エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
【課題】補助電極によって形成される段差を低減し、緩衝層中の気泡や、段差部近傍の保護膜の欠損等を防止することのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供する。
【解決手段】本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、複数の第１電極１４と、前記複数の第１電極１４を区画する隔壁層１６と、前記隔壁層１６によって区画された領域に設けられた機能層１７と、前記機能層１７及び前記隔壁層１６を覆って設けられた第２電極１８と、前記第２電極１８上に設けられた保護膜１９と、前記隔壁層１８の上面に設けられた溝部Ｈ２と、前記溝部Ｈ２によって形成された凹部内に選択的に設けられた補助電極５０とを備えることを特徴とする。
【解決手段】本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、複数の第１電極１４と、前記複数の第１電極１４を区画する隔壁層１６と、前記隔壁層１６によって区画された領域に設けられた機能層１７と、前記機能層１７及び前記隔壁層１６を覆って設けられた第２電極１８と、前記第２電極１８上に設けられた保護膜１９と、前記隔壁層１８の上面に設けられた溝部Ｈ２と、前記溝部Ｈ２によって形成された凹部内に選択的に設けられた補助電極５０とを備えることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス素子を画素として用いたエレクトロルミネッセンス装置の開発が進んでいる。エレクトロルミネッセンス素子は、発光層を含む少なくとも１層以上の層からなる機能層を上下一対の電極で挟んだ構造を有する。アクティブマトリクス型のエレクトロルミネッセンス装置では、マトリクス状に配置された複数の第１電極（画素電極）を区画して格子状の隔壁層が形成され、隔壁層で区画された領域に機能層が配置される。そして、機能層及び隔壁層を覆って第２電極（対向電極）が形成される。ここで、第２電極は基板全体を覆って形成され、前記複数の第１電極に共通の共通電極として機能する。以下、「エレクトロルミネッセンス」を「ＥＬ」と略記する。
【０００３】
ＥＬ素子は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。トップエミッション構造のＥＬ装置では、一般に第２電極は光が射出される側に配置されている。そして、第２電極は透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）膜やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）膜等によって形成されている。しかし、このような透光性導電膜は、Ａｌ等の金属膜に比べて抵抗が大きいため、第２電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する惧れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造のＥＬ装置では、隔壁層上に抵抗の小さい補助電極を形成し、第２電極の電圧降下を防止することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１２は、従来のＥＬ装置の概略構成図である。同図において、補助電極５０は隔壁層１６の上面に設けられている。隔壁層１６の開口部Ｈには機能層１７が設けられており、機能層１７を覆って第２電極１８が設けられている。補助電極５０は、第２電極１８上に積層されている。ここで、隔壁層１６の厚みは１μｍ程度であり、補助電極５０の厚みは０．５μｍ〜１μｍ程度である。補助電極５０は、隔壁層１６の上面から突出するように設けられており、補助電極５０を含めた隔壁部分の段差は２μｍ程度となっている。
【０００５】
ところで、ＥＬ装置においては、酸素や水分に対する耐久性向上が課題となっている。そのため、ＥＬ素子の表面をガスバリア性に優れた保護膜１９（ガスバリア層）で覆う薄膜封止と呼ばれる技術が用いられている。薄膜封止は、ガスバリア性に優れた珪素窒化物、珪素酸化物、セラミックス等の保護膜１９を高密度プラズマ成膜法により基板全体に成膜するものであり、この保護膜１９が第２電極１８の表面及び隔壁層１６の側面を覆って外部からの酸素や水分の浸入を防止する。
【０００６】
しかしながら、保護膜１９は、水分遮断性を発現させるために高密度で非常に硬い無機膜が用いられるため、当該薄膜の表面に凹凸部や急峻な段差があると、外部応力が集中し、クラックや剥離等を生じる場合がある。このようなクラックや剥離を防止するために、保護膜の下地に平坦化膜としての緩衝層を設ける構造が提案されているが、緩衝層はスクリーン印刷等で形成されるため、基板１０Ａの表面に大きな段差があると、段差部分で気泡が発生し、表示品質を低下させる場合がある。例えば、スキージを矢印方向に走査すると、符号Ｋ１で示す部分に段差部の影が生じ、この部分で気泡が発生し易くなる。また、スキージを走査する際に、基板１０Ａ上に大きな段差があると、スキージの押圧力にむらが生じ、平坦な緩衝層が形成できない場合がある。さらに、段差の頂上部でスキージの押圧力が大きくなるため、段差部近傍Ｋ２の機能層１７に剥離が生じる場合もある。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、補助電極によって形成される段差を低減し、緩衝層中の気泡や、段差部近傍の保護膜の欠損等を防止することのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。また、このようなエレクトロルミネッセンス装置を備えることにより、信頼性が高く、発光特性に優れた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、複数の第１電極と、前記複数の第１電極を区画する隔壁層と、前記隔壁層によって区画された領域に設けられた機能層と、前記機能層及び前記隔壁層を覆って設けられた第２電極と、前記第２電極上に設けられた保護膜と、前記隔壁層の上面に設けられた溝部と、前記溝部によって形成された凹部内に選択的に設けられた補助電極とを備えることを特徴とする。この構成によれば、補助電極が溝部内に埋め込まれるため、隔壁層上の段差が低減され、保護膜のクラックや剥離等の生じにくいエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【０００９】
本発明においては、前記保護膜上に緩衝層が設けられ、前記緩衝層上に第２の保護膜が設けられていることが望ましい。この構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子の表面を保護膜と第２の保護膜によって２重に保護できるため、酸素や水分に対して耐久性が高く、信頼性に優れたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。また、緩衝層によって第２の保護膜の下地の平坦化が実現できるため、基板表面の段差に起因するクラックや剥離を抑制でき、さらに第２の保護膜との密着性も向上することができる。緩衝層は一般的にスクリーン印刷等により形成され、基板に大きな凹凸があると、段差部分に気泡が発生する場合があるが、本発明では、隔壁層上の段差が低減されているので、このような気泡の問題は生じにくく、表示品質に優れたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【００１０】
本発明においては、前記溝部の深さは前記補助電極の厚みと略等しいことが望ましい。この構成によれば、補助電極に起因する段差を略平坦化することができる。前述のように、隔壁層の表面に大きな段差があると、保護膜にクラックが発生したり、緩衝層に気泡が発生する等の問題を生じるため、溝部の深さは浅すぎても深すぎても段差の解消という点では不適切である。したがって、補助電極に起因する段差は完全に無くすことが望ましく、そのためには補助電極の厚みと溝部の深さは完全に一致していることが望ましい。本発明においては、このような段差が略完全に解消されるため、気泡の発生防止や、平坦で欠損のない保護膜の形成を可能としたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【００１１】
本発明においては、前記溝部は、前記溝部の底部から上部にかけて開口面積が大きくなるようなテーパ状の斜面を有していることが望ましい。この構成によれば、溝部の表面に形成される第２電極や補助電極に断線等が発生しにくくなり、信頼性の高いエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【００１２】
本発明においては、前記第２電極は透光性の導電材料により形成され、前記機能層から射出された光は前記第２電極を透過して外部に取り出されることが望ましい。この構成によれば、表示品質が高く、信頼性に優れたトップエミッション型のエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。トップエミッション型のエレクトロルミネッセンス装置では、第２電極側から光が取り出されるため、第２電極の光透過率を高めるために第２電極を薄くしなければならないが、第２電極の抵抗は補助電極によって低減されているので、第２電極を薄くしても抵抗が大きくなることがないからである。
【００１３】
本発明においては、前記補助電極は、遮光性又は光反射性の導電材料により形成され、前記複数の第１電極を区画するように格子状に設けられていることが望ましい。この構成によれば、補助電極をブラックマトリクスとして用いることができる。特に、補助電極は隔壁層の一部を構成し、第１電極の周囲に壁状に形成されているため、隣接ドット領域間の混色が防止され、高い表示品質が実現できる。また、補助電極を格子状に設けているため、第２電極の抵抗を最大限小さくすることができ、表示品質に優れたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【００１４】
本発明の電子機器は、前述した本発明のエレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする。この構成によれば、信頼性が高く、発光特性に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００１６】
［有機ＥＬ装置の構成］
図１は、本発明のＥＬ装置の一実施形態である有機ＥＬ装置１の概略構成図である。有機ＥＬ装置１は、互いに対向する第１基板１０及び第２基板２０を備えている。第１基板１０と第２基板２０とは接着層４３によって接着されている。第１基板１０と第２基板２０との間には図示略のギャップ材が設けられており、該ギャップ材によって第１基板１０と第２基板２０との間隔が一定の間隔に保持されている。
【００１７】
第１基板１０は、ガラス、石英、プラスチック等からなる基板本体１０Ａを基体としてなる。基板本体１０Ａの第２基板２０側には、回路素子部１５、画素電極（第１電極）１４、隔壁層１６、機能層１７、対向電極（第２電極）１８、補助電極５０、第１保護膜１９、緩衝層４０及び第２保護膜４１が設けられている。回路素子部１５は、画素電極１４を駆動する回路素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor; TFT）を含む１又は２以上の層からなり、走査線１１、信号線１２、共通給電線１３、スイッチング用ＴＦＴ３１、駆動用ＴＦＴ３２、保持容量ｃａｐ等を含んで構成されている。本実施形態の場合、画素電極１４は陽極であり、対向電極１８は陰極であるが、画素電極１４を陰極、対向電極１８を陽極としても良い。
【００１８】
基板本体１０Ａ上には、発光領域としての複数のドット領域Ａがマトリクス状に配列されている。それぞれのドット領域Ａには、画素電極１４が配置されており、画素電極１４の近傍には、走査線１１、信号線１２及び共通給電線１３が配置されている。画素電極１４は平面視矩形状に設けられており、画素電極１４の短辺側の一辺に沿って走査線１１が延在し、それと直交する２辺に沿って信号線１２及び共通給電線１３がそれぞれ延在している。なお、画素電極１４の平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用可能である。
【００１９】
ドット領域Ａには、走査線１１を介して走査信号がゲート電極３１ｇに供給されるスイッチング用ＴＦＴ３１と、スイッチング用ＴＦＴ３１を介して信号線１２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極３２ｇに供給される駆動用ＴＦＴ３２と、駆動用ＴＦＴ３２を介して共通給電線１３に電気的に接続したときに共通給電線１３から駆動電流が流れ込む画素電極１４と、画素電極１４と対向電極１８との間に挟み込まれる機能層１７と、が設けられている。
【００２０】
機能層１７は、画素電極１４及び隔壁層１６を覆って設けられている。機能層１７は、発光層を含む少なくとも１層以上の層からなる。発光層としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子発光材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、機能層１７には、発光層の他に、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の層が含まれる。
【００２１】
隔壁層１６は、無機或いは有機の絶縁材料からなり、画素電極１４（ドット領域Ａ）を区画するように平面視格子状に設けられている。隔壁層１６は画素電極１４上に開口部Ｈ１を備えており、隔壁層１６の開口部Ｈ１の底面に画素電極１４の一部が露出している。機能層１７は、画素電極１４上に配置された部分が発光に寄与し、隔壁層１６上に配置された部分は発光に寄与しない。このため、機能層１７から光が射出される領域（発光領域）は、隔壁層１６の開口部Ｈ１によって規定される。
【００２２】
隔壁層１６の上面には、補助電極５０用の溝部Ｈ２が設けられている。溝部Ｈ２は、ドット領域Ａの間隙に沿って平面視ストライプ状に設けられている。溝部Ｈ２の延在方向は、例えばドット領域Ａの短辺に平行な方向である。溝部Ｈ２の深さは、補助電極５０の厚みと略同じである。溝部Ｈ２は、表面に形成される対向電極１８及び補助電極５０に断線等が生じないように、溝部Ｈ２の底部から上部にかけて開口面積が大きくなるようなテーパ状の斜面を有している。
【００２３】
隔壁層１６の表面には、開口部Ｈ１及び溝部Ｈ２の内壁面を覆って機能層１７が設けられている。また、機能層１７上には、開口部Ｈ１及び溝部Ｈ２によって形成された凹部の表面を覆って対向電極１８が設けられている。対向電極１８は、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）等を含む材料によって形成されている。好ましくは、ＭｇＡｇからなる薄膜の透光性電極が好適に採用されるが、この他にも、ＭｇＡｇＡｌ電極、ＬｉＡｌ電極、ＬｉＦＡｌ電極等を用いることもできる。また、これらの金属薄膜とＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料を積層した膜を対向電極１８とすることもできる。対向電極１８は、マトリクス状に配置されたドット領域Ａを覆って第１基板１０の略全面に設けられており、各画素電極１４に共通の共通電極として機能する。
【００２４】
対向電極１８の表面には、ドット領域Ａの間隙に沿って平面視ストライプ状の補助電極５０が設けられている。補助電極５０は、溝部Ｈ２によって形成された凹部内に選択的に設けられている。補助電極５０は、前記凹部内に埋め込まれるように配置されており、当該凹部によって形成された隔壁層上面部の凹凸を平坦化している。補助電極５０は、導電性に優れたＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属材料によって形成される。
【００２５】
対向電極１８の表面には、対向電極１８及び補助電極５０を覆って第１保護膜１９が設けられている。第１保護膜１９は、対向電極１８の表面全体を覆って第１基板１０の略全面に設けられており、大気中に存在する酸素や水分から対向電極１８（有機ＥＬ素子）を遮断する機能を有している。第１保護膜１９は、透明性、密着性、耐水性等の面から、珪素酸窒化物等の無機化合物によって形成されていることが望ましい。
【００２６】
第１保護膜１９の表面には、緩衝層４１と第２保護膜４２とからなる封止層４０が設けられている。緩衝層４１は、第２保護膜４２の下地を平坦化すると共に、第１基板１０の反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、第１保護膜１９が対向電極１８から剥離するのを防止する機能を有する。緩衝層４１としては、アクリル等の透光性の樹脂膜が用いられる。第２保護膜４２は、主にガスバリア層として機能し、第１保護膜１９と共に大気中に存在する酸素や水分から対向電極１８（有機ＥＬ素子）を遮断する機能を有する。第２保護膜４２は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、窒素を含む珪素化合物、例えば珪素窒化物等によって形成されていることが望ましい。
【００２７】
第１基板１０上には、第２基板２０が設けられている。第２基板２０は、ガラス、石英、プラスチック等からなる基板本体２０Ａを基体としてなる。基板本体２０Ａの第１基板１０側には、カラーフィルタ２１が設けられている。カラーフィルタ２１は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色を所定のパターン、例えば、ストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列で配列することにより形成されている。カラーフィルタ２１の１つの色要素は、画像を形成するための最小単位であるドット領域Ａの１つに対応して設けられている。そして、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する３つの色要素が１つのユニットとなって１つの画素が形成されている。
【００２８】
第１基板１０及び第２基板２０の間には、接着層４３が設けられている。接着層４３としては、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。第２基板２０は、接着層４３を介して第１基板１０に接着されている。第１基板１０の有機ＥＬ素子が形成された面は、接着層４３及び第２基板２０によって封止されており、水や酸素の侵入を防いで有機ＥＬ素子の酸化を防止するようになっている。
【００２９】
上記構成の有機ＥＬ装置１では、走査線１１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ３１がオンになると、そのときの信号線１２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、この保持容量ｃａｐの状態に応じて駆動用ＴＦＴ３２の導通状態が決まる。また、駆動用ＴＦＴ３２のチャネルを介して共通給電線１３から画素電極１４に電流が流れ、さらに機能層１７を通じて対向電極１８に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて機能層１７（発光層）が発光する。機能層１７から対向電極１８側に射出された光は、カラーフィルタ２１及び基板本体２０Ａを透過して外部に射出されると共に、機能層１７から基板本体１０Ａ側に発した光が、画素電極１４又は画素電極１４の下側に設けられた図示略の反射膜によって反射され、その光がカラーフィルタ２１及び基板本体２０Ａを透過して外部に射出される（トップエミッション型）。
【００３０】
［有機ＥＬ装置の製造方法］
次に、図２〜図９を用いて有機ＥＬ装置１の製造方法を説明する。なお、図２〜図９では、説明に必要な層のみを図示し、回路素子部１５等の付帯的な層の図示は省略する。
【００３１】
まず、図２に示すように、画素電極１４が形成された基体１０Ａ上に隔壁層１６を形成する。隔壁層１６は、基体１０Ａ上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて、画素電極１４上に開口部Ｈ１を形成し、画素電極１４（ドット領域Ａ）の間隙に沿って溝部Ｈ２を形成することにより得られる。溝部Ｈ２の深さは、補助電極の厚みに応じて適切な深さに形成する。開口部Ｈ１及び溝部Ｈ２は、共通の工程により同時に形成することが望ましい。
【００３２】
次に、図３に示すように、画素電極１４及び隔壁層１６の全面に機能層１７を形成する。機能層１７は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層及び電子輸送層を順次成膜することにより形成することができる。各層の蒸着材料及び蒸着方法としては公知の蒸着材料及び蒸着方法を用いることができる。
【００３３】
次に、図４に示すように、機能層１７の全面に対向電極１８を形成する。この対向電極１８の形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なＩＴＯ膜を対向電極１８として成膜する。またはＡｌの薄膜、ＭｇＡｇの薄膜を蒸着法で形成し、或いはこの薄膜にＩＴＯ膜を積層することにより、対向電極１８とすることもできる。対向電極１８は、開口部Ｈ１及び溝部Ｈ２によって形成される凹部の表面を覆って形成される。
【００３４】
次に、図５に示すように、溝部Ｈ２によって形成された凹部内に補助電極５０を形成する。補助電極５０はマスク蒸着法を用いて前記凹部内ニ選択的に形成されるが、インクジェット法を用いて溝部Ｈ２内に補助電極材料を吐出し、これを乾燥処理及び焼成処理することにより補助電極５０を形成することもできる。補助電極５０の厚みは、溝部Ｈ２の深さに対応した厚みとされる。これにより、隔壁層１６の上面は略平坦化され、基体表面の凹凸は最小限に抑えられる。
【００３５】
次に、図６に示すように、対向電極１８及び補助電極５０の全面に第１保護膜１９を形成する。第１保護膜１９は隔壁層１６によって形成された凹凸を覆って形成されるが、隔壁層１６の上面は平坦化されているため、クラックや剥離が生じにくいものとなる。
【００３６】
次に、図７に示すように、第１保護膜１９の全面に緩衝層４１を形成する。緩衝層４１は、エポキシ樹脂等の透光性の樹脂膜をスクリーン印刷法により塗布し、これを加熱処理することにより形成することができる。スキージは、例えば矢印の方向に沿って走査されるが、基体１０Ａの表面には補助電極５０に起因した急峻な段差は形成されていないため、段差部分の影によって気泡が発生する等の問題は生じない。また、スキージは基体１０Ａの表面を加圧しつつ走査されるが、隔壁層１６の上面には大きな段差が形成されていないため、隔壁層１６の上面近傍で機能層１７の剥離が生じる等の問題も生じない。
【００３７】
次に、図８に示すように、緩衝層４１の全面に第２保護膜４２を形成する。第２保護膜４２は、緩衝層４１によって平坦化された面に形成されるため、クラックや剥離等の問題が生じにくいものとなる。
【００３８】
以上により第１基板１０が完成したら、図９に示すように、接着層を介して第１基板１０上に第２基板２０を接着する。接着層及び第２基板２０は、第１保護膜１９、緩衝層４１及び第２保護膜４２と共に有機ＥＬ素子を封止する封止手段として機能する。以上により、有機ＥＬ装置１が完成する。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１によれば、補助電極５０が溝部Ｈ２内に埋め込まれるように形成されるため、第１保護膜１９のクラックや剥離等の生じにくく、信頼性の高い有機ＥＬ装置が提供できる。また、緩衝層４１を介して第２保護膜４２を形成する際に、緩衝層４１に気泡が混入しにくくなり、表示品質に優れたトップエミッション型の有機ＥＬ装置が提供できる。
【００４０】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、溝Ｈ２をドット領域Ａの短辺に沿って平面視ストライプ状に設けたが、溝Ｈ２は、図１０のようにドット領域Ａの長辺及び短辺に沿って平面視格子状に設けることもできる。この構成によれば、例えば、補助電極５０を遮光性又は光反射性の導電材料によって形成することにより、補助電極５０をブラックマトリクスとして用いることができる。特に、補助電極５０は隔壁層１６の一部を構成し、画素電極１４の周囲に壁状に形成されているため、隣接ドット領域間の混色が防止され、高い表示品質が実現できる。また、補助電極５０を格子状に設けているため、対向電極１８の抵抗を最大限小さくすることができ、表示品質に優れた有機ＥＬ装置が提供できる。
【００４１】
［電子機器］
次に、図１１を用いて、本発明のＥＬ装置を備えた電子機器の実施形態について説明する。図１１は、本発明のＥＬ装置の一例である図１の有機ＥＬ装置を映像モニタの表示部に適用した例についての概略構成図である。同図に示す映像モニタ１２００は、先の実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部１２０１と、筐体１２０２と、スピーカ１２０３等を備えている。上記実施形態の有機ＥＬ装置は、上記映像モニタに限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。かかる構成とすることで、信頼性が高く、発光特性に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】ＥＬ装置の一実施形態である有機ＥＬ装置の概略構成図である。
【図２】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図３】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図４】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図５】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図６】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】補助電極の他の構成例を示す模式図である。
【図１１】電子機器の一例である映像モニタの概略構成図である。
【図１２】従来の補助電極の構成を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…有機ＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）、１４…画素電極（第１電極）、１６…隔壁層、１７…機能層、１８…対向電極（第２電極）、１９…第１保護膜、４１…緩衝層、４２…第２保護膜、５０…補助電極、１２００…映像モニタ（電子機器）、Ｈ１…開口部（隔壁層によって区画された領域）、Ｈ２…溝部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス素子を画素として用いたエレクトロルミネッセンス装置の開発が進んでいる。エレクトロルミネッセンス素子は、発光層を含む少なくとも１層以上の層からなる機能層を上下一対の電極で挟んだ構造を有する。アクティブマトリクス型のエレクトロルミネッセンス装置では、マトリクス状に配置された複数の第１電極（画素電極）を区画して格子状の隔壁層が形成され、隔壁層で区画された領域に機能層が配置される。そして、機能層及び隔壁層を覆って第２電極（対向電極）が形成される。ここで、第２電極は基板全体を覆って形成され、前記複数の第１電極に共通の共通電極として機能する。以下、「エレクトロルミネッセンス」を「ＥＬ」と略記する。
【０００３】
ＥＬ素子は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。トップエミッション構造のＥＬ装置では、一般に第２電極は光が射出される側に配置されている。そして、第２電極は透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）膜やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）膜等によって形成されている。しかし、このような透光性導電膜は、Ａｌ等の金属膜に比べて抵抗が大きいため、第２電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する惧れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造のＥＬ装置では、隔壁層上に抵抗の小さい補助電極を形成し、第２電極の電圧降下を防止することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１２は、従来のＥＬ装置の概略構成図である。同図において、補助電極５０は隔壁層１６の上面に設けられている。隔壁層１６の開口部Ｈには機能層１７が設けられており、機能層１７を覆って第２電極１８が設けられている。補助電極５０は、第２電極１８上に積層されている。ここで、隔壁層１６の厚みは１μｍ程度であり、補助電極５０の厚みは０．５μｍ〜１μｍ程度である。補助電極５０は、隔壁層１６の上面から突出するように設けられており、補助電極５０を含めた隔壁部分の段差は２μｍ程度となっている。
【０００５】
ところで、ＥＬ装置においては、酸素や水分に対する耐久性向上が課題となっている。そのため、ＥＬ素子の表面をガスバリア性に優れた保護膜１９（ガスバリア層）で覆う薄膜封止と呼ばれる技術が用いられている。薄膜封止は、ガスバリア性に優れた珪素窒化物、珪素酸化物、セラミックス等の保護膜１９を高密度プラズマ成膜法により基板全体に成膜するものであり、この保護膜１９が第２電極１８の表面及び隔壁層１６の側面を覆って外部からの酸素や水分の浸入を防止する。
【０００６】
しかしながら、保護膜１９は、水分遮断性を発現させるために高密度で非常に硬い無機膜が用いられるため、当該薄膜の表面に凹凸部や急峻な段差があると、外部応力が集中し、クラックや剥離等を生じる場合がある。このようなクラックや剥離を防止するために、保護膜の下地に平坦化膜としての緩衝層を設ける構造が提案されているが、緩衝層はスクリーン印刷等で形成されるため、基板１０Ａの表面に大きな段差があると、段差部分で気泡が発生し、表示品質を低下させる場合がある。例えば、スキージを矢印方向に走査すると、符号Ｋ１で示す部分に段差部の影が生じ、この部分で気泡が発生し易くなる。また、スキージを走査する際に、基板１０Ａ上に大きな段差があると、スキージの押圧力にむらが生じ、平坦な緩衝層が形成できない場合がある。さらに、段差の頂上部でスキージの押圧力が大きくなるため、段差部近傍Ｋ２の機能層１７に剥離が生じる場合もある。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、補助電極によって形成される段差を低減し、緩衝層中の気泡や、段差部近傍の保護膜の欠損等を防止することのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。また、このようなエレクトロルミネッセンス装置を備えることにより、信頼性が高く、発光特性に優れた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、複数の第１電極と、前記複数の第１電極を区画する隔壁層と、前記隔壁層によって区画された領域に設けられた機能層と、前記機能層及び前記隔壁層を覆って設けられた第２電極と、前記第２電極上に設けられた保護膜と、前記隔壁層の上面に設けられた溝部と、前記溝部によって形成された凹部内に選択的に設けられた補助電極とを備えることを特徴とする。この構成によれば、補助電極が溝部内に埋め込まれるため、隔壁層上の段差が低減され、保護膜のクラックや剥離等の生じにくいエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【０００９】
本発明においては、前記保護膜上に緩衝層が設けられ、前記緩衝層上に第２の保護膜が設けられていることが望ましい。この構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子の表面を保護膜と第２の保護膜によって２重に保護できるため、酸素や水分に対して耐久性が高く、信頼性に優れたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。また、緩衝層によって第２の保護膜の下地の平坦化が実現できるため、基板表面の段差に起因するクラックや剥離を抑制でき、さらに第２の保護膜との密着性も向上することができる。緩衝層は一般的にスクリーン印刷等により形成され、基板に大きな凹凸があると、段差部分に気泡が発生する場合があるが、本発明では、隔壁層上の段差が低減されているので、このような気泡の問題は生じにくく、表示品質に優れたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【００１０】
本発明においては、前記溝部の深さは前記補助電極の厚みと略等しいことが望ましい。この構成によれば、補助電極に起因する段差を略平坦化することができる。前述のように、隔壁層の表面に大きな段差があると、保護膜にクラックが発生したり、緩衝層に気泡が発生する等の問題を生じるため、溝部の深さは浅すぎても深すぎても段差の解消という点では不適切である。したがって、補助電極に起因する段差は完全に無くすことが望ましく、そのためには補助電極の厚みと溝部の深さは完全に一致していることが望ましい。本発明においては、このような段差が略完全に解消されるため、気泡の発生防止や、平坦で欠損のない保護膜の形成を可能としたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【００１１】
本発明においては、前記溝部は、前記溝部の底部から上部にかけて開口面積が大きくなるようなテーパ状の斜面を有していることが望ましい。この構成によれば、溝部の表面に形成される第２電極や補助電極に断線等が発生しにくくなり、信頼性の高いエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【００１２】
本発明においては、前記第２電極は透光性の導電材料により形成され、前記機能層から射出された光は前記第２電極を透過して外部に取り出されることが望ましい。この構成によれば、表示品質が高く、信頼性に優れたトップエミッション型のエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。トップエミッション型のエレクトロルミネッセンス装置では、第２電極側から光が取り出されるため、第２電極の光透過率を高めるために第２電極を薄くしなければならないが、第２電極の抵抗は補助電極によって低減されているので、第２電極を薄くしても抵抗が大きくなることがないからである。
【００１３】
本発明においては、前記補助電極は、遮光性又は光反射性の導電材料により形成され、前記複数の第１電極を区画するように格子状に設けられていることが望ましい。この構成によれば、補助電極をブラックマトリクスとして用いることができる。特に、補助電極は隔壁層の一部を構成し、第１電極の周囲に壁状に形成されているため、隣接ドット領域間の混色が防止され、高い表示品質が実現できる。また、補助電極を格子状に設けているため、第２電極の抵抗を最大限小さくすることができ、表示品質に優れたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。
【００１４】
本発明の電子機器は、前述した本発明のエレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする。この構成によれば、信頼性が高く、発光特性に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００１６】
［有機ＥＬ装置の構成］
図１は、本発明のＥＬ装置の一実施形態である有機ＥＬ装置１の概略構成図である。有機ＥＬ装置１は、互いに対向する第１基板１０及び第２基板２０を備えている。第１基板１０と第２基板２０とは接着層４３によって接着されている。第１基板１０と第２基板２０との間には図示略のギャップ材が設けられており、該ギャップ材によって第１基板１０と第２基板２０との間隔が一定の間隔に保持されている。
【００１７】
第１基板１０は、ガラス、石英、プラスチック等からなる基板本体１０Ａを基体としてなる。基板本体１０Ａの第２基板２０側には、回路素子部１５、画素電極（第１電極）１４、隔壁層１６、機能層１７、対向電極（第２電極）１８、補助電極５０、第１保護膜１９、緩衝層４０及び第２保護膜４１が設けられている。回路素子部１５は、画素電極１４を駆動する回路素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor; TFT）を含む１又は２以上の層からなり、走査線１１、信号線１２、共通給電線１３、スイッチング用ＴＦＴ３１、駆動用ＴＦＴ３２、保持容量ｃａｐ等を含んで構成されている。本実施形態の場合、画素電極１４は陽極であり、対向電極１８は陰極であるが、画素電極１４を陰極、対向電極１８を陽極としても良い。
【００１８】
基板本体１０Ａ上には、発光領域としての複数のドット領域Ａがマトリクス状に配列されている。それぞれのドット領域Ａには、画素電極１４が配置されており、画素電極１４の近傍には、走査線１１、信号線１２及び共通給電線１３が配置されている。画素電極１４は平面視矩形状に設けられており、画素電極１４の短辺側の一辺に沿って走査線１１が延在し、それと直交する２辺に沿って信号線１２及び共通給電線１３がそれぞれ延在している。なお、画素電極１４の平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用可能である。
【００１９】
ドット領域Ａには、走査線１１を介して走査信号がゲート電極３１ｇに供給されるスイッチング用ＴＦＴ３１と、スイッチング用ＴＦＴ３１を介して信号線１２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極３２ｇに供給される駆動用ＴＦＴ３２と、駆動用ＴＦＴ３２を介して共通給電線１３に電気的に接続したときに共通給電線１３から駆動電流が流れ込む画素電極１４と、画素電極１４と対向電極１８との間に挟み込まれる機能層１７と、が設けられている。
【００２０】
機能層１７は、画素電極１４及び隔壁層１６を覆って設けられている。機能層１７は、発光層を含む少なくとも１層以上の層からなる。発光層としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子発光材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、機能層１７には、発光層の他に、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の層が含まれる。
【００２１】
隔壁層１６は、無機或いは有機の絶縁材料からなり、画素電極１４（ドット領域Ａ）を区画するように平面視格子状に設けられている。隔壁層１６は画素電極１４上に開口部Ｈ１を備えており、隔壁層１６の開口部Ｈ１の底面に画素電極１４の一部が露出している。機能層１７は、画素電極１４上に配置された部分が発光に寄与し、隔壁層１６上に配置された部分は発光に寄与しない。このため、機能層１７から光が射出される領域（発光領域）は、隔壁層１６の開口部Ｈ１によって規定される。
【００２２】
隔壁層１６の上面には、補助電極５０用の溝部Ｈ２が設けられている。溝部Ｈ２は、ドット領域Ａの間隙に沿って平面視ストライプ状に設けられている。溝部Ｈ２の延在方向は、例えばドット領域Ａの短辺に平行な方向である。溝部Ｈ２の深さは、補助電極５０の厚みと略同じである。溝部Ｈ２は、表面に形成される対向電極１８及び補助電極５０に断線等が生じないように、溝部Ｈ２の底部から上部にかけて開口面積が大きくなるようなテーパ状の斜面を有している。
【００２３】
隔壁層１６の表面には、開口部Ｈ１及び溝部Ｈ２の内壁面を覆って機能層１７が設けられている。また、機能層１７上には、開口部Ｈ１及び溝部Ｈ２によって形成された凹部の表面を覆って対向電極１８が設けられている。対向電極１８は、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）等を含む材料によって形成されている。好ましくは、ＭｇＡｇからなる薄膜の透光性電極が好適に採用されるが、この他にも、ＭｇＡｇＡｌ電極、ＬｉＡｌ電極、ＬｉＦＡｌ電極等を用いることもできる。また、これらの金属薄膜とＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料を積層した膜を対向電極１８とすることもできる。対向電極１８は、マトリクス状に配置されたドット領域Ａを覆って第１基板１０の略全面に設けられており、各画素電極１４に共通の共通電極として機能する。
【００２４】
対向電極１８の表面には、ドット領域Ａの間隙に沿って平面視ストライプ状の補助電極５０が設けられている。補助電極５０は、溝部Ｈ２によって形成された凹部内に選択的に設けられている。補助電極５０は、前記凹部内に埋め込まれるように配置されており、当該凹部によって形成された隔壁層上面部の凹凸を平坦化している。補助電極５０は、導電性に優れたＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属材料によって形成される。
【００２５】
対向電極１８の表面には、対向電極１８及び補助電極５０を覆って第１保護膜１９が設けられている。第１保護膜１９は、対向電極１８の表面全体を覆って第１基板１０の略全面に設けられており、大気中に存在する酸素や水分から対向電極１８（有機ＥＬ素子）を遮断する機能を有している。第１保護膜１９は、透明性、密着性、耐水性等の面から、珪素酸窒化物等の無機化合物によって形成されていることが望ましい。
【００２６】
第１保護膜１９の表面には、緩衝層４１と第２保護膜４２とからなる封止層４０が設けられている。緩衝層４１は、第２保護膜４２の下地を平坦化すると共に、第１基板１０の反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、第１保護膜１９が対向電極１８から剥離するのを防止する機能を有する。緩衝層４１としては、アクリル等の透光性の樹脂膜が用いられる。第２保護膜４２は、主にガスバリア層として機能し、第１保護膜１９と共に大気中に存在する酸素や水分から対向電極１８（有機ＥＬ素子）を遮断する機能を有する。第２保護膜４２は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、窒素を含む珪素化合物、例えば珪素窒化物等によって形成されていることが望ましい。
【００２７】
第１基板１０上には、第２基板２０が設けられている。第２基板２０は、ガラス、石英、プラスチック等からなる基板本体２０Ａを基体としてなる。基板本体２０Ａの第１基板１０側には、カラーフィルタ２１が設けられている。カラーフィルタ２１は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色を所定のパターン、例えば、ストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列で配列することにより形成されている。カラーフィルタ２１の１つの色要素は、画像を形成するための最小単位であるドット領域Ａの１つに対応して設けられている。そして、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する３つの色要素が１つのユニットとなって１つの画素が形成されている。
【００２８】
第１基板１０及び第２基板２０の間には、接着層４３が設けられている。接着層４３としては、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。第２基板２０は、接着層４３を介して第１基板１０に接着されている。第１基板１０の有機ＥＬ素子が形成された面は、接着層４３及び第２基板２０によって封止されており、水や酸素の侵入を防いで有機ＥＬ素子の酸化を防止するようになっている。
【００２９】
上記構成の有機ＥＬ装置１では、走査線１１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ３１がオンになると、そのときの信号線１２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、この保持容量ｃａｐの状態に応じて駆動用ＴＦＴ３２の導通状態が決まる。また、駆動用ＴＦＴ３２のチャネルを介して共通給電線１３から画素電極１４に電流が流れ、さらに機能層１７を通じて対向電極１８に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて機能層１７（発光層）が発光する。機能層１７から対向電極１８側に射出された光は、カラーフィルタ２１及び基板本体２０Ａを透過して外部に射出されると共に、機能層１７から基板本体１０Ａ側に発した光が、画素電極１４又は画素電極１４の下側に設けられた図示略の反射膜によって反射され、その光がカラーフィルタ２１及び基板本体２０Ａを透過して外部に射出される（トップエミッション型）。
【００３０】
［有機ＥＬ装置の製造方法］
次に、図２〜図９を用いて有機ＥＬ装置１の製造方法を説明する。なお、図２〜図９では、説明に必要な層のみを図示し、回路素子部１５等の付帯的な層の図示は省略する。
【００３１】
まず、図２に示すように、画素電極１４が形成された基体１０Ａ上に隔壁層１６を形成する。隔壁層１６は、基体１０Ａ上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて、画素電極１４上に開口部Ｈ１を形成し、画素電極１４（ドット領域Ａ）の間隙に沿って溝部Ｈ２を形成することにより得られる。溝部Ｈ２の深さは、補助電極の厚みに応じて適切な深さに形成する。開口部Ｈ１及び溝部Ｈ２は、共通の工程により同時に形成することが望ましい。
【００３２】
次に、図３に示すように、画素電極１４及び隔壁層１６の全面に機能層１７を形成する。機能層１７は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層及び電子輸送層を順次成膜することにより形成することができる。各層の蒸着材料及び蒸着方法としては公知の蒸着材料及び蒸着方法を用いることができる。
【００３３】
次に、図４に示すように、機能層１７の全面に対向電極１８を形成する。この対向電極１８の形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なＩＴＯ膜を対向電極１８として成膜する。またはＡｌの薄膜、ＭｇＡｇの薄膜を蒸着法で形成し、或いはこの薄膜にＩＴＯ膜を積層することにより、対向電極１８とすることもできる。対向電極１８は、開口部Ｈ１及び溝部Ｈ２によって形成される凹部の表面を覆って形成される。
【００３４】
次に、図５に示すように、溝部Ｈ２によって形成された凹部内に補助電極５０を形成する。補助電極５０はマスク蒸着法を用いて前記凹部内ニ選択的に形成されるが、インクジェット法を用いて溝部Ｈ２内に補助電極材料を吐出し、これを乾燥処理及び焼成処理することにより補助電極５０を形成することもできる。補助電極５０の厚みは、溝部Ｈ２の深さに対応した厚みとされる。これにより、隔壁層１６の上面は略平坦化され、基体表面の凹凸は最小限に抑えられる。
【００３５】
次に、図６に示すように、対向電極１８及び補助電極５０の全面に第１保護膜１９を形成する。第１保護膜１９は隔壁層１６によって形成された凹凸を覆って形成されるが、隔壁層１６の上面は平坦化されているため、クラックや剥離が生じにくいものとなる。
【００３６】
次に、図７に示すように、第１保護膜１９の全面に緩衝層４１を形成する。緩衝層４１は、エポキシ樹脂等の透光性の樹脂膜をスクリーン印刷法により塗布し、これを加熱処理することにより形成することができる。スキージは、例えば矢印の方向に沿って走査されるが、基体１０Ａの表面には補助電極５０に起因した急峻な段差は形成されていないため、段差部分の影によって気泡が発生する等の問題は生じない。また、スキージは基体１０Ａの表面を加圧しつつ走査されるが、隔壁層１６の上面には大きな段差が形成されていないため、隔壁層１６の上面近傍で機能層１７の剥離が生じる等の問題も生じない。
【００３７】
次に、図８に示すように、緩衝層４１の全面に第２保護膜４２を形成する。第２保護膜４２は、緩衝層４１によって平坦化された面に形成されるため、クラックや剥離等の問題が生じにくいものとなる。
【００３８】
以上により第１基板１０が完成したら、図９に示すように、接着層を介して第１基板１０上に第２基板２０を接着する。接着層及び第２基板２０は、第１保護膜１９、緩衝層４１及び第２保護膜４２と共に有機ＥＬ素子を封止する封止手段として機能する。以上により、有機ＥＬ装置１が完成する。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１によれば、補助電極５０が溝部Ｈ２内に埋め込まれるように形成されるため、第１保護膜１９のクラックや剥離等の生じにくく、信頼性の高い有機ＥＬ装置が提供できる。また、緩衝層４１を介して第２保護膜４２を形成する際に、緩衝層４１に気泡が混入しにくくなり、表示品質に優れたトップエミッション型の有機ＥＬ装置が提供できる。
【００４０】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、溝Ｈ２をドット領域Ａの短辺に沿って平面視ストライプ状に設けたが、溝Ｈ２は、図１０のようにドット領域Ａの長辺及び短辺に沿って平面視格子状に設けることもできる。この構成によれば、例えば、補助電極５０を遮光性又は光反射性の導電材料によって形成することにより、補助電極５０をブラックマトリクスとして用いることができる。特に、補助電極５０は隔壁層１６の一部を構成し、画素電極１４の周囲に壁状に形成されているため、隣接ドット領域間の混色が防止され、高い表示品質が実現できる。また、補助電極５０を格子状に設けているため、対向電極１８の抵抗を最大限小さくすることができ、表示品質に優れた有機ＥＬ装置が提供できる。
【００４１】
［電子機器］
次に、図１１を用いて、本発明のＥＬ装置を備えた電子機器の実施形態について説明する。図１１は、本発明のＥＬ装置の一例である図１の有機ＥＬ装置を映像モニタの表示部に適用した例についての概略構成図である。同図に示す映像モニタ１２００は、先の実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部１２０１と、筐体１２０２と、スピーカ１２０３等を備えている。上記実施形態の有機ＥＬ装置は、上記映像モニタに限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。かかる構成とすることで、信頼性が高く、発光特性に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】ＥＬ装置の一実施形態である有機ＥＬ装置の概略構成図である。
【図２】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図３】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図４】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図５】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図６】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】同有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】補助電極の他の構成例を示す模式図である。
【図１１】電子機器の一例である映像モニタの概略構成図である。
【図１２】従来の補助電極の構成を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…有機ＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）、１４…画素電極（第１電極）、１６…隔壁層、１７…機能層、１８…対向電極（第２電極）、１９…第１保護膜、４１…緩衝層、４２…第２保護膜、５０…補助電極、１２００…映像モニタ（電子機器）、Ｈ１…開口部（隔壁層によって区画された領域）、Ｈ２…溝部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１電極と、
前記複数の第１電極を区画する隔壁層と、
前記隔壁層によって区画された領域に設けられた機能層と、
前記機能層及び前記隔壁層を覆って設けられた第２電極と、
前記第２電極上に設けられた保護膜と、
前記隔壁層の上面に設けられた溝部と、
前記溝部によって形成された凹部内に選択的に設けられた補助電極とを備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記保護膜上に緩衝層が設けられ、前記緩衝層上に第２の保護膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記溝部の深さは前記補助電極の厚みと略等しいことを特徴とする請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記溝部は、前記溝部の底部から上部にかけて開口面積が大きくなるようなテーパ状の斜面を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記第２電極は透光性の導電材料により形成され、前記機能層から射出された光は前記第２電極を透過して外部に取り出されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記補助電極は、遮光性又は光反射性の導電材料により形成され、前記複数の第１電極を区画するように格子状に設けられていることを特徴とする請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
複数の第１電極と、
前記複数の第１電極を区画する隔壁層と、
前記隔壁層によって区画された領域に設けられた機能層と、
前記機能層及び前記隔壁層を覆って設けられた第２電極と、
前記第２電極上に設けられた保護膜と、
前記隔壁層の上面に設けられた溝部と、
前記溝部によって形成された凹部内に選択的に設けられた補助電極とを備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記保護膜上に緩衝層が設けられ、前記緩衝層上に第２の保護膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記溝部の深さは前記補助電極の厚みと略等しいことを特徴とする請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記溝部は、前記溝部の底部から上部にかけて開口面積が大きくなるようなテーパ状の斜面を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記第２電極は透光性の導電材料により形成され、前記機能層から射出された光は前記第２電極を透過して外部に取り出されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記補助電極は、遮光性又は光反射性の導電材料により形成され、前記複数の第１電極を区画するように格子状に設けられていることを特徴とする請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００８−１５３０４３（Ｐ２００８−１５３０４３Ａ）
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３３９５０１（Ｐ２００６−３３９５０１）
【出願日】平成１８年１２月１８日（２００６．１２．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月１８日（２００６．１２．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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