ハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板
【課題】湿度の変化に対してＰＳＡ（姿勢角）変化が小さく、磁気ヘッドを備えるスライダを安定して高精度に支持できるハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板を提供する。
【解決手段】金属製の基材２と、金属製基材２の上に設けられた下地絶縁層３と、下地絶縁層３の上に設けられた導体層４と、導体層４を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層５とを備えるハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板１において、下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率を、０．１〜１．０ＧＰａとする。
【解決手段】金属製の基材２と、金属製基材２の上に設けられた下地絶縁層３と、下地絶縁層３の上に設けられた導体層４と、導体層４を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層５とを備えるハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板１において、下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率を、０．１〜１．０ＧＰａとする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ用の回路付きサスペンション基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータや電子機器等の記憶装置（記録手段）として用いられるハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤという）は、円板状の磁気ディスク（プラッタ）と磁気ヘッド（スライダ）とを相対的に回転走行させ、これにより生じる空気流の圧力によって、（Ｉ）上記磁気ヘッドが磁気ディスクに接触しないように浮き上がらせて支持するとともに、（II）サスペンションの弾性により上記磁気ヘッドを磁気ディスク側に押し付け、この押し付け力と上記空気流の上向き圧力との釣り合いをとることによって、磁気ヘッドと上記磁気ディスクの間隔（ギャップ）を、適正な距離に保持している。
【０００３】
上記ＨＤＤの磁気ヘッドを支持・実装する構造として、弾性を有するアーム状のサスペンション基板に、この磁気ヘッドと装置の制御手段とを接続するための回路（配線）パターンを一体的に形成した、回路付きサスペンション基板が提案され、実用化されている（特許文献１を参照）。
【０００４】
このＨＤＤ用の回路付きサスペンション基板の構造は、例えば、ステンレス箔基材の上に、ポリイミド樹脂等からなる絶縁層が形成され、その上に、銅等からなる所定パターンの導体層（薄膜）が回路（電気配線）として形成されている構成をとる。さらに、上記導体層の上または表面には、端子となる導電部が形成され、この端子の領域を除く全表面に、上記絶縁層と導体層を覆う絶縁被覆層が積層される。そして、アーム形状の先端部（先細部）に、磁気ヘッドを備えるスライダが搭載（実装）される（特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３１０９４６号公報
【特許文献２】特開平１０−２６５５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＨＤＤは、近年の磁気ディスクの記録密度向上に伴い、磁気ディスクに対する上記スライダ（磁気ヘッド）のＰＳＡ（Ｐｉｔｃｈ Ｓｔａｔｉｃ Ａｔｔｉｔｕｄｅ：姿勢角）を、より精密に調整することが求められており、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板も、温度および湿度の変化による上記ＰＳＡの変化を、できるだけ小さくすることが望まれている。
【０００７】
この解決策として、従来より、温度変化に伴うスライダのＰＳＡの変化を抑えるために、基材および導体層と、下地およびカバー絶縁層の熱膨張係数を近づける対策がとられ、また、湿度変化に伴うスライダのＰＳＡの変化を抑えるためには、基材および導体層と、下地およびカバー絶縁層の湿度膨張係数を近づける対策がとられる。しかしながら、樹脂製の下地絶縁材料およびカバー絶縁材料の熱膨張係数と湿度膨張係数とを、同時に金属製の基材および導体層のそれに近づけることは難しい。特に、金属からなる基材および導体層の湿度膨張係数は、実質的に０（ゼロ）であるため、樹脂である下地絶縁材料およびカバー絶縁材料の湿度膨張係数を、上記金属製基材および導体層のそれに近づけることは極めて困難である。そのため、例えば上記特許文献１においては、上記樹脂材料の湿度膨張係数を、金属材料のそれに近づけるため、上記樹脂材料の感光性やその他の必要物性を犠牲にしているのが現状である。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、湿度の変化に対してＰＳＡ（姿勢角）変化が小さく、磁気ヘッドを備えるスライダを安定して高精度に支持できるハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板は、金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる導体層と、上記導体層を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層とを備えたハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板であって、上記下地絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａである構成を第１の要旨とする。
【００１０】
また、本発明のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板は、金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第１導体層と、上記第１導体層上に設けられた中間絶縁層と、上記中間絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第２導体層と、上記第２導体層上に設けられたカバー絶縁層とを備えたハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板であって、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａである構成を第２の要旨とする。
【００１１】
すなわち、本発明者は、前記課題を解決するために、ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の被覆層（絶縁層）を構成する樹脂材料の種々の物性に注目して、研究を行った。その過程で、本発明者は、上記サスペンション基板において、湿度による上記スライダのＰＳＡの変化量を左右する因子として、従来から検討されていた湿度膨張係数に代えて、絶縁樹脂材料の引張貯蔵弾性率に着目し、これを指標として活用することを着想した。そして、さらに検討を重ね、従来言われているように、樹脂である下地絶縁材料およびカバー絶縁材料の湿度膨張係数を、金属製基材および導体層のそれに近づけるよりむしろ、上記絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率を０．１〜１．０ＧＰａとする方が、湿度変化に伴うサスペンション基板の膨張・収縮を抑えられることを突き止め、本発明に到達した。このように、本発明は、従来の技術常識を打破してなされたものである。
【００１２】
なお、本発明における「引張貯蔵弾性率」とは、ＪＩＳ Ｋ ７２４４−４：１９９９「プラスチック−動的機械特性の試験方法−第４部：引張振動−非共振法」に準じて測定される動的粘弾性のうち、引張モードで測定された貯蔵弾性率（Ｅ’）の２５℃における値を言う。また、上記「引張貯蔵弾性率」を測定するための試料作成手順および測定手順は、後記の発明を実施するための形態にて詳細に述べる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明の第１の要旨のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる導体層と、上記導体層を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層とを備え、上記下地絶縁層および上記カバー絶縁層の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａになるように構成されている。そのため、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度変化による膨張や収縮が起こりにくい。これにより、本発明のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度の変化に対してＨＤＤのスライダのＰＳＡ変化が小さく、磁気ヘッドを備える上記スライダを、安定して高精度に支持することが可能になる。
【００１４】
また、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板において、上記下地絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、それぞれ０．１〜１．０ＧＰａであるものは、ＰＳＡの変化に関与する全ての絶縁層が、湿度変化による膨張や収縮が起こりにくくなっている。これにより、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度の変化によるＨＤＤのスライダのＰＳＡ変化がさらに小さく、このスライダを、より安定して支持することができる。
【００１５】
そして、本発明のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板のなかでも、上記下地絶縁層およびカバー絶縁層が、下記の（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する感光性樹脂組成物で構成されているものは、樹脂の感光性やその他の必要物性を低下させることなく、磁気ヘッドを備える上記スライダを、より安定して高精度に支持することができる。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化１】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【００１６】
また、本発明の第２の要旨のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第１導体層と、上記第１導体層上に設けられた中間絶縁層と、上記中間絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第２導体層と、上記第２導体層上に設けられたカバー絶縁層とを備え、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａになるように構成されている。そのため、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、前記第１の要旨のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板と同様、湿度変化による膨張や収縮が起こりにくい。これにより、本発明のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度の変化に対してＨＤＤのスライダのＰＳＡ変化が小さく、磁気ヘッドを備える上記スライダを、安定して高精度に支持することができる。
【００１７】
また、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板において、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、全て０．１〜１．０ＧＰａであるものは、湿度変化による膨張や収縮がより起こりにくくなっている。これにより、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度の変化によるＨＤＤのスライダのＰＳＡ変化がさらに小さく、このスライダを、より安定して支持することができる。
【００１８】
さらに、本発明のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板のなかでも、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層が、下記の（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有する感光性樹脂組成物からなるものは、樹脂の感光性やその他の必要物性を低下させることなく、磁気ヘッドを備える上記スライダを、より安定して高精度に支持することができ、好ましい。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化２】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の構成を説明する斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ部の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図３】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図４】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図５】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図６】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図７】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図８】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図９】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１０】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１１】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１２】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１３】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１４】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１５】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１６】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１７】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１８】（ａ）は実施例にて作製した評価用回路付きサスペンション基板のＲＳＡ変化の測定方法を示す側面図であり、（ｂ）はその測定方法を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
つぎに、本発明の実施の形態を、図面にもとづいて詳しく説明する。
図１（ａ）は、本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の構成を説明する斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＰ部の構造を、拡大して示す模式的断面図である。なお、図１（ａ）においては、カバー層（カバー絶縁層５）に被覆される絶縁層（下地絶縁層３）と導体層４の図示を省略している。
【００２１】
この実施形態におけるＨＤＤ用の回路付きサスペンション基板１は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、金属製の基材２と、基材２の上に設けられた下地絶縁層３と、下地絶縁層３の上に設けられた導体層４と、導体層４を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層５等、から構成されている。このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１が、従来のサスペンション基板と異なる特徴は、上記下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の２５℃における引張貯蔵弾性率が、それぞれ０．１〜１．０ＧＰａに設定されている点である。
【００２２】
上記構成により、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１は、下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の湿度膨張係数に関わらず、湿度変化に伴うサスペンション基板の膨張・収縮が極めて小さくなっている。そのため、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１は、湿度変化による膨張や収縮等に起因する反りや歪みが発生しにくい。また、上記スライダ用端子部４ｃに磁気ヘッドを含むスライダを実装し、上記穴２ａにシャフト等を挿通して軸支された場合でも、湿度変化に対する上記スライダのＰＳＡ（姿勢角）変化が小さく、このスライダが磁気ディスクに対して適正なギャップを維持するように、安定して高精度に支持することができる。
【００２３】
なお、上記硬化後の下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の２５℃における引張貯蔵弾性率の好適な範囲は、通常０．１〜１．０ＧＰａ、より好ましくは０．１５〜０．９ＧＰａ、さらに好ましくは０．２〜０．８ＧＰａである。上記各絶縁層３，５の２５℃における引張貯蔵弾性率は、つぎのようにして測定される。すなわち、感光性樹脂組成物からなるフィルム（絶縁層）を作製し、このフィルムを幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍに切断し、測定用試料を作製する。そして、粘弾性測定装置ＲＳＡIII（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、上記試料を、周波数１Ｈｚの条件で引っ張りながら、０〜５０℃の範囲（昇温速度５℃／分）で動的粘弾性（Ｅ’）を測定し、２５℃における値を読み取った。
【００２４】
また、上記各絶縁層３，５の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ未満の場合は、各絶縁層３，５の表面がタック性を有して他の粘着し易くなるため、その取扱いが難しくなる傾向がみられる。また、上記各絶縁層３，５の２５℃における引張貯蔵弾性率が１．０ＧＰａを超える場合は、湿度変化による各絶縁層３，５の膨張・収縮が大きくなり、それに伴うスライダのＰＳＡ変化が増大する傾向がみられる。
【００２５】
上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１の構造について、詳しく説明する。
上記金属製の基材２としては、例えばステンレス箔，アルミニウム箔等、薄板状の金属（箔）を所定形状に打ち抜いて形成したものを用いる。金属箔としては、通常、厚さが１０〜６０μｍのもの、なかでも、振動特性の観点から１５〜３０μｍのものが好適に用いられる。なお、基材２の一端側（図示右側で、基板１の根元側）には、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１を、図示しないステッピングモータ等のシャフトに挿通して軸支するための穴２ａが設けられている。また、基材２の他端側（図示左側で、基板１の先端側）には、略コの字状のスリット２ｂ，２ｂによって、磁気ヘッドを含むスライダ（図示せず）の姿勢角を安定させるためのジンバルが形成されている。
【００２６】
また、上記回路を構成する導体層４は、銅等をめっきすることにより形成されており、図１のように、その一端（根元側）には、ＨＤＤの制御手段に接続するための制御用端子部４ｂが設けられているとともに、その他端（先端側）の上記ジンバルに位置する部位には、上記スライダを接続・実装するためのスライダ用端子部４ｃが形成されている。なお、導体層４の残りの細線部位は、これらの間を結線する配線部４ａである。また、導体層４は、実際は多層構造であり、上記めっきによる導体層４と下地絶縁層３（樹脂製）との間には、この導体層４の樹脂に対する密着性を向上させる、１層または２層以上の下地導体層（図示省略）が介在配置されている。この下地導体層の詳細は、後記の製法で説明する。
【００２７】
そして、本実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１の特徴的構成は、先に述べたように、上記基材２と導体層４との間に配置される下地絶縁層３、および、導体層４を被覆した状態で設けられるカバー絶縁層５の２５℃における引張貯蔵弾性率が、それぞれ０．１〜１．０ＧＰａに設定されている点である。
【００２８】
本発明を特徴づける下地絶縁層３およびカバー絶縁層５を構成する樹脂の例としては、例えばポリイミド樹脂等からなる感光性樹脂組成物があげられる。この感光性樹脂組成物は、電子線や紫外線等の光線の照射により硬化する性質を有するとともに、硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａになるように設計・配合されている。
【００２９】
また、上記感光性樹脂組成物は、フォトリソグラフィ法等を用いて、上記基材２の上に、所要のパターンの絶縁層（絶縁膜）を容易に形成することができる。例えば、塗布等により基材２の上に、上記感光性樹脂組成物からなる膜を形成した後、所定の開口パターンを有するマスクを介して、電子線や紫外線等を照射して必要部分を硬化させ、その後現像液で現像して、未硬化の不要部分を洗い流すことにより、所定パターンの下地絶縁層３およびカバー絶縁層５を得ることが可能である。
【００３０】
上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の下地絶縁層３およびカバー絶縁層５を構成する感光性樹脂組成物（絶縁材料樹脂）の具体例としては、下記の（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する樹脂材料を好適にあげることができる。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化３】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物（以下、ＰＥジアミン化合物という）と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【００３１】
上記（Ｂ）で使用するＰＥジアミン化合物は、ポリイミド樹脂の２５℃における引張貯蔵弾性率を小さくするという点で好ましい。このＰＥジアミン化合物は、ポリエーテル構造を有し、アミン構造を有する末端を少なくとも二つ有する化合物であり、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有する末端ジアミンや、ポリエチレングリコール構造を有する末端ジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有する末端ジアミン、さらにはこれら複数の構造を有する末端ジアミンなどがあげられる。
【００３２】
上記ＰＥジアミン化合物が有するポリエーテル構造は、−Ａ−Ｏ−で表されるアルキレンオキシ基を二つ以上有する構造である（Ａはアルキレン基を、Ｏは酸素原子を表す。）。上記Ａとしてのアルキレン基は、一般的には炭素数１〜１０、好ましくは２〜５であり、例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレンなどがあげられる。なお、複数のアルキレンオキシ基は、同じでもあっても、異なっていてもよい。また、上記Ａとしてのアルキレン基は、置換基（例えば、メチル基、ポリエーテル基、アミノポリエーテル基等）を有していてもよい。
【００３３】
また、上記ＰＥジアミン化合物が二つの末端に有するアミン構造は、同じでもあっても異なっていてもよく、１級〜３級のいずれであってもよいが、１級が好ましい。アミン構造としては、たとえば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミンがあげられ、プロピルアミンが好ましい。
【００３４】
なお、上記ＰＥジアミン化合物の数平均分子量は、好ましくは５００以上、より好ましくは１０００〜５０００である。
【００３５】
上記ＰＥジアミン化合物の具体例としては、以下の式（２）〜（５）で表される化合物をあげることができる。
【００３６】
【化４】
〔式（２）中、ａは２以上の整数を表し、好ましくは５〜８０である。〕
【００３７】
【化５】
〔式（３）中、ｂ，ｃ，ｄは各々０以上の整数を表す。ただし、ｂ＋ｃ＋ｄは２以上であり、好ましくは５〜５０である。〕
【００３８】
【化６】
〔式（４）中、ｅ，ｆ，ｇは各々０以上の整数を表す。ただし、ｅ＋ｆ＋ｇは２以上であり、好ましくは５〜３０である。〕
【００３９】
【化７】
〔式（５）中、ｈは１以上の整数を表し、好ましくは１〜４である。〕
【００４０】
一方、前記（Ｂ）における、テトラカルボン酸二無水物と上記ＰＥジアミン化合物との反応（合成）に際しては、このＰＥジアミン化合物（ポリエーテル構造を有する）の他に、ポリエーテル構造を有さない、別種のジアミン化合物を併用することが好ましい。
【００４１】
上記合成時に併用することが好ましいジアミン化合物としては、例えば、以下のような脂肪族ジアミンや芳香族ジアミン等をあげることができる。脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などがあげられる。脂肪族ジアミンの分子量は、通常５０〜１０００、好ましくは１００〜３００である。
【００４２】
上記芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，３’−ジアミノジフェニルエ−テル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等があげられる。これらの中で、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、ｐ−フェニレンジアミンが好ましい。
【００４３】
そして、前記（Ｂ）で使用するテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等があげられる。これらの中でも、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ピロメリット酸二無水物が好ましい。なお、これらは、単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４４】
また、前記（Ｂ）において、テトラカルボン酸二無水物とＰＥジアミン化合物との反応により得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂としては、以下の式（６）〜（９）で表される化合物をあげることができる。なお、以下の式（６）〜（９）において、Ａｒは少なくとも一つ芳香環を含有する構造を表す。また、Ａｒの好ましい炭素数は６〜３０であり、例えば、ベンゼン環、ビフェニル、ジフェニルエーテル等があげられる。
【００４５】
【化８】
〔式（６）中、ａは２以上の整数を表し、好ましくは５〜８０である。〕
【００４６】
【化９】
〔式（７）中、ｂ，ｃ，ｄは各々０以上の整数を表す。ただし、ｂ＋ｃ＋ｄは２以上であり、好ましくは５〜５０である。〕
【００４７】
【化１０】
〔式（８）中、ｅ，ｆ，ｇは各々０以上の整数を表す。ただし、ｅ＋ｆ＋ｇは２以上であり、好ましくは５〜３０である。〕
【００４８】
【化１１】
〔式（９）中、ｈは１以上の整数を表し、好ましくは１〜４である。〕
【００４９】
つぎに、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の作製方法を図面にもとづいて説明する。図２〜図１７は、本実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【００５０】
この実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１の作製は、まず、図２に示すように、厚さ５〜３０μｍのステンレス箔基材２の全面に、得られる樹脂層の厚さが２〜２０μｍ、好ましくは３〜１５μｍとなるように、先の実施形態で説明した（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する感光性樹脂組成物（以下、ＰＩ感光性樹脂組成物という）の溶液をコンマコート法やファウンテンコート法等で塗布し、６０〜２００℃、好ましくは８０〜１８０℃で加熱・成膜して、上記ＰＩ感光性樹脂組成物の被膜１３（後の下地絶縁層３）を形成する。
【００５１】
つぎに、このＰＩ感光性樹脂組成物の被膜１３に、適宜のフォトマスクを介して紫外線を照射し、所定のパターンに露光させる。ここで、露光量は、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは１００〜１５００ｍＪ／ｃｍ2の範囲であり、露光波長は、通常２００〜４５０ｎｍ、好ましくは２４０〜４２０ｎｍの範囲である。
【００５２】
この露光の後、被膜１３を９０〜２１０℃、好ましくは１００〜２００℃の温度で約１〜２０分程度加熱（露光後加熱）し、ついで、アルカリ現像処理を行なう。この後、上記パターン化されたＰＩ感光性樹脂組成物の被膜１３を、１５０〜４００℃×１〜１８０分程度かけて加熱硬化し、図３に示すような、ステンレス箔基材２上にＰＩ感光性樹脂層からなるパターン化した下地絶縁層３を形成した。
【００５３】
ついで、図４に示すように、下地絶縁層３を有するステンレス箔基材２の上面に、先に述べた下地導体層として、クロムまたはチタン製の薄膜（下地導体層１４Ａ）と、銅製の薄膜（下地導体層１４Ｂ）とが、スパッタリングを用いて順次連続して成膜される。上記クロムまたはチタン製の薄膜（１４Ａ）は、下地絶縁層３に対する銅製の薄膜（１４Ｂ）の密着性を向上させる効果がある。ここで、膜厚は、上記下地導体層１４Ａが１０〜６０ｎｍ、下地導体層１４Ｂが３０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【００５４】
この後、図５に示すように、上記下地導体層１４Ｂの上に、電解めっきを用いて、厚さ２〜１５μｍ程度の銅からなる導体層４を形成する。
【００５５】
ついで、図６に示すように、導体層４上に、フォトレジストまたはドライフィルムラミネートからなるパターン状のマスクＭ１を形成し、露光および現像処理（エッチング）を行って、図７のように、非パターン部の導体層４を除去した後、上記マスクＭ１を取り除いて、図８に示すように、導体層４を所定回路パターンに形成する。なお、銅製の導体層４（および下地導体層１４Ｂ）のエッチングは、アルカリエッチングによることが好ましい。また、下地導体層１４Ｂは、上記導体層４と一体化するため、以降の図示を省略する。
【００５６】
つぎに、図９に示すように、所定回路パターン以外の領域に形成された下地導体層１４Ａをエッチングで除去して、前記下地絶縁層３の上に、所定回路パターンの導体層４を完成させる。なお、クロムまたはチタンからなる薄膜（下地導体層１４Ａ）のエッチングには、例えば、フェリシアン化カリウム系のエッチング液や、このほか、過マンガン酸カリウム，メタケイ酸ナトリウム系等のエッチング液が用いられる。また、下地導体層１４Ｂと同様、下地導体層１４Ａも上記導体層４と一体化するため、以降の図示を省略する。
【００５７】
その後、図１０に示すように、無電解ニッケルめっきを行って、上記導体層４とステンレス箔基材２の表面（上面）に、硬質のニッケル薄膜１５を形成して、導体層４の表面を被覆・保護する。上記ニッケル薄膜１５の膜厚は、下層の導体層４が露出しない程度であればよく、通常、０．０５〜１μｍの範囲である。
【００５８】
なお、ここまでは基材２上に形成される導体層４（配線部４ａ，制御用端子部４ｂ，スライダ用端子部４ｃ）に共通の工程であるが、これ以降は、図示左側の導体層４を配線部４ａに、図示右側の導体層４の上面に端子部４ｂ（または４ｃ）を形成してゆくので、その工程を説明する。
【００５９】
すなわち、図１１に示すように、図示左側の配線部４ａでは、前記下地絶縁層３の形成と同様、上記ＰＩ感光性樹脂組成物を塗布・成膜して、この配線部４ａを覆うカバー絶縁層５を形成する。一方、端子部４ｂを形成する予定の導体層４（図示右側）でも、前記下地絶縁層３と同様のＰＩ感光性樹脂組成物を塗布・成膜するが、フォトリソグラフィを用いたパターニングによって、導体層４上面の端子部４ｂ形成用所定領域（通常、円状または楕円状の凹部５ａの底に形成される露出面）と、後記する電解めっきを行うためのリード部２０（露出面）とを残すように、端子部４ｂを覆うカバー絶縁層５を形成する。
【００６０】
ついで、図１２に示すように、端子部４ｂを形成する導体層４（図示右側）およびステンレス箔基材２上のニッケル薄膜１５を除去する。この後、上記端子部４ｂ用の凹部５ａを除くカバー絶縁層５の表面と、下地絶縁層３およびステンレス箔基材２の表面を、めっきレジストにて被覆した後、上記リード部２０に電極を接続して、上記カバー絶縁層５の凹部５ａ内に、電解めっきによってニッケル層１６と金層１７とを順次積層し、端子部４ｂを形成する。なお、上記ニッケル層１６の厚さは１〜５μｍ、金層１７の厚さは０．０５〜１μｍ程度が適当である。この後、図１３のように、上記めっきレジストを除去する。
【００６１】
つぎに、図１４に示すように、上記端子部４ａを形成した導体層４（図示右側）において、電解めっきに用いたリード部２０を化学エッチングにて除去する。このリード部２０（および一体となったクロムまたはチタン製の下地導体層１４Ａ）の除去は、前述したものと同様、フェリシアン化カリウム系のエッチング液や、過マンガン酸カリウム，メタケイ酸ナトリウム系等のエッチング液を用いることができる。
【００６２】
その後、ステンレス箔基材２を化学エッチングによって所要の形状に切り抜くために、図１５のように、下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の上に、フォトレジストまたはドライフィルムラミネート等からなるパターン状のマスクＭ２を形成する。
【００６３】
つぎに、図１６に示すように、所要のエッチング液を用いて、ステンレス箔基材２を所要の形状に切り抜く。エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅等の水溶液が用いられる。
【００６４】
上記エッチング処理の後、図１７に示すように、上記マスクＭ２を除去して純水で洗浄し、乾燥させる。以上のようにして、本実施形態のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１を得る。すなわち、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１は、ステンレス箔基材２上に、前記（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有するＰＩ感光性樹脂組成物からなる下地絶縁層３を有し、その上に銅からなる導体層４が、所定の回路パターンに形成されている。そして、端子部４ｂ（および４ｃ）を除き、上記導体層４の上に、上記ＰＩ感光性樹脂組成物からなるカバー絶縁層５が設けられ、この導体層４が被覆保護されている。
【００６５】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００６６】
以下の実施例においては、前記（Ｂ）に包含されるポリイミド前駆体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３またはカルボキシル基含有線状重合体Ｄと、前記（Ａ）に記載の１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａとからなる感光性樹脂組成物α１〜α４を用いて、下地絶縁層およびカバー絶縁層を形成し、実施例１〜４のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板を作製した。また、前記（Ｂ）に包含されないポリイミド前駆体Ｃ１，Ｃ２を含有する感光性樹脂組成物β１，β２を用いて、下地絶縁層およびカバー絶縁層を形成し、比較例１，２のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板を作製した。
【００６７】
さらに、下地絶縁層およびカバー絶縁層の一方に感光性樹脂組成物α１を用いて、他方に感光性樹脂組成物β１を使用した実施例５，６のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板と、絶縁層を下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層の３層構成とし、全ての絶縁層に感光性樹脂組成物α１を使用した実施例７のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板とを作製した。
【００６８】
そして、これら実施例１〜７および比較例１，２のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板（供試用）を用いて、作製（完成）後の２５℃５０％ＲＨにおける「反り」と、２５℃において湿度を１０％ＲＨから８０％ＲＨまで変化させた時の「ＰＳＡ（姿勢角）変化」とを測定し、結果を比較した。
【００６９】
まず、各感光性樹脂組成物を構成するポリイミド前駆体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｃ１，Ｃ２およびカルボキシル基含有線状重合体Ｄを合成（重合）し、ついで、１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ、１，３−ジアザ−２，４−シクロペンタジエン（イミダゾール）や助剤等の添加剤を加えて混合・調整し、実施例１〜７および比較例１，２のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の絶縁層の形成に使用する、感光性樹脂組成物α１〜α４および感光性樹脂組成物β１，β２の溶液を作製した。
【００７０】
［ポリイミド前駆体Ｂ１の合成］
下記の式（１０）に示すジアミン（Ｄ−２０００，三井化学ファイン社製，ｎ＝３３，概略分子量：２０００）３５．５ｇと、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル（以下、ＤＤＥ）１９．４ｇとを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰ）５３３ｇ中で溶解させ、ピロメリット酸二無水物（以下、ＰＭＤＡ）２５ｇを加えて反応させ、ポリイミド前駆体Ｂ１の溶液を得た。
【化１２】
〔式（１０）中、ｎは２以上の整数を表し、好ましくは５〜８０である。なお、上記Ｄ−２０００はｎ＝３３，下記Ｄ−４０００はｎ＝６８〕
【００７１】
［ポリイミド前駆体Ｂ２の合成］
上記ジアミンＤ−２０００の代わりに、ジアミン（Ｄ−４０００，三井化学ファイン社製 上記式（１０）中においてｎ＝６８の化合物 概略分子量：４０００）２７．５ｇと、ＤＤＥ １５．２ｇ，ＮＭＰ ３４４ｇ，ＰＭＤＡ １８．０ｇとを、上記ポリイミド前駆体Ｂ１と同様に反応させ、ポリイミド前駆体Ｂ２の溶液を得た。
【００７２】
［ポリイミド前駆体Ｂ３の合成］
下記の式（１１）に示すジアミン（ＸＪＴ−５４２，三井化学ファイン社製，概略分子量：１０００）２７．２ｇと、ＤＤＥ １２．９ｇとを、ＮＭＰ ３４０ｇ中で溶解させ、ＰＭＤＡ ２０ｇを加えて反応させ、ポリイミド前駆体Ｂ３の溶液を得た。
【化１３】
〔式（１１）中、ｐ＋ｒ＝６．０、ｑ＝９．０〕
【００７３】
［ポリイミド前駆体Ｃ１の合成］
１，４−ジアミノベンゼン（ＰＤＡ）１１．７ｇと、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）８．５ｇとを、ＮＭＰ ３４０ｇ中で溶解させ、３，４，３’，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）３９．８ｇを加えて反応させ、ポリイミド前駆体Ｃ１の溶液を得た。
【００７４】
［ポリイミド前駆体Ｃ２の合成］
下記式（１２）に示すジアミン（ＨＦ−ＢＡＰＰ）２９．２ｇを、ＮＭＰ３４０ｇ中に溶解させた後、下記式（１３）に示すＴＡ４４ＢＰ ３０．８ｇを加え反応させ、ポリイミド前駆体Ｃ２の溶液を得た。
【００７５】
【化１４】
【００７６】
【化１５】
【００７７】
［カルボキシル基含有線状重合体Ｄの合成］
メタクリル酸１０ｇ，アクリル酸ブチル８０ｇ，メタクリル酸メチル１０ｇ，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００ｇ，アゾビスイソブチロニトリル１．０ｇを、窒素雰囲気下で３００ｍｌのセパラブルフラスコに入れ、攪拌しながら加温し、９０℃で５時間反応させて、カルボキシル基含有線状重合体Ｄの溶液（固形分５０重量％）を得た（カルボキシル基含有線状重合体Ｄのカルボン酸当量計算値：８６０，重量平均分子量：３００００）。
【００７８】
［１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ］
前記（Ａ）に記載の１，４−ジヒドロピリジン誘導体〔下記式（１）を参照〕において、式中のＲ1がＣ2Ｈ5、Ｒ2，Ｒ3がＣＨ3の化合物。
【化１６】
【００７９】
［感光性樹脂組成物の調整］
つぎに、下記の「表１」に示す各配合成分を、同表に示す割合にて配合し、混合することにより、絶縁層の形成材料となる、感光性樹脂組成物α１〜α４および感光性樹脂組成物β１，β２を調整した。なお、下記の表１中の数字（配合割合）は不揮発分の重量部数であり、各列の合計は１００重量部となる。
【００８０】
【表１】
エピコート ＹＬ９８０：三菱化学社製 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
アニロックス Ｍ−１４０：東亜合成社製 ２−（１，２−シクロヘキサンジカルボキシイミド）エチルアクリレート
【００８１】
つぎに、上記のようにして調整した感光性樹脂組成物を用いて、評価用のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板を作製した。
【００８２】
〈評価用回路付きサスペンション基板の作製〉
〔実施例１〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、上記感光性樹脂組成物α１（ポリイミド系）を塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾燥して、感光性樹脂組成物α１の被膜を形成した。ついで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１８０℃で３分間加熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）５％／純水４５％／エタノール５０％の現像液で３０℃×２分間現像して、ポジ型画像を形成し、さらに、０．０１ｔｏｒｒの真空下、３００℃に加熱して、パターン化したポリイミド樹脂からなる下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。
【００８３】
上記で得た下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り取った後、塩化第二鉄エッチング液に浸漬し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を得た。このフィルムを用いて、後記した方法で、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定・確認した。
【００８４】
つぎに、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の膜厚で薄膜形成し、この銅薄膜の上に、厚さ１０μｍの電解銅めっきを行って、導体層を形成した。ついで、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行った後、回路パターン部以外の銅導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。
【００８５】
つぎに、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した。この後、再度、感光性樹脂組成物α１を用いて、上記下地絶縁層と同様の方法にて、ポジ型のカバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例１：全厚４３μｍ）を得た。
【００８６】
〔実施例２〕
感光性樹脂組成物α１に代えて、感光性樹脂組成物α２（ポリイミド系）を用いたこと以外、実施例１と同様にして、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例２）を作製した。なお、実施例１と同様、作製途中で、下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り出し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を作製し、このフィルムを用いて、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定した。
【００８７】
〔実施例３〕
感光性樹脂組成物α１に代えて、感光性樹脂組成物α３（ポリイミド系）を用い、実施例１とは開口パターンが逆転したマスクを用いて、各絶縁層をネガ型画像として形成したこと以外、実施例１と同様にして、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例３）を作製した。なお、実施例１と同様、作製途中で、下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り出し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を作製し、このフィルムを用いて、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定した。
【００８８】
〔実施例４〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、感光性樹脂組成物α４（エポキシ系）を塗布した後、１００℃で３分間加熱乾燥して、感光性樹脂組成物α４の被膜を形成した。ついで、マスクを介して、露光量５００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１１０℃で５分間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液（現像液）で３０℃×２分間現像して、ネガ型画像を形成し、さらに、１５０℃に加熱して、パターン化した下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。
【００８９】
上記で得た下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り取った後、塩化第二鉄エッチング液に浸漬し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を得た。このフィルムを用いて、後述した方法で、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定・確認した。
【００９０】
つぎに、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の膜厚で薄膜形成し、この銅薄膜の上に、厚さ１０μｍの電解銅めっきを行って、導体層を形成した。ついで、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行った後、回路パターン部以外の銅導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。
【００９１】
つぎに、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した。この後、再度、感光性樹脂組成物α４を用いて、上記下地絶縁層と同様の方法にて、ネガ型のカバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例４）を得た。
【００９２】
〔比較例１〕
感光性樹脂組成物α１に代えて、比較用の感光性樹脂組成物β１（ポリイミド系）を用い、実施例１とは開口パターンが逆転したマスクを用いて、各絶縁層をネガ型画像として形成したこと以外、実施例１と同様にして、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（比較例１）を作製した。なお、実施例１と同様、作製途中で、下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り出し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を作製し、このフィルムを用いて、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定した。
【００９３】
〔比較例２〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、比較用の感光性樹脂組成物β２（ポリイミド系）を塗布した後、４００℃に加熱して、ポリイミド樹脂からなる下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。
【００９４】
上記で得た下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り取った後、塩化第二鉄エッチング液に浸漬し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を得た。このフィルムを用いて、後記した方法で、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定・確認した。
【００９５】
つぎに、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の膜厚で薄膜形成し、この銅薄膜の上に、厚さ１０μｍの電解銅めっきを行って、導体層を形成した。ついで、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行った後、回路パターン部以外の銅導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。
【００９６】
つぎに、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した。この後、再度、感光性樹脂組成物β２を用いて、上記下地絶縁層と同様の方法にて、カバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を硬化形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、カバー絶縁層上に所要のパターンを形成した後、ポリイミドエッチング液を用いて、不必要なカバー絶縁層を除去した。
【００９７】
ついで、ドライフィルムレジストを用いて、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（比較例２）を得た。
【００９８】
〔実施例５〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、比較用の感光性樹脂組成物β２（ポリイミド系）を用いて、比較例１と同様にして、ネガ型の下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。なお、この下地絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、比較例１の絶縁層と同等である。
【００９９】
つぎに、実施例１と同様にして、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。ついで、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した後、感光性樹脂組成物α１（ポリイミド系）を用いて、実施例１と同様にして、ポジ型のカバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を形成した。なお、このカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、実施例１の絶縁層と同等であると考えられる。
【０１００】
ついで、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例５）を得た。上記したように、この実施例５の評価用回路付きサスペンション基板は、下地絶縁層が比較例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成され、カバー絶縁層が実施例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成されている。
【０１０１】
〔実施例６〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、感光性樹脂組成物α１（ポリイミド系）を用いて、実施例１と同様にして、ポジ型の下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。なお、この下地絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、実施例１の絶縁層と同等である。
【０１０２】
つぎに、実施例１と同様にして、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。ついで、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した後、比較用の感光性樹脂組成物β２（ポリイミド系）を用いて、比較例１と同様にして、ネガ型のカバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を形成した。なお、このカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、比較例１の絶縁層と同等であると考えられる。
【０１０３】
ついで、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例６）を得た。上記したように、この実施例６の評価用回路付きサスペンション基板は、実施例５とは逆に、下地絶縁層が実施例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成され、カバー絶縁層が比較例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成されている。
【０１０４】
〔実施例７〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、上記感光性樹脂組成物α１（ポリイミド系）を塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾燥して、感光性樹脂組成物α１の被膜を形成した。ついで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１８０℃で３分間加熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）５％／純水４５％／エタノール５０％の現像液で３０℃×２分間現像して、ポジ型画像を形成し、さらに、０．０１ｔｏｒｒの真空下、３００℃に加熱して、パターン化したポリイミド樹脂からなる下地絶縁層（膜厚５μｍ）を形成した。なお、この下地絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、実施例１の絶縁層と同等である。
【０１０５】
ついで、下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の膜厚で薄膜形成し、この銅薄膜の上に、厚さ５μｍの電解銅めっきを行って、第１導体層を形成した。ついで、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行った後、回路パターン部以外の銅導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの第１導体層を得た。その後、第１導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、第１導体層の表面を被覆、保護した。
【０１０６】
つぎに、感光性樹脂組成物α１を用いて、上記下地絶縁層と同様の方法で、第１導体層上に、ポジ型の中間絶縁層（第１導体層上の厚さ５μｍ）を形成した。ついで、上記第１導体層と同様の方法で、上記中間絶縁層上に、厚さ５μｍの銅薄膜からなる回路パターンの第２導体層を形成し、その表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、第２導体層の表面を被覆、保護した。
【０１０７】
この後、再度、感光性樹脂組成物α１を用いて、上記下地絶縁層および中間絶縁層と同様の方法で、ポジ型のカバー絶縁層（第２導体層上の厚さ５μｍ）を形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例７：全厚４３μｍ）を得た。この実施例７の評価用回路付きサスペンション基板は、下地絶縁層，中間絶縁層，カバー絶縁層の３つの絶縁層を備え、そのいずれもが実施例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成されている。なお、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、いずれも実施例１の絶縁層と同等であると考えられる。
【０１０８】
〈２５℃引張貯蔵弾性率〉
上記したように、実施例１〜４および比較例１，２の各評価用回路付きサスペンション基板の作製途中に、硬化後の下地絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率を測定した。引張貯蔵弾性率は、まず、前記のようにして下地絶縁層からステンレス箔基材を剥離し、フィルム状の絶縁層を作製して、このフィルム状絶縁層を幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍに切断し、測定用試料を作製する。そして、粘弾性測定装置ＲＳＡIII（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、上記フィルム状絶縁層を、周波数１Ｈｚの条件で引っ張りながら、０〜５０℃の範囲（昇温速度５℃／分）で動的粘弾性（Ｅ’）を測定し、２５℃における値（単位：Ｐａ）を読み取った。
【０１０９】
なお、参考として、上記フィルム状絶縁層と同じサンプルを用いて、「湿度膨張係数」と「熱膨張係数」を測定した。これらの結果は、上記「２５℃引張貯蔵弾性率」と併せて後記の「表２」に示す。
【０１１０】
〈湿度膨張係数〉
湿度膨張係数は、湿度制御型熱機械分析装置 ＨＣ−ＴＭＡ４０００ＳＡ（ブルカー・エイエックスエス社製）を用いて、２５℃において湿度を１０％ＲＨから８０％ＲＨまで変化させた時の各絶縁層の伸びを測定することにより求めた（単位：ｐｐｍ／ＲＨ％）。
【０１１１】
〈熱膨張係数〉
熱膨張係数は、熱機械分析装置 ＴＭＡ８３１０（リガク社製）を用いて、温度を２５℃から６０℃まで変化させた時の各絶縁層の伸びを測定することにより求めた（単位：ｐｐｍ／Ｋ）。
【０１１２】
また、得られた各評価用回路付きサスペンション基板を用いて、２５℃５０％ＲＨにおける「反り」と、２５℃において湿度を１０％ＲＨから８０％ＲＨまで変化させた時の「ＰＳＡ（姿勢角）変化」とを測定した。
【０１１３】
〈反り〉
上記実施例１〜４および比較例１，２の各評価用回路付きサスペンション基板（５×３０ｍｍ角）を、平坦なガラス板上に載置して、このガラス板の上面から評価用回路付きサスペンション基板の最も高い箇所までの高さ（ｍｍ）を測定した。反りの評価は、１ｍｍ未満のものを○、１ｍｍ以上のものを×とする。
【０１１４】
〈ＰＳＡ変化〉
上記各評価用回路付きサスペンション基板１は、先に述べたように、ステンレス箔基材（厚さ１８μｍ）２の上に、下地絶縁層（厚さ１０μｍ）３，銅からなる導体層（厚さ１０μｍ）４，カバー絶縁層（厚さ５μｍ）５が順次積層されており、幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍの短冊状に切断されている。
【０１１５】
ＰＳＡ変化の測定は、まず、図１８（ａ），（ｂ）に示すように、試料（基板１）を、２枚のスライドガラス（厚さ１ｍｍ）Ｇ１，Ｇ２で挟み込んだ状態で、測定装置の所定位置にセットし、この装置ごと恒温恒湿槽に入れて準備した。なお、図において、符号Ｓはガラス製の測定ステージである。
【０１１６】
ついで、恒温恒湿槽内を２５℃×１０％ＲＨに調整し、試料の安定を待った。温湿度の安定後、図１８（ａ）に示すように、上記２枚のスライドガラスＧ１，Ｇ２の端部から４ｍｍの地点で、測定ステージＳを通して試料にレーザー光（白抜き矢印）Ｌを照射し、その反射により、１０％ＲＨにおける測定ステージＳと基板１の裏面（ステンレス箔基材２）との間の距離Ｈ10（μｍ）を測定した。
【０１１７】
つぎに、恒温恒湿槽内を２５℃×８０％ＲＨに調整し、同様に試料の安定を待った。温湿度の安定後、上記と同様にしてレーザー光Ｌを照射し、その反射により、８０％ＲＨにおける測定ステージＳと基板１の裏面との間の距離Ｈ80（μｍ）を測定した。
【０１１８】
そして、２５℃×１０％ＲＨの時の距離Ｈ10と、２５℃×８０％ＲＨの時の距離Ｈ80との差を、ΔＨ（μｍ）として求め、以下の式を用いて、ＰＳＡ変化を算出した。
ＰＳＡ変化（ｄｅｇ／％ＲＨ）＝ＡＴＡＮ（ΔＨ／４０００）／π×１８０／７０
（ただし、ΔＨ＝｜Ｈ80−Ｈ10｜）
【０１１９】
ＰＳＡ変化の評価は、その値が０．００２未満のものを◎、０．００２以上０．００６未満のものを○、０．００６以上のものを×として、下記の「表２」に示す。
【０１２０】
【表２】
【０１２１】
上記「表２」中における実施例１〜７の評価用回路付きサスペンション基板の結果から、下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１〜１．０ＧＰａの範囲内であるものは、基板形成後の反りの発生が少なく、湿度を変化させた時のＰＳＡ（姿勢角）変化が抑えられていることがわかる。
【０１２２】
これに対して、比較例１，２の評価用回路付きサスペンション基板は、実施例１〜７の評価用回路付きサスペンション基板より湿度膨張係数が低いにも関わらず、これら実施例１〜７のサスペンション基板より、基板形成後の反りと湿度を変化させた時のＰＳＡ変化が大きく、湿度に対して敏感であることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明の回路付きサスペンション基板は、湿度変化による膨張や収縮が少なく、磁気ヘッドを含むスライダを高精度に安定して支持しなければならない、ハードディスクドライブ装置の回路付きサスペンション基板に適する。
【符号の説明】
【０１２４】
１ ハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板
２ 基材
３ 下地絶縁層
４ 導体層
５ カバー絶縁層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ用の回路付きサスペンション基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータや電子機器等の記憶装置（記録手段）として用いられるハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤという）は、円板状の磁気ディスク（プラッタ）と磁気ヘッド（スライダ）とを相対的に回転走行させ、これにより生じる空気流の圧力によって、（Ｉ）上記磁気ヘッドが磁気ディスクに接触しないように浮き上がらせて支持するとともに、（II）サスペンションの弾性により上記磁気ヘッドを磁気ディスク側に押し付け、この押し付け力と上記空気流の上向き圧力との釣り合いをとることによって、磁気ヘッドと上記磁気ディスクの間隔（ギャップ）を、適正な距離に保持している。
【０００３】
上記ＨＤＤの磁気ヘッドを支持・実装する構造として、弾性を有するアーム状のサスペンション基板に、この磁気ヘッドと装置の制御手段とを接続するための回路（配線）パターンを一体的に形成した、回路付きサスペンション基板が提案され、実用化されている（特許文献１を参照）。
【０００４】
このＨＤＤ用の回路付きサスペンション基板の構造は、例えば、ステンレス箔基材の上に、ポリイミド樹脂等からなる絶縁層が形成され、その上に、銅等からなる所定パターンの導体層（薄膜）が回路（電気配線）として形成されている構成をとる。さらに、上記導体層の上または表面には、端子となる導電部が形成され、この端子の領域を除く全表面に、上記絶縁層と導体層を覆う絶縁被覆層が積層される。そして、アーム形状の先端部（先細部）に、磁気ヘッドを備えるスライダが搭載（実装）される（特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３１０９４６号公報
【特許文献２】特開平１０−２６５５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＨＤＤは、近年の磁気ディスクの記録密度向上に伴い、磁気ディスクに対する上記スライダ（磁気ヘッド）のＰＳＡ（Ｐｉｔｃｈ Ｓｔａｔｉｃ Ａｔｔｉｔｕｄｅ：姿勢角）を、より精密に調整することが求められており、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板も、温度および湿度の変化による上記ＰＳＡの変化を、できるだけ小さくすることが望まれている。
【０００７】
この解決策として、従来より、温度変化に伴うスライダのＰＳＡの変化を抑えるために、基材および導体層と、下地およびカバー絶縁層の熱膨張係数を近づける対策がとられ、また、湿度変化に伴うスライダのＰＳＡの変化を抑えるためには、基材および導体層と、下地およびカバー絶縁層の湿度膨張係数を近づける対策がとられる。しかしながら、樹脂製の下地絶縁材料およびカバー絶縁材料の熱膨張係数と湿度膨張係数とを、同時に金属製の基材および導体層のそれに近づけることは難しい。特に、金属からなる基材および導体層の湿度膨張係数は、実質的に０（ゼロ）であるため、樹脂である下地絶縁材料およびカバー絶縁材料の湿度膨張係数を、上記金属製基材および導体層のそれに近づけることは極めて困難である。そのため、例えば上記特許文献１においては、上記樹脂材料の湿度膨張係数を、金属材料のそれに近づけるため、上記樹脂材料の感光性やその他の必要物性を犠牲にしているのが現状である。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、湿度の変化に対してＰＳＡ（姿勢角）変化が小さく、磁気ヘッドを備えるスライダを安定して高精度に支持できるハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板は、金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる導体層と、上記導体層を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層とを備えたハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板であって、上記下地絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａである構成を第１の要旨とする。
【００１０】
また、本発明のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板は、金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第１導体層と、上記第１導体層上に設けられた中間絶縁層と、上記中間絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第２導体層と、上記第２導体層上に設けられたカバー絶縁層とを備えたハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板であって、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａである構成を第２の要旨とする。
【００１１】
すなわち、本発明者は、前記課題を解決するために、ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の被覆層（絶縁層）を構成する樹脂材料の種々の物性に注目して、研究を行った。その過程で、本発明者は、上記サスペンション基板において、湿度による上記スライダのＰＳＡの変化量を左右する因子として、従来から検討されていた湿度膨張係数に代えて、絶縁樹脂材料の引張貯蔵弾性率に着目し、これを指標として活用することを着想した。そして、さらに検討を重ね、従来言われているように、樹脂である下地絶縁材料およびカバー絶縁材料の湿度膨張係数を、金属製基材および導体層のそれに近づけるよりむしろ、上記絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率を０．１〜１．０ＧＰａとする方が、湿度変化に伴うサスペンション基板の膨張・収縮を抑えられることを突き止め、本発明に到達した。このように、本発明は、従来の技術常識を打破してなされたものである。
【００１２】
なお、本発明における「引張貯蔵弾性率」とは、ＪＩＳ Ｋ ７２４４−４：１９９９「プラスチック−動的機械特性の試験方法−第４部：引張振動−非共振法」に準じて測定される動的粘弾性のうち、引張モードで測定された貯蔵弾性率（Ｅ’）の２５℃における値を言う。また、上記「引張貯蔵弾性率」を測定するための試料作成手順および測定手順は、後記の発明を実施するための形態にて詳細に述べる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明の第１の要旨のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる導体層と、上記導体層を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層とを備え、上記下地絶縁層および上記カバー絶縁層の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａになるように構成されている。そのため、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度変化による膨張や収縮が起こりにくい。これにより、本発明のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度の変化に対してＨＤＤのスライダのＰＳＡ変化が小さく、磁気ヘッドを備える上記スライダを、安定して高精度に支持することが可能になる。
【００１４】
また、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板において、上記下地絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、それぞれ０．１〜１．０ＧＰａであるものは、ＰＳＡの変化に関与する全ての絶縁層が、湿度変化による膨張や収縮が起こりにくくなっている。これにより、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度の変化によるＨＤＤのスライダのＰＳＡ変化がさらに小さく、このスライダを、より安定して支持することができる。
【００１５】
そして、本発明のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板のなかでも、上記下地絶縁層およびカバー絶縁層が、下記の（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する感光性樹脂組成物で構成されているものは、樹脂の感光性やその他の必要物性を低下させることなく、磁気ヘッドを備える上記スライダを、より安定して高精度に支持することができる。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化１】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【００１６】
また、本発明の第２の要旨のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第１導体層と、上記第１導体層上に設けられた中間絶縁層と、上記中間絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第２導体層と、上記第２導体層上に設けられたカバー絶縁層とを備え、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａになるように構成されている。そのため、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、前記第１の要旨のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板と同様、湿度変化による膨張や収縮が起こりにくい。これにより、本発明のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度の変化に対してＨＤＤのスライダのＰＳＡ変化が小さく、磁気ヘッドを備える上記スライダを、安定して高精度に支持することができる。
【００１７】
また、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板において、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、全て０．１〜１．０ＧＰａであるものは、湿度変化による膨張や収縮がより起こりにくくなっている。これにより、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板は、湿度の変化によるＨＤＤのスライダのＰＳＡ変化がさらに小さく、このスライダを、より安定して支持することができる。
【００１８】
さらに、本発明のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板のなかでも、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層が、下記の（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有する感光性樹脂組成物からなるものは、樹脂の感光性やその他の必要物性を低下させることなく、磁気ヘッドを備える上記スライダを、より安定して高精度に支持することができ、好ましい。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化２】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の構成を説明する斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ部の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図３】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図４】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図５】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図６】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図７】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図８】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図９】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１０】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１１】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１２】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１３】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１４】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１５】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１６】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１７】同じく本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【図１８】（ａ）は実施例にて作製した評価用回路付きサスペンション基板のＲＳＡ変化の測定方法を示す側面図であり、（ｂ）はその測定方法を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
つぎに、本発明の実施の形態を、図面にもとづいて詳しく説明する。
図１（ａ）は、本発明の実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の構成を説明する斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＰ部の構造を、拡大して示す模式的断面図である。なお、図１（ａ）においては、カバー層（カバー絶縁層５）に被覆される絶縁層（下地絶縁層３）と導体層４の図示を省略している。
【００２１】
この実施形態におけるＨＤＤ用の回路付きサスペンション基板１は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、金属製の基材２と、基材２の上に設けられた下地絶縁層３と、下地絶縁層３の上に設けられた導体層４と、導体層４を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層５等、から構成されている。このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１が、従来のサスペンション基板と異なる特徴は、上記下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の２５℃における引張貯蔵弾性率が、それぞれ０．１〜１．０ＧＰａに設定されている点である。
【００２２】
上記構成により、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１は、下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の湿度膨張係数に関わらず、湿度変化に伴うサスペンション基板の膨張・収縮が極めて小さくなっている。そのため、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１は、湿度変化による膨張や収縮等に起因する反りや歪みが発生しにくい。また、上記スライダ用端子部４ｃに磁気ヘッドを含むスライダを実装し、上記穴２ａにシャフト等を挿通して軸支された場合でも、湿度変化に対する上記スライダのＰＳＡ（姿勢角）変化が小さく、このスライダが磁気ディスクに対して適正なギャップを維持するように、安定して高精度に支持することができる。
【００２３】
なお、上記硬化後の下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の２５℃における引張貯蔵弾性率の好適な範囲は、通常０．１〜１．０ＧＰａ、より好ましくは０．１５〜０．９ＧＰａ、さらに好ましくは０．２〜０．８ＧＰａである。上記各絶縁層３，５の２５℃における引張貯蔵弾性率は、つぎのようにして測定される。すなわち、感光性樹脂組成物からなるフィルム（絶縁層）を作製し、このフィルムを幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍに切断し、測定用試料を作製する。そして、粘弾性測定装置ＲＳＡIII（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、上記試料を、周波数１Ｈｚの条件で引っ張りながら、０〜５０℃の範囲（昇温速度５℃／分）で動的粘弾性（Ｅ’）を測定し、２５℃における値を読み取った。
【００２４】
また、上記各絶縁層３，５の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ未満の場合は、各絶縁層３，５の表面がタック性を有して他の粘着し易くなるため、その取扱いが難しくなる傾向がみられる。また、上記各絶縁層３，５の２５℃における引張貯蔵弾性率が１．０ＧＰａを超える場合は、湿度変化による各絶縁層３，５の膨張・収縮が大きくなり、それに伴うスライダのＰＳＡ変化が増大する傾向がみられる。
【００２５】
上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１の構造について、詳しく説明する。
上記金属製の基材２としては、例えばステンレス箔，アルミニウム箔等、薄板状の金属（箔）を所定形状に打ち抜いて形成したものを用いる。金属箔としては、通常、厚さが１０〜６０μｍのもの、なかでも、振動特性の観点から１５〜３０μｍのものが好適に用いられる。なお、基材２の一端側（図示右側で、基板１の根元側）には、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１を、図示しないステッピングモータ等のシャフトに挿通して軸支するための穴２ａが設けられている。また、基材２の他端側（図示左側で、基板１の先端側）には、略コの字状のスリット２ｂ，２ｂによって、磁気ヘッドを含むスライダ（図示せず）の姿勢角を安定させるためのジンバルが形成されている。
【００２６】
また、上記回路を構成する導体層４は、銅等をめっきすることにより形成されており、図１のように、その一端（根元側）には、ＨＤＤの制御手段に接続するための制御用端子部４ｂが設けられているとともに、その他端（先端側）の上記ジンバルに位置する部位には、上記スライダを接続・実装するためのスライダ用端子部４ｃが形成されている。なお、導体層４の残りの細線部位は、これらの間を結線する配線部４ａである。また、導体層４は、実際は多層構造であり、上記めっきによる導体層４と下地絶縁層３（樹脂製）との間には、この導体層４の樹脂に対する密着性を向上させる、１層または２層以上の下地導体層（図示省略）が介在配置されている。この下地導体層の詳細は、後記の製法で説明する。
【００２７】
そして、本実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１の特徴的構成は、先に述べたように、上記基材２と導体層４との間に配置される下地絶縁層３、および、導体層４を被覆した状態で設けられるカバー絶縁層５の２５℃における引張貯蔵弾性率が、それぞれ０．１〜１．０ＧＰａに設定されている点である。
【００２８】
本発明を特徴づける下地絶縁層３およびカバー絶縁層５を構成する樹脂の例としては、例えばポリイミド樹脂等からなる感光性樹脂組成物があげられる。この感光性樹脂組成物は、電子線や紫外線等の光線の照射により硬化する性質を有するとともに、硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａになるように設計・配合されている。
【００２９】
また、上記感光性樹脂組成物は、フォトリソグラフィ法等を用いて、上記基材２の上に、所要のパターンの絶縁層（絶縁膜）を容易に形成することができる。例えば、塗布等により基材２の上に、上記感光性樹脂組成物からなる膜を形成した後、所定の開口パターンを有するマスクを介して、電子線や紫外線等を照射して必要部分を硬化させ、その後現像液で現像して、未硬化の不要部分を洗い流すことにより、所定パターンの下地絶縁層３およびカバー絶縁層５を得ることが可能である。
【００３０】
上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の下地絶縁層３およびカバー絶縁層５を構成する感光性樹脂組成物（絶縁材料樹脂）の具体例としては、下記の（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する樹脂材料を好適にあげることができる。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化３】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物（以下、ＰＥジアミン化合物という）と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【００３１】
上記（Ｂ）で使用するＰＥジアミン化合物は、ポリイミド樹脂の２５℃における引張貯蔵弾性率を小さくするという点で好ましい。このＰＥジアミン化合物は、ポリエーテル構造を有し、アミン構造を有する末端を少なくとも二つ有する化合物であり、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有する末端ジアミンや、ポリエチレングリコール構造を有する末端ジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有する末端ジアミン、さらにはこれら複数の構造を有する末端ジアミンなどがあげられる。
【００３２】
上記ＰＥジアミン化合物が有するポリエーテル構造は、−Ａ−Ｏ−で表されるアルキレンオキシ基を二つ以上有する構造である（Ａはアルキレン基を、Ｏは酸素原子を表す。）。上記Ａとしてのアルキレン基は、一般的には炭素数１〜１０、好ましくは２〜５であり、例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレンなどがあげられる。なお、複数のアルキレンオキシ基は、同じでもあっても、異なっていてもよい。また、上記Ａとしてのアルキレン基は、置換基（例えば、メチル基、ポリエーテル基、アミノポリエーテル基等）を有していてもよい。
【００３３】
また、上記ＰＥジアミン化合物が二つの末端に有するアミン構造は、同じでもあっても異なっていてもよく、１級〜３級のいずれであってもよいが、１級が好ましい。アミン構造としては、たとえば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミンがあげられ、プロピルアミンが好ましい。
【００３４】
なお、上記ＰＥジアミン化合物の数平均分子量は、好ましくは５００以上、より好ましくは１０００〜５０００である。
【００３５】
上記ＰＥジアミン化合物の具体例としては、以下の式（２）〜（５）で表される化合物をあげることができる。
【００３６】
【化４】
〔式（２）中、ａは２以上の整数を表し、好ましくは５〜８０である。〕
【００３７】
【化５】
〔式（３）中、ｂ，ｃ，ｄは各々０以上の整数を表す。ただし、ｂ＋ｃ＋ｄは２以上であり、好ましくは５〜５０である。〕
【００３８】
【化６】
〔式（４）中、ｅ，ｆ，ｇは各々０以上の整数を表す。ただし、ｅ＋ｆ＋ｇは２以上であり、好ましくは５〜３０である。〕
【００３９】
【化７】
〔式（５）中、ｈは１以上の整数を表し、好ましくは１〜４である。〕
【００４０】
一方、前記（Ｂ）における、テトラカルボン酸二無水物と上記ＰＥジアミン化合物との反応（合成）に際しては、このＰＥジアミン化合物（ポリエーテル構造を有する）の他に、ポリエーテル構造を有さない、別種のジアミン化合物を併用することが好ましい。
【００４１】
上記合成時に併用することが好ましいジアミン化合物としては、例えば、以下のような脂肪族ジアミンや芳香族ジアミン等をあげることができる。脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などがあげられる。脂肪族ジアミンの分子量は、通常５０〜１０００、好ましくは１００〜３００である。
【００４２】
上記芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，３’−ジアミノジフェニルエ−テル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等があげられる。これらの中で、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、ｐ−フェニレンジアミンが好ましい。
【００４３】
そして、前記（Ｂ）で使用するテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等があげられる。これらの中でも、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ピロメリット酸二無水物が好ましい。なお、これらは、単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４４】
また、前記（Ｂ）において、テトラカルボン酸二無水物とＰＥジアミン化合物との反応により得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂としては、以下の式（６）〜（９）で表される化合物をあげることができる。なお、以下の式（６）〜（９）において、Ａｒは少なくとも一つ芳香環を含有する構造を表す。また、Ａｒの好ましい炭素数は６〜３０であり、例えば、ベンゼン環、ビフェニル、ジフェニルエーテル等があげられる。
【００４５】
【化８】
〔式（６）中、ａは２以上の整数を表し、好ましくは５〜８０である。〕
【００４６】
【化９】
〔式（７）中、ｂ，ｃ，ｄは各々０以上の整数を表す。ただし、ｂ＋ｃ＋ｄは２以上であり、好ましくは５〜５０である。〕
【００４７】
【化１０】
〔式（８）中、ｅ，ｆ，ｇは各々０以上の整数を表す。ただし、ｅ＋ｆ＋ｇは２以上であり、好ましくは５〜３０である。〕
【００４８】
【化１１】
〔式（９）中、ｈは１以上の整数を表し、好ましくは１〜４である。〕
【００４９】
つぎに、上記ＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の作製方法を図面にもとづいて説明する。図２〜図１７は、本実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の製法を模式的に説明する説明図である。
【００５０】
この実施形態におけるＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１の作製は、まず、図２に示すように、厚さ５〜３０μｍのステンレス箔基材２の全面に、得られる樹脂層の厚さが２〜２０μｍ、好ましくは３〜１５μｍとなるように、先の実施形態で説明した（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する感光性樹脂組成物（以下、ＰＩ感光性樹脂組成物という）の溶液をコンマコート法やファウンテンコート法等で塗布し、６０〜２００℃、好ましくは８０〜１８０℃で加熱・成膜して、上記ＰＩ感光性樹脂組成物の被膜１３（後の下地絶縁層３）を形成する。
【００５１】
つぎに、このＰＩ感光性樹脂組成物の被膜１３に、適宜のフォトマスクを介して紫外線を照射し、所定のパターンに露光させる。ここで、露光量は、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは１００〜１５００ｍＪ／ｃｍ2の範囲であり、露光波長は、通常２００〜４５０ｎｍ、好ましくは２４０〜４２０ｎｍの範囲である。
【００５２】
この露光の後、被膜１３を９０〜２１０℃、好ましくは１００〜２００℃の温度で約１〜２０分程度加熱（露光後加熱）し、ついで、アルカリ現像処理を行なう。この後、上記パターン化されたＰＩ感光性樹脂組成物の被膜１３を、１５０〜４００℃×１〜１８０分程度かけて加熱硬化し、図３に示すような、ステンレス箔基材２上にＰＩ感光性樹脂層からなるパターン化した下地絶縁層３を形成した。
【００５３】
ついで、図４に示すように、下地絶縁層３を有するステンレス箔基材２の上面に、先に述べた下地導体層として、クロムまたはチタン製の薄膜（下地導体層１４Ａ）と、銅製の薄膜（下地導体層１４Ｂ）とが、スパッタリングを用いて順次連続して成膜される。上記クロムまたはチタン製の薄膜（１４Ａ）は、下地絶縁層３に対する銅製の薄膜（１４Ｂ）の密着性を向上させる効果がある。ここで、膜厚は、上記下地導体層１４Ａが１０〜６０ｎｍ、下地導体層１４Ｂが３０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【００５４】
この後、図５に示すように、上記下地導体層１４Ｂの上に、電解めっきを用いて、厚さ２〜１５μｍ程度の銅からなる導体層４を形成する。
【００５５】
ついで、図６に示すように、導体層４上に、フォトレジストまたはドライフィルムラミネートからなるパターン状のマスクＭ１を形成し、露光および現像処理（エッチング）を行って、図７のように、非パターン部の導体層４を除去した後、上記マスクＭ１を取り除いて、図８に示すように、導体層４を所定回路パターンに形成する。なお、銅製の導体層４（および下地導体層１４Ｂ）のエッチングは、アルカリエッチングによることが好ましい。また、下地導体層１４Ｂは、上記導体層４と一体化するため、以降の図示を省略する。
【００５６】
つぎに、図９に示すように、所定回路パターン以外の領域に形成された下地導体層１４Ａをエッチングで除去して、前記下地絶縁層３の上に、所定回路パターンの導体層４を完成させる。なお、クロムまたはチタンからなる薄膜（下地導体層１４Ａ）のエッチングには、例えば、フェリシアン化カリウム系のエッチング液や、このほか、過マンガン酸カリウム，メタケイ酸ナトリウム系等のエッチング液が用いられる。また、下地導体層１４Ｂと同様、下地導体層１４Ａも上記導体層４と一体化するため、以降の図示を省略する。
【００５７】
その後、図１０に示すように、無電解ニッケルめっきを行って、上記導体層４とステンレス箔基材２の表面（上面）に、硬質のニッケル薄膜１５を形成して、導体層４の表面を被覆・保護する。上記ニッケル薄膜１５の膜厚は、下層の導体層４が露出しない程度であればよく、通常、０．０５〜１μｍの範囲である。
【００５８】
なお、ここまでは基材２上に形成される導体層４（配線部４ａ，制御用端子部４ｂ，スライダ用端子部４ｃ）に共通の工程であるが、これ以降は、図示左側の導体層４を配線部４ａに、図示右側の導体層４の上面に端子部４ｂ（または４ｃ）を形成してゆくので、その工程を説明する。
【００５９】
すなわち、図１１に示すように、図示左側の配線部４ａでは、前記下地絶縁層３の形成と同様、上記ＰＩ感光性樹脂組成物を塗布・成膜して、この配線部４ａを覆うカバー絶縁層５を形成する。一方、端子部４ｂを形成する予定の導体層４（図示右側）でも、前記下地絶縁層３と同様のＰＩ感光性樹脂組成物を塗布・成膜するが、フォトリソグラフィを用いたパターニングによって、導体層４上面の端子部４ｂ形成用所定領域（通常、円状または楕円状の凹部５ａの底に形成される露出面）と、後記する電解めっきを行うためのリード部２０（露出面）とを残すように、端子部４ｂを覆うカバー絶縁層５を形成する。
【００６０】
ついで、図１２に示すように、端子部４ｂを形成する導体層４（図示右側）およびステンレス箔基材２上のニッケル薄膜１５を除去する。この後、上記端子部４ｂ用の凹部５ａを除くカバー絶縁層５の表面と、下地絶縁層３およびステンレス箔基材２の表面を、めっきレジストにて被覆した後、上記リード部２０に電極を接続して、上記カバー絶縁層５の凹部５ａ内に、電解めっきによってニッケル層１６と金層１７とを順次積層し、端子部４ｂを形成する。なお、上記ニッケル層１６の厚さは１〜５μｍ、金層１７の厚さは０．０５〜１μｍ程度が適当である。この後、図１３のように、上記めっきレジストを除去する。
【００６１】
つぎに、図１４に示すように、上記端子部４ａを形成した導体層４（図示右側）において、電解めっきに用いたリード部２０を化学エッチングにて除去する。このリード部２０（および一体となったクロムまたはチタン製の下地導体層１４Ａ）の除去は、前述したものと同様、フェリシアン化カリウム系のエッチング液や、過マンガン酸カリウム，メタケイ酸ナトリウム系等のエッチング液を用いることができる。
【００６２】
その後、ステンレス箔基材２を化学エッチングによって所要の形状に切り抜くために、図１５のように、下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の上に、フォトレジストまたはドライフィルムラミネート等からなるパターン状のマスクＭ２を形成する。
【００６３】
つぎに、図１６に示すように、所要のエッチング液を用いて、ステンレス箔基材２を所要の形状に切り抜く。エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅等の水溶液が用いられる。
【００６４】
上記エッチング処理の後、図１７に示すように、上記マスクＭ２を除去して純水で洗浄し、乾燥させる。以上のようにして、本実施形態のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１を得る。すなわち、このＨＤＤ用回路付きサスペンション基板１は、ステンレス箔基材２上に、前記（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有するＰＩ感光性樹脂組成物からなる下地絶縁層３を有し、その上に銅からなる導体層４が、所定の回路パターンに形成されている。そして、端子部４ｂ（および４ｃ）を除き、上記導体層４の上に、上記ＰＩ感光性樹脂組成物からなるカバー絶縁層５が設けられ、この導体層４が被覆保護されている。
【００６５】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００６６】
以下の実施例においては、前記（Ｂ）に包含されるポリイミド前駆体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３またはカルボキシル基含有線状重合体Ｄと、前記（Ａ）に記載の１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａとからなる感光性樹脂組成物α１〜α４を用いて、下地絶縁層およびカバー絶縁層を形成し、実施例１〜４のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板を作製した。また、前記（Ｂ）に包含されないポリイミド前駆体Ｃ１，Ｃ２を含有する感光性樹脂組成物β１，β２を用いて、下地絶縁層およびカバー絶縁層を形成し、比較例１，２のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板を作製した。
【００６７】
さらに、下地絶縁層およびカバー絶縁層の一方に感光性樹脂組成物α１を用いて、他方に感光性樹脂組成物β１を使用した実施例５，６のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板と、絶縁層を下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層の３層構成とし、全ての絶縁層に感光性樹脂組成物α１を使用した実施例７のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板とを作製した。
【００６８】
そして、これら実施例１〜７および比較例１，２のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板（供試用）を用いて、作製（完成）後の２５℃５０％ＲＨにおける「反り」と、２５℃において湿度を１０％ＲＨから８０％ＲＨまで変化させた時の「ＰＳＡ（姿勢角）変化」とを測定し、結果を比較した。
【００６９】
まず、各感光性樹脂組成物を構成するポリイミド前駆体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｃ１，Ｃ２およびカルボキシル基含有線状重合体Ｄを合成（重合）し、ついで、１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ、１，３−ジアザ−２，４−シクロペンタジエン（イミダゾール）や助剤等の添加剤を加えて混合・調整し、実施例１〜７および比較例１，２のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板の絶縁層の形成に使用する、感光性樹脂組成物α１〜α４および感光性樹脂組成物β１，β２の溶液を作製した。
【００７０】
［ポリイミド前駆体Ｂ１の合成］
下記の式（１０）に示すジアミン（Ｄ−２０００，三井化学ファイン社製，ｎ＝３３，概略分子量：２０００）３５．５ｇと、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル（以下、ＤＤＥ）１９．４ｇとを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰ）５３３ｇ中で溶解させ、ピロメリット酸二無水物（以下、ＰＭＤＡ）２５ｇを加えて反応させ、ポリイミド前駆体Ｂ１の溶液を得た。
【化１２】
〔式（１０）中、ｎは２以上の整数を表し、好ましくは５〜８０である。なお、上記Ｄ−２０００はｎ＝３３，下記Ｄ−４０００はｎ＝６８〕
【００７１】
［ポリイミド前駆体Ｂ２の合成］
上記ジアミンＤ−２０００の代わりに、ジアミン（Ｄ−４０００，三井化学ファイン社製 上記式（１０）中においてｎ＝６８の化合物 概略分子量：４０００）２７．５ｇと、ＤＤＥ １５．２ｇ，ＮＭＰ ３４４ｇ，ＰＭＤＡ １８．０ｇとを、上記ポリイミド前駆体Ｂ１と同様に反応させ、ポリイミド前駆体Ｂ２の溶液を得た。
【００７２】
［ポリイミド前駆体Ｂ３の合成］
下記の式（１１）に示すジアミン（ＸＪＴ−５４２，三井化学ファイン社製，概略分子量：１０００）２７．２ｇと、ＤＤＥ １２．９ｇとを、ＮＭＰ ３４０ｇ中で溶解させ、ＰＭＤＡ ２０ｇを加えて反応させ、ポリイミド前駆体Ｂ３の溶液を得た。
【化１３】
〔式（１１）中、ｐ＋ｒ＝６．０、ｑ＝９．０〕
【００７３】
［ポリイミド前駆体Ｃ１の合成］
１，４−ジアミノベンゼン（ＰＤＡ）１１．７ｇと、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）８．５ｇとを、ＮＭＰ ３４０ｇ中で溶解させ、３，４，３’，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）３９．８ｇを加えて反応させ、ポリイミド前駆体Ｃ１の溶液を得た。
【００７４】
［ポリイミド前駆体Ｃ２の合成］
下記式（１２）に示すジアミン（ＨＦ−ＢＡＰＰ）２９．２ｇを、ＮＭＰ３４０ｇ中に溶解させた後、下記式（１３）に示すＴＡ４４ＢＰ ３０．８ｇを加え反応させ、ポリイミド前駆体Ｃ２の溶液を得た。
【００７５】
【化１４】
【００７６】
【化１５】
【００７７】
［カルボキシル基含有線状重合体Ｄの合成］
メタクリル酸１０ｇ，アクリル酸ブチル８０ｇ，メタクリル酸メチル１０ｇ，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００ｇ，アゾビスイソブチロニトリル１．０ｇを、窒素雰囲気下で３００ｍｌのセパラブルフラスコに入れ、攪拌しながら加温し、９０℃で５時間反応させて、カルボキシル基含有線状重合体Ｄの溶液（固形分５０重量％）を得た（カルボキシル基含有線状重合体Ｄのカルボン酸当量計算値：８６０，重量平均分子量：３００００）。
【００７８】
［１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ］
前記（Ａ）に記載の１，４−ジヒドロピリジン誘導体〔下記式（１）を参照〕において、式中のＲ1がＣ2Ｈ5、Ｒ2，Ｒ3がＣＨ3の化合物。
【化１６】
【００７９】
［感光性樹脂組成物の調整］
つぎに、下記の「表１」に示す各配合成分を、同表に示す割合にて配合し、混合することにより、絶縁層の形成材料となる、感光性樹脂組成物α１〜α４および感光性樹脂組成物β１，β２を調整した。なお、下記の表１中の数字（配合割合）は不揮発分の重量部数であり、各列の合計は１００重量部となる。
【００８０】
【表１】
エピコート ＹＬ９８０：三菱化学社製 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
アニロックス Ｍ−１４０：東亜合成社製 ２−（１，２−シクロヘキサンジカルボキシイミド）エチルアクリレート
【００８１】
つぎに、上記のようにして調整した感光性樹脂組成物を用いて、評価用のＨＤＤ用回路付きサスペンション基板を作製した。
【００８２】
〈評価用回路付きサスペンション基板の作製〉
〔実施例１〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、上記感光性樹脂組成物α１（ポリイミド系）を塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾燥して、感光性樹脂組成物α１の被膜を形成した。ついで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１８０℃で３分間加熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）５％／純水４５％／エタノール５０％の現像液で３０℃×２分間現像して、ポジ型画像を形成し、さらに、０．０１ｔｏｒｒの真空下、３００℃に加熱して、パターン化したポリイミド樹脂からなる下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。
【００８３】
上記で得た下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り取った後、塩化第二鉄エッチング液に浸漬し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を得た。このフィルムを用いて、後記した方法で、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定・確認した。
【００８４】
つぎに、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の膜厚で薄膜形成し、この銅薄膜の上に、厚さ１０μｍの電解銅めっきを行って、導体層を形成した。ついで、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行った後、回路パターン部以外の銅導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。
【００８５】
つぎに、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した。この後、再度、感光性樹脂組成物α１を用いて、上記下地絶縁層と同様の方法にて、ポジ型のカバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例１：全厚４３μｍ）を得た。
【００８６】
〔実施例２〕
感光性樹脂組成物α１に代えて、感光性樹脂組成物α２（ポリイミド系）を用いたこと以外、実施例１と同様にして、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例２）を作製した。なお、実施例１と同様、作製途中で、下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り出し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を作製し、このフィルムを用いて、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定した。
【００８７】
〔実施例３〕
感光性樹脂組成物α１に代えて、感光性樹脂組成物α３（ポリイミド系）を用い、実施例１とは開口パターンが逆転したマスクを用いて、各絶縁層をネガ型画像として形成したこと以外、実施例１と同様にして、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例３）を作製した。なお、実施例１と同様、作製途中で、下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り出し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を作製し、このフィルムを用いて、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定した。
【００８８】
〔実施例４〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、感光性樹脂組成物α４（エポキシ系）を塗布した後、１００℃で３分間加熱乾燥して、感光性樹脂組成物α４の被膜を形成した。ついで、マスクを介して、露光量５００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１１０℃で５分間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液（現像液）で３０℃×２分間現像して、ネガ型画像を形成し、さらに、１５０℃に加熱して、パターン化した下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。
【００８９】
上記で得た下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り取った後、塩化第二鉄エッチング液に浸漬し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を得た。このフィルムを用いて、後述した方法で、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定・確認した。
【００９０】
つぎに、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の膜厚で薄膜形成し、この銅薄膜の上に、厚さ１０μｍの電解銅めっきを行って、導体層を形成した。ついで、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行った後、回路パターン部以外の銅導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。
【００９１】
つぎに、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した。この後、再度、感光性樹脂組成物α４を用いて、上記下地絶縁層と同様の方法にて、ネガ型のカバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例４）を得た。
【００９２】
〔比較例１〕
感光性樹脂組成物α１に代えて、比較用の感光性樹脂組成物β１（ポリイミド系）を用い、実施例１とは開口パターンが逆転したマスクを用いて、各絶縁層をネガ型画像として形成したこと以外、実施例１と同様にして、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（比較例１）を作製した。なお、実施例１と同様、作製途中で、下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り出し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を作製し、このフィルムを用いて、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定した。
【００９３】
〔比較例２〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、比較用の感光性樹脂組成物β２（ポリイミド系）を塗布した後、４００℃に加熱して、ポリイミド樹脂からなる下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。
【００９４】
上記で得た下地絶縁層付きステンレス箔基材の一部を切り取った後、塩化第二鉄エッチング液に浸漬し、ステンレス箔を除去して、膜厚１０μｍの絶縁層（フィルム）を得た。このフィルムを用いて、後記した方法で、絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数を測定・確認した。
【００９５】
つぎに、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の膜厚で薄膜形成し、この銅薄膜の上に、厚さ１０μｍの電解銅めっきを行って、導体層を形成した。ついで、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行った後、回路パターン部以外の銅導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。
【００９６】
つぎに、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した。この後、再度、感光性樹脂組成物β２を用いて、上記下地絶縁層と同様の方法にて、カバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を硬化形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、カバー絶縁層上に所要のパターンを形成した後、ポリイミドエッチング液を用いて、不必要なカバー絶縁層を除去した。
【００９７】
ついで、ドライフィルムレジストを用いて、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（比較例２）を得た。
【００９８】
〔実施例５〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、比較用の感光性樹脂組成物β２（ポリイミド系）を用いて、比較例１と同様にして、ネガ型の下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。なお、この下地絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、比較例１の絶縁層と同等である。
【００９９】
つぎに、実施例１と同様にして、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。ついで、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した後、感光性樹脂組成物α１（ポリイミド系）を用いて、実施例１と同様にして、ポジ型のカバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を形成した。なお、このカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、実施例１の絶縁層と同等であると考えられる。
【０１００】
ついで、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例５）を得た。上記したように、この実施例５の評価用回路付きサスペンション基板は、下地絶縁層が比較例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成され、カバー絶縁層が実施例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成されている。
【０１０１】
〔実施例６〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、感光性樹脂組成物α１（ポリイミド系）を用いて、実施例１と同様にして、ポジ型の下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成した。なお、この下地絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、実施例１の絶縁層と同等である。
【０１０２】
つぎに、実施例１と同様にして、残ったステンレス箔基材上の下地絶縁層上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの導体層を得た。ついで、回路パターンの導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、銅導体層の表面を被覆、保護した後、比較用の感光性樹脂組成物β２（ポリイミド系）を用いて、比較例１と同様にして、ネガ型のカバー絶縁層（導体層上の厚さ５μｍ）を形成した。なお、このカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、比較例１の絶縁層と同等であると考えられる。
【０１０３】
ついで、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例６）を得た。上記したように、この実施例６の評価用回路付きサスペンション基板は、実施例５とは逆に、下地絶縁層が実施例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成され、カバー絶縁層が比較例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成されている。
【０１０４】
〔実施例７〕
厚さ１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔基材上に、上記感光性樹脂組成物α１（ポリイミド系）を塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾燥して、感光性樹脂組成物α１の被膜を形成した。ついで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１８０℃で３分間加熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）５％／純水４５％／エタノール５０％の現像液で３０℃×２分間現像して、ポジ型画像を形成し、さらに、０．０１ｔｏｒｒの真空下、３００℃に加熱して、パターン化したポリイミド樹脂からなる下地絶縁層（膜厚５μｍ）を形成した。なお、この下地絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、実施例１の絶縁層と同等である。
【０１０５】
ついで、下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の膜厚で薄膜形成し、この銅薄膜の上に、厚さ５μｍの電解銅めっきを行って、第１導体層を形成した。ついで、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行った後、回路パターン部以外の銅導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍの回路パターンの第１導体層を得た。その後、第１導体層の表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、第１導体層の表面を被覆、保護した。
【０１０６】
つぎに、感光性樹脂組成物α１を用いて、上記下地絶縁層と同様の方法で、第１導体層上に、ポジ型の中間絶縁層（第１導体層上の厚さ５μｍ）を形成した。ついで、上記第１導体層と同様の方法で、上記中間絶縁層上に、厚さ５μｍの銅薄膜からなる回路パターンの第２導体層を形成し、その表面に、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行って、第２導体層の表面を被覆、保護した。
【０１０７】
この後、再度、感光性樹脂組成物α１を用いて、上記下地絶縁層および中間絶縁層と同様の方法で、ポジ型のカバー絶縁層（第２導体層上の厚さ５μｍ）を形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光・現像を行って、ステンレス箔基材上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板（実施例７：全厚４３μｍ）を得た。この実施例７の評価用回路付きサスペンション基板は、下地絶縁層，中間絶縁層，カバー絶縁層の３つの絶縁層を備え、そのいずれもが実施例１用の感光性樹脂組成物を用いて形成されている。なお、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率、熱膨張係数および湿度膨張係数は、いずれも実施例１の絶縁層と同等であると考えられる。
【０１０８】
〈２５℃引張貯蔵弾性率〉
上記したように、実施例１〜４および比較例１，２の各評価用回路付きサスペンション基板の作製途中に、硬化後の下地絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率を測定した。引張貯蔵弾性率は、まず、前記のようにして下地絶縁層からステンレス箔基材を剥離し、フィルム状の絶縁層を作製して、このフィルム状絶縁層を幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍに切断し、測定用試料を作製する。そして、粘弾性測定装置ＲＳＡIII（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、上記フィルム状絶縁層を、周波数１Ｈｚの条件で引っ張りながら、０〜５０℃の範囲（昇温速度５℃／分）で動的粘弾性（Ｅ’）を測定し、２５℃における値（単位：Ｐａ）を読み取った。
【０１０９】
なお、参考として、上記フィルム状絶縁層と同じサンプルを用いて、「湿度膨張係数」と「熱膨張係数」を測定した。これらの結果は、上記「２５℃引張貯蔵弾性率」と併せて後記の「表２」に示す。
【０１１０】
〈湿度膨張係数〉
湿度膨張係数は、湿度制御型熱機械分析装置 ＨＣ−ＴＭＡ４０００ＳＡ（ブルカー・エイエックスエス社製）を用いて、２５℃において湿度を１０％ＲＨから８０％ＲＨまで変化させた時の各絶縁層の伸びを測定することにより求めた（単位：ｐｐｍ／ＲＨ％）。
【０１１１】
〈熱膨張係数〉
熱膨張係数は、熱機械分析装置 ＴＭＡ８３１０（リガク社製）を用いて、温度を２５℃から６０℃まで変化させた時の各絶縁層の伸びを測定することにより求めた（単位：ｐｐｍ／Ｋ）。
【０１１２】
また、得られた各評価用回路付きサスペンション基板を用いて、２５℃５０％ＲＨにおける「反り」と、２５℃において湿度を１０％ＲＨから８０％ＲＨまで変化させた時の「ＰＳＡ（姿勢角）変化」とを測定した。
【０１１３】
〈反り〉
上記実施例１〜４および比較例１，２の各評価用回路付きサスペンション基板（５×３０ｍｍ角）を、平坦なガラス板上に載置して、このガラス板の上面から評価用回路付きサスペンション基板の最も高い箇所までの高さ（ｍｍ）を測定した。反りの評価は、１ｍｍ未満のものを○、１ｍｍ以上のものを×とする。
【０１１４】
〈ＰＳＡ変化〉
上記各評価用回路付きサスペンション基板１は、先に述べたように、ステンレス箔基材（厚さ１８μｍ）２の上に、下地絶縁層（厚さ１０μｍ）３，銅からなる導体層（厚さ１０μｍ）４，カバー絶縁層（厚さ５μｍ）５が順次積層されており、幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍの短冊状に切断されている。
【０１１５】
ＰＳＡ変化の測定は、まず、図１８（ａ），（ｂ）に示すように、試料（基板１）を、２枚のスライドガラス（厚さ１ｍｍ）Ｇ１，Ｇ２で挟み込んだ状態で、測定装置の所定位置にセットし、この装置ごと恒温恒湿槽に入れて準備した。なお、図において、符号Ｓはガラス製の測定ステージである。
【０１１６】
ついで、恒温恒湿槽内を２５℃×１０％ＲＨに調整し、試料の安定を待った。温湿度の安定後、図１８（ａ）に示すように、上記２枚のスライドガラスＧ１，Ｇ２の端部から４ｍｍの地点で、測定ステージＳを通して試料にレーザー光（白抜き矢印）Ｌを照射し、その反射により、１０％ＲＨにおける測定ステージＳと基板１の裏面（ステンレス箔基材２）との間の距離Ｈ10（μｍ）を測定した。
【０１１７】
つぎに、恒温恒湿槽内を２５℃×８０％ＲＨに調整し、同様に試料の安定を待った。温湿度の安定後、上記と同様にしてレーザー光Ｌを照射し、その反射により、８０％ＲＨにおける測定ステージＳと基板１の裏面との間の距離Ｈ80（μｍ）を測定した。
【０１１８】
そして、２５℃×１０％ＲＨの時の距離Ｈ10と、２５℃×８０％ＲＨの時の距離Ｈ80との差を、ΔＨ（μｍ）として求め、以下の式を用いて、ＰＳＡ変化を算出した。
ＰＳＡ変化（ｄｅｇ／％ＲＨ）＝ＡＴＡＮ（ΔＨ／４０００）／π×１８０／７０
（ただし、ΔＨ＝｜Ｈ80−Ｈ10｜）
【０１１９】
ＰＳＡ変化の評価は、その値が０．００２未満のものを◎、０．００２以上０．００６未満のものを○、０．００６以上のものを×として、下記の「表２」に示す。
【０１２０】
【表２】
【０１２１】
上記「表２」中における実施例１〜７の評価用回路付きサスペンション基板の結果から、下地絶縁層３およびカバー絶縁層５の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１〜１．０ＧＰａの範囲内であるものは、基板形成後の反りの発生が少なく、湿度を変化させた時のＰＳＡ（姿勢角）変化が抑えられていることがわかる。
【０１２２】
これに対して、比較例１，２の評価用回路付きサスペンション基板は、実施例１〜７の評価用回路付きサスペンション基板より湿度膨張係数が低いにも関わらず、これら実施例１〜７のサスペンション基板より、基板形成後の反りと湿度を変化させた時のＰＳＡ変化が大きく、湿度に対して敏感であることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明の回路付きサスペンション基板は、湿度変化による膨張や収縮が少なく、磁気ヘッドを含むスライダを高精度に安定して支持しなければならない、ハードディスクドライブ装置の回路付きサスペンション基板に適する。
【符号の説明】
【０１２４】
１ ハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板
２ 基材
３ 下地絶縁層
４ 導体層
５ カバー絶縁層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる導体層と、上記導体層を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層とを備えたハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板であって、上記下地絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａであることを特徴とするハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
【請求項２】
上記下地絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、それぞれ０．１〜１．０ＧＰａである請求項１記載のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
【請求項３】
上記下地絶縁層およびカバー絶縁層が、下記の（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する感光性樹脂組成物からなる請求項１または２記載のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化１】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【請求項４】
金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第１導体層と、上記第１導体層上に設けられた中間絶縁層と、上記中間絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第２導体層と、上記第２導体層上に設けられたカバー絶縁層とを備えたハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板であって、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａであることを特徴とするハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
【請求項５】
上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、全て０．１〜１．０ＧＰａである請求項４記載のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
【請求項６】
上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層が、下記の（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有する感光性樹脂組成物からなる請求項１または２記載のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化２】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【請求項１】
金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる導体層と、上記導体層を被覆した状態で設けられたカバー絶縁層とを備えたハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板であって、上記下地絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａであることを特徴とするハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
【請求項２】
上記下地絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、それぞれ０．１〜１．０ＧＰａである請求項１記載のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
【請求項３】
上記下地絶縁層およびカバー絶縁層が、下記の（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する感光性樹脂組成物からなる請求項１または２記載のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化１】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【請求項４】
金属製の基材と、上記金属製基材の上に設けられた下地絶縁層と、上記下地絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第１導体層と、上記第１導体層上に設けられた中間絶縁層と、上記中間絶縁層の上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第２導体層と、上記第２導体層上に設けられたカバー絶縁層とを備えたハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板であって、上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、０．１〜１．０ＧＰａであることを特徴とするハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
【請求項５】
上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層の２５℃における引張貯蔵弾性率が、全て０．１〜１．０ＧＰａである請求項４記載のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
【請求項６】
上記下地絶縁層，中間絶縁層およびカバー絶縁層が、下記の（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有する感光性樹脂組成物からなる請求項１または２記載のハードディスクドライブ用回路付きサスペンション基板。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化２】
〔式（１）中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2，Ｒ3は水素原子または炭素数１〜２のアルキル基であり互いに同じであっても異なっていてもよい。〕
（Ｂ）テトラカルボン酸二無水物と、アミン構造を有する末端を二つ有し、ポリエーテル構造を有するジアミン化合物と、を反応させて得られるポリイミド樹脂またはその前駆体樹脂。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１２−６９１９５（Ｐ２０１２−６９１９５Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１２３８４（Ｐ２０１０−２１２３８４）
【出願日】平成２２年９月２２日（２０１０．９．２２）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２２日（２０１０．９．２２）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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