機層から構成される。そこで、これらのエレクトロクロミック系は「全固体（ａｌｌ−ｓｏｌｉｄ）」であると呼ばれる。欧州特許ＥＰ０８６７７５２およびＥＰ０８３１３６０を参照のこと。
【００３１】
本発明の装置は、２つの導電層が、陰極着色ポリマー、イオン導電体電子絶縁ポリマー（および、特にＨ＋またはＬｉ＋）および、最後に、陽極着色ポリマー（例えば、ポリアニリンまたはポリピロール）からなる積層のいずれかの側部に配置される、「全ポリマー（ａｌｌ−ｐｏｌｙｍｅｒ）」型のものであってもよい。
【００３２】
エレクトロクロミック積層は様々な層、特に、例えば、次の層の被着を容易にするか、または機械的もしくは化学的攻撃に対して特定の層を保護する（腐食、摩耗等に対する耐性）ように設計されている、下層、最上層または中間層からなるものであってもよい。エレクトロクロミック積層は、例えば、シリカ系および／またはアルミナ系保護層で覆うことができる。
【００３３】
本発明における装置は、以下のように製造することができる。インジウムおよびスズ酸化物（ＩＴＯ）の層またはフッ素ドープスズ酸化物の層、例えばイリジウム酸化物（ＩｒＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯ３）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）の、エレクトロクロミック機能層および上部導電性電極から一般になる支持基板上に、この基板が透明であろうとこの他であろうと、下部導電性電極を配置する。
【００３４】
もちろん、下部および上部導電性電極の両者は、これらにそれぞれの電流を供給するため、コネクタに取り付けなければならない。接続は、通常、上部および下部電極とそれぞれ接触させて配置される金属ホイルを用いて獲得される。
【００３５】
エレクトロクロミック装置は、一般には、第２基板（第１基板はエレクトロクロミック積層が被着されるものである。）を有する。これを達成する幾つかの方法が可能である。これら２つの基板を積層することができ、積層されたポリマー（特に、ポリビニルブチラール基部を有するもの、またはエチレンおよび酢酸ビニルのコポリマー−ＥＶＡ−からなるもの、またはポリウレタンで製造されるもの）は、この積層で覆われた第１基板および第２基板の間に接触させて配置される。両基板は、第２および第１基板の間に間隙が存在する限り、通常はこれらの２つの基板の間にガス層を挿入する周囲枠により、複層ガラスとして代わりに取り付けることができる。ガスは、好ましくは、アルゴンであるべきである。両者の場合において、エレクトロクロミック積層はあらゆるタイプの化学的または機械的攻撃に対して保護されるような方法で、２つの基板の間に配置される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明によるエレクトロクロミック装置を模式的に表す。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
図１を参照すると、本発明のエレクトロクロミック装置は、好ましくは「完全固体」で、連続的に以下からなるべきである。
− ３５から６０．１０−７／℃の線熱膨張係数の第１ガラス基板Ｓ１、
− 好ましくはＩＴＯ系で、例えば２５０ｎｍ厚の、特に熱いときに被着された、平方抵抗（ｓｑｕａｒｅ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が１０オームのオーダーである下部導電性電極層２であり、この変形は、スズドープフッ素（ｔｉｎ−ｄｏｐｅｄ ｆｌｕｏｒｉｎｅ）もしくはアンチモン酸化物の層、または、特にＩＴＯについて１５から２０ｎｍ、ＺｎＯ：Ａｌについて６０から８０ｎｍ、銀について３から１５ｎｍ、ＺｎＯ：Ａｌについて６０から８０ｎｍ、ＩＴＯについて１５から２０ｎｍのそれぞれの厚みの、ＩＴＯ／ＺｎＯ：Ａｌ／Ａｇ／ＺｎＯ：Ａｌ／ＩＴＯ型の層の積み重ねからなる多層からなり得る下部導電性電極層２、
− 構造が特に以下に記述されるものである、エレクトロクロミック系３、
− 好ましくはＩＴＯに基づく、例えば１１０ｎｍ厚の、もしくはＳｎＯ２：Ｆの上部導電層４、または、変形としての、他の導電性元素からなる上部導電層４。上部伝道層４は、とりわけ、導電層を、導電度および／または導電性ストリップもしくはワイヤの数でこれを上回る層と関連付けることからなり得る。このような多成分導電層の実装のためには、さらに詳しくは、出願ＷＯ−００／５７２４３を参照されたい。このタイプの導電層の好ましい製造方法は、ＩＴＯ層（１以上の導電層で覆われていてもいなくてもよい。）にポリマーシート７の表面上に横たえられた導電性ワイヤ６の網を適用することに存し、このシート７は、この組立体を第２基板Ｓ２上で組み立て、エレクトロクロミック積層を電流リード（図示せず）のうちの１つに連結することを可能にする中間シートとして役立つ。
− 線熱膨張係数が、これも３５から６０．１０−７／℃であり得る、第２ガラス基板Ｓ２。
【００３８】
エレクトロクロミック積層３は、好ましくは、以下であるべきである。
− 対電極、他の金属と合金化されていてもいなくてもよい、４０から１００ｎｍの厚みを有するイリジウム酸化物（水和物）または４０から４００ｎｍ厚の、水和もしくは非水和の、ニッケル酸化物の陽極エレクトロクロミック物質ＥＣ１の層として役立ち、
− 層は、典型的には１００ｎｍ厚のタングステン酸化物の層と、これに続く、典型的には２５０ｎｍ厚の、水和タンタル酸化物、水和ケイ素酸化物、水和ジルコニウム酸化物、水和アンチモン酸化物またはこれらのあらゆる混合物のいずれかであり得る酸化物層からなる、電解質ＥＬとして機能し、
− 層は、例えば５００ｎｍ厚の、タングステンＷＯ３または混合バナジウムおよびタングステン酸化物に基づく陰極エレクトロクロミック物質ＥＣ２である。
【００３９】
別の好ましいエレクトロクロミック積層は、第１基板からの順序で開始して、以下からなる。
− 例えば３００ｎｍ厚の、タングステン酸化物ＷＯ３に基づく陰極エレクトロクロミック物質の層、
− 典型的には１８０ｎｍ厚のタングステン酸化物の層、次いで典型的には５０ｎｍ厚のケイ素酸化物の層からなる、電解質ＥＬとして役立つ層、
− 例えば２５０ｎｍ厚の、混合ニッケルおよびタングステン酸化物の対電極。この積層を、典型的にはＩＴＯおよび／またはスズドープ酸化物に基づく、２つの透明電極の間に挿入する。このタイプの積層において、挿入または除去可能であるカチオンは、好ましくは、リチウムであるべきである。
【００４０】
これらの層、好ましくは、磁場援用陰極粉砕（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｃａｔｈｏｄｉｃ ｐｕｌｖｅｒｉｚａｔｉｏｎ）によって被着させるべきである。変形として、熱蒸発もしくは電子流によって支援される蒸発により、レーザーアブレーションにより、プラズマもしくはマイクロ波によって支援される可能性のある化学蒸着（ＣＶＤ）により、または大気圧技術により、特に、ゾル−ゲル合成による層の被着により、特に、焼戻し、スプレーコーティングもしくは層誘導（ｌａｍｉｎａｒ ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ）によりこれを得ることができる。
【００４１】
フランス出願ＦＲ−２７８１０８４に記述されるように、周辺における電気漏洩が減少するように、機械的手段、またはパルス化され得るレーザー照射によって生成されるチャンネルにより、活動積層３の全体にわたって、または周囲の一部に、切り込みを入れることができる。
【００４２】
さらにこの装置には、好ましくは、表面２および３（２および３は基板Ｓ１およびＳ２の内面の慣習的なナンバリングである。）に接触する第１周辺継目が組み込まれ、この第１周辺継目は外部の化学的攻撃に対する障壁を創出するのに適合する。
【００４３】
第２周辺継目（図示せず）は、輸送の手段を取り付ける手段、内部および外部の間の防水、審美的機能、ならびに補強を取り込む手段が創出されるように、Ｓ１、Ｓ２の端部ならびに表面１および４（１および４は基板Ｓ１およびＳ２の外面に一致するナンバリングである。）と接触する。
【００４４】
この装置またはエレクトロクロミックガラスパネルには、建築物または自動車、列車もしくは航空機型の乗物の外部に取り付けられる窓（例えば、丸窓）を通過する日光の量の制御に用途がある。この目的は、過剰の日光が存在する場合においてのみではあるが、コックピット／自動車および他の室内の過熱の低減が可能になることである。
【００４５】
窓ガラスを通しての可視性の程度を制御するために、特に窓ガラスを曇らせるために、または望ましいときに窓ガラスを通してあらゆるものが見えることを妨げるために用いることもできる。望ましいときには、あらゆる可視性を妨げるのに用いることができる。これには、建築物、列車、航空機内の内部仕切りとして据えられ、または自動車側窓として取り付けられるガラスが含まれ得る。また、運転手が見えない状態になるのを防止するのにバックミラーとして用いられる鏡、または、注意を最もよく引きつけるため、必要なときに、もしくは断続的に、メッセージが現れるようにメッセージを表示するパネルも含まれ得る。
【００４６】
従って、本発明の主題は、本発明に基づく装置を含む、建築物もしくは運搬用車両のグレージング、仕切り、バックミラーまたはメッセージパネルでもある。
【００４７】
以下の例は本発明を説明するが、これは本発明を限定しない。
【００４８】
以下の表１および２は、本発明に基づくエレクトロクロミック装置に組み込まれる基板に用いることができる、ガラスの組成の幾つかの例を示す。
【００４９】
これらの表の各々は、（％で表される）酸化物質量含有率、および「ＣＴＥ」と記載され、１０−７／℃で表される熱膨張係数を示す。線熱膨張係数は、典型的には、標準ＮＦ−Ｂ３０−１０３に基づいて測定する。
【００５０】
【表１】
【００５１】
【表２】
【００５２】
これらの組成を提示するガラス基板を、フローティングによって得た後、エレクトロクロミック積層が被着される第１基板として、図１におけるエレクトロクロミック装置に組み込む。
【００５３】
得られたガラスは、強化または硬化ソーダ石灰シリカで製造されたエレクトロクロミックガラスと同様に、またはこれよりも熱機械的に良好に挙動する。他方、制限が存在しないことは、このガラスを切断してはめ込むことができることを意味する。従って、大きい基板上にエレクトロクロミック積層の層を置き、次にこれを切断してコーティングされた基板を所望のサイズに適合させることができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線熱膨張係数が、３５から６０．１０−７／℃である非強化ガラスの第１基板（Ｓ１）からなるエレクトロクロミック装置であって、該基板（Ｓ１）が、少なくとも１つの透明導電層（２、４）、エレクトロクロミック物質の層（ＥＣ２）、イオン性電解質導体の層（ＥＬ）および対電極（ＥＣ１）からなる積層でコーティングされる装置。
【請求項２】
ガラス基板（Ｓ１）が、５０．１０−７／℃以下、または４５．１０−７／℃以下の線熱膨張係数を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ガラス基板（Ｓ１）が、以下からなる化学組成を備え、以下に定義される質量限界内である、請求項１から２のいずれかに記載の装置：
ＳｉＯ２ ５０から８２％
Ｂ２Ｏ３ ０から２０％
Ａｌ２Ｏ３ ０から２２％
ＭｇＯ ０から１０％
ＣａＯ ０から１５％
ＳｒＯ ０から５％
ＢａＯ ０から１５％
ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ ０から１５％
Ｎａ２Ｏ ０から６％
Ｋ２Ｏ ０から８％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ ０から８％。
【請求項４】
ガラス基板（Ｓ１）が、以下の成分を含む化学組成を有する、以下に定義される質量限界を伴う、請求項１から３のいずれかに記載の装置：
ＳｉＯ２ ５０から６０％
Ｂ２Ｏ３ １０から１５％
Ａｌ２Ｏ３ １０から１５％
ＭｇＯ ２から５％
ＣａＯ ２から５％
ＳｒＯ ０から１％
ＢａＯ ０から１％
ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ ５から１５％
Ｎａ２Ｏ ０から５％
Ｋ２Ｏ ０から５％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ １から６％。
【請求項５】
ガラス基板が、第１基板（Ｓ１）から出発する順序で、または逆の順序で、以下からなる、請求項１から４のいずれかに記載の装置：
透明導電層（２）、
対電極（ＥＣ１）、
イオン性導電性電解質層（ＥＬ）、
エレクトロクロミック物質の層（ＥＣ２）、
第２透明導電層（４）。
【請求項６】
エレクトロクロミック物質（ＥＣ２）が、タングステンまたはイリジウム酸化物に基づく、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
対電極（ＥＬ）が、以下の酸化物：タングステン、ニッケル、イリジウム、クロム、鉄、コバルトもしくはロジウムのいずれかに基づくか、またはこれらの酸化物のうちの少なくとも２つの混合酸化物、特に、混合ニッケルおよびタングステン酸化物に基づく、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
電解質（ＥＬ）が、電気的に絶縁されるイオン導電体を形成する無機層からなる、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
第２基板（Ｓ２）を含み、これら２つの基板（Ｓ１、Ｓ２）が積層するか、または複層ガラスとして組み立てられる、請求項１から８の一項に記載の装置。
【請求項１０】
請求項１から９の一項に基づく装置を組み込む、建築物もしくは乗物仕切り用のグレージング、バックミラーまたはインジケーターボード。
【請求項１】
線熱膨張係数が、３５から６０．１０−７／℃である非強化ガラスの第１基板（Ｓ１）からなるエレクトロクロミック装置であって、該基板（Ｓ１）が、少なくとも１つの透明導電層（２、４）、エレクトロクロミック物質の層（ＥＣ２）、イオン性電解質導体の層（ＥＬ）および対電極（ＥＣ１）からなる積層でコーティングされる装置。
【請求項２】
ガラス基板（Ｓ１）が、５０．１０−７／℃以下、または４５．１０−７／℃以下の線熱膨張係数を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ガラス基板（Ｓ１）が、以下からなる化学組成を備え、以下に定義される質量限界内である、請求項１から２のいずれかに記載の装置：
ＳｉＯ２ ５０から８２％
Ｂ２Ｏ３ ０から２０％
Ａｌ２Ｏ３ ０から２２％
ＭｇＯ ０から１０％
ＣａＯ ０から１５％
ＳｒＯ ０から５％
ＢａＯ ０から１５％
ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ ０から１５％
Ｎａ２Ｏ ０から６％
Ｋ２Ｏ ０から８％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ ０から８％。
【請求項４】
ガラス基板（Ｓ１）が、以下の成分を含む化学組成を有する、以下に定義される質量限界を伴う、請求項１から３のいずれかに記載の装置：
ＳｉＯ２ ５０から６０％
Ｂ２Ｏ３ １０から１５％
Ａｌ２Ｏ３ １０から１５％
ＭｇＯ ２から５％
ＣａＯ ２から５％
ＳｒＯ ０から１％
ＢａＯ ０から１％
ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ ５から１５％
Ｎａ２Ｏ ０から５％
Ｋ２Ｏ ０から５％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ １から６％。
【請求項５】
ガラス基板が、第１基板（Ｓ１）から出発する順序で、または逆の順序で、以下からなる、請求項１から４のいずれかに記載の装置：
透明導電層（２）、
対電極（ＥＣ１）、
イオン性導電性電解質層（ＥＬ）、
エレクトロクロミック物質の層（ＥＣ２）、
第２透明導電層（４）。
【請求項６】
エレクトロクロミック物質（ＥＣ２）が、タングステンまたはイリジウム酸化物に基づく、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
対電極（ＥＬ）が、以下の酸化物：タングステン、ニッケル、イリジウム、クロム、鉄、コバルトもしくはロジウムのいずれかに基づくか、またはこれらの酸化物のうちの少なくとも２つの混合酸化物、特に、混合ニッケルおよびタングステン酸化物に基づく、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
電解質（ＥＬ）が、電気的に絶縁されるイオン導電体を形成する無機層からなる、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
第２基板（Ｓ２）を含み、これら２つの基板（Ｓ１、Ｓ２）が積層するか、または複層ガラスとして組み立てられる、請求項１から８の一項に記載の装置。
【請求項１０】
請求項１から９の一項に基づく装置を組み込む、建築物もしくは乗物仕切り用のグレージング、バックミラーまたはインジケーターボード。
【図１】
【公表番号】特表２０１２−５３３７７６（Ｐ２０１２−５３３７７６Ａ）
【公表日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５２１０８７（Ｐ２０１２−５２１０８７）
【出願日】平成２２年７月２１日（２０１０．７．２１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＦＲ２０１０／０５１５４３
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０１００６７
【国際公開日】平成２３年１月２７日（２０１１．１．２７）
【出願人】（５０４４１６０８０）セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド (9)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月２１日（２０１０．７．２１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＦＲ２０１０／０５１５４３
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０１００６７
【国際公開日】平成２３年１月２７日（２０１１．１．２７）
【出願人】（５０４４１６０８０）セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド (9)
【Ｆターム（参考）】
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