カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
【課題】 均一な膜厚の画素パターンを形成することが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置の製造方法は、画素毎に電気光学素子が機能する機能領域２ａと、該機能領域２ａの周辺に形成される非機能領域２ｂとを有する電気光学装置の製造方法であって、基板上に、電気光学素子を構成する機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、該吐出工程において、前記非機能領域２ｂに吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域２ａに吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする。
【解決手段】 本発明の電気光学装置の製造方法は、画素毎に電気光学素子が機能する機能領域２ａと、該機能領域２ａの周辺に形成される非機能領域２ｂとを有する電気光学装置の製造方法であって、基板上に、電気光学素子を構成する機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、該吐出工程において、前記非機能領域２ｂに吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域２ａに吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機蛍光材料等の機能材料をインク化し、該インク（組成物）を基材上に吐出する液滴吐出法により、機能材料のパターニングを行う方法を採用して、一対の電極間に該機能材料からなる機能層が挟持された構成の電気光学装置、特に機能材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の開発が行われている。
【０００３】
上述した機能材料のパターニング法として、基材上に形成したＩＴＯ等からなる画素電極の周囲に隔壁部を形成するとともに、次に画素電極及びこの画素電極に隣接する前記隔壁部の一部を親液性に処理するとともに隔壁部の残りの部分を撥液性に処理し、次に機能層の構成材料を含むインクを画素電極に吐出して乾燥することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が採用されている。具体的には、複数のノズルが副走査方向に沿って配列されてなるノズル列を有する液滴吐出ヘッドを用い、この液滴吐出ヘッドを基板に対して主走査方向に走査しつつ、前記ノズルからインクを吐出することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が知られている。このように方法は、マイクロオーダーの液滴を画素領域に配することが可能なため、材料の利用効率を考えると、スピンコートなどの方法に比べて有効である。
【０００４】
しかしながら、画素領域で構成される表示領域のうち周辺部では、基体から蒸発する溶媒分子の分圧が該表示領域の中央部よりも少なくなる場合がある。このような現象が生じると、周辺部において溶媒の蒸発速度が極端に速くなり、その結果、製造される電気光学装置において機能層の膜厚むらが生じる惧れがある。このような膜厚むらが生じた電気光学装置は、その電気光学特性が低下し、これを表示装置等として用いた場合には、表示むらを生じることもある。そこで、これを解決するために、例えば特許文献１のような技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−２５２０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に開示された技術は、周辺部のさらに外側に表示に寄与しないダミー領域を形成し、該ダミー領域にも機能層と同一のインクを塗布することで、表示領域の中央部と周辺部とにおいて機能層の膜厚むらが生じることを防止ないし抑制している。しかしながら、ダミー領域を形成して、これにインクを表示領域と同様に塗布するのみでは、十分な膜厚むらの解消には至らない場合がある。つまり、ダミー領域にインクを塗布するとしても、表示領域の周辺部において、中央部よりも溶媒の乾燥が速くなる場合があり、これにより膜厚むらの発生を十分に回避できない場合もある。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、基板面内で均一な膜厚の着色パターンを形成することが可能なカラーフィルタ基板の製造方法と、均一な膜厚の画素パターンを形成することが可能な電気光学装置の製造方法とを提供することを目的としている。また、本発明は、このような製造方法を用いて製造された電気光学装置と、これを備える電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明のカラーフィルタ基板の製造方法は、複数の着色層を含み、所定の色光を選択的に透過しカラーフィルタとして機能する機能領域と、該機能領域以外の非機能領域とを有するカラーフィルタ基板の製造方法であって、基板上に、前記着色層を構成する着色材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、該吐出工程において、前記機能領域には前記液状体を吐出し、前記非機能領域には前記液状体又は前記溶媒を吐出するものとしており、前記非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする。
【０００８】
このようなカラーフィルタ基板の製造方法によると、非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を機能領域に吐出される該容量よりも多くしているため、吐出を行った後、溶媒の乾燥を行う場合において、機能領域における蒸発溶媒分子の分圧が、非機能領域における蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、非機能領域における溶媒の蒸発速度を機能領域における溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。従って、機能領域のうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなり、該周辺部と中央部とにおいて一層均一で等しい膜厚の着色層を形成できるようになる。そして、この場合、機能領域全域において、特に中央部又は周辺部に拘らず、色むらの少ない信頼性に優れたカラーフィルタ基板を提供することができるようになる。
【０００９】
次に、上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、画素毎に電気光学素子が機能する機能領域と、該機能領域の周辺に形成される非機能領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、基板上に、前記電気光学素子を構成する機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、該吐出工程において、前記機能領域には前記液状体を吐出し、前記非機能領域には前記液状体又は前記溶媒を吐出するものとしており、前記非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする。
【００１０】
このような電気光学装置の製造方法によると、非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を機能領域に吐出される該容量よりも多くしているため、吐出を行った後、溶媒の乾燥を行う場合において、機能領域における蒸発溶媒分子の分圧が、非機能領域における蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、非機能領域における溶媒の蒸発速度を機能領域における溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。従って、機能領域のうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなり、該周辺部と中央部とにおいて一層均一な膜厚の電気光学素子を構成する層（電気光学素子層）からなる画素パターンを形成できるようになる。そして、この場合、機能領域全域において、特に中央部又は周辺部に拘らず、素子特性にむらの少ない信頼性に優れた電気光学装置を提供することができるようになる。
【００１１】
上記電気光学装置の製造方法は、前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域をそれぞれ同じパターンにて形成する（つまり各領域で同じ形状、同じ面積のものを等間隔で形成する）工程を含むものとすることができ、この場合、前記吐出工程においては、前記非機能領域の液受容領域に対して吐出される溶媒の量を、前記機能領域の液受容領域に対して吐出される溶媒の量よりも多くすることが好ましい。このようにすることで、非機能領域における単位面積当りの溶媒の吐出容量を、機能領域における単位面積当りの溶媒の吐出容量よりも多くすることができるようになり、本発明の効果を好適に実現できるようになる。
【００１２】
一方、前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含むものとすることができ、この場合、該液受容領域の形成工程において、前記機能領域における液受容領域の面積を、前記非機能領域における液受容領域の面積よりも大きく形成することが好ましい。このように非機能領域における液受容領域の面積を大きくすることで、該非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、機能領域におけるものよりも好適に多くすることができるようになる。
【００１３】
或いは、前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含み、さらに、前記機能領域を平面視長方形状として、該機能領域の長辺方向と短辺方向において前記非機能領域における前記液受容領域の密度を異なるものとし、前記非機能領域における液受容領域の密度が大きい方に対して吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記非機能領域における液受容領域の密度が小さい方に対して吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることができる。液受容領域の密度が大きいと、隣接する液受容領域同士が干渉しやすいため、該密度の大きい方に対して吐出する溶媒の量を大きくすることが好ましい。
【００１４】
また、前記機能領域が平面視長方形状である場合に、その機能領域の短辺方向に沿って形成される第１非機能領域と、機能領域の長辺方向に沿って形成される第２非機能領域とに関し、前記吐出工程において、前記第１非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記第２非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることができる。つまり、第１非機能領域と第２非機能領域のうち、機能領域の中心部から遠い第１非機能領域において相対的に溶媒の量を多くすることで、該機能領域の中心部での溶媒蒸発速度と、非機能領域での溶媒蒸発速度とをより近づけることができるようになり、平面視長方形状に形成された機能領域における電気光学素子層の膜厚を均一化する上で好ましい。
【００１５】
また、前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含む場合、該液受容領域の形成工程において、前記非機能領域の液受容領域を前記機能領域に沿って帯状に形成することが好ましい。このように非機能領域の液受容領域を機能領域に沿って帯状に形成し、該液受容領域に溶媒を吐出するものとすれば、高効率で非機能領域での溶媒の量（単位面積当りの溶媒の量）を増やすことができるようになる。
【００１６】
次に、本発明の電気光学装置は上記方法により製造されたことを特徴とする。このような電気光学装置は、電気光学素子層の膜厚が均一な画素パターンにて構成されるため、信頼性の高いものとなり、特にこれを表示装置として用いた場合には、表示むらの少ない視認性に優れた表示装置となる。また、本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えたもので、これを表示部として具備させたものとすることができる。この場合、当該電子機器は信頼性が高く、視認性に優れた表示部を備えたものとなる。
【００１７】
なお、本発明の電気光学装置として好適には有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬとも言う）を例示することができる。このような有機ＥＬ装置においては、表示に寄与する領域を機能領域とし、表示に寄与しない領域を非機能領域とすることができる。そして、該有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば基板上の機能領域及び非機能領域に液受容領域を形成するための隔壁部を形成する工程と、該隔壁部に囲まれた液受容領域に有機ＥＬ素子（電気光学素子）形成用組成物からなる液状体を吐出する工程とを含むものとすることができる。
【００１８】
なお、有機ＥＬ素子形成用組成物としては、例えば発光層ないし正孔注入／輸送層等の機能層形成材料、詳しくは機能層形成有機材料を所定の溶媒に分散又は溶解したものを用いることができる。また、液状体の吐出は、例えば液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置にて行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
以下、本発明の電気光学装置の第１実施形態たる有機ＥＬ表示装置について、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す説明図であって、図２は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の平面模式図（ａ）及び断面模式図（ｂ）である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００２０】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
さらに、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１１３と、この駆動用薄膜トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極（電極））１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。なお、電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００２１】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
次に図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明な基体２と、マトリックス状に配置された発光素子と、封止基板６０４を具備している。基体２上に形成された発光素子は、画素電極１１１と、機能層１１０と、陰極１２により形成されている。
基体２は、例えばガラス等の透明基板であり、基体２の中央に位置する表示領域２ａと、基体２の周縁に位置して表示領域２ａの外側に配置された非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域若しくは機能領域とも言う。また、非表示領域２ｂは、表示領域２ａに隣接して形成され、表示に寄与しないダミー領域（非機能領域）として構成されている。
【００２３】
また、図２（ｂ）に示すように、基体２の厚さ方向において、発光素子及び隔壁部からなる発光素子部１１と基体２との間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１１３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が基体２上に形成された陰極用配線（図示略）に接続しており、この配線の一端部１２ａがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００２４】
また、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、図２（ａ）に示した表示領域２ａの図示両横側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｂの下側の回路素子部１４内に設けられている。さらに回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
さらに図２（ａ）に示した表示領域２ａの図示上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００２５】
また図２（ｂ）に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、基体２に塗布された封止樹脂６０３と、缶封止基板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
この封止樹脂６０３は、基体２の周囲に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布されたものである。この封止樹脂６０３は、基体２と缶封止基板６０４を接合するもので、基体２と缶封止基板６０４の間から缶封止基板６０４内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を防止する。
缶封止基板６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基体２に接合されており、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、缶封止基板６０４の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
【００２６】
次に図３には、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基体２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次積層されて構成されている。
表示装置１においては、機能層１１０から基体２側に発した光が、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基体２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
【００２７】
回路素子部１４には、基体２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されており、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。さらに回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
【００２８】
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１１３が形成されている。なお、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００２９】
次に図３に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画する隔壁部１２２と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。これら画素電極（第１電極）１１１、機能層１１０及び陰極１２（対向電極（電極））によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画素電極１１１…の間に隔壁部１１２が備えられている。
【００３０】
隔壁部１２２は、図３に示すように、基体２側に位置する無機物隔壁層（第１隔壁層）１１２ａと、基体２から離れて位置する有機物隔壁層（第２隔壁層）１１２ｂとが積層されて構成されている。
【００３１】
無機物隔壁層、有機物隔壁層（１１２ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上を乗り上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物隔壁層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物隔壁層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物隔壁層１１２ａは、有機物隔壁層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側にさらに形成されている。このようにして、無機物隔壁層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
また、有機物隔壁層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物隔壁層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。
そして隔壁部１２２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物隔壁層１１２ａ及び有機物隔壁層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成されている。
【００３２】
また、無機物隔壁層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなることが好ましい。この無機物隔壁層１１２ａの膜厚は、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物隔壁層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなる場合があり好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなる場合があり好ましくない。
【００３３】
さらに、有機物隔壁層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材料から形成されている。この有機物隔壁層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物隔壁層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れる惧れがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物隔壁層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できなくなる場合があるので好ましくない。また、有機物隔壁層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１１３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
【００３４】
また、隔壁部１２２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物隔壁層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物隔壁層１１２ｂの上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。なお、有機物隔壁層は、フッ素ポリマーを含有する材料により形成しても良い。
【００３５】
次に図３に示すように、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層をさらに形成しても良い。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。
【００３６】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物隔壁層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物隔壁層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部１１０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される。
【００３７】
周縁部１１０ａ2が形成される場合においては、周縁部１１０ａ2は、第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物隔壁層１１２ｂに密着している。また、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物隔壁層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。
【００３８】
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置されている。
【００３９】
上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａの周縁部１１０ａ2が上部開口部１１２ｄの壁面（有機物隔壁層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１０ｂが有機物隔壁層１１２ｂに直接に接することがない。従って、有機物隔壁層１１２ｂに不純物として含まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１１０ａ2によって阻止することができ、水による発光層１１０ｂの酸化を防止できる。また、無機物隔壁層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ2が形成されるため、周縁部１１０ａ2が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態となり、周縁部１１０ａ2から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない。これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部１１２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にすることができる。また、無機物隔壁層１１２ａが有機物隔壁層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側にさらに延出されているので、この無機物隔壁層１１２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ1との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
【００４０】
さらに、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物隔壁層の第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物隔壁層１１２ａに均一に密着し、無機物隔壁１１２ａ上で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。また、有機物隔壁層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥液性を示すので、機能層１１０と有機物隔壁層１１２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
【００４１】
なお、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００４２】
次に陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００４３】
なお、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎｍ程度がよい。また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基体２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。さらにアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。なお、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配置する。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４を封止樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。
【００４４】
次に、本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置は、基板上に隔壁部を形成する隔壁部形成工程、隔壁の表面を処理するプラズマ処理工程、隔壁部の内側に機能層を形成する機能層形成工程、さらには対向電極形成工程、及び封止工程を含むものとされている。なお、本発明の製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００４５】
(1)隔壁部形成工程
隔壁部形成工程は、基体２上に隔壁部１１２を形成する工程である。隔壁部１１２は、第１の隔壁層として無機物隔壁層１１２ａが形成され、第２の隔壁層として有機物隔壁層１１２ｂが形成された構造である。以下に各層の形成方法について説明する。
【００４６】
(1)-1無機物隔壁層の形成
まず、図４に示すように、層間絶縁膜１４４ａ，１４４ｂ等を形成した基体２の所定位置に、所定パターンの無機物隔壁層１１２ａを形成する。無機物隔壁層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電極（ここでは画素電極）１１１上である。ここで、表示領域２ａには薄膜トランジスタ１１３が形成されているが、ダミー領域２ｂには、必ずしも薄膜トランジスタ１１３を形成する必要はない。
【００４７】
無機物隔壁層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。
さらに、無機物隔壁層１１２ａの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
無機物隔壁層１１２ａは、層間絶縁層１１４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物隔壁層１１２ａが形成される。開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。
このとき、無機物隔壁層１１２ａは画素電極１１１の周縁部（一部）と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の一部と無機物隔壁層１１２ａとが重なるように無機物隔壁層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。
【００４８】
(1)-2有機物隔壁層１１２ｂの形成
次に、第２隔壁層としての有機物隔壁層１１２ｂを形成する。
図５に示すように、表示領域２ａ及びダミー領域２ｂに形成した無機物隔壁層１１２ａ上に有機物隔壁層１１２ｂを形成する。有機物隔壁層１１２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物隔壁層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物隔壁層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられる。
【００４９】
上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無機物隔壁層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。さらに、有機物隔壁層１１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物隔壁層１１２ｂの開口部が画素電極１１１の幅より狭く、有機物隔壁層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅になるように有機物隔壁層１１２ｂを形成する事が好ましい。これにより、無機物隔壁層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物隔壁層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出された形になる。
このようにして、有機物隔壁層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物隔壁層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物隔壁層１１２ａ及び有機物隔壁層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成され、表示領域２ａ及びダミー領域２ｂに対してそれぞれ隔壁部１２２が形成されることとなる。
【００５０】
なお、有機物隔壁層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物隔壁層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまう惧れがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物隔壁層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１１３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００５１】
(2)プラズマ処理工程
次にプラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活性化すること、さらに隔壁部１２２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、さらに仕事関数の調整を主な目的として行っている。さらに、画素電極１１１の表面の親液化処理（親液化工程）、隔壁部１２２表面の撥液化処理（撥液化工程）を行う。
【００５２】
このプラズマ処理工程は、例えば(2)-1予備加熱工程、(2)-2活性化処理工程（親液化工程）、(2)-3撥液化処理工程（親液化工程）、及び(2)-4冷却工程とに大別される。なお、このような工程に限られるものではなく、必要に応じて工程を削減、さらなる工程追加も行われる。
【００５３】
まず、図６は、プラズマ処理工程で用いられるプラズマ処理装置を示す。
図６に示すプラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これらの各処理室５１〜５４に基体２を搬送する搬送装置５５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心として放射状に配置されている。
【００５４】
まず、これらの装置を用いた概略の工程を説明する。予備加熱工程は、図６に示す予備加熱処理室５１において行われる。そしてこの処理室５１により、隔壁部形成工程から搬送された基体２を所定の温度に加熱する。予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基体２は第１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５２，５３において隔壁部１２２にプラズマ処理を行い親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥液化処理の後に基体を冷却処理室に搬送し、冷却処理室５４おいて基体を室温まで冷却する。この冷却工程後、搬送装置により次の工程である正孔注入／輸送層形成工程に基体を搬送する。
以下に、それぞれの工程について詳細に説明する。
【００５５】
(2)-1予備加熱工程
予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処理室５１において、隔壁部１２２を含む基体２を所定の温度まで加熱する。
基体２の加熱方法は、例えば処理室５１内にて基体２を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基体２を加熱する方法がとられている。なお、これ以外の方法を採用することも可能である。
予備加熱処理室５１において、例えば７０℃〜８０℃の範囲に基体２を加熱する。この温度は次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次の工程に合わせて基体２を事前に加熱し、基体２の温度ばらつきを解消することを目的としている。
【００５６】
ここで、仮に予備加熱工程を加えなければ、基体２は室温から上記のような温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しながら処理される事になる。このように基板温度が変化するなかでプラズマ処理を行うことは、有機ＥＬ素子の特性が不均一となる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
プラズマ処理工程においては、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ上に基体２を載置した状態で親液化工程または撥液化工程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ一致させることが好ましい。例えば、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温度、例えば７０℃〜８０℃まで予め基板母材を予備加熱することにより、多数の基板にプラズマ処理を連続的に行った場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、基体２の表面処理条件を同一にし、隔壁部１２２の組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品質を有する表示装置を製造することができる。また、基体２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ処理における処理時間を短縮することができる。
【００５７】
(2)-2活性化処理（親液化工程）
次に第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行われる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化工程が含まれる。
親液化工程として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。図７は第１プラズマ処理の態様を説明するための模式図である。図７に示すように、隔壁部１２２を含む基体２は加熱ヒータ内蔵の試料ステージ５６上に載置され、基体２の上側にはギャップ間隔０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基体２に対向して配置されている。基体２は、試料ステージ５６によって加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態の酸素が照射される。
Ｏ２プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０℃〜９０℃の条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱は、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
【００５８】
このＯ２プラズマ処理により、図８に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物隔壁層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物隔壁層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図８では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。なお、このＯ２プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
【００５９】
(2)-3撥液処理工程（撥液化工程）
次に、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３の内部構造は図７に示した第１プラズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基体２は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭素）が照射される。
ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基体搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０℃〜９０℃の条件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。また、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。
【００６０】
ＣＦ４プラズマ処理により、図９に示すように、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物隔壁層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。有機物隔壁層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。また、Ｏ２プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。なお、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物隔壁層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこのＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
【００６１】
(2)-4冷却工程
次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ処理のために加熱された基体２を管理温度まで冷却する。これは、以降の工程である液滴吐出工程（機能層形成工程）の管理温度まで冷却するために行う工程である。
この冷却処理室５４は、基体２を配置するためのプレートを有し、そのプレートは基体２を冷却するように水冷装置が内蔵された構造となっている。
また、プラズマ処理後の基体２を室温、または所定の温度（例えば液滴吐出工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の機能層形成工程において、基板母材の温度が一定となり、基体２の温度変化が無い均一な温度で次工程を行うことができる。したがって、このような冷却工程を加えることにより、液滴吐出法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成できる。例えば、機能層としての正孔注入／輸送層を形成するための材料を含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の容積で連続して吐出させることができ、該正孔注入／輸送層を均一に形成することができるのである。
【００６２】
上記のプラズマ処理工程では、材質が異なる有機物隔壁層１１２ｂ及び無機物隔壁層１１２ａに対して、Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理とを順次行うことにより、隔壁部１２２に親液性の領域と撥液性の領域を容易に設けることができる。
なお、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図６に示したものに限られず、例えば図１０に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。
図１０に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６４に基体２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図中矢印方向両側）に配置されてなるものである。
このプラズマ処理装置６０では、図６に示したプラズマ処理装置５０と同様に、隔壁部形成工程から搬送された基体２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行った後、基体２を次の正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）に搬送する。
また，上記プラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置を用いても良い。
【００６３】
(3)正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）
正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット装置（液滴吐出装置）を用いたインクジェット法（液滴吐出法）により、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（液状体）を電極面１１１ａ上に吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物隔壁層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された無機物隔壁層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。なお、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。液滴吐出法による製造方法は以下の通りである。
【００６４】
本実施形態の表示装置の製造方法に好適に用いられる液滴吐出ヘッドの一例として、図１１のようなヘッドＨを例示できる。このヘッドＨは図１１に示すように、複数の液滴吐出ヘッドＨ1と、これらの液滴吐出ヘッドＨ1を支持する支持基板Ｈ7を主として構成されている。さらに、基体と上記のヘッドＨの配置に関しては図１２のように配置することが好ましい。図１２に示す液滴吐出装置において、符号１１１５は基体２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副走査方向）に移動でき、さらにヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、液滴吐出ヘッドＨ1を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。
【００６５】
図１２に示す基体２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域（表示用画素形成領域）２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基体２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基体２を図中上側に移動させ、基体２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基体の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。なお、図１１に示すヘッドＨ及び図１２に示す液滴吐出装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いても良い。
【００６６】
図１３は液滴吐出ヘッドＨ1をインク吐出面の側からみた斜視図である。図１３に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1のインク吐出面（基体２との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列でノズルｎが複数設けられている。このように、複数のノズルｎが列状に配列されることにより２つのノズル列Ｎ、Ｎが構成されている。１つのノズル列Ｎに含まれるノズルｎの数は例えば１８０個であり、１つの液滴吐出ヘッドＨ1に３６０個のノズルｎが形成されている。また、ノズルｎの孔径は例えば２８μｍであり、ノズルｎ間のピッチは例えば１４１μｍである。
【００６７】
液滴吐出ヘッドＨ1は、例えば、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示す内部構造を有する。具体的には、液滴吐出ヘッドＨ1は、例えばステンレス製のノズルプレート２２９と、それに対向する振動板２３１と、それらを相互に接合する仕切部材２３２とを有する。ノズルプレート２２９と振動板２３１との間には、仕切部材２３２によって複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とが形成されている。複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とは通路２３８を介して互いに連通している。
【００６８】
振動板２３１の適所には組成物供給孔２３６が形成され、この組成物供給孔２３６に組成物供給装置２３７が接続される。組成物供給装置２３７は、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（液状体）を組成物供給孔２３６に供給する。供給された第１組成物は液溜まり２３４に充満し、さらに通路２３８を通って組成物室２３３に充満する。
【００６９】
ノズルプレート２２９には、組成物室２３３から第１組成物をジェット状に噴射するためのノズルｎが設けられている。また、振動板２３１の組成物室２３３を形成する面の裏面には、組成物室２３３に対応させて組成物加圧体２３９が取り付けられている。この組成物加圧体２３９は、図１４（ｂ）に示すように、圧電素子２４１並びにこれを挟持する一対の電極２４２ａ及び２４２ｂを有する。圧電素子２４１は電極２４２ａ、２４２ｂへの通電によって矢印Ｃで示す外側へ突出するように撓み変形し、これにより組成物室２３３の容積が増大する。すると、増大した容積分に相当する第１組成物が液溜まり２３４から通路２３８を通って組成物室２３３に流入する。
【００７０】
次に圧電素子２４１への通電を解除すると、圧電素子２４１と振動板２３１はともに元の形状に戻る。これにより、組成物室２３３も元の容積に戻るため組成物室２３３の内部にある第１組成物の圧力が上昇し、ノズルｎから基体２へ向けて第１組成物が液滴１１０ｃとなって噴出する。
【００７１】
図１５には、基体２に対して液滴吐出ヘッドＨ1を走査させた状態を示す。図１５に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1は、図中Ｘ方向に沿う方向に相対的に移動しながら第１組成物（液状体）を吐出するが、その際、ノズル列Ｎの配列方向Ｚが、主走査方向（Ｘ方向に沿う方向）に対して傾斜した状態になっている。
【００７２】
図１６には、図１５の要部を液滴吐出ヘッドＨ1側から見た拡大図を示す。図１６では、図中Ｙ方向（副走査方向）に沿って配置された３つの画素領域Ａ1〜Ａ3が図示されている。そして、液滴吐出ヘッドＨ1の一部に設けられた符号ｎ1a〜ｎ3bで表される６つのノズルが図示されている。６つのノズルのうちのノズルｎ1a、ｎ2a、ｎ3aの３つは、液滴吐出ヘッドＨ1が図示Ｘ方向に移動した場合に各画素領域Ａ1〜Ａ3上にそれぞれ位置するように配置されており、残りの３つのノズルｎ1b、ｎ2b、ｎ3bは、液滴吐出ヘッドＨ1が図示Ｘ方向に移動した場合に隣接する画素領域Ａ1〜Ａ3の間に位置するように配置されている。なお、これら６つのノズルｎ1a〜ｎ3bは、いずれも１のノズル列Ｎに含まれるものである。この液滴吐出ヘッドＨ1は、図示略の駆動手段により、図示Ｙ方向及び図示Ｙ方向の反対方向にシフトできるようになっている。このように、液滴吐出ヘッドＨ1のノズル列Ｎを主走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素領域Ａのピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素領域Ａのピッチに対しても対応させることができる。
【００７３】
次に、液滴吐出ヘッドＨ1を走査して、所定領域に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する工程について説明する。この工程には、（１）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を１回で行う方法、（２）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回で行い、且つ各走査中において複数のノズルを用いる方法、（３）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回で行い、且つ各走査毎に別のノズルを用いる方法、のうちいずれも採用することができるが、本実施形態では（１）の方法を採用した。
【００７４】
図１７は、液滴吐出ヘッドＨ1の１回の走査で各画素領域Ａ1〜Ａ3に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する場合の工程を示す工程図である。図１７（ａ）は、液滴吐出ヘッドＨ1が図１６における位置から図示Ｘ方向に沿って走査した後の状態を示し、図１７（ｂ）は図１７（ａ）に示す状態から液滴吐出ヘッドＨ1が僅かに図示Ｘ方向に走査するとともに、図示Ｙ方向の反対方向にシフトした状態を示し、図１７（ｃ）は図１７（ｂ）に示す状態から液滴吐出ヘッドＨ1が僅かに図示Ｘ方向に走査するとともに、図示Ｙ方向にシフトした状態を示している。また、図１８には隔壁部１２２に囲まれた被吐出領域の断面構成を示している。
【００７５】
図１７（ａ）では、液滴吐出ヘッドＨ1に形成された各ノズルのうち、３つのノズルｎ1a〜ｎ3aから正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（液状体）を画素領域Ａ1〜Ａ3に吐出する。なお、本実施形態では液滴吐出ヘッドＨ1を走査することにより第１組成物を吐出するが、基体２を走査することによっても可能である。さらに、液滴吐出ヘッドＨ1と基体２とを相対的に移動させることによっても第１組成物を吐出させることができる。なお、これ以降の液滴吐出ヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００７６】
液滴吐出ヘッドＨ1による吐出は以下の通りである。すなわち、図１７（ａ）及び図１８に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1に形成されてなるノズルｎ1a〜ｎ3aを電極面１１１ａに対向して配置し、ノズルｎ1a〜ｎ3aから最初の第１組成物の液滴１１０ｃ1を吐出する。画素領域Ａ1〜Ａ3は、画素電極１１１と当該画素電極１１１の周囲を区画する隔壁部１２２から形成されており、これらの画素領域Ａ1〜Ａ3に対し、ノズルｎ1a〜ｎ3aから１滴当たりの液量が制御された最初の第１組成物の液滴１１０ｃ1を吐出する。
【００７７】
次に図１７（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に僅かに走査させるとともに、図示Ｙ方向の反対方向にシフトさせることによってノズルｎ1b〜ｎ3bを各画素領域Ａ1〜Ａ3上に位置させる。そして、各ノズルｎ1b〜ｎ3bから第１組成物の２滴目の液滴１１０ｃ2を画素領域Ａ1〜Ａ3に向けて吐出する。
さらに図１７（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に僅かに走査させるとともに、図示Ｙ方向にシフトさせることによってノズルｎ1a〜ｎ3aを再び各画素領域Ａ1〜Ａ3上に位置させる。そして、各ノズルｎ1a〜ｎ3aから第１組成物の３滴目の液滴１１０ｃ3を画素領域Ａ1〜Ａ3に向けて吐出する。
【００７８】
このようにして、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に沿って走査させつつ、図示Ｙ方向に沿って僅かにシフトさせることにより、一の画素領域Ａ1等に対して２つのノズルから第１組成物の液滴を順次吐出する。一の画素領域Ａ1に対して吐出する液滴の数は、例えば６〜２０滴の範囲とすることができるが、この範囲は画素の面積によって代わるものであり、この範囲より多くても少なくても構わない。各画素領域（電極面１１１ａ上）に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。
【００７９】
このように、１回の走査で正孔注入／輸送層を形成する場合において、第１組成物の吐出のたびにノズルの切替えを行い、各画素領域Ａ1〜Ａ3に対して各々２つのノズルから第１組成物を吐出するので、従来のように、１の画素領域Ａ1等に対して１つのノズルで複数回吐出する場合と比較して、ノズル間の吐出量のバラツキが相殺されるので、各画素電極１１１…における第１組成物の吐出量のバラツキが小さくなり、正孔注入／輸送層を同じ膜厚で形成することができる。これにより、画素毎の発光量を一定に保つことができ、表示品質に優れた表示装置を製造することができる。
【００８０】
次に、実際の吐出手順について説明する。本実施形態では、まず、図１８に示すように、ダミー領域２ｂのみに第１組成物の液滴１１０ｃを吐出するものとしており、その後、図１９に示すように、表示領域２ａに対して第１組成物の液滴１１０ｃを本吐出するものとしている。
【００８１】
ここで、本実施形態では、特にダミー領域２ｂに吐出される第１組成物の総体積を該ダミー領域２ｂの面積で除した値が、表示領域２ａに吐出される第１組成物の総体積を該表示領域２ａの面積で除した値よりも大きくなるように吐出条件を設定している。なお、ダミー領域２ｂの面積及び表示領域２ａの面積は、それぞれの領域に属する隔壁部１２２によって囲まれた領域の総面積を言うものとする。このような吐出条件の採用により、吐出を行った後に乾燥を行う場合に、表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の分圧が、ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、ダミー領域２ｂにおける溶媒の蒸発速度を表示領域２ａにおける溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。
【００８２】
なお、ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(ＰＥＤＯＴ)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(ＰＳＳ)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。
極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に異なるものを用いても良い。
【００８３】
次に、乾燥工程を行う。乾燥工程を行うことにより、第１組成物に含まれる極性溶媒が蒸発し、図２０に示すような正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。乾燥処理を行うと、第１組成物の液滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物隔壁層１１２ａ及び有機物隔壁層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより図２０に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ2が形成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物隔壁層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物隔壁層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
【００８４】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成される。このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１１０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。なお、周縁部１１０ａ2には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であっても構わない。また、図２０においては、ダミー領域２ｂにも正孔注入／輸送層１１０ａが形成されているが、該ダミー領域２ｂの正孔注入／輸送層１１０ａは実際には駆動されず、つまり正孔を注入／輸送する役割は実現されないものである。
【００８５】
ここで、本実施の形態では、上述の通り、ダミー領域２ｂと表示領域２ａとにおいて、吐出する溶媒の単位面積当りの容量を異ならせている。従って、乾燥工程において、表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の分圧が、ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、ダミー領域２ｂにおける溶媒の蒸発速度を表示領域２ａにおける溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。そして、このような吐出条件の導入により、表示領域２ａのうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなり、該周辺部と中央部とにおいて均一な膜厚の正孔注入／輸送層１１０ａを形成できるようになる。
【００８６】
なお、乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ〜１３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ〜０．１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。ここで、急激に圧力を低下させると第１組成物の液滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を高温にしてしまうと、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。従って、３０℃〜８０℃の範囲が好ましい。
乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中、２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行って、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００８７】
(4)発光層形成工程
次に発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程、および乾燥工程、とからなる。
まず、正孔注入／輸送層１１０ａの表面を改質するために表面改質工程を行う。次に、前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、液滴吐出法により発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する（発光層形成材料吐出工程）。その後、吐出した第２組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する（乾燥工程）。なお、発光層形成材料吐出工程においても、第１組成物を吐出した場合と同様に、ダミー領域２ｂに対して、表示領域２ａよりも相対的に多い容量（単位面積当りの容量）の溶媒を吐出するものとしている。
【００８８】
発光層形成材料を含む第２組成物を吐出する際には、図２１に示すように、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルＨ6を対向させ、液滴吐出ヘッドＨ5と基体２とを相対移動させながら、第２組成物１１０ｅが吐出される。この場合、正孔注入／輸送層形成工程と同様に、一の画素領域に対して複数のノズルにより第２組成物１１０ｅの吐出を行う。
【００８９】
発光層１１０ｂを形成する材料としては、例えばポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００９０】
また、発光層形成材料を溶解ないし分散させる溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。このような溶媒（非極性溶媒）を用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を吐出できるようになる。
【００９１】
吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは、吐出された液滴が所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが該液滴で濡れることがなく、該液滴が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００９２】
次に、第２組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物１１０ｅを乾燥処理することにより発光層１１０ｂ3が形成される。すなわち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図２２に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が形成される。なお、図２２においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない画素領域に多数の発光層（青色に対応）が形成されている。
【００９３】
なお、上述の通り、発光層形成工程においても、ダミー領域２ｂと表示領域２ａとにおいて吐出する溶媒の単位面積当りの容量を異ならせている。従って、乾燥工程において、表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の分圧が、ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、ダミー領域２ｂにおける溶媒の蒸発速度を表示領域２ａにおける溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。そして、このような吐出条件の導入により、表示領域２ａのうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなり、該周辺部と中央部とにおいて均一な膜厚の発光層１１０ｂ3を形成できるようになる。
【００９４】
続けて、図２３に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程により赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
【００９５】
また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、青色１１０ｂ3の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ〜１３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ〜０．１Ｔｏｒｒ）程度として５分〜１０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を高温にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまう場合がある。なお、好ましくは、３０℃〜８０℃の範囲が良い。
【００９６】
また緑色発光層１１０ｂ2、及び赤色発光層１１０ｂ1の場合、発光層形成材料の成分数が多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５分〜１０分行う条件とするのがよい。その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００９７】
(5)対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極形成工程では、図２４に示すように、発光層１１０ｂ及び有機物隔壁層１１２ｂの全面に陰極（対向電極）１２を形成する。なお、陰極１２は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にフッ化リチウム等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。
【００９８】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、さらに所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2には、カルシウムからなる上部陰極層が接することとなる。
【００９９】
また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１００】
(6)封止工程
最後に封止工程は、機能層１１０を含む発光素子が形成された基体２と封止基板６０４（図２参照）とを封止樹脂６０３により封止する工程である。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂６０３を基体２の全面に塗布し、封止樹脂６０３上に封止基板６０４を積層する。この工程により基体２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化される惧れがあるので好ましくない。
さらに、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続し、本実施形態の表示装置１が得られる。
【０１０１】
以上、本実施形態の表示装置１の製造方法を示したが、本実施形態では、発光素子のうち機能層１１０を形成する工程において液滴吐出法を採用しており、吐出する溶媒の体積（単位面積当りの体積）について、表示領域２ａよりもダミー領域２ｂに対して相対的に多くの溶媒を吐出するものとしている。具体的には、図２５に示すように、ダミー領域２ｂに滴下した第１組成物（第２組成物）９ｂの単位面積当りの容量を、表示領域２ａに滴下した第１組成物（第２組成物）９ａの単位面積当りの容量よりも多くしており、結果として溶媒量がダミー領域２ｂで相対的に多くなるものとなっている（図２５（ａ），（ｂ））。
【０１０２】
これにより、図２５（ｃ）に示すように、ダミー領域２ｂの蒸発溶媒分子の蒸気圧が、表示領域２ａの蒸発溶媒分子の蒸気圧よりも大きくなり、ひいては表示領域２ａのうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなる。その結果、周辺部と中央部とにおいて均一な等しい膜厚の正孔注入／輸送層１１０ｂ若しくは発光層１１０ｃ（機能層１１０）を形成できるようになる。そして、この場合、表示領域２ａ全域において、特に中央部又は周辺部に拘らず、素子特性（表示特性）にむらの少ない信頼性に優れた有機ＥＬ装置１を提供することができるようになる。
【０１０３】
以下、上記正孔注入／輸送層１１０ｂ若しくは発光層１１０ｃ（機能層１１０）を形成する際の液滴の吐出態様について、その変形例を説明する。なお、以下において単に吐出量と言うときは、単位面積当りの吐出量を言うものとする。
まず、図２６に示すように、ダミー領域２ｂにおける吐出領域の面積（つまり隔壁部１２２に囲まれてできる開口部の面積）を、表示領域２ａにおける吐出領域の面積よりも大きく構成することで、吐出量をダミー領域２ｂにおいて相対的に多くすることができる。特に、矩形状に形成された表示領域２ａの角部に位置するダミー領域２ｃにおいて、その他のダミー領域２ｂよりも吐出量を多くすることが好ましい。
【０１０４】
また、図２７に示すようにダミー領域２ｂの略全域に亙って第１組成物（第２組成物）９ｂ，９ｃを吐出するものとすることもできる。この場合、ダミー領域２ｂにおける吐出量を、表示領域２ａにおける吐出量よりも確実に多くすることができるようになる。特に、表示領域２ａが長方形状である場合には、短辺方向のダミー領域Ａにおいて、長辺方向のダミー領域Ｂよりも吐出量を多くすることが好ましい。これにより蒸発溶媒分子の蒸気圧を基体面内において一層均一にすることができるようになる。なお、ダミー領域２ｂの全域に亙って液滴を吐出する場合でなくても、図２８に示すように隔壁部（図示略）によって囲まれた領域のみに液滴を吐出する場合にも、表示領域２ａが長方形状のときには、短辺方向のダミー領域Ａにおいて、長辺方向のダミー領域Ｂよりも吐出量を多くすることが好ましい。
【０１０５】
また、図２９に示すように、表示領域２ａが長方形状である場合であって、長辺方向に同一色（例えばＲ（赤）、或いはＧ（緑）、Ｂ（青））の発光層１１０ｃを配列する場合には、短辺方向のダミー領域Ａにおいて、長辺方向のダミー領域Ｂよりも吐出量を多くすることが好ましい。これにより、例えば各色毎に溶媒を乾燥させるときに、蒸発溶媒分子の蒸気圧を基体面内において一層均一にすることができるようになる。
【０１０６】
さらに、図３１に示すように、ダミー領域２ｂにおける吐出領域の面積（つまり隔壁部１２２に囲まれてできる開口部の面積）を、表示領域２ａにおける吐出領域の面積よりも小さく構成することもできる。この場合にも、ダミー領域２ｂにおける吐出量を表示領域２ａにおける吐出量よりも相対的に多くすることで、当該ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を高めることができ、ひいては表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を面内において均一化することができる。
【０１０７】
また、図３２に示すように、ダミー領域２ｂにおける吐出領域の面積（つまり隔壁部１２２に囲まれてできる開口部の面積）を、表示領域２ａにおける吐出領域の面積よりも小さく構成し、該ダミー領域２ｂの吐出領域を密に配設することもできる。この場合も、ダミー領域２ｂにおける吐出量を表示領域２ａにおける吐出量よりも相対的に多くすることで、当該ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を高めることができ、ひいては表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を面内において均一化することができる。
【０１０８】
さらに、図３３に示すように、ダミー領域２ｂにおける吐出領域の面積（つまり隔壁部１２２に囲まれてできる開口部の面積）を、表示領域２ａにおける吐出領域の面積よりも小さく構成し、ダミー領域２ｂの吐出領域を密に配設する場合において、該ダミー領域２ｂの吐出領域を、表示領域２ａの吐出領域と同一列及び／又は同一行に形成することができる。この場合も、ダミー領域２ｂにおける吐出量を表示領域２ａにおける吐出量よりも相対的に多くすることで、当該ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を高めることができ、ひいては表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を面内において均一化することができる。そして、この場合には、同一列及び／又は同一行に対して吐出を行えば良いため、図３２の例に比して吐出工程が非常に簡便なものとなる。
【０１０９】
以上、本実施の形態では、機能層１１０を形成する際に本発明に係る方法を採用するものとしているが、例えば液晶装置等に用いるカラーフィルタ基板に対しても本発明を採用することができる。具体的には、所定の色光を選択的に透過しカラーフィルタとして機能する機能領域（上記実施の形態では表示領域２ａに相当）と、該機能領域以外の非機能領域（上記実施の形態ではダミー領域２ｂに相当）とを有するカラーフィルタ基板の製造プロセスにおいて、基板上に、着色層を構成する着色材料を溶媒に溶解ないし分散させた組成物（液状体）を液滴吐出法にて吐出するものとすることができる。そして、この吐出工程において、上述した機能層１１０の形成工程と同様、非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすれば、上記実施形態と同様の効果を発現することができ、機能領域内において均一な膜厚のカラーフィルタ基板を製造することができる。
【０１１０】
（第２の実施形態）
次に、第１の実施形態の表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。図３０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図３０において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は表示装置１を用いた表示部を示している。このような電子機器は、第１の実施形態の表示装置１を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態の表示装置１の特徴を有するので、表示ムラの少ない表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図。
【図２】図１の表示装置の平面模式図及び断面模式図。
【図３】図１の表示装置の要部断面模式図。
【図４】図１の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図５】図４に続く製造方法を説明する工程図。
【図６】プラズマ処理装置の一例を示す平面模式図。
【図７】プラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の内部構造を示す模式図。
【図８】図５に続く製造方法を説明する工程図。
【図９】図８に続く製造方法を説明する工程図。
【図１０】プラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図。
【図１１】液滴吐出用ヘッドの一例を示す平面図。
【図１２】液滴吐出装置の一例を示す平面図。
【図１３】液滴吐出ヘッドの一例を示す斜視図。
【図１４】図１３に示す液滴吐出ヘッドの内部構造を示す斜視図及び断面図。
【図１５】基体に対する液滴吐出ヘッドの配置状態を示す平面図。
【図１６】図１５の要部を示す拡大図。
【図１７】液滴吐出ヘッドの１回の走査で正孔注入／輸送層を形成する場合の工程を示す工程図。
【図１８】図９に続く製造方法を説明する工程図。
【図１９】図１８に続く製造方法を説明する工程図。
【図２０】図１９に続く製造方法を説明する工程図。
【図２１】図２０に続く製造方法を説明する工程図。
【図２２】図２１に続く製造方法を説明する工程図。
【図２３】図２２に続く製造方法を説明する工程図。
【図２４】図２３に続く製造方法を説明する工程図。
【図２５】液滴の吐出態様について示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図２６】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図２７】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図２８】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図２９】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図３０】本発明の第２の実施形態である電子機器を示す斜視図。
【図３１】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図３２】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図３３】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【符号の説明】
【０１１２】
１…表示装置（有機ＥＬ装置、電気光学装置）、２ａ…表示領域（機能領域）、２ｂ…ダミー領域（非機能領域）、２…基体（基板）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機蛍光材料等の機能材料をインク化し、該インク（組成物）を基材上に吐出する液滴吐出法により、機能材料のパターニングを行う方法を採用して、一対の電極間に該機能材料からなる機能層が挟持された構成の電気光学装置、特に機能材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の開発が行われている。
【０００３】
上述した機能材料のパターニング法として、基材上に形成したＩＴＯ等からなる画素電極の周囲に隔壁部を形成するとともに、次に画素電極及びこの画素電極に隣接する前記隔壁部の一部を親液性に処理するとともに隔壁部の残りの部分を撥液性に処理し、次に機能層の構成材料を含むインクを画素電極に吐出して乾燥することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が採用されている。具体的には、複数のノズルが副走査方向に沿って配列されてなるノズル列を有する液滴吐出ヘッドを用い、この液滴吐出ヘッドを基板に対して主走査方向に走査しつつ、前記ノズルからインクを吐出することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が知られている。このように方法は、マイクロオーダーの液滴を画素領域に配することが可能なため、材料の利用効率を考えると、スピンコートなどの方法に比べて有効である。
【０００４】
しかしながら、画素領域で構成される表示領域のうち周辺部では、基体から蒸発する溶媒分子の分圧が該表示領域の中央部よりも少なくなる場合がある。このような現象が生じると、周辺部において溶媒の蒸発速度が極端に速くなり、その結果、製造される電気光学装置において機能層の膜厚むらが生じる惧れがある。このような膜厚むらが生じた電気光学装置は、その電気光学特性が低下し、これを表示装置等として用いた場合には、表示むらを生じることもある。そこで、これを解決するために、例えば特許文献１のような技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−２５２０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に開示された技術は、周辺部のさらに外側に表示に寄与しないダミー領域を形成し、該ダミー領域にも機能層と同一のインクを塗布することで、表示領域の中央部と周辺部とにおいて機能層の膜厚むらが生じることを防止ないし抑制している。しかしながら、ダミー領域を形成して、これにインクを表示領域と同様に塗布するのみでは、十分な膜厚むらの解消には至らない場合がある。つまり、ダミー領域にインクを塗布するとしても、表示領域の周辺部において、中央部よりも溶媒の乾燥が速くなる場合があり、これにより膜厚むらの発生を十分に回避できない場合もある。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、基板面内で均一な膜厚の着色パターンを形成することが可能なカラーフィルタ基板の製造方法と、均一な膜厚の画素パターンを形成することが可能な電気光学装置の製造方法とを提供することを目的としている。また、本発明は、このような製造方法を用いて製造された電気光学装置と、これを備える電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明のカラーフィルタ基板の製造方法は、複数の着色層を含み、所定の色光を選択的に透過しカラーフィルタとして機能する機能領域と、該機能領域以外の非機能領域とを有するカラーフィルタ基板の製造方法であって、基板上に、前記着色層を構成する着色材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、該吐出工程において、前記機能領域には前記液状体を吐出し、前記非機能領域には前記液状体又は前記溶媒を吐出するものとしており、前記非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする。
【０００８】
このようなカラーフィルタ基板の製造方法によると、非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を機能領域に吐出される該容量よりも多くしているため、吐出を行った後、溶媒の乾燥を行う場合において、機能領域における蒸発溶媒分子の分圧が、非機能領域における蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、非機能領域における溶媒の蒸発速度を機能領域における溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。従って、機能領域のうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなり、該周辺部と中央部とにおいて一層均一で等しい膜厚の着色層を形成できるようになる。そして、この場合、機能領域全域において、特に中央部又は周辺部に拘らず、色むらの少ない信頼性に優れたカラーフィルタ基板を提供することができるようになる。
【０００９】
次に、上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、画素毎に電気光学素子が機能する機能領域と、該機能領域の周辺に形成される非機能領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、基板上に、前記電気光学素子を構成する機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、該吐出工程において、前記機能領域には前記液状体を吐出し、前記非機能領域には前記液状体又は前記溶媒を吐出するものとしており、前記非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする。
【００１０】
このような電気光学装置の製造方法によると、非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を機能領域に吐出される該容量よりも多くしているため、吐出を行った後、溶媒の乾燥を行う場合において、機能領域における蒸発溶媒分子の分圧が、非機能領域における蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、非機能領域における溶媒の蒸発速度を機能領域における溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。従って、機能領域のうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなり、該周辺部と中央部とにおいて一層均一な膜厚の電気光学素子を構成する層（電気光学素子層）からなる画素パターンを形成できるようになる。そして、この場合、機能領域全域において、特に中央部又は周辺部に拘らず、素子特性にむらの少ない信頼性に優れた電気光学装置を提供することができるようになる。
【００１１】
上記電気光学装置の製造方法は、前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域をそれぞれ同じパターンにて形成する（つまり各領域で同じ形状、同じ面積のものを等間隔で形成する）工程を含むものとすることができ、この場合、前記吐出工程においては、前記非機能領域の液受容領域に対して吐出される溶媒の量を、前記機能領域の液受容領域に対して吐出される溶媒の量よりも多くすることが好ましい。このようにすることで、非機能領域における単位面積当りの溶媒の吐出容量を、機能領域における単位面積当りの溶媒の吐出容量よりも多くすることができるようになり、本発明の効果を好適に実現できるようになる。
【００１２】
一方、前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含むものとすることができ、この場合、該液受容領域の形成工程において、前記機能領域における液受容領域の面積を、前記非機能領域における液受容領域の面積よりも大きく形成することが好ましい。このように非機能領域における液受容領域の面積を大きくすることで、該非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、機能領域におけるものよりも好適に多くすることができるようになる。
【００１３】
或いは、前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含み、さらに、前記機能領域を平面視長方形状として、該機能領域の長辺方向と短辺方向において前記非機能領域における前記液受容領域の密度を異なるものとし、前記非機能領域における液受容領域の密度が大きい方に対して吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記非機能領域における液受容領域の密度が小さい方に対して吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることができる。液受容領域の密度が大きいと、隣接する液受容領域同士が干渉しやすいため、該密度の大きい方に対して吐出する溶媒の量を大きくすることが好ましい。
【００１４】
また、前記機能領域が平面視長方形状である場合に、その機能領域の短辺方向に沿って形成される第１非機能領域と、機能領域の長辺方向に沿って形成される第２非機能領域とに関し、前記吐出工程において、前記第１非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記第２非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることができる。つまり、第１非機能領域と第２非機能領域のうち、機能領域の中心部から遠い第１非機能領域において相対的に溶媒の量を多くすることで、該機能領域の中心部での溶媒蒸発速度と、非機能領域での溶媒蒸発速度とをより近づけることができるようになり、平面視長方形状に形成された機能領域における電気光学素子層の膜厚を均一化する上で好ましい。
【００１５】
また、前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含む場合、該液受容領域の形成工程において、前記非機能領域の液受容領域を前記機能領域に沿って帯状に形成することが好ましい。このように非機能領域の液受容領域を機能領域に沿って帯状に形成し、該液受容領域に溶媒を吐出するものとすれば、高効率で非機能領域での溶媒の量（単位面積当りの溶媒の量）を増やすことができるようになる。
【００１６】
次に、本発明の電気光学装置は上記方法により製造されたことを特徴とする。このような電気光学装置は、電気光学素子層の膜厚が均一な画素パターンにて構成されるため、信頼性の高いものとなり、特にこれを表示装置として用いた場合には、表示むらの少ない視認性に優れた表示装置となる。また、本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えたもので、これを表示部として具備させたものとすることができる。この場合、当該電子機器は信頼性が高く、視認性に優れた表示部を備えたものとなる。
【００１７】
なお、本発明の電気光学装置として好適には有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬとも言う）を例示することができる。このような有機ＥＬ装置においては、表示に寄与する領域を機能領域とし、表示に寄与しない領域を非機能領域とすることができる。そして、該有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば基板上の機能領域及び非機能領域に液受容領域を形成するための隔壁部を形成する工程と、該隔壁部に囲まれた液受容領域に有機ＥＬ素子（電気光学素子）形成用組成物からなる液状体を吐出する工程とを含むものとすることができる。
【００１８】
なお、有機ＥＬ素子形成用組成物としては、例えば発光層ないし正孔注入／輸送層等の機能層形成材料、詳しくは機能層形成有機材料を所定の溶媒に分散又は溶解したものを用いることができる。また、液状体の吐出は、例えば液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置にて行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
以下、本発明の電気光学装置の第１実施形態たる有機ＥＬ表示装置について、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す説明図であって、図２は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の平面模式図（ａ）及び断面模式図（ｂ）である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００２０】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
さらに、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１１３と、この駆動用薄膜トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極（電極））１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。なお、電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００２１】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
次に図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明な基体２と、マトリックス状に配置された発光素子と、封止基板６０４を具備している。基体２上に形成された発光素子は、画素電極１１１と、機能層１１０と、陰極１２により形成されている。
基体２は、例えばガラス等の透明基板であり、基体２の中央に位置する表示領域２ａと、基体２の周縁に位置して表示領域２ａの外側に配置された非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域若しくは機能領域とも言う。また、非表示領域２ｂは、表示領域２ａに隣接して形成され、表示に寄与しないダミー領域（非機能領域）として構成されている。
【００２３】
また、図２（ｂ）に示すように、基体２の厚さ方向において、発光素子及び隔壁部からなる発光素子部１１と基体２との間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１１３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が基体２上に形成された陰極用配線（図示略）に接続しており、この配線の一端部１２ａがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００２４】
また、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、図２（ａ）に示した表示領域２ａの図示両横側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｂの下側の回路素子部１４内に設けられている。さらに回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
さらに図２（ａ）に示した表示領域２ａの図示上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００２５】
また図２（ｂ）に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、基体２に塗布された封止樹脂６０３と、缶封止基板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
この封止樹脂６０３は、基体２の周囲に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布されたものである。この封止樹脂６０３は、基体２と缶封止基板６０４を接合するもので、基体２と缶封止基板６０４の間から缶封止基板６０４内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を防止する。
缶封止基板６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基体２に接合されており、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、缶封止基板６０４の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
【００２６】
次に図３には、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基体２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次積層されて構成されている。
表示装置１においては、機能層１１０から基体２側に発した光が、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基体２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
【００２７】
回路素子部１４には、基体２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されており、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。さらに回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
【００２８】
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１１３が形成されている。なお、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００２９】
次に図３に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画する隔壁部１２２と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。これら画素電極（第１電極）１１１、機能層１１０及び陰極１２（対向電極（電極））によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画素電極１１１…の間に隔壁部１１２が備えられている。
【００３０】
隔壁部１２２は、図３に示すように、基体２側に位置する無機物隔壁層（第１隔壁層）１１２ａと、基体２から離れて位置する有機物隔壁層（第２隔壁層）１１２ｂとが積層されて構成されている。
【００３１】
無機物隔壁層、有機物隔壁層（１１２ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上を乗り上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物隔壁層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物隔壁層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物隔壁層１１２ａは、有機物隔壁層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側にさらに形成されている。このようにして、無機物隔壁層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
また、有機物隔壁層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物隔壁層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。
そして隔壁部１２２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物隔壁層１１２ａ及び有機物隔壁層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成されている。
【００３２】
また、無機物隔壁層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなることが好ましい。この無機物隔壁層１１２ａの膜厚は、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物隔壁層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなる場合があり好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなる場合があり好ましくない。
【００３３】
さらに、有機物隔壁層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材料から形成されている。この有機物隔壁層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物隔壁層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れる惧れがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物隔壁層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できなくなる場合があるので好ましくない。また、有機物隔壁層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１１３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
【００３４】
また、隔壁部１２２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物隔壁層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物隔壁層１１２ｂの上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。なお、有機物隔壁層は、フッ素ポリマーを含有する材料により形成しても良い。
【００３５】
次に図３に示すように、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層をさらに形成しても良い。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。
【００３６】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物隔壁層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物隔壁層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部１１０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される。
【００３７】
周縁部１１０ａ2が形成される場合においては、周縁部１１０ａ2は、第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物隔壁層１１２ｂに密着している。また、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物隔壁層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。
【００３８】
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置されている。
【００３９】
上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａの周縁部１１０ａ2が上部開口部１１２ｄの壁面（有機物隔壁層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１０ｂが有機物隔壁層１１２ｂに直接に接することがない。従って、有機物隔壁層１１２ｂに不純物として含まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１１０ａ2によって阻止することができ、水による発光層１１０ｂの酸化を防止できる。また、無機物隔壁層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ2が形成されるため、周縁部１１０ａ2が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態となり、周縁部１１０ａ2から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない。これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部１１２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にすることができる。また、無機物隔壁層１１２ａが有機物隔壁層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側にさらに延出されているので、この無機物隔壁層１１２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ1との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
【００４０】
さらに、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物隔壁層の第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物隔壁層１１２ａに均一に密着し、無機物隔壁１１２ａ上で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。また、有機物隔壁層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥液性を示すので、機能層１１０と有機物隔壁層１１２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
【００４１】
なお、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００４２】
次に陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００４３】
なお、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎｍ程度がよい。また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基体２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。さらにアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。なお、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配置する。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４を封止樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。
【００４４】
次に、本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置は、基板上に隔壁部を形成する隔壁部形成工程、隔壁の表面を処理するプラズマ処理工程、隔壁部の内側に機能層を形成する機能層形成工程、さらには対向電極形成工程、及び封止工程を含むものとされている。なお、本発明の製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００４５】
(1)隔壁部形成工程
隔壁部形成工程は、基体２上に隔壁部１１２を形成する工程である。隔壁部１１２は、第１の隔壁層として無機物隔壁層１１２ａが形成され、第２の隔壁層として有機物隔壁層１１２ｂが形成された構造である。以下に各層の形成方法について説明する。
【００４６】
(1)-1無機物隔壁層の形成
まず、図４に示すように、層間絶縁膜１４４ａ，１４４ｂ等を形成した基体２の所定位置に、所定パターンの無機物隔壁層１１２ａを形成する。無機物隔壁層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電極（ここでは画素電極）１１１上である。ここで、表示領域２ａには薄膜トランジスタ１１３が形成されているが、ダミー領域２ｂには、必ずしも薄膜トランジスタ１１３を形成する必要はない。
【００４７】
無機物隔壁層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。
さらに、無機物隔壁層１１２ａの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
無機物隔壁層１１２ａは、層間絶縁層１１４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物隔壁層１１２ａが形成される。開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。
このとき、無機物隔壁層１１２ａは画素電極１１１の周縁部（一部）と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の一部と無機物隔壁層１１２ａとが重なるように無機物隔壁層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。
【００４８】
(1)-2有機物隔壁層１１２ｂの形成
次に、第２隔壁層としての有機物隔壁層１１２ｂを形成する。
図５に示すように、表示領域２ａ及びダミー領域２ｂに形成した無機物隔壁層１１２ａ上に有機物隔壁層１１２ｂを形成する。有機物隔壁層１１２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物隔壁層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物隔壁層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられる。
【００４９】
上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無機物隔壁層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。さらに、有機物隔壁層１１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物隔壁層１１２ｂの開口部が画素電極１１１の幅より狭く、有機物隔壁層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅になるように有機物隔壁層１１２ｂを形成する事が好ましい。これにより、無機物隔壁層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物隔壁層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出された形になる。
このようにして、有機物隔壁層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物隔壁層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物隔壁層１１２ａ及び有機物隔壁層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成され、表示領域２ａ及びダミー領域２ｂに対してそれぞれ隔壁部１２２が形成されることとなる。
【００５０】
なお、有機物隔壁層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物隔壁層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまう惧れがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物隔壁層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１１３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００５１】
(2)プラズマ処理工程
次にプラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活性化すること、さらに隔壁部１２２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、さらに仕事関数の調整を主な目的として行っている。さらに、画素電極１１１の表面の親液化処理（親液化工程）、隔壁部１２２表面の撥液化処理（撥液化工程）を行う。
【００５２】
このプラズマ処理工程は、例えば(2)-1予備加熱工程、(2)-2活性化処理工程（親液化工程）、(2)-3撥液化処理工程（親液化工程）、及び(2)-4冷却工程とに大別される。なお、このような工程に限られるものではなく、必要に応じて工程を削減、さらなる工程追加も行われる。
【００５３】
まず、図６は、プラズマ処理工程で用いられるプラズマ処理装置を示す。
図６に示すプラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これらの各処理室５１〜５４に基体２を搬送する搬送装置５５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心として放射状に配置されている。
【００５４】
まず、これらの装置を用いた概略の工程を説明する。予備加熱工程は、図６に示す予備加熱処理室５１において行われる。そしてこの処理室５１により、隔壁部形成工程から搬送された基体２を所定の温度に加熱する。予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基体２は第１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５２，５３において隔壁部１２２にプラズマ処理を行い親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥液化処理の後に基体を冷却処理室に搬送し、冷却処理室５４おいて基体を室温まで冷却する。この冷却工程後、搬送装置により次の工程である正孔注入／輸送層形成工程に基体を搬送する。
以下に、それぞれの工程について詳細に説明する。
【００５５】
(2)-1予備加熱工程
予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処理室５１において、隔壁部１２２を含む基体２を所定の温度まで加熱する。
基体２の加熱方法は、例えば処理室５１内にて基体２を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基体２を加熱する方法がとられている。なお、これ以外の方法を採用することも可能である。
予備加熱処理室５１において、例えば７０℃〜８０℃の範囲に基体２を加熱する。この温度は次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次の工程に合わせて基体２を事前に加熱し、基体２の温度ばらつきを解消することを目的としている。
【００５６】
ここで、仮に予備加熱工程を加えなければ、基体２は室温から上記のような温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しながら処理される事になる。このように基板温度が変化するなかでプラズマ処理を行うことは、有機ＥＬ素子の特性が不均一となる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
プラズマ処理工程においては、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ上に基体２を載置した状態で親液化工程または撥液化工程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ一致させることが好ましい。例えば、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温度、例えば７０℃〜８０℃まで予め基板母材を予備加熱することにより、多数の基板にプラズマ処理を連続的に行った場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、基体２の表面処理条件を同一にし、隔壁部１２２の組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品質を有する表示装置を製造することができる。また、基体２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ処理における処理時間を短縮することができる。
【００５７】
(2)-2活性化処理（親液化工程）
次に第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行われる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化工程が含まれる。
親液化工程として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。図７は第１プラズマ処理の態様を説明するための模式図である。図７に示すように、隔壁部１２２を含む基体２は加熱ヒータ内蔵の試料ステージ５６上に載置され、基体２の上側にはギャップ間隔０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基体２に対向して配置されている。基体２は、試料ステージ５６によって加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態の酸素が照射される。
Ｏ２プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０℃〜９０℃の条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱は、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
【００５８】
このＯ２プラズマ処理により、図８に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物隔壁層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物隔壁層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図８では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。なお、このＯ２プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
【００５９】
(2)-3撥液処理工程（撥液化工程）
次に、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３の内部構造は図７に示した第１プラズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基体２は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭素）が照射される。
ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基体搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０℃〜９０℃の条件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。また、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。
【００６０】
ＣＦ４プラズマ処理により、図９に示すように、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物隔壁層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。有機物隔壁層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。また、Ｏ２プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。なお、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物隔壁層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこのＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
【００６１】
(2)-4冷却工程
次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ処理のために加熱された基体２を管理温度まで冷却する。これは、以降の工程である液滴吐出工程（機能層形成工程）の管理温度まで冷却するために行う工程である。
この冷却処理室５４は、基体２を配置するためのプレートを有し、そのプレートは基体２を冷却するように水冷装置が内蔵された構造となっている。
また、プラズマ処理後の基体２を室温、または所定の温度（例えば液滴吐出工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の機能層形成工程において、基板母材の温度が一定となり、基体２の温度変化が無い均一な温度で次工程を行うことができる。したがって、このような冷却工程を加えることにより、液滴吐出法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成できる。例えば、機能層としての正孔注入／輸送層を形成するための材料を含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の容積で連続して吐出させることができ、該正孔注入／輸送層を均一に形成することができるのである。
【００６２】
上記のプラズマ処理工程では、材質が異なる有機物隔壁層１１２ｂ及び無機物隔壁層１１２ａに対して、Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理とを順次行うことにより、隔壁部１２２に親液性の領域と撥液性の領域を容易に設けることができる。
なお、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図６に示したものに限られず、例えば図１０に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。
図１０に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６４に基体２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図中矢印方向両側）に配置されてなるものである。
このプラズマ処理装置６０では、図６に示したプラズマ処理装置５０と同様に、隔壁部形成工程から搬送された基体２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行った後、基体２を次の正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）に搬送する。
また，上記プラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置を用いても良い。
【００６３】
(3)正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）
正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット装置（液滴吐出装置）を用いたインクジェット法（液滴吐出法）により、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（液状体）を電極面１１１ａ上に吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物隔壁層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された無機物隔壁層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。なお、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。液滴吐出法による製造方法は以下の通りである。
【００６４】
本実施形態の表示装置の製造方法に好適に用いられる液滴吐出ヘッドの一例として、図１１のようなヘッドＨを例示できる。このヘッドＨは図１１に示すように、複数の液滴吐出ヘッドＨ1と、これらの液滴吐出ヘッドＨ1を支持する支持基板Ｈ7を主として構成されている。さらに、基体と上記のヘッドＨの配置に関しては図１２のように配置することが好ましい。図１２に示す液滴吐出装置において、符号１１１５は基体２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副走査方向）に移動でき、さらにヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、液滴吐出ヘッドＨ1を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。
【００６５】
図１２に示す基体２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域（表示用画素形成領域）２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基体２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基体２を図中上側に移動させ、基体２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基体の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。なお、図１１に示すヘッドＨ及び図１２に示す液滴吐出装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いても良い。
【００６６】
図１３は液滴吐出ヘッドＨ1をインク吐出面の側からみた斜視図である。図１３に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1のインク吐出面（基体２との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列でノズルｎが複数設けられている。このように、複数のノズルｎが列状に配列されることにより２つのノズル列Ｎ、Ｎが構成されている。１つのノズル列Ｎに含まれるノズルｎの数は例えば１８０個であり、１つの液滴吐出ヘッドＨ1に３６０個のノズルｎが形成されている。また、ノズルｎの孔径は例えば２８μｍであり、ノズルｎ間のピッチは例えば１４１μｍである。
【００６７】
液滴吐出ヘッドＨ1は、例えば、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示す内部構造を有する。具体的には、液滴吐出ヘッドＨ1は、例えばステンレス製のノズルプレート２２９と、それに対向する振動板２３１と、それらを相互に接合する仕切部材２３２とを有する。ノズルプレート２２９と振動板２３１との間には、仕切部材２３２によって複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とが形成されている。複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とは通路２３８を介して互いに連通している。
【００６８】
振動板２３１の適所には組成物供給孔２３６が形成され、この組成物供給孔２３６に組成物供給装置２３７が接続される。組成物供給装置２３７は、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（液状体）を組成物供給孔２３６に供給する。供給された第１組成物は液溜まり２３４に充満し、さらに通路２３８を通って組成物室２３３に充満する。
【００６９】
ノズルプレート２２９には、組成物室２３３から第１組成物をジェット状に噴射するためのノズルｎが設けられている。また、振動板２３１の組成物室２３３を形成する面の裏面には、組成物室２３３に対応させて組成物加圧体２３９が取り付けられている。この組成物加圧体２３９は、図１４（ｂ）に示すように、圧電素子２４１並びにこれを挟持する一対の電極２４２ａ及び２４２ｂを有する。圧電素子２４１は電極２４２ａ、２４２ｂへの通電によって矢印Ｃで示す外側へ突出するように撓み変形し、これにより組成物室２３３の容積が増大する。すると、増大した容積分に相当する第１組成物が液溜まり２３４から通路２３８を通って組成物室２３３に流入する。
【００７０】
次に圧電素子２４１への通電を解除すると、圧電素子２４１と振動板２３１はともに元の形状に戻る。これにより、組成物室２３３も元の容積に戻るため組成物室２３３の内部にある第１組成物の圧力が上昇し、ノズルｎから基体２へ向けて第１組成物が液滴１１０ｃとなって噴出する。
【００７１】
図１５には、基体２に対して液滴吐出ヘッドＨ1を走査させた状態を示す。図１５に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1は、図中Ｘ方向に沿う方向に相対的に移動しながら第１組成物（液状体）を吐出するが、その際、ノズル列Ｎの配列方向Ｚが、主走査方向（Ｘ方向に沿う方向）に対して傾斜した状態になっている。
【００７２】
図１６には、図１５の要部を液滴吐出ヘッドＨ1側から見た拡大図を示す。図１６では、図中Ｙ方向（副走査方向）に沿って配置された３つの画素領域Ａ1〜Ａ3が図示されている。そして、液滴吐出ヘッドＨ1の一部に設けられた符号ｎ1a〜ｎ3bで表される６つのノズルが図示されている。６つのノズルのうちのノズルｎ1a、ｎ2a、ｎ3aの３つは、液滴吐出ヘッドＨ1が図示Ｘ方向に移動した場合に各画素領域Ａ1〜Ａ3上にそれぞれ位置するように配置されており、残りの３つのノズルｎ1b、ｎ2b、ｎ3bは、液滴吐出ヘッドＨ1が図示Ｘ方向に移動した場合に隣接する画素領域Ａ1〜Ａ3の間に位置するように配置されている。なお、これら６つのノズルｎ1a〜ｎ3bは、いずれも１のノズル列Ｎに含まれるものである。この液滴吐出ヘッドＨ1は、図示略の駆動手段により、図示Ｙ方向及び図示Ｙ方向の反対方向にシフトできるようになっている。このように、液滴吐出ヘッドＨ1のノズル列Ｎを主走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素領域Ａのピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素領域Ａのピッチに対しても対応させることができる。
【００７３】
次に、液滴吐出ヘッドＨ1を走査して、所定領域に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する工程について説明する。この工程には、（１）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を１回で行う方法、（２）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回で行い、且つ各走査中において複数のノズルを用いる方法、（３）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回で行い、且つ各走査毎に別のノズルを用いる方法、のうちいずれも採用することができるが、本実施形態では（１）の方法を採用した。
【００７４】
図１７は、液滴吐出ヘッドＨ1の１回の走査で各画素領域Ａ1〜Ａ3に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する場合の工程を示す工程図である。図１７（ａ）は、液滴吐出ヘッドＨ1が図１６における位置から図示Ｘ方向に沿って走査した後の状態を示し、図１７（ｂ）は図１７（ａ）に示す状態から液滴吐出ヘッドＨ1が僅かに図示Ｘ方向に走査するとともに、図示Ｙ方向の反対方向にシフトした状態を示し、図１７（ｃ）は図１７（ｂ）に示す状態から液滴吐出ヘッドＨ1が僅かに図示Ｘ方向に走査するとともに、図示Ｙ方向にシフトした状態を示している。また、図１８には隔壁部１２２に囲まれた被吐出領域の断面構成を示している。
【００７５】
図１７（ａ）では、液滴吐出ヘッドＨ1に形成された各ノズルのうち、３つのノズルｎ1a〜ｎ3aから正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（液状体）を画素領域Ａ1〜Ａ3に吐出する。なお、本実施形態では液滴吐出ヘッドＨ1を走査することにより第１組成物を吐出するが、基体２を走査することによっても可能である。さらに、液滴吐出ヘッドＨ1と基体２とを相対的に移動させることによっても第１組成物を吐出させることができる。なお、これ以降の液滴吐出ヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００７６】
液滴吐出ヘッドＨ1による吐出は以下の通りである。すなわち、図１７（ａ）及び図１８に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1に形成されてなるノズルｎ1a〜ｎ3aを電極面１１１ａに対向して配置し、ノズルｎ1a〜ｎ3aから最初の第１組成物の液滴１１０ｃ1を吐出する。画素領域Ａ1〜Ａ3は、画素電極１１１と当該画素電極１１１の周囲を区画する隔壁部１２２から形成されており、これらの画素領域Ａ1〜Ａ3に対し、ノズルｎ1a〜ｎ3aから１滴当たりの液量が制御された最初の第１組成物の液滴１１０ｃ1を吐出する。
【００７７】
次に図１７（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に僅かに走査させるとともに、図示Ｙ方向の反対方向にシフトさせることによってノズルｎ1b〜ｎ3bを各画素領域Ａ1〜Ａ3上に位置させる。そして、各ノズルｎ1b〜ｎ3bから第１組成物の２滴目の液滴１１０ｃ2を画素領域Ａ1〜Ａ3に向けて吐出する。
さらに図１７（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に僅かに走査させるとともに、図示Ｙ方向にシフトさせることによってノズルｎ1a〜ｎ3aを再び各画素領域Ａ1〜Ａ3上に位置させる。そして、各ノズルｎ1a〜ｎ3aから第１組成物の３滴目の液滴１１０ｃ3を画素領域Ａ1〜Ａ3に向けて吐出する。
【００７８】
このようにして、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に沿って走査させつつ、図示Ｙ方向に沿って僅かにシフトさせることにより、一の画素領域Ａ1等に対して２つのノズルから第１組成物の液滴を順次吐出する。一の画素領域Ａ1に対して吐出する液滴の数は、例えば６〜２０滴の範囲とすることができるが、この範囲は画素の面積によって代わるものであり、この範囲より多くても少なくても構わない。各画素領域（電極面１１１ａ上）に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。
【００７９】
このように、１回の走査で正孔注入／輸送層を形成する場合において、第１組成物の吐出のたびにノズルの切替えを行い、各画素領域Ａ1〜Ａ3に対して各々２つのノズルから第１組成物を吐出するので、従来のように、１の画素領域Ａ1等に対して１つのノズルで複数回吐出する場合と比較して、ノズル間の吐出量のバラツキが相殺されるので、各画素電極１１１…における第１組成物の吐出量のバラツキが小さくなり、正孔注入／輸送層を同じ膜厚で形成することができる。これにより、画素毎の発光量を一定に保つことができ、表示品質に優れた表示装置を製造することができる。
【００８０】
次に、実際の吐出手順について説明する。本実施形態では、まず、図１８に示すように、ダミー領域２ｂのみに第１組成物の液滴１１０ｃを吐出するものとしており、その後、図１９に示すように、表示領域２ａに対して第１組成物の液滴１１０ｃを本吐出するものとしている。
【００８１】
ここで、本実施形態では、特にダミー領域２ｂに吐出される第１組成物の総体積を該ダミー領域２ｂの面積で除した値が、表示領域２ａに吐出される第１組成物の総体積を該表示領域２ａの面積で除した値よりも大きくなるように吐出条件を設定している。なお、ダミー領域２ｂの面積及び表示領域２ａの面積は、それぞれの領域に属する隔壁部１２２によって囲まれた領域の総面積を言うものとする。このような吐出条件の採用により、吐出を行った後に乾燥を行う場合に、表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の分圧が、ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、ダミー領域２ｂにおける溶媒の蒸発速度を表示領域２ａにおける溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。
【００８２】
なお、ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(ＰＥＤＯＴ)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(ＰＳＳ)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。
極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に異なるものを用いても良い。
【００８３】
次に、乾燥工程を行う。乾燥工程を行うことにより、第１組成物に含まれる極性溶媒が蒸発し、図２０に示すような正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。乾燥処理を行うと、第１組成物の液滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物隔壁層１１２ａ及び有機物隔壁層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより図２０に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ2が形成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物隔壁層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物隔壁層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
【００８４】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成される。このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１１０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。なお、周縁部１１０ａ2には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であっても構わない。また、図２０においては、ダミー領域２ｂにも正孔注入／輸送層１１０ａが形成されているが、該ダミー領域２ｂの正孔注入／輸送層１１０ａは実際には駆動されず、つまり正孔を注入／輸送する役割は実現されないものである。
【００８５】
ここで、本実施の形態では、上述の通り、ダミー領域２ｂと表示領域２ａとにおいて、吐出する溶媒の単位面積当りの容量を異ならせている。従って、乾燥工程において、表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の分圧が、ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、ダミー領域２ｂにおける溶媒の蒸発速度を表示領域２ａにおける溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。そして、このような吐出条件の導入により、表示領域２ａのうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなり、該周辺部と中央部とにおいて均一な膜厚の正孔注入／輸送層１１０ａを形成できるようになる。
【００８６】
なお、乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ〜１３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ〜０．１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。ここで、急激に圧力を低下させると第１組成物の液滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を高温にしてしまうと、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。従って、３０℃〜８０℃の範囲が好ましい。
乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中、２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行って、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００８７】
(4)発光層形成工程
次に発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程、および乾燥工程、とからなる。
まず、正孔注入／輸送層１１０ａの表面を改質するために表面改質工程を行う。次に、前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、液滴吐出法により発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する（発光層形成材料吐出工程）。その後、吐出した第２組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する（乾燥工程）。なお、発光層形成材料吐出工程においても、第１組成物を吐出した場合と同様に、ダミー領域２ｂに対して、表示領域２ａよりも相対的に多い容量（単位面積当りの容量）の溶媒を吐出するものとしている。
【００８８】
発光層形成材料を含む第２組成物を吐出する際には、図２１に示すように、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルＨ6を対向させ、液滴吐出ヘッドＨ5と基体２とを相対移動させながら、第２組成物１１０ｅが吐出される。この場合、正孔注入／輸送層形成工程と同様に、一の画素領域に対して複数のノズルにより第２組成物１１０ｅの吐出を行う。
【００８９】
発光層１１０ｂを形成する材料としては、例えばポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００９０】
また、発光層形成材料を溶解ないし分散させる溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。このような溶媒（非極性溶媒）を用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を吐出できるようになる。
【００９１】
吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは、吐出された液滴が所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが該液滴で濡れることがなく、該液滴が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００９２】
次に、第２組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物１１０ｅを乾燥処理することにより発光層１１０ｂ3が形成される。すなわち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図２２に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が形成される。なお、図２２においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない画素領域に多数の発光層（青色に対応）が形成されている。
【００９３】
なお、上述の通り、発光層形成工程においても、ダミー領域２ｂと表示領域２ａとにおいて吐出する溶媒の単位面積当りの容量を異ならせている。従って、乾燥工程において、表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の分圧が、ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の分圧に比して過剰に大きくなることはなく、ダミー領域２ｂにおける溶媒の蒸発速度を表示領域２ａにおける溶媒の蒸発速度に近づけることができるようになる。そして、このような吐出条件の導入により、表示領域２ａのうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなり、該周辺部と中央部とにおいて均一な膜厚の発光層１１０ｂ3を形成できるようになる。
【００９４】
続けて、図２３に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程により赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
【００９５】
また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、青色１１０ｂ3の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ〜１３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ〜０．１Ｔｏｒｒ）程度として５分〜１０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を高温にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまう場合がある。なお、好ましくは、３０℃〜８０℃の範囲が良い。
【００９６】
また緑色発光層１１０ｂ2、及び赤色発光層１１０ｂ1の場合、発光層形成材料の成分数が多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５分〜１０分行う条件とするのがよい。その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００９７】
(5)対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極形成工程では、図２４に示すように、発光層１１０ｂ及び有機物隔壁層１１２ｂの全面に陰極（対向電極）１２を形成する。なお、陰極１２は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にフッ化リチウム等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。
【００９８】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、さらに所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2には、カルシウムからなる上部陰極層が接することとなる。
【００９９】
また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１００】
(6)封止工程
最後に封止工程は、機能層１１０を含む発光素子が形成された基体２と封止基板６０４（図２参照）とを封止樹脂６０３により封止する工程である。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂６０３を基体２の全面に塗布し、封止樹脂６０３上に封止基板６０４を積層する。この工程により基体２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化される惧れがあるので好ましくない。
さらに、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続し、本実施形態の表示装置１が得られる。
【０１０１】
以上、本実施形態の表示装置１の製造方法を示したが、本実施形態では、発光素子のうち機能層１１０を形成する工程において液滴吐出法を採用しており、吐出する溶媒の体積（単位面積当りの体積）について、表示領域２ａよりもダミー領域２ｂに対して相対的に多くの溶媒を吐出するものとしている。具体的には、図２５に示すように、ダミー領域２ｂに滴下した第１組成物（第２組成物）９ｂの単位面積当りの容量を、表示領域２ａに滴下した第１組成物（第２組成物）９ａの単位面積当りの容量よりも多くしており、結果として溶媒量がダミー領域２ｂで相対的に多くなるものとなっている（図２５（ａ），（ｂ））。
【０１０２】
これにより、図２５（ｃ）に示すように、ダミー領域２ｂの蒸発溶媒分子の蒸気圧が、表示領域２ａの蒸発溶媒分子の蒸気圧よりも大きくなり、ひいては表示領域２ａのうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなる。その結果、周辺部と中央部とにおいて均一な等しい膜厚の正孔注入／輸送層１１０ｂ若しくは発光層１１０ｃ（機能層１１０）を形成できるようになる。そして、この場合、表示領域２ａ全域において、特に中央部又は周辺部に拘らず、素子特性（表示特性）にむらの少ない信頼性に優れた有機ＥＬ装置１を提供することができるようになる。
【０１０３】
以下、上記正孔注入／輸送層１１０ｂ若しくは発光層１１０ｃ（機能層１１０）を形成する際の液滴の吐出態様について、その変形例を説明する。なお、以下において単に吐出量と言うときは、単位面積当りの吐出量を言うものとする。
まず、図２６に示すように、ダミー領域２ｂにおける吐出領域の面積（つまり隔壁部１２２に囲まれてできる開口部の面積）を、表示領域２ａにおける吐出領域の面積よりも大きく構成することで、吐出量をダミー領域２ｂにおいて相対的に多くすることができる。特に、矩形状に形成された表示領域２ａの角部に位置するダミー領域２ｃにおいて、その他のダミー領域２ｂよりも吐出量を多くすることが好ましい。
【０１０４】
また、図２７に示すようにダミー領域２ｂの略全域に亙って第１組成物（第２組成物）９ｂ，９ｃを吐出するものとすることもできる。この場合、ダミー領域２ｂにおける吐出量を、表示領域２ａにおける吐出量よりも確実に多くすることができるようになる。特に、表示領域２ａが長方形状である場合には、短辺方向のダミー領域Ａにおいて、長辺方向のダミー領域Ｂよりも吐出量を多くすることが好ましい。これにより蒸発溶媒分子の蒸気圧を基体面内において一層均一にすることができるようになる。なお、ダミー領域２ｂの全域に亙って液滴を吐出する場合でなくても、図２８に示すように隔壁部（図示略）によって囲まれた領域のみに液滴を吐出する場合にも、表示領域２ａが長方形状のときには、短辺方向のダミー領域Ａにおいて、長辺方向のダミー領域Ｂよりも吐出量を多くすることが好ましい。
【０１０５】
また、図２９に示すように、表示領域２ａが長方形状である場合であって、長辺方向に同一色（例えばＲ（赤）、或いはＧ（緑）、Ｂ（青））の発光層１１０ｃを配列する場合には、短辺方向のダミー領域Ａにおいて、長辺方向のダミー領域Ｂよりも吐出量を多くすることが好ましい。これにより、例えば各色毎に溶媒を乾燥させるときに、蒸発溶媒分子の蒸気圧を基体面内において一層均一にすることができるようになる。
【０１０６】
さらに、図３１に示すように、ダミー領域２ｂにおける吐出領域の面積（つまり隔壁部１２２に囲まれてできる開口部の面積）を、表示領域２ａにおける吐出領域の面積よりも小さく構成することもできる。この場合にも、ダミー領域２ｂにおける吐出量を表示領域２ａにおける吐出量よりも相対的に多くすることで、当該ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を高めることができ、ひいては表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を面内において均一化することができる。
【０１０７】
また、図３２に示すように、ダミー領域２ｂにおける吐出領域の面積（つまり隔壁部１２２に囲まれてできる開口部の面積）を、表示領域２ａにおける吐出領域の面積よりも小さく構成し、該ダミー領域２ｂの吐出領域を密に配設することもできる。この場合も、ダミー領域２ｂにおける吐出量を表示領域２ａにおける吐出量よりも相対的に多くすることで、当該ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を高めることができ、ひいては表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を面内において均一化することができる。
【０１０８】
さらに、図３３に示すように、ダミー領域２ｂにおける吐出領域の面積（つまり隔壁部１２２に囲まれてできる開口部の面積）を、表示領域２ａにおける吐出領域の面積よりも小さく構成し、ダミー領域２ｂの吐出領域を密に配設する場合において、該ダミー領域２ｂの吐出領域を、表示領域２ａの吐出領域と同一列及び／又は同一行に形成することができる。この場合も、ダミー領域２ｂにおける吐出量を表示領域２ａにおける吐出量よりも相対的に多くすることで、当該ダミー領域２ｂにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を高めることができ、ひいては表示領域２ａにおける蒸発溶媒分子の蒸気圧を面内において均一化することができる。そして、この場合には、同一列及び／又は同一行に対して吐出を行えば良いため、図３２の例に比して吐出工程が非常に簡便なものとなる。
【０１０９】
以上、本実施の形態では、機能層１１０を形成する際に本発明に係る方法を採用するものとしているが、例えば液晶装置等に用いるカラーフィルタ基板に対しても本発明を採用することができる。具体的には、所定の色光を選択的に透過しカラーフィルタとして機能する機能領域（上記実施の形態では表示領域２ａに相当）と、該機能領域以外の非機能領域（上記実施の形態ではダミー領域２ｂに相当）とを有するカラーフィルタ基板の製造プロセスにおいて、基板上に、着色層を構成する着色材料を溶媒に溶解ないし分散させた組成物（液状体）を液滴吐出法にて吐出するものとすることができる。そして、この吐出工程において、上述した機能層１１０の形成工程と同様、非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすれば、上記実施形態と同様の効果を発現することができ、機能領域内において均一な膜厚のカラーフィルタ基板を製造することができる。
【０１１０】
（第２の実施形態）
次に、第１の実施形態の表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。図３０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図３０において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は表示装置１を用いた表示部を示している。このような電子機器は、第１の実施形態の表示装置１を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態の表示装置１の特徴を有するので、表示ムラの少ない表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図。
【図２】図１の表示装置の平面模式図及び断面模式図。
【図３】図１の表示装置の要部断面模式図。
【図４】図１の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図５】図４に続く製造方法を説明する工程図。
【図６】プラズマ処理装置の一例を示す平面模式図。
【図７】プラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の内部構造を示す模式図。
【図８】図５に続く製造方法を説明する工程図。
【図９】図８に続く製造方法を説明する工程図。
【図１０】プラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図。
【図１１】液滴吐出用ヘッドの一例を示す平面図。
【図１２】液滴吐出装置の一例を示す平面図。
【図１３】液滴吐出ヘッドの一例を示す斜視図。
【図１４】図１３に示す液滴吐出ヘッドの内部構造を示す斜視図及び断面図。
【図１５】基体に対する液滴吐出ヘッドの配置状態を示す平面図。
【図１６】図１５の要部を示す拡大図。
【図１７】液滴吐出ヘッドの１回の走査で正孔注入／輸送層を形成する場合の工程を示す工程図。
【図１８】図９に続く製造方法を説明する工程図。
【図１９】図１８に続く製造方法を説明する工程図。
【図２０】図１９に続く製造方法を説明する工程図。
【図２１】図２０に続く製造方法を説明する工程図。
【図２２】図２１に続く製造方法を説明する工程図。
【図２３】図２２に続く製造方法を説明する工程図。
【図２４】図２３に続く製造方法を説明する工程図。
【図２５】液滴の吐出態様について示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図２６】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図２７】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図２８】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図２９】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図３０】本発明の第２の実施形態である電子機器を示す斜視図。
【図３１】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図３２】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図３３】液滴の吐出態様について一変形例を示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【符号の説明】
【０１１２】
１…表示装置（有機ＥＬ装置、電気光学装置）、２ａ…表示領域（機能領域）、２ｂ…ダミー領域（非機能領域）、２…基体（基板）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の着色層を含み、所定の色光を選択的に透過しカラーフィルタとして機能する機能領域と、該機能領域以外の非機能領域とを有するカラーフィルタ基板の製造方法であって、
基板上に、前記着色層を構成する着色材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、
該吐出工程において、前記機能領域には前記液状体を吐出し、前記非機能領域には前記液状体又は前記溶媒を吐出するものとしており、前記非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項２】
画素毎に電気光学素子が機能する機能領域と、該機能領域の周辺に形成される非機能領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、
基板上に、前記電気光学素子を構成する機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、
該吐出工程において、前記機能領域には前記液状体を吐出し、前記非機能領域には前記液状体又は前記溶媒を吐出するものとしており、前記非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域をそれぞれ同じパターンにて形成する工程を含み、
前記吐出工程においては、前記非機能領域の液受容領域に対して吐出される溶媒の量を、前記機能領域の液受容領域に対して吐出される溶媒の量よりも多くすることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含み、
該液受容領域の形成工程において、前記機能領域における液受容領域の面積を、前記非機能領域における液受容領域の面積よりも大きく形成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含み、
前記機能領域が平面視長方形状であって、該機能領域の長辺方向と短辺方向において前記非機能領域における前記液受容領域の密度が異なるものとされており、
前記非機能領域における液受容領域の密度が大きい方に対して吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記非機能領域における液受容領域の密度が小さい方に対して吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記機能領域が平面視長方形状である場合に、その機能領域の短辺方向に沿って形成される第１非機能領域と、機能領域の長辺方向に沿って形成される第２非機能領域とに関し、前記吐出工程において、前記第１非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記第２非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含み、
該液受容領域の形成工程において、前記非機能領域の液受容領域を前記機能領域に沿って帯状に形成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項２ないし７のいずれか１項に記載の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
複数の着色層を含み、所定の色光を選択的に透過しカラーフィルタとして機能する機能領域と、該機能領域以外の非機能領域とを有するカラーフィルタ基板の製造方法であって、
基板上に、前記着色層を構成する着色材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、
該吐出工程において、前記機能領域には前記液状体を吐出し、前記非機能領域には前記液状体又は前記溶媒を吐出するものとしており、前記非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項２】
画素毎に電気光学素子が機能する機能領域と、該機能領域の周辺に形成される非機能領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、
基板上に、前記電気光学素子を構成する機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を液滴吐出法にて吐出する吐出工程を含み、
該吐出工程において、前記機能領域には前記液状体を吐出し、前記非機能領域には前記液状体又は前記溶媒を吐出するものとしており、前記非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域をそれぞれ同じパターンにて形成する工程を含み、
前記吐出工程においては、前記非機能領域の液受容領域に対して吐出される溶媒の量を、前記機能領域の液受容領域に対して吐出される溶媒の量よりも多くすることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含み、
該液受容領域の形成工程において、前記機能領域における液受容領域の面積を、前記非機能領域における液受容領域の面積よりも大きく形成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含み、
前記機能領域が平面視長方形状であって、該機能領域の長辺方向と短辺方向において前記非機能領域における前記液受容領域の密度が異なるものとされており、
前記非機能領域における液受容領域の密度が大きい方に対して吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記非機能領域における液受容領域の密度が小さい方に対して吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記機能領域が平面視長方形状である場合に、その機能領域の短辺方向に沿って形成される第１非機能領域と、機能領域の長辺方向に沿って形成される第２非機能領域とに関し、前記吐出工程において、前記第１非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量を、前記第２非機能領域に吐出される単位面積当りの溶媒の量よりも多くすることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記吐出工程に先立って、前記基板上の前記機能領域及び前記非機能領域に対し、液状体及び／又は溶媒が吐出される液受容領域を形成する工程を含み、
該液受容領域の形成工程において、前記非機能領域の液受容領域を前記機能領域に沿って帯状に形成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項２ないし７のいずれか１項に記載の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【公開番号】特開２００６−３８７０（Ｐ２００６−３８７０Ａ）
【公開日】平成１８年１月５日（２００６．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−９５１８３（Ｐ２００５−９５１８３）
【出願日】平成１７年３月２９日（２００５．３．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月５日（２００６．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月２９日（２００５．３．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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