ディスプレイ装置及びその製造方法
【課題】発光の均一性及び効率性を向上できるディスプレイ装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】相互に対向配置される前面基板１２０及び背面基板１１０と、背面基板の内面上に塗布された蛍光体層１１４と、前面基板の内面に相互に離隔配置された第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂと、それらを埋め込む誘電体層１２３と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれに対応して配列され、誘電体層上に導電性物質で形成された第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂと、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極それぞれの上に形成され、それらから流入する電子を放出させ、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有する第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂと、を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置が提供される。
【解決手段】相互に対向配置される前面基板１２０及び背面基板１１０と、背面基板の内面上に塗布された蛍光体層１１４と、前面基板の内面に相互に離隔配置された第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂと、それらを埋め込む誘電体層１２３と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれに対応して配列され、誘電体層上に導電性物質で形成された第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂと、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極それぞれの上に形成され、それらから流入する電子を放出させ、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有する第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂと、を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置が提供される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）は、電気的放電を利用して画像を形成する装置であり、輝度や視野角などの表示性能にすぐれ、その使用が日増しに増えつつある。このようなＰＤＰは、電極に印加される直流または交流の電圧により、この電極間でガス放電を起こし、この放電過程で発生する紫外線により、蛍光体が励起されて可視光を発散する。このようなＰＤＰは、その放電形式により、直流型（ＤＣ ｔｙｐｅ）と交流型（ＡＣ ｔｙｐｅ）とに分類され、また電極の配置構造により、対向放電型と面放電型とに分類されうる。
【０００３】
以下、図１を参照して、従来のＰＤＰの構造について説明する。図１は、従来ＰＤＰの斜視図である。
【０００４】
図１に示すように、従来のＰＤＰは、相互に対向する背面基板１０及び前面基板２０と、該背面基板１０と前面基板２０と間に介在される複数の隔壁１３とを備える。従って、背面基板１０及び前面基板２０と、隔壁１３と、により覆い囲まれる空間に、放電空間１５が設けられ、放電空間１５内には、キセノン（Ｘｅ）のような放電ガスが充填される。隔壁１３は、複数の単位放電セルを区画し、単位放電セル間の電気的、光学的クロストーク現象を防止する役割を果たす。
【０００５】
従来のＰＤＰの構造について具体的に述べれば、背面基板１０の内面にアドレス電極１１が設けられており、アドレス電極１１は、第１誘電体層１２に埋め込まれており（内面（前面基板２０と対向する面）を覆われており）、第１誘電体層１２上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を含む蛍光体層１４が塗布される。そして、前面基板２０の内面に、第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂが設けられており、第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂそれぞれの上に、それらのライン抵抗を減らすための第１バス電極２２ａ及び第２バス電極２２ｂが設けられている。第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂと第１バス電極２２ａ及び第２バス電極２２ｂは、第２誘電体層２３に埋め込まれ（内面（背面基板１０と対向する面）を覆われており）、第２誘電体層２３上にＭｇＯ保護膜２４が形成されている。ＭｇＯ保護膜２４は、プラズマスパッタリングから第２誘電体層２３の損傷を防止すると同時に、プラズマ放電時に二次電子を放出し、放電電圧を下げる役割を果たす。
【０００６】
かかる構造を有する従来のＰＤＰで、放電を介して電子が持続的に供給及び加速され、加速された電子が中性粒子と衝突して励起粒子を生成する。そして、かような励起粒子が安定化しつつ紫外線を放出し、この紫外線により蛍光体が励起されて可視光を形成する。かような可視光は、前面基板２０を介して出射されて画像を具現できる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来のＰＤＰによれば、放電に寄与する電子放出密度が単位放電セル内で均一に分布せず、発光の均一性が低いという問題点がある。具体的に、第１維持電極及び第２維持電極の内側（各電極間の中間）周囲では、電流密度が高くて発光が強く、第１維持電極及び第２維持電極の内側から遠ざかるほど電流密度が低くなりつつ発光が弱くなる。すなわち、単位放電セル内で電界の強度分布が不均一であり、発光の強い領域と弱い領域とが共存し、その結果、放電電圧は高く、かつ放電／発光効率は、低いという問題点がある。従って、発光の均一性及び効率性を向上できるように、ＰＤＰの構造を改善する必要性があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、発光の均一性及び効率性を向上することが可能な、新規かつ改良されたディスプレイ装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、相互に対向配置される前面基板及び背面基板と、背面基板の内面上に塗布された蛍光体層と、前面基板の内面に相互に離隔して設けられた第１維持電極及び第２維持電極と、第１維持電極及び第２維持電極を埋め込む誘電体層と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれに対応して配列され、誘電体層上に導電性物質で形成された第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極と、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極それぞれの上に形成され、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極から流入する電子を放出させ、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有する第１電子放出層及び第２電子放出層と、を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置が提供される。
【００１０】
かかる構成によれば、第１維持電極及び第２維持電極に所定の電圧をかけることにより電界が形成され、この電界によって、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極内に存在する電子は、第１電子放出層及び第２電子放出層に誘導される。第１電子放出層、第２電子放出層に誘導された電子は、第１電子放出層及び第２電子放出層内で、電界により加速され、放電空間内に放出される。この電子の放出は、第１電子放出層及び第２電子放出層を介して行われる。よって、放出される電子密度は、第１電子放出層及び第２電子放出層の形状に対応して変化する。すなわち、第１電子放出層及び第２電子放出層の形状は、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほど、その幅が小さく形成されいるので、放出される電子の密度も、この離隔間隙に近づくほど、小さくなる。よって、放電空間内に放出される電子の密度を、放電空間内で均一にすることができる。
【００１１】
また、第１電子放出層及び第２電子放出層は、酸化された多孔性ポリシリコン、または酸化された多孔性非晶質シリコンで形成されてもよい。かかる構成によれば、電子が、第１電子放出層及び第２電子放出層の内部を、電子間または原子との相互作用によって、散乱されることなく、加速され、放電空間内に放出されうる。
【００１２】
また、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極それぞれが、第１電子放出層及び第２電子放出層と同じ形状で形成されてもよい。かかる構成によれば、よりいっそう、放出される電子密度を、上記離隔間隙に近づくほど、小さくすることができる。
【００１３】
また、導電性物質は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つであってもよい。かかる構成によれば、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極がこの導電性物質で形成されることにより、より効率的により損失を少なく、第１電子放出層及び第２電子放出層に、電子を供給することができる。
【００１４】
また、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が、第１電子放出層及び第２電子放出層の形成幅によって相対的に変化してもよい。かかる構成により、放出された電子の密度を、放電空間内において均一にすることができる。
【００１５】
また、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほど、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に低下してもよい。かかる構成により、放出された電子の密度を、放電空間内において均一にすることができる。
【００１６】
また、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙から遠ざかるほど、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に上昇してもよい。かかる構成により、放出された電子の密度を、放電空間内において均一にすることができる。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、相互に対向配置される前面基板及び背面基板と、背面基板の内面上に塗布された蛍光体層と、前面基板の内面に相互に離隔して設けられた第１維持電極及び第２維持電極と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれの上に形成され、第１維持電極及び第２維持電極から流入する電子を放出させる第１電子放出層及び第２電子放出層と、第１電子放出層及び第２電子放出層を埋め込み、第１電子放出層及び第２電子放出層の上面の一部を露出させるウインドウを具備し、ウインドウの幅が第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる形状で形成された誘電体層と、を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置が提供される。
【００１８】
かかる構成によれば、第１維持電極及び第２維持電極に所定の電圧をかけることにより電界が形成され、この電界によって、第１維持電極及び第２維持電極内に存在する電子は、第１電子放出層及び第２電子放出層に誘導される。第１電子放出層、第２電子放出層に誘導された電子は、第１電子放出層及び第２電子放出層内で、電界により加速され、放電空間内に放出される。この電子の放出は、第１電子放出層及び第２電子放出層の上面の一部を露出させるウィンドウを介して行われる。よって、放出される電子密度は、ウィンドウの形状に対応して変化する。すなわち、ウィンドウの形状は、第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほど、その幅が小さく形成されいるので、放出される電子の密度も、この離隔間隙に近づくほど、小さくなる。よって、放電空間内に放出される電子の密度を、放電空間内で均一にすることができる。
【００１９】
また、第１電子放出層及び第２電子放出層は、酸化された多孔性ポリシリコン、または酸化された多孔性非晶質シリコンで形成されてもよい。
【００２０】
また、第１維持電極及び第２維持電極は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つで形成されてもよい。
【００２１】
また、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が、ウインドウの形成幅によって相対的に変化してもよい。
【００２２】
また、第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほど、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に低下してもよい。
【００２３】
また、第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙から遠ざかるほど、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に上昇してもよい。
【００２４】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、相互に対向配置される前面基板及び背面基板を準備する段階と、前面基板の内面に相互に離隔された第１維持電極及び第２維持電極を形成する段階と、第１維持電極及び第２維持電極を埋め込む誘電体層を形成する段階と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれに対応して配列されるように、誘電体層上に導電性物質で第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極を形成する段階と、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極それぞれの上に第１シリコン層及び第２シリコン層を形成する段階と、第１シリコン層及び第２シリコン層を陽極酸化処理し、酸化された多孔性シリコン材質の第１電子放出層及び第２電子放出層を形成する段階と、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有するように、第１電子放出層及び第２電子放出層の所定領域を選択的にエッチングして除去する段階と、を含むことを特徴とする、ディスプレイ装置の製造方法が提供される。
【００２５】
また、陽極酸化処理で、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用してもよい。
【００２６】
また、導電性物質は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つであってもよい。
【００２７】
また、第１電子放出層と第２電子放出層との間の離隔間隔を制御し、放電開始電圧を制御てもよい。
【００２８】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、相互に対向配置される前面基板及び背面基板を準備する段階と、前面基板の内面に相互に離隔された第１維持電極及び第２維持電極を形成する段階と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれの上に第１シリコン層及び第２シリコン層を形成する段階と、第１シリコン層及び第２シリコン層を陽極酸化処理し、酸化された多孔性シリコン材質の第１電子放出層及び第２電子放出層を形成する段階と、第１電子放出層及び第２電子放出層を埋め込む誘電体層を形成する段階と、誘電体層の所定領域を選択的にエッチングして除去することにより、幅が第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる形状を有し、第１電子放出層及び第２電子放出層の上面の一部を露出させるウインドウを形成する段階と、を含むことを特徴とする、ディスプレイ装置の製造方法が提供される。
【００２９】
また、陽極酸化処理で、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用してもよい。
【００３０】
また、第１維持電極及び第２維持電極は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つから形成してもよい。
【００３１】
また、第１電子放出層と第２電子放出層との間の離隔間隔を制御し、放電開始電圧を制御してもよい。
【発明の効果】
【００３２】
以上説明したように、本発明によれば、発光の均一性及び効率性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３４】
（第１の実施形態）
まず、図２Ａ及び図２Ｂを参照して、本発明の第１の実施形態にかかるディスプレイ装置の構成について説明する。図２Ａは、本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の構成を示す斜視図であり、図２Ｂは、図２ＡでのＡ−Ａ’線における断面を示す断面図である。ここでは、本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の一例として、ＰＤＰが具現されている。
【００３５】
図２Ａ及び図２Ｂに共に示すように、第１実施形態によるＰＤＰは、相互に対向配置される前面基板１２０及び背面基板１１０と、それらの間に介在されて複数の単位放電セルを区画する隔壁１１３とを具備する。この隔壁１１３は、ｘ軸方向に延長形成され、ｙ方向に離隔配置される。従って、前面基板１２０と背面基板１１０と間に放電空間１１５が設けられうる。そして、放電空間１１５内には、例えば、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）とを含むような放電ガスが充填され、この放電ガスは、単位放電セル内でプラズマ放電時に紫外線を発生させる。ここで、隔壁１１３は、単位放電セル間の電気的または光学的クロストーク現象を防止する役割を果たせる。
【００３６】
以下で、まず、第１実施形態にかかるＰＤＰの構造について具体的に説明する。第１実施形態にかかるＰＤＰには、背面基板１１０の内面（前面基板１２０と対向する面）上に、ｘ軸方向に延長形成され各隔壁１１３間に配置されたアドレス電極１１１、及びこれを埋め込む第１誘電体層１１２が設けられ、第１誘電体層１１２上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を含む蛍光体層１１４が塗布される。すなわち、第１誘電体層１１２は、アドレス電極１１１と、背面基板１１０の内面とを覆うように、背面基板１１０の内面全体に塗布され、第１誘電体層１１２の内面全体に、蛍光体層１１４が塗布されうる。そして、前面基板１２０の内面（背面基板１１０と対向する面）上に、ｙ軸方向に延長形成され交互に配置される第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂが相互に離隔して設けられており、それらは、第２誘電体層１２３の内部に埋め込まれている。すなわち、第２誘電体層１２３は、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂと、前面基板１２０の内面とを覆うように、前面基板１２０の内面全体に塗布されうる。
【００３７】
また、各第１維持電極１２１ａとそれに隣接する第２維持電極１２１ｂが、一対をなし作動されるので、以下では、対を成す１つの第１維持電極１２１ａと１つの第２維持電極１２１ｂとの上面（ｚ軸負の方向に面する面）に形成される各電極等について、図２Ｂを参照して説明する。しかし、他の第１維持電極１２１ａおよび第２維持電極１２１ｂとの構造等も同様である。
【００３８】
図２Ｂに示すように、第２誘電体層１２３上（背面基板１１０と対向する面上、ｚ軸負の方向）に、例えば、ＩＴＯ、Ａｌ、Ａｇのような導電性物質で、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂが形成される。この第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれは、上記第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂに対応して配列（アライン）されている。すなわち、第１エミッタ電極１２４ａは、第１維持電極１２１ａと略同様の形状で、第２誘電体層１２３を挟んで第１維持電極１２１ａに対応した位置に配置される。また、第２エミッタ電極１２４ｂは、第２維持電極１２１ｂと略同様の形状で、第２誘電体層１２３を挟んで第２維持電極１２１ｂに対応した位置に形成されうる。
【００３９】
そして、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれの上に、酸化された多孔性シリコン（ＯＰＳ：Ｏｘｉｄｉｚｅｄ Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂが形成されている。ここで、ＯＰＳは、酸化された多孔性ポリシリコン（ＯＰＰＳ：Ｏｘｉｄｉｚｅｄ Ｐｏｒｏｕｓ ＰｏｌｙＳｉｌｉｃｏｎ）、または酸化された多孔性非晶質シリコン（ＯＰＡＳ：Ｏｘｉｄｉｚｅｄ Ｐｏｒｏｕｓ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）を指す概念とする。
【００４０】
第１維持電極１２１ａと第２維持電極１２１ｂとの間に、所定の交流電圧が印加されれば、第１維持電極１２１ａと第２維持電極１２１ｂとの間に一定サイズの電界が形成される。このような電界の影響で、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれから、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂに電子が供給される。そして、このように供給された電子は、ＯＰＳ材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂを通過しつつ加速されて放電空間１１５に放出される。
【００４１】
ここで、ＯＰＳ材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂから電子が加速されて放出される原理について具体的に述べれば、次の通りである。第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂをなすシリコンナノ結晶の直径は、５ｎｍほどであり、シリコンナノ結晶内での電子の平均自由行程（５０ｎｍほど）に比べてはるかに小さい。従って、シリコンナノ結晶内に注入された電子の衝突確率は、非常に小さく、ほとんどの電子は、シリコンナノ結晶を衝突なしに通過してその界面に達する。
【００４２】
一方、シリコンナノ結晶間には、きわめて薄い酸化膜が形成され、このようなシリコンナノ結晶間の酸化膜が、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂ内に電界領域を形成する。もちろん、酸化膜は、電子がトンネリングして通過できるほどに非常に薄い。従って、注入された電子は、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂ内に形成されている電界領域で加速され、放電空間に放出されうる。従って、ＯＰＳ材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂを備える場合、ＰＤＰの放電特性及び輝度特性は、これを具備していない従来のＰＤＰより向上しうる。
【００４３】
特に、第１実施形態で、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとの間の中間線Ｍ−Ｍ’（図２Ｂ参照）に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほど、その幅が徐々に狭くなる構造を有することを特徴とする。ここで、対を成す第１維持電極１２１ａと第２維持電極１２１ｂとのそれぞれに対応して形成される第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとを一対とし、対を成す第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂ上にそれぞれ形成される第１電子放出層１２８ａと第２電子放出層１２８ｂを一対とする。対をなす第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとを離隔する間隙のことを離隔間隙という。したがって、第１電子放出層１２８ａは、対を成した第２電子放出層１２８ｂに（ｘ軸方向に）近づくほど細く、対を成した第２電子放出層１２８ｂから（ｘ軸方向に）遠ざかるほど太い形状を有する。同様に、第２電子放出層１２８ｂは、対を成した第１電子放出層１２８ａに（ｘ軸方向に）近づくほど細く、対を成した第１電子放出層１２８ａから（ｘ軸方向に）遠ざかるほど太い形状を有する。また、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれは、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂと同じ構造から形成されてもよい。
【００４４】
尚、図２Ｂに示す第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、１つの単位放電セル（単位ピクセル）に対して例示したものである。図２Ｂにおいて、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとを離隔する間隙に近づくほど、即ち、中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、狭く形成された略三角形状で示したが、本実施形態において、この略三角形状の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、１つの単位放電セル毎に形成される。本実施形態に係るＰＤＰは、複数の単位放電セルを含むため、第１電子放出層１２８ａは、第１エミッタ電極１２４ａに対応して、ｙ軸方向に上記略三角形状が反復形成された構造を有し、第２電子放出層１２８ｂは、第２エミッタ電極１２４ｂに対応して、ｙ軸方向に上記略三角形状が反復形成された構造を有する。
【００４５】
かかる構造によって形成される場合、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂから放出される電子密度が、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）によって相対的に変化する。例えば、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとの間の中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほど、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂから放出される電子密度が相対的に低下し、反対に、中間線Ｍ−Ｍ’から遠ざかるほど、すなわち離隔間隙から遠ざかるほど、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂから放出される電子密度が相対的に上昇する。すなわち、第１電子放出層１２８ａは、対を成した第２電子放出層１２８ｂに近づくほど細い形状を有するので放出される電子密度が相対的に低下し、対を成した第２電子放出層１２８ｂから遠ざかるほど太い形状を有するので放出される電子密度が相対的に上昇する。同様に、第２電子放出層１２８ｂは、対を成した第１電子放出層１２８ａに近づくほど細い形状を有するので放出される電子密度が相対的に低下し、対を成した第１電子放出層１２８ａから遠ざかるほど太い形状を有するので放出される電子密度が相対的に上昇する。かように、電子密度が幅値によって変化しうるために、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）を位置（ｘ軸方向の位置）によって制御し、単位放電セル内で電界分布が均一になるように制御できる。
【００４６】
このような構造を有するＰＤＰについて、単位放電セル内で電子放出層１２８ａ、１２８ｂが均一な幅に形成される構造と比較すると、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法が徐々に変化する構造の場合、放電に寄与する電子放出密度が放電空間内でさらに均一に分布されうる。特に、本実施形態によるＰＤＰ構造は、単位放電セル内で電界の強度分布が不均一であった従来のＰＤＰの問題点を十分に改善できる。すなわち、従来のＰＤＰの場合、第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂの内側周囲（各電極間の中間の周囲）では、電流密度が高くて発光が強く、第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂの内側（各電極の中間）から遠ざかるほど電流密度が低くて発光が弱くなり、発光の均一性及び効率性が低かった。しかし、本実施形態によるＰＤＰ構造の場合、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂの内側周囲で第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）を相対的に狭く形成して電流密度を弱化させる一方、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂの外側周囲では、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法を相対的に広く形成して電流密度を強化させた。従って、単位放電セル内で電界の強度分布が均一になるので、単位放電セル内で発光の均一性及び効率性が向上し、その結果、ＰＤＰの輝度特性及び電圧特性が従来より改善されうる。
【００４７】
（第２の実施形態）
次に、図３Ａ及び図３Ｂを参照して、本発明の第２の実施形態にかかるディスプレイ装置の構成について説明する。図３Ａは、本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の構成を示す斜視図であり、図３Ｂは、図３ＡでのＢ−Ｂ’線における断面を示す断面図である。ここでも、同様に、本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の一例として、ＰＤＰが具現される。
【００４８】
ここで、第１実施形態と同じ構成要素については、同じ参照番号をそのまま使用し、重複する説明は省略した。第２実施形態では、ＰＤＰの前面パネルの構造において上記第１実施形態と違いがある。
【００４９】
図３Ａ及び図３Ｂに共に示すように、第２実施形態によるＰＤＰは、相互に対向配置される前面基板２２０及び背面基板１１０と、それらの間に介在されて複数の単位放電セルを区画する隔壁１１３とを具備する。従って、前面基板２２０及び背面基板１１０間に放電空間１１５が設けられうる。そして、放電空間１１５内には、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）とを含む放電ガスが充填される。
【００５０】
第２実施形態によるＰＤＰの構造について具体的に述べれば、背面基板１１０の内面に、アドレス電極１１１、及びこれを埋め込む第１誘電体層１１２が設けられ、第１誘電体層１１２上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を含む蛍光体層１１４が塗布されている。この背面基板１１０の構成については、第１実施形態にかかるＰＤＰの構成と同様なので、詳細な説明を省略する。
【００５１】
そして、前面基板２２０の内面（背面基板１１０と対向する面）上に、ｙ軸方向に延長形成され交互に配置される第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂが相互に離隔して設けられており、それらそれぞれの上にＯＰＳ材質の第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂが形成される。そして、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂが第２誘電体層２２９により埋め込まれている。。すなわち、第２誘電体層２２９は、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂと、前面基板２２０の内面とを覆うように、前面基板２２０の内面全体に塗布されうる。
【００５２】
ここで、第２誘電体層２２９は、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂの上面を放電空間に露出させるウインドウを具備しており、ウインドウの幅は、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂ間の中間線Ｍ−Ｍ’（図３Ｂ参照）に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる構造に形成されている。すなわち、第１の実施形態における第１、第２電子放出層１２８ａ、１２８ｂの形状と同様に、ウィンドウは、以下のような形状を有してもよい。
【００５３】
第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウは、第１電子放出層２２８ａと対を成す第２電子放出層２２８ｂに（ｘ軸方向に）近づくほど細く、対を成す第２電子放出層２２８ｂから（ｘ軸方向に）遠ざかるほど太い形状を有する。同様に、第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウは、第２電子放出層２２８ｂと対を成す第１電子放出層２２８ａに（ｘ軸方向に）近づくほど細く、対を成す第１電子放出層２２８ａから（ｘ軸方向に）遠ざかるほど太い形状を有する。ここで、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂ間の離隔間隙とは、対を成す第１維持電極２２１ａと第２維持電極２２１ｂとを離隔する間隙のことを意味する。また、各第１維持電極２２１ａとそれに隣接する第２維持電極２２１ｂとは、一対をなし、対を成す第１維持電極２２１ａと第２維持電極２２１ｂとの上にそれぞれ形成された第１電子放出層２２８ａと第２電子放出層２２８ｂとを一対としている。
【００５４】
尚、図３Ｂに示す第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウ及び第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウは、１つの単位放電セル（単位ピクセル）に対して例示したものである。図３Ｂにおいて、各ウィンドウは、第１維持電極２２１ａと第２維持電極２２１ｂとを離隔する間隙に近づくほど、即ち、中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、狭く形成された略三角形状で示したが、本実施形態において、この略三角形状のウィンドウは、１つの単位放電セル毎に形成される。本実施形態に係るＰＤＰは、複数の単位放電セルを含むため、第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウは、第１維持電極２２１ａに対応して、ｙ軸方向に上記略三角形状が反復形成された構造を有し、第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウは、第２維持電極２２１ｂに対応して、ｙ軸方向に上記略三角形状が反復形成された構造を有する。
【００５５】
かかる構造に形成される場合、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂから放出される電子密度が、ウインドウの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）によって相対的に変化する。例えば、第１維持電極２２１ａと第２維持電極２２１ｂとの間の中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほど、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂから放出される電子密度が相対的に低下し、反対に、中間線Ｍ−Ｍ’から遠ざかるほど、すなわち離隔間隙から遠ざかるほど、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂから放出される電子密度が相対的に上昇する。すなわち、第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウは、対を成した第２電子放出層２２８ｂに近づくほど細い形状を有するので放出される電子密度が相対的に低下し、対を成した第２電子放出層２２８ｂから遠ざかるほど太い形状を有するので放出される電子密度が相対的に上昇する。同様に、第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウは、対を成した第１電子放出層２２８ａに近づくほど細い形状を有するので放出される電子密度が相対的に低下し、対を成した第１電子放出層２２８ａから遠ざかるほど太い形状を有するので放出される電子密度が相対的に上昇する。かかる構造のＰＤＰによる場合、単位放電セル内で発光の均一性及び効率性が向上し、その結果、ＰＤＰの輝度特性及び電圧特性が従来より改善されうるという点は、前述の通りである。ここで、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂは、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか一つから形成可能である。
【００５６】
（第１の実施形態の製造方法）
次に、図４Ａ〜図４Ｈを参照して、本発明の第１の実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法について、詳細に説明する。図４Ａ〜図４Ｈは、本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。本実施形態によるディスプレイ装置の一例として、ＰＤＰが具現されている。ここで、それぞれの物質層は、ＰＤＰの製造において一般的に広く知られている多様な薄膜蒸着方法により形成可能である。かような薄膜蒸着方法は、例えば、物理気相蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スプレイコーティング、及びスクリーンプリンティングなどを含む。
【００５７】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、相互に対向配置される前面基板１２０と背面基板１１０とを準備した後、背面基板１１０の内面に、アドレス電極１１１、及びこれを埋め込む第１誘電体層１１２を形成する。その後、前面基板１２０の内面に、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂが相互に離隔されるように形成し、それらを埋め込む第２誘電体層１２３を形成する。ここで、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂは、例えば、ＩＴＯ、ＡｌまたはＡｇのような導電性物質で形成してもよい。
【００５８】
図４Ｃ〜図４Ｅに示すように、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂそれぞれに対応して配列（アライン）されるように、第２誘電体層１２３上に第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂを形成する。第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂは、例えば、ＩＴＯ、ＡｌまたはＡｇのような導電性物質で形成される。その後、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれの上に、第１シリコン層１２５ａ及び第２シリコン層１２５ｂを形成する。ここで、第１シリコン層１２５ａ及び第２シリコン層１２５ｂは、多結晶状または非晶質状に形成可能である。
【００５９】
その次に、第１シリコン層１２５ａ及び第２シリコン層１２５ｂを陽極酸化処理し、ＯＰＳ材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂを形成する。陽極酸化工程は、一般的に広く知られている工程であるので、これについての詳細な説明は省略する。ただし、本実施形態においては、陽極酸化処理のために、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用し、陽極酸化処理により酸化された多孔性材質の物質層を得ることができる。
【００６０】
図４Ｆ〜図４Ｈに示すように、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとの間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる構造を有するように、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの所定領域を選択的にエッチングして除去する。かかる工程過程を介し、発光の均一性及び効率性が向上したＰＤＰを得ることができる。
【００６１】
第１電子放出層１２８ａと第２電子放出層１２８ｂとの間の離隔間隙は、ＰＤＰの放電開始電圧に影響を与えうる。従って、放電開始電圧が最小化するように、第１電子放出層１２８ａと第２電子放出層１２８ｂとの間の離隔間隔を制御することが望ましい。例えば、エッチング工程で、第１電子放出層１２８ａと第２電子放出層１２８ｂと間の離隔間隔が広く、あるいは狭く形成されるように制御可能である。
【００６２】
（第２の実施形態の製造方法）
次に、図５Ａ〜図５Ｉを参照して、本発明の第２の実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法について、詳細に説明する。図５Ａ〜図５Ｉは、本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。本実施形態にかかるディスプレイ装置の一例として、ＰＤＰが具現されている。
【００６３】
図５Ａ〜図５Ｃに示すように、相互に対向配置される前面基板２２０及び背面基板１１０を準備した後、背面基板１１０の内面に、アドレス電極１１１及びこれを埋め込む第１誘電体層１１２を形成する。その後、前面基板２２０の内面に、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂを相互に離隔するように形成する。その次に、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂそれぞれの上に、第１シリコン層２２５ａ及び第２シリコン層２２５ｂを形成する。ここで、第１シリコン層２２５ａ及び第２シリコン層２２５ｂは、多結晶状または非晶質状に形成可能である。そして、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂは、例えば、ＩＴＯ、ＡｌまたはＡｇのような導電性物質で形成されてもよい。
【００６４】
図５Ｄ及び図５Ｅに示すように、第１シリコン層１２５ａ及び第２シリコン層１２５ｂを陽極酸化処理し、ＯＰＳ材質の第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂを形成する。ここで、陽極酸化工程の実施は、第１実施形態と同じ方法で行われるので、重複する説明は省略する。
【００６５】
図５Ｆ〜図５Ｉに示すように、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂを埋め込む第２誘電体層２２９を形成する。その後、第２誘電体層２２９の所定領域を選択的にエッチングして除去することにより、第２誘電体層２２９に、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂの上面を放電空間に露出させるウインドウを形成する。このとき、ウインドウは、その幅が第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂ間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる構造を有するように形成されねばならない。かかる工程過程を介し、発光の均一性及び効率性の向上したＰＤＰを得ることができる。
【００６６】
第１実施形態で説明したように、放電空間に露出される第１電子放出層２２８ａと第２電子放出層２２８ｂとの間の間隔は、ＰＤＰの放電開始電圧に影響を与えうる。従って、放電開始電圧が最小化するように、放電空間に露出される第１電子放出層２２８ａと第２電子放出層２２８ｂとの間の離隔間隔が制御されることが望ましい。例えば、第２誘電体層２２９のエッチング工程で、第１電子放出層２２８ａと第２電子放出層２２８ｂとの間の離隔間隔が広く、あるいは狭く形成されるように制御可能である。
【００６７】
以上、本発明の第１及び第２の実施形態とそれらの製造方法を順に説明した。本発明の各実施形態にかかるディスプレイ装置によれば、その構造を改善することにより、発光の均一性及び効率性を向上できる。すなわち、具体的には、放電セル内で電子放出層１２８ａ、１２８ｂの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）を位置（ｘ軸方向の位置）によって相対的に変化させ、放電に寄与する電子放出密度を放電空間内で均一に分布させることにより、放電効率を最適化できる。特に、放電セル内で電界の強度分布が均一になるように容易に制御することができ、かかる構造のＰＤＰは、低い電圧でも高い放電効率を有するために、輝度特性及び電圧特性が従来より向上しうる。また、上記のような構成を有するディスプレイ装置及びその製造方法は、ＰＤＰ、またはそれと類似の構造を有する他のディスプレイ装置に適用可能である。
【００６８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６９】
例えば、上記第１の実施形態では、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとを離隔する間隙に近づくほど、即ち、中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、狭く形成された略三角形状で示したが、本発明はかかる例に限定されない。第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、例えば、単位放電セル毎に、半円形状又は扇形状の構造を有し、この半円形状又は扇形状の構造が、ｙ軸方向に反復形成されたものであってもよく、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとの間の中間線Ｍ−Ｍ’（図２Ｂ参照）に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほど、その幅が徐々に狭くなる構造であれば、あらゆる構造・形状であってもよい。また、第２の実施形態における、第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウ及び第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウについても、同様に多様な構造・形状をとりうる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は、ディスプレイ装置及びその製造方法に適用可能であり、特に発光の均一性及び効率性が向上するように、その構造を改善したディスプレイ装置及びその製造方法に適用可能である。また、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】従来のＰＤＰの斜視図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の構成を示す斜視図である。
【図２Ｂ】図２ＡでのＡ−Ａ’線における断面を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の構成を示す斜視図である。
【図３Ｂ】図３ＡでのＢ−Ｂ’線における断面を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｂ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｃ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｄ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｅ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｆ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｇ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｈ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ａ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｂ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｃ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｄ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｅ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｆ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｇ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｈ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｉ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０、１１０ 背面基板
１１、１１１ アドレス電極
１２、１１２ 第１誘電体層
１３、１１３ 隔壁
１４、１１４ 蛍光体層
１５、１１５ 放電空間
２０、１２０、２２０ 前面基板
２１ａ、１２１ａ、２２１ａ 第１維持電極
２１ｂ、１２１ｂ、２２１ｂ 第２維持電極
２２ａ 第１バス電極
２２ｂ 第２バス電極
２３、１２３、２２９ 第２誘電体層
２４ ＭｇＯ保護層
１２４ａ 第１エミッタ電極
１２４ｂ 第２エミッタ電極
１２５ａ、２２５ａ 第１シリコン層
１２５ｂ、２２５ｂ 第２シリコン層
１２８ａ、２２８ａ 第１電子放出層
１２８ｂ、２２８ｂ 第１電子放出層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）は、電気的放電を利用して画像を形成する装置であり、輝度や視野角などの表示性能にすぐれ、その使用が日増しに増えつつある。このようなＰＤＰは、電極に印加される直流または交流の電圧により、この電極間でガス放電を起こし、この放電過程で発生する紫外線により、蛍光体が励起されて可視光を発散する。このようなＰＤＰは、その放電形式により、直流型（ＤＣ ｔｙｐｅ）と交流型（ＡＣ ｔｙｐｅ）とに分類され、また電極の配置構造により、対向放電型と面放電型とに分類されうる。
【０００３】
以下、図１を参照して、従来のＰＤＰの構造について説明する。図１は、従来ＰＤＰの斜視図である。
【０００４】
図１に示すように、従来のＰＤＰは、相互に対向する背面基板１０及び前面基板２０と、該背面基板１０と前面基板２０と間に介在される複数の隔壁１３とを備える。従って、背面基板１０及び前面基板２０と、隔壁１３と、により覆い囲まれる空間に、放電空間１５が設けられ、放電空間１５内には、キセノン（Ｘｅ）のような放電ガスが充填される。隔壁１３は、複数の単位放電セルを区画し、単位放電セル間の電気的、光学的クロストーク現象を防止する役割を果たす。
【０００５】
従来のＰＤＰの構造について具体的に述べれば、背面基板１０の内面にアドレス電極１１が設けられており、アドレス電極１１は、第１誘電体層１２に埋め込まれており（内面（前面基板２０と対向する面）を覆われており）、第１誘電体層１２上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を含む蛍光体層１４が塗布される。そして、前面基板２０の内面に、第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂが設けられており、第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂそれぞれの上に、それらのライン抵抗を減らすための第１バス電極２２ａ及び第２バス電極２２ｂが設けられている。第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂと第１バス電極２２ａ及び第２バス電極２２ｂは、第２誘電体層２３に埋め込まれ（内面（背面基板１０と対向する面）を覆われており）、第２誘電体層２３上にＭｇＯ保護膜２４が形成されている。ＭｇＯ保護膜２４は、プラズマスパッタリングから第２誘電体層２３の損傷を防止すると同時に、プラズマ放電時に二次電子を放出し、放電電圧を下げる役割を果たす。
【０００６】
かかる構造を有する従来のＰＤＰで、放電を介して電子が持続的に供給及び加速され、加速された電子が中性粒子と衝突して励起粒子を生成する。そして、かような励起粒子が安定化しつつ紫外線を放出し、この紫外線により蛍光体が励起されて可視光を形成する。かような可視光は、前面基板２０を介して出射されて画像を具現できる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来のＰＤＰによれば、放電に寄与する電子放出密度が単位放電セル内で均一に分布せず、発光の均一性が低いという問題点がある。具体的に、第１維持電極及び第２維持電極の内側（各電極間の中間）周囲では、電流密度が高くて発光が強く、第１維持電極及び第２維持電極の内側から遠ざかるほど電流密度が低くなりつつ発光が弱くなる。すなわち、単位放電セル内で電界の強度分布が不均一であり、発光の強い領域と弱い領域とが共存し、その結果、放電電圧は高く、かつ放電／発光効率は、低いという問題点がある。従って、発光の均一性及び効率性を向上できるように、ＰＤＰの構造を改善する必要性があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、発光の均一性及び効率性を向上することが可能な、新規かつ改良されたディスプレイ装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、相互に対向配置される前面基板及び背面基板と、背面基板の内面上に塗布された蛍光体層と、前面基板の内面に相互に離隔して設けられた第１維持電極及び第２維持電極と、第１維持電極及び第２維持電極を埋め込む誘電体層と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれに対応して配列され、誘電体層上に導電性物質で形成された第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極と、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極それぞれの上に形成され、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極から流入する電子を放出させ、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有する第１電子放出層及び第２電子放出層と、を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置が提供される。
【００１０】
かかる構成によれば、第１維持電極及び第２維持電極に所定の電圧をかけることにより電界が形成され、この電界によって、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極内に存在する電子は、第１電子放出層及び第２電子放出層に誘導される。第１電子放出層、第２電子放出層に誘導された電子は、第１電子放出層及び第２電子放出層内で、電界により加速され、放電空間内に放出される。この電子の放出は、第１電子放出層及び第２電子放出層を介して行われる。よって、放出される電子密度は、第１電子放出層及び第２電子放出層の形状に対応して変化する。すなわち、第１電子放出層及び第２電子放出層の形状は、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほど、その幅が小さく形成されいるので、放出される電子の密度も、この離隔間隙に近づくほど、小さくなる。よって、放電空間内に放出される電子の密度を、放電空間内で均一にすることができる。
【００１１】
また、第１電子放出層及び第２電子放出層は、酸化された多孔性ポリシリコン、または酸化された多孔性非晶質シリコンで形成されてもよい。かかる構成によれば、電子が、第１電子放出層及び第２電子放出層の内部を、電子間または原子との相互作用によって、散乱されることなく、加速され、放電空間内に放出されうる。
【００１２】
また、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極それぞれが、第１電子放出層及び第２電子放出層と同じ形状で形成されてもよい。かかる構成によれば、よりいっそう、放出される電子密度を、上記離隔間隙に近づくほど、小さくすることができる。
【００１３】
また、導電性物質は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つであってもよい。かかる構成によれば、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極がこの導電性物質で形成されることにより、より効率的により損失を少なく、第１電子放出層及び第２電子放出層に、電子を供給することができる。
【００１４】
また、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が、第１電子放出層及び第２電子放出層の形成幅によって相対的に変化してもよい。かかる構成により、放出された電子の密度を、放電空間内において均一にすることができる。
【００１５】
また、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほど、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に低下してもよい。かかる構成により、放出された電子の密度を、放電空間内において均一にすることができる。
【００１６】
また、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙から遠ざかるほど、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に上昇してもよい。かかる構成により、放出された電子の密度を、放電空間内において均一にすることができる。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、相互に対向配置される前面基板及び背面基板と、背面基板の内面上に塗布された蛍光体層と、前面基板の内面に相互に離隔して設けられた第１維持電極及び第２維持電極と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれの上に形成され、第１維持電極及び第２維持電極から流入する電子を放出させる第１電子放出層及び第２電子放出層と、第１電子放出層及び第２電子放出層を埋め込み、第１電子放出層及び第２電子放出層の上面の一部を露出させるウインドウを具備し、ウインドウの幅が第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる形状で形成された誘電体層と、を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置が提供される。
【００１８】
かかる構成によれば、第１維持電極及び第２維持電極に所定の電圧をかけることにより電界が形成され、この電界によって、第１維持電極及び第２維持電極内に存在する電子は、第１電子放出層及び第２電子放出層に誘導される。第１電子放出層、第２電子放出層に誘導された電子は、第１電子放出層及び第２電子放出層内で、電界により加速され、放電空間内に放出される。この電子の放出は、第１電子放出層及び第２電子放出層の上面の一部を露出させるウィンドウを介して行われる。よって、放出される電子密度は、ウィンドウの形状に対応して変化する。すなわち、ウィンドウの形状は、第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほど、その幅が小さく形成されいるので、放出される電子の密度も、この離隔間隙に近づくほど、小さくなる。よって、放電空間内に放出される電子の密度を、放電空間内で均一にすることができる。
【００１９】
また、第１電子放出層及び第２電子放出層は、酸化された多孔性ポリシリコン、または酸化された多孔性非晶質シリコンで形成されてもよい。
【００２０】
また、第１維持電極及び第２維持電極は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つで形成されてもよい。
【００２１】
また、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が、ウインドウの形成幅によって相対的に変化してもよい。
【００２２】
また、第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほど、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に低下してもよい。
【００２３】
また、第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙から遠ざかるほど、第１電子放出層及び第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に上昇してもよい。
【００２４】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、相互に対向配置される前面基板及び背面基板を準備する段階と、前面基板の内面に相互に離隔された第１維持電極及び第２維持電極を形成する段階と、第１維持電極及び第２維持電極を埋め込む誘電体層を形成する段階と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれに対応して配列されるように、誘電体層上に導電性物質で第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極を形成する段階と、第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極それぞれの上に第１シリコン層及び第２シリコン層を形成する段階と、第１シリコン層及び第２シリコン層を陽極酸化処理し、酸化された多孔性シリコン材質の第１電子放出層及び第２電子放出層を形成する段階と、第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有するように、第１電子放出層及び第２電子放出層の所定領域を選択的にエッチングして除去する段階と、を含むことを特徴とする、ディスプレイ装置の製造方法が提供される。
【００２５】
また、陽極酸化処理で、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用してもよい。
【００２６】
また、導電性物質は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つであってもよい。
【００２７】
また、第１電子放出層と第２電子放出層との間の離隔間隔を制御し、放電開始電圧を制御てもよい。
【００２８】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、相互に対向配置される前面基板及び背面基板を準備する段階と、前面基板の内面に相互に離隔された第１維持電極及び第２維持電極を形成する段階と、第１維持電極及び第２維持電極それぞれの上に第１シリコン層及び第２シリコン層を形成する段階と、第１シリコン層及び第２シリコン層を陽極酸化処理し、酸化された多孔性シリコン材質の第１電子放出層及び第２電子放出層を形成する段階と、第１電子放出層及び第２電子放出層を埋め込む誘電体層を形成する段階と、誘電体層の所定領域を選択的にエッチングして除去することにより、幅が第１維持電極と第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる形状を有し、第１電子放出層及び第２電子放出層の上面の一部を露出させるウインドウを形成する段階と、を含むことを特徴とする、ディスプレイ装置の製造方法が提供される。
【００２９】
また、陽極酸化処理で、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用してもよい。
【００３０】
また、第１維持電極及び第２維持電極は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つから形成してもよい。
【００３１】
また、第１電子放出層と第２電子放出層との間の離隔間隔を制御し、放電開始電圧を制御してもよい。
【発明の効果】
【００３２】
以上説明したように、本発明によれば、発光の均一性及び効率性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３４】
（第１の実施形態）
まず、図２Ａ及び図２Ｂを参照して、本発明の第１の実施形態にかかるディスプレイ装置の構成について説明する。図２Ａは、本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の構成を示す斜視図であり、図２Ｂは、図２ＡでのＡ−Ａ’線における断面を示す断面図である。ここでは、本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の一例として、ＰＤＰが具現されている。
【００３５】
図２Ａ及び図２Ｂに共に示すように、第１実施形態によるＰＤＰは、相互に対向配置される前面基板１２０及び背面基板１１０と、それらの間に介在されて複数の単位放電セルを区画する隔壁１１３とを具備する。この隔壁１１３は、ｘ軸方向に延長形成され、ｙ方向に離隔配置される。従って、前面基板１２０と背面基板１１０と間に放電空間１１５が設けられうる。そして、放電空間１１５内には、例えば、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）とを含むような放電ガスが充填され、この放電ガスは、単位放電セル内でプラズマ放電時に紫外線を発生させる。ここで、隔壁１１３は、単位放電セル間の電気的または光学的クロストーク現象を防止する役割を果たせる。
【００３６】
以下で、まず、第１実施形態にかかるＰＤＰの構造について具体的に説明する。第１実施形態にかかるＰＤＰには、背面基板１１０の内面（前面基板１２０と対向する面）上に、ｘ軸方向に延長形成され各隔壁１１３間に配置されたアドレス電極１１１、及びこれを埋め込む第１誘電体層１１２が設けられ、第１誘電体層１１２上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を含む蛍光体層１１４が塗布される。すなわち、第１誘電体層１１２は、アドレス電極１１１と、背面基板１１０の内面とを覆うように、背面基板１１０の内面全体に塗布され、第１誘電体層１１２の内面全体に、蛍光体層１１４が塗布されうる。そして、前面基板１２０の内面（背面基板１１０と対向する面）上に、ｙ軸方向に延長形成され交互に配置される第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂが相互に離隔して設けられており、それらは、第２誘電体層１２３の内部に埋め込まれている。すなわち、第２誘電体層１２３は、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂと、前面基板１２０の内面とを覆うように、前面基板１２０の内面全体に塗布されうる。
【００３７】
また、各第１維持電極１２１ａとそれに隣接する第２維持電極１２１ｂが、一対をなし作動されるので、以下では、対を成す１つの第１維持電極１２１ａと１つの第２維持電極１２１ｂとの上面（ｚ軸負の方向に面する面）に形成される各電極等について、図２Ｂを参照して説明する。しかし、他の第１維持電極１２１ａおよび第２維持電極１２１ｂとの構造等も同様である。
【００３８】
図２Ｂに示すように、第２誘電体層１２３上（背面基板１１０と対向する面上、ｚ軸負の方向）に、例えば、ＩＴＯ、Ａｌ、Ａｇのような導電性物質で、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂが形成される。この第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれは、上記第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂに対応して配列（アライン）されている。すなわち、第１エミッタ電極１２４ａは、第１維持電極１２１ａと略同様の形状で、第２誘電体層１２３を挟んで第１維持電極１２１ａに対応した位置に配置される。また、第２エミッタ電極１２４ｂは、第２維持電極１２１ｂと略同様の形状で、第２誘電体層１２３を挟んで第２維持電極１２１ｂに対応した位置に形成されうる。
【００３９】
そして、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれの上に、酸化された多孔性シリコン（ＯＰＳ：Ｏｘｉｄｉｚｅｄ Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂが形成されている。ここで、ＯＰＳは、酸化された多孔性ポリシリコン（ＯＰＰＳ：Ｏｘｉｄｉｚｅｄ Ｐｏｒｏｕｓ ＰｏｌｙＳｉｌｉｃｏｎ）、または酸化された多孔性非晶質シリコン（ＯＰＡＳ：Ｏｘｉｄｉｚｅｄ Ｐｏｒｏｕｓ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）を指す概念とする。
【００４０】
第１維持電極１２１ａと第２維持電極１２１ｂとの間に、所定の交流電圧が印加されれば、第１維持電極１２１ａと第２維持電極１２１ｂとの間に一定サイズの電界が形成される。このような電界の影響で、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれから、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂに電子が供給される。そして、このように供給された電子は、ＯＰＳ材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂを通過しつつ加速されて放電空間１１５に放出される。
【００４１】
ここで、ＯＰＳ材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂから電子が加速されて放出される原理について具体的に述べれば、次の通りである。第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂをなすシリコンナノ結晶の直径は、５ｎｍほどであり、シリコンナノ結晶内での電子の平均自由行程（５０ｎｍほど）に比べてはるかに小さい。従って、シリコンナノ結晶内に注入された電子の衝突確率は、非常に小さく、ほとんどの電子は、シリコンナノ結晶を衝突なしに通過してその界面に達する。
【００４２】
一方、シリコンナノ結晶間には、きわめて薄い酸化膜が形成され、このようなシリコンナノ結晶間の酸化膜が、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂ内に電界領域を形成する。もちろん、酸化膜は、電子がトンネリングして通過できるほどに非常に薄い。従って、注入された電子は、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂ内に形成されている電界領域で加速され、放電空間に放出されうる。従って、ＯＰＳ材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂを備える場合、ＰＤＰの放電特性及び輝度特性は、これを具備していない従来のＰＤＰより向上しうる。
【００４３】
特に、第１実施形態で、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとの間の中間線Ｍ−Ｍ’（図２Ｂ参照）に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほど、その幅が徐々に狭くなる構造を有することを特徴とする。ここで、対を成す第１維持電極１２１ａと第２維持電極１２１ｂとのそれぞれに対応して形成される第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとを一対とし、対を成す第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂ上にそれぞれ形成される第１電子放出層１２８ａと第２電子放出層１２８ｂを一対とする。対をなす第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとを離隔する間隙のことを離隔間隙という。したがって、第１電子放出層１２８ａは、対を成した第２電子放出層１２８ｂに（ｘ軸方向に）近づくほど細く、対を成した第２電子放出層１２８ｂから（ｘ軸方向に）遠ざかるほど太い形状を有する。同様に、第２電子放出層１２８ｂは、対を成した第１電子放出層１２８ａに（ｘ軸方向に）近づくほど細く、対を成した第１電子放出層１２８ａから（ｘ軸方向に）遠ざかるほど太い形状を有する。また、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれは、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂと同じ構造から形成されてもよい。
【００４４】
尚、図２Ｂに示す第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、１つの単位放電セル（単位ピクセル）に対して例示したものである。図２Ｂにおいて、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとを離隔する間隙に近づくほど、即ち、中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、狭く形成された略三角形状で示したが、本実施形態において、この略三角形状の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、１つの単位放電セル毎に形成される。本実施形態に係るＰＤＰは、複数の単位放電セルを含むため、第１電子放出層１２８ａは、第１エミッタ電極１２４ａに対応して、ｙ軸方向に上記略三角形状が反復形成された構造を有し、第２電子放出層１２８ｂは、第２エミッタ電極１２４ｂに対応して、ｙ軸方向に上記略三角形状が反復形成された構造を有する。
【００４５】
かかる構造によって形成される場合、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂから放出される電子密度が、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）によって相対的に変化する。例えば、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとの間の中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほど、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂから放出される電子密度が相対的に低下し、反対に、中間線Ｍ−Ｍ’から遠ざかるほど、すなわち離隔間隙から遠ざかるほど、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂから放出される電子密度が相対的に上昇する。すなわち、第１電子放出層１２８ａは、対を成した第２電子放出層１２８ｂに近づくほど細い形状を有するので放出される電子密度が相対的に低下し、対を成した第２電子放出層１２８ｂから遠ざかるほど太い形状を有するので放出される電子密度が相対的に上昇する。同様に、第２電子放出層１２８ｂは、対を成した第１電子放出層１２８ａに近づくほど細い形状を有するので放出される電子密度が相対的に低下し、対を成した第１電子放出層１２８ａから遠ざかるほど太い形状を有するので放出される電子密度が相対的に上昇する。かように、電子密度が幅値によって変化しうるために、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）を位置（ｘ軸方向の位置）によって制御し、単位放電セル内で電界分布が均一になるように制御できる。
【００４６】
このような構造を有するＰＤＰについて、単位放電セル内で電子放出層１２８ａ、１２８ｂが均一な幅に形成される構造と比較すると、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法が徐々に変化する構造の場合、放電に寄与する電子放出密度が放電空間内でさらに均一に分布されうる。特に、本実施形態によるＰＤＰ構造は、単位放電セル内で電界の強度分布が不均一であった従来のＰＤＰの問題点を十分に改善できる。すなわち、従来のＰＤＰの場合、第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂの内側周囲（各電極間の中間の周囲）では、電流密度が高くて発光が強く、第１維持電極２１ａ及び第２維持電極２１ｂの内側（各電極の中間）から遠ざかるほど電流密度が低くて発光が弱くなり、発光の均一性及び効率性が低かった。しかし、本実施形態によるＰＤＰ構造の場合、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂの内側周囲で第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）を相対的に狭く形成して電流密度を弱化させる一方、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂの外側周囲では、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの幅寸法を相対的に広く形成して電流密度を強化させた。従って、単位放電セル内で電界の強度分布が均一になるので、単位放電セル内で発光の均一性及び効率性が向上し、その結果、ＰＤＰの輝度特性及び電圧特性が従来より改善されうる。
【００４７】
（第２の実施形態）
次に、図３Ａ及び図３Ｂを参照して、本発明の第２の実施形態にかかるディスプレイ装置の構成について説明する。図３Ａは、本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の構成を示す斜視図であり、図３Ｂは、図３ＡでのＢ−Ｂ’線における断面を示す断面図である。ここでも、同様に、本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の一例として、ＰＤＰが具現される。
【００４８】
ここで、第１実施形態と同じ構成要素については、同じ参照番号をそのまま使用し、重複する説明は省略した。第２実施形態では、ＰＤＰの前面パネルの構造において上記第１実施形態と違いがある。
【００４９】
図３Ａ及び図３Ｂに共に示すように、第２実施形態によるＰＤＰは、相互に対向配置される前面基板２２０及び背面基板１１０と、それらの間に介在されて複数の単位放電セルを区画する隔壁１１３とを具備する。従って、前面基板２２０及び背面基板１１０間に放電空間１１５が設けられうる。そして、放電空間１１５内には、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）とを含む放電ガスが充填される。
【００５０】
第２実施形態によるＰＤＰの構造について具体的に述べれば、背面基板１１０の内面に、アドレス電極１１１、及びこれを埋め込む第１誘電体層１１２が設けられ、第１誘電体層１１２上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を含む蛍光体層１１４が塗布されている。この背面基板１１０の構成については、第１実施形態にかかるＰＤＰの構成と同様なので、詳細な説明を省略する。
【００５１】
そして、前面基板２２０の内面（背面基板１１０と対向する面）上に、ｙ軸方向に延長形成され交互に配置される第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂが相互に離隔して設けられており、それらそれぞれの上にＯＰＳ材質の第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂが形成される。そして、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂが第２誘電体層２２９により埋め込まれている。。すなわち、第２誘電体層２２９は、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂと、前面基板２２０の内面とを覆うように、前面基板２２０の内面全体に塗布されうる。
【００５２】
ここで、第２誘電体層２２９は、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂの上面を放電空間に露出させるウインドウを具備しており、ウインドウの幅は、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂ間の中間線Ｍ−Ｍ’（図３Ｂ参照）に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる構造に形成されている。すなわち、第１の実施形態における第１、第２電子放出層１２８ａ、１２８ｂの形状と同様に、ウィンドウは、以下のような形状を有してもよい。
【００５３】
第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウは、第１電子放出層２２８ａと対を成す第２電子放出層２２８ｂに（ｘ軸方向に）近づくほど細く、対を成す第２電子放出層２２８ｂから（ｘ軸方向に）遠ざかるほど太い形状を有する。同様に、第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウは、第２電子放出層２２８ｂと対を成す第１電子放出層２２８ａに（ｘ軸方向に）近づくほど細く、対を成す第１電子放出層２２８ａから（ｘ軸方向に）遠ざかるほど太い形状を有する。ここで、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂ間の離隔間隙とは、対を成す第１維持電極２２１ａと第２維持電極２２１ｂとを離隔する間隙のことを意味する。また、各第１維持電極２２１ａとそれに隣接する第２維持電極２２１ｂとは、一対をなし、対を成す第１維持電極２２１ａと第２維持電極２２１ｂとの上にそれぞれ形成された第１電子放出層２２８ａと第２電子放出層２２８ｂとを一対としている。
【００５４】
尚、図３Ｂに示す第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウ及び第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウは、１つの単位放電セル（単位ピクセル）に対して例示したものである。図３Ｂにおいて、各ウィンドウは、第１維持電極２２１ａと第２維持電極２２１ｂとを離隔する間隙に近づくほど、即ち、中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、狭く形成された略三角形状で示したが、本実施形態において、この略三角形状のウィンドウは、１つの単位放電セル毎に形成される。本実施形態に係るＰＤＰは、複数の単位放電セルを含むため、第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウは、第１維持電極２２１ａに対応して、ｙ軸方向に上記略三角形状が反復形成された構造を有し、第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウは、第２維持電極２２１ｂに対応して、ｙ軸方向に上記略三角形状が反復形成された構造を有する。
【００５５】
かかる構造に形成される場合、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂから放出される電子密度が、ウインドウの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）によって相対的に変化する。例えば、第１維持電極２２１ａと第２維持電極２２１ｂとの間の中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほど、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂから放出される電子密度が相対的に低下し、反対に、中間線Ｍ−Ｍ’から遠ざかるほど、すなわち離隔間隙から遠ざかるほど、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂから放出される電子密度が相対的に上昇する。すなわち、第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウは、対を成した第２電子放出層２２８ｂに近づくほど細い形状を有するので放出される電子密度が相対的に低下し、対を成した第２電子放出層２２８ｂから遠ざかるほど太い形状を有するので放出される電子密度が相対的に上昇する。同様に、第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウは、対を成した第１電子放出層２２８ａに近づくほど細い形状を有するので放出される電子密度が相対的に低下し、対を成した第１電子放出層２２８ａから遠ざかるほど太い形状を有するので放出される電子密度が相対的に上昇する。かかる構造のＰＤＰによる場合、単位放電セル内で発光の均一性及び効率性が向上し、その結果、ＰＤＰの輝度特性及び電圧特性が従来より改善されうるという点は、前述の通りである。ここで、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂは、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか一つから形成可能である。
【００５６】
（第１の実施形態の製造方法）
次に、図４Ａ〜図４Ｈを参照して、本発明の第１の実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法について、詳細に説明する。図４Ａ〜図４Ｈは、本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。本実施形態によるディスプレイ装置の一例として、ＰＤＰが具現されている。ここで、それぞれの物質層は、ＰＤＰの製造において一般的に広く知られている多様な薄膜蒸着方法により形成可能である。かような薄膜蒸着方法は、例えば、物理気相蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スプレイコーティング、及びスクリーンプリンティングなどを含む。
【００５７】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、相互に対向配置される前面基板１２０と背面基板１１０とを準備した後、背面基板１１０の内面に、アドレス電極１１１、及びこれを埋め込む第１誘電体層１１２を形成する。その後、前面基板１２０の内面に、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂが相互に離隔されるように形成し、それらを埋め込む第２誘電体層１２３を形成する。ここで、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂは、例えば、ＩＴＯ、ＡｌまたはＡｇのような導電性物質で形成してもよい。
【００５８】
図４Ｃ〜図４Ｅに示すように、第１維持電極１２１ａ及び第２維持電極１２１ｂそれぞれに対応して配列（アライン）されるように、第２誘電体層１２３上に第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂを形成する。第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂは、例えば、ＩＴＯ、ＡｌまたはＡｇのような導電性物質で形成される。その後、第１エミッタ電極１２４ａ及び第２エミッタ電極１２４ｂそれぞれの上に、第１シリコン層１２５ａ及び第２シリコン層１２５ｂを形成する。ここで、第１シリコン層１２５ａ及び第２シリコン層１２５ｂは、多結晶状または非晶質状に形成可能である。
【００５９】
その次に、第１シリコン層１２５ａ及び第２シリコン層１２５ｂを陽極酸化処理し、ＯＰＳ材質の第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂを形成する。陽極酸化工程は、一般的に広く知られている工程であるので、これについての詳細な説明は省略する。ただし、本実施形態においては、陽極酸化処理のために、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用し、陽極酸化処理により酸化された多孔性材質の物質層を得ることができる。
【００６０】
図４Ｆ〜図４Ｈに示すように、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとの間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる構造を有するように、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂの所定領域を選択的にエッチングして除去する。かかる工程過程を介し、発光の均一性及び効率性が向上したＰＤＰを得ることができる。
【００６１】
第１電子放出層１２８ａと第２電子放出層１２８ｂとの間の離隔間隙は、ＰＤＰの放電開始電圧に影響を与えうる。従って、放電開始電圧が最小化するように、第１電子放出層１２８ａと第２電子放出層１２８ｂとの間の離隔間隔を制御することが望ましい。例えば、エッチング工程で、第１電子放出層１２８ａと第２電子放出層１２８ｂと間の離隔間隔が広く、あるいは狭く形成されるように制御可能である。
【００６２】
（第２の実施形態の製造方法）
次に、図５Ａ〜図５Ｉを参照して、本発明の第２の実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法について、詳細に説明する。図５Ａ〜図５Ｉは、本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。本実施形態にかかるディスプレイ装置の一例として、ＰＤＰが具現されている。
【００６３】
図５Ａ〜図５Ｃに示すように、相互に対向配置される前面基板２２０及び背面基板１１０を準備した後、背面基板１１０の内面に、アドレス電極１１１及びこれを埋め込む第１誘電体層１１２を形成する。その後、前面基板２２０の内面に、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂを相互に離隔するように形成する。その次に、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂそれぞれの上に、第１シリコン層２２５ａ及び第２シリコン層２２５ｂを形成する。ここで、第１シリコン層２２５ａ及び第２シリコン層２２５ｂは、多結晶状または非晶質状に形成可能である。そして、第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂは、例えば、ＩＴＯ、ＡｌまたはＡｇのような導電性物質で形成されてもよい。
【００６４】
図５Ｄ及び図５Ｅに示すように、第１シリコン層１２５ａ及び第２シリコン層１２５ｂを陽極酸化処理し、ＯＰＳ材質の第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂを形成する。ここで、陽極酸化工程の実施は、第１実施形態と同じ方法で行われるので、重複する説明は省略する。
【００６５】
図５Ｆ〜図５Ｉに示すように、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂを埋め込む第２誘電体層２２９を形成する。その後、第２誘電体層２２９の所定領域を選択的にエッチングして除去することにより、第２誘電体層２２９に、第１電子放出層２２８ａ及び第２電子放出層２２８ｂの上面を放電空間に露出させるウインドウを形成する。このとき、ウインドウは、その幅が第１維持電極２２１ａ及び第２維持電極２２１ｂ間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる構造を有するように形成されねばならない。かかる工程過程を介し、発光の均一性及び効率性の向上したＰＤＰを得ることができる。
【００６６】
第１実施形態で説明したように、放電空間に露出される第１電子放出層２２８ａと第２電子放出層２２８ｂとの間の間隔は、ＰＤＰの放電開始電圧に影響を与えうる。従って、放電開始電圧が最小化するように、放電空間に露出される第１電子放出層２２８ａと第２電子放出層２２８ｂとの間の離隔間隔が制御されることが望ましい。例えば、第２誘電体層２２９のエッチング工程で、第１電子放出層２２８ａと第２電子放出層２２８ｂとの間の離隔間隔が広く、あるいは狭く形成されるように制御可能である。
【００６７】
以上、本発明の第１及び第２の実施形態とそれらの製造方法を順に説明した。本発明の各実施形態にかかるディスプレイ装置によれば、その構造を改善することにより、発光の均一性及び効率性を向上できる。すなわち、具体的には、放電セル内で電子放出層１２８ａ、１２８ｂの幅寸法（ｙ軸方向の形成幅）を位置（ｘ軸方向の位置）によって相対的に変化させ、放電に寄与する電子放出密度を放電空間内で均一に分布させることにより、放電効率を最適化できる。特に、放電セル内で電界の強度分布が均一になるように容易に制御することができ、かかる構造のＰＤＰは、低い電圧でも高い放電効率を有するために、輝度特性及び電圧特性が従来より向上しうる。また、上記のような構成を有するディスプレイ装置及びその製造方法は、ＰＤＰ、またはそれと類似の構造を有する他のディスプレイ装置に適用可能である。
【００６８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６９】
例えば、上記第１の実施形態では、第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとを離隔する間隙に近づくほど、即ち、中間線Ｍ−Ｍ’に近づくほど、狭く形成された略三角形状で示したが、本発明はかかる例に限定されない。第１電子放出層１２８ａ及び第２電子放出層１２８ｂは、例えば、単位放電セル毎に、半円形状又は扇形状の構造を有し、この半円形状又は扇形状の構造が、ｙ軸方向に反復形成されたものであってもよく、第１エミッタ電極１２４ａと第２エミッタ電極１２４ｂとの間の中間線Ｍ−Ｍ’（図２Ｂ参照）に近づくほど、すなわち離隔間隙に近づくほど、その幅が徐々に狭くなる構造であれば、あらゆる構造・形状であってもよい。また、第２の実施形態における、第１電子放出層２２８ａを露出させるウィンドウ及び第２電子放出層２２８ｂを露出させるウィンドウについても、同様に多様な構造・形状をとりうる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は、ディスプレイ装置及びその製造方法に適用可能であり、特に発光の均一性及び効率性が向上するように、その構造を改善したディスプレイ装置及びその製造方法に適用可能である。また、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】従来のＰＤＰの斜視図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の構成を示す斜視図である。
【図２Ｂ】図２ＡでのＡ−Ａ’線における断面を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の構成を示す斜視図である。
【図３Ｂ】図３ＡでのＢ−Ｂ’線における断面を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｂ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｃ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｄ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｅ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｆ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｇ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図４Ｈ】本発明の第１実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ａ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｂ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｃ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｄ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｅ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｆ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｇ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｈ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【図５Ｉ】本発明の第２実施形態にかかるディスプレイ装置の製造方法を示す工程順序図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０、１１０ 背面基板
１１、１１１ アドレス電極
１２、１１２ 第１誘電体層
１３、１１３ 隔壁
１４、１１４ 蛍光体層
１５、１１５ 放電空間
２０、１２０、２２０ 前面基板
２１ａ、１２１ａ、２２１ａ 第１維持電極
２１ｂ、１２１ｂ、２２１ｂ 第２維持電極
２２ａ 第１バス電極
２２ｂ 第２バス電極
２３、１２３、２２９ 第２誘電体層
２４ ＭｇＯ保護層
１２４ａ 第１エミッタ電極
１２４ｂ 第２エミッタ電極
１２５ａ、２２５ａ 第１シリコン層
１２５ｂ、２２５ｂ 第２シリコン層
１２８ａ、２２８ａ 第１電子放出層
１２８ｂ、２２８ｂ 第１電子放出層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向配置される前面基板及び背面基板と；
前記背面基板の内面上に塗布された蛍光体層と；
前記前面基板の内面に相互に離隔して設けられた第１維持電極及び第２維持電極と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極を埋め込む誘電体層と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極それぞれに対応して配列され、前記誘電体層上に導電性物質で形成された第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極と；
前記第１エミッタ電極及び前記第２エミッタ電極それぞれの上に形成され、前記第１エミッタ電極及び前記第２エミッタ電極から流入する電子を放出させ、前記第１エミッタ電極と前記第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有する第１電子放出層及び第２電子放出層と；
を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層は、酸化された多孔性ポリシリコン、または酸化された多孔性非晶質シリコンで形成されたことを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第１エミッタ電極及び前記第２エミッタ電極それぞれが、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層と同じ形状で形成されたことを特徴とする、請求項１または２に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記導電性物質は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層の形成幅によって相対的に変化することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第１エミッタ電極と前記第２エミッタ電極との間の前記離隔間隙に近づくほど、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に低下することを特徴とする、請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の前記離隔間隙から遠ざかるほど、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に上昇することを特徴とする、請求項５または６に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
相互に対向配置される前面基板及び背面基板と；
前記背面基板の内面上に塗布された蛍光体層と；
前記前面基板の内面に相互に離隔して設けられた第１維持電極及び第２維持電極と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極それぞれの上に形成され、前記第１維持電極及び前記第２維持電極から流入する電子を放出させる第１電子放出層及び第２電子放出層と；
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層を埋め込み、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層の上面の一部を露出させるウインドウを具備し、前記ウインドウの幅が前記第１維持電極と前記第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる形状で形成された誘電体層と；
を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層は、酸化された多孔性ポリシリコン、または酸化された多孔性非晶質シリコンで形成されたことを特徴とする、請求項８に記載のディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記第１維持電極及び前記第２維持電極は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つで形成されたことを特徴とする、請求項８または９に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が、前記ウインドウの形成幅によって相対的に変化することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記第１維持電極と第２維持電極との間の前記離隔間隙に近づくほど、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に低下することを特徴とする、請求項１１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記第１維持電極と第２維持電極との間の前記離隔間隙から遠ざかるほど、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に上昇することを特徴とする、請求項１１または１２に記載のディスプレイ装置。
【請求項１４】
相互に対向配置される前面基板及び背面基板を準備する段階と；
前記前面基板の内面に相互に離隔された第１維持電極及び第２維持電極を形成する段階と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極を埋め込む誘電体層を形成する段階と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極それぞれに対応して配列されるように、前記誘電体層上に導電性物質で第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極を形成する段階と；
前記第１エミッタ電極及び前記第２エミッタ電極それぞれの上に第１シリコン層及び第２シリコン層を形成する段階と；
前記第１シリコン層及び前記第２シリコン層を陽極酸化処理し、酸化された多孔性シリコン材質の第１電子放出層及び第２電子放出層を形成する段階と；
前記第１エミッタ電極と前記第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有するように、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層の所定領域を選択的にエッチングして除去する段階と；
を含むことを特徴とする、ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記陽極酸化処理で、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用することを特徴とする、請求項１４に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記導電性物質は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つであることを特徴とする、請求項１４に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１電子放出層と前記第２電子放出層との間の離隔間隔を制御し、放電開始電圧を制御することを特徴とする、請求項１４に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１８】
相互に対向配置される前面基板及び背面基板を準備する段階と；
前記前面基板の内面に相互に離隔された第１維持電極及び第２維持電極を形成する段階と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極それぞれの上に第１シリコン層及び第２シリコン層を形成する段階と；
前記第１シリコン層及び前記第２シリコン層を陽極酸化処理し、酸化された多孔性シリコン材質の第１電子放出層及び第２電子放出層を形成する段階と；
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層を埋め込む誘電体層を形成する段階と；
前記誘電体層の所定領域を選択的にエッチングして除去することにより、幅が前記第１維持電極と前記第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる形状を有し、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層の上面の一部を露出させるウインドウを形成する段階と；
を含むことを特徴とする、ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記陽極酸化処理で、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用することを特徴とする請求項１８に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１維持電極及び前記第２維持電極は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つから形成されることを特徴とする、請求項１８に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１電子放出層と前記第２電子放出層との間の離隔間隔を制御し、放電開始電圧を制御することを特徴とする、請求項１８に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１】
相互に対向配置される前面基板及び背面基板と；
前記背面基板の内面上に塗布された蛍光体層と；
前記前面基板の内面に相互に離隔して設けられた第１維持電極及び第２維持電極と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極を埋め込む誘電体層と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極それぞれに対応して配列され、前記誘電体層上に導電性物質で形成された第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極と；
前記第１エミッタ電極及び前記第２エミッタ電極それぞれの上に形成され、前記第１エミッタ電極及び前記第２エミッタ電極から流入する電子を放出させ、前記第１エミッタ電極と前記第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有する第１電子放出層及び第２電子放出層と；
を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層は、酸化された多孔性ポリシリコン、または酸化された多孔性非晶質シリコンで形成されたことを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第１エミッタ電極及び前記第２エミッタ電極それぞれが、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層と同じ形状で形成されたことを特徴とする、請求項１または２に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記導電性物質は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層の形成幅によって相対的に変化することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第１エミッタ電極と前記第２エミッタ電極との間の前記離隔間隙に近づくほど、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に低下することを特徴とする、請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第１エミッタ電極と第２エミッタ電極との間の前記離隔間隙から遠ざかるほど、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に上昇することを特徴とする、請求項５または６に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
相互に対向配置される前面基板及び背面基板と；
前記背面基板の内面上に塗布された蛍光体層と；
前記前面基板の内面に相互に離隔して設けられた第１維持電極及び第２維持電極と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極それぞれの上に形成され、前記第１維持電極及び前記第２維持電極から流入する電子を放出させる第１電子放出層及び第２電子放出層と；
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層を埋め込み、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層の上面の一部を露出させるウインドウを具備し、前記ウインドウの幅が前記第１維持電極と前記第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる形状で形成された誘電体層と；
を具備することを特徴とする、ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層は、酸化された多孔性ポリシリコン、または酸化された多孔性非晶質シリコンで形成されたことを特徴とする、請求項８に記載のディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記第１維持電極及び前記第２維持電極は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つで形成されたことを特徴とする、請求項８または９に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が、前記ウインドウの形成幅によって相対的に変化することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記第１維持電極と第２維持電極との間の前記離隔間隙に近づくほど、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に低下することを特徴とする、請求項１１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記第１維持電極と第２維持電極との間の前記離隔間隙から遠ざかるほど、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層から放出される電子密度が相対的に上昇することを特徴とする、請求項１１または１２に記載のディスプレイ装置。
【請求項１４】
相互に対向配置される前面基板及び背面基板を準備する段階と；
前記前面基板の内面に相互に離隔された第１維持電極及び第２維持電極を形成する段階と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極を埋め込む誘電体層を形成する段階と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極それぞれに対応して配列されるように、前記誘電体層上に導電性物質で第１エミッタ電極及び第２エミッタ電極を形成する段階と；
前記第１エミッタ電極及び前記第２エミッタ電極それぞれの上に第１シリコン層及び第２シリコン層を形成する段階と；
前記第１シリコン層及び前記第２シリコン層を陽極酸化処理し、酸化された多孔性シリコン材質の第１電子放出層及び第２電子放出層を形成する段階と；
前記第１エミッタ電極と前記第２エミッタ電極との間の離隔間隙に近づくほどにその幅が徐々に狭くなる形状を有するように、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層の所定領域を選択的にエッチングして除去する段階と；
を含むことを特徴とする、ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記陽極酸化処理で、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用することを特徴とする、請求項１４に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記導電性物質は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つであることを特徴とする、請求項１４に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１電子放出層と前記第２電子放出層との間の離隔間隔を制御し、放電開始電圧を制御することを特徴とする、請求項１４に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１８】
相互に対向配置される前面基板及び背面基板を準備する段階と；
前記前面基板の内面に相互に離隔された第１維持電極及び第２維持電極を形成する段階と；
前記第１維持電極及び前記第２維持電極それぞれの上に第１シリコン層及び第２シリコン層を形成する段階と；
前記第１シリコン層及び前記第２シリコン層を陽極酸化処理し、酸化された多孔性シリコン材質の第１電子放出層及び第２電子放出層を形成する段階と；
前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層を埋め込む誘電体層を形成する段階と；
前記誘電体層の所定領域を選択的にエッチングして除去することにより、幅が前記第１維持電極と前記第２維持電極との間の離隔間隙に近づくほどに徐々に狭くなる形状を有し、前記第１電子放出層及び前記第２電子放出層の上面の一部を露出させるウインドウを形成する段階と；
を含むことを特徴とする、ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記陽極酸化処理で、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を利用することを特徴とする請求項１８に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１維持電極及び前記第２維持電極は、ＩＴＯ、Ａｌ及びＡｇからなる群より選択されたいずれか１つから形成されることを特徴とする、請求項１８に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１電子放出層と前記第２電子放出層との間の離隔間隔を制御し、放電開始電圧を制御することを特徴とする、請求項１８に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図４Ｇ】
【図４Ｈ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図５Ｆ】
【図５Ｇ】
【図５Ｈ】
【図５Ｉ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図４Ｇ】
【図４Ｈ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図５Ｆ】
【図５Ｇ】
【図５Ｈ】
【図５Ｉ】
【公開番号】特開２００７−１４９６７０（Ｐ２００７−１４９６７０Ａ）
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３１４７８６（Ｐ２００６−３１４７８６）
【出願日】平成１８年１１月２１日（２００６．１１．２１）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月２１日（２００６．１１．２１）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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