カテーテル先端デバイスおよびその製造方法
【課題】カテーテル先端デバイスおよびカテーテル先端デバイスを製造するための方法を提供する。
【解決手段】カテーテル先端デバイス１０は、カプセル１６に取り付けられたトランスデューサモジュール１４を備え、トランスデューサモジュール１４は、キャリア２６を備える。キャリア２６は、ダイ取付凹部３６、および少なくとも１つの溝３８が配置され、かつバリア４２を備えるリード線領域を備える。バリア４２は、ダイ取付凹部３６を部分的に包囲するためにキャリア２６から延びている。カテーテル先端デバイス１０を製造する方法は、キャリア２６をカプセル１６内へ挿入することを含む。
【解決手段】カテーテル先端デバイス１０は、カプセル１６に取り付けられたトランスデューサモジュール１４を備え、トランスデューサモジュール１４は、キャリア２６を備える。キャリア２６は、ダイ取付凹部３６、および少なくとも１つの溝３８が配置され、かつバリア４２を備えるリード線領域を備える。バリア４２は、ダイ取付凹部３６を部分的に包囲するためにキャリア２６から延びている。カテーテル先端デバイス１０を製造する方法は、キャリア２６をカプセル１６内へ挿入することを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示の主題は、一般にカテーテルに関し、より詳細には、カテーテル先端デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
カテーテル先端デバイスは、集積回路ダイを含む、カテーテル先端のカプセル内に装着されたさまざまな構成要素を担持するために医療診断分野で広く使用されている。たとえば、カテーテル先端内に装着されたセンサダイは、身体開口部および／または外科的切開部を通して生体内に挿入できる。少なくともいくつかの公知のカテーテル先端デバイスの構成要素および構造は、製造および／または組立工程の大部分を手動で実行することを一般に必要とする。たとえば、公知の回路ダイは、電気的接続部と手動で結合され、その後キャリアを介してカプセル内に手動で装着される。キャリア／ダイをカプセル内に正確に装着することによって、カテーテル先端デバイスの動作が強化され、カテーテル先端デバイスを身体内へ配置することが容易になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７７３１６６４号明細書
【発明の概要】
【０００４】
しかし、カプセル内へのダイの配置は、困難で不正確なことが多く、カテーテル先端デバイスの組立技術者に依存することがある。カプセル内にダイを配置することによって、カプセルと接触しているダイの電気的接続が生じ、その結果ダイの動作上の問題および／または不具合が生じることが多い。さらに、手動での組立を使用することによって、このような製造に関連する製造コストおよび／または人的エラーが一般に増加する。
【０００５】
一態様では、トランスデューサモジュールが、提供される。トランスデューサモジュールは、キャリアと、製造工程中にキャリアのダイ領域を保護することを容易にするためにキャリアから延びているバリアとを備える。
【０００６】
別の態様では、カテーテル先端デバイスが提供される。カテーテル先端デバイスは、カプセルと、トランスデューサモジュールと、製造工程中にキャリアのダイ領域を保護することを容易にするためにキャリアから延びているバリアを備える。
【０００７】
さらなる態様では、カテーテル先端デバイスを製造する方法が、提供される。方法は、キャリアの領域を保護することを容易にするバリアを備えるキャリアを形成するステップを含み、かつ導電性リード線を受けることを容易にする溝付きのリード線領域を、キャリア上に形成するステップを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】例示的なカテーテル先端デバイスの透視図である。
【図２】図１に示されているカテーテル先端デバイスの平面図である。
【図３】図１に示されているカテーテル先端デバイスとともに使用できるトランスデューサモジュールの平面図である。
【図４】図１に示されているカテーテル先端デバイスの、図３の線４−４に沿った部分断面図である。
【図５】図３に示されているトランスデューサモジュールの側面図である。
【図６】図３に示されているトランスデューサモジュールの部分端面図である。
【図７】図１に示されているカテーテル先端デバイスの製造において使用するための例示的な方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、例示的なカテーテル先端デバイス１０の透視図である。図２は、デバイス１０の平面図である。図３は、デバイス１０とともに使用されるトランスデューサモジュール１４の平面図である。例示的な実施形態では、カテーテル先端デバイス１０は、カテーテル先端（図示せず）内に装着された１つまたは複数の集積回路ダイ１２を担持するために使用される。たとえば、ダイ１２は、トランスデューサ（たとえばセンサおよびアクチュエータ）、データ処理デバイス（たとえばＡＳＩＣマイクロプロセッサ）、および／または遠隔測定デバイス（たとえば、無線またはＲＦ通信用）とともに使用するものであるが、それに限定されない。ダイ１２は、患者の外部境界条件（たとえば、圧力、温度、ｐＨなど）に応答して、電気的な信号出力を供給するように構成され得る。デバイス１０は、身体内の孔を通しておよび／または外科的切開部を通して生体（図示せず）内に挿入可能であり、たとえば、圧力、温度、ｐＨなどのパラメータを身体内で直接測定することを含む、さまざまな用途のために使用できる。例示的な実施形態では、カテーテル先端デバイス１０は、カプセル１６と結合されたトランスデューサモジュール１４を備える。
【００１０】
カプセル１６は、プラスチック材料などであるがそれに限定されない生体適合性の材料から製造されてよいが、それに限定されない。たとえば、カプセル１６は、ＩＳＯ１０９９３に適合する材料から製造される。たとえば、金属、セラミックまたは複合材料を含む、他の医療用材料が、カプセル１６を製造するために使用できることを当業者なら理解されよう。例示的な実施形態では、カプセル１６は、ほぼ円筒形であり、トランスデューサモジュール１４の少なくとも一部分を中に受けるようなサイズおよび方向にされた空洞１８が内部に画定されている。別法として、カプセル１６は、カテーテル先端デバイス１０が本明細書に記載のように機能することを可能にする、他のいかなる形状、サイズおよび／または方向を有してもよい。カプセル１６はまた、トランスデューサモジュール１４の少なくとも一部分を見ることができるようにする窓２０を備える。例示的な実施形態では、カプセル１６は、トランスデューサモジュール１４を受ける対向している溝２４を有するケーシング２２を備える。
【００１１】
例示的な実施形態では、トランスデューサモジュール１４は、キャリア２６と結合された少なくとも１つのトランスデューサダイ１２を備える。トランスデューサダイ１２は、たとえば、マイクロマシニング加工されたセンシング要素またはアクチュエータ要素であってよいが、それに限定されない。キャリア２６は、成型相互接続デバイス（ＭＩＤ）技術を使用して製造され得る。一実施形態では、キャリア２６は、プラスチック材料から製造される。別の実施形態では、キャリア２６は、セラミック材料から製造される。キャリア２６は、キャリア２６が本明細書に記載のように機能することを可能にする、いかなる材料から製造されてもよいことを当業者なら理解できることに、留意されたい。例示的な実施形態では、キャリア２６は、ダイ領域３０と、リード線領域３２と、ダイとリード線領域３０の間およびダイとリード線領域３２の間にそれぞれあるリード線パッド領域３４とによって形成された表面２８を備える。
【００１２】
キャリア２６は、例示的な実施形態では、領域３６内に受け入れられたトランスデューサダイ１２の外周３３よりも大きい外周３１を有する、ダイ取付凹部領域またはウェル３６を備える。このようにして、トランスデューサダイ１２の１つまたは複数の縁部３５と領域３６の外周との間に、開口溝３８が形成される。図４は、ダイ凹部領域３６および溝３８の部分断面図を示している。ダイ取付凹部領域３６は、トランスデューサダイ１２をキャリア２６上に挿入することを可能にする。例示的な実施形態では、ダイ取付領域３６は、トランスデューサダイ１２、およびたとえばＡＳＩＣおよび／またはＲＦトランシーバなどの少なくとも１つの他のデバイスを受けるようなサイズおよび方向にされている。別の実施形態では、キャリア２６は、２つ以上のダイ１２を受けるようなサイズおよび方向にされた、２つ以上のダイ取付凹部領域３６を備え得る。別の実施形態では、ダイ取付凹部領域３６は、ダイ１２の縁部３５と領域３６の外周の間に形成された溝３８を備えない。
【００１３】
例示的な実施形態では、トランスデューサダイ１２が、溝３８から内向きに付けられたシリコーンゲルまたは室温硬化型（ＲＴＶ）シリコーンなどの接着剤４０を使用して、ダイ取付凹部領域３６内に結合される。溝３８は、接着剤４０を領域３６内に保持することを容易にし、このようにして接着剤４０がダイ取付凹部領域３６から外へ浸出することを防ぐ。
【００１４】
ダイ取付凹部領域３６を遮蔽することを容易にするため、およびトランスデューサモジュール１４の位置合わせを容易にするために、キャリア２６はまた、キャリア２６の上部表面４４から上向きに延びるバリア４２を備える。バリア４２は、対向している側壁４６および端壁４８を備える。各側壁は、第１の端部５０、第２の端部５２、および第１の端部５０と第２の端部５２の間に延びる本体５４を、それぞれ備える。側壁４６は、キャリア上部表面４４の外縁３７に、またはその近くに配置され得る。例示的な実施形態では、各第１の端部５０は、キャリアダイ領域３０の近くにあり、各第２の端部５２は、リード線パッド領域３４内にある。別法として、第２の端部５２が、キャリアの端部６０に配置され得る。第２の端部５２の位置にかかわらず、本体５４は、第１の端部５０と第２の端部５２間に延びており、かつ端壁４８は、側壁４６のそれぞれの第１の端部５０から延びている。このような構成では、端壁４８および側壁４６は、製造工程中の取扱いからダイ取付凹部領域３６を保護することを容易にするために、ダイ取付凹部領域３６を部分的に包囲している。さらに、ある実施形態では、側壁４６が、リード線パッド領域３４と部分的に隣接している。
【００１５】
図５は、トランスデューサモジュール１４の側面図である。例示的な実施形態では、側壁の第１の端部５０の高さｈ1は、側壁の第２の端部５２の高さｈ2よりも低く、したがって、本体５４は、第１の端部５０から第２の端部５２に向かって上向きに先細りとなっている。一実施形態では、本体５４が、キャリア上部表面４４に対して、４５°よりも小さい、または４５°とほぼ等しい角度で先細りとなっている。別の実施形態では（図示せず）、第１の端部５０および第２の端部５２が、ほぼ同じ高さで形成されている。別法として、第１の端部５０および／または第２の端部５２が、キャリア表面４４に向かって傾いた角度で本体５４を先細りとなるように形成され得る。別の実施形態では、第１の端部５０および／または第２の端部５２が、キャリア表面４４に対してほぼまっすぐで平行である。
【００１６】
図６は、トランスデューサモジュール１４の端面図である。例示的な実施形態では、キャリア２６のリード線領域３２は、少なくとも１つの溝５６を備える。各溝５６は、少なくとも１つの導電性リード線５８をその中で受けるようなサイズおよび方向にされている。より具体的には、例示的な実施形態では、各溝５６は、キャリア端部６０からリード線パッド領域３４に向かってほぼ軸方向に延びている。例示的な実施形態では、溝５６は、導電性リード線５８をその中で受け入れるような方向およびサイズにされたトラフ構成で形成された対向する斜めの壁３９を備える。溝５６は、導電性リード線５８が本明細書に記載のように機能することを容易にする、正方形形状などの他のいずれかの形状で形成されてよいが、それに限定されない。
【００１７】
リード線領域の溝５６は、リード線領域３２に対しておよび／またはリード線領域３２内で、導電性リード線５８を位置合わせすることを容易にする。溝５６はまた、たとえば、導電性リード線５８を溝５６の中に結合する際に使用するためのハンダ材料または導電性のエポキシ材料などの堆積材料６４をその中に保持することを容易にする。さらに、溝５６は、リード線取付材料６４が隣接する導電性リード線５８と電気的に架橋する可能性を減らすことを容易にする。
【００１８】
ある態様では、１つまたは複数の導電性リード線５８が、従来型のプリント回路基板の代替物として、たとえば、めっきを介して、キャリア２６上に堆積され得る。導電性リード線５８が、トランスデューサダイ１２を、トランスデューサダイ１２から送信された電気信号を受けるように装備されたデバイスと相互接続するために使用され得る。このような導電性リード線５８は、通常金属製である。別法として、他の材料が、導電性リード線５８を製造するために使用され得る。
【００１９】
トランスデューサダイ１２は、１つまたは複数の導電性リード線５８と相互接続され得る。一実施形態では、トランスデューサダイ１２と導電性リード線５８の間の相互接続部６６（図４）が、１つまたは複数のボンドワイヤ（図示せず）によって提供される電気的な相互接続部であってよい。ボンドワイヤは、たとえば、２５μｍから７５μｍの直径を有する精細なワイヤから形成されてよい。ボンドワイヤは、金、アルミニウム、銀、または銅などの材料から製造されてよいが、それに限定されない。他のワイヤ材料が使用されてもよいことを当業者なら理解されよう。別の実施形態では、トランスデューサダイ１２を導電性リード線５８と電気的に相互接続することが、ボンドワイヤではなく、ハンダバンプを備えるフリップチップ技術を使用することによって実行され得る。相互接続部６６は、本明細書に記載のような電気的接続を容易にするいかなる構成で形成されてもよい。
【００２０】
例示的な実施形態では、バリア４２が、相互接続部６６の上方へキャリア２６から上向きに延びている。図面に示すように、側壁４６は、上方へ、相互接続部６６の最も外側に隣接するダイ取付凹部領域３６に沿って延びている。相互接続部６６の近くの側壁４６の高さｈswは、相互接続部６６の高さｈicよりも高い。このようにして、側壁４６は、トランスデューサモジュール１４のカプセル１６への組立中、相互接続部６６を保護することを容易にする。さらに、側壁４６は、キャリア２６をカプセル溝２４内に挿入することを可能にする、キャリア２６の外縁３７上の位置合わせガイドまたはレールとして作用する。さらに、側壁４６は、キャリアをカプセル内へ挿入している間、カプセル１６とほぼ同じ高さにキャリア２６を保持することを容易にする。特に、側壁４６は、キャリア２６が挿入中に上向きに揺れるのを防ぐことを容易にし、このことがさらに、相互接続部６６がカプセル１６の内側部分４１と接触することを防ぐ。また、例示的な実施形態では、バリア４２の側壁４６および端壁４８は、センサダイ１２および相互接続部６６のための保護コーティングまたは封入剤または絶縁材料のいずれもが、デバイス１０の組立中に組立機と接触することを防ぐことを容易にする。さらに、バリア４２は、デバイス１０の輸送中または取扱い中に、保護コーティングまたは封入剤または絶縁材料のいずれを含むことを容易にする。
【００２１】
カテーテル先端デバイス１０の製造中、トランスデューサモジュール１４は、プラスチック溶接、溶剤ボンディングを含むがそれに限定されないさまざまな方法で、および／または接着剤を使用してカプセル１６へ取り付けられ得る。また、カプセル１６は、たとえば、導電性のシリコーンポッティングなどの封入剤で充填され得る。
【００２２】
図７は、カテーテル先端デバイス１０の製造で使用するための例示的な方法のフローチャートである。例示的な実施形態では、製造工程７００〜７９０のいずれか、またはすべてが、完全に自動化でき、このようにして、かなりの品質改善およびコストの低減ができる。
【００２３】
最初に、キャリア２６のアレイが、ＭＩＤ技術を使用して作製される７００。別法として、キャリア２６が本明細書に記載のように機能するようにしてキャリア２６を作製することができる、成型または機械加工プロセスが、使用されてもよい。各キャリア２６が、少なくとも１つのトランスデューサダイ１２をその中に取り付けることを可能にする、少なくとも１つのダイ取付凹部領域３６を備えて形成される７１０。各キャリア２６が、バリア４２が少なくともダイ取付領域３０およびリード線パッド領域３４上に配置されるように、作製される７１０。製造中、リード線領域３２が、少なくとも１つの溝５６を備えて作製される７２０。
【００２４】
次に、少なくとも１つのトランスデューサダイ１２が、ダイ取付凹部領域３６に取り付けられる７３０。トランスデューサダイ１２が、シリコーンゲルまたは室温硬化型（ＲＴＶ）シリコーンなどの接着剤４０を使用して、ダイ取付凹部領域３６に取り付けられ得る７３０。このダイ取付凹部領域３６は、事前に形成されたエポキシをダイ取付凹部領域３６内に配置し、次にトランスデューサダイ１２を配置し、次にエポキシをリフローさせることによって、オーバーフローのリスクなく、エポキシを使用することを可能にする。
【００２５】
各トランスデューサダイ１２が、相互接続される、すなわち電気的に結合される７４０。いったん相互接続されると、バリア４２は、運転、製造または輸送工程中にカプセル１６と接触すること、またはぶつかることから、トランスデューサダイ１２および相互接続部６６を保護する働きをする。
【００２６】
トランスデューサダイ１２の相互接続を完了すると、完成したトランスデューサモジュール１４のアレイが作製される。アレイ内の各トランスデューサモジュール１４は、キャリア２６に取り付けられたトランスデューサダイ１２、およびトランスデューサダイ１２の間の１つまたは複数の相互接続部６６を備える。
【００２７】
次に、複数のカプセル１６が、固定具（図示せず）に装着され得る。固定具は、カプセル１６を受けるように構成された開口を備える少なくとも１つの凹部領域を有してもよい。カプセル１６が、固定具を開口内へ配置することを容易にするために、アレイ内に提供され得る。
【００２８】
キャリアのアレイ２６の側面が、トランスデューサモジュール１４を露出させるために取り外される、または個別切断される。完成したトランスデューサモジュール１４が、アレイから引き出される。いったん引き出された後、完成したトランスデューサモジュール１４が、カプセル１６内に挿入され得るように、バリア４２が、特定のカプセル１６と位置合わせされる７５０。挿入中、バリア４２の対向する側壁４６が、カプセル１６の溝２４と位置合わせをする７５０。側壁４６が、カプセル１６の空洞１８内にダイ凹部領域３６があるようにするために溝２４に隣接して挿入される７６０。
【００２９】
挿入されたキャリア２６が、プラスチック溶接、溶剤ボンディングを介して、または接着剤を使用してなどのプロセスによってカプセル１６内に取り付けられるが、それに限定されない。カプセル１６は、たとえば、トランスデューサダイ１２および相互接続部６６を外部環境から保護するために自動化工程による導電性のシリコーンポッティングなどによって提供される封入剤で充填され得る７７０。
【００３０】
少なくとも１つの導電性リード線５８が、溝５６が導電性リード線５８と位置合わせするように、溝５６内に堆積される７８０。導電性リード線５８を溝５６内に配置した後、リード線取付材料６４が、導電性リード線５８がキャリア２６に取り付けられることを可能にするために、導電性リード線５８に、および溝５６内に付着される７９０。製造中、溝５６は、導電性リード線５８のリード線領域３２との位置合わせを容易にする。溝５６はまた、材料が、隣接する導電性リード線５８と電気的に架橋する可能性を減らすようにして、材料６４を溝５６内におよび導電性リード線５８上に保持することを容易にする。
【００３１】
別の方法では、トランスデューサモジュール１４を押出し加工する前に、導電性リード線５８が、溝５６が導電性リード線５８と位置合わせする７３０ようにして、溝５６内に堆積される。導電性リード線５８を溝５６内に配置した後、リード線取付材料６４が、導電性リード線５８をキャリア２６に取り付けられるようにするために、導電性リード線５８に、および溝５６内に付着される。次に、トランスデューサモジュール１４が、カプセル１６内へ挿入するためにキャリアのアレイ２６の側面を取り外すまたは個別切断することによって、引き出される。
【００３２】
カテーテル先端デバイス１０の製造は、トランスデューサモジュール１４をカプセル１６内へ挿入することを容易にする。トランスデューサモジュール１４は、製造工程中、ダイ、リード線およびそれに関連する電気的な相互接続部を保護しながら、カプセル１６内に正確に挿入するようなサイズおよび方向にされている。トランスデューサモジュール１４を正確に製造すること、およびトランスデューサモジュール１４をカプセル１６内に挿入することは、組立技術者の困難および／または不正確な取扱いを防止および除去することによって、デバイス１０の製造全体を強化する。また、トランスデューサモジュール１４を正確に挿入することは、カテーテル先端デバイス１０の動作を強化し、かつ、カテーテル先端デバイス１０を身体内へ配置することを容易にする。
【００３３】
本明細書は、最良の形態を含めて本発明を開示するため、および、当業者が本発明を作製し、使用することを可能にするために、実施例を用いている。本発明の特許可能な範囲は、特許請求の範囲によって規定され、当業者が思いつく他の実施例を含んでもよい。このような他の実施例は、特許請求の範囲の書字言語と相違しない構造的要素を有する場合、または、特許請求の範囲の書字言語とわずかな相違を有する等価な構造的要素を含む場合、特許請求の範囲内にあることが意図される。
【００３４】
本明細書は、最良の形態を含めて本発明を開示するため、および、デバイスまたはシステムを作製すること、および使用すること、および組み込まれている任意の方法を実行することを含めて、当業者が本発明を実行することを可能にするために、実施例を用いている。本発明の特許可能な範囲は、特許請求の範囲によって規定され、当業者が思いつく他の実施例を含んでもよい。このような他の実施例は、特許請求の範囲の書字言語と相違しない構造的要素を有する場合、または、特許請求の範囲の書字言語とわずかな相違を有する等価な構造的要素を含む場合、特許請求の範囲内にあることが意図される。
【符号の説明】
【００３５】
１０ カテーテル先端デバイス
１２ ダイ
１４ トランスデューサモジュール
１６ カプセル
１８ 空洞
２０ 窓
２２ ケーシング
２４ 溝
２６ キャリア
２８ 表面
３０ ダイ領域
３１ 外周
３２ リード線領域
３３ 外周
３４ リード線パッド領域
３５ 縁部
３６ ウェル
３６ ダイ取付凹部領域
３７ 外縁
３８ 溝
３９ 壁
４０ 接着剤
４１ 内側部分
４２ バリア
４４ 上部表面
４６ 側壁
４８ 端壁
５０ 第１の端部
５２ 第２の端部
５４ 本体
５６ 溝
５８ 導電性リード線
６０ キャリア端部
６４ 堆積材料
６６ 相互接続部
ｈ1 第１の端部の高さ
ｈ2 第２の端部の高さ
ｈsw 側壁の高さ
ｈic 相互接続部の高さ
７００ キャリアのアレイを作製する
７１０ 各キャリア内にリード線領域、ダイ取付凹部領域、およびバリアを作製する
７２０ リード線領域内に少なくとも１つの溝を作製する
７３０ トランスデューサダイをリード線領域内に取り付ける
７４０ トランスデューサダイを少なくとも１つの導電性リード線によって相互接続する
７５０ バリアをカプセルと位置合わせする
７６０ キャリアをカプセル内に挿入する
７７０ 封入剤充填
７８０ 少なくとも１つの導電性リード線を少なくとも１つの溝内に堆積させる
７９０ リード線取付材料を少なくとも１つの導電性リード線に、および少なくとも１つの溝内に取り付ける
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示の主題は、一般にカテーテルに関し、より詳細には、カテーテル先端デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
カテーテル先端デバイスは、集積回路ダイを含む、カテーテル先端のカプセル内に装着されたさまざまな構成要素を担持するために医療診断分野で広く使用されている。たとえば、カテーテル先端内に装着されたセンサダイは、身体開口部および／または外科的切開部を通して生体内に挿入できる。少なくともいくつかの公知のカテーテル先端デバイスの構成要素および構造は、製造および／または組立工程の大部分を手動で実行することを一般に必要とする。たとえば、公知の回路ダイは、電気的接続部と手動で結合され、その後キャリアを介してカプセル内に手動で装着される。キャリア／ダイをカプセル内に正確に装着することによって、カテーテル先端デバイスの動作が強化され、カテーテル先端デバイスを身体内へ配置することが容易になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７７３１６６４号明細書
【発明の概要】
【０００４】
しかし、カプセル内へのダイの配置は、困難で不正確なことが多く、カテーテル先端デバイスの組立技術者に依存することがある。カプセル内にダイを配置することによって、カプセルと接触しているダイの電気的接続が生じ、その結果ダイの動作上の問題および／または不具合が生じることが多い。さらに、手動での組立を使用することによって、このような製造に関連する製造コストおよび／または人的エラーが一般に増加する。
【０００５】
一態様では、トランスデューサモジュールが、提供される。トランスデューサモジュールは、キャリアと、製造工程中にキャリアのダイ領域を保護することを容易にするためにキャリアから延びているバリアとを備える。
【０００６】
別の態様では、カテーテル先端デバイスが提供される。カテーテル先端デバイスは、カプセルと、トランスデューサモジュールと、製造工程中にキャリアのダイ領域を保護することを容易にするためにキャリアから延びているバリアを備える。
【０００７】
さらなる態様では、カテーテル先端デバイスを製造する方法が、提供される。方法は、キャリアの領域を保護することを容易にするバリアを備えるキャリアを形成するステップを含み、かつ導電性リード線を受けることを容易にする溝付きのリード線領域を、キャリア上に形成するステップを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】例示的なカテーテル先端デバイスの透視図である。
【図２】図１に示されているカテーテル先端デバイスの平面図である。
【図３】図１に示されているカテーテル先端デバイスとともに使用できるトランスデューサモジュールの平面図である。
【図４】図１に示されているカテーテル先端デバイスの、図３の線４−４に沿った部分断面図である。
【図５】図３に示されているトランスデューサモジュールの側面図である。
【図６】図３に示されているトランスデューサモジュールの部分端面図である。
【図７】図１に示されているカテーテル先端デバイスの製造において使用するための例示的な方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、例示的なカテーテル先端デバイス１０の透視図である。図２は、デバイス１０の平面図である。図３は、デバイス１０とともに使用されるトランスデューサモジュール１４の平面図である。例示的な実施形態では、カテーテル先端デバイス１０は、カテーテル先端（図示せず）内に装着された１つまたは複数の集積回路ダイ１２を担持するために使用される。たとえば、ダイ１２は、トランスデューサ（たとえばセンサおよびアクチュエータ）、データ処理デバイス（たとえばＡＳＩＣマイクロプロセッサ）、および／または遠隔測定デバイス（たとえば、無線またはＲＦ通信用）とともに使用するものであるが、それに限定されない。ダイ１２は、患者の外部境界条件（たとえば、圧力、温度、ｐＨなど）に応答して、電気的な信号出力を供給するように構成され得る。デバイス１０は、身体内の孔を通しておよび／または外科的切開部を通して生体（図示せず）内に挿入可能であり、たとえば、圧力、温度、ｐＨなどのパラメータを身体内で直接測定することを含む、さまざまな用途のために使用できる。例示的な実施形態では、カテーテル先端デバイス１０は、カプセル１６と結合されたトランスデューサモジュール１４を備える。
【００１０】
カプセル１６は、プラスチック材料などであるがそれに限定されない生体適合性の材料から製造されてよいが、それに限定されない。たとえば、カプセル１６は、ＩＳＯ１０９９３に適合する材料から製造される。たとえば、金属、セラミックまたは複合材料を含む、他の医療用材料が、カプセル１６を製造するために使用できることを当業者なら理解されよう。例示的な実施形態では、カプセル１６は、ほぼ円筒形であり、トランスデューサモジュール１４の少なくとも一部分を中に受けるようなサイズおよび方向にされた空洞１８が内部に画定されている。別法として、カプセル１６は、カテーテル先端デバイス１０が本明細書に記載のように機能することを可能にする、他のいかなる形状、サイズおよび／または方向を有してもよい。カプセル１６はまた、トランスデューサモジュール１４の少なくとも一部分を見ることができるようにする窓２０を備える。例示的な実施形態では、カプセル１６は、トランスデューサモジュール１４を受ける対向している溝２４を有するケーシング２２を備える。
【００１１】
例示的な実施形態では、トランスデューサモジュール１４は、キャリア２６と結合された少なくとも１つのトランスデューサダイ１２を備える。トランスデューサダイ１２は、たとえば、マイクロマシニング加工されたセンシング要素またはアクチュエータ要素であってよいが、それに限定されない。キャリア２６は、成型相互接続デバイス（ＭＩＤ）技術を使用して製造され得る。一実施形態では、キャリア２６は、プラスチック材料から製造される。別の実施形態では、キャリア２６は、セラミック材料から製造される。キャリア２６は、キャリア２６が本明細書に記載のように機能することを可能にする、いかなる材料から製造されてもよいことを当業者なら理解できることに、留意されたい。例示的な実施形態では、キャリア２６は、ダイ領域３０と、リード線領域３２と、ダイとリード線領域３０の間およびダイとリード線領域３２の間にそれぞれあるリード線パッド領域３４とによって形成された表面２８を備える。
【００１２】
キャリア２６は、例示的な実施形態では、領域３６内に受け入れられたトランスデューサダイ１２の外周３３よりも大きい外周３１を有する、ダイ取付凹部領域またはウェル３６を備える。このようにして、トランスデューサダイ１２の１つまたは複数の縁部３５と領域３６の外周との間に、開口溝３８が形成される。図４は、ダイ凹部領域３６および溝３８の部分断面図を示している。ダイ取付凹部領域３６は、トランスデューサダイ１２をキャリア２６上に挿入することを可能にする。例示的な実施形態では、ダイ取付領域３６は、トランスデューサダイ１２、およびたとえばＡＳＩＣおよび／またはＲＦトランシーバなどの少なくとも１つの他のデバイスを受けるようなサイズおよび方向にされている。別の実施形態では、キャリア２６は、２つ以上のダイ１２を受けるようなサイズおよび方向にされた、２つ以上のダイ取付凹部領域３６を備え得る。別の実施形態では、ダイ取付凹部領域３６は、ダイ１２の縁部３５と領域３６の外周の間に形成された溝３８を備えない。
【００１３】
例示的な実施形態では、トランスデューサダイ１２が、溝３８から内向きに付けられたシリコーンゲルまたは室温硬化型（ＲＴＶ）シリコーンなどの接着剤４０を使用して、ダイ取付凹部領域３６内に結合される。溝３８は、接着剤４０を領域３６内に保持することを容易にし、このようにして接着剤４０がダイ取付凹部領域３６から外へ浸出することを防ぐ。
【００１４】
ダイ取付凹部領域３６を遮蔽することを容易にするため、およびトランスデューサモジュール１４の位置合わせを容易にするために、キャリア２６はまた、キャリア２６の上部表面４４から上向きに延びるバリア４２を備える。バリア４２は、対向している側壁４６および端壁４８を備える。各側壁は、第１の端部５０、第２の端部５２、および第１の端部５０と第２の端部５２の間に延びる本体５４を、それぞれ備える。側壁４６は、キャリア上部表面４４の外縁３７に、またはその近くに配置され得る。例示的な実施形態では、各第１の端部５０は、キャリアダイ領域３０の近くにあり、各第２の端部５２は、リード線パッド領域３４内にある。別法として、第２の端部５２が、キャリアの端部６０に配置され得る。第２の端部５２の位置にかかわらず、本体５４は、第１の端部５０と第２の端部５２間に延びており、かつ端壁４８は、側壁４６のそれぞれの第１の端部５０から延びている。このような構成では、端壁４８および側壁４６は、製造工程中の取扱いからダイ取付凹部領域３６を保護することを容易にするために、ダイ取付凹部領域３６を部分的に包囲している。さらに、ある実施形態では、側壁４６が、リード線パッド領域３４と部分的に隣接している。
【００１５】
図５は、トランスデューサモジュール１４の側面図である。例示的な実施形態では、側壁の第１の端部５０の高さｈ1は、側壁の第２の端部５２の高さｈ2よりも低く、したがって、本体５４は、第１の端部５０から第２の端部５２に向かって上向きに先細りとなっている。一実施形態では、本体５４が、キャリア上部表面４４に対して、４５°よりも小さい、または４５°とほぼ等しい角度で先細りとなっている。別の実施形態では（図示せず）、第１の端部５０および第２の端部５２が、ほぼ同じ高さで形成されている。別法として、第１の端部５０および／または第２の端部５２が、キャリア表面４４に向かって傾いた角度で本体５４を先細りとなるように形成され得る。別の実施形態では、第１の端部５０および／または第２の端部５２が、キャリア表面４４に対してほぼまっすぐで平行である。
【００１６】
図６は、トランスデューサモジュール１４の端面図である。例示的な実施形態では、キャリア２６のリード線領域３２は、少なくとも１つの溝５６を備える。各溝５６は、少なくとも１つの導電性リード線５８をその中で受けるようなサイズおよび方向にされている。より具体的には、例示的な実施形態では、各溝５６は、キャリア端部６０からリード線パッド領域３４に向かってほぼ軸方向に延びている。例示的な実施形態では、溝５６は、導電性リード線５８をその中で受け入れるような方向およびサイズにされたトラフ構成で形成された対向する斜めの壁３９を備える。溝５６は、導電性リード線５８が本明細書に記載のように機能することを容易にする、正方形形状などの他のいずれかの形状で形成されてよいが、それに限定されない。
【００１７】
リード線領域の溝５６は、リード線領域３２に対しておよび／またはリード線領域３２内で、導電性リード線５８を位置合わせすることを容易にする。溝５６はまた、たとえば、導電性リード線５８を溝５６の中に結合する際に使用するためのハンダ材料または導電性のエポキシ材料などの堆積材料６４をその中に保持することを容易にする。さらに、溝５６は、リード線取付材料６４が隣接する導電性リード線５８と電気的に架橋する可能性を減らすことを容易にする。
【００１８】
ある態様では、１つまたは複数の導電性リード線５８が、従来型のプリント回路基板の代替物として、たとえば、めっきを介して、キャリア２６上に堆積され得る。導電性リード線５８が、トランスデューサダイ１２を、トランスデューサダイ１２から送信された電気信号を受けるように装備されたデバイスと相互接続するために使用され得る。このような導電性リード線５８は、通常金属製である。別法として、他の材料が、導電性リード線５８を製造するために使用され得る。
【００１９】
トランスデューサダイ１２は、１つまたは複数の導電性リード線５８と相互接続され得る。一実施形態では、トランスデューサダイ１２と導電性リード線５８の間の相互接続部６６（図４）が、１つまたは複数のボンドワイヤ（図示せず）によって提供される電気的な相互接続部であってよい。ボンドワイヤは、たとえば、２５μｍから７５μｍの直径を有する精細なワイヤから形成されてよい。ボンドワイヤは、金、アルミニウム、銀、または銅などの材料から製造されてよいが、それに限定されない。他のワイヤ材料が使用されてもよいことを当業者なら理解されよう。別の実施形態では、トランスデューサダイ１２を導電性リード線５８と電気的に相互接続することが、ボンドワイヤではなく、ハンダバンプを備えるフリップチップ技術を使用することによって実行され得る。相互接続部６６は、本明細書に記載のような電気的接続を容易にするいかなる構成で形成されてもよい。
【００２０】
例示的な実施形態では、バリア４２が、相互接続部６６の上方へキャリア２６から上向きに延びている。図面に示すように、側壁４６は、上方へ、相互接続部６６の最も外側に隣接するダイ取付凹部領域３６に沿って延びている。相互接続部６６の近くの側壁４６の高さｈswは、相互接続部６６の高さｈicよりも高い。このようにして、側壁４６は、トランスデューサモジュール１４のカプセル１６への組立中、相互接続部６６を保護することを容易にする。さらに、側壁４６は、キャリア２６をカプセル溝２４内に挿入することを可能にする、キャリア２６の外縁３７上の位置合わせガイドまたはレールとして作用する。さらに、側壁４６は、キャリアをカプセル内へ挿入している間、カプセル１６とほぼ同じ高さにキャリア２６を保持することを容易にする。特に、側壁４６は、キャリア２６が挿入中に上向きに揺れるのを防ぐことを容易にし、このことがさらに、相互接続部６６がカプセル１６の内側部分４１と接触することを防ぐ。また、例示的な実施形態では、バリア４２の側壁４６および端壁４８は、センサダイ１２および相互接続部６６のための保護コーティングまたは封入剤または絶縁材料のいずれもが、デバイス１０の組立中に組立機と接触することを防ぐことを容易にする。さらに、バリア４２は、デバイス１０の輸送中または取扱い中に、保護コーティングまたは封入剤または絶縁材料のいずれを含むことを容易にする。
【００２１】
カテーテル先端デバイス１０の製造中、トランスデューサモジュール１４は、プラスチック溶接、溶剤ボンディングを含むがそれに限定されないさまざまな方法で、および／または接着剤を使用してカプセル１６へ取り付けられ得る。また、カプセル１６は、たとえば、導電性のシリコーンポッティングなどの封入剤で充填され得る。
【００２２】
図７は、カテーテル先端デバイス１０の製造で使用するための例示的な方法のフローチャートである。例示的な実施形態では、製造工程７００〜７９０のいずれか、またはすべてが、完全に自動化でき、このようにして、かなりの品質改善およびコストの低減ができる。
【００２３】
最初に、キャリア２６のアレイが、ＭＩＤ技術を使用して作製される７００。別法として、キャリア２６が本明細書に記載のように機能するようにしてキャリア２６を作製することができる、成型または機械加工プロセスが、使用されてもよい。各キャリア２６が、少なくとも１つのトランスデューサダイ１２をその中に取り付けることを可能にする、少なくとも１つのダイ取付凹部領域３６を備えて形成される７１０。各キャリア２６が、バリア４２が少なくともダイ取付領域３０およびリード線パッド領域３４上に配置されるように、作製される７１０。製造中、リード線領域３２が、少なくとも１つの溝５６を備えて作製される７２０。
【００２４】
次に、少なくとも１つのトランスデューサダイ１２が、ダイ取付凹部領域３６に取り付けられる７３０。トランスデューサダイ１２が、シリコーンゲルまたは室温硬化型（ＲＴＶ）シリコーンなどの接着剤４０を使用して、ダイ取付凹部領域３６に取り付けられ得る７３０。このダイ取付凹部領域３６は、事前に形成されたエポキシをダイ取付凹部領域３６内に配置し、次にトランスデューサダイ１２を配置し、次にエポキシをリフローさせることによって、オーバーフローのリスクなく、エポキシを使用することを可能にする。
【００２５】
各トランスデューサダイ１２が、相互接続される、すなわち電気的に結合される７４０。いったん相互接続されると、バリア４２は、運転、製造または輸送工程中にカプセル１６と接触すること、またはぶつかることから、トランスデューサダイ１２および相互接続部６６を保護する働きをする。
【００２６】
トランスデューサダイ１２の相互接続を完了すると、完成したトランスデューサモジュール１４のアレイが作製される。アレイ内の各トランスデューサモジュール１４は、キャリア２６に取り付けられたトランスデューサダイ１２、およびトランスデューサダイ１２の間の１つまたは複数の相互接続部６６を備える。
【００２７】
次に、複数のカプセル１６が、固定具（図示せず）に装着され得る。固定具は、カプセル１６を受けるように構成された開口を備える少なくとも１つの凹部領域を有してもよい。カプセル１６が、固定具を開口内へ配置することを容易にするために、アレイ内に提供され得る。
【００２８】
キャリアのアレイ２６の側面が、トランスデューサモジュール１４を露出させるために取り外される、または個別切断される。完成したトランスデューサモジュール１４が、アレイから引き出される。いったん引き出された後、完成したトランスデューサモジュール１４が、カプセル１６内に挿入され得るように、バリア４２が、特定のカプセル１６と位置合わせされる７５０。挿入中、バリア４２の対向する側壁４６が、カプセル１６の溝２４と位置合わせをする７５０。側壁４６が、カプセル１６の空洞１８内にダイ凹部領域３６があるようにするために溝２４に隣接して挿入される７６０。
【００２９】
挿入されたキャリア２６が、プラスチック溶接、溶剤ボンディングを介して、または接着剤を使用してなどのプロセスによってカプセル１６内に取り付けられるが、それに限定されない。カプセル１６は、たとえば、トランスデューサダイ１２および相互接続部６６を外部環境から保護するために自動化工程による導電性のシリコーンポッティングなどによって提供される封入剤で充填され得る７７０。
【００３０】
少なくとも１つの導電性リード線５８が、溝５６が導電性リード線５８と位置合わせするように、溝５６内に堆積される７８０。導電性リード線５８を溝５６内に配置した後、リード線取付材料６４が、導電性リード線５８がキャリア２６に取り付けられることを可能にするために、導電性リード線５８に、および溝５６内に付着される７９０。製造中、溝５６は、導電性リード線５８のリード線領域３２との位置合わせを容易にする。溝５６はまた、材料が、隣接する導電性リード線５８と電気的に架橋する可能性を減らすようにして、材料６４を溝５６内におよび導電性リード線５８上に保持することを容易にする。
【００３１】
別の方法では、トランスデューサモジュール１４を押出し加工する前に、導電性リード線５８が、溝５６が導電性リード線５８と位置合わせする７３０ようにして、溝５６内に堆積される。導電性リード線５８を溝５６内に配置した後、リード線取付材料６４が、導電性リード線５８をキャリア２６に取り付けられるようにするために、導電性リード線５８に、および溝５６内に付着される。次に、トランスデューサモジュール１４が、カプセル１６内へ挿入するためにキャリアのアレイ２６の側面を取り外すまたは個別切断することによって、引き出される。
【００３２】
カテーテル先端デバイス１０の製造は、トランスデューサモジュール１４をカプセル１６内へ挿入することを容易にする。トランスデューサモジュール１４は、製造工程中、ダイ、リード線およびそれに関連する電気的な相互接続部を保護しながら、カプセル１６内に正確に挿入するようなサイズおよび方向にされている。トランスデューサモジュール１４を正確に製造すること、およびトランスデューサモジュール１４をカプセル１６内に挿入することは、組立技術者の困難および／または不正確な取扱いを防止および除去することによって、デバイス１０の製造全体を強化する。また、トランスデューサモジュール１４を正確に挿入することは、カテーテル先端デバイス１０の動作を強化し、かつ、カテーテル先端デバイス１０を身体内へ配置することを容易にする。
【００３３】
本明細書は、最良の形態を含めて本発明を開示するため、および、当業者が本発明を作製し、使用することを可能にするために、実施例を用いている。本発明の特許可能な範囲は、特許請求の範囲によって規定され、当業者が思いつく他の実施例を含んでもよい。このような他の実施例は、特許請求の範囲の書字言語と相違しない構造的要素を有する場合、または、特許請求の範囲の書字言語とわずかな相違を有する等価な構造的要素を含む場合、特許請求の範囲内にあることが意図される。
【００３４】
本明細書は、最良の形態を含めて本発明を開示するため、および、デバイスまたはシステムを作製すること、および使用すること、および組み込まれている任意の方法を実行することを含めて、当業者が本発明を実行することを可能にするために、実施例を用いている。本発明の特許可能な範囲は、特許請求の範囲によって規定され、当業者が思いつく他の実施例を含んでもよい。このような他の実施例は、特許請求の範囲の書字言語と相違しない構造的要素を有する場合、または、特許請求の範囲の書字言語とわずかな相違を有する等価な構造的要素を含む場合、特許請求の範囲内にあることが意図される。
【符号の説明】
【００３５】
１０ カテーテル先端デバイス
１２ ダイ
１４ トランスデューサモジュール
１６ カプセル
１８ 空洞
２０ 窓
２２ ケーシング
２４ 溝
２６ キャリア
２８ 表面
３０ ダイ領域
３１ 外周
３２ リード線領域
３３ 外周
３４ リード線パッド領域
３５ 縁部
３６ ウェル
３６ ダイ取付凹部領域
３７ 外縁
３８ 溝
３９ 壁
４０ 接着剤
４１ 内側部分
４２ バリア
４４ 上部表面
４６ 側壁
４８ 端壁
５０ 第１の端部
５２ 第２の端部
５４ 本体
５６ 溝
５８ 導電性リード線
６０ キャリア端部
６４ 堆積材料
６６ 相互接続部
ｈ1 第１の端部の高さ
ｈ2 第２の端部の高さ
ｈsw 側壁の高さ
ｈic 相互接続部の高さ
７００ キャリアのアレイを作製する
７１０ 各キャリア内にリード線領域、ダイ取付凹部領域、およびバリアを作製する
７２０ リード線領域内に少なくとも１つの溝を作製する
７３０ トランスデューサダイをリード線領域内に取り付ける
７４０ トランスデューサダイを少なくとも１つの導電性リード線によって相互接続する
７５０ バリアをカプセルと位置合わせする
７６０ キャリアをカプセル内に挿入する
７７０ 封入剤充填
７８０ 少なくとも１つの導電性リード線を少なくとも１つの溝内に堆積させる
７９０ リード線取付材料を少なくとも１つの導電性リード線に、および少なくとも１つの溝内に取り付ける
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイ取付凹部（３６）と、少なくとも１つの溝（３８）が形成されたリード線領域（３２）とを備えるキャリア（２６）、および
製造工程中に前記ダイ取付凹部（３６）を保護することを容易にするために前記キャリア（２６）から延び、かつ前記ダイ取付凹部（３６）を部分的に包囲しているバリア（４２）
を備えるトランスデューサモジュール。
【請求項２】
前記少なくとも１つの溝（３８）が、前記リード線領域（３２）に沿ってほぼ軸方向に延びている請求項１記載のトランスデューサモジュール。
【請求項３】
前記少なくとも１つの溝（３８）が、前記キャリア（２６）上に堆積された少なくとも１つの導電性リード線（５８）を位置合わせすることを容易にする請求項１記載のトランスデューサモジュール。
【請求項４】
前記キャリア（２６）が、前記ダイ取付凹部（３６）と結合されたトランスデューサダイ（１２）を備え、前記トランスデューサダイ（１２）が、相互接続部（６６）によって前記少なくとも１つの導電性リード線（５８）と電気的に接続されている請求項３記載のトランスデューサモジュール。
【請求項５】
前記バリア（４２）が、前記キャリア（２６）から前記相互接続部（６６）の上方に、ある距離上向きに延びている請求項４記載のトランスデューサモジュール。
【請求項６】
前記バリア（４２）が、１対の対向する側壁（４６）と、前記側壁（４６）の間に延びる端壁（４８）とを備える請求項１記載のトランスデューサモジュール。
【請求項７】
各側壁（４６）が、第１の端部（５０）、第２の端部（５２）、および前記第１の端部（５０）と前記第２の端部（５２）の間に延びる本体（５４）を備える請求項６記載のトランスデューサ。
【請求項８】
前記第１の端部（５０）が、前記第２の端部（５２）の高さ（ｈ2）よりも低い高さ（ｈ1）を有する請求項７記載のトランスデューサ。
【請求項９】
カプセル（１６）と、
前記カプセル（１６）に取り付けられたトランスデューサモジュール（１４）であって、
ダイ取付凹部（３６）を備え、かつリード線領域（３２）を備えるキャリア（２６）、
前記ダイ取付凹部（３６）内に配置されたトランスデューサダイ（１２）、および
前記リード線領域（３２）の少なくとも１つの溝（３８）内に堆積され、前記トランスデューサダイ（１２）と電気的に相互接続されている少なくとも１つの導電性リード線を備えるトランスデューサダイ（１２）と、
製造工程中に前記ダイ取付凹部（３６）を保護することを容易にするために、前記キャリア（２６）から延び、かつ前記ダイ取付凹部（３６）を部分的に包囲しているバリア（４２）と
を備える、カテーテル先端デバイス。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの溝（３８）が、前記キャリア（２６）上に堆積された前記少なくとも１つの導電性リード線（５８）を位置合わせすることを容易にする対向する壁（３９）を備える請求項９記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１１】
前記バリア（４２）が、１対の対向する側壁（４６）および端壁（４８）を備える請求項９記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１２】
前記１対の対向する側壁（４６）が、前記トランスデューサダイ（１２）と前記少なくとも１つの導電性リード線（５８）の前記電気的な相互接続部を部分的に包囲している請求項１１記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１３】
各側壁（４６）が、第１の端部（５０）、第２の端部（５２）および前記第１の端部（５０）と前記第２の端部（５２）の間に延びる本体（５４）を備える請求項９記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１４】
前記本体（５４）が、前記第１の端部（５０）と前記第２の端部（５２）の間で先細りとなっている請求項１３記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１５】
ダイ取付凹部（３６）、溝付きのリード線領域（３２）および前記ダイ取付凹部（３６）を少なくとも部分的に包囲しているバリア（４２）を備えるキャリア（２６）を形成するステップと、
少なくとも１つのトランスデューサダイ（１２）をダイ取付凹部（３６）に取り付けるステップと、
少なくとも１つのトランスデューサダイ（１２）を相互接続するステップと、を含むカテーテル先端デバイスを製造する方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの導電性リード線（５８）を前記溝付きリード線領域（３２）内に堆積させるステップをさらに含む請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
堆積材料（６４）を前記溝付きリード線領域（３２）内に付着させるステップをさらに含む請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記キャリア（２６）を形成するステップが、１対の対向する側壁（４６）および端壁（４８）を備える前記バリア（４２）を形成するステップを含む請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記バリア（４２）の前記１対の対向する側壁（４６）をカプセル（１６）の溝（２４）内に位置合わせすることによって、バリア（４２）を前記カプセル（１６）と位置合わせするステップをさらに含む請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
キャリア（２６）を前記カプセル（１６）内へ挿入するステップをさらに含む請求項１５記載の方法。
【請求項１】
ダイ取付凹部（３６）と、少なくとも１つの溝（３８）が形成されたリード線領域（３２）とを備えるキャリア（２６）、および
製造工程中に前記ダイ取付凹部（３６）を保護することを容易にするために前記キャリア（２６）から延び、かつ前記ダイ取付凹部（３６）を部分的に包囲しているバリア（４２）
を備えるトランスデューサモジュール。
【請求項２】
前記少なくとも１つの溝（３８）が、前記リード線領域（３２）に沿ってほぼ軸方向に延びている請求項１記載のトランスデューサモジュール。
【請求項３】
前記少なくとも１つの溝（３８）が、前記キャリア（２６）上に堆積された少なくとも１つの導電性リード線（５８）を位置合わせすることを容易にする請求項１記載のトランスデューサモジュール。
【請求項４】
前記キャリア（２６）が、前記ダイ取付凹部（３６）と結合されたトランスデューサダイ（１２）を備え、前記トランスデューサダイ（１２）が、相互接続部（６６）によって前記少なくとも１つの導電性リード線（５８）と電気的に接続されている請求項３記載のトランスデューサモジュール。
【請求項５】
前記バリア（４２）が、前記キャリア（２６）から前記相互接続部（６６）の上方に、ある距離上向きに延びている請求項４記載のトランスデューサモジュール。
【請求項６】
前記バリア（４２）が、１対の対向する側壁（４６）と、前記側壁（４６）の間に延びる端壁（４８）とを備える請求項１記載のトランスデューサモジュール。
【請求項７】
各側壁（４６）が、第１の端部（５０）、第２の端部（５２）、および前記第１の端部（５０）と前記第２の端部（５２）の間に延びる本体（５４）を備える請求項６記載のトランスデューサ。
【請求項８】
前記第１の端部（５０）が、前記第２の端部（５２）の高さ（ｈ2）よりも低い高さ（ｈ1）を有する請求項７記載のトランスデューサ。
【請求項９】
カプセル（１６）と、
前記カプセル（１６）に取り付けられたトランスデューサモジュール（１４）であって、
ダイ取付凹部（３６）を備え、かつリード線領域（３２）を備えるキャリア（２６）、
前記ダイ取付凹部（３６）内に配置されたトランスデューサダイ（１２）、および
前記リード線領域（３２）の少なくとも１つの溝（３８）内に堆積され、前記トランスデューサダイ（１２）と電気的に相互接続されている少なくとも１つの導電性リード線を備えるトランスデューサダイ（１２）と、
製造工程中に前記ダイ取付凹部（３６）を保護することを容易にするために、前記キャリア（２６）から延び、かつ前記ダイ取付凹部（３６）を部分的に包囲しているバリア（４２）と
を備える、カテーテル先端デバイス。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの溝（３８）が、前記キャリア（２６）上に堆積された前記少なくとも１つの導電性リード線（５８）を位置合わせすることを容易にする対向する壁（３９）を備える請求項９記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１１】
前記バリア（４２）が、１対の対向する側壁（４６）および端壁（４８）を備える請求項９記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１２】
前記１対の対向する側壁（４６）が、前記トランスデューサダイ（１２）と前記少なくとも１つの導電性リード線（５８）の前記電気的な相互接続部を部分的に包囲している請求項１１記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１３】
各側壁（４６）が、第１の端部（５０）、第２の端部（５２）および前記第１の端部（５０）と前記第２の端部（５２）の間に延びる本体（５４）を備える請求項９記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１４】
前記本体（５４）が、前記第１の端部（５０）と前記第２の端部（５２）の間で先細りとなっている請求項１３記載のカテーテル先端デバイス。
【請求項１５】
ダイ取付凹部（３６）、溝付きのリード線領域（３２）および前記ダイ取付凹部（３６）を少なくとも部分的に包囲しているバリア（４２）を備えるキャリア（２６）を形成するステップと、
少なくとも１つのトランスデューサダイ（１２）をダイ取付凹部（３６）に取り付けるステップと、
少なくとも１つのトランスデューサダイ（１２）を相互接続するステップと、を含むカテーテル先端デバイスを製造する方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの導電性リード線（５８）を前記溝付きリード線領域（３２）内に堆積させるステップをさらに含む請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
堆積材料（６４）を前記溝付きリード線領域（３２）内に付着させるステップをさらに含む請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記キャリア（２６）を形成するステップが、１対の対向する側壁（４６）および端壁（４８）を備える前記バリア（４２）を形成するステップを含む請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記バリア（４２）の前記１対の対向する側壁（４６）をカプセル（１６）の溝（２４）内に位置合わせすることによって、バリア（４２）を前記カプセル（１６）と位置合わせするステップをさらに含む請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
キャリア（２６）を前記カプセル（１６）内へ挿入するステップをさらに含む請求項１５記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−１７０８２５（Ｐ２０１２−１７０８２５Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−３３４８１（Ｐ２０１２−３３４８１）
【出願日】平成２４年２月２０日（２０１２．２．２０）
【出願人】（３９００４１５４２）ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ (6,332)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年２月２０日（２０１２．２．２０）
【出願人】（３９００４１５４２）ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ (6,332)
【Ｆターム（参考）】
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