ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに含フッ素高分子化合物
【課題】液浸露光用、またアルカリ現像用として好適なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、および当該レジスト組成物に用いる添加剤として有用な含フッ素高分子化合物の提供。
【解決手段】アルカリ現像液に対して分解性を有する構成単位（ｆ１）をブロック共重合部位として含む含フッ素高分子化合物（F）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、 露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物。
【解決手段】アルカリ現像液に対して分解性を有する構成単位（ｆ１）をブロック共重合部位として含む含フッ素高分子化合物（F）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、 露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物。
Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/gzt_disp.php on line 298
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ現像液に対して分解性を有する構成単位（ｆ１）をブロック共重合部位として含む含フッ素高分子化合物（Ｆ）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、 露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】
前記構成単位（ｆ１）が、下記の一般式（ｆ１−１）で表される構成単位である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【化１】
［式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｘ００は置換基を有していても良い二価の連結基であり；Ｒ２はフッ素原子を有していても良い有機基である。但し、前記Ｘ００及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。］
【請求項３】
前記構成単位（ｆ１）が、下記の一般式（ｆ１−１−１）又は一般式（ｆ１−１−２）で表される構成単位である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
［式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｘは置換基を有していても良い二価の連結基であり；Ａａｒｙｌは置換基を有していてもよい二価の芳香族環式基であり；Ｘ０１は単結合又は置換基を有していても良い二価の連結基であり；Ｒ２はフッ素原子を有していても良い有機基である。但し、前記（ｆ１−１−１）中、Ｘ及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。同様に（ｆ１−１−２）中、Ｘ０１及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。］
【請求項４】
前記基材成分（Ａ）が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される
構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから
誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項４記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エス
テルから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項４又は５記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
さらに、含窒素有機化合物成分（Ｄ）を含有する請求項１〜６のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
支持体上に、請求項１〜７のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項９】
アルカリ現像液に対して分解性を有する構成単位（ｆ１）をブロック共重合部位として含む含フッ素高分子化合物。
【請求項１０】
前記構成単位（ｆ１）が、下記の一般式（ｆ１−１）で表される構成単位である請求項９記載の含フッ素高分子化合物。
【化３】
［式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｘ００は置換基を有していても良い二価の連結基であり；Ｒ２はフッ素原子を有していても良い有機基である。但し、前記Ｘ００及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。］
【請求項１１】
前記構成単位（ｆ１）が、下記の一般式（ｆ１−１−１）、又は一般式（ｆ１−１−２）で表される構成単位である請求項９記載の含フッ素高分子化合物。
【化４】
［式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｘは置換基を有してもよい二価の連結基であり；Ａａｒｙｌは置換基を有していてもよい二価の芳香族環式基であり；Ｘ０１はは単結合又は置換基を有してもよい二価の連結基であり；Ｒ２はフッ素原子を有していても良い有機基である。但し、前記Ｘ及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。］
【請求項１】
アルカリ現像液に対して分解性を有する構成単位（ｆ１）をブロック共重合部位として含む含フッ素高分子化合物（Ｆ）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、 露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】
前記構成単位（ｆ１）が、下記の一般式（ｆ１−１）で表される構成単位である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【化１】
［式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｘ００は置換基を有していても良い二価の連結基であり；Ｒ２はフッ素原子を有していても良い有機基である。但し、前記Ｘ００及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。］
【請求項３】
前記構成単位（ｆ１）が、下記の一般式（ｆ１−１−１）又は一般式（ｆ１−１−２）で表される構成単位である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
［式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｘは置換基を有していても良い二価の連結基であり；Ａａｒｙｌは置換基を有していてもよい二価の芳香族環式基であり；Ｘ０１は単結合又は置換基を有していても良い二価の連結基であり；Ｒ２はフッ素原子を有していても良い有機基である。但し、前記（ｆ１−１−１）中、Ｘ及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。同様に（ｆ１−１−２）中、Ｘ０１及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。］
【請求項４】
前記基材成分（Ａ）が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される
構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから
誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項４記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エス
テルから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項４又は５記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
さらに、含窒素有機化合物成分（Ｄ）を含有する請求項１〜６のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
支持体上に、請求項１〜７のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項９】
アルカリ現像液に対して分解性を有する構成単位（ｆ１）をブロック共重合部位として含む含フッ素高分子化合物。
【請求項１０】
前記構成単位（ｆ１）が、下記の一般式（ｆ１−１）で表される構成単位である請求項９記載の含フッ素高分子化合物。
【化３】
［式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｘ００は置換基を有していても良い二価の連結基であり；Ｒ２はフッ素原子を有していても良い有機基である。但し、前記Ｘ００及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。］
【請求項１１】
前記構成単位（ｆ１）が、下記の一般式（ｆ１−１−１）、又は一般式（ｆ１−１−２）で表される構成単位である請求項９記載の含フッ素高分子化合物。
【化４】
［式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｘは置換基を有してもよい二価の連結基であり；Ａａｒｙｌは置換基を有していてもよい二価の芳香族環式基であり；Ｘ０１はは単結合又は置換基を有してもよい二価の連結基であり；Ｒ２はフッ素原子を有していても良い有機基である。但し、前記Ｘ及びＲ２のうち少なくとも一方はフッ素原子を有するものとする。］
【図１】
【公開番号】特開２０１１−１３５６９（Ｐ２０１１−１３５６９Ａ）
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５９０７３（Ｐ２００９−１５９０７３）
【出願日】平成２１年７月３日（２００９．７．３）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月３日（２００９．７．３）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]