メッキ処理装置
【課題】適切な成膜処理が出来るメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】基板（７）に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽（１２）と、基板（１）を水平面内に回転可能に保持する基板保持部（１１）とを具備するメッキ処理装置（１）を構成する。ここで、メッキ処理槽（１２）は、メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極（１５）を含むものとする。また、基板保持部（１１）は、基板（７）に接触して電圧を印加するカソード電極を含むものとする。
そのメッキ処理装置（１）は、メッキ処理槽（１２）から、第１排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路（８）と、アノード電極（１５）上を流れ、第２排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ液循環流路（８）に提供する第２流路（１４）と、メッキ液循環流路（８）と第２流路（１４）との間に設けられ、第２流路（１４）からのメッキ液の流量を制御する流量制御バルブ（６）とを具備する。
【解決手段】基板（７）に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽（１２）と、基板（１）を水平面内に回転可能に保持する基板保持部（１１）とを具備するメッキ処理装置（１）を構成する。ここで、メッキ処理槽（１２）は、メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極（１５）を含むものとする。また、基板保持部（１１）は、基板（７）に接触して電圧を印加するカソード電極を含むものとする。
そのメッキ処理装置（１）は、メッキ処理槽（１２）から、第１排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路（８）と、アノード電極（１５）上を流れ、第２排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ液循環流路（８）に提供する第２流路（１４）と、メッキ液循環流路（８）と第２流路（１４）との間に設けられ、第２流路（１４）からのメッキ液の流量を制御する流量制御バルブ（６）とを具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のメッキ工程に使用するメッキ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェハ等に銅層等のメッキ層を形成するメッキ処理装置として、メッキ液槽の上部にメッキ処理対象の基板（以下、被処理基板と呼ぶ）を配置する方式（以下、フェイスダウン方式と呼ぶ）を採用しているメッキ処理装置が知られている（例えば、特許文献１、２参照。）。フェイスダウン方式では、上底部にアノ−ド電極を配設したメッキ液槽を備えている。そのメッキ液槽内にメッキ液を満たしている。また、被処理基板は、その被処理基板にメッキ処理を実行する面（以下、処理面と呼ぶ。）が、そのメッキ液の液面に向かい合うように配置されている。フェイスダウン方式では、この状態でウェハとアノ−ドとの間に電圧を印加することによってメッキ処理を実行している。このメッキ処理方法は、メッキ処理装置を小型化できる等の利点があり、広く用いられつつある。
【０００３】
以下に、従来のメッキ処理装置に関して説明を行う。図１は、従来のメッキ処理装置１０１の構成を示す図である。図１は、メッキ処理装置１０１の構成を、断面を用いて示している。図１を参照すると、従来のメッキ処理装置１０１は、メッキ処理チャンバー１０２と、タンク１０３と、ポンプ１０４と、定電流電源１０５とを含んで構成されている。タンク１０３は、メッキ処理チャンバー１０２から流れ出るメッキ液をメッキ処理チャンバー１０２に保持している。ポンプ１０４は、タンク１０３に保持されているメッキ液を、メッキ処理チャンバー１０２に循環させている。定電流電源１０５は、後述するウェハホルダー１１１とアノードコンタクトプレート１１９とに、直流電流を供給している。
【０００４】
また、図１を参照すると、そのメッキ処理チャンバー１０２は、ウェハ１０７を保持するウェハホルダー１１１と、メッキ液を保持するメッキ処理チャンバー内槽１１２とを含んで構成されている。また、メッキ処理チャンバー１０２は、循環ドレイン１１３を備えている。その循環ドレイン１１３は、アノードチャンバードレインノズル１１４を介してメッキ処理チャンバー内槽１１２に接続されている。さらにメッキ処理チャンバー内槽１１２は、アノードコンタクトプレート１１９と、アノード１１５と、メンバレン１１７と、ディフューザプレート１１８とを含んで構成されている。また、メッキ処理チャンバー内槽１１２は、アノード１１５とメンバレン１１７間でアノードチャンバー１２１を構成している。同様に、メンバレン１１７より上部でメンバレンディフューザプレートチャンバー１２２を構成している。
【０００５】
アノードコンタクトプレート１１９は、定電流電源１０５から出力される電流を、アノード１１５に供給している。アノード１１５は、アノードコンタクトプレート１１９を介して供給される電流に対応して、下部電極として作用している。メンバレン１１７は、メッキ液中の添加剤分解生成物をフィルタリングしている。ディフューザプレート１１８は、被処理ウェハ１０７へのメッキ液の流れが均等になるように、メッキ液を供給している。
【０００６】
またメッキ液供給経路として、アノードコンタクトプレート１１９、アノード１１５、メンバレン１１７を貫通しているメッキ液供給ノズル１１６が構成されている。図１を参照すると、メンバレンディフューザプレートチャンバー１２２内に供給されたメッキ液は、ディフューザプレート１１８を通過し、循環ドレイン１１３から排出されている。また、アノードチャンバー１２１内に供給されたメッキ液はアノードチャンバー１２１に設けられたアノードチャンバードレインノズル１１４を介して循環ドレイン１１３から排出されている。
【０００７】
ここにおいて、従来のメッキ処理チャンバー１０２では、ウェハホルダー１１１にセットされた被処理ウェハ１０７に対しメッキ処理を実行する場合、メッキ液をメッキ液供給ノズル１１６から６ｌ/min供給している。またその時に、アノード１１５に対し、１〜１０Ａの電流を約２〜５分間供給していた。
【０００８】
上記特許文献１（特開２００１−３１６８８７号公報）には、上述のフェイスダウン方式によって、シリコンウェハ等の被処理基板上に銅層等のメッキ層を形成するメッキ処理装置についての技術が開示されている。また、特許文献２（米国特許６８９０４１６号公報）には特許文献１と異なるメッキ処理装置に関する技術が開示されている。特許文献２には、メッキ処理装置にポンプを備え、そのポンプの回転数やストロークを増やしてアノードチャンバー／メンバレン・ディフューザプレートチャンバー／ウェハ表面の全体に流れるメッキ液の流量を制御する技術が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−３１６８８７号公報
【特許文献２】米国特許６８９０４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ウェハ１０７に銅をメッキして膜厚の厚いＣｕ膜を形成する場合、上述のように、１０Ａ程度の電流を長時間流す必要がある。このとき、アノード１１５の上のＣｕ濃度が高くなってしまうことがある。この状態のときに、アノード１１５上に流れるメッキ液の流量が少ないと、アノード１１５上に硫酸銅の結晶が出来てしまうことがある。硫酸銅の結晶が出来てしまった場合、その結晶は、電気抵抗となってしまう。そのため、１０Ａ程度の電流を長時間維持することが困難になり、適切な成膜処理が出来なくなることがあった。
【００１１】
膜厚の厚いＣｕ膜を形成する場合において、供給メッキ液の量を増やすことによって、アノード１１５上に流れるメッキ液の流量を増やしていた。上述のように、膜厚を厚くしてメッキする場合は、アノード１１５上に流れる流量を増やす必要がある（アノード上のＣｕ析出防止の為）。このとき、供給メッキ液の量が増加していると、メンバレン１１７表面に流れるメッキ液の量が増えてしまう。そのため、被処理ウェハ１０７の表面を流れるメッキ液速度が速くなる。それによってウェハ１０７面内膜厚を均一にメッキすることが困難になってしまうことがある。また、メッキ液の増加に伴って、メッキ液に含まれる各種成分の消費量が多くなり、コストが増加してしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１３】
上記課題を解決するために、基板（７）に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽（１２）と、前記メッキ処理槽（１２）の上層に構成され、前記基板（１）を水平面内に回転可能に保持する基板保持部（１１）とを具備するメッキ処理装置（１）を構成する。ここで、前記メッキ処理槽（１２）は、前記メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極（１５）を含むものとする。また、前記基板保持部（１１）は、前記基板（７）に接触して電圧を印加するカソード電極を含むものとする。
ここにおいて、そのメッキ処理装置（１）は、前記メッキ処理槽（１２）から、第１排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路（８）と、前記メッキ液循環流路（８）から提供される前記メッキ液を前記メッキ処理槽内部に供給する供給路（１６）と、前記アノード電極（１５）上を流れ、第２排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ液循環流路（８）に提供する第２流路（１４）と、前記メッキ液循環流路（８）と前記第２流路（１４）との間に設けられ、前記第２流路（１４）から前記メッキ液循環流路（８）に提供される前記メッキ液の流量を制御する流量制御バルブ（６）とを具備する。
【００１４】
このとき、流量制御バルブ（６）は、アノード電極（１５）に硫酸銅の結晶が析出しない程度の流量となるように、第２流路（１４）を流れるメッキ液の量を制御する。また、流量制御バルブ（６）は、基板（７）の表面を流れるメッキ液の流速が増大しないように、そのバルブの開度を調整する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、供給メッキ液の量を変えずに、アノ-ドチャンバ-に流れる流量のみを最適に制御できるという効果がある。つまり、本発明によれば、ウェハ表面に流れるメッキ液の流量を一定に保ちながら、アノードチャンバーに流れる流量を可変とし、薄膜から厚膜まで可変的にメッキ処理することが可能となる。
【００１６】
また、本発明のよると、膜厚を薄くしてメッキする場合は、膜厚を厚くしてメッキする場合の成膜処理に比べ、アノード上に流れるメッキ液の流量を減らすことができる。メッキ液の流量を低減することによって、添加剤消費量を抑え、コスト増加を抑えることが可能となる。
【００１７】
また、従来は、増加した電気抵抗に見合った電流を確保するために、定電流電源を高電圧対応のパワ−サプライで構成することによって、従来の問題に対応することが行われていた。本発明のよると、定電流電源を高電圧対応のパワ−サプライで構成することなくメッキ処理を実行することが可能になる。これによって、設備にかかるコストを増加させることなく適切なメッキ処理を実行することが可能となる。
【００１８】
また、特許文献２の技術では、ポンプでメッキ液の流量を増やすことによって、アノード上にＣｕ結晶が析出することを抑制することが可能となる。しかしながら、被処理ウェハの表面を流れる薬液速度が速くなって、ウェハ面内の膜厚の均一性が悪化してしまうことがある。本発明によると、ウェハ表面のメッキ液の流速が増加することを抑制し、ウェハ面内の膜厚を均一にすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
［第１の実施形態］
以下に、図面を参照して、本発明を実施するための形態について説明を行う。以下に述べる実施形態では、本願発明を適用したメッキ処理装置１が、シリコンウェハに銅をメッキしてＣｕ膜を形成する装置である場合を例示して説明を行う。なお、これは、本願発明がＣｕ膜を形成するメッキ処理のみに適用可能であることを意味するものではない。図２は、本発明のメッキ処理装置１における第１の実施形態の構成を例示する断面図である。図１を参照すると、第１の実施形態のメッキ処理装置１は、メッキ処理チャンバー２と、タンク３と、ポンプ４と、定電流電源５と、流量制御バルブ６とを含んで構成されている。
【００２０】
メッキ処理チャンバー２は、ウェハ７に対してメッキ処理を実行する処理槽である。メッキ処理チャンバー２は、ウェハ７にメッキ処理するためのメッキ液を貯留している。また、タンク３は、メッキ処理チャンバー２から排出されるメッキ液を保持している。ポンプ４は、タンク３に保持されているメッキ液をメッキ処理チャンバー２に供給している。これによって、メッキ処理チャンバー２から排出されるメッキ液は、メッキ処理チャンバー２に戻ることとなり、循環的にメッキ液を供給することが可能となる。定電流電源５は、メッキ処理チャンバー２によるメッキ処理を行うために必要な電力を提供している。流量制御バルブ６は、ウェハ表面に流れるメッキ液の流量を一定に保ちながら、アノードチャンバーに流れるメッキ液の流量を制御している。
【００２１】
図２を参照すると、メッキ処理チャンバー２は、メッキ処理チャンバー内槽１２を含んで構成されている。また、メッキ処理チャンバー２は循環ドレイン１３を備えている。ウェハホルダー１１は、ウェハ７を保持している。図２に示されているように、ウェハホルダー１１は、メッキ処理対象の面を下にするように配置されたウェハ７に接触している。ウェハホルダー１１は、ウェハ７を回転可能に保持している。また、ウェハホルダー１１は、第１ノードＮ１を介して定電流電源５に接続されている。
【００２２】
メッキ処理チャンバー内槽１２の内部にはアノード１５が、構成されている。図２に示されているように、アノード１５は、メッキ処理チャンバー内槽１２の外部に備えられたアノードコンタクトプレート１９に接続されている。アノードコンタクトプレート１９は、第２ノードＮ２を介して定電流電源５に接続されている。したがって、アノード１５は、アノードコンタクトプレート１９を介して供給される電流に対応してアノード電極（下部電極）として作用している。
【００２３】
循環ドレイン１３は、メッキ処理チャンバー２に構成され、メッキ処理チャンバー内槽１２から流れ出るメッキ液を循環させるための流路である。図２に示されているように、本実施形態のメッキ処理装置１は、その循環ドレイン１３と、タンク３とポンプ４とで、メッキ液循環流路８（第１流路）を構成している。
【００２４】
また、上述のメッキ処理チャンバー内槽１２は、アノードチャンバードレインノズル１４と、メッキ液供給ノズル１６と、メンバレン１７と、ディフューザプレート１８とを含んで構成されている。アノードチャンバードレインノズル１４は、アノードチャンバー２１のメッキ液を排出するための排出口である。図１に示されているように、本実施形態のアノードチャンバードレインノズル１４は、流量制御バルブ６に接続されている。メンバレン１７は、メッキ液中の添加剤分解生成物をフィルタリングしている。ディフューザプレート１８は、被処理ウェハ１０７へのメッキ液の流れが均等になるように、メッキ液を供給している。
【００２５】
メッキ液供給ノズル１６は、本実施形態のメッキ処理装置１におけるメッキ液供給経路である、メッキ液供給ノズル１６は、アノードコンタクトプレート１９、アノード１５、及び、メンバレン１７を貫通している。図２に示されているように、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２の内部に供給されたメッキ液は、ディフューザプレート１８を通過し、循環ドレイン１３から排出されている。また、アノードチャンバー２１内に供給されたメッキ液はアノードチャンバー２１に設けられたアノードチャンバードレインノズル１４から、流量制御バルブ６を介して循環ドレイン１３に供給されている。
【００２６】
上述のように、Ｃｕ膜などを形成するためのメッキ処理において、そのＣｕ膜を適切に形成するためには、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２に流れるメッキ液の量を絞ることが要求されている。本実施形態のメッキ処理装置１では、このときにアノード１５に硫酸銅などの結晶ができてしまうことを防止するため、アノードチャンバードレインノズル１４の穴径を大きくすることによって、アノードチャンバードレインノズル１４に流れるメッキ液の量を十分に確保している。つまり、アノードチャンバードレインノズル１４の穴径を大きくすることで、流体にかかる抵抗を減らし、アノードチャンバードレインノズル１４に十分な量のメッキ液が流れるようにしている。
【００２７】
ここにおいて、本実施形態の流量制御バルブ６は、アノードチャンバードレインノズル１４の流量を６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎとなるようにバルブの開度を制御する。なお、Ｃｕ膜などを形成するためのメッキ処理において、この流量を６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎにすることで、良い結果が得られることが実験により判明している。つまり、流量制御バルブ６が、アノードチャンバードレインノズル１４の流量を６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎに制御することで、Ｃｕ膜メッキ処理におけるアノード１５上のＣｕ濃度が高濃度になることが抑制されている。本実施形態のメッキ処理装置１は、流量制御バルブ６によってメッキ液の流量を制御することによって、アノード１５上に硫酸銅の結晶が形成されることを抑制し、アノード１５における電気抵抗が増加することを防止している。
【００２８】
また、流量制御バルブ６は、ウェハ７の表面に流れるメッキ液の流量を一定に保ちながら、アノードチャンバー２１に流れるメッキ液の流量を可変としている。これによって、アノード１５上のメッキ液の滞留を無くしている。そのため、形成するＣｕ膜の膜厚が比較的厚い場合には、アノード１５上での硫酸銅の析出が抑えられ、適切なＣｕ膜を形成するメッキ処理装置を構成している。また、膜厚の薄いＣｕ膜をメッキする場合は、膜厚の薄いＣｕ膜メッキ処理に比べ、アノード１５上に流れる流量を減らすことが可能となり、添加剤消費量抑え、コスト増加を抑えることができるようになる。
【００２９】
このとき、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２に供給されるメッキ液は最適な流量に制御されているため、ウェハ７面内の膜厚を均一にすることが可能である。さらに電気抵抗の増加もないことから、高電圧対応のパワ−サプライを備えることなく適切なＣｕ膜を形成するメッキ処理装置を構成することが可能となり、メッキ処理装置の設備に費やされるコストを低減することが可能になる。
【００３０】
［第２の実施形態］
以下に、図面を参照して、本発明の第２の実施形態について説明を行う。図３は、本発明の第２の実施形態におけるメッキ処理装置１の構成を例示する断面図である。以下の説明に用いる図面において、第１の実施形態に用いた符号と同様の符号が付されている要素は、第１の実施形態と同様の構成・動作である。したがって、以下の説明において、重複する要素に関しては、それの説明を省略する。
【００３１】
図３を参照すると、第２の実施形態のメッキ処理装置１において、メッキ液循環流路８のポンプ４は、アノードチャンバー用ポンプ３１とメンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ３２とを備えている。また、メッキ液供給ノズル１６は、メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３とアノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４とを含んで構成されている。図３に示されているように、アノードチャンバー用ポンプ３１は、アノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４に接続されている。またメンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ３２は、メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３に接続されている。
【００３２】
アノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４は、アノードチャンバー２１にメッキ液を供給している。また、メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３は、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２にメッキ液を供給している。図３に示されているように、メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３とアノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４とは、独立して構成されている。ここにおいて、アノードチャンバー用ポンプ３１がアノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４に対してメッキ液を供給し、メンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ３２がメンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３に対してメッキ液を供給している。したがって、アノードチャンバー用ポンプ３１とメンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ３２が供給する流量を制御することによって、より高精度にアノードチャンバー２１を流れるメッキ液の流量とメンバレンディフューザプレートチャンバー２２を流れるメッキ液の流量とを制御することが可能になる。
【００３３】
また、第２の実施形態におけるメッキ処理装置１は、メッキ液の流量を、アノードチャンバー２１とメンバレンディフューザプレートチャンバー２２に合わせて制御することができるため、各チャンバーに応じて、最小量のメッキ液を供給することができる。そのため、メッキ液の消費量を抑えることによるコストの低減を実現することが出来る。
【００３４】
［第３の実施形態］
以下に、図面を参照して、本発明の第３の実施形態について説明を行う。第３の実施形態におけるメッキ処理装置１は、アノードチャンバードレインノズル１４の流量が６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎになるような穴径の吐出口を有するメッキ液供給ノズル１６を備えている。この場合において、メッキ液供給ノズル１６は、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２にメッキ液を供給する吐出口、または、アノードチャンバー２１にメッキ液を供給する吐出口の穴径を制御することによって、アノードチャンバードレインノズル１４の流量を制御している。第３の実施形態のメッキ処理装置１は、アノードチャンバードレインノズル１４のメッキ液の排出量を、固定的にしたい場合に、設備にかかるコストの増加を抑制しつつ、アノードチャンバードレインノズル１４のメッキ液の流量を制御することができる。また。上述の流量制御バルブ６を備えることで、より高精度にアノードチャンバードレインノズル１４のメッキ液の流量を可変的に制御することが可能となる。
【００３５】
上記の複数の実施形態は、その構成・動作に矛盾が生じない範囲において、組み合わせて実施することが可能である。また、本願発明の流量制御バルブとしては、たとえばフローメータがついていて、それによってバルブを制御するようなものであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、従来のメッキ処理装置の構成を例示する断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態におけるメッキ処理装置１の構成を例示する断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態におけるメッキ処理装置１の構成を例示する断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…メッキ処理装置
２…メッキ処理チャンバー
３…タンク
４…ポンプ
５…定電流電源
６…流量制御バルブ
７…ウェハ
８…メッキ液循環流路
１１…ウェハホルダー
１２…メッキ処理チャンバー内槽
１３…循環ドレイン
１４…アノードチャンバードレインノズル
１５…アノード
１６…メッキ液供給ノズル
１７…メンバレン
１８…ディフューザプレート
１９…アノードコンタクトプレート
２１…アノードチャンバー
２２…メンバレンディフューザプレートチャンバー
３１…アノードチャンバー用ポンプ
３２…メンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ
３３…メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル
３４…アノードチャンバー用メッキ液供給ノズル
Ｎ１…第１ノード
Ｎ２…第２ノード
１０１…メッキ処理装置
１０２…メッキ処理チャンバー
１０３…タンク
１０４…ポンプ
１０５…定電流電源
１０７…ウェハ
１１１…ウェハホルダー
１１２…メッキ処理チャンバー内槽
１１３…循環ドレイン
１１４…アノードチャンバードレインノズル
１１５…アノード
１１６…メッキ液供給ノズル
１１７…メンバレン
１１８…ディフューザプレート
１１９…アノードコンタクトプレート
１２１…アノードチャンバー
１２２…メンバレンディフューザプレートチャンバー
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のメッキ工程に使用するメッキ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェハ等に銅層等のメッキ層を形成するメッキ処理装置として、メッキ液槽の上部にメッキ処理対象の基板（以下、被処理基板と呼ぶ）を配置する方式（以下、フェイスダウン方式と呼ぶ）を採用しているメッキ処理装置が知られている（例えば、特許文献１、２参照。）。フェイスダウン方式では、上底部にアノ−ド電極を配設したメッキ液槽を備えている。そのメッキ液槽内にメッキ液を満たしている。また、被処理基板は、その被処理基板にメッキ処理を実行する面（以下、処理面と呼ぶ。）が、そのメッキ液の液面に向かい合うように配置されている。フェイスダウン方式では、この状態でウェハとアノ−ドとの間に電圧を印加することによってメッキ処理を実行している。このメッキ処理方法は、メッキ処理装置を小型化できる等の利点があり、広く用いられつつある。
【０００３】
以下に、従来のメッキ処理装置に関して説明を行う。図１は、従来のメッキ処理装置１０１の構成を示す図である。図１は、メッキ処理装置１０１の構成を、断面を用いて示している。図１を参照すると、従来のメッキ処理装置１０１は、メッキ処理チャンバー１０２と、タンク１０３と、ポンプ１０４と、定電流電源１０５とを含んで構成されている。タンク１０３は、メッキ処理チャンバー１０２から流れ出るメッキ液をメッキ処理チャンバー１０２に保持している。ポンプ１０４は、タンク１０３に保持されているメッキ液を、メッキ処理チャンバー１０２に循環させている。定電流電源１０５は、後述するウェハホルダー１１１とアノードコンタクトプレート１１９とに、直流電流を供給している。
【０００４】
また、図１を参照すると、そのメッキ処理チャンバー１０２は、ウェハ１０７を保持するウェハホルダー１１１と、メッキ液を保持するメッキ処理チャンバー内槽１１２とを含んで構成されている。また、メッキ処理チャンバー１０２は、循環ドレイン１１３を備えている。その循環ドレイン１１３は、アノードチャンバードレインノズル１１４を介してメッキ処理チャンバー内槽１１２に接続されている。さらにメッキ処理チャンバー内槽１１２は、アノードコンタクトプレート１１９と、アノード１１５と、メンバレン１１７と、ディフューザプレート１１８とを含んで構成されている。また、メッキ処理チャンバー内槽１１２は、アノード１１５とメンバレン１１７間でアノードチャンバー１２１を構成している。同様に、メンバレン１１７より上部でメンバレンディフューザプレートチャンバー１２２を構成している。
【０００５】
アノードコンタクトプレート１１９は、定電流電源１０５から出力される電流を、アノード１１５に供給している。アノード１１５は、アノードコンタクトプレート１１９を介して供給される電流に対応して、下部電極として作用している。メンバレン１１７は、メッキ液中の添加剤分解生成物をフィルタリングしている。ディフューザプレート１１８は、被処理ウェハ１０７へのメッキ液の流れが均等になるように、メッキ液を供給している。
【０００６】
またメッキ液供給経路として、アノードコンタクトプレート１１９、アノード１１５、メンバレン１１７を貫通しているメッキ液供給ノズル１１６が構成されている。図１を参照すると、メンバレンディフューザプレートチャンバー１２２内に供給されたメッキ液は、ディフューザプレート１１８を通過し、循環ドレイン１１３から排出されている。また、アノードチャンバー１２１内に供給されたメッキ液はアノードチャンバー１２１に設けられたアノードチャンバードレインノズル１１４を介して循環ドレイン１１３から排出されている。
【０００７】
ここにおいて、従来のメッキ処理チャンバー１０２では、ウェハホルダー１１１にセットされた被処理ウェハ１０７に対しメッキ処理を実行する場合、メッキ液をメッキ液供給ノズル１１６から６ｌ/min供給している。またその時に、アノード１１５に対し、１〜１０Ａの電流を約２〜５分間供給していた。
【０００８】
上記特許文献１（特開２００１−３１６８８７号公報）には、上述のフェイスダウン方式によって、シリコンウェハ等の被処理基板上に銅層等のメッキ層を形成するメッキ処理装置についての技術が開示されている。また、特許文献２（米国特許６８９０４１６号公報）には特許文献１と異なるメッキ処理装置に関する技術が開示されている。特許文献２には、メッキ処理装置にポンプを備え、そのポンプの回転数やストロークを増やしてアノードチャンバー／メンバレン・ディフューザプレートチャンバー／ウェハ表面の全体に流れるメッキ液の流量を制御する技術が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−３１６８８７号公報
【特許文献２】米国特許６８９０４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ウェハ１０７に銅をメッキして膜厚の厚いＣｕ膜を形成する場合、上述のように、１０Ａ程度の電流を長時間流す必要がある。このとき、アノード１１５の上のＣｕ濃度が高くなってしまうことがある。この状態のときに、アノード１１５上に流れるメッキ液の流量が少ないと、アノード１１５上に硫酸銅の結晶が出来てしまうことがある。硫酸銅の結晶が出来てしまった場合、その結晶は、電気抵抗となってしまう。そのため、１０Ａ程度の電流を長時間維持することが困難になり、適切な成膜処理が出来なくなることがあった。
【００１１】
膜厚の厚いＣｕ膜を形成する場合において、供給メッキ液の量を増やすことによって、アノード１１５上に流れるメッキ液の流量を増やしていた。上述のように、膜厚を厚くしてメッキする場合は、アノード１１５上に流れる流量を増やす必要がある（アノード上のＣｕ析出防止の為）。このとき、供給メッキ液の量が増加していると、メンバレン１１７表面に流れるメッキ液の量が増えてしまう。そのため、被処理ウェハ１０７の表面を流れるメッキ液速度が速くなる。それによってウェハ１０７面内膜厚を均一にメッキすることが困難になってしまうことがある。また、メッキ液の増加に伴って、メッキ液に含まれる各種成分の消費量が多くなり、コストが増加してしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１３】
上記課題を解決するために、基板（７）に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽（１２）と、前記メッキ処理槽（１２）の上層に構成され、前記基板（１）を水平面内に回転可能に保持する基板保持部（１１）とを具備するメッキ処理装置（１）を構成する。ここで、前記メッキ処理槽（１２）は、前記メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極（１５）を含むものとする。また、前記基板保持部（１１）は、前記基板（７）に接触して電圧を印加するカソード電極を含むものとする。
ここにおいて、そのメッキ処理装置（１）は、前記メッキ処理槽（１２）から、第１排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路（８）と、前記メッキ液循環流路（８）から提供される前記メッキ液を前記メッキ処理槽内部に供給する供給路（１６）と、前記アノード電極（１５）上を流れ、第２排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ液循環流路（８）に提供する第２流路（１４）と、前記メッキ液循環流路（８）と前記第２流路（１４）との間に設けられ、前記第２流路（１４）から前記メッキ液循環流路（８）に提供される前記メッキ液の流量を制御する流量制御バルブ（６）とを具備する。
【００１４】
このとき、流量制御バルブ（６）は、アノード電極（１５）に硫酸銅の結晶が析出しない程度の流量となるように、第２流路（１４）を流れるメッキ液の量を制御する。また、流量制御バルブ（６）は、基板（７）の表面を流れるメッキ液の流速が増大しないように、そのバルブの開度を調整する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、供給メッキ液の量を変えずに、アノ-ドチャンバ-に流れる流量のみを最適に制御できるという効果がある。つまり、本発明によれば、ウェハ表面に流れるメッキ液の流量を一定に保ちながら、アノードチャンバーに流れる流量を可変とし、薄膜から厚膜まで可変的にメッキ処理することが可能となる。
【００１６】
また、本発明のよると、膜厚を薄くしてメッキする場合は、膜厚を厚くしてメッキする場合の成膜処理に比べ、アノード上に流れるメッキ液の流量を減らすことができる。メッキ液の流量を低減することによって、添加剤消費量を抑え、コスト増加を抑えることが可能となる。
【００１７】
また、従来は、増加した電気抵抗に見合った電流を確保するために、定電流電源を高電圧対応のパワ−サプライで構成することによって、従来の問題に対応することが行われていた。本発明のよると、定電流電源を高電圧対応のパワ−サプライで構成することなくメッキ処理を実行することが可能になる。これによって、設備にかかるコストを増加させることなく適切なメッキ処理を実行することが可能となる。
【００１８】
また、特許文献２の技術では、ポンプでメッキ液の流量を増やすことによって、アノード上にＣｕ結晶が析出することを抑制することが可能となる。しかしながら、被処理ウェハの表面を流れる薬液速度が速くなって、ウェハ面内の膜厚の均一性が悪化してしまうことがある。本発明によると、ウェハ表面のメッキ液の流速が増加することを抑制し、ウェハ面内の膜厚を均一にすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
［第１の実施形態］
以下に、図面を参照して、本発明を実施するための形態について説明を行う。以下に述べる実施形態では、本願発明を適用したメッキ処理装置１が、シリコンウェハに銅をメッキしてＣｕ膜を形成する装置である場合を例示して説明を行う。なお、これは、本願発明がＣｕ膜を形成するメッキ処理のみに適用可能であることを意味するものではない。図２は、本発明のメッキ処理装置１における第１の実施形態の構成を例示する断面図である。図１を参照すると、第１の実施形態のメッキ処理装置１は、メッキ処理チャンバー２と、タンク３と、ポンプ４と、定電流電源５と、流量制御バルブ６とを含んで構成されている。
【００２０】
メッキ処理チャンバー２は、ウェハ７に対してメッキ処理を実行する処理槽である。メッキ処理チャンバー２は、ウェハ７にメッキ処理するためのメッキ液を貯留している。また、タンク３は、メッキ処理チャンバー２から排出されるメッキ液を保持している。ポンプ４は、タンク３に保持されているメッキ液をメッキ処理チャンバー２に供給している。これによって、メッキ処理チャンバー２から排出されるメッキ液は、メッキ処理チャンバー２に戻ることとなり、循環的にメッキ液を供給することが可能となる。定電流電源５は、メッキ処理チャンバー２によるメッキ処理を行うために必要な電力を提供している。流量制御バルブ６は、ウェハ表面に流れるメッキ液の流量を一定に保ちながら、アノードチャンバーに流れるメッキ液の流量を制御している。
【００２１】
図２を参照すると、メッキ処理チャンバー２は、メッキ処理チャンバー内槽１２を含んで構成されている。また、メッキ処理チャンバー２は循環ドレイン１３を備えている。ウェハホルダー１１は、ウェハ７を保持している。図２に示されているように、ウェハホルダー１１は、メッキ処理対象の面を下にするように配置されたウェハ７に接触している。ウェハホルダー１１は、ウェハ７を回転可能に保持している。また、ウェハホルダー１１は、第１ノードＮ１を介して定電流電源５に接続されている。
【００２２】
メッキ処理チャンバー内槽１２の内部にはアノード１５が、構成されている。図２に示されているように、アノード１５は、メッキ処理チャンバー内槽１２の外部に備えられたアノードコンタクトプレート１９に接続されている。アノードコンタクトプレート１９は、第２ノードＮ２を介して定電流電源５に接続されている。したがって、アノード１５は、アノードコンタクトプレート１９を介して供給される電流に対応してアノード電極（下部電極）として作用している。
【００２３】
循環ドレイン１３は、メッキ処理チャンバー２に構成され、メッキ処理チャンバー内槽１２から流れ出るメッキ液を循環させるための流路である。図２に示されているように、本実施形態のメッキ処理装置１は、その循環ドレイン１３と、タンク３とポンプ４とで、メッキ液循環流路８（第１流路）を構成している。
【００２４】
また、上述のメッキ処理チャンバー内槽１２は、アノードチャンバードレインノズル１４と、メッキ液供給ノズル１６と、メンバレン１７と、ディフューザプレート１８とを含んで構成されている。アノードチャンバードレインノズル１４は、アノードチャンバー２１のメッキ液を排出するための排出口である。図１に示されているように、本実施形態のアノードチャンバードレインノズル１４は、流量制御バルブ６に接続されている。メンバレン１７は、メッキ液中の添加剤分解生成物をフィルタリングしている。ディフューザプレート１８は、被処理ウェハ１０７へのメッキ液の流れが均等になるように、メッキ液を供給している。
【００２５】
メッキ液供給ノズル１６は、本実施形態のメッキ処理装置１におけるメッキ液供給経路である、メッキ液供給ノズル１６は、アノードコンタクトプレート１９、アノード１５、及び、メンバレン１７を貫通している。図２に示されているように、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２の内部に供給されたメッキ液は、ディフューザプレート１８を通過し、循環ドレイン１３から排出されている。また、アノードチャンバー２１内に供給されたメッキ液はアノードチャンバー２１に設けられたアノードチャンバードレインノズル１４から、流量制御バルブ６を介して循環ドレイン１３に供給されている。
【００２６】
上述のように、Ｃｕ膜などを形成するためのメッキ処理において、そのＣｕ膜を適切に形成するためには、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２に流れるメッキ液の量を絞ることが要求されている。本実施形態のメッキ処理装置１では、このときにアノード１５に硫酸銅などの結晶ができてしまうことを防止するため、アノードチャンバードレインノズル１４の穴径を大きくすることによって、アノードチャンバードレインノズル１４に流れるメッキ液の量を十分に確保している。つまり、アノードチャンバードレインノズル１４の穴径を大きくすることで、流体にかかる抵抗を減らし、アノードチャンバードレインノズル１４に十分な量のメッキ液が流れるようにしている。
【００２７】
ここにおいて、本実施形態の流量制御バルブ６は、アノードチャンバードレインノズル１４の流量を６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎとなるようにバルブの開度を制御する。なお、Ｃｕ膜などを形成するためのメッキ処理において、この流量を６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎにすることで、良い結果が得られることが実験により判明している。つまり、流量制御バルブ６が、アノードチャンバードレインノズル１４の流量を６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎに制御することで、Ｃｕ膜メッキ処理におけるアノード１５上のＣｕ濃度が高濃度になることが抑制されている。本実施形態のメッキ処理装置１は、流量制御バルブ６によってメッキ液の流量を制御することによって、アノード１５上に硫酸銅の結晶が形成されることを抑制し、アノード１５における電気抵抗が増加することを防止している。
【００２８】
また、流量制御バルブ６は、ウェハ７の表面に流れるメッキ液の流量を一定に保ちながら、アノードチャンバー２１に流れるメッキ液の流量を可変としている。これによって、アノード１５上のメッキ液の滞留を無くしている。そのため、形成するＣｕ膜の膜厚が比較的厚い場合には、アノード１５上での硫酸銅の析出が抑えられ、適切なＣｕ膜を形成するメッキ処理装置を構成している。また、膜厚の薄いＣｕ膜をメッキする場合は、膜厚の薄いＣｕ膜メッキ処理に比べ、アノード１５上に流れる流量を減らすことが可能となり、添加剤消費量抑え、コスト増加を抑えることができるようになる。
【００２９】
このとき、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２に供給されるメッキ液は最適な流量に制御されているため、ウェハ７面内の膜厚を均一にすることが可能である。さらに電気抵抗の増加もないことから、高電圧対応のパワ−サプライを備えることなく適切なＣｕ膜を形成するメッキ処理装置を構成することが可能となり、メッキ処理装置の設備に費やされるコストを低減することが可能になる。
【００３０】
［第２の実施形態］
以下に、図面を参照して、本発明の第２の実施形態について説明を行う。図３は、本発明の第２の実施形態におけるメッキ処理装置１の構成を例示する断面図である。以下の説明に用いる図面において、第１の実施形態に用いた符号と同様の符号が付されている要素は、第１の実施形態と同様の構成・動作である。したがって、以下の説明において、重複する要素に関しては、それの説明を省略する。
【００３１】
図３を参照すると、第２の実施形態のメッキ処理装置１において、メッキ液循環流路８のポンプ４は、アノードチャンバー用ポンプ３１とメンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ３２とを備えている。また、メッキ液供給ノズル１６は、メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３とアノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４とを含んで構成されている。図３に示されているように、アノードチャンバー用ポンプ３１は、アノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４に接続されている。またメンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ３２は、メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３に接続されている。
【００３２】
アノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４は、アノードチャンバー２１にメッキ液を供給している。また、メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３は、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２にメッキ液を供給している。図３に示されているように、メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３とアノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４とは、独立して構成されている。ここにおいて、アノードチャンバー用ポンプ３１がアノードチャンバー用メッキ液供給ノズル３４に対してメッキ液を供給し、メンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ３２がメンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル３３に対してメッキ液を供給している。したがって、アノードチャンバー用ポンプ３１とメンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ３２が供給する流量を制御することによって、より高精度にアノードチャンバー２１を流れるメッキ液の流量とメンバレンディフューザプレートチャンバー２２を流れるメッキ液の流量とを制御することが可能になる。
【００３３】
また、第２の実施形態におけるメッキ処理装置１は、メッキ液の流量を、アノードチャンバー２１とメンバレンディフューザプレートチャンバー２２に合わせて制御することができるため、各チャンバーに応じて、最小量のメッキ液を供給することができる。そのため、メッキ液の消費量を抑えることによるコストの低減を実現することが出来る。
【００３４】
［第３の実施形態］
以下に、図面を参照して、本発明の第３の実施形態について説明を行う。第３の実施形態におけるメッキ処理装置１は、アノードチャンバードレインノズル１４の流量が６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎになるような穴径の吐出口を有するメッキ液供給ノズル１６を備えている。この場合において、メッキ液供給ノズル１６は、メンバレンディフューザプレートチャンバー２２にメッキ液を供給する吐出口、または、アノードチャンバー２１にメッキ液を供給する吐出口の穴径を制御することによって、アノードチャンバードレインノズル１４の流量を制御している。第３の実施形態のメッキ処理装置１は、アノードチャンバードレインノズル１４のメッキ液の排出量を、固定的にしたい場合に、設備にかかるコストの増加を抑制しつつ、アノードチャンバードレインノズル１４のメッキ液の流量を制御することができる。また。上述の流量制御バルブ６を備えることで、より高精度にアノードチャンバードレインノズル１４のメッキ液の流量を可変的に制御することが可能となる。
【００３５】
上記の複数の実施形態は、その構成・動作に矛盾が生じない範囲において、組み合わせて実施することが可能である。また、本願発明の流量制御バルブとしては、たとえばフローメータがついていて、それによってバルブを制御するようなものであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、従来のメッキ処理装置の構成を例示する断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態におけるメッキ処理装置１の構成を例示する断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態におけるメッキ処理装置１の構成を例示する断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…メッキ処理装置
２…メッキ処理チャンバー
３…タンク
４…ポンプ
５…定電流電源
６…流量制御バルブ
７…ウェハ
８…メッキ液循環流路
１１…ウェハホルダー
１２…メッキ処理チャンバー内槽
１３…循環ドレイン
１４…アノードチャンバードレインノズル
１５…アノード
１６…メッキ液供給ノズル
１７…メンバレン
１８…ディフューザプレート
１９…アノードコンタクトプレート
２１…アノードチャンバー
２２…メンバレンディフューザプレートチャンバー
３１…アノードチャンバー用ポンプ
３２…メンバレンディフューザプレートチャンバー用ポンプ
３３…メンバレンディフューザプレートチャンバー用メッキ液供給ノズル
３４…アノードチャンバー用メッキ液供給ノズル
Ｎ１…第１ノード
Ｎ２…第２ノード
１０１…メッキ処理装置
１０２…メッキ処理チャンバー
１０３…タンク
１０４…ポンプ
１０５…定電流電源
１０７…ウェハ
１１１…ウェハホルダー
１１２…メッキ処理チャンバー内槽
１１３…循環ドレイン
１１４…アノードチャンバードレインノズル
１１５…アノード
１１６…メッキ液供給ノズル
１１７…メンバレン
１１８…ディフューザプレート
１１９…アノードコンタクトプレート
１２１…アノードチャンバー
１２２…メンバレンディフューザプレートチャンバー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽と、前記メッキ処理槽は、前記メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極を含み、
前記メッキ処理槽の上層に構成され、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部は、前記基板に接触して電圧を印加するカソード電極を含み、
前記メッキ処理槽から、第１排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路と、
前記メッキ液循環流路から提供される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽内部に供給する供給路と、
前記アノード電極上を流れ、第２排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ液循環流路に提供する第２流路と、
前記メッキ液循環流路と前記第２流路との間に設けられ、前記第２流路から前記メッキ液循環流路に提供される前記メッキ液の流量を制御する流量制御バルブと
を具備する
メッキ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のメッキ処理装置において、
前記メッキ処理槽は、
前記アノード電極の上層に構成され、前記第２排出部を有する他アノードチャンバーと、
前記アノードチャンバーの上層に構成され、前記第１排出部を有するメンバレンディフューザチャンバーと、
前記アノードチャンバーと前記メンバレンディフューザチャンバーとの間に設けられたメンバレンと
を含み、
前記アノードチャンバーは、
前記供給路を介して供給される前記メッキ液を、前記第２排出部を介して前記第２流路から前記流量制御バルブに提供し、
前記メンバレンディフューザチャンバーは、
前記供給路を介して供給される前記メッキ液を、前記第１排出部を介して前記メッキ液循環流路に提供する
メッキ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のメッキ処理装置において、
前記流量制御バルブは、
前記第２流路を流れる前記メッキ液の流量が、
６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ
となるように、前記メッキ液の流量を制御する
メッキ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のメッキ処理装置において、
前記供給路は、
第１供給路と、
第２供給路と
を含み、
前記第１供給路は、
前記メッキ液循環流路から提供される前記メッキ液を、前記アノードチャンバーに供給する第１吐出口を有し、
前記第２供給路は、
前記メッキ液循環流路から提供される前記メッキ液を、前記メンバレンディフューザチャンバーに供給する第２吐出口を有し、
前記第１供給路は、
前記第２流路を流れる前記メッキ液の流量が、
６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ
となるように、前記第１吐出口から前記メッキ液を供給する
メッキ処理装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか１項に記載のメッキ処理装置において、
前記基板保持部は、
前記基板を水平面内に回転可能に保持する
メッキ処理装置。
【請求項６】
基板に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽と、前記メッキ処理槽は、前記メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極を含み、
前記メッキ処理槽の上層に構成され、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部は、前記基板に接触して電圧を印加するカソード電極を含み、
前記メッキ処理槽から、第１排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路と、
前記メッキ液循環流路から提供される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽内部に供給する供給路と、
前記メッキ処理槽から、第２排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ液循環流路に提供する第２流路と
を具備し、
前記メッキ処理槽は、
前記アノード電極の上層に構成され、前記第２排出部を有する他アノードチャンバーと、
前記アノードチャンバーの上層に構成され、前記第１排出部を有するメンバレンディフューザチャンバーと、
前記アノードチャンバーと前記メンバレンディフューザチャンバーとの間に設けられたメンバレンと
を備え、
前記供給路は、
前記メッキ液を、前記アノードチャンバーに供給する第１吐出口を有する第１供給路と、
前記メッキ液を、前記メンバレンディフューザチャンバーに供給する第２吐出口を有する第２供給路と
を含み、
前記供給路は、
前記第２流路を流れる前記メッキ液の流量が、
６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ
となるように、前記第１吐出口から前記メッキ液を供給する
メッキ処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載のメッキ処理装置において、
前記基板保持部は、
前記基板を水平面内に回転可能に保持する
メッキ処理装置。
【請求項１】
基板に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽と、前記メッキ処理槽は、前記メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極を含み、
前記メッキ処理槽の上層に構成され、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部は、前記基板に接触して電圧を印加するカソード電極を含み、
前記メッキ処理槽から、第１排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路と、
前記メッキ液循環流路から提供される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽内部に供給する供給路と、
前記アノード電極上を流れ、第２排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ液循環流路に提供する第２流路と、
前記メッキ液循環流路と前記第２流路との間に設けられ、前記第２流路から前記メッキ液循環流路に提供される前記メッキ液の流量を制御する流量制御バルブと
を具備する
メッキ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のメッキ処理装置において、
前記メッキ処理槽は、
前記アノード電極の上層に構成され、前記第２排出部を有する他アノードチャンバーと、
前記アノードチャンバーの上層に構成され、前記第１排出部を有するメンバレンディフューザチャンバーと、
前記アノードチャンバーと前記メンバレンディフューザチャンバーとの間に設けられたメンバレンと
を含み、
前記アノードチャンバーは、
前記供給路を介して供給される前記メッキ液を、前記第２排出部を介して前記第２流路から前記流量制御バルブに提供し、
前記メンバレンディフューザチャンバーは、
前記供給路を介して供給される前記メッキ液を、前記第１排出部を介して前記メッキ液循環流路に提供する
メッキ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のメッキ処理装置において、
前記流量制御バルブは、
前記第２流路を流れる前記メッキ液の流量が、
６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ
となるように、前記メッキ液の流量を制御する
メッキ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のメッキ処理装置において、
前記供給路は、
第１供給路と、
第２供給路と
を含み、
前記第１供給路は、
前記メッキ液循環流路から提供される前記メッキ液を、前記アノードチャンバーに供給する第１吐出口を有し、
前記第２供給路は、
前記メッキ液循環流路から提供される前記メッキ液を、前記メンバレンディフューザチャンバーに供給する第２吐出口を有し、
前記第１供給路は、
前記第２流路を流れる前記メッキ液の流量が、
６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ
となるように、前記第１吐出口から前記メッキ液を供給する
メッキ処理装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか１項に記載のメッキ処理装置において、
前記基板保持部は、
前記基板を水平面内に回転可能に保持する
メッキ処理装置。
【請求項６】
基板に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽と、前記メッキ処理槽は、前記メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極を含み、
前記メッキ処理槽の上層に構成され、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部は、前記基板に接触して電圧を印加するカソード電極を含み、
前記メッキ処理槽から、第１排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路と、
前記メッキ液循環流路から提供される前記メッキ液を、前記メッキ処理槽内部に供給する供給路と、
前記メッキ処理槽から、第２排出部を介して排出される前記メッキ液を、前記メッキ液循環流路に提供する第２流路と
を具備し、
前記メッキ処理槽は、
前記アノード電極の上層に構成され、前記第２排出部を有する他アノードチャンバーと、
前記アノードチャンバーの上層に構成され、前記第１排出部を有するメンバレンディフューザチャンバーと、
前記アノードチャンバーと前記メンバレンディフューザチャンバーとの間に設けられたメンバレンと
を備え、
前記供給路は、
前記メッキ液を、前記アノードチャンバーに供給する第１吐出口を有する第１供給路と、
前記メッキ液を、前記メンバレンディフューザチャンバーに供給する第２吐出口を有する第２供給路と
を含み、
前記供給路は、
前記第２流路を流れる前記メッキ液の流量が、
６０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ
となるように、前記第１吐出口から前記メッキ液を供給する
メッキ処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載のメッキ処理装置において、
前記基板保持部は、
前記基板を水平面内に回転可能に保持する
メッキ処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００７−２９１４１９（Ｐ２００７−２９１４１９Ａ）
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１１７７１１（Ｐ２００６−１１７７１１）
【出願日】平成１８年４月２１日（２００６．４．２１）
【出願人】（３０２０６２９３１）ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月２１日（２００６．４．２１）
【出願人】（３０２０６２９３１）ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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