シールコンパウンド用の親水性シリカ
【課題】エラストマー混合物中で、特にＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴム配合物中で増粘剤及び補強剤として特によく適した沈降シリカを提供する。
【解決手段】以下の物理−化学パラメータ：平衡含水率（７０％の相対湿度（ｒ．Ｆ．）／２０℃で）０．５〜５．０質量％、ＢＥＴ表面積５０〜２５０ｍ2／ｇ、ＣＴＡＢ表面積５０〜２５０ｍ2／ｇ、ＤＢＰ（無水）２００〜３５０ｇ／１００ｇを特徴とする親水性の沈降シリカによって解決される。
【解決手段】以下の物理−化学パラメータ：平衡含水率（７０％の相対湿度（ｒ．Ｆ．）／２０℃で）０．５〜５．０質量％、ＢＥＴ表面積５０〜２５０ｍ2／ｇ、ＣＴＡＢ表面積５０〜２５０ｍ2／ｇ、ＤＢＰ（無水）２００〜３５０ｇ／１００ｇを特徴とする親水性の沈降シリカによって解決される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＴＶ型の１成分系シールコンパウンド中での使用に特によく適した親水性の沈降シリカ、その製造方法並びに該シリカをシールコンパウンドの増粘のために用いる使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
シールコンパウンドとは、流動形ないし粘稠形で適用される弾性物質であって建造物又は装置を水、大気の影響又は侵食性の媒体に対して封止するための物質を表す。
【０００３】
シリコーンゴムは、ゴム弾性状態に変換できる材料であり、該材料は基本ポリマーとして、架橋反応しうる基を有するポリジオルガノシロキサンを有する。係る基としては、主として、Ｈ原子、ＯＨ基及びビニル基が該当し、それらは鎖端に存在するが、鎖中に組み込まれていてもよい。前記系において、充填剤は補強剤として導入され、その種類と量が、加硫物の機械的及び化学的な挙動に明らかな影響を及ぼす。シリコーンゴムは、無機顔料によって着色することができる。高温加硫型のシリコーンゴムと低温加硫型のシリコーンゴムとは異なる（高温加硫型／室温加硫型＝ＨＴＶ／ＲＴＶ）。
【０００４】
低温硬化型又はＲＴＶ型のシリコーンゴム材料では、１成分系と２成分系に区別することができる。第一の群（ＲＴＶ型の１成分系）は、室温で、空気湿分の影響下にゆっくりと重合し、その際、架橋は、ＳｉＯＨ基の縮合によって、Ｓｉ，Ｏ結合を形成して行われる。ＳｉＯＨ基は、末端位ＯＨ基を有するポリマーと、いわゆる架橋剤のＲ−ＳｉＸ3（例えばＸ＝−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ3、−ＮＨＲ）とから中間的に生ずる種のＳｉＸ基の加水分解によって形成される。２成分系ゴム（ＲＴＶ型の２成分系）では、架橋剤として、例えばケイ酸エステル（例えばケイ酸エチル）と有機スズ化合物とからの混合物が使用され、その際、架橋反応として、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ架橋の形成が、≡Ｓｉ−ＯＲ及び≡Ｓｉ−ＯＨ（−はメチル基；Ｒは有機基）からアルコールを離脱することによって行われる。
【０００５】
ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムの増粘のためには、とりわけシリカが使用される。シリカは、シリコーン系シールコンパウンドの加水分解感受性に基づき、できる限り少ない湿分しか該系中に導入してはならない。従って、今まではほとんど専ら、前記用途にはヒュームドシリカが使用されていた。親水性の沈降シリカは、その高い含水率に基づき、今までは使用することができなかった。
【０００６】
特許文献ＵＳ５，３９５，６０５号では、吸水率（２３℃及び６４％の相対湿度）が４％未満であり、そのタップ密度（ｓｔａｍｐｆｄｉｃｈｔ）が１００ｇ／ｌを上回る沈降シリカに特許の保護が請求されている。しかしながら、ＵＳ５３９５６０５号からのシリカは、ＨＴＶ型のシリコーンゴムとケーブル押出においてのみ使用できるに過ぎない。ＲＴＶ１型シリコーンゴムで使用するために不適なのは、タップ密度が高すぎ、それゆえに増粘（降伏点）が低すぎるからである。ＵＳ５，３９５，６０５号の方法は、シリカを非常に高い温度で非常に長期に熱処理せねばならないという欠点を有する。それにより該方法は、経済的にあまり関心が持たれていない。更に、ＵＳ５，３９５，６０５号による熱処理は、シリカの固化と焼き付けを引き起こすので、熱処理後に粉砕が必要とならざるを得ない。
【０００７】
ＷＯ２００５０６１３８４号は、特許請求の範囲の記載により吸水率＜６％とＤＯＰ＞３００ｍｌ／１００ｇを有することが望ましいシリカの製造と、とりわけシリコーンゴムでのその使用を示している。しかしながら、ＷＯ２００５／０６１３８４号の実施例に開示されるシリカは、全てにおいて吸水率５．７〜５．９％を有し、従ってＲＴＶ型の１成分系配合物での使用には適していない。ＷＯ２００５／０６１３８４号の実施例においては、首尾一貫して、押出法用のシリコーンゴム配合物（ＨＴＶ）での使用のみが記載されているに過ぎない。
【０００８】
ＥＰ１５５７４４６号では、もっぱらＨＴＶ−シリコーンゴム配合物が記載されている。そこで使用されるシリカは、乾燥減量＜４％を有する。使用されるシリカの高い空気湿分の影響による平衡含水率（これは乾燥減量と混同すべきでない）に関する記述は、ＥＰ１５５７４４６号において同じようにわずかしか、そこに記載されるシリカがＲＴＶ型シリコーンゴム配合物中で使用できることに指摘が見出されない。ＥＰ１５５７４４６号に開示される配合物は、絶縁材料、例えばケーブル外装の製造のために使用される。
【０００９】
従って、まとめると、先行技術においては、ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴム中で使用するための高い要求を満たす親水性の沈降シリカは全く開示されていないことを認めることができる。従って、ＲＴＶ型の１成分系用途に適した係る親水性の沈降シリカに高い要望がある。
【特許文献１】ＵＳ５，３９５，６０５号
【特許文献２】ＷＯ２００５／０６１３８４号
【特許文献３】ＥＰ１５５７４４６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記の従来技術から出発して、本発明の課題は、エラストマー混合物中で、特にＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴム配合物中で増粘剤及び補強剤として特によく適した沈降シリカを提供することであった。更に、本発明によるシリカの製造方法を自由に使用できることが望ましい。
【００１１】
明確に挙げられていない更なる課題は、発明の詳細な説明、実施例及び特許請求の範囲の全体の脈絡からもたらされる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
驚くべきことに、前記課題は、以下の発明の詳細な説明並びに特許請求の範囲及び実施例において詳細に定義された本発明によるシリカによって解決されることが判明した。
【００１３】
本発明の対象は、以下の物理−化学パラメータ：
平衡含水率（７０％の相対湿度（ｒ．Ｆ．）／２０℃で） ０．５〜５．０質量％
ＢＥＴ表面積 ５０〜２５０ｍ2／ｇ
ＣＴＡＢ表面積 ５０〜２５０ｍ2／ｇ
ＤＢＰ（無水） ２００〜３５０ｇ／１００ｇ
を特徴とする親水性の沈降シリカである。
【００１４】
また本発明の対象は、前記のパラメータの他に、互いに無関係に、以下の物理−化学パラメータ：
改変型タップ密度 ≦７０ｇ／ｌ
強熱減量 ０．１〜３．０質量％
乾燥減量 ０．１〜３．０質量％
ｐＨ値 ４〜９
シラノール基密度 ０．５〜３．５ＳｉＯＨ／ｎｍ2
容量に対する粒子分布における１μｍ未満の粒子の割合 ５〜１００％
容量に対する粒子分布のｄ90値 ０．０１〜１０μｍ
の１又はそれより多くを有する親水性の沈降シリカである。
【００１５】
本発明の更なる対象は、請求項１０から１６までのいずれか１項記載の本発明による沈降シリカの製造方法である。
【００１６】
本発明の更なる対象は、本発明によるシリカを、シールコンパウンド、特にシリコーンゴムもしくはシリコーン系シールコンパウンド、特に有利にはＲＴＶ型の１成分系シールコンパウンド中で用いる使用である。種々の架橋系、例えばアセトキシ架橋性、アルコキシ架橋性及びオキシム架橋性で使用することができる。これらの系は、例えば建設産業において継ぎ目シールコンパウンドとして、自動車産業において接着剤及び封止剤として、かつ例えばテキスタイル織物用の被覆材料として使用される。
【００１７】
本発明の更なる対象は、本発明によるシリカを含有するシリコーンゴムを基礎とするシールコンパウンド及びそれらの使用である。
【００１８】
本発明による沈降シリカは、とりわけ、該シリカが、その非常に低い経時的な吸湿性（平衡含水率）に基づいて、かつ部分的にはその低い初期含水率（乾燥減量によって表現される）に基づき、シリコーンゴム材料、特にＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴム材料中に混加した後に、該シリコーンゴムの高い貯蔵安定性を保証するという利点を有する。ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムは、室温で、空気湿分の影響下にゆっくりと重合し、その際、架橋は、ＳｉＯＨ基の縮合によって、Ｓｉ−Ｏ結合を形成して行われる。補強及び増粘のために使用される充填剤、例えばシリカは、従って、能動的に（初期含水率によって）湿分を系中にもたらしてはならない。それというのも、さもないとシリコーンゴムの重合は、本来の処理前にはじまってしまうからである。前記の作用は、シリカが受動的にさえも（吸湿によって）できる限りわずかにしか系中に湿分を取り込まない場合には、更に高めることができる。本発明によるシリカに関して、十分に低い経時的な吸湿性（平衡含水率）を有する効果的な親水性の沈降シリカが初めて製造されたので、シリコーン系シールコンパウンド中への湿分の能動的及び受動的な取り込みは、該沈降シリカによって十分に回避することができる。
【００１９】
全体で、本発明による沈降シリカの特定の特性は、とりわけ以下の利点をもたらす：
・ 本発明によるシリカの混加によるＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムコンパウンドの高い貯蔵安定性
・ 良好かつ迅速な分散による、ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムコンパウンド中でのシリカの高い増粘作用。
【００２０】
更に、本発明による沈降シリカは、今までにＲＴＶ１型シリコーンゴムで使用されてきたヒュームドシリカに対して、廉価に製造できるため実質なコスト上の利点を提供する。
【００２１】
本発明の対象を、以下に詳細に説明する。
【００２２】
本発明において、シリカと沈降シリカとの概念は同義に使用される。親水性の沈降シリカとは、この場合に、水中に導入して撹拌した場合に親水性の挙動をとる沈降シリカ、すなわち表面が水により完全に濡れ、従って水に対して９０゜より小さい接触角を有する沈降シリカを表す。本発明による親水性の沈降シリカは、炭素含有率＜０．５質量％を有することが好ましい。
【００２３】
ＢＥＴ比表面積は、シリコーンゴム中への混加挙動並びに粗製混合物特性に対して及ぼされるシリカの作用を説明するものである（Ｓ．Ｂｒｕｎａｕｅｒ、Ｐ．Ｈ．Ｅｍｍｅｔｔ、Ｅ．Ｔｅｌｌｅｒ著の"Ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ ｏｆ Ｇａｓｅｓ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒｓ"，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．６０，３０９（１９３８）を参照のこと）。そして、本発明によるシリカは、とりわけＢＥＴ表面積５０〜２５０ｍ2／ｇ、有利には１００〜２３０ｍ2／ｇ、特に有利には１２０〜２００ｍ2／ｇ、殊に有利には１６０〜１９０ｍ2／ｇである。
【００２４】
ＣＴＡＢ比表面積は、主に、シリカの補強特性について決定的な意義を有する（Ｊａｎｚｅｎ，Ｋｒａｕｓ，Ｒｕｂｂｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．４４，１２８７（１９７１）を参照のこと）。補強能力は、ＣＴＡＢ表面積が高まると増大する。そして、本発明によるシリカは、とりわけＣＴＡＢ表面積５０〜２５０ｍ2／ｇ、有利には１００〜２３０ｍ2／ｇ、特に有利には１２０〜２００ｍ2／ｇ、殊に有利には１６０〜２００ｍ2／ｇである。
【００２５】
更に、本発明によるシリカの高いＤＢＰ吸収が、良好なレオロジー特性を達成するために役立つことが明らかにされた。しかも高すぎるＤＢＰ値は、シリコーンゴムの過度の粘度上昇を引き起こすことがあり、従ってそれは回避すべきである。従って、本発明によるシリカは、ＤＢＰ吸収２００〜３５０ｇ／（１００ｇ）を有する。ＤＢＰ吸収が、２２０〜３３０ｇ／（１００ｇ）、特に有利には２５０〜３２０ｇ／（１００ｇ）、殊に有利には２７０〜３２０ｇ／（１００ｇ）であることが好ましい。
【００２６】
ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムコンパウンドの加水分解感受性に基づき、平衡含水率（７０％の相対湿度／２０℃で測定した）は、本発明によるシリカの必須の基準である。カートリッジ／チューブにおいてシリコーンゴムコンパウンドが高い貯蔵安定性を有するように、該系中にできる限り殆ど湿分が持ち込まれないことが必須のことである。それというのも、さもないと本来の封止のための使用前に早期の硬化が開始するからである。本発明によるシリカは、とりわけ平衡含水率０．５〜５．０質量％、有利には０．８〜４．５質量％、殊に有利には１．０〜４．０質量％、特に有利には１．０〜３．７質量％、特別有利には２．０〜３．７質量％である。
【００２７】
第一の有利な一実施態様では、本発明によるシリカは、加えて、従来技術の沈降シリカと比較して非常に特別なシラノール基密度の点で卓越している。シラノール基密度の測定のために、まずＬｉＡｌＨ4を用いて、シリカ表面上のシラノール基の数を測定する。しかしながら、これが単独では直示的でないのは、高い表面積を有する親水性の沈降シリカは、一般に、低い表面積を有する親水性の沈降シリカよりも高いシラノール基の絶対数を有するからである。従って、シラノール基数は、シリカの表面積に適用されるべきである。好適な表面積としては、このためには、ＢＥＴ表面積が向いている。それというのも、この表面積は、例えば水のようなより小さな分子も立ち入ることができる表面積を説明しているからである。本発明によるシリカのシラノール基密度は、０．５〜３．５ＳｉＯＨ／ｎｍ2、有利には０．５〜３．０ＳｉＯＨ／ｎｍ2、特に有利には１．０〜３．０ＳｉＯＨ／ｎｍ2、殊に有利には１．５〜２．８ＳｉＯＨ／ｎｍ2の範囲にあることが好ましい。１ｎｍ2あたりのシラノール基の数が少なすぎる場合に、それは低すぎる降伏点をもたらし、そしてそれによりシリコーン系シールコンパウンドの粘稠性に悪影響を及ぼす。最適化されたシラノール基密度は、加えて、シリコーン系シールコンパウンドの貯蔵安定性に良い影響を及ぼす。
【００２８】
第二の同様の有利な一実施態様においては、本発明による沈降シリカは、低い改変型タップ密度を有し、従って特に良好なチキソトロピー性を有する。この場合に、改変型タップ密度とは、圧密化されていない材料で測定したタップ密度を意味することに注意すべきである。前記の大きさを、既に包装及び貯蔵によって事前に圧密化された材料で測定可能にするために、"改変型タップ密度の測定"の節で記載されるようにして試料調製を実施するべきである。本発明によるシリカは、７０ｇ／ｌ以下、１〜６０ｇ／ｌ、特に有利には５〜５５ｇ／ｌ、殊に有利には１０〜５０ｇ／ｌ、特別有利には２０〜５０ｇ／ｌの改変型タップ密度を有する。その低い改変型タップ密度によって、本発明による沈降シリカの更に有利な作用が引き起こされる。低い改変型タップ密度は、シリカ粒子の非常に疎な充填によって生ずる。すなわち、シリカ粒子同士は一方で確かにふれ合って、互いに容易に付着しあうが、他方で大きい中空空間が生ずるほど疎に充填されている。この疎な充填は、シリコーンコンパウンド中にも生じ、そうしてシリコーンコンパウンドの高いチキソトロピー性を引き起こす。
【００２９】
本発明によるシリカが、特に良好な粘稠性と同様に、未架橋のシリコーン系シールコンパウンドの特に良好な貯蔵安定性も可能にする特に有利な一実施態様においては、本発明によるシリカは、ＤＢＰ吸収２００〜３５０ｇ／（１００ｇ）、有利には２２０〜３３０ｇ／（１００ｇ）、殊に有利には２２０〜３００ｇ／（１００ｇ）、特別有利には２５０〜３２０ｇ／（１００ｇ）、殊に好ましくは２８０〜３１０ｇ／（１００ｇ）によって表現される十分な多孔性を、７０ｇ／ｌ未満、有利には１〜６０ｇ／ｌ、特に有利には５〜５５ｇ／ｌ、殊に有利には１０〜５０ｇ／ｌ、特に好ましくは２０〜５０ｇ／ｌの低い改変型タップ密度並びに０．５〜３．０ＳｉＯＨ／ｎｍ2、有利には１．０〜３．０ＳｉＯＨ／ｎｍ2、特に有利には１．５〜２．８ＳｉＯＨ／ｎｍ2の低いシラノール基密度と組み合わせて有する。
【００３０】
本発明によれば、更に、シリコーン系シールコンパウンドの粘稠性については、本発明による沈降シリカが、十分な割合の微細粒子、すなわち十分な割合の１μｍ未満の粒子を有する場合に特に好ましいことがあると確認された。これは、全ての前記の実施態様に当てはまる。従って、本発明によるシリカは、容量に対する粒子分布の１μｍ未満の粒度範囲において、５〜１００％、有利には１０〜９５％、特に有利には１０〜７０％、殊に有利には１５〜７０％の微細粒子の割合を有することが好ましい。
【００３１】
また、粗大粒子の割合が高すぎることで、本発明による沈降シリカの応用技術的特性に悪影響が及ぼされうることが確認された。従って、本発明による沈降シリカは、ｄ90値の容量に対する粒子分布曲線に対して、０．０１〜１０μｍ、有利には１〜１０μｍ、特に有利には２〜８μｍ、特に好ましくは３〜７μｍであることを特徴とする。
【００３２】
粒子分布は、単峰性又は二峰性、有利には二峰性であってよい。
【００３３】
本発明によるシリカの前記の全ての実施態様については、該親水性のシリカが、初めからできる限り殆ど湿分をシリコーン系シールコンパウンド中に持ち込まない場合に特に好ましいことがあるとも確認された。従って、本発明によるシリカは、乾燥減量によって表現される初期含水率０．１〜３．０質量％、有利には０．２〜２．５質量％、特に有利には０．３〜２．０質量％、特に好ましくは０．４〜１．８質量％及び／又は強熱減量によって表現される初期含水率０．１〜３．０質量％、有利には０．２〜３．０質量％、特に有利には０．３〜２．０質量％、特に好ましくは０．４〜１．８質量％を有してよい。
【００３４】
最後に、本発明によるシリカの前記の全ての実施態様について、親水性のシリカが、４〜８、有利には４．５〜７．５の範囲のｐＨ値を有することが特に好ましいことがあると確認された。ｐＨ値が高すぎる場合に、シリコーンコンパウンドは、より長期の貯蔵後（例えば数日後）にもはや正しく架橋されず、粘着性のままであると考えることができる。
【００３５】
前記の有利な範囲を、互いに無関係に設定することができる。
【００３６】
本発明によるシリカは、以下に記載される工程：
１． 少なくとも１つのケイ酸塩と少なくとも１つの酸性化剤とを反応させる工程
２． 得られたシリカを濾過及び洗浄する工程
３． 得られたシリカもしくは濾過ケークを乾燥させる工程
４． 乾燥されたシリカを熱処理する工程
を含む方法に従って製造することができる。
【００３７】
工程１は、その際、有利には以下の部分工程
１ａ． 水もしくは水と少なくとも１つのケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液からなる初充填物を製造する工程。その際、こうして得られた初充填物のｐＨ値は、有利にはｐＨ５〜ｐＨ１０であり、かつ該初充填物の温度は有利には８０〜１００℃である。
１ｂ． 少なくとも１つのケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液と少なくとも１つの酸性化剤とを、撹拌下に８０〜１００℃で前記の部分工程１ａ）からの初充填物中に、粘度上昇点に達するまで配量する工程。その際、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の添加は、同時に及び／又はｐＨ値が部分工程１ｂ）の期間にわたってｐＨ７〜ｐＨ１０の値に一定に保たれるように行われる。
１ｃ． ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の添加を止めて、沈降懸濁液を８０〜１００℃の温度で１５〜１２０分間にわたり撹拌する工程。
１ｄ． ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液を添加して、沈降懸濁液のｐＨをｐＨ８〜ｐＨ１１に高め、高められたｐＨ値に達した後に、該沈降懸濁液を、このｐＨ値で８０〜１００℃の温度で１５〜９０分間にわたり撹拌する工程。
１ｅ． 酸性化剤を添加して、沈降懸濁液のｐＨ値を、有利には部分工程１ｄ）と変わらない温度でｐＨ７〜ｐＨ１０に下げる工程。
１ｆ． 部分工程１ｂ）による沈降を継続する工程。その際、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤は、同時に８０〜１００℃の温度で、部分工程１ｇ）の実施後に所望の固体含有率に至る沈降懸濁液の固体含有率が達成されるまで添加する。
１ｇ． 酸性化剤を、８０〜１００℃の沈降懸濁液の温度で添加して、沈降懸濁液のｐＨ値を２〜６にまで低下させ、かつこの部分工程の最後に沈降懸濁液の固体含有率を３０〜７０ｇ／ｌとする工程
を含む。
【００３８】
本発明によるシリカを粉砕することが好ましい。本発明によるシリカを工程３ａにおいて、すなわち工程３と４の間に、又は工程５において、すなわち工程４の後で、又は工程３ａ、すなわち工程３と４の間と、工程５、すなわち工程４の後に粉砕して行うことが特に好ましい。
【００３９】
全ての公知のケイ酸塩形は、本発明による方法の工程１）で使用されるケイ酸塩もしくはケイ酸塩溶液について考慮の対象となる。本発明により使用されるケイ酸塩は、アルカリケイ酸塩、例えばケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムであることが好ましい。工程１においては、ケイ酸ナトリウム（水ガラス）であることが特に好ましい。そのＳｉＯ2とＮａ2Ｏとの質量比は、２〜４、有利には３〜３．６、特に有利には３．３〜３．５である。ＳｉＯ2の含有率は、２０〜４０質量％、有利には２５〜３０質量％である。
【００４０】
酸性化剤とは、有機又は無機の性質の酸性化合物であって、それを用いて沈降懸濁液のｐＨ値を低下させることができる化合物を表す。有利には、無機酸、例えば塩酸、リン酸、硫酸もしくは硝酸又は有機酸、例えば酢酸、ギ酸もしくは炭酸あるいは二酸化炭素を使用することができる。希釈された酸も濃縮された酸も使用することができる。特に、本発明による方法では硫酸を使用することが好ましい。
【００４１】
大抵は、部分工程１ａ）ないし１ｇ）で使用されるケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液並びに酸性化剤は同一である。
【００４２】
部分工程１ａ）における初充填物のｐＨ値は、有利にはｐＨ７〜ｐＨ１０、特に有利にはｐＨ８〜ｐＨ９である。該初充填物の温度は、８０〜１００℃、有利には８５〜９５℃に調節される。
【００４３】
部分工程１ｂ）及び１ｆ）では、ケイ酸塩及び酸性化剤は、有利には同時に計量供給される。両方の成分の添加は、部分工程１ｂ）及び１ｆ）の全時間にわたって一定に連続的に実施することが好ましい。その温度は、その間に８０〜１００℃、有利には８５〜９５℃に保たれる。工程１ｆ）における添加時間は、工程１ｇ）の終わりに達成されるべき固体含有率が達成されるまでである。沈降は、粘度上昇点で中断される。その際、前記の粘度上昇点は、沈降過程において沈降懸濁液の粘度の激しい上昇が観察できる時点（それについてはＥＰ０６４３０１５号参照）に相当する。シリカの沈殿が始まる部分工程１ｂ）の間と部分工程１ｆ）の間には、ｐＨ値は、ｐＨ７〜ｐＨ１０でできる限り一定に、有利にはｐＨ７．５〜９．５で一定に、殊に有利にはｐＨ８〜９で保持される。逸れたｐＨ値の補正は、一般に酸性化剤の添加の加減によって行われるので、調節されたｐＨ値は、±０．２ｐＨ単位だけしか、特に有利には±０．１ｐＨ単位だけしか変動しない。
【００４４】
粘度上昇点に達したら、沈降を中断する。部分工程１ｃ）において、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の添加を停止する。その中断は、１５〜１２０分、有利には４０〜１００分、特に有利には７５〜１００分、殊に８５〜９５分の期間にわたって行われる。
【００４５】
特定の実施態様の部分工程ｄ）においては、ケイ酸塩の添加によって、沈降懸濁液のｐＨ値を、ｐＨ８〜ｐＨ１１に、有利にはｐＨ９〜ｐＨ１１に、特に有利にはｐＨ９．５〜ｐＨ１０．５に高め、そして高められたｐＨ値に達した後に、沈降懸濁液を、より良好には１５〜９０分の期間にわたり、有利には４５〜７５分の期間にわたり、前記のｐＨ値でかつ８０〜１００℃の温度で撹拌する。
【００４６】
引き続き、部分工程１ｅ）において、酸性化剤の添加によって、沈降懸濁液のｐＨ値を、ｐＨ７〜ｐＨ１０に、有利にはｐＨ７．５〜ｐＨ９に、変わらない温度で低下させる。
【００４７】
次いで、部分工程１ｆ）において、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の同時の計量供給を再び開始する、すなわち意図する固体含有率に達するまで続ける。有利には、それは部分工程１ｂ）と同じｐＨ値、同じ温度及び同じ配量速度で、粘度上昇点の達成前に行う。
【００４８】
８０〜１００℃の沈降懸濁液の温度で酸性化剤を添加することによって、部分工程１ｇ）において、そのｐＨ値は、２〜６に、有利には３〜６に、特に有利にはｐＨ３〜ｐＨ４に低下する。前記の部分工程の終わりでの沈降懸濁液の固体含有率は、３０〜７０ｇ／ｌ、有利には４５〜６０ｇ／ｌ、殊に有利には４５〜５５ｇ／ｌである。
【００４９】
特定の理論に何ら縛られることなく、本発明による方法の特定の実施態様では、付加的な部分工程１ｃ）ないし１ｅ）によって、部分工程１ｂ）で粘度上昇点にまで作製された鎖状構造の凝集物がその団結において、それとともにその機械的安定性において更に補強されるはずである。
【００５０】
本発明によるシリカの濾過、液化（例えばＤＥ２４４７６１３号による）及び長時間乾燥又は短時間乾燥は、当業者に一般によく知られており、かつ例えば発明の詳細な説明中に挙げられる文献で参照できる。シリカの濾過及び洗浄は、有利には最終生成物の導電性が＜１０００μＳ／ｃｍ、好ましくは＜５００μＳ／ｃｍ、特に有利には＜２００μＳ／ｃｍであるように行われる。
【００５１】
有利には、本発明のシリカは、流動乾燥器、噴霧乾燥器、熱板乾燥器（Ｅｔａｇｅｎｔｒｏｃｋｎｅｒ）、ベルト乾燥器、回転管乾燥器、フラッシュ乾燥器、スピンプラッシュ乾燥器又はノズルタワー乾燥器中で乾燥される。前記の乾燥変法は、アトマイザ、１成分もしくは２成分ノズル又は統合型の流動床での作業を含めている。噴霧乾燥は、例えばＵＳ４０９４７７１号に従って実施することができる。
【００５２】
乾燥の種類として噴霧乾燥を選択した場合に、濾過ケークは事前に再分散させるべきである。再分散は、有利には水もしくは水性酸中で、分散液がｐＨ値４〜７を有するように行われる。その際に、シリカ分散液は、再分散完了後に、固体含有率５〜１８％質量％、有利には８〜１３質量％、特に有利には９〜１１質量％を有し、かつ再分散に際して、強すぎる剪断力がシリカに対して作用しないことを顧慮すべきである。それは、例えば回転数＜１０００回転／分での撹拌によって達成でき、その際、空間的に広範囲に撹拌し、局所的に撹拌すべきでない。有利には、再分散されたシリカ分散液は、乾燥器出口で温度１００〜１７０℃、有利には１３０〜１６０℃が設定された噴霧乾燥器中に配量される。
【００５３】
低い湿分吸収を保証するために、工程１ｂ）及び１ｆ）の作業と工程１ｃ）ないし１ｅ）におけるｐＨ値変更による沈降の他に、熱処理も必要である。前記の措置の組み合わせによって、本発明によるシリカの構造と表面は、所望の特性が達成されるように最適化される。工程４での熱処理は、回分式又は連続的に実施することができる。熱処理のためには、流動層−、流動床−又は回転管反応器を使用することができる。この場合に、熱処理の間に、均質な温度分布と均質なプロセスガス雰囲気を、全てのシリカ粒子が同じ条件に曝されるように保証することを顧慮すべきである。プロセスガスは、十分なスチーム濃度を有さねばならない。有利には、スチーム濃度は、１０〜９５容量％、特に有利には４０〜９０容量％、殊に有利には５０〜９０容量％である。
【００５４】
特に、回転管反応器を使用する場合には、至る所を同じ温度にする、すなわちスチームが凝縮しうる"冷帯域"が存在しないことを顧慮すべきである。凝縮されたスチームによって、シリカの塊状化が引き起こされることがある。従って、本発明による熱処理に際しての特定の条件は、既に熱処理前に粉砕されたシリカを熱処理後に更にもう一度粉砕する必要がないことを保証する、すなわち熱処理後に粉砕によって再び除去せねばならない凝結物又は塊状物を形成しないことを保証する。
【００５５】
有利には、流動層−又は流動床反応器が使用される。流動層とは、以下のことを表す：
水平な穿孔板上に堆積された微粒のバラ材に上方からガスを流過させた場合に、規定の流動条件下で、沸騰した液体と似た状態が生ずる；層が気泡を呈し、バラ材の粒子が層内部で絶え間ない上下運動にあり、いわば釣り合いを保っている。従って、浮遊層、流動層、流動床並びに流動化とも言われる。それに関係する該流動化物の大きな表面積は、固体の乾燥及び熱処理をも容易にする。
【００５６】
熱処理の間に全てのシリカ粒子が、ほぼ同じ温度又は有利には同じ温度と同じプロセスガスに曝されていることが重要である。最も高温の位置と最も低温の位置との間の温度差はできる限り少ないことが望ましい。従って、フィルターキャンドルの温度は、生成物温度未満であってはならない。
【００５７】
殊に有利には、本発明による方法の工程４での熱処理は、以下の部分工程４ａ）ないし４ｅ）：
４ａ． 親水性のシリカを流動層反応器中に充填する工程
４ｂ． 反応器を３００〜８００℃に予熱する工程。その際、同時に該反応器に不活性ガス及び／又は窒素−空気混合物を、流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓが生ずるように流過させる。
４ｃ． スチームと不活性ガス、例えば窒素からなるガス混合物Ｉ又はスチームと不活性ガスと空気とからなるガス混合物ＩＩを３００〜８００℃で０．２５〜６時間の期間にわたり供給する工程。その際、該ガス混合物を反応器に流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓで流過させ、かつガス混合物Ｉ及びＩＩは、スチーム濃度１０〜９５容量％を有し、ガス混合物ＩＩの場合には、酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
４ｄ． スチームの添加を中断し、そしてスチームを不活性ガス、例えば窒素及び／又は不活性ガス−空気混合物によって３００〜８００℃で追い出す工程。その際、該ガスもしくはガス混合物を反応器に流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓで流過させ、かつ不活性ガス−空気混合物を使用する場合に該混合物は酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
４ｅ． 熱処理された親水性のシリカを乾燥したプロセス雰囲気中で室温に冷却する工程。その際、不活性ガス−空気混合物を使用する場合に、該混合物は０．０１〜２１容量％の酸素含有率を有する。
に従って行われる。
【００５８】
その際に、親水性のシリカを流動層反応器中に充填（部分工程４ａ））した後に、部分工程４ｂ）において、反応器を３００〜８００℃、有利には３５０〜７００℃、特に有利には４００〜６５０℃の作業温度に加熱する。加熱過程の間に、反応器に、不活性ガス、有利には窒素及び／又は不活性ガスと乾燥空気とからなる混合物を、流動化速度が０．０２〜０．０６ｍ／ｓに調節されるように流過させる。
【００５９】
作業温度に到達した後に、部分工程４ｃ）において、スチームと不活性ガス、有利には窒素とからなるガス混合物Ｉ又はスチームと不活性ガスと空気とからなるガス混合物ＩＩを、０．２５〜６時間、有利には０．５〜５時間、特に有利には１〜４時間、殊に有利には２〜４時間にわたり反応器に導通させる。ガス混合物の流動化速度は、０．０２〜０．０６ｍ／ｓである。ガス混合物Ｉ及びＩＩは、１０〜９５容量％、有利には４０〜９０質量％、殊に有利には５０〜９０質量％のスチーム濃度を有し、かつガス混合物ＩＩの場合には、酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
【００６０】
本発明によるシリカの随時の粉砕のための技術は、当業者に公知であり、そして例えばＵｌｌｍａｎｎの第５版、Ｂ２、５〜２０において参照できる。有利には、本発明によるシリカの工程３ａ）及び／又は工程５）における粉砕のためには、インパクトミル又は対流式ミルが使用される。粉砕パラメータは、粉砕された生成物が、容量に対する粒子分布の１μｍ未満の範囲において、５〜１００％、有利には１０〜９５％、特に有利には１５〜９５％、殊に有利には２０〜９０％、特に好ましくは４０〜８０％の微粒子の割合と、０．０１〜１０μｍの容量に対する粒子分布曲線のｄ90値を有するように選択される。
【００６１】
本発明によるシリカは、シールコンパウンド中で、特にシリコーンゴムもしくはシリコーン系シールコンパウンド中で、特に有利にはＲＴＶ型の１成分系シールコンパウンド中で使用することができる。種々の架橋系、例えばアセトキシ架橋性、アルコキシ架橋性及びオキシム架橋性で使用することができる。これらの系は、例えば建設産業において継ぎ目シールコンパウンドとして、自動車産業において接着剤及び封止剤として、かつ例えばテキスタイル織物用の被覆材料として使用される。
【００６２】
本発明による沈降シリカの反応条件及び物理／化学的データは、以下の方法で測定される：
濾過ケークの固体含有率の測定
この方法に従って、濾過ケークの固体含有率は、１０５℃で揮発成分を除去することによって測定される。
【００６３】
このために、乾燥され補正された磁製皿（直径２０ｃｍ）中に１００．００ｇの濾過ケークを量り入れる（初期重量Ｅ）。場合により、該濾過ケークをへらで細かく砕き、最大で１ｃｍ3の緩い破片が得られる。該試料を、１０５±２℃で乾燥キャビネット中で質量が一定になるまで乾燥させる。引き続き、試料をデシケータキャビネット中で乾燥剤としてシリカゲルを用いて室温に冷却する。最終重量Ａを、重量法で測定する。
【００６４】
固体含有率（ＦＧ）（％）は、
ＦＧ＝Ａ／Ｅ*１００％
［式中、Ａは最終重量（ｇ）であり、かつＥは初期重量（ｇ）である］に従って測定される。
【００６５】
沈降懸濁液の固体含有率の測定
沈降懸濁液の固体含有率を、試料の濾過後に重量法で測定する。
【００６６】
１００．０ｍｌの均質化された沈降懸濁液（Ｖ懸濁液）を、室温でメスシリンダを用いて測定する。試料を、丸形フィルタ（型５７２、Ｓｃｈｌｅｉｃｈｅｒ＆Ｓｃｈｕｅｌｌ社）を介して磁製ヌッチェ中で吸引濾過するが、濾過ケークの亀裂形成を避けるために吸引乾燥は行わない。引き続き濾過ケークを１００．０ｍｌの蒸留水で洗浄する。洗浄された濾過ケークを、補正された磁製皿中に移し、そして乾燥キャビネット中で１０５±２℃で質量が一定になるまで乾燥させる。室温に冷却した後に、乾燥されたシリカの質量（ｍ試料）を測定する。
【００６７】
固体含有率は、
固体含有率（ｇ／ｌ）＝（ｍ試料（ｇ））／（Ｖ懸濁液（ｌ））
に従って測定する。
【００６８】
シリカ供給物の固体含有率の測定
シリカ供給物を、赤外線乾燥器中で質量が一定になるまで乾燥させる。乾燥減量は、主に水分からなる。
【００６９】
補正されたアルミニウム皿中に２．０ｇのシリカ供給物を充填し、そして赤外線乾燥ユニット（Ｍｅｔｔｌｅｒ社、型ＬＰ１６）の蓋を閉じる。スタートキーを押した後に、懸濁液の乾燥が１０５℃で始まり、単位時間あたりの質量低下が２ｍｇ／（１２０秒）を下回ったときに自動的に終了する。
【００７０】
質量低下（％）は、装置によって０〜１００％モードの選択で直接的に表示される。固体含有率は、
固体含有率（％）＝１００％−質量低下（％）
に従って得られる。
【００７１】
ｐＨ値の測定
シリカのｐＨ値の測定は、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７−９に基づき室温で５％の水性懸濁液として行う。前記の規格の仕様に対して、初期重量を変更した（１００ｍｌの脱イオン水に対して５．００ｇのシリカ）。
【００７２】
導電性の測定
シリカの導電性の測定は、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７−１４に基づいて室温で４％の水性懸濁液として実施する。前記の規格の仕様に対して、初期重量を変更した（１００ｍｌの脱イオン水に対して４．００ｇのシリカ）。
【００７３】
含水率又は乾燥減量の測定
シリカの含水率は、ＩＳＯ７８７−２に従って、循環空気乾燥キャビネット中で１０５℃で２時間乾燥させた後に測定する。この乾燥減量は、主に水分からなる。
【００７４】
強熱減量の測定
前記の方法に従って、シリカの質量損失をＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ３２６２−１に基づいて１０００℃で測定する。この温度で、物理的及び化学的に結合した水並びに別の揮発性成分を消失させる。調査される試料の含水率（ＴＶ）は、前記の方法"含水率もしくは乾燥減量の測定"に従って、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７−２に基づいて測定する。
【００７５】
０．５ｇの粉末状、球状又は顆粒状のシリカを、０．１ｍｇまで正確に、予熱され補正された磁製坩堝中に量り入れる（初期重量Ｅ）。試料を、マッフル炉中で１０００±５０℃で２時間加熱する。引き続き、磁製坩堝をデシケータ室中で乾燥剤としてシリカゲルを用いて室温に冷却する。最終重量Ａを、重量法で測定する。
【００７６】
強熱減量（ＤＩＮ）ＧＶ（％）は、
ＧＶ＝（１−Ａ／Ｆ）*１００
に従って得られる。
【００７７】
Ｆは、乾燥された物質に対して修正された初期重量（ｇ）を意味し、
Ｆ＝Ｅ*（１−ＴＶ／１００）
に従って計算される。
【００７８】
その式において、Ａは最終重量（ｇ）を意味し、Ｅは初期重量（ｇ）を意味し、ＴＶは乾燥減量（％）を意味する。
【００７９】
ＢＥＴ表面積の測定
粉末状、球状又は顆粒状のシリカの窒素比表面積（以下にＢＥＴ表面積と呼称する）は、ＩＳＯ５７９４−１／アネックスＤに基づき、ＴＲＩＳＴＡＲ３０００（Ｍｉｃｒｏｍｅｒｉｔｉｃｓ社）を用いてＤＩＮ ＩＳＯ９２７７による多点測定に従って測定する。
【００８０】
ＣＴＡＢ表面積の測定
該方法は、ＡＳＴＭ３７６５もしくはＮＦＴ４５−００７（５．１２．１．３章）による、ＣＴＡＢ（Ｎ−ヘキサデシル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムブロミド）の、シリカの"外"表面への吸着に基づく。
【００８１】
ＣＴＡＢの吸着は、水溶液中で撹拌及び超音波処理をしつつ行われる。吸着されない過剰のＣＴＡＢは、ＮＤＳＳ（ジオクチルナトリウムスルホスクシネート溶液、"Ａｅｒｏｓｏｌ ＯＴ"溶液）での逆滴定によってタイトロプロセッサーを用いて測定し、その際、終点は溶液の混濁の最大値によって与えられ、ホトトロードで測定される。全ての実施された作業の間の温度は、ＣＴＡＢの晶出を避けるために２３〜２５℃である。逆滴定は、以下の反応式：
【化１】
を基礎とする。
【００８２】
装置
タイトロプロセッサーＭＥＴＴＬＥＲ Ｔｏｌｅｄｏ 型ＤＬ５５及びタイトロプロセッサーＭＥＴＴＬＥＲ Ｔｏｌｅｄｏ 型ＤＬ７０は、それぞれ以下のものを備えている：
ｐＨ電極（製造元Ｍｅｔｔｌｅｒ、型ＤＧ１１１）及びホトトロード（製造元Ｍｅｔｔｌｅｒ、型ＤＰ５５０）
１００ｍｌのポリプロピレン製の滴定ビーカ
１５０ｍｌの蓋付滴定ガラス容器
１００ｍｌ容積の圧力濾過装置
硝酸セルロース製の細孔サイズ０．１μｍの４７ｍｍ径のメンブレンフィルタ（例えばＷｈａｔｍａｎ（注文番号７１８１−００４））。
【００８３】
試薬
ＣＴＡＢの溶液（ＣCTAB＝脱イオン水中０．０１５モル／ｌ）及びＮＤＳＳの溶液（濃度＝脱イオン水中０．００４２３モル／ｌ）を、使用準備が完了した状態で購入する（Ｂｅｒｎｄ Ｋｒａｆｔ ＧｍｂＨ社、デュースブルグ４７１６７：注文番号６０５６．４７００；０．０１５モル／ｌの濃度のＣＴＡＢ溶液；注文番号６０５７．４７００；０．００４２３モル／ｌのＮＤＳＳ溶液）、２５℃で保管し、１ヶ月以内に消費する。
【００８４】
実施
１． 盲検滴定
５ｍｌのＣＴＡＢ溶液の滴定のためのＮＤＳＳ溶液の消費量を、各測定列の前に１日１回試験すべきである。そのために、ホトトロードを滴定開始前に１０００±２０ｍＶに設定する（１００％の透明度に相当する）。
【００８５】
正確に５．００ｍｌのＣＴＡＢ溶液を滴定ビーカ中にピペットで入れ、そこに５０．０ｍｌの脱イオン水を添加する。撹拌下で、ＮＤＳＳ溶液による滴定を、当業者に一般に知られた測定法に従ってタイトロプロセッサーＤＬ５５を用いて溶液の最大の混濁度まで行う。ＮＤＳＳ溶液の消費量ＶAをｍｌで測定する。それぞれの滴定は、三重測定として実施する。
【００８６】
２． 吸着
含水率５±２％を有する粉末状、球状又は顆粒状のシリカ１０．０ｇ（場合により、含水率は１０５℃での乾燥キャビネット中での乾燥によって又は同様の増湿によって調節する）を、ミル（Ｋｒｕｐｓ社、モデルＫＭ７５、商品番号２０３０−７０）を用いて３０秒間粉砕する。粉砕された試料の正確な５００．０ｍｇ（初期重量Ｅ）を、マグネティックスターラを有する１５０ｍｌの滴定容器に移し、そして正確に１００．０ｍｌのＣＴＡＢ溶液（Ｔ1）を計量供給する。滴定容器に蓋を閉め、Ｕｌｔｒａ Ｔｕｒｒａｘ Ｔ ２５撹拌機（撹拌シャフトＫＶ−１８Ｇ、１８ｍｍ直径）を用いて１８０００回転／分で、完全に濡れるまで最長で１分間撹拌する。その滴定容器を、タイトロプロセッサーＤＬ７０にねじ留めし、そして懸濁液のｐＨ値をＫＯＨ（０．１モル／ｌ）で９±０．０５の値にまで調節する。
【００８７】
滴定容器中の懸濁液を超音波浴（Ｂａｎｄｅｌｉｎ社、Ｓｏｎｏｒｅｘ ＲＫ １０６ Ｓ、３５ｋＨｚ、１００Ｗの有効出力もしくは２００Ｗの最高出力）中で２５℃で４分間超音波処理を行う。引き続き、即座の圧力濾過を、メンブレンフィルタを通して窒素圧１．２バールで行う。５ｍｌのフィードが退けられる。
【００８８】
３． 滴定
残りの濾液５．００ｍｌを、１００ｍｌの滴定ビーカ中にピペットで入れ、そして脱イオン水で５０．００ｍｌにまで充填する。滴定ビーカを、タイトロプロセッサーＭＤＬ５５にねじ留めし、そして撹拌下に滴定をＮＤＳＳ溶液を用いて最大の混濁度まで行う。ＮＤＳＳ溶液の消費量ＶBをｍｌで測定する。それぞれの滴定は、三重測定として実施する。
【００８９】
【００９０】
ＣＴＡＢ表面積は、水不含のシリカに対するものであるため、以下の較正を実施する。
【００９１】
【数１】
【００９２】
シリカの含水率は、前記の方法"含水率の測定"に従って測定する。
【００９３】
ＤＢＰ吸収の測定
沈降シリカの吸収度のための尺度であるＤＢＰ吸収（ＤＢＰ数）を、規格ＤＩＮ５３６０１に基づき、以下のようにして測定する：
０〜１０％の含水率を有する粉末状又は球状のシリカ１２．５０ｇ（場合により、含水率は乾燥キャビネット中での１０５℃での乾燥によって調節する）を、ブラベンダー社製の吸収測定器"Ｅ"の混練チャンバ（商品番号２７９０６１）に入れる（トルクセンサの出力フィルタの減衰なし）。顆粒の場合に、１〜３．１５ｍｍの分級物（Ｒｅｔｓｃｈ社のステンレス鋼篩）を使用する（顆粒を、３．１５ｍｍの細孔幅を有する篩を通じてプラスチックへらで適度に加圧することによって）。絶え間なく混合しつつ（混練羽根の回転速度１２５回転／分）、室温で、"Ｄｏｓｉｍａｔｅｎ Ｂｒａｂｅｎｄｅｒ Ｔ ９０／５０"によってジブチルフタレートを４ｍｌ／分の速度で混合物中に滴加する。混和は、少ない所要力のみで行われ、デジタル表示器をもって追跡する。測定の終わりに向かって、混合物はペースト状となり、これは所要力の急激な上昇によって表示される。６００ディジットの表示（０．６Ｎｍのトルク）の場合に、電気接点によって混練機もＤＢＰ配量もスイッチを切る。ＤＢＰ供給のための同期モータは、デジタルメータと接続されているので、ＤＢＰの消費をｍｌで読み取ることができる。
【００９４】
ＤＢＰ吸収は、ｇ／（１００ｇ）で示され、以下の式をもって計算される：
【００９５】
ＤＢＰ吸収は、水不含の乾燥されたシリカについて定義されている。湿った沈降シリカを使用する場合に、ＤＢＰ吸収を計算するために補正値Ｋを考慮に入れるべきである。この値は、以下の補正表をもとに測定できる、例えばシリカの含水率５．８％は、ＤＢＰ吸収のために３３ｇ／（１００ｇ）の上乗せを意味する。シリカの含水率は、前記の方法"含水率もしくは乾燥減量の測定"に従って測定する。
【００９６】
【表１】
【００９７】
シラノール基密度の測定
まず、シリカ試料の含水率を、"含水率もしくは乾燥減量の測定"に従って測定する。次いで、２〜４ｇの試料（１ｍｇまで正確に測定すべき）を、圧力計が接続された圧密なガラス装置（滴下漏斗を有するガラスフラスコ）中に移す。そこで、該試料を、１２０℃で真空（＜１ｈＰａ）において１時間乾燥させる。次に室温で、滴下漏斗から、ジグリム中のＬｉＡｌＨ4の約４０ｍｌの脱ガスされた２％溶液を滴加する。場合により、更なる圧力上昇が観察されなくなるまで、更なる溶液が滴加される。ＬｉＡｌＨ4とシリカのシラノール基との反応に際して生ずる水素による圧力上昇を、圧力計（測定前に行われた装置の較正によって知られた容量で）によって≦１ｈＰａまで正確に測定する。圧力上昇から、一般的な気体方程式によって、シリカのシラノール基濃度に逆算することができ、その際、シリカの含水率を考慮に入れるべきである。溶剤の蒸気圧の影響は、その際に相応して較正すべきである。シラノール基濃度から、シラノール基密度は、以下のようにして算出される：
【数２】
【００９８】
レーザ回折による粒度分布の測定
粒子分布の測定は、レーザ回折の原理に従って、レーザ回折計（Ｈｏｒｉｂａ社、ＬＡ−９２０）上で行われる。
【００９９】
まず、シリカ試料を１００ｍｌの水中で、分散添加剤を添加せずに１５０ｍｌのガラスビーカ（直径：６ｃｍ）中で、１質量％のＳｉＯ2の質量割合を有する分散液が生ずるように分散させる。次いで、この分散液を、超音波プローブ（Ｄｒ．Ｈｉｅｌｓｃｈｅｒ ＵＰ４００ｓ、Ｓｏｎｏｔｒｏｄｅ Ｈ７）を用いて５分の時間にわたり激しく（３００Ｗ、非パルス型）分散させる。そのために、超音波プローブを、その下端がガラスビーカの底より約１ｃｍ上方まで浸るように取り付ける。分散の直後に、超音波負荷された分散液の部分試料からレーザ回折計（Ｈｏｒｉｂａ ＬＡ−９２０）を用いて粒度分布を測定する。Ｈｏｒｉｂａ ＬＡ−９２０の付属の標準ソフトで評価するために、１．０９の屈折率を選択すべきである。
【０１００】
全ての測定は、室温で行う。粒度分布並びに関連の大きさ、例えば粒度ｄ90は、装置によって自動的に計算され、図示される。操作マニュアルにおける指示を遵守すべきである。
【０１０１】
接触角の測定
接触角は、Ｗ．Ｔ．Ｙｅｎ、Ｒ．Ｓ．Ｃｈａｈａｌ、Ｔ．Ｓａｌｍａｎ著のＣａｎ．Ｍｅｔ．Ｑｕａｒｔ．，Ｖｏｌ．１２，Ｎｒ．３，１９７３に記載されるようにして測定する。
【０１０２】
改変型タップ密度の測定
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７−１１による"従来の"タップ密度の測定では、測定結果は、シリカが既に、例えば包装時に事前に圧密化を受けていることによって歪曲される。それを排除するために、本発明によるシリカについては"改変型タップ密度"が測定される。
【０１０３】
丸形フィルタ（例えば型５９８、Ｓｃｈｌｅｉｃｈｅｒ＋Ｓｃｈｕｅｌｌ社）が設けられた磁製ヌッチェ（名目寸法１１０、直径１２ｃｍ、高さ５．５ｃｍ）を、上端の約１ｃｍ下方までシリカで疎充填し、弾性シート（パラフィルム（登録商標））で覆う。その弾性シートの形状及び大きさは、該シートができる限り完全に磁製ヌッチェの縁部と同一面で終わるように選択すべきである。該ヌッチェを、吸引瓶上に置き、引き続き５分間にわたり−０．７バールの真空をかける。その際、シリカは、吸い込まれたシートによって均一に圧密化される。次いで、慎重に通気させ、生じたシリカの板状物を該ヌッチェから強く叩いて磁製皿中に取り出す。
【０１０４】
軽く事前に粉砕された材料を、内部受け皿を有する遠心ミル（ＺＭ１、Ｒｅｔｓｃｈ社、０．５ｍｍの取付篩、速度段階１、サイクロンなし、内部取付漏斗なし）によって均一に（シリカ（出発物質）を、ゆっくりと、へらで少しずつミル供給口（Ｍｕｅｈｌｅｎａｕｆｇａｂｅ）に入れ、内部生成物受け皿は決して完全に満杯になるべきでない）再分散させる（シリカ／空気のエーロゾルのように）。その際に、ミルの消費電力は、３アンペアの値を超過してはならない。この過程は、シリカ構造（例えば空気ジェット粉砕されたシリカのシリカ構造）の規定の緩み（Ａｕｆｌｏｃｋｅｒｎ）がより低い古典的な粉砕である。それというのもここでのエネルギー入力が、ジェット粉砕の場合よりも弱いからである。
【０１０５】
こうして得られた材料５ｇを、タップ容量計（Ｓｔａｍｐｖｏｌｕｍｅｔｅｒ）（型ＳＴＡＶ２００３、Ｅｎｇｅｌｓｍａｎｎ社）の２５０ｍｌのメスシリンダ中に０．１ｇまで正確に量り入れる。ＤＩＮ ＩＳＯ ７８７−１１に基づき、１２５０回の突き固め後に、得られたシリカの容量をｍｌで目盛から読み取る。
【０１０６】
【数３】
【０１０７】
７０％の相対湿度及び２０℃での平衡含水率の測定
シリカの平衡含水率の測定は、動的水蒸気吸着の原理に従って行う。その際に、シリカ表面に水が吸着した場合に質量増大が測定され、あるいは脱着した場合に質量低下が測定される（装置ＤＶＳ１０００、ＳＭＳ社）。実施の詳細は、操作マニュアルに記載されている。場合によっては、吸着曲線と脱着曲線の間にヒステリシスが観察される。
【０１０８】
測定は、２０℃で行う。初めに、１０〜５０ｍｇのシリカ試料上に乾燥空気流（０％の相対湿度）を、試料質量が一定になるまで導く。次いで、空気流の含水率を、約１０％のステップで９７〜１００％の最大空気含水率にまで高める。各々の空気含水率の増大後に、試料の一定質量が生ずるまで待機する（基準：ｄｍ／ｄｔ＜０．０００５％／分）。平衡含水率（２０℃／７０％）として、７０％の相対湿度の空気流の場合に吸着段階の間に生ずる百分率での質量増大（０％の相対湿度での乾燥した試料に対して）を定める。
【０１０９】
以下の実施例は、本発明を詳細に説明するが、その範囲を制限するものではない。
【実施例】
【０１１０】
実施例１の以下の指示において様々な箇所で使用される水ガラス及び硫酸は以下のように特性決定される：
水ガラス：密度１．３４８ｋｇ／ｌ、２７．０質量％のＳｉＯ2、８．０５質量％のＮａ2Ｏ
硫酸：密度１．８３ｋｇ／ｌ、９４質量％
実施例１：
傾斜板、ＭＩＧ−傾斜羽根型撹拌システム及びＥｋａｔｏ社製の液体剪断タービンを備えた２ｍ3の沈降槽（直径１６０ｃｍ）中に、１５００ｌの脱イオン水を装入し、そして９０℃に加熱する。温度到達後に、５２分間にわたり水ガラスを３．５２ｋｇ／分の配量速度で、かつ硫酸を０．４７ｋｇ／分の配量速度で撹拌しながら、粘度上昇点に至るまで計量供給する。硫酸の配量速度は、場合により、前記の時間の間に８．５のｐＨ値が保持されるように較正すべきである。引き続き、水ガラスと硫酸の配量を９０分の時間にわたり中断する。沈降懸濁液は、この時間内に９０℃で撹拌する。その中断後に、水ガラスの添加により２０分以内にｐＨ値を１０に上げ、そしてこの水準で６０分間にわたり保持する。沈降懸濁液は、その間に９０℃で撹拌する。引き続き、硫酸の添加によってｐＨ値を５分以内に再び８．５に下げる。ここで９０℃で撹拌しながら同時に、水ガラスを３．５２ｋｇ／時間の配量速度で、かつ硫酸を０．４７ｋｇ／時間の配量速度で、水ガラスと硫酸を沈降懸濁液中に約５０ｇ／ｌの固体含有率が生ずるまでの間添加する。
【０１１１】
次いで、水ガラスの配量を、温度を保持して遮断し、そして硫酸の同じ配量速度で、沈降懸濁液をｐＨ３に酸性化させる。
【０１１２】
沈降懸濁液は、約５０ｇ／ｌの固体含有率を有する。
【０１１３】
得られた懸濁液を、メンブレンフィルタープレスで濾過し、そして濾過ケークを、洗液中に＜１ｍＳ／ｃｍの導電性が確認されるまで脱イオン水で洗浄する。濾過ケークは、その際＜２０％の固体含有率で存在する。
【０１１４】
噴霧乾燥器による乾燥前に、濾過ケークを脱イオン水で再分散させて固体含有率８〜１０％とし、その際、該濾過ケークをそこで強い剪断力に曝さないことを顧慮すべきである。
【０１１５】
液化された濾過ケークの噴霧乾燥器中への配量導入は、乾燥器出口で測定した温度が約１５０℃であるように行われる。
【０１１６】
引き続き該材料を、流動層反応器（膨張された流動層の流動層高さは約１．５ｍ、流動層直径は約０．５ｍ）中で処理する。そのために以下の条件を遵守する：
まず、３０ｋｇの噴霧乾燥された粉末を、流動化床を有する流動層反応器中に充填する。流動化床に、乾燥窒素と乾燥空気からなるガス混合物を流過させる。前記の両者のガスを、反応器への入口前で、得られた酸素含有率６容量％を超過せず、反応器中での流動化速度０．０５ｍ／ｓが生ずるように配量する。反応器は、ここで室温から４５０℃に加熱される。流動化ガスのガス流は、加熱段階において、反応器中での流動化速度０．０５ｍ／ｓが一定に保たれるように調節するべきである。
【０１１７】
４５０℃に達した後に、３時間にわたって、スチームと窒素と空気との予熱されたガス混合物を反応器中に供給する。それら３種の成分の混合は、スチーム濃度５０％と酸素含有率３％が生ずるように行われる。窒素量と空気量は、同様に流動化ガス速度０．０５ｍ／ｓが生ずるように適合させる。
【０１１８】
次いでスチーム添加を中断する。窒素量と空気量は、同様に流動化速度０．０５ｍ／ｓが生じ、かつ酸素含有率約６％が生ずるように適合させる。
【０１１９】
スチーム供給を中断した後で、少なくとも５倍容量の乾燥プロセスガスを流動層反応器に導通させたあとに、生成物を乾燥プロセスガス雰囲気中で室温に冷却する。冷却は、酸素含有率が約６％である窒素−空気混合物中での流動化をしながら行う。冷却段階において、特に、その時にスチームがもはや存在しないことを顧慮すべきである。
【０１２０】
流動層処理後に、該材料を流動層対流式ミルＡＦＧ５０（Ａｌｐｉｎｅ社）でできる限り細かく粉砕する。実施例１の化学−物理的なデータを、第１表に列記する。
【０１２１】
比較例１〜２
以下の商業的に得られる親水性のシリカを分析調査し（第１表を参照）、そして実施例４において混加してシールコンパウンドとした：
比較例１： Ｓｉｌｏａ（商標）７２Ｘ（Ｒｈｏｄｉａ ＡＧ社）
比較例２： Ｕｌｔｒａｓｉｌ（登録商標）ＶＮ３（Ｄｅｇｕｓｓａ ＡＧ社）
【表２】
【０１２２】
実施例２：応用技術的試験
２．１ 沈降シリカを有するアセテート架橋性のＲＴＶ型の１成分系シリコーン系シールコンパウンドの製造
以下に配合物の製造のために必要な量を、第２表に示す。その製造の間に、水道水を用いて、該配合物が実質的に室温より高く加温されないように冷却すべきである。その製造は、室温でかつ相対空気含水率４０〜６０％で行われる。
【０１２３】
二重ジャケットを有する２ｌの撹拌槽と冷却水接続部と互いに独立的に制御可能な遊星駆動系及びディゾルバ駆動系を備えた遊星型ディゾルバ（Ｈ．Ｌｉｎｄｅｎ社、型ＬＰＭＤ ２ＳＰ）中に、シリコーンポリマー、可塑剤（シリコーン油）及び架橋剤を量り入れ、そして５０分-1の速度（遊星駆動装置）で、かつ５００分-1の速度（ディゾルバ駆動装置）で１分間均質化する。引き続き、触媒を添加し、そしてＮ2雰囲気下で遊星駆動系とディゾルバ駆動系の変わらない速度で１５分間均質化する。次いで、安定剤及びシリカを、同様に変わらない速度で混加する。シリカが完全に濡れたらすぐに、約２００ミリバールの真空を印加し、そして１００分-1の遊星型撹拌機構及び２０００分-1のディゾルバで１０分間分散させる。
【０１２４】
分散が完了した後すぐに、撹拌槽を窒素で通気する。シールコンパウンドを、バレルプレス（Ｆａｓｓｐｒｅｓｓｅ）を用いて、できるだけ早くアルミニウムチューブ（カートリッジ）中に詰め替える。
【０１２５】
２．２ ＲＴＶ型１成分系からの加硫物の製造
本発明によるシリカが使用されるＲＴＶ型の１成分系シリコーン系シールコンパウンドの応用技術的特性を調査するために、事前に製造されたシールコンパウンドから加硫物を作製せねばならない。これらの加硫物を、試験体に加工する。このために、まずシリコーン系シールコンパウンドを十分な量で平坦な支持板上に塗布し、ドクターブレード（間隙高さ：２ｍｍ）を用いて平らに塗被して、２ｍｍ高さ、約８０ｍｍ幅及び約３００ｍｍの長さの条片とする。その際、気泡が形成しないことを考慮に入れるべきである。前記のシリコーン条片から、次いでそれぞれの試験に必要な成形体を打ち出す。支持板は、加硫化されたシールコンパウンドを容易に剥がすことができるポリプロピレン、ポリエチレン、テフロン又は別のプラスチックからなることが望ましい。
【０１２６】
シリコーン条片を、完全に硬化するまで７日間貯蔵し、引き続き標準雰囲気（２３℃、５０％相対湿度）で少なくとも２日間貯蔵する。
【０１２７】
【表３】
【０１２８】
２．３ ＲＴＶ型の１成分系シールコンパウンドのレオロジー特性及び貯蔵安定性の測定
実施例２．１の"沈降シリカを有するアセテート架橋性のＲＴＶ型の１成分系シリコーン系シールコンパウンドの製造"により製造されたシールコンパウンドを、試験前に少なくとも２４時間にわたり、気候調節室（Ｋｌｉｍａｒａｕｍ）中で２３℃／５０％の相対湿度で貯蔵する。
【０１２９】
シールコンパウンドの貯蔵安定性の試験のために、２つのチューブを３５日間気候調節室中で２３℃／５０％の相対湿度で貯蔵し、それぞれ１日、７日、１４日、２１日、２８日、３５日の貯蔵時間後に試験する。更に、２つの更なるチューブを、空気循環炉中で５０℃で３５日間貯蔵し、そして同様に１日、７日、１４日、２１日、２８日、３５日の貯蔵時間後に試験する。
【０１３０】
レオロジー特性の測定は、Ｈａａｋｅ社製のレオメータＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ １（プログラムＲｈｅｏＷｉｎ ＰｒｏによるＰＣを介した制御）を用いて行う。装置とソフトウェアの条件は、Ｈａａｋｅ社の操作マニュアルに詳細に記載されている。その測定のために、直径３５ｍｍを有するプランジャ（Ｓｔｅｍｐｅｌ）と測定プレートアタッチメント（Ｍｅｓｓｐｌａｔｔｅｎａｕｆｓａｔｚ）ＭＰＣ３５が使用されるべきである。測定は、以下の条件下で実施する：
プランジャと測定プレートアタッチメントとの間の間隔： ０．５ｍｍ
測定温度： ２３℃
測定範囲（剪断速度）： ０〜１０ １／ｓ
測定点の数： ４００
測定点は、ｘ軸に剪断速度γを、そしてｙ軸に剪断応力τを示して図示される。剪断速度が１０ １／ｓの場合に、剪断応力を読取り、そこから１０ １／ｓでの粘度ηを、η＝τ／γに従って計算する。２つのチューブを測定する場合に、各チューブの測定は少なくとも３回実施する。６つの個別の結果から、最高値と最低値を破棄する。残りの４つの結果から、平均値を計算する。
【０１３１】
降伏点の測定のために、ケイソンのモデルを使用する。ケイソンによる流動曲線のシリカのためのデータの基礎として、剪断速度−剪断応力図からの０．２〜２ １／ｓの範囲を基礎とする。以下の関係が定義される：
【数４】
【０１３２】
ケイソンによる計算の流動曲線と交差するｙ軸上の値を、ケイソンによる降伏点として定める。
【０１３３】
１０ １／ｓでの粘度の測定も、ケイソンによる降伏点の測定も、ソフトウェアＲｈｅｏＷｉｎ Ｐｒｏにより前記条件下で自動的に行われる。
【０１３４】
２．４ 加硫化されたシリコーンゴムの引張強さ及び破断点伸びの測定
これらの測定は、ＤＩＮ５３５０４に基づいて行われ、一定の速度で引きちぎれるまで試験体を引っ張った場合のエラストマーからなる所定の形状の試験体の引張強さと破断点伸びの測定に寄与する。その際、引張強さと破断点伸びは、以下のように定義されている：
・ 引張強さδmaxは、測定された最大応力Ｆmaxと試験体の初期断面積Ａ0とからの商である。
【０１３５】
・ 破断点伸びεRは、引きちぎれる瞬間に測定される標点距離の変化量ＬΔと試験体の本来の標点距離Ｌ0とからの商である。
【０１３６】
その測定は引張試験器（Ｚｗｉｃｋ／Ｒｏｅｌｌ社、型Ｚ０１０）で実施され、その際、予め選択された最大応力が可変であること、固定装置が試験体を高い伸張に際しても機械的損傷なく保持し、かつ試験体のウェブ（Ｓｔｅｇ）を高い伸張に際しても機械的損傷なく設定された標点距離Ｌ0に保持すること、そして精密伸び計のジョー（Ｋｌｅｍｍｂａｃｋｅ）でのスプリング圧を調節できることを考慮に入れるべきである。
【０１３７】
図１に記載した標準棒Ｓ１を使用すべきである。
【０１３８】
加硫化された２ｍｍ厚の条片から、標準棒Ｓ１用の鉄製型打ちポンチ（Ｓｔａｎｚｅｉｓｅｎ）を用いて相応の試験体を打ち出し、少なくとも２４時間にわたり標準雰囲気（２３℃、５０％の相対湿度）下で試験まで貯蔵する。
【０１３９】
４〜６つの試験体を（２３±２）℃の温度で試験すべきである。引張試験前に、試験体の厚さｄと幅ｂを測定すべきである。固定に際して、標準棒を両方の固定ジョー間の中央に固定すべきである。固定ジョー間の間隔は、Ｌ＝５０ｍｍである。精密伸び計は、標点距離Ｌ0＝２５ｍｍに調節し、固定ジョー間の中央に固定されるべきである。表示は、ゼロにすべきである。引張クランプ（ｚｉｅｈｅｎｄｅｎ Ｋｌｅｍｍｅ）の送り速度は、ｖ＝５００ｍｍ／分である。応力Ｆmax及び引きちぎれ時の長さ変化量ＬΔが確認される。そこから、引張強さと破断点伸びを以下のように計算し、そして個別の測定値の平均値として示す：
【０１４０】
２．５ 加硫化されたシリコーンゴムの引裂強さの測定
この測定は、ＡＳＴＭ Ｄ ６２４Ｂに基づいて行われる。エラストマーの引裂試験は、切れ目の入った試料が引裂に対抗する抵抗の測定に寄与する。
【０１４１】
エラストマーの引裂強さは、その配合成分とその処理、加硫化及び試験速度に依存する。補強性充填剤がもたらす加硫物の引裂強さに対する影響が調査される。その測定は引張試験器（Ｚｗｉｃｋ／Ｒｏｅｌｌ社、型Ｚ０１０）で実施され、その際、予め選択された最大応力が可変であること、固定装置が試験体を高い伸張に際しても機械的損傷なく保持することを考慮に入れるべきである。
【０１４２】
加硫化された２ｍｍ厚のシリコーン条片から、試験体（図２）を、ＡＳＴＭ Ｄ ６２４Ｂに相応する鉄製型打ちポンチを用いて切り出し、少なくとも２４時間にわたり標準雰囲気（２３℃、５０％の相対湿度）下で試験まで貯蔵する。
【０１４３】
鉄製型打ちポンチは、内径頂点に、打ち抜いたときに０．５ｍｍ±０．０５ｍｍの深さで溝を切り込む刃を有する。
【０１４４】
４〜６つの試験体を（２３±２）℃の温度で試験すべきである。試験体は、試験前に３時間、試験温度で貯蔵されねばならない。試験体の厚さａは、試験前に厚さ測定装置で±０．０１ｍｍまで測定されるべきである。試料は、引張試験機の固定ジョーで固定され、送り速度ｖ＝５００ｍｍ／分で引き裂かれる。その際、溝は試験者から左側にあることを考慮に入れるべきである。
【０１４５】
最高値と最低値を有する両方の試験体は、評価において考慮に入れない。引裂強さδw1［Ｎ／ｍｍ］は、変数Ｆmax（最大応力［Ｎ］）とａ1（厚さ［ｍｍ］）から計算され、そして残りの個別の測定値の平均値として示される：
【数５】
【０１４６】
本発明によるシリカが混加されたシリコーンゴム配合物の粘稠性の評価のために、ケイソンによる降伏点についての測定結果と１／１０の剪断速度での粘度についての測定結果とが用いられる（第３表）。
【０１４７】
粘稠性とは、ＲＴＶ型の１成分系シリコーン系シールコンパウンドのレオロジー挙動を表す。良好な粘稠性とは、垂直面に適用されたシリコーンゴムが、そこに硬化の間２４時間にわたって流れなく付着する場合を指す。十分に良好な粘稠性は、≧１００Ｐａｓの粘度と≧９０Ｐａの降伏点で確認できる。ケイソンによる降伏点についての値は、実施例１による本発明によるシリカを含有するシリコーンゴム配合物の降伏点が、９０の値で、比較シリカを含有するシリコーンゴム配合物の場合より実質的に高いことを明示している。すなわち、本発明によるシリカが混加されたシリコーンゴム配合物は、従ってより高い粘稠性を有する。係る配合物は、適用された形に留まり、流れの傾向を示さない。これは、粘度値によっても確認される。このように、本発明によるシリカは、比較例に対して同等ないしより高い粘度を示す。
【０１４８】
硬化されたシリコーンゴム配合物の機械的安定性（引張強さ及び引裂強さ）並びに可撓性（破断点伸び）を、種々の条件下で、引張負荷時のその挙動によって評価することができる（第４表）。
【０１４９】
機械的特性についての測定結果は、以下のように解釈することができる：比較例２によるシリカを含有するシリコーンゴム配合物２ｃについては、ほぼシリコーン加硫物を製造することができないので（製造直後に完全に硬化する）、その機械的特性も測定できない。実施例１による本発明によるシリカを含有する配合物についての測定値は、硬化したシリコーンゴム配合物の機械的安定性（引張強さ及び引裂強さ）並びに可撓性（破断点伸び）に対する最低限の要求を満たしていることを示している。比較例１と比較すると、本発明によるシリカは、より良好な機械的安定性（引張強さ及び引裂強さのより高い測定値）並びに同等あるいはより良好な可撓性（破断点伸びについての同等又はより高い測定値）を示している。
【０１５０】
貯蔵安定性、すなわち降伏点及び粘度のようなレオロジー特性の変化並びに経時的なチューブにおける不利な硬化挙動を、第５表及び第６表に示す。その際に、室温での貯蔵も、より高い温度（５０℃）での貯蔵も考察された。本発明によるシリカを含有するシリコーンゴム配合物は、調査された３５日間の貯蔵時間にわたって、そのレオロジー特性、剪断速度１／１０での粘度及びケイソンによる降伏点において変化がないか又はほんの少しだけ変化したに過ぎないことを明示している。すなわち良好な増粘特性並びに加工特性（例えば押出可能性もしくは絞り出し可能性）は、前記の条件下での貯蔵後にもなお、シールコンパウンドがチューブ中で既に早期架橋もしくは加硫化することなく存在する。
【０１５１】
それに対して、比較例１については、シリコーンゴム配合物２ｂで既に最初の２１日でレオロジー特性に不利な変化が観察できる。出発値と比較すると、粘度及び降伏点は明らかに増大し、これはシールコンパウンドの早期の架橋を示唆している。２１日と２８日の間に、試料は既にチューブ中で硬化しており、そのためもはや加工できない。より高い温度で貯蔵した後でも同様の挙動をとる。そこでは、比較例１の早期の硬化は既に２日と７日の間で生じている。沈降シリカＵｌｔｒａｓｉｌ（登録商標）ＶＮ３（比較例２）は更に悪い挙動をとる。ここでは、シリコーンゴムコンパウンド２ｃは製造後直ちに硬化してしまい、カートリッジ（チューブ）中への充填は、もはや不可能であるか、もしくはこのシリコーンゴムコンパウンドは、ＲＴＶ型の１成分系用途には適していない。両方の場合に、その理由は、両方の比較シリカの高すぎる湿分負荷（２０℃／７０％の相対湿度での平衡含水率で表される）にあり、それがシリコーンゴムの早期の架橋及び迅速な架橋を開始する。それに対して、本発明によるシリカの低い湿分負荷によって長期の貯蔵安定性と、ともにその後にも更に保証されるべき加工可能性も確実なものとすることができる。
【０１５２】
【表４】
【０１５３】
【表５】
【０１５４】
【表６】
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】図１は、加硫化されたシリコーンゴムの引張強さ及び破断点伸びの測定で使用された試験棒を示している
【図２】図２は、加硫化されたシリコーンゴムの引裂強さの測定で使用された試験体を示している
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＴＶ型の１成分系シールコンパウンド中での使用に特によく適した親水性の沈降シリカ、その製造方法並びに該シリカをシールコンパウンドの増粘のために用いる使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
シールコンパウンドとは、流動形ないし粘稠形で適用される弾性物質であって建造物又は装置を水、大気の影響又は侵食性の媒体に対して封止するための物質を表す。
【０００３】
シリコーンゴムは、ゴム弾性状態に変換できる材料であり、該材料は基本ポリマーとして、架橋反応しうる基を有するポリジオルガノシロキサンを有する。係る基としては、主として、Ｈ原子、ＯＨ基及びビニル基が該当し、それらは鎖端に存在するが、鎖中に組み込まれていてもよい。前記系において、充填剤は補強剤として導入され、その種類と量が、加硫物の機械的及び化学的な挙動に明らかな影響を及ぼす。シリコーンゴムは、無機顔料によって着色することができる。高温加硫型のシリコーンゴムと低温加硫型のシリコーンゴムとは異なる（高温加硫型／室温加硫型＝ＨＴＶ／ＲＴＶ）。
【０００４】
低温硬化型又はＲＴＶ型のシリコーンゴム材料では、１成分系と２成分系に区別することができる。第一の群（ＲＴＶ型の１成分系）は、室温で、空気湿分の影響下にゆっくりと重合し、その際、架橋は、ＳｉＯＨ基の縮合によって、Ｓｉ，Ｏ結合を形成して行われる。ＳｉＯＨ基は、末端位ＯＨ基を有するポリマーと、いわゆる架橋剤のＲ−ＳｉＸ3（例えばＸ＝−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ3、−ＮＨＲ）とから中間的に生ずる種のＳｉＸ基の加水分解によって形成される。２成分系ゴム（ＲＴＶ型の２成分系）では、架橋剤として、例えばケイ酸エステル（例えばケイ酸エチル）と有機スズ化合物とからの混合物が使用され、その際、架橋反応として、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ架橋の形成が、≡Ｓｉ−ＯＲ及び≡Ｓｉ−ＯＨ（−はメチル基；Ｒは有機基）からアルコールを離脱することによって行われる。
【０００５】
ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムの増粘のためには、とりわけシリカが使用される。シリカは、シリコーン系シールコンパウンドの加水分解感受性に基づき、できる限り少ない湿分しか該系中に導入してはならない。従って、今まではほとんど専ら、前記用途にはヒュームドシリカが使用されていた。親水性の沈降シリカは、その高い含水率に基づき、今までは使用することができなかった。
【０００６】
特許文献ＵＳ５，３９５，６０５号では、吸水率（２３℃及び６４％の相対湿度）が４％未満であり、そのタップ密度（ｓｔａｍｐｆｄｉｃｈｔ）が１００ｇ／ｌを上回る沈降シリカに特許の保護が請求されている。しかしながら、ＵＳ５３９５６０５号からのシリカは、ＨＴＶ型のシリコーンゴムとケーブル押出においてのみ使用できるに過ぎない。ＲＴＶ１型シリコーンゴムで使用するために不適なのは、タップ密度が高すぎ、それゆえに増粘（降伏点）が低すぎるからである。ＵＳ５，３９５，６０５号の方法は、シリカを非常に高い温度で非常に長期に熱処理せねばならないという欠点を有する。それにより該方法は、経済的にあまり関心が持たれていない。更に、ＵＳ５，３９５，６０５号による熱処理は、シリカの固化と焼き付けを引き起こすので、熱処理後に粉砕が必要とならざるを得ない。
【０００７】
ＷＯ２００５０６１３８４号は、特許請求の範囲の記載により吸水率＜６％とＤＯＰ＞３００ｍｌ／１００ｇを有することが望ましいシリカの製造と、とりわけシリコーンゴムでのその使用を示している。しかしながら、ＷＯ２００５／０６１３８４号の実施例に開示されるシリカは、全てにおいて吸水率５．７〜５．９％を有し、従ってＲＴＶ型の１成分系配合物での使用には適していない。ＷＯ２００５／０６１３８４号の実施例においては、首尾一貫して、押出法用のシリコーンゴム配合物（ＨＴＶ）での使用のみが記載されているに過ぎない。
【０００８】
ＥＰ１５５７４４６号では、もっぱらＨＴＶ−シリコーンゴム配合物が記載されている。そこで使用されるシリカは、乾燥減量＜４％を有する。使用されるシリカの高い空気湿分の影響による平衡含水率（これは乾燥減量と混同すべきでない）に関する記述は、ＥＰ１５５７４４６号において同じようにわずかしか、そこに記載されるシリカがＲＴＶ型シリコーンゴム配合物中で使用できることに指摘が見出されない。ＥＰ１５５７４４６号に開示される配合物は、絶縁材料、例えばケーブル外装の製造のために使用される。
【０００９】
従って、まとめると、先行技術においては、ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴム中で使用するための高い要求を満たす親水性の沈降シリカは全く開示されていないことを認めることができる。従って、ＲＴＶ型の１成分系用途に適した係る親水性の沈降シリカに高い要望がある。
【特許文献１】ＵＳ５，３９５，６０５号
【特許文献２】ＷＯ２００５／０６１３８４号
【特許文献３】ＥＰ１５５７４４６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記の従来技術から出発して、本発明の課題は、エラストマー混合物中で、特にＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴム配合物中で増粘剤及び補強剤として特によく適した沈降シリカを提供することであった。更に、本発明によるシリカの製造方法を自由に使用できることが望ましい。
【００１１】
明確に挙げられていない更なる課題は、発明の詳細な説明、実施例及び特許請求の範囲の全体の脈絡からもたらされる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
驚くべきことに、前記課題は、以下の発明の詳細な説明並びに特許請求の範囲及び実施例において詳細に定義された本発明によるシリカによって解決されることが判明した。
【００１３】
本発明の対象は、以下の物理−化学パラメータ：
平衡含水率（７０％の相対湿度（ｒ．Ｆ．）／２０℃で） ０．５〜５．０質量％
ＢＥＴ表面積 ５０〜２５０ｍ2／ｇ
ＣＴＡＢ表面積 ５０〜２５０ｍ2／ｇ
ＤＢＰ（無水） ２００〜３５０ｇ／１００ｇ
を特徴とする親水性の沈降シリカである。
【００１４】
また本発明の対象は、前記のパラメータの他に、互いに無関係に、以下の物理−化学パラメータ：
改変型タップ密度 ≦７０ｇ／ｌ
強熱減量 ０．１〜３．０質量％
乾燥減量 ０．１〜３．０質量％
ｐＨ値 ４〜９
シラノール基密度 ０．５〜３．５ＳｉＯＨ／ｎｍ2
容量に対する粒子分布における１μｍ未満の粒子の割合 ５〜１００％
容量に対する粒子分布のｄ90値 ０．０１〜１０μｍ
の１又はそれより多くを有する親水性の沈降シリカである。
【００１５】
本発明の更なる対象は、請求項１０から１６までのいずれか１項記載の本発明による沈降シリカの製造方法である。
【００１６】
本発明の更なる対象は、本発明によるシリカを、シールコンパウンド、特にシリコーンゴムもしくはシリコーン系シールコンパウンド、特に有利にはＲＴＶ型の１成分系シールコンパウンド中で用いる使用である。種々の架橋系、例えばアセトキシ架橋性、アルコキシ架橋性及びオキシム架橋性で使用することができる。これらの系は、例えば建設産業において継ぎ目シールコンパウンドとして、自動車産業において接着剤及び封止剤として、かつ例えばテキスタイル織物用の被覆材料として使用される。
【００１７】
本発明の更なる対象は、本発明によるシリカを含有するシリコーンゴムを基礎とするシールコンパウンド及びそれらの使用である。
【００１８】
本発明による沈降シリカは、とりわけ、該シリカが、その非常に低い経時的な吸湿性（平衡含水率）に基づいて、かつ部分的にはその低い初期含水率（乾燥減量によって表現される）に基づき、シリコーンゴム材料、特にＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴム材料中に混加した後に、該シリコーンゴムの高い貯蔵安定性を保証するという利点を有する。ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムは、室温で、空気湿分の影響下にゆっくりと重合し、その際、架橋は、ＳｉＯＨ基の縮合によって、Ｓｉ−Ｏ結合を形成して行われる。補強及び増粘のために使用される充填剤、例えばシリカは、従って、能動的に（初期含水率によって）湿分を系中にもたらしてはならない。それというのも、さもないとシリコーンゴムの重合は、本来の処理前にはじまってしまうからである。前記の作用は、シリカが受動的にさえも（吸湿によって）できる限りわずかにしか系中に湿分を取り込まない場合には、更に高めることができる。本発明によるシリカに関して、十分に低い経時的な吸湿性（平衡含水率）を有する効果的な親水性の沈降シリカが初めて製造されたので、シリコーン系シールコンパウンド中への湿分の能動的及び受動的な取り込みは、該沈降シリカによって十分に回避することができる。
【００１９】
全体で、本発明による沈降シリカの特定の特性は、とりわけ以下の利点をもたらす：
・ 本発明によるシリカの混加によるＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムコンパウンドの高い貯蔵安定性
・ 良好かつ迅速な分散による、ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムコンパウンド中でのシリカの高い増粘作用。
【００２０】
更に、本発明による沈降シリカは、今までにＲＴＶ１型シリコーンゴムで使用されてきたヒュームドシリカに対して、廉価に製造できるため実質なコスト上の利点を提供する。
【００２１】
本発明の対象を、以下に詳細に説明する。
【００２２】
本発明において、シリカと沈降シリカとの概念は同義に使用される。親水性の沈降シリカとは、この場合に、水中に導入して撹拌した場合に親水性の挙動をとる沈降シリカ、すなわち表面が水により完全に濡れ、従って水に対して９０゜より小さい接触角を有する沈降シリカを表す。本発明による親水性の沈降シリカは、炭素含有率＜０．５質量％を有することが好ましい。
【００２３】
ＢＥＴ比表面積は、シリコーンゴム中への混加挙動並びに粗製混合物特性に対して及ぼされるシリカの作用を説明するものである（Ｓ．Ｂｒｕｎａｕｅｒ、Ｐ．Ｈ．Ｅｍｍｅｔｔ、Ｅ．Ｔｅｌｌｅｒ著の"Ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ ｏｆ Ｇａｓｅｓ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒｓ"，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．６０，３０９（１９３８）を参照のこと）。そして、本発明によるシリカは、とりわけＢＥＴ表面積５０〜２５０ｍ2／ｇ、有利には１００〜２３０ｍ2／ｇ、特に有利には１２０〜２００ｍ2／ｇ、殊に有利には１６０〜１９０ｍ2／ｇである。
【００２４】
ＣＴＡＢ比表面積は、主に、シリカの補強特性について決定的な意義を有する（Ｊａｎｚｅｎ，Ｋｒａｕｓ，Ｒｕｂｂｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．４４，１２８７（１９７１）を参照のこと）。補強能力は、ＣＴＡＢ表面積が高まると増大する。そして、本発明によるシリカは、とりわけＣＴＡＢ表面積５０〜２５０ｍ2／ｇ、有利には１００〜２３０ｍ2／ｇ、特に有利には１２０〜２００ｍ2／ｇ、殊に有利には１６０〜２００ｍ2／ｇである。
【００２５】
更に、本発明によるシリカの高いＤＢＰ吸収が、良好なレオロジー特性を達成するために役立つことが明らかにされた。しかも高すぎるＤＢＰ値は、シリコーンゴムの過度の粘度上昇を引き起こすことがあり、従ってそれは回避すべきである。従って、本発明によるシリカは、ＤＢＰ吸収２００〜３５０ｇ／（１００ｇ）を有する。ＤＢＰ吸収が、２２０〜３３０ｇ／（１００ｇ）、特に有利には２５０〜３２０ｇ／（１００ｇ）、殊に有利には２７０〜３２０ｇ／（１００ｇ）であることが好ましい。
【００２６】
ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムコンパウンドの加水分解感受性に基づき、平衡含水率（７０％の相対湿度／２０℃で測定した）は、本発明によるシリカの必須の基準である。カートリッジ／チューブにおいてシリコーンゴムコンパウンドが高い貯蔵安定性を有するように、該系中にできる限り殆ど湿分が持ち込まれないことが必須のことである。それというのも、さもないと本来の封止のための使用前に早期の硬化が開始するからである。本発明によるシリカは、とりわけ平衡含水率０．５〜５．０質量％、有利には０．８〜４．５質量％、殊に有利には１．０〜４．０質量％、特に有利には１．０〜３．７質量％、特別有利には２．０〜３．７質量％である。
【００２７】
第一の有利な一実施態様では、本発明によるシリカは、加えて、従来技術の沈降シリカと比較して非常に特別なシラノール基密度の点で卓越している。シラノール基密度の測定のために、まずＬｉＡｌＨ4を用いて、シリカ表面上のシラノール基の数を測定する。しかしながら、これが単独では直示的でないのは、高い表面積を有する親水性の沈降シリカは、一般に、低い表面積を有する親水性の沈降シリカよりも高いシラノール基の絶対数を有するからである。従って、シラノール基数は、シリカの表面積に適用されるべきである。好適な表面積としては、このためには、ＢＥＴ表面積が向いている。それというのも、この表面積は、例えば水のようなより小さな分子も立ち入ることができる表面積を説明しているからである。本発明によるシリカのシラノール基密度は、０．５〜３．５ＳｉＯＨ／ｎｍ2、有利には０．５〜３．０ＳｉＯＨ／ｎｍ2、特に有利には１．０〜３．０ＳｉＯＨ／ｎｍ2、殊に有利には１．５〜２．８ＳｉＯＨ／ｎｍ2の範囲にあることが好ましい。１ｎｍ2あたりのシラノール基の数が少なすぎる場合に、それは低すぎる降伏点をもたらし、そしてそれによりシリコーン系シールコンパウンドの粘稠性に悪影響を及ぼす。最適化されたシラノール基密度は、加えて、シリコーン系シールコンパウンドの貯蔵安定性に良い影響を及ぼす。
【００２８】
第二の同様の有利な一実施態様においては、本発明による沈降シリカは、低い改変型タップ密度を有し、従って特に良好なチキソトロピー性を有する。この場合に、改変型タップ密度とは、圧密化されていない材料で測定したタップ密度を意味することに注意すべきである。前記の大きさを、既に包装及び貯蔵によって事前に圧密化された材料で測定可能にするために、"改変型タップ密度の測定"の節で記載されるようにして試料調製を実施するべきである。本発明によるシリカは、７０ｇ／ｌ以下、１〜６０ｇ／ｌ、特に有利には５〜５５ｇ／ｌ、殊に有利には１０〜５０ｇ／ｌ、特別有利には２０〜５０ｇ／ｌの改変型タップ密度を有する。その低い改変型タップ密度によって、本発明による沈降シリカの更に有利な作用が引き起こされる。低い改変型タップ密度は、シリカ粒子の非常に疎な充填によって生ずる。すなわち、シリカ粒子同士は一方で確かにふれ合って、互いに容易に付着しあうが、他方で大きい中空空間が生ずるほど疎に充填されている。この疎な充填は、シリコーンコンパウンド中にも生じ、そうしてシリコーンコンパウンドの高いチキソトロピー性を引き起こす。
【００２９】
本発明によるシリカが、特に良好な粘稠性と同様に、未架橋のシリコーン系シールコンパウンドの特に良好な貯蔵安定性も可能にする特に有利な一実施態様においては、本発明によるシリカは、ＤＢＰ吸収２００〜３５０ｇ／（１００ｇ）、有利には２２０〜３３０ｇ／（１００ｇ）、殊に有利には２２０〜３００ｇ／（１００ｇ）、特別有利には２５０〜３２０ｇ／（１００ｇ）、殊に好ましくは２８０〜３１０ｇ／（１００ｇ）によって表現される十分な多孔性を、７０ｇ／ｌ未満、有利には１〜６０ｇ／ｌ、特に有利には５〜５５ｇ／ｌ、殊に有利には１０〜５０ｇ／ｌ、特に好ましくは２０〜５０ｇ／ｌの低い改変型タップ密度並びに０．５〜３．０ＳｉＯＨ／ｎｍ2、有利には１．０〜３．０ＳｉＯＨ／ｎｍ2、特に有利には１．５〜２．８ＳｉＯＨ／ｎｍ2の低いシラノール基密度と組み合わせて有する。
【００３０】
本発明によれば、更に、シリコーン系シールコンパウンドの粘稠性については、本発明による沈降シリカが、十分な割合の微細粒子、すなわち十分な割合の１μｍ未満の粒子を有する場合に特に好ましいことがあると確認された。これは、全ての前記の実施態様に当てはまる。従って、本発明によるシリカは、容量に対する粒子分布の１μｍ未満の粒度範囲において、５〜１００％、有利には１０〜９５％、特に有利には１０〜７０％、殊に有利には１５〜７０％の微細粒子の割合を有することが好ましい。
【００３１】
また、粗大粒子の割合が高すぎることで、本発明による沈降シリカの応用技術的特性に悪影響が及ぼされうることが確認された。従って、本発明による沈降シリカは、ｄ90値の容量に対する粒子分布曲線に対して、０．０１〜１０μｍ、有利には１〜１０μｍ、特に有利には２〜８μｍ、特に好ましくは３〜７μｍであることを特徴とする。
【００３２】
粒子分布は、単峰性又は二峰性、有利には二峰性であってよい。
【００３３】
本発明によるシリカの前記の全ての実施態様については、該親水性のシリカが、初めからできる限り殆ど湿分をシリコーン系シールコンパウンド中に持ち込まない場合に特に好ましいことがあるとも確認された。従って、本発明によるシリカは、乾燥減量によって表現される初期含水率０．１〜３．０質量％、有利には０．２〜２．５質量％、特に有利には０．３〜２．０質量％、特に好ましくは０．４〜１．８質量％及び／又は強熱減量によって表現される初期含水率０．１〜３．０質量％、有利には０．２〜３．０質量％、特に有利には０．３〜２．０質量％、特に好ましくは０．４〜１．８質量％を有してよい。
【００３４】
最後に、本発明によるシリカの前記の全ての実施態様について、親水性のシリカが、４〜８、有利には４．５〜７．５の範囲のｐＨ値を有することが特に好ましいことがあると確認された。ｐＨ値が高すぎる場合に、シリコーンコンパウンドは、より長期の貯蔵後（例えば数日後）にもはや正しく架橋されず、粘着性のままであると考えることができる。
【００３５】
前記の有利な範囲を、互いに無関係に設定することができる。
【００３６】
本発明によるシリカは、以下に記載される工程：
１． 少なくとも１つのケイ酸塩と少なくとも１つの酸性化剤とを反応させる工程
２． 得られたシリカを濾過及び洗浄する工程
３． 得られたシリカもしくは濾過ケークを乾燥させる工程
４． 乾燥されたシリカを熱処理する工程
を含む方法に従って製造することができる。
【００３７】
工程１は、その際、有利には以下の部分工程
１ａ． 水もしくは水と少なくとも１つのケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液からなる初充填物を製造する工程。その際、こうして得られた初充填物のｐＨ値は、有利にはｐＨ５〜ｐＨ１０であり、かつ該初充填物の温度は有利には８０〜１００℃である。
１ｂ． 少なくとも１つのケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液と少なくとも１つの酸性化剤とを、撹拌下に８０〜１００℃で前記の部分工程１ａ）からの初充填物中に、粘度上昇点に達するまで配量する工程。その際、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の添加は、同時に及び／又はｐＨ値が部分工程１ｂ）の期間にわたってｐＨ７〜ｐＨ１０の値に一定に保たれるように行われる。
１ｃ． ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の添加を止めて、沈降懸濁液を８０〜１００℃の温度で１５〜１２０分間にわたり撹拌する工程。
１ｄ． ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液を添加して、沈降懸濁液のｐＨをｐＨ８〜ｐＨ１１に高め、高められたｐＨ値に達した後に、該沈降懸濁液を、このｐＨ値で８０〜１００℃の温度で１５〜９０分間にわたり撹拌する工程。
１ｅ． 酸性化剤を添加して、沈降懸濁液のｐＨ値を、有利には部分工程１ｄ）と変わらない温度でｐＨ７〜ｐＨ１０に下げる工程。
１ｆ． 部分工程１ｂ）による沈降を継続する工程。その際、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤は、同時に８０〜１００℃の温度で、部分工程１ｇ）の実施後に所望の固体含有率に至る沈降懸濁液の固体含有率が達成されるまで添加する。
１ｇ． 酸性化剤を、８０〜１００℃の沈降懸濁液の温度で添加して、沈降懸濁液のｐＨ値を２〜６にまで低下させ、かつこの部分工程の最後に沈降懸濁液の固体含有率を３０〜７０ｇ／ｌとする工程
を含む。
【００３８】
本発明によるシリカを粉砕することが好ましい。本発明によるシリカを工程３ａにおいて、すなわち工程３と４の間に、又は工程５において、すなわち工程４の後で、又は工程３ａ、すなわち工程３と４の間と、工程５、すなわち工程４の後に粉砕して行うことが特に好ましい。
【００３９】
全ての公知のケイ酸塩形は、本発明による方法の工程１）で使用されるケイ酸塩もしくはケイ酸塩溶液について考慮の対象となる。本発明により使用されるケイ酸塩は、アルカリケイ酸塩、例えばケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムであることが好ましい。工程１においては、ケイ酸ナトリウム（水ガラス）であることが特に好ましい。そのＳｉＯ2とＮａ2Ｏとの質量比は、２〜４、有利には３〜３．６、特に有利には３．３〜３．５である。ＳｉＯ2の含有率は、２０〜４０質量％、有利には２５〜３０質量％である。
【００４０】
酸性化剤とは、有機又は無機の性質の酸性化合物であって、それを用いて沈降懸濁液のｐＨ値を低下させることができる化合物を表す。有利には、無機酸、例えば塩酸、リン酸、硫酸もしくは硝酸又は有機酸、例えば酢酸、ギ酸もしくは炭酸あるいは二酸化炭素を使用することができる。希釈された酸も濃縮された酸も使用することができる。特に、本発明による方法では硫酸を使用することが好ましい。
【００４１】
大抵は、部分工程１ａ）ないし１ｇ）で使用されるケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液並びに酸性化剤は同一である。
【００４２】
部分工程１ａ）における初充填物のｐＨ値は、有利にはｐＨ７〜ｐＨ１０、特に有利にはｐＨ８〜ｐＨ９である。該初充填物の温度は、８０〜１００℃、有利には８５〜９５℃に調節される。
【００４３】
部分工程１ｂ）及び１ｆ）では、ケイ酸塩及び酸性化剤は、有利には同時に計量供給される。両方の成分の添加は、部分工程１ｂ）及び１ｆ）の全時間にわたって一定に連続的に実施することが好ましい。その温度は、その間に８０〜１００℃、有利には８５〜９５℃に保たれる。工程１ｆ）における添加時間は、工程１ｇ）の終わりに達成されるべき固体含有率が達成されるまでである。沈降は、粘度上昇点で中断される。その際、前記の粘度上昇点は、沈降過程において沈降懸濁液の粘度の激しい上昇が観察できる時点（それについてはＥＰ０６４３０１５号参照）に相当する。シリカの沈殿が始まる部分工程１ｂ）の間と部分工程１ｆ）の間には、ｐＨ値は、ｐＨ７〜ｐＨ１０でできる限り一定に、有利にはｐＨ７．５〜９．５で一定に、殊に有利にはｐＨ８〜９で保持される。逸れたｐＨ値の補正は、一般に酸性化剤の添加の加減によって行われるので、調節されたｐＨ値は、±０．２ｐＨ単位だけしか、特に有利には±０．１ｐＨ単位だけしか変動しない。
【００４４】
粘度上昇点に達したら、沈降を中断する。部分工程１ｃ）において、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の添加を停止する。その中断は、１５〜１２０分、有利には４０〜１００分、特に有利には７５〜１００分、殊に８５〜９５分の期間にわたって行われる。
【００４５】
特定の実施態様の部分工程ｄ）においては、ケイ酸塩の添加によって、沈降懸濁液のｐＨ値を、ｐＨ８〜ｐＨ１１に、有利にはｐＨ９〜ｐＨ１１に、特に有利にはｐＨ９．５〜ｐＨ１０．５に高め、そして高められたｐＨ値に達した後に、沈降懸濁液を、より良好には１５〜９０分の期間にわたり、有利には４５〜７５分の期間にわたり、前記のｐＨ値でかつ８０〜１００℃の温度で撹拌する。
【００４６】
引き続き、部分工程１ｅ）において、酸性化剤の添加によって、沈降懸濁液のｐＨ値を、ｐＨ７〜ｐＨ１０に、有利にはｐＨ７．５〜ｐＨ９に、変わらない温度で低下させる。
【００４７】
次いで、部分工程１ｆ）において、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の同時の計量供給を再び開始する、すなわち意図する固体含有率に達するまで続ける。有利には、それは部分工程１ｂ）と同じｐＨ値、同じ温度及び同じ配量速度で、粘度上昇点の達成前に行う。
【００４８】
８０〜１００℃の沈降懸濁液の温度で酸性化剤を添加することによって、部分工程１ｇ）において、そのｐＨ値は、２〜６に、有利には３〜６に、特に有利にはｐＨ３〜ｐＨ４に低下する。前記の部分工程の終わりでの沈降懸濁液の固体含有率は、３０〜７０ｇ／ｌ、有利には４５〜６０ｇ／ｌ、殊に有利には４５〜５５ｇ／ｌである。
【００４９】
特定の理論に何ら縛られることなく、本発明による方法の特定の実施態様では、付加的な部分工程１ｃ）ないし１ｅ）によって、部分工程１ｂ）で粘度上昇点にまで作製された鎖状構造の凝集物がその団結において、それとともにその機械的安定性において更に補強されるはずである。
【００５０】
本発明によるシリカの濾過、液化（例えばＤＥ２４４７６１３号による）及び長時間乾燥又は短時間乾燥は、当業者に一般によく知られており、かつ例えば発明の詳細な説明中に挙げられる文献で参照できる。シリカの濾過及び洗浄は、有利には最終生成物の導電性が＜１０００μＳ／ｃｍ、好ましくは＜５００μＳ／ｃｍ、特に有利には＜２００μＳ／ｃｍであるように行われる。
【００５１】
有利には、本発明のシリカは、流動乾燥器、噴霧乾燥器、熱板乾燥器（Ｅｔａｇｅｎｔｒｏｃｋｎｅｒ）、ベルト乾燥器、回転管乾燥器、フラッシュ乾燥器、スピンプラッシュ乾燥器又はノズルタワー乾燥器中で乾燥される。前記の乾燥変法は、アトマイザ、１成分もしくは２成分ノズル又は統合型の流動床での作業を含めている。噴霧乾燥は、例えばＵＳ４０９４７７１号に従って実施することができる。
【００５２】
乾燥の種類として噴霧乾燥を選択した場合に、濾過ケークは事前に再分散させるべきである。再分散は、有利には水もしくは水性酸中で、分散液がｐＨ値４〜７を有するように行われる。その際に、シリカ分散液は、再分散完了後に、固体含有率５〜１８％質量％、有利には８〜１３質量％、特に有利には９〜１１質量％を有し、かつ再分散に際して、強すぎる剪断力がシリカに対して作用しないことを顧慮すべきである。それは、例えば回転数＜１０００回転／分での撹拌によって達成でき、その際、空間的に広範囲に撹拌し、局所的に撹拌すべきでない。有利には、再分散されたシリカ分散液は、乾燥器出口で温度１００〜１７０℃、有利には１３０〜１６０℃が設定された噴霧乾燥器中に配量される。
【００５３】
低い湿分吸収を保証するために、工程１ｂ）及び１ｆ）の作業と工程１ｃ）ないし１ｅ）におけるｐＨ値変更による沈降の他に、熱処理も必要である。前記の措置の組み合わせによって、本発明によるシリカの構造と表面は、所望の特性が達成されるように最適化される。工程４での熱処理は、回分式又は連続的に実施することができる。熱処理のためには、流動層−、流動床−又は回転管反応器を使用することができる。この場合に、熱処理の間に、均質な温度分布と均質なプロセスガス雰囲気を、全てのシリカ粒子が同じ条件に曝されるように保証することを顧慮すべきである。プロセスガスは、十分なスチーム濃度を有さねばならない。有利には、スチーム濃度は、１０〜９５容量％、特に有利には４０〜９０容量％、殊に有利には５０〜９０容量％である。
【００５４】
特に、回転管反応器を使用する場合には、至る所を同じ温度にする、すなわちスチームが凝縮しうる"冷帯域"が存在しないことを顧慮すべきである。凝縮されたスチームによって、シリカの塊状化が引き起こされることがある。従って、本発明による熱処理に際しての特定の条件は、既に熱処理前に粉砕されたシリカを熱処理後に更にもう一度粉砕する必要がないことを保証する、すなわち熱処理後に粉砕によって再び除去せねばならない凝結物又は塊状物を形成しないことを保証する。
【００５５】
有利には、流動層−又は流動床反応器が使用される。流動層とは、以下のことを表す：
水平な穿孔板上に堆積された微粒のバラ材に上方からガスを流過させた場合に、規定の流動条件下で、沸騰した液体と似た状態が生ずる；層が気泡を呈し、バラ材の粒子が層内部で絶え間ない上下運動にあり、いわば釣り合いを保っている。従って、浮遊層、流動層、流動床並びに流動化とも言われる。それに関係する該流動化物の大きな表面積は、固体の乾燥及び熱処理をも容易にする。
【００５６】
熱処理の間に全てのシリカ粒子が、ほぼ同じ温度又は有利には同じ温度と同じプロセスガスに曝されていることが重要である。最も高温の位置と最も低温の位置との間の温度差はできる限り少ないことが望ましい。従って、フィルターキャンドルの温度は、生成物温度未満であってはならない。
【００５７】
殊に有利には、本発明による方法の工程４での熱処理は、以下の部分工程４ａ）ないし４ｅ）：
４ａ． 親水性のシリカを流動層反応器中に充填する工程
４ｂ． 反応器を３００〜８００℃に予熱する工程。その際、同時に該反応器に不活性ガス及び／又は窒素−空気混合物を、流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓが生ずるように流過させる。
４ｃ． スチームと不活性ガス、例えば窒素からなるガス混合物Ｉ又はスチームと不活性ガスと空気とからなるガス混合物ＩＩを３００〜８００℃で０．２５〜６時間の期間にわたり供給する工程。その際、該ガス混合物を反応器に流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓで流過させ、かつガス混合物Ｉ及びＩＩは、スチーム濃度１０〜９５容量％を有し、ガス混合物ＩＩの場合には、酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
４ｄ． スチームの添加を中断し、そしてスチームを不活性ガス、例えば窒素及び／又は不活性ガス−空気混合物によって３００〜８００℃で追い出す工程。その際、該ガスもしくはガス混合物を反応器に流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓで流過させ、かつ不活性ガス−空気混合物を使用する場合に該混合物は酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
４ｅ． 熱処理された親水性のシリカを乾燥したプロセス雰囲気中で室温に冷却する工程。その際、不活性ガス−空気混合物を使用する場合に、該混合物は０．０１〜２１容量％の酸素含有率を有する。
に従って行われる。
【００５８】
その際に、親水性のシリカを流動層反応器中に充填（部分工程４ａ））した後に、部分工程４ｂ）において、反応器を３００〜８００℃、有利には３５０〜７００℃、特に有利には４００〜６５０℃の作業温度に加熱する。加熱過程の間に、反応器に、不活性ガス、有利には窒素及び／又は不活性ガスと乾燥空気とからなる混合物を、流動化速度が０．０２〜０．０６ｍ／ｓに調節されるように流過させる。
【００５９】
作業温度に到達した後に、部分工程４ｃ）において、スチームと不活性ガス、有利には窒素とからなるガス混合物Ｉ又はスチームと不活性ガスと空気とからなるガス混合物ＩＩを、０．２５〜６時間、有利には０．５〜５時間、特に有利には１〜４時間、殊に有利には２〜４時間にわたり反応器に導通させる。ガス混合物の流動化速度は、０．０２〜０．０６ｍ／ｓである。ガス混合物Ｉ及びＩＩは、１０〜９５容量％、有利には４０〜９０質量％、殊に有利には５０〜９０質量％のスチーム濃度を有し、かつガス混合物ＩＩの場合には、酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
【００６０】
本発明によるシリカの随時の粉砕のための技術は、当業者に公知であり、そして例えばＵｌｌｍａｎｎの第５版、Ｂ２、５〜２０において参照できる。有利には、本発明によるシリカの工程３ａ）及び／又は工程５）における粉砕のためには、インパクトミル又は対流式ミルが使用される。粉砕パラメータは、粉砕された生成物が、容量に対する粒子分布の１μｍ未満の範囲において、５〜１００％、有利には１０〜９５％、特に有利には１５〜９５％、殊に有利には２０〜９０％、特に好ましくは４０〜８０％の微粒子の割合と、０．０１〜１０μｍの容量に対する粒子分布曲線のｄ90値を有するように選択される。
【００６１】
本発明によるシリカは、シールコンパウンド中で、特にシリコーンゴムもしくはシリコーン系シールコンパウンド中で、特に有利にはＲＴＶ型の１成分系シールコンパウンド中で使用することができる。種々の架橋系、例えばアセトキシ架橋性、アルコキシ架橋性及びオキシム架橋性で使用することができる。これらの系は、例えば建設産業において継ぎ目シールコンパウンドとして、自動車産業において接着剤及び封止剤として、かつ例えばテキスタイル織物用の被覆材料として使用される。
【００６２】
本発明による沈降シリカの反応条件及び物理／化学的データは、以下の方法で測定される：
濾過ケークの固体含有率の測定
この方法に従って、濾過ケークの固体含有率は、１０５℃で揮発成分を除去することによって測定される。
【００６３】
このために、乾燥され補正された磁製皿（直径２０ｃｍ）中に１００．００ｇの濾過ケークを量り入れる（初期重量Ｅ）。場合により、該濾過ケークをへらで細かく砕き、最大で１ｃｍ3の緩い破片が得られる。該試料を、１０５±２℃で乾燥キャビネット中で質量が一定になるまで乾燥させる。引き続き、試料をデシケータキャビネット中で乾燥剤としてシリカゲルを用いて室温に冷却する。最終重量Ａを、重量法で測定する。
【００６４】
固体含有率（ＦＧ）（％）は、
ＦＧ＝Ａ／Ｅ*１００％
［式中、Ａは最終重量（ｇ）であり、かつＥは初期重量（ｇ）である］に従って測定される。
【００６５】
沈降懸濁液の固体含有率の測定
沈降懸濁液の固体含有率を、試料の濾過後に重量法で測定する。
【００６６】
１００．０ｍｌの均質化された沈降懸濁液（Ｖ懸濁液）を、室温でメスシリンダを用いて測定する。試料を、丸形フィルタ（型５７２、Ｓｃｈｌｅｉｃｈｅｒ＆Ｓｃｈｕｅｌｌ社）を介して磁製ヌッチェ中で吸引濾過するが、濾過ケークの亀裂形成を避けるために吸引乾燥は行わない。引き続き濾過ケークを１００．０ｍｌの蒸留水で洗浄する。洗浄された濾過ケークを、補正された磁製皿中に移し、そして乾燥キャビネット中で１０５±２℃で質量が一定になるまで乾燥させる。室温に冷却した後に、乾燥されたシリカの質量（ｍ試料）を測定する。
【００６７】
固体含有率は、
固体含有率（ｇ／ｌ）＝（ｍ試料（ｇ））／（Ｖ懸濁液（ｌ））
に従って測定する。
【００６８】
シリカ供給物の固体含有率の測定
シリカ供給物を、赤外線乾燥器中で質量が一定になるまで乾燥させる。乾燥減量は、主に水分からなる。
【００６９】
補正されたアルミニウム皿中に２．０ｇのシリカ供給物を充填し、そして赤外線乾燥ユニット（Ｍｅｔｔｌｅｒ社、型ＬＰ１６）の蓋を閉じる。スタートキーを押した後に、懸濁液の乾燥が１０５℃で始まり、単位時間あたりの質量低下が２ｍｇ／（１２０秒）を下回ったときに自動的に終了する。
【００７０】
質量低下（％）は、装置によって０〜１００％モードの選択で直接的に表示される。固体含有率は、
固体含有率（％）＝１００％−質量低下（％）
に従って得られる。
【００７１】
ｐＨ値の測定
シリカのｐＨ値の測定は、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７−９に基づき室温で５％の水性懸濁液として行う。前記の規格の仕様に対して、初期重量を変更した（１００ｍｌの脱イオン水に対して５．００ｇのシリカ）。
【００７２】
導電性の測定
シリカの導電性の測定は、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７−１４に基づいて室温で４％の水性懸濁液として実施する。前記の規格の仕様に対して、初期重量を変更した（１００ｍｌの脱イオン水に対して４．００ｇのシリカ）。
【００７３】
含水率又は乾燥減量の測定
シリカの含水率は、ＩＳＯ７８７−２に従って、循環空気乾燥キャビネット中で１０５℃で２時間乾燥させた後に測定する。この乾燥減量は、主に水分からなる。
【００７４】
強熱減量の測定
前記の方法に従って、シリカの質量損失をＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ３２６２−１に基づいて１０００℃で測定する。この温度で、物理的及び化学的に結合した水並びに別の揮発性成分を消失させる。調査される試料の含水率（ＴＶ）は、前記の方法"含水率もしくは乾燥減量の測定"に従って、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７−２に基づいて測定する。
【００７５】
０．５ｇの粉末状、球状又は顆粒状のシリカを、０．１ｍｇまで正確に、予熱され補正された磁製坩堝中に量り入れる（初期重量Ｅ）。試料を、マッフル炉中で１０００±５０℃で２時間加熱する。引き続き、磁製坩堝をデシケータ室中で乾燥剤としてシリカゲルを用いて室温に冷却する。最終重量Ａを、重量法で測定する。
【００７６】
強熱減量（ＤＩＮ）ＧＶ（％）は、
ＧＶ＝（１−Ａ／Ｆ）*１００
に従って得られる。
【００７７】
Ｆは、乾燥された物質に対して修正された初期重量（ｇ）を意味し、
Ｆ＝Ｅ*（１−ＴＶ／１００）
に従って計算される。
【００７８】
その式において、Ａは最終重量（ｇ）を意味し、Ｅは初期重量（ｇ）を意味し、ＴＶは乾燥減量（％）を意味する。
【００７９】
ＢＥＴ表面積の測定
粉末状、球状又は顆粒状のシリカの窒素比表面積（以下にＢＥＴ表面積と呼称する）は、ＩＳＯ５７９４−１／アネックスＤに基づき、ＴＲＩＳＴＡＲ３０００（Ｍｉｃｒｏｍｅｒｉｔｉｃｓ社）を用いてＤＩＮ ＩＳＯ９２７７による多点測定に従って測定する。
【００８０】
ＣＴＡＢ表面積の測定
該方法は、ＡＳＴＭ３７６５もしくはＮＦＴ４５−００７（５．１２．１．３章）による、ＣＴＡＢ（Ｎ−ヘキサデシル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムブロミド）の、シリカの"外"表面への吸着に基づく。
【００８１】
ＣＴＡＢの吸着は、水溶液中で撹拌及び超音波処理をしつつ行われる。吸着されない過剰のＣＴＡＢは、ＮＤＳＳ（ジオクチルナトリウムスルホスクシネート溶液、"Ａｅｒｏｓｏｌ ＯＴ"溶液）での逆滴定によってタイトロプロセッサーを用いて測定し、その際、終点は溶液の混濁の最大値によって与えられ、ホトトロードで測定される。全ての実施された作業の間の温度は、ＣＴＡＢの晶出を避けるために２３〜２５℃である。逆滴定は、以下の反応式：
【化１】
を基礎とする。
【００８２】
装置
タイトロプロセッサーＭＥＴＴＬＥＲ Ｔｏｌｅｄｏ 型ＤＬ５５及びタイトロプロセッサーＭＥＴＴＬＥＲ Ｔｏｌｅｄｏ 型ＤＬ７０は、それぞれ以下のものを備えている：
ｐＨ電極（製造元Ｍｅｔｔｌｅｒ、型ＤＧ１１１）及びホトトロード（製造元Ｍｅｔｔｌｅｒ、型ＤＰ５５０）
１００ｍｌのポリプロピレン製の滴定ビーカ
１５０ｍｌの蓋付滴定ガラス容器
１００ｍｌ容積の圧力濾過装置
硝酸セルロース製の細孔サイズ０．１μｍの４７ｍｍ径のメンブレンフィルタ（例えばＷｈａｔｍａｎ（注文番号７１８１−００４））。
【００８３】
試薬
ＣＴＡＢの溶液（ＣCTAB＝脱イオン水中０．０１５モル／ｌ）及びＮＤＳＳの溶液（濃度＝脱イオン水中０．００４２３モル／ｌ）を、使用準備が完了した状態で購入する（Ｂｅｒｎｄ Ｋｒａｆｔ ＧｍｂＨ社、デュースブルグ４７１６７：注文番号６０５６．４７００；０．０１５モル／ｌの濃度のＣＴＡＢ溶液；注文番号６０５７．４７００；０．００４２３モル／ｌのＮＤＳＳ溶液）、２５℃で保管し、１ヶ月以内に消費する。
【００８４】
実施
１． 盲検滴定
５ｍｌのＣＴＡＢ溶液の滴定のためのＮＤＳＳ溶液の消費量を、各測定列の前に１日１回試験すべきである。そのために、ホトトロードを滴定開始前に１０００±２０ｍＶに設定する（１００％の透明度に相当する）。
【００８５】
正確に５．００ｍｌのＣＴＡＢ溶液を滴定ビーカ中にピペットで入れ、そこに５０．０ｍｌの脱イオン水を添加する。撹拌下で、ＮＤＳＳ溶液による滴定を、当業者に一般に知られた測定法に従ってタイトロプロセッサーＤＬ５５を用いて溶液の最大の混濁度まで行う。ＮＤＳＳ溶液の消費量ＶAをｍｌで測定する。それぞれの滴定は、三重測定として実施する。
【００８６】
２． 吸着
含水率５±２％を有する粉末状、球状又は顆粒状のシリカ１０．０ｇ（場合により、含水率は１０５℃での乾燥キャビネット中での乾燥によって又は同様の増湿によって調節する）を、ミル（Ｋｒｕｐｓ社、モデルＫＭ７５、商品番号２０３０−７０）を用いて３０秒間粉砕する。粉砕された試料の正確な５００．０ｍｇ（初期重量Ｅ）を、マグネティックスターラを有する１５０ｍｌの滴定容器に移し、そして正確に１００．０ｍｌのＣＴＡＢ溶液（Ｔ1）を計量供給する。滴定容器に蓋を閉め、Ｕｌｔｒａ Ｔｕｒｒａｘ Ｔ ２５撹拌機（撹拌シャフトＫＶ−１８Ｇ、１８ｍｍ直径）を用いて１８０００回転／分で、完全に濡れるまで最長で１分間撹拌する。その滴定容器を、タイトロプロセッサーＤＬ７０にねじ留めし、そして懸濁液のｐＨ値をＫＯＨ（０．１モル／ｌ）で９±０．０５の値にまで調節する。
【００８７】
滴定容器中の懸濁液を超音波浴（Ｂａｎｄｅｌｉｎ社、Ｓｏｎｏｒｅｘ ＲＫ １０６ Ｓ、３５ｋＨｚ、１００Ｗの有効出力もしくは２００Ｗの最高出力）中で２５℃で４分間超音波処理を行う。引き続き、即座の圧力濾過を、メンブレンフィルタを通して窒素圧１．２バールで行う。５ｍｌのフィードが退けられる。
【００８８】
３． 滴定
残りの濾液５．００ｍｌを、１００ｍｌの滴定ビーカ中にピペットで入れ、そして脱イオン水で５０．００ｍｌにまで充填する。滴定ビーカを、タイトロプロセッサーＭＤＬ５５にねじ留めし、そして撹拌下に滴定をＮＤＳＳ溶液を用いて最大の混濁度まで行う。ＮＤＳＳ溶液の消費量ＶBをｍｌで測定する。それぞれの滴定は、三重測定として実施する。
【００８９】
【００９０】
ＣＴＡＢ表面積は、水不含のシリカに対するものであるため、以下の較正を実施する。
【００９１】
【数１】
【００９２】
シリカの含水率は、前記の方法"含水率の測定"に従って測定する。
【００９３】
ＤＢＰ吸収の測定
沈降シリカの吸収度のための尺度であるＤＢＰ吸収（ＤＢＰ数）を、規格ＤＩＮ５３６０１に基づき、以下のようにして測定する：
０〜１０％の含水率を有する粉末状又は球状のシリカ１２．５０ｇ（場合により、含水率は乾燥キャビネット中での１０５℃での乾燥によって調節する）を、ブラベンダー社製の吸収測定器"Ｅ"の混練チャンバ（商品番号２７９０６１）に入れる（トルクセンサの出力フィルタの減衰なし）。顆粒の場合に、１〜３．１５ｍｍの分級物（Ｒｅｔｓｃｈ社のステンレス鋼篩）を使用する（顆粒を、３．１５ｍｍの細孔幅を有する篩を通じてプラスチックへらで適度に加圧することによって）。絶え間なく混合しつつ（混練羽根の回転速度１２５回転／分）、室温で、"Ｄｏｓｉｍａｔｅｎ Ｂｒａｂｅｎｄｅｒ Ｔ ９０／５０"によってジブチルフタレートを４ｍｌ／分の速度で混合物中に滴加する。混和は、少ない所要力のみで行われ、デジタル表示器をもって追跡する。測定の終わりに向かって、混合物はペースト状となり、これは所要力の急激な上昇によって表示される。６００ディジットの表示（０．６Ｎｍのトルク）の場合に、電気接点によって混練機もＤＢＰ配量もスイッチを切る。ＤＢＰ供給のための同期モータは、デジタルメータと接続されているので、ＤＢＰの消費をｍｌで読み取ることができる。
【００９４】
ＤＢＰ吸収は、ｇ／（１００ｇ）で示され、以下の式をもって計算される：
【００９５】
ＤＢＰ吸収は、水不含の乾燥されたシリカについて定義されている。湿った沈降シリカを使用する場合に、ＤＢＰ吸収を計算するために補正値Ｋを考慮に入れるべきである。この値は、以下の補正表をもとに測定できる、例えばシリカの含水率５．８％は、ＤＢＰ吸収のために３３ｇ／（１００ｇ）の上乗せを意味する。シリカの含水率は、前記の方法"含水率もしくは乾燥減量の測定"に従って測定する。
【００９６】
【表１】
【００９７】
シラノール基密度の測定
まず、シリカ試料の含水率を、"含水率もしくは乾燥減量の測定"に従って測定する。次いで、２〜４ｇの試料（１ｍｇまで正確に測定すべき）を、圧力計が接続された圧密なガラス装置（滴下漏斗を有するガラスフラスコ）中に移す。そこで、該試料を、１２０℃で真空（＜１ｈＰａ）において１時間乾燥させる。次に室温で、滴下漏斗から、ジグリム中のＬｉＡｌＨ4の約４０ｍｌの脱ガスされた２％溶液を滴加する。場合により、更なる圧力上昇が観察されなくなるまで、更なる溶液が滴加される。ＬｉＡｌＨ4とシリカのシラノール基との反応に際して生ずる水素による圧力上昇を、圧力計（測定前に行われた装置の較正によって知られた容量で）によって≦１ｈＰａまで正確に測定する。圧力上昇から、一般的な気体方程式によって、シリカのシラノール基濃度に逆算することができ、その際、シリカの含水率を考慮に入れるべきである。溶剤の蒸気圧の影響は、その際に相応して較正すべきである。シラノール基濃度から、シラノール基密度は、以下のようにして算出される：
【数２】
【００９８】
レーザ回折による粒度分布の測定
粒子分布の測定は、レーザ回折の原理に従って、レーザ回折計（Ｈｏｒｉｂａ社、ＬＡ−９２０）上で行われる。
【００９９】
まず、シリカ試料を１００ｍｌの水中で、分散添加剤を添加せずに１５０ｍｌのガラスビーカ（直径：６ｃｍ）中で、１質量％のＳｉＯ2の質量割合を有する分散液が生ずるように分散させる。次いで、この分散液を、超音波プローブ（Ｄｒ．Ｈｉｅｌｓｃｈｅｒ ＵＰ４００ｓ、Ｓｏｎｏｔｒｏｄｅ Ｈ７）を用いて５分の時間にわたり激しく（３００Ｗ、非パルス型）分散させる。そのために、超音波プローブを、その下端がガラスビーカの底より約１ｃｍ上方まで浸るように取り付ける。分散の直後に、超音波負荷された分散液の部分試料からレーザ回折計（Ｈｏｒｉｂａ ＬＡ−９２０）を用いて粒度分布を測定する。Ｈｏｒｉｂａ ＬＡ−９２０の付属の標準ソフトで評価するために、１．０９の屈折率を選択すべきである。
【０１００】
全ての測定は、室温で行う。粒度分布並びに関連の大きさ、例えば粒度ｄ90は、装置によって自動的に計算され、図示される。操作マニュアルにおける指示を遵守すべきである。
【０１０１】
接触角の測定
接触角は、Ｗ．Ｔ．Ｙｅｎ、Ｒ．Ｓ．Ｃｈａｈａｌ、Ｔ．Ｓａｌｍａｎ著のＣａｎ．Ｍｅｔ．Ｑｕａｒｔ．，Ｖｏｌ．１２，Ｎｒ．３，１９７３に記載されるようにして測定する。
【０１０２】
改変型タップ密度の測定
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７−１１による"従来の"タップ密度の測定では、測定結果は、シリカが既に、例えば包装時に事前に圧密化を受けていることによって歪曲される。それを排除するために、本発明によるシリカについては"改変型タップ密度"が測定される。
【０１０３】
丸形フィルタ（例えば型５９８、Ｓｃｈｌｅｉｃｈｅｒ＋Ｓｃｈｕｅｌｌ社）が設けられた磁製ヌッチェ（名目寸法１１０、直径１２ｃｍ、高さ５．５ｃｍ）を、上端の約１ｃｍ下方までシリカで疎充填し、弾性シート（パラフィルム（登録商標））で覆う。その弾性シートの形状及び大きさは、該シートができる限り完全に磁製ヌッチェの縁部と同一面で終わるように選択すべきである。該ヌッチェを、吸引瓶上に置き、引き続き５分間にわたり−０．７バールの真空をかける。その際、シリカは、吸い込まれたシートによって均一に圧密化される。次いで、慎重に通気させ、生じたシリカの板状物を該ヌッチェから強く叩いて磁製皿中に取り出す。
【０１０４】
軽く事前に粉砕された材料を、内部受け皿を有する遠心ミル（ＺＭ１、Ｒｅｔｓｃｈ社、０．５ｍｍの取付篩、速度段階１、サイクロンなし、内部取付漏斗なし）によって均一に（シリカ（出発物質）を、ゆっくりと、へらで少しずつミル供給口（Ｍｕｅｈｌｅｎａｕｆｇａｂｅ）に入れ、内部生成物受け皿は決して完全に満杯になるべきでない）再分散させる（シリカ／空気のエーロゾルのように）。その際に、ミルの消費電力は、３アンペアの値を超過してはならない。この過程は、シリカ構造（例えば空気ジェット粉砕されたシリカのシリカ構造）の規定の緩み（Ａｕｆｌｏｃｋｅｒｎ）がより低い古典的な粉砕である。それというのもここでのエネルギー入力が、ジェット粉砕の場合よりも弱いからである。
【０１０５】
こうして得られた材料５ｇを、タップ容量計（Ｓｔａｍｐｖｏｌｕｍｅｔｅｒ）（型ＳＴＡＶ２００３、Ｅｎｇｅｌｓｍａｎｎ社）の２５０ｍｌのメスシリンダ中に０．１ｇまで正確に量り入れる。ＤＩＮ ＩＳＯ ７８７−１１に基づき、１２５０回の突き固め後に、得られたシリカの容量をｍｌで目盛から読み取る。
【０１０６】
【数３】
【０１０７】
７０％の相対湿度及び２０℃での平衡含水率の測定
シリカの平衡含水率の測定は、動的水蒸気吸着の原理に従って行う。その際に、シリカ表面に水が吸着した場合に質量増大が測定され、あるいは脱着した場合に質量低下が測定される（装置ＤＶＳ１０００、ＳＭＳ社）。実施の詳細は、操作マニュアルに記載されている。場合によっては、吸着曲線と脱着曲線の間にヒステリシスが観察される。
【０１０８】
測定は、２０℃で行う。初めに、１０〜５０ｍｇのシリカ試料上に乾燥空気流（０％の相対湿度）を、試料質量が一定になるまで導く。次いで、空気流の含水率を、約１０％のステップで９７〜１００％の最大空気含水率にまで高める。各々の空気含水率の増大後に、試料の一定質量が生ずるまで待機する（基準：ｄｍ／ｄｔ＜０．０００５％／分）。平衡含水率（２０℃／７０％）として、７０％の相対湿度の空気流の場合に吸着段階の間に生ずる百分率での質量増大（０％の相対湿度での乾燥した試料に対して）を定める。
【０１０９】
以下の実施例は、本発明を詳細に説明するが、その範囲を制限するものではない。
【実施例】
【０１１０】
実施例１の以下の指示において様々な箇所で使用される水ガラス及び硫酸は以下のように特性決定される：
水ガラス：密度１．３４８ｋｇ／ｌ、２７．０質量％のＳｉＯ2、８．０５質量％のＮａ2Ｏ
硫酸：密度１．８３ｋｇ／ｌ、９４質量％
実施例１：
傾斜板、ＭＩＧ−傾斜羽根型撹拌システム及びＥｋａｔｏ社製の液体剪断タービンを備えた２ｍ3の沈降槽（直径１６０ｃｍ）中に、１５００ｌの脱イオン水を装入し、そして９０℃に加熱する。温度到達後に、５２分間にわたり水ガラスを３．５２ｋｇ／分の配量速度で、かつ硫酸を０．４７ｋｇ／分の配量速度で撹拌しながら、粘度上昇点に至るまで計量供給する。硫酸の配量速度は、場合により、前記の時間の間に８．５のｐＨ値が保持されるように較正すべきである。引き続き、水ガラスと硫酸の配量を９０分の時間にわたり中断する。沈降懸濁液は、この時間内に９０℃で撹拌する。その中断後に、水ガラスの添加により２０分以内にｐＨ値を１０に上げ、そしてこの水準で６０分間にわたり保持する。沈降懸濁液は、その間に９０℃で撹拌する。引き続き、硫酸の添加によってｐＨ値を５分以内に再び８．５に下げる。ここで９０℃で撹拌しながら同時に、水ガラスを３．５２ｋｇ／時間の配量速度で、かつ硫酸を０．４７ｋｇ／時間の配量速度で、水ガラスと硫酸を沈降懸濁液中に約５０ｇ／ｌの固体含有率が生ずるまでの間添加する。
【０１１１】
次いで、水ガラスの配量を、温度を保持して遮断し、そして硫酸の同じ配量速度で、沈降懸濁液をｐＨ３に酸性化させる。
【０１１２】
沈降懸濁液は、約５０ｇ／ｌの固体含有率を有する。
【０１１３】
得られた懸濁液を、メンブレンフィルタープレスで濾過し、そして濾過ケークを、洗液中に＜１ｍＳ／ｃｍの導電性が確認されるまで脱イオン水で洗浄する。濾過ケークは、その際＜２０％の固体含有率で存在する。
【０１１４】
噴霧乾燥器による乾燥前に、濾過ケークを脱イオン水で再分散させて固体含有率８〜１０％とし、その際、該濾過ケークをそこで強い剪断力に曝さないことを顧慮すべきである。
【０１１５】
液化された濾過ケークの噴霧乾燥器中への配量導入は、乾燥器出口で測定した温度が約１５０℃であるように行われる。
【０１１６】
引き続き該材料を、流動層反応器（膨張された流動層の流動層高さは約１．５ｍ、流動層直径は約０．５ｍ）中で処理する。そのために以下の条件を遵守する：
まず、３０ｋｇの噴霧乾燥された粉末を、流動化床を有する流動層反応器中に充填する。流動化床に、乾燥窒素と乾燥空気からなるガス混合物を流過させる。前記の両者のガスを、反応器への入口前で、得られた酸素含有率６容量％を超過せず、反応器中での流動化速度０．０５ｍ／ｓが生ずるように配量する。反応器は、ここで室温から４５０℃に加熱される。流動化ガスのガス流は、加熱段階において、反応器中での流動化速度０．０５ｍ／ｓが一定に保たれるように調節するべきである。
【０１１７】
４５０℃に達した後に、３時間にわたって、スチームと窒素と空気との予熱されたガス混合物を反応器中に供給する。それら３種の成分の混合は、スチーム濃度５０％と酸素含有率３％が生ずるように行われる。窒素量と空気量は、同様に流動化ガス速度０．０５ｍ／ｓが生ずるように適合させる。
【０１１８】
次いでスチーム添加を中断する。窒素量と空気量は、同様に流動化速度０．０５ｍ／ｓが生じ、かつ酸素含有率約６％が生ずるように適合させる。
【０１１９】
スチーム供給を中断した後で、少なくとも５倍容量の乾燥プロセスガスを流動層反応器に導通させたあとに、生成物を乾燥プロセスガス雰囲気中で室温に冷却する。冷却は、酸素含有率が約６％である窒素−空気混合物中での流動化をしながら行う。冷却段階において、特に、その時にスチームがもはや存在しないことを顧慮すべきである。
【０１２０】
流動層処理後に、該材料を流動層対流式ミルＡＦＧ５０（Ａｌｐｉｎｅ社）でできる限り細かく粉砕する。実施例１の化学−物理的なデータを、第１表に列記する。
【０１２１】
比較例１〜２
以下の商業的に得られる親水性のシリカを分析調査し（第１表を参照）、そして実施例４において混加してシールコンパウンドとした：
比較例１： Ｓｉｌｏａ（商標）７２Ｘ（Ｒｈｏｄｉａ ＡＧ社）
比較例２： Ｕｌｔｒａｓｉｌ（登録商標）ＶＮ３（Ｄｅｇｕｓｓａ ＡＧ社）
【表２】
【０１２２】
実施例２：応用技術的試験
２．１ 沈降シリカを有するアセテート架橋性のＲＴＶ型の１成分系シリコーン系シールコンパウンドの製造
以下に配合物の製造のために必要な量を、第２表に示す。その製造の間に、水道水を用いて、該配合物が実質的に室温より高く加温されないように冷却すべきである。その製造は、室温でかつ相対空気含水率４０〜６０％で行われる。
【０１２３】
二重ジャケットを有する２ｌの撹拌槽と冷却水接続部と互いに独立的に制御可能な遊星駆動系及びディゾルバ駆動系を備えた遊星型ディゾルバ（Ｈ．Ｌｉｎｄｅｎ社、型ＬＰＭＤ ２ＳＰ）中に、シリコーンポリマー、可塑剤（シリコーン油）及び架橋剤を量り入れ、そして５０分-1の速度（遊星駆動装置）で、かつ５００分-1の速度（ディゾルバ駆動装置）で１分間均質化する。引き続き、触媒を添加し、そしてＮ2雰囲気下で遊星駆動系とディゾルバ駆動系の変わらない速度で１５分間均質化する。次いで、安定剤及びシリカを、同様に変わらない速度で混加する。シリカが完全に濡れたらすぐに、約２００ミリバールの真空を印加し、そして１００分-1の遊星型撹拌機構及び２０００分-1のディゾルバで１０分間分散させる。
【０１２４】
分散が完了した後すぐに、撹拌槽を窒素で通気する。シールコンパウンドを、バレルプレス（Ｆａｓｓｐｒｅｓｓｅ）を用いて、できるだけ早くアルミニウムチューブ（カートリッジ）中に詰め替える。
【０１２５】
２．２ ＲＴＶ型１成分系からの加硫物の製造
本発明によるシリカが使用されるＲＴＶ型の１成分系シリコーン系シールコンパウンドの応用技術的特性を調査するために、事前に製造されたシールコンパウンドから加硫物を作製せねばならない。これらの加硫物を、試験体に加工する。このために、まずシリコーン系シールコンパウンドを十分な量で平坦な支持板上に塗布し、ドクターブレード（間隙高さ：２ｍｍ）を用いて平らに塗被して、２ｍｍ高さ、約８０ｍｍ幅及び約３００ｍｍの長さの条片とする。その際、気泡が形成しないことを考慮に入れるべきである。前記のシリコーン条片から、次いでそれぞれの試験に必要な成形体を打ち出す。支持板は、加硫化されたシールコンパウンドを容易に剥がすことができるポリプロピレン、ポリエチレン、テフロン又は別のプラスチックからなることが望ましい。
【０１２６】
シリコーン条片を、完全に硬化するまで７日間貯蔵し、引き続き標準雰囲気（２３℃、５０％相対湿度）で少なくとも２日間貯蔵する。
【０１２７】
【表３】
【０１２８】
２．３ ＲＴＶ型の１成分系シールコンパウンドのレオロジー特性及び貯蔵安定性の測定
実施例２．１の"沈降シリカを有するアセテート架橋性のＲＴＶ型の１成分系シリコーン系シールコンパウンドの製造"により製造されたシールコンパウンドを、試験前に少なくとも２４時間にわたり、気候調節室（Ｋｌｉｍａｒａｕｍ）中で２３℃／５０％の相対湿度で貯蔵する。
【０１２９】
シールコンパウンドの貯蔵安定性の試験のために、２つのチューブを３５日間気候調節室中で２３℃／５０％の相対湿度で貯蔵し、それぞれ１日、７日、１４日、２１日、２８日、３５日の貯蔵時間後に試験する。更に、２つの更なるチューブを、空気循環炉中で５０℃で３５日間貯蔵し、そして同様に１日、７日、１４日、２１日、２８日、３５日の貯蔵時間後に試験する。
【０１３０】
レオロジー特性の測定は、Ｈａａｋｅ社製のレオメータＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ １（プログラムＲｈｅｏＷｉｎ ＰｒｏによるＰＣを介した制御）を用いて行う。装置とソフトウェアの条件は、Ｈａａｋｅ社の操作マニュアルに詳細に記載されている。その測定のために、直径３５ｍｍを有するプランジャ（Ｓｔｅｍｐｅｌ）と測定プレートアタッチメント（Ｍｅｓｓｐｌａｔｔｅｎａｕｆｓａｔｚ）ＭＰＣ３５が使用されるべきである。測定は、以下の条件下で実施する：
プランジャと測定プレートアタッチメントとの間の間隔： ０．５ｍｍ
測定温度： ２３℃
測定範囲（剪断速度）： ０〜１０ １／ｓ
測定点の数： ４００
測定点は、ｘ軸に剪断速度γを、そしてｙ軸に剪断応力τを示して図示される。剪断速度が１０ １／ｓの場合に、剪断応力を読取り、そこから１０ １／ｓでの粘度ηを、η＝τ／γに従って計算する。２つのチューブを測定する場合に、各チューブの測定は少なくとも３回実施する。６つの個別の結果から、最高値と最低値を破棄する。残りの４つの結果から、平均値を計算する。
【０１３１】
降伏点の測定のために、ケイソンのモデルを使用する。ケイソンによる流動曲線のシリカのためのデータの基礎として、剪断速度−剪断応力図からの０．２〜２ １／ｓの範囲を基礎とする。以下の関係が定義される：
【数４】
【０１３２】
ケイソンによる計算の流動曲線と交差するｙ軸上の値を、ケイソンによる降伏点として定める。
【０１３３】
１０ １／ｓでの粘度の測定も、ケイソンによる降伏点の測定も、ソフトウェアＲｈｅｏＷｉｎ Ｐｒｏにより前記条件下で自動的に行われる。
【０１３４】
２．４ 加硫化されたシリコーンゴムの引張強さ及び破断点伸びの測定
これらの測定は、ＤＩＮ５３５０４に基づいて行われ、一定の速度で引きちぎれるまで試験体を引っ張った場合のエラストマーからなる所定の形状の試験体の引張強さと破断点伸びの測定に寄与する。その際、引張強さと破断点伸びは、以下のように定義されている：
・ 引張強さδmaxは、測定された最大応力Ｆmaxと試験体の初期断面積Ａ0とからの商である。
【０１３５】
・ 破断点伸びεRは、引きちぎれる瞬間に測定される標点距離の変化量ＬΔと試験体の本来の標点距離Ｌ0とからの商である。
【０１３６】
その測定は引張試験器（Ｚｗｉｃｋ／Ｒｏｅｌｌ社、型Ｚ０１０）で実施され、その際、予め選択された最大応力が可変であること、固定装置が試験体を高い伸張に際しても機械的損傷なく保持し、かつ試験体のウェブ（Ｓｔｅｇ）を高い伸張に際しても機械的損傷なく設定された標点距離Ｌ0に保持すること、そして精密伸び計のジョー（Ｋｌｅｍｍｂａｃｋｅ）でのスプリング圧を調節できることを考慮に入れるべきである。
【０１３７】
図１に記載した標準棒Ｓ１を使用すべきである。
【０１３８】
加硫化された２ｍｍ厚の条片から、標準棒Ｓ１用の鉄製型打ちポンチ（Ｓｔａｎｚｅｉｓｅｎ）を用いて相応の試験体を打ち出し、少なくとも２４時間にわたり標準雰囲気（２３℃、５０％の相対湿度）下で試験まで貯蔵する。
【０１３９】
４〜６つの試験体を（２３±２）℃の温度で試験すべきである。引張試験前に、試験体の厚さｄと幅ｂを測定すべきである。固定に際して、標準棒を両方の固定ジョー間の中央に固定すべきである。固定ジョー間の間隔は、Ｌ＝５０ｍｍである。精密伸び計は、標点距離Ｌ0＝２５ｍｍに調節し、固定ジョー間の中央に固定されるべきである。表示は、ゼロにすべきである。引張クランプ（ｚｉｅｈｅｎｄｅｎ Ｋｌｅｍｍｅ）の送り速度は、ｖ＝５００ｍｍ／分である。応力Ｆmax及び引きちぎれ時の長さ変化量ＬΔが確認される。そこから、引張強さと破断点伸びを以下のように計算し、そして個別の測定値の平均値として示す：
【０１４０】
２．５ 加硫化されたシリコーンゴムの引裂強さの測定
この測定は、ＡＳＴＭ Ｄ ６２４Ｂに基づいて行われる。エラストマーの引裂試験は、切れ目の入った試料が引裂に対抗する抵抗の測定に寄与する。
【０１４１】
エラストマーの引裂強さは、その配合成分とその処理、加硫化及び試験速度に依存する。補強性充填剤がもたらす加硫物の引裂強さに対する影響が調査される。その測定は引張試験器（Ｚｗｉｃｋ／Ｒｏｅｌｌ社、型Ｚ０１０）で実施され、その際、予め選択された最大応力が可変であること、固定装置が試験体を高い伸張に際しても機械的損傷なく保持することを考慮に入れるべきである。
【０１４２】
加硫化された２ｍｍ厚のシリコーン条片から、試験体（図２）を、ＡＳＴＭ Ｄ ６２４Ｂに相応する鉄製型打ちポンチを用いて切り出し、少なくとも２４時間にわたり標準雰囲気（２３℃、５０％の相対湿度）下で試験まで貯蔵する。
【０１４３】
鉄製型打ちポンチは、内径頂点に、打ち抜いたときに０．５ｍｍ±０．０５ｍｍの深さで溝を切り込む刃を有する。
【０１４４】
４〜６つの試験体を（２３±２）℃の温度で試験すべきである。試験体は、試験前に３時間、試験温度で貯蔵されねばならない。試験体の厚さａは、試験前に厚さ測定装置で±０．０１ｍｍまで測定されるべきである。試料は、引張試験機の固定ジョーで固定され、送り速度ｖ＝５００ｍｍ／分で引き裂かれる。その際、溝は試験者から左側にあることを考慮に入れるべきである。
【０１４５】
最高値と最低値を有する両方の試験体は、評価において考慮に入れない。引裂強さδw1［Ｎ／ｍｍ］は、変数Ｆmax（最大応力［Ｎ］）とａ1（厚さ［ｍｍ］）から計算され、そして残りの個別の測定値の平均値として示される：
【数５】
【０１４６】
本発明によるシリカが混加されたシリコーンゴム配合物の粘稠性の評価のために、ケイソンによる降伏点についての測定結果と１／１０の剪断速度での粘度についての測定結果とが用いられる（第３表）。
【０１４７】
粘稠性とは、ＲＴＶ型の１成分系シリコーン系シールコンパウンドのレオロジー挙動を表す。良好な粘稠性とは、垂直面に適用されたシリコーンゴムが、そこに硬化の間２４時間にわたって流れなく付着する場合を指す。十分に良好な粘稠性は、≧１００Ｐａｓの粘度と≧９０Ｐａの降伏点で確認できる。ケイソンによる降伏点についての値は、実施例１による本発明によるシリカを含有するシリコーンゴム配合物の降伏点が、９０の値で、比較シリカを含有するシリコーンゴム配合物の場合より実質的に高いことを明示している。すなわち、本発明によるシリカが混加されたシリコーンゴム配合物は、従ってより高い粘稠性を有する。係る配合物は、適用された形に留まり、流れの傾向を示さない。これは、粘度値によっても確認される。このように、本発明によるシリカは、比較例に対して同等ないしより高い粘度を示す。
【０１４８】
硬化されたシリコーンゴム配合物の機械的安定性（引張強さ及び引裂強さ）並びに可撓性（破断点伸び）を、種々の条件下で、引張負荷時のその挙動によって評価することができる（第４表）。
【０１４９】
機械的特性についての測定結果は、以下のように解釈することができる：比較例２によるシリカを含有するシリコーンゴム配合物２ｃについては、ほぼシリコーン加硫物を製造することができないので（製造直後に完全に硬化する）、その機械的特性も測定できない。実施例１による本発明によるシリカを含有する配合物についての測定値は、硬化したシリコーンゴム配合物の機械的安定性（引張強さ及び引裂強さ）並びに可撓性（破断点伸び）に対する最低限の要求を満たしていることを示している。比較例１と比較すると、本発明によるシリカは、より良好な機械的安定性（引張強さ及び引裂強さのより高い測定値）並びに同等あるいはより良好な可撓性（破断点伸びについての同等又はより高い測定値）を示している。
【０１５０】
貯蔵安定性、すなわち降伏点及び粘度のようなレオロジー特性の変化並びに経時的なチューブにおける不利な硬化挙動を、第５表及び第６表に示す。その際に、室温での貯蔵も、より高い温度（５０℃）での貯蔵も考察された。本発明によるシリカを含有するシリコーンゴム配合物は、調査された３５日間の貯蔵時間にわたって、そのレオロジー特性、剪断速度１／１０での粘度及びケイソンによる降伏点において変化がないか又はほんの少しだけ変化したに過ぎないことを明示している。すなわち良好な増粘特性並びに加工特性（例えば押出可能性もしくは絞り出し可能性）は、前記の条件下での貯蔵後にもなお、シールコンパウンドがチューブ中で既に早期架橋もしくは加硫化することなく存在する。
【０１５１】
それに対して、比較例１については、シリコーンゴム配合物２ｂで既に最初の２１日でレオロジー特性に不利な変化が観察できる。出発値と比較すると、粘度及び降伏点は明らかに増大し、これはシールコンパウンドの早期の架橋を示唆している。２１日と２８日の間に、試料は既にチューブ中で硬化しており、そのためもはや加工できない。より高い温度で貯蔵した後でも同様の挙動をとる。そこでは、比較例１の早期の硬化は既に２日と７日の間で生じている。沈降シリカＵｌｔｒａｓｉｌ（登録商標）ＶＮ３（比較例２）は更に悪い挙動をとる。ここでは、シリコーンゴムコンパウンド２ｃは製造後直ちに硬化してしまい、カートリッジ（チューブ）中への充填は、もはや不可能であるか、もしくはこのシリコーンゴムコンパウンドは、ＲＴＶ型の１成分系用途には適していない。両方の場合に、その理由は、両方の比較シリカの高すぎる湿分負荷（２０℃／７０％の相対湿度での平衡含水率で表される）にあり、それがシリコーンゴムの早期の架橋及び迅速な架橋を開始する。それに対して、本発明によるシリカの低い湿分負荷によって長期の貯蔵安定性と、ともにその後にも更に保証されるべき加工可能性も確実なものとすることができる。
【０１５２】
【表４】
【０１５３】
【表５】
【０１５４】
【表６】
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】図１は、加硫化されたシリコーンゴムの引張強さ及び破断点伸びの測定で使用された試験棒を示している
【図２】図２は、加硫化されたシリコーンゴムの引裂強さの測定で使用された試験体を示している
【特許請求の範囲】
【請求項１】
親水性の沈降シリカであって、以下の物理−化学パラメータ：
平衡含水率（７０％の相対湿度／２０℃で） ０．５〜５．０質量％
ＢＥＴ表面積 ５０〜２５０ｍ2／ｇ
ＣＴＡＢ表面積 ５０〜２５０ｍ2／ｇ
ＤＢＰ（無水） ２００〜３５０ｇ／１００ｇ
を特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項２】
請求項１記載の親水性の沈降シリカであって、改変型タップ密度が７０ｇ／ｌ以下であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項３】
請求項１又は２記載の親水性の沈降シリカであって、シラノール基密度が０．５〜３．５ＳｉＯＨ／ｎｍ2であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、容量に対する粒子分布曲線の粒子の５〜１００％が＜１μｍであることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、ｄ90値が０．０１〜１０μｍ以下であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、粒子分布曲線が二峰性であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、強熱減量が０．１〜３．０質量％であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、乾燥減量が０．１〜３．０質量％であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、ｐＨ値が４〜９であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカの製造方法において、以下の工程：
１． 少なくとも１つのケイ酸塩と少なくとも１つの酸性化剤とを反応させる工程
２． 得られたシリカを濾過及び洗浄する工程
３． 得られたシリカもしくは濾過ケークを乾燥させる工程
４． 乾燥されたシリカを熱処理する工程
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、工程１が以下の部分工程：
１ａ． 水もしくは水と少なくとも１つのケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液からなる初充填物を製造する工程。その際、こうして得られた初充填物のｐＨ値は、有利にはｐＨ５〜ｐＨ１０であり、かつ該初充填物の温度は有利には８０〜１００℃である。
１ｂ． 少なくとも１つのケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液と少なくとも１つの酸性化剤とを、撹拌下に８０〜１００℃で前記の部分工程１ａ）からの初充填物中に、粘度上昇点に達するまで配量する工程。
１ｃ． ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の添加を止めて、沈降懸濁液を８０〜１００℃の温度で１５〜１２０分間にわたり撹拌する工程。
１ｄ． ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液を添加して、沈降懸濁液のｐＨ値をｐＨ８〜ｐＨ１１に高め、高められたｐＨ値に達した後に、該沈降懸濁液を、このｐＨ値で８０〜１００℃の温度で１５〜９０分間にわたり撹拌する工程。
１ｅ． 酸性化剤を添加して、沈降懸濁液のｐＨ値を、有利には部分工程１ｄ）と変わらない温度でｐＨ７〜ｐＨ１０に下げる工程。
１ｆ． 部分工程１ｂ）による沈降を継続する工程。その際、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤は、同時に８０〜１００℃の温度で、部分工程１ｇ）の実施後に所望の固体含有率に至る沈降懸濁液の固体含有率が達成されるまで添加する。
１ｇ． 酸性化剤を、８０〜１００℃の沈降懸濁液の温度で添加して、沈降懸濁液のｐＨ値を２〜６にまで低下させ、かつこの部分工程の最後に沈降懸濁液の固体含有率を３０〜７０ｇ／ｌとする工程。
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、ｐＨ値を部分工程１ｂ）の期間にわたり、ｐＨ７〜ｐＨ１０の間の値に一定に保つことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１０から１２までのいずれか１項記載の方法において、シリカを工程３ａにおいて、すなわち工程３と４の間に、又は工程５において、すなわち工程４の後で、又は工程３ａ、すなわち工程３と４の間と、工程５、すなわち工程４の後に粉砕することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、粉砕パラメータを、粉砕された生成物が、容量に対する粒子分布の１μｍ未満の範囲で、５〜１００％の割合の微細粒子を有すること、及び／又は容量に対する粒子分布曲線のｄ90値０．０１〜１０μｍを有するように選択することを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１０から１４までのいずれか１項記載の方法において、シリカの工程４における熱処理を、流動層−、流動床−又は回転管反応器中で実施することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法において、流動層反応器を使用し、かつ以下の部分工程：
４ａ． シリカを流動層反応器中に充填する工程
４ｂ． 反応器を３００〜８００℃に予熱する工程。その際、同時に該反応器に不活性ガス及び／又は窒素−空気混合物を、流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓが生ずるように流過させる。
４ｃ． スチームと不活性ガスからなるガス混合物Ｉ又はスチームと不活性ガスと空気とからなるガス混合物ＩＩを３００〜８００℃で０．２５〜６時間の期間にわたり供給する工程。その際、該ガス混合物を反応器に流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓで流過させ、かつガス混合物Ｉ及びＩＩは、スチーム濃度１０〜９５容量％を有し、ガス混合物ＩＩの場合には、酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
４ｄ． スチームの添加を中断し、そしてスチームを不活性ガス、例えば窒素及び／又は不活性ガス−空気混合物によって３００〜８００℃で追い出す工程。その際、該ガスもしくはガス混合物を反応器に流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓで流過させ、かつ不活性ガス−空気混合物を使用する場合に該混合物は酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
４ｅ． 熱処理されたシリカを乾燥したプロセス雰囲気中で室温に冷却する工程。その際、不活性ガス−空気混合物を使用する場合に、該混合物は０．０１〜２１容量％の酸素含有率を有する。
を実施することを特徴とする方法。
【請求項１７】
親水性の沈降シリカであって、それが請求項１１から１６までのいずれか１項記載の方法により得られることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項１８】
請求項１から９又は１７のいずれか１項記載の親水性の沈降シリカをシールコンパウンドの製造のために用いる使用。
【請求項１９】
請求項１８記載の使用であって、シールコンパウンドが、ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムもしくは種々の架橋系（アセトキシ架橋性、アルコキシ架橋性及び／又はオキシム架橋性）のシリコーン系シールコンパウンドであることを特徴とする使用。
【請求項２０】
請求項１から９又は１７のいずれか１項記載の親水性の沈降シリカ少なくとも１つを含有するシールコンパウンド。
【請求項２１】
請求項２０記載のシールコンパウンドであって、該シールコンパウンドが、ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムもしくは種々の架橋系（アセトキシ架橋性、アルコキシ架橋性及び／又はオキシム架橋性）のシリコーン系シールコンパウンドであることを特徴とするシールコンパウンド。
【請求項２２】
請求項２０又は２１記載のシールコンパウンドを、建築産業において継ぎ目シールコンパウンドとして、自動車産業において接着剤及び封止剤として、及び／又はテキスタイル織物用の被覆材料として用いる使用。
【請求項１】
親水性の沈降シリカであって、以下の物理−化学パラメータ：
平衡含水率（７０％の相対湿度／２０℃で） ０．５〜５．０質量％
ＢＥＴ表面積 ５０〜２５０ｍ2／ｇ
ＣＴＡＢ表面積 ５０〜２５０ｍ2／ｇ
ＤＢＰ（無水） ２００〜３５０ｇ／１００ｇ
を特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項２】
請求項１記載の親水性の沈降シリカであって、改変型タップ密度が７０ｇ／ｌ以下であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項３】
請求項１又は２記載の親水性の沈降シリカであって、シラノール基密度が０．５〜３．５ＳｉＯＨ／ｎｍ2であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、容量に対する粒子分布曲線の粒子の５〜１００％が＜１μｍであることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、ｄ90値が０．０１〜１０μｍ以下であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、粒子分布曲線が二峰性であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、強熱減量が０．１〜３．０質量％であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、乾燥減量が０．１〜３．０質量％であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカであって、ｐＨ値が４〜９であることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載の親水性の沈降シリカの製造方法において、以下の工程：
１． 少なくとも１つのケイ酸塩と少なくとも１つの酸性化剤とを反応させる工程
２． 得られたシリカを濾過及び洗浄する工程
３． 得られたシリカもしくは濾過ケークを乾燥させる工程
４． 乾燥されたシリカを熱処理する工程
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、工程１が以下の部分工程：
１ａ． 水もしくは水と少なくとも１つのケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液からなる初充填物を製造する工程。その際、こうして得られた初充填物のｐＨ値は、有利にはｐＨ５〜ｐＨ１０であり、かつ該初充填物の温度は有利には８０〜１００℃である。
１ｂ． 少なくとも１つのケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液と少なくとも１つの酸性化剤とを、撹拌下に８０〜１００℃で前記の部分工程１ａ）からの初充填物中に、粘度上昇点に達するまで配量する工程。
１ｃ． ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤の添加を止めて、沈降懸濁液を８０〜１００℃の温度で１５〜１２０分間にわたり撹拌する工程。
１ｄ． ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液を添加して、沈降懸濁液のｐＨ値をｐＨ８〜ｐＨ１１に高め、高められたｐＨ値に達した後に、該沈降懸濁液を、このｐＨ値で８０〜１００℃の温度で１５〜９０分間にわたり撹拌する工程。
１ｅ． 酸性化剤を添加して、沈降懸濁液のｐＨ値を、有利には部分工程１ｄ）と変わらない温度でｐＨ７〜ｐＨ１０に下げる工程。
１ｆ． 部分工程１ｂ）による沈降を継続する工程。その際、ケイ酸塩及び／又はケイ酸塩溶液及び酸性化剤は、同時に８０〜１００℃の温度で、部分工程１ｇ）の実施後に所望の固体含有率に至る沈降懸濁液の固体含有率が達成されるまで添加する。
１ｇ． 酸性化剤を、８０〜１００℃の沈降懸濁液の温度で添加して、沈降懸濁液のｐＨ値を２〜６にまで低下させ、かつこの部分工程の最後に沈降懸濁液の固体含有率を３０〜７０ｇ／ｌとする工程。
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、ｐＨ値を部分工程１ｂ）の期間にわたり、ｐＨ７〜ｐＨ１０の間の値に一定に保つことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１０から１２までのいずれか１項記載の方法において、シリカを工程３ａにおいて、すなわち工程３と４の間に、又は工程５において、すなわち工程４の後で、又は工程３ａ、すなわち工程３と４の間と、工程５、すなわち工程４の後に粉砕することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、粉砕パラメータを、粉砕された生成物が、容量に対する粒子分布の１μｍ未満の範囲で、５〜１００％の割合の微細粒子を有すること、及び／又は容量に対する粒子分布曲線のｄ90値０．０１〜１０μｍを有するように選択することを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１０から１４までのいずれか１項記載の方法において、シリカの工程４における熱処理を、流動層−、流動床−又は回転管反応器中で実施することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法において、流動層反応器を使用し、かつ以下の部分工程：
４ａ． シリカを流動層反応器中に充填する工程
４ｂ． 反応器を３００〜８００℃に予熱する工程。その際、同時に該反応器に不活性ガス及び／又は窒素−空気混合物を、流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓが生ずるように流過させる。
４ｃ． スチームと不活性ガスからなるガス混合物Ｉ又はスチームと不活性ガスと空気とからなるガス混合物ＩＩを３００〜８００℃で０．２５〜６時間の期間にわたり供給する工程。その際、該ガス混合物を反応器に流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓで流過させ、かつガス混合物Ｉ及びＩＩは、スチーム濃度１０〜９５容量％を有し、ガス混合物ＩＩの場合には、酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
４ｄ． スチームの添加を中断し、そしてスチームを不活性ガス、例えば窒素及び／又は不活性ガス−空気混合物によって３００〜８００℃で追い出す工程。その際、該ガスもしくはガス混合物を反応器に流動化速度０．０２〜０．０６ｍ／ｓで流過させ、かつ不活性ガス−空気混合物を使用する場合に該混合物は酸素含有率０．０１〜２１容量％を有する。
４ｅ． 熱処理されたシリカを乾燥したプロセス雰囲気中で室温に冷却する工程。その際、不活性ガス−空気混合物を使用する場合に、該混合物は０．０１〜２１容量％の酸素含有率を有する。
を実施することを特徴とする方法。
【請求項１７】
親水性の沈降シリカであって、それが請求項１１から１６までのいずれか１項記載の方法により得られることを特徴とする親水性の沈降シリカ。
【請求項１８】
請求項１から９又は１７のいずれか１項記載の親水性の沈降シリカをシールコンパウンドの製造のために用いる使用。
【請求項１９】
請求項１８記載の使用であって、シールコンパウンドが、ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムもしくは種々の架橋系（アセトキシ架橋性、アルコキシ架橋性及び／又はオキシム架橋性）のシリコーン系シールコンパウンドであることを特徴とする使用。
【請求項２０】
請求項１から９又は１７のいずれか１項記載の親水性の沈降シリカ少なくとも１つを含有するシールコンパウンド。
【請求項２１】
請求項２０記載のシールコンパウンドであって、該シールコンパウンドが、ＲＴＶ型の１成分系シリコーンゴムもしくは種々の架橋系（アセトキシ架橋性、アルコキシ架橋性及び／又はオキシム架橋性）のシリコーン系シールコンパウンドであることを特徴とするシールコンパウンド。
【請求項２２】
請求項２０又は２１記載のシールコンパウンドを、建築産業において継ぎ目シールコンパウンドとして、自動車産業において接着剤及び封止剤として、及び／又はテキスタイル織物用の被覆材料として用いる使用。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００７−３１４４１５（Ｐ２００７−３１４４１５Ａ）
【公開日】平成１９年１２月６日（２００７．１２．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１４０４０８（Ｐ２００７−１４０４０８）
【出願日】平成１９年５月２８日（２００７．５．２８）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．テフロン
【出願人】（５０１０７３８６２）デグサ ゲーエムベーハー (837)
【氏名又は名称原語表記】Ｄｅｇｕｓｓａ ＧｍｂＨ
【住所又は居所原語表記】Ｂｅｎｎｉｇｓｅｎｐｌａｔｚ １， Ｄ−４０４７４ Ｄｕｅｓｓｅｌｄｏｒｆ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月６日（２００７．１２．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月２８日（２００７．５．２８）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．テフロン
【出願人】（５０１０７３８６２）デグサ ゲーエムベーハー (837)
【氏名又は名称原語表記】Ｄｅｇｕｓｓａ ＧｍｂＨ
【住所又は居所原語表記】Ｂｅｎｎｉｇｓｅｎｐｌａｔｚ １， Ｄ−４０４７４ Ｄｕｅｓｓｅｌｄｏｒｆ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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