説明

フラーレン誘導体及びその製造方法

【課題】高温の酸性条件下においてもプロトン攻撃による親電子置換反応で脱イオン交換反応を起こさないプロトン伝導膜を製造するために、バインダーポリマーと均一に混合・分散させやすい有機溶媒可溶性のフラーレン誘導体電解質及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ホスホン酸エステル基−PO(OR)(RはC〜Cのアルキル基又はフェニル基)が結合し、有機化合物が実質的に結合していないフラーレン誘導体であり、好ましくは、スルホン酸基−SOM(MはH又はアルカリ金属イオン)が同時に結合したフラーレン誘導体。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、固体高分子型燃料電池で使用されるプロトン伝導膜の電解質用として有用なフラーレン誘導体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、固体高分子型燃料電池の性能を支配する電解質膜として、パ−フロロスルホン酸樹脂膜(DuPont社製,商品名Nafion膜)が用いられてきたが、該膜は高価なため、最近では炭化水素ポリマーをベースとした電解質膜が検討されている。この膜はスルホン酸基が芳香族環に直接結合した構造を有するが、非特許文献1に記載されているように、100℃以上の酸性条件下で長期間使用すると次第に脱スルホン酸基反応が生じ、性能が劣化してしまう欠陥がある。そのメカニズムは、芳香族環にプロトンが攻撃して親電子置換反応が生じるためであり、芳香族環とは異なった基体にスルホン酸基を直接結合する方法が求められている。
【0003】
この問題の解決に役立つ電解質として、フラーレンにスルホン酸基を直接結合したフラーレン誘導体が特許文献1に開示されているが、反応溶媒に使用するジメチルホルムアミドもスルホン酸化反応時に結合してしまい、目的物が得られないという問題があった。そのため、特許文献2や特許文献3には、基体のフラーレンとスルホン酸基を炭化水素系やフッ素系のスペーサー分子で結合する方法が開示されているが、製造方法が複雑になる上に、イオン交換容量を高くできないという欠点があった。
【0004】
本発明者は、スルホン酸化試薬としてKSOを用い、(ジメチルアセトアミド+水)という特定の反応溶媒を用いることで、反応溶媒の結合無しに、スルホン酸基をフラーレンに直接結合することに成功した。しかしながら、こうして得られたスルホン酸化フラーレンは水溶性であって有機溶媒に難溶であり、有機溶媒可溶性のバインダーポリマー内に均一に混合・分散させることが困難であった。本発明者は更に研究を進め、ホスホン酸エステル基をスルホン酸基と共存させて有機溶媒に可溶にすることで、この問題を解決した。
【0005】
従来、ホスホン酸化フラーレンは特許文献2などに一般的には開示されているが、具体的な製造方法は記載されておらず、また直接結合型の化学構造は明示されていない。また、特許文献4には、直接結合型の構造が一般的には示されているが、その具体的な製造方法は示されていない。また、スルホン酸基とホスホン酸基の共存型も、特許文献4の一般式には含まれるが、本発明のスルホン酸基とホスホン酸エステル基の共存型は示されていない。
【0006】
本発明者は、ホスホン酸エステル化試薬としてLiPO(OR)(RはC〜Cのアルキル基又はフェニル基)を用い、反応溶媒としてジオキサンを用いることで、反応溶媒の結合無しに、直接結合型のホスホン酸エステル化フラーレンを得ることに成功して本発明を完成した。なお、バインダーポリマーと混合・分散されたフラーレン誘導体のホスホン酸エステル基は、必要により加水分解でホスホン酸基に変換され、スルホン酸基と同様にプロトン伝導に寄与するので、目的によってはホスホン酸エステル基単独が結合したフラーレン誘導体も本発明では有用である。
【0007】
【特許文献1】特開2002−326984号公報
【特許文献2】特開2005−093417号公報
【特許文献3】特開2005−068124号公報
【特許文献4】特開2005−194304号公報
【非特許文献1】木本協司監修,「PEFC用電解質膜の開発」,シーエムシー出版,2005年12月発行,P.30
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明においては、高温の酸性条件下においてもプロトン攻撃による親電子置換反応で脱イオン交換反応を起さないプロトン伝導膜を製造するために、バインダーポリマーと均一に混合・分散させやすい有機溶媒可溶性のフラーレン誘導体電解質及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記の目的を達成するために、本発明は、ホスホン酸エステル基−PO(OR)(RはC〜Cのアルキル基又はフェニル基)が結合し、有機化合物が実質的に結合していないフラーレン誘導体であり、好ましくは、スルホン酸基−SOM(MはH又はアルカリ金属イオン)が同時に結合したフラーレン誘導体である。
また、ホスホン酸エステル基の結合数mとスルホン酸基の結合数nが、次の範囲にある前記フラーレン誘導体も本発明である。
【数1】

また、部分構造X−C−C−H(Xはホスホン酸エステル基又はスルホン酸基)を1〜12個含む前記フラーレン誘導体も本発明である。
また、反応溶媒としてジオキサンを用い、フラーレン又はスルホン酸化フラーレンとホスホン酸エステル化試薬LiPO(OR)(RはC〜Cのアルキル基又はフェニル基)を反応させることを特徴とする、前記フラーレン誘導体の製造方法も本発明である。
【発明の効果】
【0010】
本発明のフラーレン誘導体を用いることで、芳香族環にプロトンが攻撃して生じる親電子置換反応により脱イオン交換基反応を起こさないプロトン伝導膜を製造することができる。本発明のフラーレン誘導体は有機溶媒に可溶なので、電解質としてバインダーポリマーに均一に混合・分散することが容易である。本発明のフラーレン誘導体は、リチウム電池の電解質、バイオ分野の固体酸触媒、医用材料や医薬の原料として使用することも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
本発明は、ホスホン酸エステル基−PO(OR)(RはC〜Cのアルキル基又はフェニル基)が結合し、有機化合物が実質的に結合していないフラーレン誘導体であり、好ましくはスルホン酸基−SOM(MはH又はアルカリ金属イオン)が同時に結合したフラーレン誘導体である。ホスホン酸エステル基の結合数mとスルホン酸基の結合数nは、原料フラーレンに含まれる五員環の数から通常次の範囲にあるが、官能基の総数(m+n)は反応条件によって更に大きくすることも可能である。
【数2】

本発明のフラーレン誘導体は、反応方法に由来してX−C−C−H(Xはホスホン酸エステル基又はスルホン酸基)という部分構造を1〜12個含む。上記のフラーレン誘導体は、精製して官能基の種類と数が実質的に単一なフラーレン誘導体でもよく、また官能基の種類と数が異なるフラーレン誘導体の混合物でも構わない。
【0012】
本発明のフラーレン誘導体は、基体としてC60,C70,C76,C78,C84などのフラーレンを、特定の有機溶媒を用いて、スルホン酸化試薬KSO又はホスホン酸エステル化試薬LiPO(OR)と反応させることで製造することができる。反応は常圧または加圧下で、50〜200℃の反応温度を用いて、通常10〜200時間行わせる。
本発明者の研究によれば、フラーレンとスルホン酸化試薬との反応結果は、使用する有機溶媒によって表1のように大きく異なることが、生成物の赤外吸収スペクトルを測定することで判明した。表1の溶媒結合の場合は、反応溶媒に由来する有機化合物がフラーレンに結合するので、複雑なピークが赤外吸収スペクトルに現れ、単純なスペクトルを示す目的反応の生成物と容易に区別することができる。ちなみに、DMFは(CHNCOHであり、DMAcは(CHNCOCHで同じアミド系溶媒に属していて、両者の化学構造の差は僅かであるにもかかわらず、反応結果が全く異なることは驚くべき発見である。
【0013】
【表1】

※(特許文献1の実施例参照,溶媒はDMF)
【0014】
ここで、有機溶媒に水を添加する一つの理由は、スルホン酸化試薬の有機溶媒に対する溶解度を高めるためである。水を添加するもう一つの理由は、下記に示すように、反応時に生成するカルバニオンが、溶媒分子と結合する前に水からプロトンを引き抜いて安定化するためである。
【化1】

反応後のSOK型は、必要により、イオン交換法でSOH型や他のアルカリ金属イオン型に変換することが可能である。
【0015】
次に、ホスホン酸エステル化反応について説明する。ホスホン酸エステル化試薬LiPO(OR)(RはC〜Cのアルキル基又はフェニル基)は、非プロトン系極性有機溶媒を用い、通常25〜100℃の条件で次の反応により調製される。
【化2】

この中にフラーレン又は上記の方法で製造されたスルホン酸基SOKが結合したフラーレン誘導体を加えてホスホン酸エステル化反応を行うが、溶媒としてジメチルホルムアミドを用いると溶媒結合が生じるので、ジオキサンを用いる必要があることが生成物の赤外吸収スペクトル分析から判明した。この場合、同じ環状エーテル系のテトラヒドロフランを使用することも可能であるが、沸点が低いため反応温度が低くなるので、ジオキサンを用いることが好ましい。
【0016】
ホスホン酸エステル化反応時に生成するカルバニオンは、溶媒のジオキサンからプロトンを引き抜いて安定化する。
【化3】

本発明においては、反応中間体として生じるカルバニオンが溶媒と結合する前にプロトンを引き抜いて安定化するように、スルホン化反応時の水の添加やホスホン酸エステル化反応時のジオキサンの使用が行われる。
【化4】

本発明に係わるフラーレン誘導体においては、Xのβ位にプロトンが結合した上記の部分構造が主に含まれるが、一部の部分構造で、Hの代わりに水酸基OHやカルボン酸基COHが結合していても、有機化合物ではないので構わない。また次式のように、2個のXがフラーレンに付加する際に2重結合が生成するため、プロトンが結合していない部分構造が含まれていても、有機化合物が結合しないので構わない。
【化5】

【0017】
本発明のフラーレン誘導体を用いてプロトン伝導膜を製造する一つの方法は、バインダーポリマーであるパーフロロスルホン酸樹脂(DuPont社製,商品名Nafion樹脂)の含水アルコール溶液と、本発明のフラーレン誘導体のテトラヒドロフラン溶液を混合し、キャステイング法で成膜するか、ガラス繊維不織布や延伸多孔質ポリテトラフロロエチレン膜などの補強材に塗布含浸して乾燥することである。
上記の方法において、ポリフッ化ビニリデンなどのフッ素化樹脂やポリエーテルスルホン,ポリエーテルエーテルケトン,ポリイミドなどの炭化水素樹脂をパーフロロスルホン酸樹脂の替りにバインダーポリマーとして用いることができる。その場合、該樹脂と本発明のフラーレン誘導体をジメチルホルムアミド,ジメチルアセトアミド,テトラヒドロフランなどの有機溶媒に溶かして混合し、キャステイング法で成膜するか、ガラス繊維不織布や延伸多孔質ポリテトラフロロエチレン膜などの補強材に塗布含浸して乾燥することで成膜することができる。
【0018】
本発明のフラーレン誘導体は、スルホン酸基/ホスホン酸エステル基の比が充分に小さいと非水溶性なので、上記の方法で得られた膜を室温で塩酸水溶液に浸漬し、スルホン酸基のSOKをSOHに変換することでプロトン伝導膜を得ることができる。しかしながら、ホスホン酸エステル基を加水分解し、ホスホン酸基に変えてプロトン伝導に寄与させる場合や、長期間の使用中に物理的に押し出される可能性を低下させる場合は、NaS,HO−C−OH,HS−C−SHなどの二官能性化合物を用いて架橋し,不溶化することが好ましい。この場合、架橋を行うには次の三つの方式が可能である。
1)本発明のフラーレン誘導体の有機溶媒溶液に架橋剤を加えて加熱撹拌し、架橋したものをバインダーポリマーの有機溶媒溶液に添加してホモジナイザーで激しく撹拌混合した後、キャステイング法で成膜するか、ガラス繊維不織布や延伸多孔質ポリテトラフロロエチレン膜などの補強材に塗布含浸して乾燥することで成膜する。
2)本発明のフラーレン誘導体とバインダーポリマーの有機溶媒溶液に架橋剤を加え、加熱撹拌して架橋させた後、キャステイング法で成膜するか、ガラス繊維不織布や延伸多孔質ポリテトラフロロエチレン膜などの補強材に塗布含浸して乾燥することで成膜する。
3)本発明のフラーレン誘導体とバインダーポリマーの有機溶媒溶液に架橋剤を添加し、キャステイング法で成膜するか、ガラス繊維不織布や延伸多孔質ポリテトラフロロエチレン膜などの補強材に塗布含浸して成膜した後、加熱して溶媒を除去すると同時に架橋を行う。
【0019】
上述した三方式の成膜後に膜中に残存する架橋剤は、水やメタノールでよく洗浄して除去することが好ましい。膜中のホスホン酸エステル基PO(OR)は、塩酸/メタノール中で加熱して加水分解し、ホスホン酸基PO(OH)に変換することができる。この操作中に、共存するスルホン酸基SOKはSOH型に変換されるので、スルホン酸基とホスホン酸基を有するプロトン伝導膜を得ることができる。
次に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例1】
【0020】
300mlの三口フラスコにジエチルホスファイトHPO(OEt)を690mg、ジオキサンを200ml入れ、LiHを40mg添加した。80℃で加熱撹拌するとHが発生し、やがて溶液が透明になったので、フラーレンC60を720mg加え、そのまま80℃で4日間加熱撹拌した。反応終了後、溶媒を乾燥除去して残渣を(エタノール+THF)で抽出して固形分を濾別し、濾液の(エタノール+THF)を乾燥除去した後、KBrで赤外吸収スペクトルを測定したところ、2926cm−1にC,1209cm−1にP=O,1043cm−1にP−O−Cの吸収が表れ、ホスホン酸エステル基PO(OEt)が結合していることが確認された(図1参照)。
更に構造を確認するために、このホスホン酸エステル化フラーレン500mgにトリメチルシリルブロマイドを1g加えて室温で一晩エステル交換を行った後、水を加えて加水分解した。得られた生成物を乾燥後、KBrで赤外吸収スペクトルを測定したところ、Cの吸収は消失しており、3348cm−1にOH,1184cm−1にP=O.1074cm−1にP−O−Cの吸収が表れた。得られたホスホン酸化フラーレンをICP−AES(誘導結合プラズマ原子発光スペクトル法)でP分析を行い、燃焼法でC,H,Oの元素分析を行った結果は、C73.9%,P10.6%,H1.4%,O15.5%であり、ホスホン酸基PO(OH)とHが3〜4個程度結合していることが確認された。さらに、試料をDOに溶解してNMRを測定したところ、β位のプロトンと推定されるピークが確認された。得られたホスホン酸化フラーレンの収率は、フラーレンベースでおよそ35%であった。
【0021】
(比較例1)
実施例1において、ジオキサンの代わりにジメチルホルムアミドを用いて同様に操作し、生成物の赤外吸収スペクトルを測定したところ多くのピークが表れ、溶媒のジメチルホルムアミドが結合していることが確認された(図2参照)。
【実施例2】
【0022】
300mlの三口フラスコに、フラーレンC60を720mg、ジメチルアセトアミドを200ml入れた。ここに亜硫酸カリウムKSO 790mg(フラーレンの5倍モル)を水10mlに溶かして添加した後、80℃で4日間加熱撹拌した。反応終了後、溶媒を乾燥除去して残渣をエタノールで抽出した。固形分を濾別し、濾液のエタノールを乾燥除去した後、赤外吸収スペクトルをKBrを用いて測定したところ、1117cm−1にSO伸縮,619cm−1にCS伸縮のピークが表れた(図3参照)。また、ICP−AESによりS、K分析を行い、燃焼法でC,H,Oの元素分析を行った結果は、C57.5%,S11.4%,K14.7%,H0.55%,O13.0%であり、スルホン酸基SOKとHが4〜5個程度結合していることが確認された。さらに、試料をDOに溶解してNMRを測定したところ、β位のプロトンと推定されるピークが確認された。得られたスルホン酸化フラーレンの収率は、フラーレンベースでおよそ30%であった。
上記のスルホン酸化フラーレンを原料として、実施例1と同様な操作を行ったところ、赤外吸収スペクトルにはスルホン酸基とホスホン酸エステル基の吸収が表れ、両者が共存していることが確認された。またICP−AESを用いたP分析により、ホスホン酸エステル基は2個程度結合していることが確認され、水に難溶性であった。
【0023】
(比較例2)
実施例2において、ジメチルアセトアミドの代わりにジメチルホルムアミドを用いてKSOによるスルホン酸化反応を行い、生成物の赤外吸収スペクトルを測定したところ多くのピークが表れ、溶媒のジメチルホルムアミドが結合していることが確認された(図4参照)。
【0024】
(使用例1)
50mlのビーカーに、5%Nafion溶液(アルドリッチ社製,EW=1100)を20g入れ、実施例2で得られた2個程度のホスホン酸エステル基PO(OEt)と4〜5個程度のスルホン酸基SOKが結合したフラーレン誘導体500mgをテトラヒドロフラン5mlに溶かした溶液を添加した。ホモジナイザーで撹拌後、得られた溶液を100ミクロンのガラス繊維不織布(日本バイリーン社製)上に刷毛を用いて塗布し、間隙に含浸させた。この操作を10回繰り返した後、100℃で乾燥させて半透明の膜を得た。該膜を1規定の塩酸水溶液に室温で一晩浸漬して、スルホン酸基SOKをSOHに変換し、プロトン伝導膜とした。
【0025】
(使用例2)
実施例1で得られたホスホン酸エステル化フラーレン0.5gを、ジメチルアセトアミド150g中でNaS・9HO 0.12gと80℃で3日間反応させ、架橋して不溶化させた。これを濾過して取り出し500mgを秤量して、50mlのビーカーに入れた5%Nafion溶液(アルドリッチ社製,EW=1100)20gの中に添加し、ホモジナイザーで撹拌した。得られた分散液を、100ミクロンのガラス繊維不織布(日本バイリーン社製)上に刷毛を用いて塗布し、間隙に含浸させた。この操作を10回繰り返した後、100℃で乾燥させて半透明の膜を得た。該膜を1規定塩酸/メタノール中で90℃一晩加熱してホスホン酸エステル基を加水分解し、プロトン伝導膜とした。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】実施例1で得られたフラーレン誘導体の赤外吸収スペクトルを示す図である。
【図2】比較例1で得られたフラーレン誘導体の赤外吸収スペクトルを示す図である。
【図3】実施例2で得られたフラーレン誘導体の赤外吸収スペクトルを示す図である。
【図4】比較例2で得られたフラーレン誘導体の赤外吸収スペクトルを示す図である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
ホスホン酸エステル基−PO(OR)(RはC〜Cのアルキル基又はフェニル基)が結合し、有機化合物が実質的に結合していないフラーレン誘導体。
【請求項2】
スルホン酸基−SOM(MはH又はアルカリ金属イオン)が結合した請求項1に記載のフラーレン誘導体。
【請求項3】
ホスホン酸エステル基の結合数mとスルホン酸基の結合数nが、次の範囲にある請求項1又は2に記載のフラーレン誘導体。
【数1】

【請求項4】
部分構造X−C−C−H(Xはホスホン酸エステル基又はスルホン酸基)を1〜12個含む請求項1〜3のいずれかに記載のフラーレン誘導体。
【請求項5】
反応溶媒としてジオキサンを用い、フラーレン又はスルホン酸化フラーレンとホスホン酸エステル化試薬LiPO(OR)(RはC〜Cのアルキル基又はフェニル基)を反応させることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のフラーレン誘導体の製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2008−208083(P2008−208083A)
【公開日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−47618(P2007−47618)
【出願日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【出願人】(506398793)株式会社サイエンスラボラトリーズ (7)
【Fターム(参考)】