パーフルオロカーボンガスの精製方法および装置
【課題】半導体または液晶製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスの再利用を可能とするパーフルオロカーボンガスの精製方法を提供する。
【解決手段】パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスから、上記不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることにより、パーフルオロカーボンガスを分離精製することにより、不純分である窒素を効果的に吸着除去し、99.999%以上の高純度のパーフルオロカーボンガスを分離精製することが可能となった。これにより、例えば半導体または液晶製造プロセスなどから排出されたパーフルオロカーボンガスの高純度化による有効な再利用が可能となる。
【解決手段】パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスから、上記不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることにより、パーフルオロカーボンガスを分離精製することにより、不純分である窒素を効果的に吸着除去し、99.999%以上の高純度のパーフルオロカーボンガスを分離精製することが可能となった。これにより、例えば半導体または液晶製造プロセスなどから排出されたパーフルオロカーボンガスの高純度化による有効な再利用が可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パーフルオロカーボンガスの精製方法および装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
テトラフルオロメタン(CF4)、へキサフルオロエタン(C2F6)などの一般にパーフルオロカーボン(PFC)と称されるガスは、半導体または液晶製造における重要な材料である。
【0003】
しかしながら、これらのガスは、その地球温暖化係数が、CF4で5,700、C2F6で11,900であり、地球温暖化係数1の二酸化炭素(CO2)に比べて格段にその値が大きい。このことから、これらのガスを半導体または液晶製造の使用後においてそのまま大気に放出することは、地球温暖化に大きな悪影響を与えることとなる。一方、フロン類の削減に関する「京都議定書」(2005年2月16日発効)において、これらのガスの日本における削減率は、それぞれ1990年、1995年に対して6%とすることが決定された。
【0004】
これを受けて、エレクトロニクス産業界の自主削減目標として、「液晶業界では、2010年には2000年レベルまで、またIC業界では、2010年には1995年レベルの10%減」とすることが決められた。
【0005】
これらのガスは半導体または液晶製造装置に供給されて半導体または液晶の製造に使用された後、1vol%未満の濃度(残りは殆んどN2であり、半導体または液晶製造装置内での反応によって生成した化学的に反応性の大きなハロゲン系ガスが混在している)で排出されてくる。この排出ガスは現在のところ、種々の原理の除害装置を用いて無害化処理が行われているのが一般的である。
【0006】
ところが、例えば、一般的な無害化処理装置である大気圧プラズマ装置では、CF4の消費量が膨大であり、このためにその排出ガスの無害化処理の負荷が過大になってきている現状がある。
【0007】
一方で、これらの排出ガスを回収する試みも行われている。回収されたこれらのガスは廃フロン処理施設で破壊処理されるか、これらのガスの製造プラントに戻されて精製され、再使用されている。さらには、不純分としてのハロゲン系ガス(例えば、HF、SiF4等)、酸素(O2)、水分(H2O)が1volppm未満となるまで除去され、回収・濃縮された濃度が80〜95vol%(残りはN2)とされたガスを、再使用可能な半導体または液晶製造装置に供給することが行なわれ始めてきた。
【0008】
回収の方法は種々の検討がなされているが、実用化のためには、ガスの精製が大きなポイントとなる。この点が克服できれば、半導体または液晶の製造工程で再便用することができ、地球温暖化防止の観点からも大きな貢献が期待され、さらに実質的に消費するこれらのガスの大幅な削減につながることから、経済的に大きな貢献を果たすことができる。
【特許文献1】特開2004−284834号公報
【特許文献2】特開2000−15056号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
上述したような背景から、これまで半導体または液晶製造プロセスから排出されるパーフルオロカーボンガスや他の半導体製造用ガスであるSF6と、N2との混合ガスから、パーフルオロカーボンガスやSF6を高純度で得る方法について、検討されている。
【0010】
上記特許文献1には、窒素(N2)中に六フッ化硫黄(SF6)を含む混合ガスからSF6を高純度、高回収率で回収することができ、排出されるN2にはSF6がほとんど含まれない状態にすることができるSF6の精製方法および装置が開示されている。しかしながら、上記特許文献1では、比較的分子量の大きいSF6を精製することに留まり、分子量の小さなCF4やC2F6等のパーフルオロカーボンガスを効果的に分離精製しうるものではない。
【0011】
また、上記特許文献1には、第1の吸着手段として活性炭が用いられ、この活性炭は、SF6を選択的に吸着するものであり、N2を吸着するものではない。また、上記特許文献1の方法で精製されるSF6の純度は99.998%に留まり、再利用するのに十分な純度であるファイブナイン(99.999%)以上の高純度は達成されていない。さらに、上記特許文献1には、どの様な活性炭が用いられているかは、具体的に明示されていない。
【0012】
また、上記特許文献2には、ゼオライト及び活性炭を使ったテトラフルオロメタン(CF4)の精製方法について記載されているが、これは、従来周知の製造方法にてCF4を製造した場合、エチレン化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素および/または二酸化炭素などがCF4製造工程中の不純分として含まれるため、これら不純分をゼオライトや炭素質吸着剤などで除去し、CF4の純度を99.999%以上まで精製する方法であって、半導体製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスを再利用するために精製することを目的としたものではない。またこのような理由から、混合ガスからの吸着除去対象がN2ではなく、前述の不純分ガスであることから、パーフルオロカーボンガスが85%以上の原料ガスから効果的に高純度のパーフルオロカーボンガスを精製しうるものにはなっていない。
【0013】
このように、現在開示されているゼオライトの吸着を用いたパーフルオロカーボンガスの精製に関する方法では、精製できるガス種や原料ガスの組成が限られており、また、半導体または液晶製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスの再利用を目的とした不純分成分の除去精製に着眼したものも少ないと考えられる。
【0014】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、半導体または液晶製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスの再利用を可能とするパーフルオロカーボンガスの精製方法および装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0015】
すなわち、本発明のパーフルオロカーボンガスの精製方法は、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスから、上記不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることにより、パーフルオロカーボンガスを分離精製することを要旨とする。
【0016】
また、本発明のパーフルオロカーボンガスの精製装置は、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスからパーフルオロカーボンガスを分離精製する装置であって、吸着塔に上記不純分である窒素ガスを吸着するためのゼオライト4Aが充填されていることを要旨とする。
【発明の効果】
【0017】
本発明は、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有するガスを出発物質の処理対象ガスとし、上記処理対象ガスから不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることによりパーフルオロカーボンガスを分離精製した。このようにすることにより、不純分である窒素を効果的に吸着除去し、99.999%以上の高純度のパーフルオロカーボンガスを分離精製することが可能となった。これにより、例えば半導体または液晶製造プロセスなどから排出されたパーフルオロカーボンガスの高純度化による有効な再利用が可能となる。
【0018】
上記パーフルオロカーボンガスが、分子量140以下のものである場合には、不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させてパーフルオロカーボンガスだけを高精度に分離精製することができる。
【0019】
上記処理対象ガスは、パーフルオロカーボンガスの濃度が85容量%以上99容量%以下である場合には、半導体または液晶製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスを精製して多量の精製ガスを得ることができ、その再利用が可能となる。
【0020】
吸着剤が充填された吸着塔が複数直列的に連結されて複数段階の吸着を行い、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔では活性炭を使用して窒素ガスを吸着する場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0021】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着する場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0022】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が層状に積層されて充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0023】
上記下流側の吸着塔には、ガス流に対して上流側にゼオライト4Aが充填され、下流側に活性炭が充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0024】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が略半分ずつ充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0025】
つぎに、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【0026】
本発明のパーフルオロカーボンガスの精製方法は、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスから、上記不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることにより、パーフルオロカーボンガスを分離精製する。
【0027】
上記処理対象ガスは、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスであり、パーフルオロカーボンガスの濃度が85容量%以上99容量%以下のものが、ゼオライト4Aによって窒素ガスを吸着することによる分離精製に適しており、分離精製したパーフルオロカーボンガスを再利用するのに適しているため、好適に用いることができる。
【0028】
上記パーフルオロカーボンガスとしては、分子量140以下のもの、具体的にはCF4およびC2F6を好適に用いることができる。
【0029】
吸着剤が充填された吸着塔が複数直列的に連結されて複数段階の吸着を行い、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔では活性炭もしくはゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着するようにすることができる。
【0030】
上記活性炭としては、好適には分子ふるい炭素あるいはカーボンモレキュラーシーブを用いることができ、例えば、熱硬化性フェノール樹脂粉末と、熱硬化性樹脂の溶液と、高分子バインダーとの均一混合物を粒状に成形し、非酸化性雰囲気または弱酸化性雰囲気下において500〜1100℃の温度で一次加熱処理し、さらに弱酸化性雰囲気下において150〜1000℃の温度で30〜240分二次加熱処理することにより得られたものを好適に用いることができる。
【0031】
より詳しく説明すると、上記熱硬化性フェノール樹脂粉末としては、粒径1〜150μmのフェノール樹脂の球状一次粒子またはそれとその二次凝集物からなる熱硬化性フェノール樹脂微粉末が用いられる。好ましい球状一次粒子の粒径は2〜80μmの範囲である。また、上記熱硬化性フェノール樹脂粉末は、少なくとも全体の50重量%は100タイラーメッシュ篩を通過し得る大きさのものが用いられる。より好ましくは、全体の少なくとも90重量%は100タイラーメッシュ篩を通過しうる大きさである。
【0032】
さらに、上記熱硬化性フェノール樹脂粉末は、適度にしかしながら可成りの割合でメチロール基を含有するものが用いられる。すなわち、KBr錠剤法による赤外線吸収スペクトルにおいて1600cm−1(ベンゼンに帰属する吸収ピーク)の吸収強度をD1600,900〜1015cm−1(メチロール基に帰属する吸収ピーク)の範囲の最も大きな吸収強度をD900〜1015,890cm−1(ベンゼン核の孤立の水素原子の吸収ピーク)の吸収強度をD890で表わした場合に、下記式(1)および(2)を満足するものが用いられる。ここで、D900〜1015/D1600の比の値は、好ましくは0.3〜7.0の範囲であり、より好ましくは0.4〜0.5の範囲である。
D900〜1015/D1600=0.2〜9.0…(1)
D890/D1600=0.09〜1.0…(2)
【0033】
さらに、上記熱硬化性フェノール樹脂粉末は、還流下でのメタノールに対する溶解度が50重量%以下となる熱硬化性フェノール樹脂微粉末を用いることができる。
【0034】
ここで、上記メタノール溶解度は、試料約100gを精秤し(その精秤重量Cとする)、100%のメタノール約500ml中において30分間還流下で加熱処理した後、ガラスフィルターで濾過し、さらにフィルター残試料をフィルター上で約100mlのメタノールで洗浄し、ついでフィルター残試料を100℃の温度で2時間乾燥し(その精秤重量をDとする)下記の式(3)で求められるものである。
メタノール溶解度(%)=(C−D)/C×100…(3)
【0035】
上記式(3)で定義されるメタノール溶解度は、上記フェノール樹脂微粉末が架橋密度が適度にコントロールされ、かつメチロール基を可成り多量に含有しているという構造を有することによって発現する性質である。すなわち、架橋密度が低くメチノール基の含有量が大きい場合にはメタノール溶解度が高く、逆に架橋密度が高く、反応性メチロール基が減少するとメタノール溶解度は低くなる。上記メタノール溶解度は、好ましくは1〜40重量%であり、より好ましくは2〜35重量%である。
【0036】
上記熱硬化性樹脂の溶液としては、フェノール樹脂もしくはメラミン樹脂の溶液を好適に用いることができる。
【0037】
上記フェノール樹脂の溶液としては、例えば液状のレゾール樹脂またはノボラック樹脂があげられる。
【0038】
上記レゾール樹脂は、フェノール類をアルデヒド類と塩基性触媒の存在下で反応させることにより得られる初期生成物であり、通常メチロール基に富む分子量約600以下の自己熱架橋性のフェノール樹脂である。通常メタノールやアセトンを溶媒として液状樹脂として使用されることが多いが、フェノール1モルに対し、1.5〜3.5モルのアルデヒド類をやや過剰のアルカリ触媒の存在下で反応させた初期縮合物を安定な水溶性の状態に保った水溶性レゾール樹脂としても使用される。レゾール樹脂の硬化を促進する硬化触媒としては、硫酸,塩酸等の無機酸,あるいはシュウ酸,酢酸,パラトルエンスルホン酸,マイレン酸,マロン酸等の有機酸類を使用することができる。
【0039】
上記ノボラック樹脂は、フェノール類とアルデヒド類をモル比が例えば1/0.7〜1/0.9となるようなフェノール過剰の状態において、例えばシュウ酸,ギ酸,塩酸等の酸触媒の存在下で、フェノールとホルマリンを反応させて得られる。メタノール,アセトン等の溶媒により液状樹脂として供給することができる。このノボラック樹脂は、例えばヘキサメチレンテトラミン(ヘキサミン)を加えて加熱反応させることにより硬化することができる。
【0040】
上記メラミン樹脂は、メラミン−ホルムアルデヒドの初期縮合物であり、水溶性を有するので水溶液として使用できる。メラミン樹脂の硬化剤としては、例えば塩酸,硫酸等の無機酸やシュウ酸ジメチルエステルの様なカルボン酸エステル類,エチルアミン塩酸塩やトリエタノールアミン塩酸塩のようなアミン類の塩酸塩等を用いることができる。
【0041】
上記高分子バインダーとしては、ポリビニルアルコール又は、水溶性もしくは水膨潤性セルロース誘導体を用いることができる。
【0042】
上記ポリビニルアルコールとしては、重合度100〜5000.けん化度70%以上のものが好ましく使用される。カルボキシル基等で一部変性されたものも好適に用いられる。
【0043】
また、上記セルロース誘導体としては、例えばメチルセルロース,カルボキシメチルセルロース,ヒドロキシプロピルメチルセルロース等が好適に使用される。セルローズ誘導体は、メトキシ基(−OCH3),ヒドロキシプロポキシ基(−OC3H3OH)の導入量,重合度等により各種粘度のものとして用いることが出来る。
【0044】
上記熱硬化性フェノール樹脂粉末、熱硬化性樹脂の溶液、高分子バインダーを、熱硬化性フェノール樹脂粉末100重量部に対して、熱硬化性樹脂の溶液5〜50重量部、高分子バインダーを1〜30重量部混合して均一混合物を得る。
【0045】
上記熱硬化性フェノール樹脂微粉末100重量部当りの熱硬化性樹脂の溶液の混合量は、7〜40重量部がより好ましく、さらに好ましいのは10〜30重量部である。また、高分子バインダーの混合量は、2〜20重量部が好ましく、さらに好ましいのは3〜15重量部である。
【0046】
熱硬化性フェノール樹脂粉末、熱硬化性樹脂の溶液、高分子バインダーをそのまま混合することもできるし、これら以外の例えば水を加え、水の存在下に充分に混合することもできる。水は、例えば3成分を混合する前に、高分子バインダーを水に溶解した形で添加することもできる。水の添加量は、均一混合物固形分を基準にして好ましくは5〜30重量%であり、より好ましくは8〜20重量%である。
【0047】
また、上記3成分の他に、例えば澱粉、その誘導体または変性体を、熱硬化性フェノール樹脂微粉末100重量部当り5〜50重量部、より好ましくは10〜40重量部を加えることもできる。
【0048】
澱粉のような上記化合物としては、例えば馬鈴薯澱粉,とうもろこし澱粉の如き澱粉,酢酸澱粉,硫酸澱粉,燐酸澱粉の如きエステル化澱粉,ヒドロキシアルキル澱粉,カルボキシメチル澱粉の如きエーテル化澱粉,燐酸ジスターチ,グリセロールジスターチの如き架橋澱粉等の澱粉誘導体,あるいは酵素変性デキストリンの如き変性澱粉等を用いることができる。
【0049】
澱粉等のこれらの成分は、気孔形成材として好適に作用するものであり、後述する非酸化性雰囲気下での炭化時の熱分解による気孔の生成に関与するものと考えられる。これらの成分は、粉体として水に分散させた状態で、あるいは温水でアルファー化処理等の熱処理をした状態で、使用することができる。
【0050】
また、上記活性炭の製造にあたっては、その特性を失なわない範囲で、作業性の向上のため、例えばエチレングリコール,ポリオキシエチレンアルキルエーテル,ポリオキシエチレン脂肪酸エステル,ポリカルボン酸アンモニウム塩等の界面活性剤,液状熱硬化性樹脂の硬化剤,ポリビニルアルコールの架橋剤,押出造粒用の可塑剤,ヤシガラ微粉末,コール微粉末,タール,ピッチあるいはその他の合成樹脂等を少量加えることができる。
【0051】
上記熱硬化性フェノール樹脂粉末、熱硬化性樹脂の溶液、高分子バインダーの均一混合物の準備には、上述した原料物質を、例えばリボンミキサー,V型ミキサー,コーンミキサー,ニーダー等で混合することにより行なうことができる。
【0052】
例えば、これらの混合機の中で、所定量の熱硬化性フェノール樹脂微粉末に、必要に応じて澱粉等を加えて乾式混合したのち、所定量の熱硬化性樹脂の溶液および予め温水に溶解して準備したポリビニルアルコールの如き高分子バインダーを加えて十分に混合することによって実施できる。
【0053】
上記のようにして得られた均一混合物は、ついで粒状物に成形される。粒状物への成形は、例えば単軸あるいは、二軸の湿式押出造粒機,バスケット・リューザーの如き竪型造粒機,半乾式でのディスクペレッター等により行うことができる。
【0054】
特に湿式の押出造粒剤機により造粒した粒状体は、粒子の強度が大きく、炭化後の活性炭の分離能も大きいので好ましい。粒状物の形状は、例えば円柱状あるいは球状である。この造粒により得られる粒状体の大きさは、特に限定するものではないが、例えば円柱では、直径0.5〜5mm、長さ1〜10mm程度、球状の場合には直径0.5〜10mm程度が好ましい。
【0055】
このようにして得られた粒状の成形体を、非酸化性雰囲気または弱酸化性雰囲気下において500〜1100℃の温度で一次加熱処理する。
【0056】
上記非酸化性雰囲気は、例えばH2,Ar,He,N2等の不活性ガス雰囲気として得ることができる。また、弱酸化性雰囲気は、微量の酸化性ガスを含んだ雰囲気で、例えば、不活性ガスと微量の酸素、二酸化炭素、一酸化炭素、水蒸気またはこれらの混合物などの酸化性ガスを混合した雰囲気として得ることが出来る。この混合比率は特に限定しないが、非酸化性雰囲気の同一条件で加熱処理した場合の残炭率に対して、95%以上の残炭率になるように酸化性ガス量を決めるのが好ましい。残炭率が95%以上であれば、パーフルオロカーボンガスを高純度に分離精製するのに適した細孔が形成されやすい。残炭率とは、加熱処理前の重量に対する加熱処理後の重量の割合を示す。
【0057】
上記一次加熱処理は、500〜1100℃の温度範囲で行なわれるが、上記加熱処理温度が500℃未満では、比表面積が小さく、充分な吸着容量がなくしかも吸着選択性の低い活性炭しか得られない傾向が大きく、反対に1100℃を超えると、得られた活性炭の細孔が収縮して結局比表面積、細孔容積が減少し、吸着容量が低い活性炭しか得られない傾向が大きくなる。
【0058】
上記一次加熱処理の加熱温度は600〜1000℃がより好ましく、さらに好ましいのは650〜950℃である。また、上記加熱温度に到達するまでの昇温速度は、好ましくは5〜300℃/hrであり、より好ましくは10〜180℃/hrであり、さらに好ましくは15〜120℃/hrである。
【0059】
ついで、上記一次加熱処理された粒状の成形体を、さらに弱酸化性雰囲気下において150〜1000℃の温度で30〜240分二次加熱処理する。
【0060】
弱酸化性雰囲気は、上述したように、微量の酸化性ガスを含んだ雰囲気で、例えば、不活性ガスと微量の酸素、二酸化炭素、一酸化炭素、水蒸気またはこれらの混合物などの酸化性ガスを混合した雰囲気として得ることが出来る。この混合比率は特に限定しないが、非酸化性雰囲気の同一条件で加熱処理した場合の残炭率に対して、95%以上の残炭率になるように酸化性ガス量を決めるのが好ましい。残炭率が95%以上であれば、パーフルオロカーボンガスを高純度に分離精製するのに適した細孔が形成されやすい。残炭率とは、加熱処理前の重量に対する加熱処理後の重量の割合を示す。
【0061】
上記二次加熱処理は、150〜1000℃の温度範囲で行なわれる。上記加熱処理温度が150℃未満では、細孔が十分に拡大せずに十分な窒素ガスの吸着速度や脱着速度を得ることができず、反対に1000℃を超えると、細孔が拡大しすぎて精製対象とするパーフルオロカーボンガスまで吸着してしまい、高精度の分離精製ができなくなるからである。
【0062】
上記二次加熱処理は、例えば、加熱する際の弱酸化性雰囲気として酸素と窒素の混合ガスなどを用いた雰囲気の場合は150〜600℃の範囲が好ましく、弱酸化性雰囲気として二酸化炭素を含む雰囲気の場合は800〜1000℃の温度範囲が好ましい。昇温速度は特に限定しないが、昇温は不活性ガス中で行い、加熱温度に昇温後、弱酸化性雰囲気に切り替えるのが望ましい。
【0063】
このようにして得られた活性炭は、窒素の吸着速度が、吸着開始からの吸着時間が吸着平衡時までの全吸着時間に対して0.2%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の10%以上である。上記吸着速度は、さらに、吸着開始からの吸着時間が全吸着時間に対して0.8%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の40%以上であるのが好ましい。上記吸着速度は、さらに、吸着開始からの吸着時間が全吸着時間に対して1.6%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の60%以上であるのが好ましい。
【0064】
図1は、本発明のパーフルオロカーボンガスの精製装置の一例を示す図である。
【0065】
この装置は、吸着塔10A、10B、10C、10Dに上記不純分である窒素ガスを吸着する吸着剤として上述した活性炭が充填され、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスからパーフルオロカーボンガスを分離精製する装置である。
【0066】
この装置は、4つの吸着塔10A、10B、10C、10Dを備えた圧力スイング式の精製装置である。各吸着塔10A、10B、10C、10Dにおいて、後述する(1)吸着工程、(2)第1均圧工程、(3)排気工程、(4)脱着工程、(5)パージ工程、(6)第2均圧工程、(7)復圧工程を繰り返す。この際、各吸着塔10A、10B、10C、10D間で各工程をずらせて行なうことにより、連続的に精製ガスを得られるようになっている。
【0067】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、それぞれ処理対象ガスを導入する導入路12と連通し、導入路12からの処理対象ガスの導入状態を開閉する導入弁1A、1B、1C、1Dが設けられている。また、各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、それぞれ精製処理を終えた製品ガスを導出する導出路13と連通し、導出路13への製品ガスの導出状態を開閉する導出弁6A、6B、6C、6Dが設けられている。
【0068】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、真空ポンプ11により各吸着塔10A、10B、10C、10D内を真空排気して吸着剤に吸着された窒素ガスを脱着するための真空排気路18と連通し、真空排気路18との連通状態を開閉する真空排気弁3A,3B,3C,3Dを備えている。
【0069】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dには、吸着工程終了後に、真空ポンプ11による真空排気工程が終了した他の吸着塔10A、10B、10C、10Dとの間を連通させて、吸着工程後の吸着塔10A、10B、10C、10D内に残存したパーフルオロカーボンガスを真空排気工程後の他の吸着塔10A、10B、10C、10Dに回収する均圧工程を行なうための均圧路16A,16B,16C,16Dが設けられている。各均圧路16A,16B,16C,16Dには、それぞれ連通状態を開閉する均圧弁7A,7B,7C,7Dが設けられている。
【0070】
この例では、第1吸着塔10Aの塔頂部と第3吸着塔10Cの塔底部とが均圧路16Aおよび均圧弁7Aにより連通されて均圧工程をしうるようになっている。同様に、第2吸着塔10Bの塔頂部と第4吸着塔10Dの塔底部とが均圧路16Bおよび均圧弁7Bにより、第3吸着塔10Cの塔頂部と第1吸着塔10Aの塔底部とが均圧路16Cおよび均圧弁7Cにより、第4吸着塔10Dの塔頂部と第2吸着塔10Bの塔底部とが均圧路16Dおよび均圧弁7Dにより、それぞれ連通可能になっている。
【0071】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、上記均圧工程後の各吸着塔10A、10B、10C、10D内に残存したガスを排出するための排出路17と連通し、排出路17との連通状態を開閉する排出弁2A,2B,2C,2Dが設けられている。
【0072】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、導出路13から製品ガスを塔頂部に導入するパージ工程を行なうためのパージ路15と連通し、パージ路15との連通状態を開閉するパージ弁4A,4B,4C,4Dを備えている。また、各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、均圧工程後に導出路13から製品ガスを塔頂部に導入して復圧する復圧工程を行なうための復圧路14と連通し、復圧路14との連通状態を開閉する復圧弁5A,5B,5C,5Dを備えている。導出路13には第1開閉弁8、復圧路14には第2開閉弁9が設けられている。
【0073】
つぎに、(1)吸着工程、(2)第1均圧工程、(3)排気工程、(4)脱着工程、(5)パージ工程、(6)第2均圧工程、(7)復圧工程についてそれぞれ説明する。
【0074】
図2に示すように、この装置では、上述した7工程を第1〜第8ステップの8段階で実行し、各吸着塔10A、10B、10C、10D間で工程をずらせながら連続的に製品ガスを得られるようになっている。
【0075】
すなわち、第1ステップでは、第1吸着塔10Aで(1)吸着工程を、第2吸着塔10Bで(6)第2均圧工程を、第3吸着塔10Cで(4)脱着工程を、第4吸着塔10Dで(2)第1均圧工程を行なう。
第2ステップでは、第1吸着塔10Aで(1)吸着工程を、第2吸着塔10Bで(7)復圧工程を、第3吸着塔10Cで(5)パージ工程を、第4吸着塔10Dで(3)排気工程を行なう。
第3ステップでは、第1吸着塔10Aで(2)第1均圧工程を、第2吸着塔10Bで(1)吸着工程を、第3吸着塔10Cで(6)第2均圧工程を、第4吸着塔10Dで(4)脱着工程を行なう。
第4ステップでは、第1吸着塔10Aで(3)排気工程を、第2吸着塔10Bで(1)吸着工程を、第3吸着塔10Cで(7)復圧工程を、第4吸着塔10Dで(5)パージ工程を行なう。
第5ステップでは、第1吸着塔10Aで(4)脱着工程を、第2吸着塔10Bで(2)第1均圧工程を、第3吸着塔10Cで(1)吸着工程を、第4吸着塔10Dで(6)第2均圧工程を行なう。
第6ステップでは、第1吸着塔10Aで(5)パージ工程を、第2吸着塔10Bで(3)排気工程を、第3吸着塔10Cで(1)吸着工程を、第4吸着塔10Dで(7)復圧工程を行なう。
第7ステップでは、第1吸着塔10Aで(6)第2均圧工程を、第2吸着塔10Bで(4)脱着工程を、第3吸着塔10Cで(2)第1均圧工程を、第4吸着塔10Dで(1)吸着工程を行なう。
第8ステップでは、第1吸着塔10Aで(7)復圧工程を、第2吸着塔10Bで(5)パージ工程を、第3吸着塔10Cで(3)排気工程を、第4吸着塔10Dで(1)吸着工程を行なう。
【0076】
図3〜図10において、上記第1〜第8のステップを説明する。なお、以下の説明では、各工程を主として第1吸着塔10Aに着目した説明を行ない、第2〜第4吸着塔10B,10C,10Dで行なわれる同様の工程の説明は省略する。
【0077】
図3は、第1ステップを示す。
【0078】
(1)吸着工程
第1ステップでは、第1吸着塔10Aにおいて(1)吸着工程が行なわれる。(1)吸着工程では、導入弁1A、導出弁6Aおよび第1開閉弁8が開弁され、処理対象ガスを吸着圧力(例えば0.55MPaG)で第1吸着塔10Aの塔底部に導入し、吸着圧力に維持した塔内で、塔内に充填された吸着剤に接触させる。この(1)吸着工程では、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスが80〜99vol%混入された処理対象ガスから、窒素ガスを吸着剤に吸着させて精製し、精製された製品ガスを塔頂部から取り出して導出路13から導出する。
【0079】
この第1ステップでは、第1吸着塔10Aで(1)吸着工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは後述する(6)第2均圧工程が、第3吸着塔10Cでは後述する(4)脱着工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(2)第1均圧工程が行なわれている。
【0080】
図4は、第2ステップを示す。
【0081】
第2ステップは、第1吸着塔10Aでは第1ステップに引き続き(1)吸着工程が行なわれる。(1)吸着工程が終了すると、導入弁1Aおよび導出弁6Aを閉じ、第2ステップを終了する。
【0082】
第2ステップでは、第1吸着塔10Aで(1)吸着工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは後述する(7)復圧工程が、第3吸着塔10Cでは後述する(5)パージ工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(3)排気工程が行なわれている。
【0083】
図5は、第3ステップを示す。
【0084】
(2)第1均圧工程
第3ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(1)吸着工程が終了し、(2)第1均圧工程が行なわれる。(2)第1均圧工程では、均圧弁7Aを開弁して均圧路16Aを介して第1吸着塔10Aの塔頂部と第3吸着塔10Cの塔底部を連通させて均圧状態にする。この(2)第1均圧工程により、(1)吸着工程が終了した加圧状態の第1吸着塔10Aから、後述する(5)パージ工程が終了して減圧状態の第3吸着塔10Cに対し、塔内に残留しているパーフルオロカーボンガスを移動させて回収する。この(2)第1均圧工程により、第1吸着塔10Aの塔内圧力は、例えば0.55MPaGから0.15MPaGまで降下する。(2)第1均圧工程が終了すると、均圧弁7Aを閉じて第3ステップを終了する。
【0085】
第3ステップでは、第1吸着塔10Aで(2)第1均圧工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(1)吸着工程が、第3吸着塔10Cでは後述する(6)第2均圧工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(4)脱着工程が行なわれている。
【0086】
図6は、第4ステップを示す。
【0087】
(3)排気工程
第4ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(2)第1均圧工程が終了し、(3)排気工程が行なわれる。(3)排気工程では、排気弁2Aを開弁し、(2)第1均圧工程が終了して依然加圧状態の第1吸着塔10Aから、パーフルオロカーボンガスを排出して塔内圧力を大気圧(0MPaG)に戻す。(3)排気工程で排出されたパーフルオロカーボンガスは、例えば、図示しない除害装置により除害して放出することができる。(3)排気工程が終了すると、排気弁2Aを閉じて第4ステップを終了する。
【0088】
第4ステップでは、第1吸着塔10Aで(3)排気工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(1)吸着工程が、第3吸着塔10Cでは後述する(7)復圧工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(5)パージ工程が行なわれている。
【0089】
図7は、第5ステップを示す。
【0090】
(4)脱着工程
第5ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(3)排気工程が終了し、(4)脱着工程が行なわれる。(4)脱着工程では、真空排気弁3Aを開弁し、真空ポンプ11により塔内を減圧して塔内の吸着剤に吸着された窒素ガスを脱着させる。(4)脱着工程での塔内圧力は、例えば−0.095MPaG程度に設定される。
【0091】
第5ステップでは、第1吸着塔10Aで(4)脱着工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(2)第1均圧工程が、第3吸着塔10Cでは上述した(1)吸着工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(6)第2均圧工程が行なわれている。
【0092】
図8は、第6ステップを示す。
【0093】
(5)パージ工程
第6ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(4)脱着工程が終了し、(5)パージ工程が行なわれる。(5)パージ工程では、(4)脱着工程に引き続き真空排気弁3Aを開弁した状態で塔内の減圧を続けるととともに、パージ弁4Aを開弁し、導出路13を流れる製品ガスの一部をパージ路15を通して第1吸着塔10Aの塔頂部から導入し、吸着剤に吸着された窒素ガスを脱着させると同時に、第1吸着塔10A内の洗浄を行なう。(5)パージ工程での塔内圧力は、例えば(4)脱着工程と同レベルの−0.095MPaG程度に維持される。このとき、真空排気路18から排出されるパーフルオロカーボンガスは、例えば、図示しない除害装置により除害して放出することができる。(5)パージ工程が終了すると、真空排気弁3Aおよびパージ弁4Aを閉じ、第6ステップを終了する。
【0094】
第6ステップでは、第1吸着塔10Aで(5)パージ工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(3)排気工程が、第3吸着塔10Cでは上述した(1)吸着工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(7)復圧工程が行なわれている。
【0095】
図9は、第7ステップを示す。
【0096】
(6)第2均圧工程
第7ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(5)パージ工程が終了し、(6)第2均圧工程が行なわれる。(6)第2均圧工程では、第3吸着塔10Cの均圧弁7Cを開弁して均圧路16Cを介して第3吸着塔10Cの塔頂部と第1吸着塔10Aの塔底部を連通させて均圧状態にする。この(6)第2均圧工程により、(5)パージ工程が終了して減圧状態の第1吸着塔10Aに対し、(1)吸着工程が終了した加圧状態の第3吸着塔10Cから塔内に残留しているパーフルオロカーボンガスを移動させて回収する。この(6)第2均圧工程により、第1吸着塔10Aの塔内圧力は、例えば−0.095MPaGから0.15MPaGまで上昇する。(6)第2均圧工程が終了すると、均圧弁7Cを閉じて第7ステップを終了する。
【0097】
第7ステップでは、第1吸着塔10Aで(6)第2均圧工程を行なうと同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(4)脱着工程が、第3吸着塔10Cでは上述した(2)第1均圧工程が、第4吸着塔10Dでは上述した(1)吸着工程が行なわれている。
【0098】
図10は、第8ステップを示す。
【0099】
(7)復圧工程
第8ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(6)第2均圧工程が終了し、(7)復圧工程が行なわれる。(7)復圧工程では、復圧弁5Aを開弁し、導出路13を流れる製品ガスを復圧路14を通して第1吸着塔10Aの塔頂部から供給し、塔内の圧力を吸着圧力(例えば0.55MPaG)まで上昇させる。(7)復圧工程が終了すると復圧弁5Aを閉じて第8ステップを終了する。
【0100】
第8ステップでは、第1吸着塔10Aで上述した(7)復圧工程が行なわれていると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(5)パージ工程が、第3吸着塔10Cでは上述した(3)排気工程が、第4吸着塔10Dでは上述した(1)吸着工程が行なわれている。
【0101】
第8ステップが終了すると再び第1ステップに戻り、第1ステップ〜第8ステップを繰り返す。これにより、第1〜第4吸着塔10A,10B,10C,10Dにおいて、それぞれ(1)吸着工程、(2)第1均圧工程、(3)排気工程、(4)脱着工程、(5)パージ工程、(6)第2均圧工程、(7)復圧工程が繰り返し行なわれる。
【0102】
そして、必要に応じて、上述した複数(この例では4つ)の吸着塔10A〜10Dを並列的に使用した吸着装置を、複数段階直列的に連結して複数段階の吸着を行なってパーフルオロカーボンガスの分離生成を行なうことができる。
【0103】
この場合、上述したように、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔では活性炭もしくはゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着するようにすることができる。
【0104】
下流側の吸着塔でゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着する場合、上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭を層状に積層して充填することができる。また、この場合、上記下流側の吸着塔には、ガス流に対して上流側にゼオライト4Aを充填し、下流側に活性炭を充填することができる。また、この場合、上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭を略半分ずつ充填することができる。
【0105】
つぎに、実施例について説明する。
【実施例】
【0106】
合成ゼオライト(4A)を用いてN2、CF4、C2F6の吸着試験を行った。吸着温度を一定に保ちながら吸着圧力を変化させたときの、活性炭単位重量あたりのガス吸着量を測定し、吸着等温線を得た。その結果を図11および表1に示す。この結果からわかるとおり、N2の吸着現象は確認されるが、CF4、C2F6の吸着現象は殆ど見られない。
【表1】
【0107】
つぎに、下記のようにして活性炭を製造した。
【0108】
まず、フェノール樹脂粉末(エア・ウォーター株式会社製、ベルパールR800)100重量部に対し、メラミン樹脂水溶液を固形分で8重量部、重合度1700、けん化度99%のポリビニルアルコールを温水で20重量%の水溶液となるように溶解したポリビニルアルコール水溶液20重量部、馬鈴薯澱粉2重量部、界面活性剤(花王株式会社製、ペレックスNB−L)0.7重量部計量した。
【0109】
ついで、上記原料の内メラミン樹脂水溶液、ポリビニルアルコール水溶液、馬鈴薯澱粉、界面活性剤を5分間混合し、その混合物にフェノール樹脂粉末を加え更に10分間混合した。
【0110】
つぎに、この混合組成物を2軸押出し造粒機(不二パウダル株式会社製、ペレッタダブルEXDF−100型)で押出し、1.3φ×1〜3mmの円柱状ペレットを得た。
【0111】
得られたペレットは窒素気流下において115℃で4時間かけて充分に乾燥した後、有効径750mmφ×4250mmLのロータリーキルンに入れ、一次加熱処理として、窒素気流下の非酸化性雰囲気において、650℃まで昇温し、該温度で3時間保持した後、窒素気流下で炉冷し、炭化ペレットを得た。
【0112】
更に得られた炭化ペレットを静置式の炉に入れ、二次加熱処理として、窒素気流下において、300℃まで昇温し、窒素中に酸素を10%になるようにした弱酸化性雰囲気で1時間保持した後、窒素気流下で炉冷して活性炭を得た。
【0113】
上記のようにして得られた活性炭について、容量法によって窒素ガスの吸着量の経時変化を測定した。測定装置としてBELSORP−HP(日本ベル社製)を使用した。基準容量Vsは92.95ml、活性炭の死容量Vdは27.3382ml、活性炭の重量Wは2.176gであった。また、装置の初期設定圧力を4000Torr(533.288kPa)すなわち実測での初期導入圧力Piを4144.11Torr(552.501kPa)とし、測定開始から2500秒経過した時点を平衡とし、平衡圧力Peは2941.68Torr(392.191kPa)、平衡吸着量は17.36Nml/gであった。測定温度は25℃であった。
【0114】
この場合、所定の吸着時間が経過した1点目の吸着量V1は、下記の式により求められる。ここで、P°は測定温度における窒素の飽和蒸気圧、Tは絶対温度である。
V1=〔{Pi1Vs−Pe1(Vs+Vd)}×273.15〕/P°WT
【0115】
また、1点目の吸着時間からさらに所定の吸着時間が経過した2点目の吸着量V2−1は、下記の式により求められる。
ΔV2−1=〔{(Pi2Vs+Pe1Vd)−Pe2(Vs+Vd)}×273.15〕/P°WT
【0116】
上記2点目の吸着量V2は、1点目の吸着量V1に吸着の増加量ΔV2−1を加算した値である。
【0117】
そして、吸着開始からの吸着時間が吸着平衡時までの全吸着時間が2500秒のとき、平衡時の全吸着量に対する各経過時間での吸着量の100分率を吸着率(%)として算出した結果を下記の表2に示す。このように、5秒経過時の吸着率は11.58%、20秒経過時の吸着率は44.61%、40秒経過時の吸着率は68.73%であった。
【表2】
【0118】
すなわち、窒素の吸着速度は、窒素の吸着速度が、吸着開始からの吸着時間が吸着平衡時までの全吸着時間に対して0.2%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の10%以上である。上記吸着速度は、さらに、吸着開始からの吸着時間が全吸着時間に対して0.8%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の40%以上であるのが好ましい。上記吸着速度は、さらに、吸着開始からの吸着時間が全吸着時間に対して1.6%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の60%以上であるのが好ましいことがわかる。
【0119】
上記のようにして得られた活性炭を使用してN2、CF4、C2F6の吸着試験を行い、上記同様の吸着等温線を得た。その結果を図12および表3に示す。この結果からわかるとおり、N2の吸着現象は確認されるが、パーフルオロカーボンガスの吸着量は0.1Nl/kg未満であり、CF4、C2F6の吸着現象は殆ど見られない。
【表3】
【0120】
つぎに、比較例として、合成ゼオライト(5A)を用いて上記同様の吸着等温線を得た。その結果を図13および表4に示す。この結果からわかるとおり、ゼオライト5Aではここに示したこれらのガスをいずれも吸着するため、例えば圧力スイング吸着法によってこれらのガスからN2を選択的に除去することが困難であることがわかる。
【表4】
【0121】
つぎに、上記ゼオライト4Aを用い、図1に示す分離精製装置において、N2を不純分として含むパーフルオロカーボンガスとの混合ガスである処理対象ガス(CF4+N2)から圧力スイング吸着法にてパーフルオロカーボンガスの分離精製を行なった。
【0122】
ここで、上述した4塔式の分離精製装置に処理対象ガスを供給し、1サイクルを終了させることを1段処理とし、1段処理後、2段処理後の精製ガスの組成を測定した。
【0123】
実施例1は、1段目、2段目ともに吸着塔にゼオライト4Aを充填して精製したものである。実施例1の圧力スイング式分離精製装置の運転条件を下記の表5に示す。
【表5】
【0124】
実施例2は、1段目の吸着塔にゼオライト4Aを充填し、2段目の吸着塔には上記のようにして製造した活性炭とゼオライト4Aの双方を充填して精製したものである。2段目すなわち下流側の吸着塔の充填状態は図14(A)に示すものであり、ガスの流れに対して上流側すなわち塔下部側にゼオライト4Aを、下流側すなわち塔上部側に活性炭を概ね半分ずつ層状に積層して充填している。実施例2の圧力スイング式分離精製装置の運転条件を下記の表6に示す。
【表6】
【0125】
実験例3は、1段目の吸着塔にゼオライト4Aを充填し、2段目の吸着塔には上記実施例のようにして製造した活性炭を充填して精製したものである。2段目すなわち下流側の吸着塔の充填状態は図14(B)に示すとおりである。実験例3の圧力スイング式分離精製装置の運転条件を下記の表7に示す。
【表7】
【0126】
実験例4は、1段目の吸着塔にゼオライト4Aを充填し、2段目の吸着塔には上記実施例のようにして製造した活性炭を充填して精製したものである。2段目すなわち下流側の吸着塔の充填状態は図14(A)に示すものであり、ガスの流れに対して上流側すなわち塔下部側の約3分の1にゼオライト4Aを、下流側すなわち塔上部側の約3分の2に活性炭を層状に積層して充填している。実験例4の圧力スイング式分離精製装置の運転条件を下記の表8に示す。
【表8】
【0127】
上記実施例1,2および実験例3,4の運転条件において、CF4+N2を原料ガスとして分離精製したときの1段処理後、2段処理後それぞれの精製ガスの組成を測定した。実施例1,2の結果を下記の表9に、実験例3,4の結果を下記の表10に示す。
【表9】
【表10】
【0128】
以上のように、前記合成ゼオライト4Aを用いた圧力スイング吸着法を用いることによって、N2を含むCF4混合ガスから、CF4を高純度に精製することが可能となった。したがって、半導体または液晶製造プロセスなどから排出されたパーフルオロカーボンガスの高純度化による有効な再利用が可能であることがわかる。
【0129】
以上のように、本実施形態では、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有するガスを出発物質の処理対象ガスとし、上記処理対象ガスから不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることによりパーフルオロカーボンガスを分離精製した。このようにすることにより、不純分である窒素を効果的に吸着除去し、99.999%以上の高純度のパーフルオロカーボンガスを分離精製することが可能となった。これにより、例えば半導体または液晶製造プロセスなどから排出されたパーフルオロカーボンガスの高純度化による有効な再利用が可能となる。
【0130】
上記パーフルオロカーボンガスが、分子量140以下のものである場合には、不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させてパーフルオロカーボンガスだけを高精度に分離精製することができる。
【0131】
上記処理対象ガスは、パーフルオロカーボンガスの濃度が85容量%以上99容量%以下である場合には、半導体または液晶製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスを精製して多量の精製ガスを得ることができ、その再利用が可能となる。
【0132】
吸着剤が充填された吸着塔が複数直列的に連結されて複数段階の吸着を行い、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔ではゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着する場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0133】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が層状に積層されて充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0134】
上記下流側の吸着塔には、ガス流に対して上流側にゼオライト4Aが充填され、下流側に活性炭が充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0135】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が略半分ずつ充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0136】
本発明において、上記活性炭は、熱硬化性フェノール樹脂粉末と、熱硬化性樹脂の溶液と、高分子バインダーとの均一混合物を粒状に成形し、非酸化性雰囲気または弱酸化性雰囲気下において500〜1100℃の温度で一次加熱処理し、さらに弱酸化性雰囲気下において150〜1000℃の温度で30〜240分二次加熱処理することにより得られたものである場合には、二次加熱処理によって細孔径が適度に大きくなると考えられ、十分な窒素の吸着速度が得られ、処理対象ガスを活性炭に接触させたときに窒素が十分吸着されずにスルーしてしまい十分な純度で分離精製できなかったり、あるいは吸着された窒素の脱着が遅すぎて活性炭の再生工程を含めた全体の工程で時間がかかりすぎたりする問題が解消される。また、パーフルオロカーボンガスを吸着してしまうことも防止できる。このため、パーフルオロカーボンガスを短時間で効率よく高純度に分離精製できるようになる。
【0137】
本発明において、上記活性炭は、初期導入圧力が552.501kPaのときの窒素の吸着速度が、吸着開始からの吸着時間が吸着平衡時までの全吸着時間に対して0.2%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の10%以上である場合には、処理対象ガスを活性炭に接触させたときに窒素が十分吸着されずにスルーしてしまい十分な純度で分離精製できなかったり、あるいは吸着された窒素の脱着が遅すぎて活性炭の再生工程を含めた全体の工程で時間がかかりすぎたりする問題が解消され、パーフルオロカーボンガスを短時間で効率よく高純度に分離精製できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【0138】
【図1】本発明のパーフルオロカーボンガスの分離生成装置の一例を示す系統図である。
【図2】上記分離生成装置を用いた分離生成の工程図である。
【図3】第1ステップを説明する図である。
【図4】第2ステップを説明する図である。
【図5】第3ステップを説明する図である。
【図6】第4ステップを説明する図である。
【図7】第5ステップを説明する図である。
【図8】第6ステップを説明する図である。
【図9】第7ステップを説明する図である。
【図10】第8ステップを説明する図である。
【図11】ゼオライト4Aの吸着等温線を示す図である。
【図12】活性炭の吸着等温線を示す図である。
【図13】ゼオライト5Aの吸着等温線を示す図である。
【図14】2段目の吸着塔における充填状態を示す図である。
【符号の説明】
【0139】
1A,1B,1C,1D:導入弁
2A,2B,2C,2D:排出弁
3A,3B,3C,3D:真空排気弁
4A,4B,4C,4D:パージ弁
5A,5B,5C,5D:復圧弁
6A,6B,6C,6D:導出弁
7A,7B,7C,7D:均圧弁
8:第1開閉弁
9:第2開閉弁
10A,10B,10C,10D:吸着塔
11:真空ポンプ
12:導入路
13:導出路
14:復圧路
15:パージ路
16A,16B,16C,16D:均圧路
17:排出路
18:真空排気路
【技術分野】
【0001】
本発明は、パーフルオロカーボンガスの精製方法および装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
テトラフルオロメタン(CF4)、へキサフルオロエタン(C2F6)などの一般にパーフルオロカーボン(PFC)と称されるガスは、半導体または液晶製造における重要な材料である。
【0003】
しかしながら、これらのガスは、その地球温暖化係数が、CF4で5,700、C2F6で11,900であり、地球温暖化係数1の二酸化炭素(CO2)に比べて格段にその値が大きい。このことから、これらのガスを半導体または液晶製造の使用後においてそのまま大気に放出することは、地球温暖化に大きな悪影響を与えることとなる。一方、フロン類の削減に関する「京都議定書」(2005年2月16日発効)において、これらのガスの日本における削減率は、それぞれ1990年、1995年に対して6%とすることが決定された。
【0004】
これを受けて、エレクトロニクス産業界の自主削減目標として、「液晶業界では、2010年には2000年レベルまで、またIC業界では、2010年には1995年レベルの10%減」とすることが決められた。
【0005】
これらのガスは半導体または液晶製造装置に供給されて半導体または液晶の製造に使用された後、1vol%未満の濃度(残りは殆んどN2であり、半導体または液晶製造装置内での反応によって生成した化学的に反応性の大きなハロゲン系ガスが混在している)で排出されてくる。この排出ガスは現在のところ、種々の原理の除害装置を用いて無害化処理が行われているのが一般的である。
【0006】
ところが、例えば、一般的な無害化処理装置である大気圧プラズマ装置では、CF4の消費量が膨大であり、このためにその排出ガスの無害化処理の負荷が過大になってきている現状がある。
【0007】
一方で、これらの排出ガスを回収する試みも行われている。回収されたこれらのガスは廃フロン処理施設で破壊処理されるか、これらのガスの製造プラントに戻されて精製され、再使用されている。さらには、不純分としてのハロゲン系ガス(例えば、HF、SiF4等)、酸素(O2)、水分(H2O)が1volppm未満となるまで除去され、回収・濃縮された濃度が80〜95vol%(残りはN2)とされたガスを、再使用可能な半導体または液晶製造装置に供給することが行なわれ始めてきた。
【0008】
回収の方法は種々の検討がなされているが、実用化のためには、ガスの精製が大きなポイントとなる。この点が克服できれば、半導体または液晶の製造工程で再便用することができ、地球温暖化防止の観点からも大きな貢献が期待され、さらに実質的に消費するこれらのガスの大幅な削減につながることから、経済的に大きな貢献を果たすことができる。
【特許文献1】特開2004−284834号公報
【特許文献2】特開2000−15056号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
上述したような背景から、これまで半導体または液晶製造プロセスから排出されるパーフルオロカーボンガスや他の半導体製造用ガスであるSF6と、N2との混合ガスから、パーフルオロカーボンガスやSF6を高純度で得る方法について、検討されている。
【0010】
上記特許文献1には、窒素(N2)中に六フッ化硫黄(SF6)を含む混合ガスからSF6を高純度、高回収率で回収することができ、排出されるN2にはSF6がほとんど含まれない状態にすることができるSF6の精製方法および装置が開示されている。しかしながら、上記特許文献1では、比較的分子量の大きいSF6を精製することに留まり、分子量の小さなCF4やC2F6等のパーフルオロカーボンガスを効果的に分離精製しうるものではない。
【0011】
また、上記特許文献1には、第1の吸着手段として活性炭が用いられ、この活性炭は、SF6を選択的に吸着するものであり、N2を吸着するものではない。また、上記特許文献1の方法で精製されるSF6の純度は99.998%に留まり、再利用するのに十分な純度であるファイブナイン(99.999%)以上の高純度は達成されていない。さらに、上記特許文献1には、どの様な活性炭が用いられているかは、具体的に明示されていない。
【0012】
また、上記特許文献2には、ゼオライト及び活性炭を使ったテトラフルオロメタン(CF4)の精製方法について記載されているが、これは、従来周知の製造方法にてCF4を製造した場合、エチレン化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素および/または二酸化炭素などがCF4製造工程中の不純分として含まれるため、これら不純分をゼオライトや炭素質吸着剤などで除去し、CF4の純度を99.999%以上まで精製する方法であって、半導体製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスを再利用するために精製することを目的としたものではない。またこのような理由から、混合ガスからの吸着除去対象がN2ではなく、前述の不純分ガスであることから、パーフルオロカーボンガスが85%以上の原料ガスから効果的に高純度のパーフルオロカーボンガスを精製しうるものにはなっていない。
【0013】
このように、現在開示されているゼオライトの吸着を用いたパーフルオロカーボンガスの精製に関する方法では、精製できるガス種や原料ガスの組成が限られており、また、半導体または液晶製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスの再利用を目的とした不純分成分の除去精製に着眼したものも少ないと考えられる。
【0014】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、半導体または液晶製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスの再利用を可能とするパーフルオロカーボンガスの精製方法および装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0015】
すなわち、本発明のパーフルオロカーボンガスの精製方法は、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスから、上記不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることにより、パーフルオロカーボンガスを分離精製することを要旨とする。
【0016】
また、本発明のパーフルオロカーボンガスの精製装置は、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスからパーフルオロカーボンガスを分離精製する装置であって、吸着塔に上記不純分である窒素ガスを吸着するためのゼオライト4Aが充填されていることを要旨とする。
【発明の効果】
【0017】
本発明は、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有するガスを出発物質の処理対象ガスとし、上記処理対象ガスから不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることによりパーフルオロカーボンガスを分離精製した。このようにすることにより、不純分である窒素を効果的に吸着除去し、99.999%以上の高純度のパーフルオロカーボンガスを分離精製することが可能となった。これにより、例えば半導体または液晶製造プロセスなどから排出されたパーフルオロカーボンガスの高純度化による有効な再利用が可能となる。
【0018】
上記パーフルオロカーボンガスが、分子量140以下のものである場合には、不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させてパーフルオロカーボンガスだけを高精度に分離精製することができる。
【0019】
上記処理対象ガスは、パーフルオロカーボンガスの濃度が85容量%以上99容量%以下である場合には、半導体または液晶製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスを精製して多量の精製ガスを得ることができ、その再利用が可能となる。
【0020】
吸着剤が充填された吸着塔が複数直列的に連結されて複数段階の吸着を行い、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔では活性炭を使用して窒素ガスを吸着する場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0021】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着する場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0022】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が層状に積層されて充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0023】
上記下流側の吸着塔には、ガス流に対して上流側にゼオライト4Aが充填され、下流側に活性炭が充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0024】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が略半分ずつ充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0025】
つぎに、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【0026】
本発明のパーフルオロカーボンガスの精製方法は、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスから、上記不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることにより、パーフルオロカーボンガスを分離精製する。
【0027】
上記処理対象ガスは、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスであり、パーフルオロカーボンガスの濃度が85容量%以上99容量%以下のものが、ゼオライト4Aによって窒素ガスを吸着することによる分離精製に適しており、分離精製したパーフルオロカーボンガスを再利用するのに適しているため、好適に用いることができる。
【0028】
上記パーフルオロカーボンガスとしては、分子量140以下のもの、具体的にはCF4およびC2F6を好適に用いることができる。
【0029】
吸着剤が充填された吸着塔が複数直列的に連結されて複数段階の吸着を行い、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔では活性炭もしくはゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着するようにすることができる。
【0030】
上記活性炭としては、好適には分子ふるい炭素あるいはカーボンモレキュラーシーブを用いることができ、例えば、熱硬化性フェノール樹脂粉末と、熱硬化性樹脂の溶液と、高分子バインダーとの均一混合物を粒状に成形し、非酸化性雰囲気または弱酸化性雰囲気下において500〜1100℃の温度で一次加熱処理し、さらに弱酸化性雰囲気下において150〜1000℃の温度で30〜240分二次加熱処理することにより得られたものを好適に用いることができる。
【0031】
より詳しく説明すると、上記熱硬化性フェノール樹脂粉末としては、粒径1〜150μmのフェノール樹脂の球状一次粒子またはそれとその二次凝集物からなる熱硬化性フェノール樹脂微粉末が用いられる。好ましい球状一次粒子の粒径は2〜80μmの範囲である。また、上記熱硬化性フェノール樹脂粉末は、少なくとも全体の50重量%は100タイラーメッシュ篩を通過し得る大きさのものが用いられる。より好ましくは、全体の少なくとも90重量%は100タイラーメッシュ篩を通過しうる大きさである。
【0032】
さらに、上記熱硬化性フェノール樹脂粉末は、適度にしかしながら可成りの割合でメチロール基を含有するものが用いられる。すなわち、KBr錠剤法による赤外線吸収スペクトルにおいて1600cm−1(ベンゼンに帰属する吸収ピーク)の吸収強度をD1600,900〜1015cm−1(メチロール基に帰属する吸収ピーク)の範囲の最も大きな吸収強度をD900〜1015,890cm−1(ベンゼン核の孤立の水素原子の吸収ピーク)の吸収強度をD890で表わした場合に、下記式(1)および(2)を満足するものが用いられる。ここで、D900〜1015/D1600の比の値は、好ましくは0.3〜7.0の範囲であり、より好ましくは0.4〜0.5の範囲である。
D900〜1015/D1600=0.2〜9.0…(1)
D890/D1600=0.09〜1.0…(2)
【0033】
さらに、上記熱硬化性フェノール樹脂粉末は、還流下でのメタノールに対する溶解度が50重量%以下となる熱硬化性フェノール樹脂微粉末を用いることができる。
【0034】
ここで、上記メタノール溶解度は、試料約100gを精秤し(その精秤重量Cとする)、100%のメタノール約500ml中において30分間還流下で加熱処理した後、ガラスフィルターで濾過し、さらにフィルター残試料をフィルター上で約100mlのメタノールで洗浄し、ついでフィルター残試料を100℃の温度で2時間乾燥し(その精秤重量をDとする)下記の式(3)で求められるものである。
メタノール溶解度(%)=(C−D)/C×100…(3)
【0035】
上記式(3)で定義されるメタノール溶解度は、上記フェノール樹脂微粉末が架橋密度が適度にコントロールされ、かつメチロール基を可成り多量に含有しているという構造を有することによって発現する性質である。すなわち、架橋密度が低くメチノール基の含有量が大きい場合にはメタノール溶解度が高く、逆に架橋密度が高く、反応性メチロール基が減少するとメタノール溶解度は低くなる。上記メタノール溶解度は、好ましくは1〜40重量%であり、より好ましくは2〜35重量%である。
【0036】
上記熱硬化性樹脂の溶液としては、フェノール樹脂もしくはメラミン樹脂の溶液を好適に用いることができる。
【0037】
上記フェノール樹脂の溶液としては、例えば液状のレゾール樹脂またはノボラック樹脂があげられる。
【0038】
上記レゾール樹脂は、フェノール類をアルデヒド類と塩基性触媒の存在下で反応させることにより得られる初期生成物であり、通常メチロール基に富む分子量約600以下の自己熱架橋性のフェノール樹脂である。通常メタノールやアセトンを溶媒として液状樹脂として使用されることが多いが、フェノール1モルに対し、1.5〜3.5モルのアルデヒド類をやや過剰のアルカリ触媒の存在下で反応させた初期縮合物を安定な水溶性の状態に保った水溶性レゾール樹脂としても使用される。レゾール樹脂の硬化を促進する硬化触媒としては、硫酸,塩酸等の無機酸,あるいはシュウ酸,酢酸,パラトルエンスルホン酸,マイレン酸,マロン酸等の有機酸類を使用することができる。
【0039】
上記ノボラック樹脂は、フェノール類とアルデヒド類をモル比が例えば1/0.7〜1/0.9となるようなフェノール過剰の状態において、例えばシュウ酸,ギ酸,塩酸等の酸触媒の存在下で、フェノールとホルマリンを反応させて得られる。メタノール,アセトン等の溶媒により液状樹脂として供給することができる。このノボラック樹脂は、例えばヘキサメチレンテトラミン(ヘキサミン)を加えて加熱反応させることにより硬化することができる。
【0040】
上記メラミン樹脂は、メラミン−ホルムアルデヒドの初期縮合物であり、水溶性を有するので水溶液として使用できる。メラミン樹脂の硬化剤としては、例えば塩酸,硫酸等の無機酸やシュウ酸ジメチルエステルの様なカルボン酸エステル類,エチルアミン塩酸塩やトリエタノールアミン塩酸塩のようなアミン類の塩酸塩等を用いることができる。
【0041】
上記高分子バインダーとしては、ポリビニルアルコール又は、水溶性もしくは水膨潤性セルロース誘導体を用いることができる。
【0042】
上記ポリビニルアルコールとしては、重合度100〜5000.けん化度70%以上のものが好ましく使用される。カルボキシル基等で一部変性されたものも好適に用いられる。
【0043】
また、上記セルロース誘導体としては、例えばメチルセルロース,カルボキシメチルセルロース,ヒドロキシプロピルメチルセルロース等が好適に使用される。セルローズ誘導体は、メトキシ基(−OCH3),ヒドロキシプロポキシ基(−OC3H3OH)の導入量,重合度等により各種粘度のものとして用いることが出来る。
【0044】
上記熱硬化性フェノール樹脂粉末、熱硬化性樹脂の溶液、高分子バインダーを、熱硬化性フェノール樹脂粉末100重量部に対して、熱硬化性樹脂の溶液5〜50重量部、高分子バインダーを1〜30重量部混合して均一混合物を得る。
【0045】
上記熱硬化性フェノール樹脂微粉末100重量部当りの熱硬化性樹脂の溶液の混合量は、7〜40重量部がより好ましく、さらに好ましいのは10〜30重量部である。また、高分子バインダーの混合量は、2〜20重量部が好ましく、さらに好ましいのは3〜15重量部である。
【0046】
熱硬化性フェノール樹脂粉末、熱硬化性樹脂の溶液、高分子バインダーをそのまま混合することもできるし、これら以外の例えば水を加え、水の存在下に充分に混合することもできる。水は、例えば3成分を混合する前に、高分子バインダーを水に溶解した形で添加することもできる。水の添加量は、均一混合物固形分を基準にして好ましくは5〜30重量%であり、より好ましくは8〜20重量%である。
【0047】
また、上記3成分の他に、例えば澱粉、その誘導体または変性体を、熱硬化性フェノール樹脂微粉末100重量部当り5〜50重量部、より好ましくは10〜40重量部を加えることもできる。
【0048】
澱粉のような上記化合物としては、例えば馬鈴薯澱粉,とうもろこし澱粉の如き澱粉,酢酸澱粉,硫酸澱粉,燐酸澱粉の如きエステル化澱粉,ヒドロキシアルキル澱粉,カルボキシメチル澱粉の如きエーテル化澱粉,燐酸ジスターチ,グリセロールジスターチの如き架橋澱粉等の澱粉誘導体,あるいは酵素変性デキストリンの如き変性澱粉等を用いることができる。
【0049】
澱粉等のこれらの成分は、気孔形成材として好適に作用するものであり、後述する非酸化性雰囲気下での炭化時の熱分解による気孔の生成に関与するものと考えられる。これらの成分は、粉体として水に分散させた状態で、あるいは温水でアルファー化処理等の熱処理をした状態で、使用することができる。
【0050】
また、上記活性炭の製造にあたっては、その特性を失なわない範囲で、作業性の向上のため、例えばエチレングリコール,ポリオキシエチレンアルキルエーテル,ポリオキシエチレン脂肪酸エステル,ポリカルボン酸アンモニウム塩等の界面活性剤,液状熱硬化性樹脂の硬化剤,ポリビニルアルコールの架橋剤,押出造粒用の可塑剤,ヤシガラ微粉末,コール微粉末,タール,ピッチあるいはその他の合成樹脂等を少量加えることができる。
【0051】
上記熱硬化性フェノール樹脂粉末、熱硬化性樹脂の溶液、高分子バインダーの均一混合物の準備には、上述した原料物質を、例えばリボンミキサー,V型ミキサー,コーンミキサー,ニーダー等で混合することにより行なうことができる。
【0052】
例えば、これらの混合機の中で、所定量の熱硬化性フェノール樹脂微粉末に、必要に応じて澱粉等を加えて乾式混合したのち、所定量の熱硬化性樹脂の溶液および予め温水に溶解して準備したポリビニルアルコールの如き高分子バインダーを加えて十分に混合することによって実施できる。
【0053】
上記のようにして得られた均一混合物は、ついで粒状物に成形される。粒状物への成形は、例えば単軸あるいは、二軸の湿式押出造粒機,バスケット・リューザーの如き竪型造粒機,半乾式でのディスクペレッター等により行うことができる。
【0054】
特に湿式の押出造粒剤機により造粒した粒状体は、粒子の強度が大きく、炭化後の活性炭の分離能も大きいので好ましい。粒状物の形状は、例えば円柱状あるいは球状である。この造粒により得られる粒状体の大きさは、特に限定するものではないが、例えば円柱では、直径0.5〜5mm、長さ1〜10mm程度、球状の場合には直径0.5〜10mm程度が好ましい。
【0055】
このようにして得られた粒状の成形体を、非酸化性雰囲気または弱酸化性雰囲気下において500〜1100℃の温度で一次加熱処理する。
【0056】
上記非酸化性雰囲気は、例えばH2,Ar,He,N2等の不活性ガス雰囲気として得ることができる。また、弱酸化性雰囲気は、微量の酸化性ガスを含んだ雰囲気で、例えば、不活性ガスと微量の酸素、二酸化炭素、一酸化炭素、水蒸気またはこれらの混合物などの酸化性ガスを混合した雰囲気として得ることが出来る。この混合比率は特に限定しないが、非酸化性雰囲気の同一条件で加熱処理した場合の残炭率に対して、95%以上の残炭率になるように酸化性ガス量を決めるのが好ましい。残炭率が95%以上であれば、パーフルオロカーボンガスを高純度に分離精製するのに適した細孔が形成されやすい。残炭率とは、加熱処理前の重量に対する加熱処理後の重量の割合を示す。
【0057】
上記一次加熱処理は、500〜1100℃の温度範囲で行なわれるが、上記加熱処理温度が500℃未満では、比表面積が小さく、充分な吸着容量がなくしかも吸着選択性の低い活性炭しか得られない傾向が大きく、反対に1100℃を超えると、得られた活性炭の細孔が収縮して結局比表面積、細孔容積が減少し、吸着容量が低い活性炭しか得られない傾向が大きくなる。
【0058】
上記一次加熱処理の加熱温度は600〜1000℃がより好ましく、さらに好ましいのは650〜950℃である。また、上記加熱温度に到達するまでの昇温速度は、好ましくは5〜300℃/hrであり、より好ましくは10〜180℃/hrであり、さらに好ましくは15〜120℃/hrである。
【0059】
ついで、上記一次加熱処理された粒状の成形体を、さらに弱酸化性雰囲気下において150〜1000℃の温度で30〜240分二次加熱処理する。
【0060】
弱酸化性雰囲気は、上述したように、微量の酸化性ガスを含んだ雰囲気で、例えば、不活性ガスと微量の酸素、二酸化炭素、一酸化炭素、水蒸気またはこれらの混合物などの酸化性ガスを混合した雰囲気として得ることが出来る。この混合比率は特に限定しないが、非酸化性雰囲気の同一条件で加熱処理した場合の残炭率に対して、95%以上の残炭率になるように酸化性ガス量を決めるのが好ましい。残炭率が95%以上であれば、パーフルオロカーボンガスを高純度に分離精製するのに適した細孔が形成されやすい。残炭率とは、加熱処理前の重量に対する加熱処理後の重量の割合を示す。
【0061】
上記二次加熱処理は、150〜1000℃の温度範囲で行なわれる。上記加熱処理温度が150℃未満では、細孔が十分に拡大せずに十分な窒素ガスの吸着速度や脱着速度を得ることができず、反対に1000℃を超えると、細孔が拡大しすぎて精製対象とするパーフルオロカーボンガスまで吸着してしまい、高精度の分離精製ができなくなるからである。
【0062】
上記二次加熱処理は、例えば、加熱する際の弱酸化性雰囲気として酸素と窒素の混合ガスなどを用いた雰囲気の場合は150〜600℃の範囲が好ましく、弱酸化性雰囲気として二酸化炭素を含む雰囲気の場合は800〜1000℃の温度範囲が好ましい。昇温速度は特に限定しないが、昇温は不活性ガス中で行い、加熱温度に昇温後、弱酸化性雰囲気に切り替えるのが望ましい。
【0063】
このようにして得られた活性炭は、窒素の吸着速度が、吸着開始からの吸着時間が吸着平衡時までの全吸着時間に対して0.2%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の10%以上である。上記吸着速度は、さらに、吸着開始からの吸着時間が全吸着時間に対して0.8%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の40%以上であるのが好ましい。上記吸着速度は、さらに、吸着開始からの吸着時間が全吸着時間に対して1.6%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の60%以上であるのが好ましい。
【0064】
図1は、本発明のパーフルオロカーボンガスの精製装置の一例を示す図である。
【0065】
この装置は、吸着塔10A、10B、10C、10Dに上記不純分である窒素ガスを吸着する吸着剤として上述した活性炭が充填され、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスからパーフルオロカーボンガスを分離精製する装置である。
【0066】
この装置は、4つの吸着塔10A、10B、10C、10Dを備えた圧力スイング式の精製装置である。各吸着塔10A、10B、10C、10Dにおいて、後述する(1)吸着工程、(2)第1均圧工程、(3)排気工程、(4)脱着工程、(5)パージ工程、(6)第2均圧工程、(7)復圧工程を繰り返す。この際、各吸着塔10A、10B、10C、10D間で各工程をずらせて行なうことにより、連続的に精製ガスを得られるようになっている。
【0067】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、それぞれ処理対象ガスを導入する導入路12と連通し、導入路12からの処理対象ガスの導入状態を開閉する導入弁1A、1B、1C、1Dが設けられている。また、各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、それぞれ精製処理を終えた製品ガスを導出する導出路13と連通し、導出路13への製品ガスの導出状態を開閉する導出弁6A、6B、6C、6Dが設けられている。
【0068】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、真空ポンプ11により各吸着塔10A、10B、10C、10D内を真空排気して吸着剤に吸着された窒素ガスを脱着するための真空排気路18と連通し、真空排気路18との連通状態を開閉する真空排気弁3A,3B,3C,3Dを備えている。
【0069】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dには、吸着工程終了後に、真空ポンプ11による真空排気工程が終了した他の吸着塔10A、10B、10C、10Dとの間を連通させて、吸着工程後の吸着塔10A、10B、10C、10D内に残存したパーフルオロカーボンガスを真空排気工程後の他の吸着塔10A、10B、10C、10Dに回収する均圧工程を行なうための均圧路16A,16B,16C,16Dが設けられている。各均圧路16A,16B,16C,16Dには、それぞれ連通状態を開閉する均圧弁7A,7B,7C,7Dが設けられている。
【0070】
この例では、第1吸着塔10Aの塔頂部と第3吸着塔10Cの塔底部とが均圧路16Aおよび均圧弁7Aにより連通されて均圧工程をしうるようになっている。同様に、第2吸着塔10Bの塔頂部と第4吸着塔10Dの塔底部とが均圧路16Bおよび均圧弁7Bにより、第3吸着塔10Cの塔頂部と第1吸着塔10Aの塔底部とが均圧路16Cおよび均圧弁7Cにより、第4吸着塔10Dの塔頂部と第2吸着塔10Bの塔底部とが均圧路16Dおよび均圧弁7Dにより、それぞれ連通可能になっている。
【0071】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、上記均圧工程後の各吸着塔10A、10B、10C、10D内に残存したガスを排出するための排出路17と連通し、排出路17との連通状態を開閉する排出弁2A,2B,2C,2Dが設けられている。
【0072】
各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、導出路13から製品ガスを塔頂部に導入するパージ工程を行なうためのパージ路15と連通し、パージ路15との連通状態を開閉するパージ弁4A,4B,4C,4Dを備えている。また、各吸着塔10A、10B、10C、10Dは、均圧工程後に導出路13から製品ガスを塔頂部に導入して復圧する復圧工程を行なうための復圧路14と連通し、復圧路14との連通状態を開閉する復圧弁5A,5B,5C,5Dを備えている。導出路13には第1開閉弁8、復圧路14には第2開閉弁9が設けられている。
【0073】
つぎに、(1)吸着工程、(2)第1均圧工程、(3)排気工程、(4)脱着工程、(5)パージ工程、(6)第2均圧工程、(7)復圧工程についてそれぞれ説明する。
【0074】
図2に示すように、この装置では、上述した7工程を第1〜第8ステップの8段階で実行し、各吸着塔10A、10B、10C、10D間で工程をずらせながら連続的に製品ガスを得られるようになっている。
【0075】
すなわち、第1ステップでは、第1吸着塔10Aで(1)吸着工程を、第2吸着塔10Bで(6)第2均圧工程を、第3吸着塔10Cで(4)脱着工程を、第4吸着塔10Dで(2)第1均圧工程を行なう。
第2ステップでは、第1吸着塔10Aで(1)吸着工程を、第2吸着塔10Bで(7)復圧工程を、第3吸着塔10Cで(5)パージ工程を、第4吸着塔10Dで(3)排気工程を行なう。
第3ステップでは、第1吸着塔10Aで(2)第1均圧工程を、第2吸着塔10Bで(1)吸着工程を、第3吸着塔10Cで(6)第2均圧工程を、第4吸着塔10Dで(4)脱着工程を行なう。
第4ステップでは、第1吸着塔10Aで(3)排気工程を、第2吸着塔10Bで(1)吸着工程を、第3吸着塔10Cで(7)復圧工程を、第4吸着塔10Dで(5)パージ工程を行なう。
第5ステップでは、第1吸着塔10Aで(4)脱着工程を、第2吸着塔10Bで(2)第1均圧工程を、第3吸着塔10Cで(1)吸着工程を、第4吸着塔10Dで(6)第2均圧工程を行なう。
第6ステップでは、第1吸着塔10Aで(5)パージ工程を、第2吸着塔10Bで(3)排気工程を、第3吸着塔10Cで(1)吸着工程を、第4吸着塔10Dで(7)復圧工程を行なう。
第7ステップでは、第1吸着塔10Aで(6)第2均圧工程を、第2吸着塔10Bで(4)脱着工程を、第3吸着塔10Cで(2)第1均圧工程を、第4吸着塔10Dで(1)吸着工程を行なう。
第8ステップでは、第1吸着塔10Aで(7)復圧工程を、第2吸着塔10Bで(5)パージ工程を、第3吸着塔10Cで(3)排気工程を、第4吸着塔10Dで(1)吸着工程を行なう。
【0076】
図3〜図10において、上記第1〜第8のステップを説明する。なお、以下の説明では、各工程を主として第1吸着塔10Aに着目した説明を行ない、第2〜第4吸着塔10B,10C,10Dで行なわれる同様の工程の説明は省略する。
【0077】
図3は、第1ステップを示す。
【0078】
(1)吸着工程
第1ステップでは、第1吸着塔10Aにおいて(1)吸着工程が行なわれる。(1)吸着工程では、導入弁1A、導出弁6Aおよび第1開閉弁8が開弁され、処理対象ガスを吸着圧力(例えば0.55MPaG)で第1吸着塔10Aの塔底部に導入し、吸着圧力に維持した塔内で、塔内に充填された吸着剤に接触させる。この(1)吸着工程では、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスが80〜99vol%混入された処理対象ガスから、窒素ガスを吸着剤に吸着させて精製し、精製された製品ガスを塔頂部から取り出して導出路13から導出する。
【0079】
この第1ステップでは、第1吸着塔10Aで(1)吸着工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは後述する(6)第2均圧工程が、第3吸着塔10Cでは後述する(4)脱着工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(2)第1均圧工程が行なわれている。
【0080】
図4は、第2ステップを示す。
【0081】
第2ステップは、第1吸着塔10Aでは第1ステップに引き続き(1)吸着工程が行なわれる。(1)吸着工程が終了すると、導入弁1Aおよび導出弁6Aを閉じ、第2ステップを終了する。
【0082】
第2ステップでは、第1吸着塔10Aで(1)吸着工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは後述する(7)復圧工程が、第3吸着塔10Cでは後述する(5)パージ工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(3)排気工程が行なわれている。
【0083】
図5は、第3ステップを示す。
【0084】
(2)第1均圧工程
第3ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(1)吸着工程が終了し、(2)第1均圧工程が行なわれる。(2)第1均圧工程では、均圧弁7Aを開弁して均圧路16Aを介して第1吸着塔10Aの塔頂部と第3吸着塔10Cの塔底部を連通させて均圧状態にする。この(2)第1均圧工程により、(1)吸着工程が終了した加圧状態の第1吸着塔10Aから、後述する(5)パージ工程が終了して減圧状態の第3吸着塔10Cに対し、塔内に残留しているパーフルオロカーボンガスを移動させて回収する。この(2)第1均圧工程により、第1吸着塔10Aの塔内圧力は、例えば0.55MPaGから0.15MPaGまで降下する。(2)第1均圧工程が終了すると、均圧弁7Aを閉じて第3ステップを終了する。
【0085】
第3ステップでは、第1吸着塔10Aで(2)第1均圧工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(1)吸着工程が、第3吸着塔10Cでは後述する(6)第2均圧工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(4)脱着工程が行なわれている。
【0086】
図6は、第4ステップを示す。
【0087】
(3)排気工程
第4ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(2)第1均圧工程が終了し、(3)排気工程が行なわれる。(3)排気工程では、排気弁2Aを開弁し、(2)第1均圧工程が終了して依然加圧状態の第1吸着塔10Aから、パーフルオロカーボンガスを排出して塔内圧力を大気圧(0MPaG)に戻す。(3)排気工程で排出されたパーフルオロカーボンガスは、例えば、図示しない除害装置により除害して放出することができる。(3)排気工程が終了すると、排気弁2Aを閉じて第4ステップを終了する。
【0088】
第4ステップでは、第1吸着塔10Aで(3)排気工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(1)吸着工程が、第3吸着塔10Cでは後述する(7)復圧工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(5)パージ工程が行なわれている。
【0089】
図7は、第5ステップを示す。
【0090】
(4)脱着工程
第5ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(3)排気工程が終了し、(4)脱着工程が行なわれる。(4)脱着工程では、真空排気弁3Aを開弁し、真空ポンプ11により塔内を減圧して塔内の吸着剤に吸着された窒素ガスを脱着させる。(4)脱着工程での塔内圧力は、例えば−0.095MPaG程度に設定される。
【0091】
第5ステップでは、第1吸着塔10Aで(4)脱着工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(2)第1均圧工程が、第3吸着塔10Cでは上述した(1)吸着工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(6)第2均圧工程が行なわれている。
【0092】
図8は、第6ステップを示す。
【0093】
(5)パージ工程
第6ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(4)脱着工程が終了し、(5)パージ工程が行なわれる。(5)パージ工程では、(4)脱着工程に引き続き真空排気弁3Aを開弁した状態で塔内の減圧を続けるととともに、パージ弁4Aを開弁し、導出路13を流れる製品ガスの一部をパージ路15を通して第1吸着塔10Aの塔頂部から導入し、吸着剤に吸着された窒素ガスを脱着させると同時に、第1吸着塔10A内の洗浄を行なう。(5)パージ工程での塔内圧力は、例えば(4)脱着工程と同レベルの−0.095MPaG程度に維持される。このとき、真空排気路18から排出されるパーフルオロカーボンガスは、例えば、図示しない除害装置により除害して放出することができる。(5)パージ工程が終了すると、真空排気弁3Aおよびパージ弁4Aを閉じ、第6ステップを終了する。
【0094】
第6ステップでは、第1吸着塔10Aで(5)パージ工程が行なわれると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(3)排気工程が、第3吸着塔10Cでは上述した(1)吸着工程が、第4吸着塔10Dでは後述する(7)復圧工程が行なわれている。
【0095】
図9は、第7ステップを示す。
【0096】
(6)第2均圧工程
第7ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(5)パージ工程が終了し、(6)第2均圧工程が行なわれる。(6)第2均圧工程では、第3吸着塔10Cの均圧弁7Cを開弁して均圧路16Cを介して第3吸着塔10Cの塔頂部と第1吸着塔10Aの塔底部を連通させて均圧状態にする。この(6)第2均圧工程により、(5)パージ工程が終了して減圧状態の第1吸着塔10Aに対し、(1)吸着工程が終了した加圧状態の第3吸着塔10Cから塔内に残留しているパーフルオロカーボンガスを移動させて回収する。この(6)第2均圧工程により、第1吸着塔10Aの塔内圧力は、例えば−0.095MPaGから0.15MPaGまで上昇する。(6)第2均圧工程が終了すると、均圧弁7Cを閉じて第7ステップを終了する。
【0097】
第7ステップでは、第1吸着塔10Aで(6)第2均圧工程を行なうと同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(4)脱着工程が、第3吸着塔10Cでは上述した(2)第1均圧工程が、第4吸着塔10Dでは上述した(1)吸着工程が行なわれている。
【0098】
図10は、第8ステップを示す。
【0099】
(7)復圧工程
第8ステップでは、第1吸着塔10Aでは、(6)第2均圧工程が終了し、(7)復圧工程が行なわれる。(7)復圧工程では、復圧弁5Aを開弁し、導出路13を流れる製品ガスを復圧路14を通して第1吸着塔10Aの塔頂部から供給し、塔内の圧力を吸着圧力(例えば0.55MPaG)まで上昇させる。(7)復圧工程が終了すると復圧弁5Aを閉じて第8ステップを終了する。
【0100】
第8ステップでは、第1吸着塔10Aで上述した(7)復圧工程が行なわれていると同時に、第2吸着塔10Bでは上述した(5)パージ工程が、第3吸着塔10Cでは上述した(3)排気工程が、第4吸着塔10Dでは上述した(1)吸着工程が行なわれている。
【0101】
第8ステップが終了すると再び第1ステップに戻り、第1ステップ〜第8ステップを繰り返す。これにより、第1〜第4吸着塔10A,10B,10C,10Dにおいて、それぞれ(1)吸着工程、(2)第1均圧工程、(3)排気工程、(4)脱着工程、(5)パージ工程、(6)第2均圧工程、(7)復圧工程が繰り返し行なわれる。
【0102】
そして、必要に応じて、上述した複数(この例では4つ)の吸着塔10A〜10Dを並列的に使用した吸着装置を、複数段階直列的に連結して複数段階の吸着を行なってパーフルオロカーボンガスの分離生成を行なうことができる。
【0103】
この場合、上述したように、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔では活性炭もしくはゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着するようにすることができる。
【0104】
下流側の吸着塔でゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着する場合、上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭を層状に積層して充填することができる。また、この場合、上記下流側の吸着塔には、ガス流に対して上流側にゼオライト4Aを充填し、下流側に活性炭を充填することができる。また、この場合、上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭を略半分ずつ充填することができる。
【0105】
つぎに、実施例について説明する。
【実施例】
【0106】
合成ゼオライト(4A)を用いてN2、CF4、C2F6の吸着試験を行った。吸着温度を一定に保ちながら吸着圧力を変化させたときの、活性炭単位重量あたりのガス吸着量を測定し、吸着等温線を得た。その結果を図11および表1に示す。この結果からわかるとおり、N2の吸着現象は確認されるが、CF4、C2F6の吸着現象は殆ど見られない。
【表1】
【0107】
つぎに、下記のようにして活性炭を製造した。
【0108】
まず、フェノール樹脂粉末(エア・ウォーター株式会社製、ベルパールR800)100重量部に対し、メラミン樹脂水溶液を固形分で8重量部、重合度1700、けん化度99%のポリビニルアルコールを温水で20重量%の水溶液となるように溶解したポリビニルアルコール水溶液20重量部、馬鈴薯澱粉2重量部、界面活性剤(花王株式会社製、ペレックスNB−L)0.7重量部計量した。
【0109】
ついで、上記原料の内メラミン樹脂水溶液、ポリビニルアルコール水溶液、馬鈴薯澱粉、界面活性剤を5分間混合し、その混合物にフェノール樹脂粉末を加え更に10分間混合した。
【0110】
つぎに、この混合組成物を2軸押出し造粒機(不二パウダル株式会社製、ペレッタダブルEXDF−100型)で押出し、1.3φ×1〜3mmの円柱状ペレットを得た。
【0111】
得られたペレットは窒素気流下において115℃で4時間かけて充分に乾燥した後、有効径750mmφ×4250mmLのロータリーキルンに入れ、一次加熱処理として、窒素気流下の非酸化性雰囲気において、650℃まで昇温し、該温度で3時間保持した後、窒素気流下で炉冷し、炭化ペレットを得た。
【0112】
更に得られた炭化ペレットを静置式の炉に入れ、二次加熱処理として、窒素気流下において、300℃まで昇温し、窒素中に酸素を10%になるようにした弱酸化性雰囲気で1時間保持した後、窒素気流下で炉冷して活性炭を得た。
【0113】
上記のようにして得られた活性炭について、容量法によって窒素ガスの吸着量の経時変化を測定した。測定装置としてBELSORP−HP(日本ベル社製)を使用した。基準容量Vsは92.95ml、活性炭の死容量Vdは27.3382ml、活性炭の重量Wは2.176gであった。また、装置の初期設定圧力を4000Torr(533.288kPa)すなわち実測での初期導入圧力Piを4144.11Torr(552.501kPa)とし、測定開始から2500秒経過した時点を平衡とし、平衡圧力Peは2941.68Torr(392.191kPa)、平衡吸着量は17.36Nml/gであった。測定温度は25℃であった。
【0114】
この場合、所定の吸着時間が経過した1点目の吸着量V1は、下記の式により求められる。ここで、P°は測定温度における窒素の飽和蒸気圧、Tは絶対温度である。
V1=〔{Pi1Vs−Pe1(Vs+Vd)}×273.15〕/P°WT
【0115】
また、1点目の吸着時間からさらに所定の吸着時間が経過した2点目の吸着量V2−1は、下記の式により求められる。
ΔV2−1=〔{(Pi2Vs+Pe1Vd)−Pe2(Vs+Vd)}×273.15〕/P°WT
【0116】
上記2点目の吸着量V2は、1点目の吸着量V1に吸着の増加量ΔV2−1を加算した値である。
【0117】
そして、吸着開始からの吸着時間が吸着平衡時までの全吸着時間が2500秒のとき、平衡時の全吸着量に対する各経過時間での吸着量の100分率を吸着率(%)として算出した結果を下記の表2に示す。このように、5秒経過時の吸着率は11.58%、20秒経過時の吸着率は44.61%、40秒経過時の吸着率は68.73%であった。
【表2】
【0118】
すなわち、窒素の吸着速度は、窒素の吸着速度が、吸着開始からの吸着時間が吸着平衡時までの全吸着時間に対して0.2%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の10%以上である。上記吸着速度は、さらに、吸着開始からの吸着時間が全吸着時間に対して0.8%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の40%以上であるのが好ましい。上記吸着速度は、さらに、吸着開始からの吸着時間が全吸着時間に対して1.6%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の60%以上であるのが好ましいことがわかる。
【0119】
上記のようにして得られた活性炭を使用してN2、CF4、C2F6の吸着試験を行い、上記同様の吸着等温線を得た。その結果を図12および表3に示す。この結果からわかるとおり、N2の吸着現象は確認されるが、パーフルオロカーボンガスの吸着量は0.1Nl/kg未満であり、CF4、C2F6の吸着現象は殆ど見られない。
【表3】
【0120】
つぎに、比較例として、合成ゼオライト(5A)を用いて上記同様の吸着等温線を得た。その結果を図13および表4に示す。この結果からわかるとおり、ゼオライト5Aではここに示したこれらのガスをいずれも吸着するため、例えば圧力スイング吸着法によってこれらのガスからN2を選択的に除去することが困難であることがわかる。
【表4】
【0121】
つぎに、上記ゼオライト4Aを用い、図1に示す分離精製装置において、N2を不純分として含むパーフルオロカーボンガスとの混合ガスである処理対象ガス(CF4+N2)から圧力スイング吸着法にてパーフルオロカーボンガスの分離精製を行なった。
【0122】
ここで、上述した4塔式の分離精製装置に処理対象ガスを供給し、1サイクルを終了させることを1段処理とし、1段処理後、2段処理後の精製ガスの組成を測定した。
【0123】
実施例1は、1段目、2段目ともに吸着塔にゼオライト4Aを充填して精製したものである。実施例1の圧力スイング式分離精製装置の運転条件を下記の表5に示す。
【表5】
【0124】
実施例2は、1段目の吸着塔にゼオライト4Aを充填し、2段目の吸着塔には上記のようにして製造した活性炭とゼオライト4Aの双方を充填して精製したものである。2段目すなわち下流側の吸着塔の充填状態は図14(A)に示すものであり、ガスの流れに対して上流側すなわち塔下部側にゼオライト4Aを、下流側すなわち塔上部側に活性炭を概ね半分ずつ層状に積層して充填している。実施例2の圧力スイング式分離精製装置の運転条件を下記の表6に示す。
【表6】
【0125】
実験例3は、1段目の吸着塔にゼオライト4Aを充填し、2段目の吸着塔には上記実施例のようにして製造した活性炭を充填して精製したものである。2段目すなわち下流側の吸着塔の充填状態は図14(B)に示すとおりである。実験例3の圧力スイング式分離精製装置の運転条件を下記の表7に示す。
【表7】
【0126】
実験例4は、1段目の吸着塔にゼオライト4Aを充填し、2段目の吸着塔には上記実施例のようにして製造した活性炭を充填して精製したものである。2段目すなわち下流側の吸着塔の充填状態は図14(A)に示すものであり、ガスの流れに対して上流側すなわち塔下部側の約3分の1にゼオライト4Aを、下流側すなわち塔上部側の約3分の2に活性炭を層状に積層して充填している。実験例4の圧力スイング式分離精製装置の運転条件を下記の表8に示す。
【表8】
【0127】
上記実施例1,2および実験例3,4の運転条件において、CF4+N2を原料ガスとして分離精製したときの1段処理後、2段処理後それぞれの精製ガスの組成を測定した。実施例1,2の結果を下記の表9に、実験例3,4の結果を下記の表10に示す。
【表9】
【表10】
【0128】
以上のように、前記合成ゼオライト4Aを用いた圧力スイング吸着法を用いることによって、N2を含むCF4混合ガスから、CF4を高純度に精製することが可能となった。したがって、半導体または液晶製造プロセスなどから排出されたパーフルオロカーボンガスの高純度化による有効な再利用が可能であることがわかる。
【0129】
以上のように、本実施形態では、パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有するガスを出発物質の処理対象ガスとし、上記処理対象ガスから不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることによりパーフルオロカーボンガスを分離精製した。このようにすることにより、不純分である窒素を効果的に吸着除去し、99.999%以上の高純度のパーフルオロカーボンガスを分離精製することが可能となった。これにより、例えば半導体または液晶製造プロセスなどから排出されたパーフルオロカーボンガスの高純度化による有効な再利用が可能となる。
【0130】
上記パーフルオロカーボンガスが、分子量140以下のものである場合には、不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させてパーフルオロカーボンガスだけを高精度に分離精製することができる。
【0131】
上記処理対象ガスは、パーフルオロカーボンガスの濃度が85容量%以上99容量%以下である場合には、半導体または液晶製造プロセスで使用後のパーフルオロカーボンガスを精製して多量の精製ガスを得ることができ、その再利用が可能となる。
【0132】
吸着剤が充填された吸着塔が複数直列的に連結されて複数段階の吸着を行い、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔ではゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着する場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0133】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が層状に積層されて充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0134】
上記下流側の吸着塔には、ガス流に対して上流側にゼオライト4Aが充填され、下流側に活性炭が充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0135】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が略半分ずつ充填されている場合には、極めて効果的に窒素ガスを吸着して高純度のパーフルオロカーボンガスを得ることができる。
【0136】
本発明において、上記活性炭は、熱硬化性フェノール樹脂粉末と、熱硬化性樹脂の溶液と、高分子バインダーとの均一混合物を粒状に成形し、非酸化性雰囲気または弱酸化性雰囲気下において500〜1100℃の温度で一次加熱処理し、さらに弱酸化性雰囲気下において150〜1000℃の温度で30〜240分二次加熱処理することにより得られたものである場合には、二次加熱処理によって細孔径が適度に大きくなると考えられ、十分な窒素の吸着速度が得られ、処理対象ガスを活性炭に接触させたときに窒素が十分吸着されずにスルーしてしまい十分な純度で分離精製できなかったり、あるいは吸着された窒素の脱着が遅すぎて活性炭の再生工程を含めた全体の工程で時間がかかりすぎたりする問題が解消される。また、パーフルオロカーボンガスを吸着してしまうことも防止できる。このため、パーフルオロカーボンガスを短時間で効率よく高純度に分離精製できるようになる。
【0137】
本発明において、上記活性炭は、初期導入圧力が552.501kPaのときの窒素の吸着速度が、吸着開始からの吸着時間が吸着平衡時までの全吸着時間に対して0.2%経過したときの吸着量が平衡時の全吸着量の10%以上である場合には、処理対象ガスを活性炭に接触させたときに窒素が十分吸着されずにスルーしてしまい十分な純度で分離精製できなかったり、あるいは吸着された窒素の脱着が遅すぎて活性炭の再生工程を含めた全体の工程で時間がかかりすぎたりする問題が解消され、パーフルオロカーボンガスを短時間で効率よく高純度に分離精製できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【0138】
【図1】本発明のパーフルオロカーボンガスの分離生成装置の一例を示す系統図である。
【図2】上記分離生成装置を用いた分離生成の工程図である。
【図3】第1ステップを説明する図である。
【図4】第2ステップを説明する図である。
【図5】第3ステップを説明する図である。
【図6】第4ステップを説明する図である。
【図7】第5ステップを説明する図である。
【図8】第6ステップを説明する図である。
【図9】第7ステップを説明する図である。
【図10】第8ステップを説明する図である。
【図11】ゼオライト4Aの吸着等温線を示す図である。
【図12】活性炭の吸着等温線を示す図である。
【図13】ゼオライト5Aの吸着等温線を示す図である。
【図14】2段目の吸着塔における充填状態を示す図である。
【符号の説明】
【0139】
1A,1B,1C,1D:導入弁
2A,2B,2C,2D:排出弁
3A,3B,3C,3D:真空排気弁
4A,4B,4C,4D:パージ弁
5A,5B,5C,5D:復圧弁
6A,6B,6C,6D:導出弁
7A,7B,7C,7D:均圧弁
8:第1開閉弁
9:第2開閉弁
10A,10B,10C,10D:吸着塔
11:真空ポンプ
12:導入路
13:導出路
14:復圧路
15:パージ路
16A,16B,16C,16D:均圧路
17:排出路
18:真空排気路
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスから、上記不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることにより、パーフルオロカーボンガスを分離精製することを特徴とするパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項2】
上記パーフルオロカーボンガスが、分子量140以下のものである請求項1記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項3】
上記処理対象ガスは、パーフルオロカーボンガスの濃度が85容量%以上99容量%以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項4】
吸着剤が充填された吸着塔が複数直列的に連結されて複数段階の吸着を行い、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔では活性炭を使用して窒素ガスを吸着する請求項1〜3のいずれか一項に記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項5】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着する請求項4記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項6】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が層状に積層されて充填されている請求項5記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項7】
上記下流側の吸着塔には、ガス流に対して上流側にゼオライト4Aが充填され、下流側に活性炭が充填されている請求項6記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項8】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が略半分ずつ充填されている請求項7記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項9】
パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスからパーフルオロカーボンガスを分離精製する装置であって、吸着塔に上記不純分である窒素ガスを吸着するためのゼオライト4Aが充填されていることを特徴とするパーフルオロカーボンガスの精製装置。
【請求項1】
パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスから、上記不純分である窒素ガスをゼオライト4Aに吸着させることにより、パーフルオロカーボンガスを分離精製することを特徴とするパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項2】
上記パーフルオロカーボンガスが、分子量140以下のものである請求項1記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項3】
上記処理対象ガスは、パーフルオロカーボンガスの濃度が85容量%以上99容量%以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項4】
吸着剤が充填された吸着塔が複数直列的に連結されて複数段階の吸着を行い、上流側に配置された吸着塔において上記ゼオライト4Aで窒素ガスを吸着し、下流側に配置された吸着塔では活性炭を使用して窒素ガスを吸着する請求項1〜3のいずれか一項に記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項5】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭の双方を使用して窒素ガスを吸着する請求項4記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項6】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が層状に積層されて充填されている請求項5記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項7】
上記下流側の吸着塔には、ガス流に対して上流側にゼオライト4Aが充填され、下流側に活性炭が充填されている請求項6記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項8】
上記下流側の吸着塔には、ゼオライト4Aと活性炭が略半分ずつ充填されている請求項7記載のパーフルオロカーボンガスの精製方法。
【請求項9】
パーフルオロカーボンガスに対して不純分として窒素ガスを含有する処理対象ガスからパーフルオロカーボンガスを分離精製する装置であって、吸着塔に上記不純分である窒素ガスを吸着するためのゼオライト4Aが充填されていることを特徴とするパーフルオロカーボンガスの精製装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【公開番号】特開2009−62295(P2009−62295A)
【公開日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−229746(P2007−229746)
【出願日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【出願人】(000126115)エア・ウォーター株式会社 (254)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【出願人】(000126115)エア・ウォーター株式会社 (254)
【Fターム(参考)】
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