プローブコンタクトの製造方法
【課題】プローブコンタクトの基板端部を破断し切除する場合に、その破断位置を高い精度でしかも簡便に制御できるようにする。
【解決手段】押込み部材１８により基板端部１１ｂ表面を押圧することにより、切り込み溝１７に沿って基板１１ａを脆性破断し、基板端部１１ｂを基板１１ａから切除する。上記破断における破断位置は、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６をその延長線上においた破断位置１９に沿うように制御される。ここで、破断制御構造体１６は、フォトリソグラフィの位置合わせ手法を通して、基板１１ａ表面に高い位置精度に配置される。このようにして、基板１１ａの縁端となる破断位置１９から突出した先端１４ａから成る弾性接片が安定して高精度に形成される。
【解決手段】押込み部材１８により基板端部１１ｂ表面を押圧することにより、切り込み溝１７に沿って基板１１ａを脆性破断し、基板端部１１ｂを基板１１ａから切除する。上記破断における破断位置は、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６をその延長線上においた破断位置１９に沿うように制御される。ここで、破断制御構造体１６は、フォトリソグラフィの位置合わせ手法を通して、基板１１ａ表面に高い位置精度に配置される。このようにして、基板１１ａの縁端となる破断位置１９から突出した先端１４ａから成る弾性接片が安定して高精度に形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスや表示パネル等を通電検査するためのプローブコンタクトの製造方法に関し、特に通電検査する検体の微小ピッチ化する電極に簡便にしかも効果的に対応できるプローブコンタクトの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等の電子デバイス基板あるいは回路配線基板等の検体に配設されている端子用の電極は、益々微小ピッチ化する傾向にある。そして、これ等の電子デバイスあるいは回路配線板の通電検査では、通電検査装置側において、これ等の電極ピッチに対応した微小ピッチのプローブコンタクトが必要になる。
【０００３】
そこで、微小ピッチのプローブコンタクトを製造する方法として、フォトリソグラフィを用いた微細な加工技術により、コンタクト用基板の平坦な表面に基板の端部まで配設して細長導電層のリードを形成し、その後、リードの先端が基板の縁端から突出するように基板端部の所定領域を切除してプローブコンタクトを製造する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に開示されている切除の一方法では、リードの先端をコンタクト用基板の縁端から突出した弾性接片とするために、上記基板の端部の裏面に切り込み溝を形成し、その後この切り込み溝から基板の端部を破断することが提示されている。しかし、この方法では破断の際にリードに対して変形等の損傷を与える恐れがあった。
【０００４】
そこで、コンタクト用基板を破断する際のリードの損傷を防止するプローブコンタクトの製造方法が提示された（例えば、特許文献２参照）。この方法では、基板の平坦な表面の端部の領域に犠牲層を形成し、フォトリソグラフィを用いた微細な加工技術により、上記犠牲層上に先端が位置するリードを形成し、リードの犠牲層上に形成される部位の真下を通る溝を基板の裏面に形成する。そして、上記リードを形成した後に犠牲層を除去し、その後に上記溝から基板を破断するようになっている。
【０００５】
しかしながら、上記コンタクト用基板の破断方法では、破断後の基板の端部においてその表面側の破断位置にバラツキが生じ易い。これは、基板の裏面への溝形成の工程において、基板の表面のリードの位置あるいは犠牲層の位置に合わせた溝の位置決めが必須となるが、この位置決めにおいてバラツキが不可避的に生じるためである。また、基板における破断位置のバラツキは破断の際の押圧の仕方にも影響を受ける。そして、場合によっては、上記破断位置は、基板裏面の所定の範囲で直線状に延在して形成されている溝方向には沿わないで、蛇行することも生じる。
【０００６】
上記表面側の破断位置のバラツキは、リードの弾性接片の長さバラツキに直結し、その弾性的な曲げ量およびバネ弾性に大きく影響する。そして、上述した検体の端子用の電極との接触圧を変化させる。また、破断位置の蛇行は複数のリード間に亘る接触圧の不均一性の要因になる。そして、プローブコンタクトの製造において、破断位置が適正な範囲からはずれて製品規格に入らないと、そのプローブコンタクト製品は不良品となり製造歩留まりが低減する。このような蛇行を含めた破断位置のバラツキは、上記電極の微小ピッチ化が進みリードが微細になるに従い顕在化してくる問題である。
【０００７】
なお、上記問題を解決する手段として、基板の厚さを薄くすることが考えられるが、この場合には、今度は基板のうねりあるいは反りによる複数のリード間における接触圧の不均一性が顕在化してくる。
【特許文献１】特開平８−１５３１８号公報
【特許文献２】特開２００７−３２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、プローブコンタクト用の基板端部の裏面に溝を形成しその後この溝から基板の端部を破断し切除する工程において、リード先端を基板の縁端から適正長さに安定して突出させプローブコンタクトの弾性接片とするために、その破断位置を高い精度でしかも簡便に制御できるようにすることを主目的とする。そして、コンタクト用基板の表面側の破断位置のバラツキを簡便に低減できるようにして、通電検査の検体の微小ピッチ化する電極に効果的に対応できるプローブコンタクトの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明にかかるプローブコンタクトの製造方法は、基板の表面において、その一部に形成した犠牲層上に先端が位置するように複数のリードを並列に配設し、前記基板の裏面において、前記犠牲層の真下を通る切り込み溝を形成し、前記犠牲層を除去した後に前記切り込み溝から前記基板を破断してその一部を切除し、前記リードの先端を残余の前記基板の端部から突出させるプローブコンタクトの製造方法において、前記基板の表面であって前記複数のリードを両側から挟む位置に、前記基板の表面に局所的に応力を与える破断制御構造体が形成され、該破断制御構造体が前記基板の破断位置を制御する、という構成になっている。
【００１０】
上記発明において、前記破断制御構造体は、前記基板の表面上で所定のパターン形状に形成され、そのパターンの一辺が前記犠牲層に位置合わせされている。そして、本発明の好適な実施態様では、前記破断制御構造体は、前記リードの配設と同時に形成され、前記リードと同一材料により構成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の構成により、プローブコンタクトの基板端部を破断し切除する場合に、その破断位置を高い精度でしかも簡便に制御でき、そのリード先端を安定して適正な弾性接片にすることができる。そして、通電検査の検体の微小ピッチ化する端子用の電極に効果的に対応したプローブコンタクトを簡便に低コストで製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、互いに同一または類似の部分には共通の符号を付して、重複説明は一部省略される。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なる。図１ないし図６は、本実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を示した一例の製造工程別平面図およびその断面図である。ここで、その断面図はそれぞれの平面図に記したＸ−Ｘ矢視あるいはＹ−Ｙ矢視断面図である。
【００１３】
はじめに、図１に示すように、１枚で複数のプローブコンタクト製品を作製する基板１１の平坦な表面１２上に犠牲層１３を形成する。ここで、基板１１は、その厚さが数百μｍになる例えばジルコニア、アルミナ、ガラス、シリコン等の脆性破壊が可能な材料から成る。また、犠牲層１３は、膜厚が数十ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上の膜厚の例えば銅（Ｃｕ）膜等から成り、例えば銅薄膜の成膜後のフォトリソグラフィを用いたエッチング加工、あるいはリフトオフ法による所要パターンの選択的な成膜等によって、図示しないが基板１１上の所定の領域に所望数に形成される。
【００１４】
なお、リフトオフ法で犠牲層１３を形成する場合、基板１１の表面１２上にフォトリソグラフィによって断面形状が逆テーパの開口を有するレジストパターンを形成した後、この開口内の基板１１表面およびレジストパターン表面に犠牲層をスパッタ成膜し、上記レジストパターンをその上の犠牲層と共に除去することになる。
【００１５】
次に、図２に示すように、基板１１ａの表面１２上に検体の端子用の電極に応じたピッチで配列された所要数（本実施形態では５本）のリード１４をパターン形成する。ここで、リード１４は例えばニッケル（Ｎｉ）合金から成り、基板１１ａの表面１２に被着させた密着層１５上に積層して形成するとよい。密着層１５としては例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）等の基板１１ａに対して大きな接着力を有する金属材料が好ましい。そして、それぞれの密着層１５上に積層した所要数のリード１４は、その先端部１４ａが基端部１４ｂのピッチよりも狭められ検体の端子用の電極に応じた微小ピッチで犠牲層１３上に位置してビーム状に配設される。
【００１６】
ここで、リード１４は、その厚さは数十μｍ程度（例えば２０μｍ）であり、先端部１４ａの幅が数十μｍ（例えば１０μｍ）である。また、基端部１４ｂは、その幅が数十μｍ（例えば２０μｍ）程度にされ、はんだ、異方性導電フィルム（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）、バンプ等の接合部を介して例えばフレキシブル配線板に接続し、通電検査装置に電気的につながるようになっている。
【００１７】
上述したようなリード１４と共に、例えば２つの破断制御構造体１６を、上記ビーム状の先端部１４ａ群を両側から挟んだ所定の位置に配設する。その詳細は後述するが、基板１１ａの表面１２において、破断制御構造体１６の一辺である応力集中端１６ａが、例えば犠牲層１３のパターン辺１３ａの延長線上に位置するように位置合わせされ配置される。
【００１８】
具体的には、先ず図１で説明した基板１１の表面１２上に後で密着層１５となる密着膜をスパッタで形成し、次にフォトリソグラフィによって所望のメッキ用のレジストパターンを密着膜上に形成する。ここで、レジストパターンは上記リード１４のそれぞれに対応する開口パターンおよび破断制御構造体１６の開口パターンを有している。そして、これ等の開口パターンは、フォトリソグラフィにおいて周知である異なる層間の位置合わせ手法により、犠牲層１３のパターンに位置合わせして形成される。このようにして形成された破断制御構造体１６の開口パターンは、犠牲層１３の位置に高い精度で位置決めされる。
【００１９】
その後、これ等のレジストパターンの開口内の密着膜上に電解メッキによりメッキ層を成長させる。ここで、密着膜は電解メッキの給電層として機能する。次に、メッキ後のレジストパターンを除去し、密着膜の露出した部分を例えばエッチング除去する。このようにした後に、ダイシング、サンドブラスト、レーザ加工等により、上記基板１１から図２に示した複数個の所要形状の基板１１ａに切り出す。
【００２０】
上記リード１４および破断制御構造体１６の形成では、犠牲層１３の形成工程で説明したリフトオフ法を使用することができる。また、上記各種の金属材料膜の成膜と、フォトリソグラフィを用いたこれ等の金属材料膜の加工とにより、リード１４および破断制御構造体１６を形成することもできる。
【００２１】
いずれにしても、このようにして形成された破断制御構造体１６は、従来の技術で説明した基板の表面のリードの位置あるいは犠牲層の位置に合わせた溝の位置決めに較べ、はるかに高精度でそのバラツキが小さく、基板１１ａの所望位置に配置される。
【００２２】
次に、図３に示すように、基板１１ａの裏面の所定範囲に直線状に延在する切り込み溝１７を形成する。この切り込み溝１７は、その線幅が数十〜数百μｍ程度であり、その深さが基板１１ａの厚さを考慮して数十μｍになっている。ここで、切り込み溝１７の深さ方向の溝先端１７ａは、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａの間にあって、例えばリード１４の配設された方向にほぼ直交する方向に延在している。そして、犠牲層１３のパターン辺１３ａのほぼ直下に位置するように形成されると好適である。
【００２３】
具体的には、この切り込み溝１７は、基板１１ａの表面側の犠牲層１３あるいは破断制御構造体１６に位置合わせした基板１１ａの裏面のダイシング、サンドブラスト、レーザ加工等により形成する。あるいは、例えば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）のようなＨＤＰ（High Density Plasma）のＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）方法を用い、基板１１ａ裏面の高い異方性のドライエッチングにより形成することができる。
【００２４】
次に、図４に示すように、犠牲層１３を選択的に溶解させる例えば塩化第二鉄のようなエッチング液を用い銅薄膜から成る犠牲層１３を除去する。犠牲層１３を除去することにより、リード１４の犠牲層１３上に形成された先端１４ａは基板１１ａの表面１２から浮き離れた状態になる。
【００２５】
次に、図５および図６に示すように、切り込み溝１７に沿って基板１１ａを破断し、基板端部１１ｂを基板１１ａから切除する。具体的には、図５に示すように、例えば押込み部材１８により基板端部１１ｂ表面を押圧することにより脆性破断させる。あるいは、逆に基板端部１１ｂの裏面を押圧することにより基板１１ａを脆性破断してもよい。
【００２６】
このような破断により、基板端部１１ｂは、２つの破断制御構造体１６の一辺の応力集中端１６ａをその延長線上においた破断位置１９に沿って基板１１ａから切除される。そして、図６に示すように、基板１１ａの縁端となる破断位置１９から例えば数百μｍ長に突出した先端１４ａから成る弾性接片群が形成される。
【００２７】
上記基板１１ａの破断方法では、その表面側の破断位置１９のバラツキが大幅に低減し、目標線に沿った正確で高精度の破断および切除が可能になる。上記実施形態では、破断の目標線として犠牲層１３のパターン辺１３ａとなるようにしたが、この目標線は、上述した２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａの配置位置により任意に変えることができる。また、破断位置１９がリード１４の基板１１ａ表面から浮き離れた領域になるようにすることができ、この破断の際にリード１４に対して変形等の損傷を与えることは無くなる。
【００２８】
次に、基板１１ａの破断における破断制御構造体１６の応力集中端１６ａの奏する作用と効果について図７および図８を参照して説明する。図７（Ａ）は基板１１ａの破断により基板端部１１ｂを切除した後のプローブコンタクトの平面図であり、図７（Ｂ）および（Ｃ）は図７（Ａ）のＸ−Ｘ矢視の断面図である。また、図８は基板１１ａの破断における基板表面の破断制御構造体１６の作用を説明するための模式的な断面図である。
【００２９】
図７（Ａ）に示すように、切り込み溝１７の位置決めにおいて、切り込み溝１７の溝先端１７ａが犠牲層１３のパターン辺１３ａから図の紙面左方向にズレている場合、基板１１ａの表面の破断位置１９は、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａにより強制的に上記実施形態のパターン辺１３ａに沿ったものにされる。また、図７（Ｂ）に示すように、上記位置決めにおいて、切り込み溝１７の溝先端１７ａが今度は逆に図の紙面右方向にズレている場合であっても、基板１１ａの表面の破断位置１９は、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａにより強制され、上記実施形態ではパターン辺１３ａに沿ったものになる。このように２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａは、切り込み溝１７の位置決めにズレが生じても、破断位置１９が適正な位置になるように制御する。
【００３０】
図７に示したような破断制御構造体１６の破断位置の制御は、破断制御構造体１６の応力集中端１６ａが基板１１ａ表面に与える局所的な応力によって生じている。例えば、図８に示したように、破断制御構造体１６が基板１１ａ表面に圧縮応力を付与する場合、破断制御構造体１６が形成されている表面領域はこの圧縮応力を受け、破断制御構造体１６が形成されていない基板１１ａ表面の特に応力集中端１６ａの近傍は、逆に大きな引張り応力Ｆ１を受ける。
【００３１】
ここで、図５で説明したような押込み部材１８による基板端部１１ｂ表面の押圧力が付加されると、それによる上記基板１１ａ表面への大きな引張り応力Ｆ２が付加される。そして、この互いに逆方向の引張り応力Ｆ１と引張り応力Ｆ１とにより、応力集中端１６ａと切り込み溝１７の特に溝先端１７ａとの間で基板材料の破断降伏が生じ、脆性の破断面２０が容易に形成されるようになる。
【００３２】
図示しないが、逆に、破断制御構造体１６が基板１１ａ表面に引張り応力を付与する場合、破断制御構造体１６が形成されている表面領域はこの引張り応力を受け、破断制御構造体１６が形成されていない基板１１ａ表面の特に応力集中端１６ａの近傍は、大きな圧縮応力を受ける。そこで、今度は逆に基板端部１１ｂの裏面を押圧すると、基板端部１１ｂ表面の上記応力集中端１６ａの近傍にこの押圧による圧縮応力が相乗し、裏面側の切り込み溝１７の引張り応力が大きく成る。そして、応力集中端１６ａと切り込み溝１７の特に溝先端１７ａとの間で、脆性の破断面が容易に形成されるようになる。
【００３３】
上記いずれの場合でも、破断制御構造体１６の応力集中端１６ａは、基板１１ａ表面に与える応力集中により破断面を決めることから、破断位置を応力集中のところに強制し制御するようになる。なお表面側から押圧した場合は、破断した基板端部１１ａがリード先端部１４ａに当たらず損傷を避けることができる。
【００３４】
このようにして、基板１１ａの裏面への切り込み溝１７の形成の工程において、基板１１ａの表面のリード１４位置あるいは犠牲層１３位置に合わせた切り込み溝１７の位置決めにバラツキが不可避的に生じても、破断位置１９は破断制御構造体１６の応力集中端１６ａにより一定の適正位置になるように制御される。また、この応力集中端１６ａの制御により、従来の技術で生じていた破断の際の押圧の仕方による破断位置のバラツキは大きく低減する。また、この応力集中端１６ａの制御により、従来の技術で生じていた破断位置が蛇行することも無くなる。
【００３５】
本実施形態では、基板の破断による切除において、上記表面側の破断位置が適正位置なるように簡便に制御できることから、弾性接片の基板の縁端から突出する長さが安定して高精度に制御できるようになる。そして、接触圧の安定性および接触の繰り返し耐久性に優れた弾性接片群から成るプローブコンタクトが高い歩留まりで製造できるようになる。このようにして、弾性接片群のリード間における接触圧の均一性が向上し、通電検査における検体の端子用の電極の微小ピッチ化および多電極化に簡便に対応できるようになる。
【００３６】
本実施形態では、破断制御構造体１６の一辺である応力集中端１６ａは、例えば犠牲層１３の位置に高精度に位置あわせして配置されるが、そのパターン辺１３ａの延長線上に限定されるものではない。犠牲層１３のパターンにおいてその合わせる位置を任意に変えることができる。
【００３７】
なお、上述した破断制御構造体１６の応力集中端１６ａは、基板１１ａ表面の配置位置により、プローブコンタクトの縁端の形状を制御する場合にも使用できる。その一例について図９を参照して説明する。図９は基板１１ａの基板端部を破断し切除した後のプローブコンタクトの平面図である。
【００３８】
例えば、図９（Ａ）に示した場合には、破断制御構造体１６の応力集中端１６ａが、犠牲層１３のパターン辺１３ａより図の紙面左側に配置されている。ここで、上述した切り込み溝１７の溝先端１７ａは例えば略パターン辺１３ａの直下にあるとする。このような状態で基板１１ａの破断を行うと、破断位置はリード１４が基板１１ａ表面から浮き離れるパターン辺１３ａの位置において、応力集中端１６ａで説明したのと同様なリード１４の応力集中が発生することから、基板１１ａ表面のパターン辺１３ａが破断位置となり、この破断位置は２つの応力集中端１６ａの位置につながっていくようになる。このようにして、図９（Ａ）に示すようにビーム状の弾性接片群が突出する縁端が周りから出っ張った形状のプローブコンタクトが簡便に作製できる。
【００３９】
そして、図９（Ｂ）に示した場合には、破断制御構造体１６の応力集中端１６ａが、犠牲層１３のパターン辺１３ａより図の紙面右側に配置されている。この場合も、切り込み溝１７の溝先端１７ａは例えば略パターン辺１３ａの直下にあるとする。このような状態で基板１１ａの破断を行うと、同様にして、破断位置はリード１４が基板１１ａ表面から浮き離れる端部すなわち基板１１ａ表面のパターン辺１３ａが破断位置となりこの破断位置は２つの応力集中端１６ａの位置につながる。このようにして、図９（Ｂ）に示すようにビーム状の弾性接片群が突出する縁端が周りからへこんだ形状のプローブコンタクトが簡便に作製できる。
【００４０】
次に、本実施形態の変形例について図１０を参照して説明する。図１０は上述した破断制御構造体１６を基板１１ａ上で異なる配置にした場合の図３で説明したのと同様な平面図である。
【００４１】
例えば、図１０（Ａ）に示した場合には、破断制御構造体１６は基板端部１１ｂ側に配置される。ここで、切り込み溝１７の深さ方向の溝先端１７ａは、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａの間であって、犠牲層１３のパターン辺１３ａのほぼ直下に位置するように配置されると好適である。そして、基板１１ａを破断し切除後には、上記実施形態の場合と異なり、破断制御構造体１６は基板端部１１ｂと共に切除されて基板１１ａに残存することはない。
【００４２】
そして、図１０（Ｂ）に示した場合には、２種の破断制御構造体が対向配置される。すなわち、実施形態で説明したような破断制御構造体１６の応力集中端１６ａに対向する一辺を持つ別の破断制御構造体１６１が、例えば切り込み溝１７の溝先端１７ａを挟み対向配置している。このような配置であると、基板１１ａ表面での破断位置の制御性が更に向上し、基板１１ａの安定した破断による切除が可能になる。
【００４３】
その他にも、上記破断制御構造体１６は、隣接するリード１４間に配置するようにできる。
【００４４】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。
【００４５】
例えば、破断制御構造体１６は、上記実施形態ではリード１４と同一工程において同一材料で形成しているが、リード１４と異なる作製工程において異なる材料により形成するようにしてもよい。この場合には、製造工程が増えるが、リード１４および破断制御構造体１６の材料の選択範囲が広がる。そして、基板１１ａの材質に対応し大きな応力を生成する材料を適宜に選ぶことができる。例えば、金属材料以外にも絶縁材料を選択することが可能になる。そして、本実施形態で説明した基板の切除における破断位置の制御能力を更に高めることができる。
【００４６】
また、基板１１ａの裏面に形成する切り込み溝１７は、基板表面に形成した犠牲層１３のパターン辺１３ａの直下に必ずしも位置するものでない。その位置は適宜に選択してよい。しかし、基板１１ａの破断におけるリード１４の変形等の損傷防止を考慮すると、リード１４が基板１１ａ表面から浮き離れることになる犠牲層１３配置の下部が好ましい。
【００４７】
また、基板１１ａへの切り込み溝１７の形成は、上記実施形態に限定されるものでなく、犠牲層１３の形成前からそのエッチング除去後の間で適宜に行うことができる。
【００４８】
また、リード１４および破断制御構造体１６と基板１１ａとの間の密着層１５は、上記実施形態に限定されるものでなく、多層構造に形成されてもよいし、あるいはリード１４および破断制御構造体１６と基板１１ａとの密着性に問題がなければ無くても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第一工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第二工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図、（Ｃ）はそのＹ−Ｙ矢視断面図である。
【図３】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第三工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図４】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第四工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図５】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第五工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図６】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第六工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図７】本発明の実施形態における効果を説明するプローブコンタクトの図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）および（Ｃ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図８】本発明の実施形態における基板表面の破断制御構造体の作用を説明するための模式的な断面図である。
【図９】本発明の実施形態における別の効果を説明するプローブコンタクトの平面図である。
【図１０】本発明の実施形態における変形例を示すプローブコンタクトの平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１１，１１ａ…基板，１１ｂ…基板端部，１２…表面，１３…犠牲層，１３ａ…パターン辺，１４…リード，１４ａ…先端部，１４ｂ…基端部，１５…密着層，１６…破断制御構造体，１６ａ…応力集中端，１７…切り込み溝，１７ａ…溝先端，１８…押込み部材，１９…破断位置，２０…破断面，１６１…別の破断制御構造体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスや表示パネル等を通電検査するためのプローブコンタクトの製造方法に関し、特に通電検査する検体の微小ピッチ化する電極に簡便にしかも効果的に対応できるプローブコンタクトの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等の電子デバイス基板あるいは回路配線基板等の検体に配設されている端子用の電極は、益々微小ピッチ化する傾向にある。そして、これ等の電子デバイスあるいは回路配線板の通電検査では、通電検査装置側において、これ等の電極ピッチに対応した微小ピッチのプローブコンタクトが必要になる。
【０００３】
そこで、微小ピッチのプローブコンタクトを製造する方法として、フォトリソグラフィを用いた微細な加工技術により、コンタクト用基板の平坦な表面に基板の端部まで配設して細長導電層のリードを形成し、その後、リードの先端が基板の縁端から突出するように基板端部の所定領域を切除してプローブコンタクトを製造する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に開示されている切除の一方法では、リードの先端をコンタクト用基板の縁端から突出した弾性接片とするために、上記基板の端部の裏面に切り込み溝を形成し、その後この切り込み溝から基板の端部を破断することが提示されている。しかし、この方法では破断の際にリードに対して変形等の損傷を与える恐れがあった。
【０００４】
そこで、コンタクト用基板を破断する際のリードの損傷を防止するプローブコンタクトの製造方法が提示された（例えば、特許文献２参照）。この方法では、基板の平坦な表面の端部の領域に犠牲層を形成し、フォトリソグラフィを用いた微細な加工技術により、上記犠牲層上に先端が位置するリードを形成し、リードの犠牲層上に形成される部位の真下を通る溝を基板の裏面に形成する。そして、上記リードを形成した後に犠牲層を除去し、その後に上記溝から基板を破断するようになっている。
【０００５】
しかしながら、上記コンタクト用基板の破断方法では、破断後の基板の端部においてその表面側の破断位置にバラツキが生じ易い。これは、基板の裏面への溝形成の工程において、基板の表面のリードの位置あるいは犠牲層の位置に合わせた溝の位置決めが必須となるが、この位置決めにおいてバラツキが不可避的に生じるためである。また、基板における破断位置のバラツキは破断の際の押圧の仕方にも影響を受ける。そして、場合によっては、上記破断位置は、基板裏面の所定の範囲で直線状に延在して形成されている溝方向には沿わないで、蛇行することも生じる。
【０００６】
上記表面側の破断位置のバラツキは、リードの弾性接片の長さバラツキに直結し、その弾性的な曲げ量およびバネ弾性に大きく影響する。そして、上述した検体の端子用の電極との接触圧を変化させる。また、破断位置の蛇行は複数のリード間に亘る接触圧の不均一性の要因になる。そして、プローブコンタクトの製造において、破断位置が適正な範囲からはずれて製品規格に入らないと、そのプローブコンタクト製品は不良品となり製造歩留まりが低減する。このような蛇行を含めた破断位置のバラツキは、上記電極の微小ピッチ化が進みリードが微細になるに従い顕在化してくる問題である。
【０００７】
なお、上記問題を解決する手段として、基板の厚さを薄くすることが考えられるが、この場合には、今度は基板のうねりあるいは反りによる複数のリード間における接触圧の不均一性が顕在化してくる。
【特許文献１】特開平８−１５３１８号公報
【特許文献２】特開２００７−３２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、プローブコンタクト用の基板端部の裏面に溝を形成しその後この溝から基板の端部を破断し切除する工程において、リード先端を基板の縁端から適正長さに安定して突出させプローブコンタクトの弾性接片とするために、その破断位置を高い精度でしかも簡便に制御できるようにすることを主目的とする。そして、コンタクト用基板の表面側の破断位置のバラツキを簡便に低減できるようにして、通電検査の検体の微小ピッチ化する電極に効果的に対応できるプローブコンタクトの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明にかかるプローブコンタクトの製造方法は、基板の表面において、その一部に形成した犠牲層上に先端が位置するように複数のリードを並列に配設し、前記基板の裏面において、前記犠牲層の真下を通る切り込み溝を形成し、前記犠牲層を除去した後に前記切り込み溝から前記基板を破断してその一部を切除し、前記リードの先端を残余の前記基板の端部から突出させるプローブコンタクトの製造方法において、前記基板の表面であって前記複数のリードを両側から挟む位置に、前記基板の表面に局所的に応力を与える破断制御構造体が形成され、該破断制御構造体が前記基板の破断位置を制御する、という構成になっている。
【００１０】
上記発明において、前記破断制御構造体は、前記基板の表面上で所定のパターン形状に形成され、そのパターンの一辺が前記犠牲層に位置合わせされている。そして、本発明の好適な実施態様では、前記破断制御構造体は、前記リードの配設と同時に形成され、前記リードと同一材料により構成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の構成により、プローブコンタクトの基板端部を破断し切除する場合に、その破断位置を高い精度でしかも簡便に制御でき、そのリード先端を安定して適正な弾性接片にすることができる。そして、通電検査の検体の微小ピッチ化する端子用の電極に効果的に対応したプローブコンタクトを簡便に低コストで製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、互いに同一または類似の部分には共通の符号を付して、重複説明は一部省略される。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なる。図１ないし図６は、本実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を示した一例の製造工程別平面図およびその断面図である。ここで、その断面図はそれぞれの平面図に記したＸ−Ｘ矢視あるいはＹ−Ｙ矢視断面図である。
【００１３】
はじめに、図１に示すように、１枚で複数のプローブコンタクト製品を作製する基板１１の平坦な表面１２上に犠牲層１３を形成する。ここで、基板１１は、その厚さが数百μｍになる例えばジルコニア、アルミナ、ガラス、シリコン等の脆性破壊が可能な材料から成る。また、犠牲層１３は、膜厚が数十ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上の膜厚の例えば銅（Ｃｕ）膜等から成り、例えば銅薄膜の成膜後のフォトリソグラフィを用いたエッチング加工、あるいはリフトオフ法による所要パターンの選択的な成膜等によって、図示しないが基板１１上の所定の領域に所望数に形成される。
【００１４】
なお、リフトオフ法で犠牲層１３を形成する場合、基板１１の表面１２上にフォトリソグラフィによって断面形状が逆テーパの開口を有するレジストパターンを形成した後、この開口内の基板１１表面およびレジストパターン表面に犠牲層をスパッタ成膜し、上記レジストパターンをその上の犠牲層と共に除去することになる。
【００１５】
次に、図２に示すように、基板１１ａの表面１２上に検体の端子用の電極に応じたピッチで配列された所要数（本実施形態では５本）のリード１４をパターン形成する。ここで、リード１４は例えばニッケル（Ｎｉ）合金から成り、基板１１ａの表面１２に被着させた密着層１５上に積層して形成するとよい。密着層１５としては例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）等の基板１１ａに対して大きな接着力を有する金属材料が好ましい。そして、それぞれの密着層１５上に積層した所要数のリード１４は、その先端部１４ａが基端部１４ｂのピッチよりも狭められ検体の端子用の電極に応じた微小ピッチで犠牲層１３上に位置してビーム状に配設される。
【００１６】
ここで、リード１４は、その厚さは数十μｍ程度（例えば２０μｍ）であり、先端部１４ａの幅が数十μｍ（例えば１０μｍ）である。また、基端部１４ｂは、その幅が数十μｍ（例えば２０μｍ）程度にされ、はんだ、異方性導電フィルム（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）、バンプ等の接合部を介して例えばフレキシブル配線板に接続し、通電検査装置に電気的につながるようになっている。
【００１７】
上述したようなリード１４と共に、例えば２つの破断制御構造体１６を、上記ビーム状の先端部１４ａ群を両側から挟んだ所定の位置に配設する。その詳細は後述するが、基板１１ａの表面１２において、破断制御構造体１６の一辺である応力集中端１６ａが、例えば犠牲層１３のパターン辺１３ａの延長線上に位置するように位置合わせされ配置される。
【００１８】
具体的には、先ず図１で説明した基板１１の表面１２上に後で密着層１５となる密着膜をスパッタで形成し、次にフォトリソグラフィによって所望のメッキ用のレジストパターンを密着膜上に形成する。ここで、レジストパターンは上記リード１４のそれぞれに対応する開口パターンおよび破断制御構造体１６の開口パターンを有している。そして、これ等の開口パターンは、フォトリソグラフィにおいて周知である異なる層間の位置合わせ手法により、犠牲層１３のパターンに位置合わせして形成される。このようにして形成された破断制御構造体１６の開口パターンは、犠牲層１３の位置に高い精度で位置決めされる。
【００１９】
その後、これ等のレジストパターンの開口内の密着膜上に電解メッキによりメッキ層を成長させる。ここで、密着膜は電解メッキの給電層として機能する。次に、メッキ後のレジストパターンを除去し、密着膜の露出した部分を例えばエッチング除去する。このようにした後に、ダイシング、サンドブラスト、レーザ加工等により、上記基板１１から図２に示した複数個の所要形状の基板１１ａに切り出す。
【００２０】
上記リード１４および破断制御構造体１６の形成では、犠牲層１３の形成工程で説明したリフトオフ法を使用することができる。また、上記各種の金属材料膜の成膜と、フォトリソグラフィを用いたこれ等の金属材料膜の加工とにより、リード１４および破断制御構造体１６を形成することもできる。
【００２１】
いずれにしても、このようにして形成された破断制御構造体１６は、従来の技術で説明した基板の表面のリードの位置あるいは犠牲層の位置に合わせた溝の位置決めに較べ、はるかに高精度でそのバラツキが小さく、基板１１ａの所望位置に配置される。
【００２２】
次に、図３に示すように、基板１１ａの裏面の所定範囲に直線状に延在する切り込み溝１７を形成する。この切り込み溝１７は、その線幅が数十〜数百μｍ程度であり、その深さが基板１１ａの厚さを考慮して数十μｍになっている。ここで、切り込み溝１７の深さ方向の溝先端１７ａは、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａの間にあって、例えばリード１４の配設された方向にほぼ直交する方向に延在している。そして、犠牲層１３のパターン辺１３ａのほぼ直下に位置するように形成されると好適である。
【００２３】
具体的には、この切り込み溝１７は、基板１１ａの表面側の犠牲層１３あるいは破断制御構造体１６に位置合わせした基板１１ａの裏面のダイシング、サンドブラスト、レーザ加工等により形成する。あるいは、例えば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）のようなＨＤＰ（High Density Plasma）のＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）方法を用い、基板１１ａ裏面の高い異方性のドライエッチングにより形成することができる。
【００２４】
次に、図４に示すように、犠牲層１３を選択的に溶解させる例えば塩化第二鉄のようなエッチング液を用い銅薄膜から成る犠牲層１３を除去する。犠牲層１３を除去することにより、リード１４の犠牲層１３上に形成された先端１４ａは基板１１ａの表面１２から浮き離れた状態になる。
【００２５】
次に、図５および図６に示すように、切り込み溝１７に沿って基板１１ａを破断し、基板端部１１ｂを基板１１ａから切除する。具体的には、図５に示すように、例えば押込み部材１８により基板端部１１ｂ表面を押圧することにより脆性破断させる。あるいは、逆に基板端部１１ｂの裏面を押圧することにより基板１１ａを脆性破断してもよい。
【００２６】
このような破断により、基板端部１１ｂは、２つの破断制御構造体１６の一辺の応力集中端１６ａをその延長線上においた破断位置１９に沿って基板１１ａから切除される。そして、図６に示すように、基板１１ａの縁端となる破断位置１９から例えば数百μｍ長に突出した先端１４ａから成る弾性接片群が形成される。
【００２７】
上記基板１１ａの破断方法では、その表面側の破断位置１９のバラツキが大幅に低減し、目標線に沿った正確で高精度の破断および切除が可能になる。上記実施形態では、破断の目標線として犠牲層１３のパターン辺１３ａとなるようにしたが、この目標線は、上述した２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａの配置位置により任意に変えることができる。また、破断位置１９がリード１４の基板１１ａ表面から浮き離れた領域になるようにすることができ、この破断の際にリード１４に対して変形等の損傷を与えることは無くなる。
【００２８】
次に、基板１１ａの破断における破断制御構造体１６の応力集中端１６ａの奏する作用と効果について図７および図８を参照して説明する。図７（Ａ）は基板１１ａの破断により基板端部１１ｂを切除した後のプローブコンタクトの平面図であり、図７（Ｂ）および（Ｃ）は図７（Ａ）のＸ−Ｘ矢視の断面図である。また、図８は基板１１ａの破断における基板表面の破断制御構造体１６の作用を説明するための模式的な断面図である。
【００２９】
図７（Ａ）に示すように、切り込み溝１７の位置決めにおいて、切り込み溝１７の溝先端１７ａが犠牲層１３のパターン辺１３ａから図の紙面左方向にズレている場合、基板１１ａの表面の破断位置１９は、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａにより強制的に上記実施形態のパターン辺１３ａに沿ったものにされる。また、図７（Ｂ）に示すように、上記位置決めにおいて、切り込み溝１７の溝先端１７ａが今度は逆に図の紙面右方向にズレている場合であっても、基板１１ａの表面の破断位置１９は、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａにより強制され、上記実施形態ではパターン辺１３ａに沿ったものになる。このように２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａは、切り込み溝１７の位置決めにズレが生じても、破断位置１９が適正な位置になるように制御する。
【００３０】
図７に示したような破断制御構造体１６の破断位置の制御は、破断制御構造体１６の応力集中端１６ａが基板１１ａ表面に与える局所的な応力によって生じている。例えば、図８に示したように、破断制御構造体１６が基板１１ａ表面に圧縮応力を付与する場合、破断制御構造体１６が形成されている表面領域はこの圧縮応力を受け、破断制御構造体１６が形成されていない基板１１ａ表面の特に応力集中端１６ａの近傍は、逆に大きな引張り応力Ｆ１を受ける。
【００３１】
ここで、図５で説明したような押込み部材１８による基板端部１１ｂ表面の押圧力が付加されると、それによる上記基板１１ａ表面への大きな引張り応力Ｆ２が付加される。そして、この互いに逆方向の引張り応力Ｆ１と引張り応力Ｆ１とにより、応力集中端１６ａと切り込み溝１７の特に溝先端１７ａとの間で基板材料の破断降伏が生じ、脆性の破断面２０が容易に形成されるようになる。
【００３２】
図示しないが、逆に、破断制御構造体１６が基板１１ａ表面に引張り応力を付与する場合、破断制御構造体１６が形成されている表面領域はこの引張り応力を受け、破断制御構造体１６が形成されていない基板１１ａ表面の特に応力集中端１６ａの近傍は、大きな圧縮応力を受ける。そこで、今度は逆に基板端部１１ｂの裏面を押圧すると、基板端部１１ｂ表面の上記応力集中端１６ａの近傍にこの押圧による圧縮応力が相乗し、裏面側の切り込み溝１７の引張り応力が大きく成る。そして、応力集中端１６ａと切り込み溝１７の特に溝先端１７ａとの間で、脆性の破断面が容易に形成されるようになる。
【００３３】
上記いずれの場合でも、破断制御構造体１６の応力集中端１６ａは、基板１１ａ表面に与える応力集中により破断面を決めることから、破断位置を応力集中のところに強制し制御するようになる。なお表面側から押圧した場合は、破断した基板端部１１ａがリード先端部１４ａに当たらず損傷を避けることができる。
【００３４】
このようにして、基板１１ａの裏面への切り込み溝１７の形成の工程において、基板１１ａの表面のリード１４位置あるいは犠牲層１３位置に合わせた切り込み溝１７の位置決めにバラツキが不可避的に生じても、破断位置１９は破断制御構造体１６の応力集中端１６ａにより一定の適正位置になるように制御される。また、この応力集中端１６ａの制御により、従来の技術で生じていた破断の際の押圧の仕方による破断位置のバラツキは大きく低減する。また、この応力集中端１６ａの制御により、従来の技術で生じていた破断位置が蛇行することも無くなる。
【００３５】
本実施形態では、基板の破断による切除において、上記表面側の破断位置が適正位置なるように簡便に制御できることから、弾性接片の基板の縁端から突出する長さが安定して高精度に制御できるようになる。そして、接触圧の安定性および接触の繰り返し耐久性に優れた弾性接片群から成るプローブコンタクトが高い歩留まりで製造できるようになる。このようにして、弾性接片群のリード間における接触圧の均一性が向上し、通電検査における検体の端子用の電極の微小ピッチ化および多電極化に簡便に対応できるようになる。
【００３６】
本実施形態では、破断制御構造体１６の一辺である応力集中端１６ａは、例えば犠牲層１３の位置に高精度に位置あわせして配置されるが、そのパターン辺１３ａの延長線上に限定されるものではない。犠牲層１３のパターンにおいてその合わせる位置を任意に変えることができる。
【００３７】
なお、上述した破断制御構造体１６の応力集中端１６ａは、基板１１ａ表面の配置位置により、プローブコンタクトの縁端の形状を制御する場合にも使用できる。その一例について図９を参照して説明する。図９は基板１１ａの基板端部を破断し切除した後のプローブコンタクトの平面図である。
【００３８】
例えば、図９（Ａ）に示した場合には、破断制御構造体１６の応力集中端１６ａが、犠牲層１３のパターン辺１３ａより図の紙面左側に配置されている。ここで、上述した切り込み溝１７の溝先端１７ａは例えば略パターン辺１３ａの直下にあるとする。このような状態で基板１１ａの破断を行うと、破断位置はリード１４が基板１１ａ表面から浮き離れるパターン辺１３ａの位置において、応力集中端１６ａで説明したのと同様なリード１４の応力集中が発生することから、基板１１ａ表面のパターン辺１３ａが破断位置となり、この破断位置は２つの応力集中端１６ａの位置につながっていくようになる。このようにして、図９（Ａ）に示すようにビーム状の弾性接片群が突出する縁端が周りから出っ張った形状のプローブコンタクトが簡便に作製できる。
【００３９】
そして、図９（Ｂ）に示した場合には、破断制御構造体１６の応力集中端１６ａが、犠牲層１３のパターン辺１３ａより図の紙面右側に配置されている。この場合も、切り込み溝１７の溝先端１７ａは例えば略パターン辺１３ａの直下にあるとする。このような状態で基板１１ａの破断を行うと、同様にして、破断位置はリード１４が基板１１ａ表面から浮き離れる端部すなわち基板１１ａ表面のパターン辺１３ａが破断位置となりこの破断位置は２つの応力集中端１６ａの位置につながる。このようにして、図９（Ｂ）に示すようにビーム状の弾性接片群が突出する縁端が周りからへこんだ形状のプローブコンタクトが簡便に作製できる。
【００４０】
次に、本実施形態の変形例について図１０を参照して説明する。図１０は上述した破断制御構造体１６を基板１１ａ上で異なる配置にした場合の図３で説明したのと同様な平面図である。
【００４１】
例えば、図１０（Ａ）に示した場合には、破断制御構造体１６は基板端部１１ｂ側に配置される。ここで、切り込み溝１７の深さ方向の溝先端１７ａは、２つの破断制御構造体１６の応力集中端１６ａの間であって、犠牲層１３のパターン辺１３ａのほぼ直下に位置するように配置されると好適である。そして、基板１１ａを破断し切除後には、上記実施形態の場合と異なり、破断制御構造体１６は基板端部１１ｂと共に切除されて基板１１ａに残存することはない。
【００４２】
そして、図１０（Ｂ）に示した場合には、２種の破断制御構造体が対向配置される。すなわち、実施形態で説明したような破断制御構造体１６の応力集中端１６ａに対向する一辺を持つ別の破断制御構造体１６１が、例えば切り込み溝１７の溝先端１７ａを挟み対向配置している。このような配置であると、基板１１ａ表面での破断位置の制御性が更に向上し、基板１１ａの安定した破断による切除が可能になる。
【００４３】
その他にも、上記破断制御構造体１６は、隣接するリード１４間に配置するようにできる。
【００４４】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。
【００４５】
例えば、破断制御構造体１６は、上記実施形態ではリード１４と同一工程において同一材料で形成しているが、リード１４と異なる作製工程において異なる材料により形成するようにしてもよい。この場合には、製造工程が増えるが、リード１４および破断制御構造体１６の材料の選択範囲が広がる。そして、基板１１ａの材質に対応し大きな応力を生成する材料を適宜に選ぶことができる。例えば、金属材料以外にも絶縁材料を選択することが可能になる。そして、本実施形態で説明した基板の切除における破断位置の制御能力を更に高めることができる。
【００４６】
また、基板１１ａの裏面に形成する切り込み溝１７は、基板表面に形成した犠牲層１３のパターン辺１３ａの直下に必ずしも位置するものでない。その位置は適宜に選択してよい。しかし、基板１１ａの破断におけるリード１４の変形等の損傷防止を考慮すると、リード１４が基板１１ａ表面から浮き離れることになる犠牲層１３配置の下部が好ましい。
【００４７】
また、基板１１ａへの切り込み溝１７の形成は、上記実施形態に限定されるものでなく、犠牲層１３の形成前からそのエッチング除去後の間で適宜に行うことができる。
【００４８】
また、リード１４および破断制御構造体１６と基板１１ａとの間の密着層１５は、上記実施形態に限定されるものでなく、多層構造に形成されてもよいし、あるいはリード１４および破断制御構造体１６と基板１１ａとの密着性に問題がなければ無くても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第一工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第二工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図、（Ｃ）はそのＹ−Ｙ矢視断面図である。
【図３】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第三工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図４】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第四工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図５】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第五工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図６】本発明の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明する第六工程図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図７】本発明の実施形態における効果を説明するプローブコンタクトの図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）および（Ｃ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図８】本発明の実施形態における基板表面の破断制御構造体の作用を説明するための模式的な断面図である。
【図９】本発明の実施形態における別の効果を説明するプローブコンタクトの平面図である。
【図１０】本発明の実施形態における変形例を示すプローブコンタクトの平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１１，１１ａ…基板，１１ｂ…基板端部，１２…表面，１３…犠牲層，１３ａ…パターン辺，１４…リード，１４ａ…先端部，１４ｂ…基端部，１５…密着層，１６…破断制御構造体，１６ａ…応力集中端，１７…切り込み溝，１７ａ…溝先端，１８…押込み部材，１９…破断位置，２０…破断面，１６１…別の破断制御構造体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面において、その一部に形成した犠牲層上に先端が位置するように複数のリードを並列に配設し、前記基板の裏面において、前記犠牲層の真下を通る切り込み溝を形成し、前記犠牲層を除去した後に前記切り込み溝から前記基板を破断してその一部を切除し、前記リードの先端を残余の前記基板の端部から突出させるプローブコンタクトの製造方法において、
前記基板の表面であって前記複数のリードを両側から挟む位置に、前記基板の表面に局所的に応力を与える破断制御構造体が形成され、該破断制御構造体が前記基板の破断位置を制御することを特徴とするプローブコンタクトの製造方法。
【請求項２】
前記破断制御構造体は、前記基板の表面上で所定のパターン形状に形成され、そのパターンの一辺が前記犠牲層に位置合わせされていることを特徴とする請求項１に記載のプローブコンタクトの製造方法。
【請求項３】
前記破断制御構造体は、前記リードの配設と同時に形成され、前記リードと同一材料により構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブコンタクトの製造方法。
【請求項１】
基板の表面において、その一部に形成した犠牲層上に先端が位置するように複数のリードを並列に配設し、前記基板の裏面において、前記犠牲層の真下を通る切り込み溝を形成し、前記犠牲層を除去した後に前記切り込み溝から前記基板を破断してその一部を切除し、前記リードの先端を残余の前記基板の端部から突出させるプローブコンタクトの製造方法において、
前記基板の表面であって前記複数のリードを両側から挟む位置に、前記基板の表面に局所的に応力を与える破断制御構造体が形成され、該破断制御構造体が前記基板の破断位置を制御することを特徴とするプローブコンタクトの製造方法。
【請求項２】
前記破断制御構造体は、前記基板の表面上で所定のパターン形状に形成され、そのパターンの一辺が前記犠牲層に位置合わせされていることを特徴とする請求項１に記載のプローブコンタクトの製造方法。
【請求項３】
前記破断制御構造体は、前記リードの配設と同時に形成され、前記リードと同一材料により構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブコンタクトの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００９−６３５５２（Ｐ２００９−６３５５２Ａ）
【公開日】平成２１年３月２６日（２００９．３．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２３４０９１（Ｐ２００７−２３４０９１）
【出願日】平成１９年９月１０日（２００７．９．１０）
【出願人】（０００１７７６９０）山一電機株式会社 (233)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月２６日（２００９．３．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１０日（２００７．９．１０）
【出願人】（０００１７７６９０）山一電機株式会社 (233)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]