リン含有メソポーラスシリカ及びその製造方法
【課題】前述した従来技術のメソポーラスシリカよりも更に各種の性能が向上したメソポーラスシリカを提供すること。
【解決手段】本発明のリン含有メソポーラスシリカは、細孔の壁構造内にリンが含まれ、かつリンが該壁構造を構成するＳｉＯ2繰り返し単位と直接結合していることを特徴とする。リンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）は１０〜１００であることが好適である。このメソポーラスシリカは、第四級ホスホニウム塩からなるイオン液体とケイ素源となる化合物とを混合して反応させ、それによって得られた生成物を大気下に焼成することで好適に製造される。
【解決手段】本発明のリン含有メソポーラスシリカは、細孔の壁構造内にリンが含まれ、かつリンが該壁構造を構成するＳｉＯ2繰り返し単位と直接結合していることを特徴とする。リンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）は１０〜１００であることが好適である。このメソポーラスシリカは、第四級ホスホニウム塩からなるイオン液体とケイ素源となる化合物とを混合して反応させ、それによって得られた生成物を大気下に焼成することで好適に製造される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リン含有メソポーラスシリカ及びその製造方法に関する。本発明のリン含有メソポーラスシリカは、例えば各種の触媒、吸着剤、ドラッグデリバリシステム等として好適に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
メソポーラスシリカは、メソポア領域に均一な細孔径を有し、触媒や吸着剤等として幅広い用途が期待されている。メソポーラスシリカは、例えばセチルトリメチルアンモニウムブロミド（ＣＴＡＢ）を構造規定剤（ＳＤＡ）として用い、ケイ酸成分を反応させることによって得ることができる。このメソポーラスシリカの各種の性能を高める観点から、他の元素をドープさせる試みがなされている。例えばメソポーラスシリカの一種であるＭＣＭ−４１にリンをドープさせることが提案されている（非特許文献１参照）。同文献には、ＭＣＭ−４１にリンをドープすることで、このメソポーラスシリカの生体活性を高めることができると記載されている。しかし、このメソポーラスシリカは、細孔の壁構造の表面にリンを含有するものであり、壁構造の内部にリンを含有するものではない。
【０００３】
ゼオライトに関しても、これにリンをドープする技術が知られている。例えば特許文献１には、ＺＳＭ−５やモルデナイト等におけるアルミニウムをリンで置換することで、その耐熱性を高めることが提案されている。リン以外の元素に関しては、例えばベータ型ゼオライトに鉄、マンガン又はコバルトをドープすることが提案されている（特許文献２参照）。同文献に記載のベータ型ゼオライトは、メソポーラスシリカの一種であるＭＣＭ−４１から合成されている。これらの技術によれば、ゼオライトの骨格中に異種の元素を含有させることができるが、メソポーラスシリカそのものに異種元素を含有させることまでは言及されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−９７２０９号公報
【特許文献２】特開２００８−７３６２５号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】M. Vallet-Regi et al., Solid State Sciences, 7, 2005, pp.233-237
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって本発明の課題は、前述した従来技術のメソポーラスシリカよりも更に各種の性能が向上したメソポーラスシリカを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、細孔の壁構造内にリンが含まれ、かつリンが該壁構造を構成するＳｉＯ2繰り返し単位と直接結合していることを特徴とするリン含有メソポーラスシリカを提供するものである。
【０００８】
また本発明は、前記のリン含有メソポーラスシリカの好適な製造方法として、
第四級ホスホニウム塩からなるイオン液体とケイ素源となる化合物とを混合して反応させ、それによって得られた生成物を大気下に焼成することを特徴とするリン含有メソポーラスシリカの製造方法を提供するものである。
【０００９】
更に本発明は、リン含有メソポーラスシリカと構造規定剤とを混合し、その混合物をオートクレーブ内に充填し、加熱して自生圧力下で反応させることを特徴とする全シリカベータ型ゼオライトの製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、触媒、ガス吸着、ドラッグデリバリシステム等に有用なメソポーラスシリカが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカのＸ線回折図であり、図１（ｂ）は、その焼成前のＸ線回折図である。
【図２】図２は、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカの細孔径分布図である。
【図３】図３は、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカの透過型電子顕微鏡像である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカの走査型電子顕微鏡像であり、図４（ｂ）〜（ｄ）はそれぞれ、図４（ａ）に示す観察視野におけるリン（Ｐ）、ケイ素（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）のＥＤＳ（エネルギー分散形Ｘ線分光器）による元素マッピング像である。
【図５】図５は、実施例５で得られた全シリカベータ型ゼオライトのＸ線回折図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のメソポーラスシリカは、細孔の壁構造内にリン（Ｐ）を含有していることが特徴の一つである。リンは、細孔の壁構造を構成するＳｉＯ2繰り返し単位と直接に、共有結合によって結合している。リンがこのような状態で存在していることに起因して、本発明のメソポーラスシリカにおいては、リンの溶出が起こりにくくなっている。これに対して、先に背景技術の項で述べた特許文献１に記載のメソポーラスシリカでは、リンが細孔の壁構造の表面に存在しているので、リンの溶出が起こりやすくなっている。尤も、このことは、本発明において、細孔の壁構造の表面にリンが存在することを排除するものではない。
【００１３】
本発明のメソポーラスシリカにおいて、リンが細孔の壁構造内に存在していることは、例えば31Ｐ−ＮＭＲによって確認することができる。
【００１４】
本発明のメソポーラスシリカにおけるリンの含有量は、リンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）で表して、０．５〜１００、特に０．５〜２０、とりわけ９〜１５であることが好ましい。また、本発明のメソポーラスシリカは、ゼオライトに比較すると非晶質性は高いが、アモルファスシリカに比較すると非晶質性は低い。
【００１５】
本発明のメソポーラスシリカは、ケイ素及び酸素から構成されており、更にリンを含むものである。これら以外の元素がメソポーラスシリカ中に含まれていてもよいが、好ましくは本発明のメソポーラスシリカは、実質的にこれら３種の元素から構成されている。「実質的に」とは、これら３種の元素以外の元素を意図的に含有させることを排除するとともに、不可避的に混入する微量の不純物元素は許容する趣旨である。
【００１６】
本発明のメソポーラスシリカは、メソ孔を多数有するものである。メソ孔のサイズは好ましくは２〜５０ｎｍ、更に好ましくは２〜１０ｎｍである。またメソ孔の体積は、好ましくは０．３〜２ｃｍ3／ｇ、更に好ましくは０．５〜１．５ｃｍ3／ｇである。更にメソポーラスシリカのＢＥＴ比表面積は、好ましくは２００〜１８００ｍ2／ｇ、更に好ましくは８００〜１５００ｍ2／ｇである。これらの物性値は、例えばカンタクローム社製のオートソーブ１を用いた窒素吸着法によって測定することができる。
【００１７】
本発明のメソポーラスシリカは、好適には、構造規定剤として第四級ホスホニウム塩を用いて製造される。この製造方法は、（イ）第四級ホスホニウム塩からなるイオン液体とケイ素源となる化合物とを混合して反応させる工程と、（ロ）反応生成物を大気下に焼成する工程とに大別される。以下、それぞれの工程について説明する。
【００１８】
（イ）の工程において用いられる第四級ホスホニウム塩は、室温（２０〜２５℃）において液体のものである。すなわちイオン液体である。構造規定剤としてイオン液体を用いることには、本発明のメソポーラスシリカ中に、リン原子を直接含有させることができるという利点がある。
【００１９】
この第四級ホスホニウム塩としては、長鎖アルキル基を１個有し、かつ短鎖アルキル基を３個有するホスホニウムイオンの塩を用いることが好ましい。特に好ましい第四級ホスホニウム塩は以下の式（１）で表されるものである。
【００２０】
【化１】
【００２１】
式（１）における長鎖アルキル基であるＲ1としては、好ましくはオクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル、セチル基等が挙げられる。短鎖アルキル基であるＲ2〜Ｒ4としては、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。Ｒ2〜Ｒ4は同一の基でもよく、あるいは異なる基でもよいが、ホスホニウム塩の合成の容易さの点からは、Ｒ2〜Ｒ4は同一の基であることが好ましい。
【００２２】
式（１）における一価のアニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオン等のハロゲン化物イオンや、アンモニウムイオン、水酸化物イオンなどを用いることができる。
【００２３】
イオン液体からなる前記第４級ホスホニウム塩の使用量は、ケイ素源に含まれるＳｉの量との関係で、Ｓｉ／第４級ホスホニウム塩のモル数を０．５〜１００、特に０．５〜２０、とりわけ９〜１５とすることが、構造規則性の高いメソポーラスシリカを得やすい点から好ましい。
【００２４】
（イ）の工程において用いられるケイ素源（ケイ酸源）としては、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン、水ガラス、ヒュームドシリカ、シリカゾルなどが挙げられる。ケイ素源として水ガラスを用いる場合には、その濃度はＳｉＯ2換算で２５〜３０重量％とすることが好ましい。
【００２５】
（イ）の工程においては、第４級ホスホニウム塩を含む水溶液にケイ素源を添加する。ケイ素源として例えばテトラアルコキシシランを用いる場合には、その添加に先立ち、第４級ホスホニウム塩を含む水溶液に塩酸等の酸を添加して、系のｐＨを酸性域に調整することが、均一な形状で、かつ細孔の大きさも均一なメソポーラスシリカが得やすいので好ましい。また、ケイ素源の添加に先立ち、第４級ホスホニウム塩を含む水溶液を比較的低温、例えば１〜１５℃に保持し、かつ該水溶液を静置してもよい。
【００２６】
第４級ホスホニウム塩を含む水溶液にケイ素源を添加する場合には、該ケイ素源も、比較的低温、例えば１〜１５℃に冷却された状態で添加されることが好ましい。また、ケイ素源は徐々に添加することが、メソポーラスシリカを首尾よく合成できる点から好ましい。この時点での反応液のｐＨは５以下、特に２以下であることが好ましい。
【００２７】
ケイ素源として水ガラスを用いる場合には、第４級ホスホニウム塩を含む水溶液に水ガラスを添加した後に、硫酸等の酸を添加して液のｐＨを９〜１１．５に調整することが、シラノール基の脱水縮合が起こりやすくなる点から好ましい。
【００２８】
第４級ホスホニウム塩を含む水溶液にケイ素源を添加したら、所定の時間放置して反応を進行させる。これによって目的とするメソポーラスシリカの前駆体が生成する。この前駆体はまだリンを含有していない。
【００２９】
（ロ）の工程においては、（イ）の工程で得られた前駆体を濾別し、水で洗浄して乾燥させた後に焼成する。焼成は、一般に大気下に行うことができるが、含酸素雰囲気下であれば、大気下でなくてもよい。焼成温度は４００〜８００℃、特に４５０〜６５０℃とすることが、目的物であるメソポーラスシリカの構造に悪影響を与えることなく、構造規定剤である前記の第四級ホスホニウム塩を確実に除去し得る点から好ましい。焼成時間は、焼成温度が前記の範囲内であることを条件として、４〜７２時間、特に１０〜２４時間とすることが好ましい。
【００３０】
焼成によって、第４級ホスホニウム塩が前駆体から除去され、除去された部位がメソ孔となる。第４級ホスホニウム塩が除去されるときに、一部のリンが残留して、それがメソポーラスシリカの細孔の壁構造内に取り込まれる。これによって、目的とするメソポーラスシリカはリンを含有したものとなる。
【００３１】
このようにして得られたリン含有メソポーラスシリカは、それが有するメソ孔の特徴を生かして、例えば各種の触媒及びその担体、吸着剤、ドラッグデリバリシステム、モレキュラーシーブ等として好適に用いられる。また、このリン含有メソポーラスシリカは、全シリカベータ型ゼオライトを合成するときの出発物質としても有用である。
【００３２】
全シリカベータ型ゼオライトは、通常、Ｓｉ／Ａｌの原子比が１０〜２００程度のベータ型ゼオライトを酸で処理して、ゼオライト中のアルミニウムを浸出することで得られる。このようにして得られた全シリカベータ型ゼオライトは、一般にＳｉ／Ａｌの原子比が１５００以上になる。Ｓｉ／Ａｌの原子比がこのように高いことから、全シリカベータ型ゼオライトは、ハイシリカベータ型ゼオライトとも呼ばれる。ゼオライトからアルミニウムを浸出して得られる従来の全シリカベータ型ゼオライトは、その製造方法に起因して多くの欠陥を有している。これに対して、本発明のリン含有メソポーラスシリカを出発物質として用い、以下の製造方法を実施すると、それによって得られる全シリカベータ型ゼオライトは欠陥が少なく、かつ結晶性の高いものとなる。
【００３３】
本発明のリン含有メソポーラスシリカを出発物質とする全シリカベータ型ゼオライトの製造においては、いわゆるドライゲルコンバージョン法を用いることが好ましい。この方法を用いることで、結晶性の高い全シリカベータ型ゼオライトを得ることができる。この方法においては、出発物質としてリン含有メソポーラスシリカと構造規定剤とを用いる。ベータ型ゼオライトを首尾よく得る観点からは、構造規定剤として、水酸化テトラエチルアンモニウムを用いることが好ましい。
【００３４】
構造規定剤とリン含有メソポーラスシリカとの比率（重量比）は、リン含有メソポーラスシリカに含まれるＳｉＯ2ユニットに換算して、構造規定剤／ＳｉＯ2＝０．５〜３、特に０．７５〜１．８であることが好ましい。構造規定剤は、一般に水溶液の状態でリン含有メソポーラスシリカと混合される。
【００３５】
リン含有メソポーラスシリカと構造規定剤との混合物は、例えば２０〜７０℃の温度下で、大気下に静置されて乾燥される。静置時間は２〜７２時間、特に２〜４８時間とすることが好ましい。乾燥後の混合物に含まれている水とリン含有メソポーラスシリカとの比率（重量比）は、リン含有メソポーラスシリカに含まれるＳｉＯ2ユニットに換算して、水／ＳｉＯ2＝１〜５、特に１．４〜３．７であることが好ましい。
【００３６】
乾燥後の混合物はオートクレーブ内に移されて、密閉される。この状態下にオートクレーブを加熱する。加熱によって混合物中に含まれる水が揮発してオートクレーブ内の圧力が上昇する。つまり自生圧力が発生する。加熱温度を好ましくは１３５から１６０℃、更に好ましくは１４０〜１５０℃に設定して、その温度での自生圧力下に反応を起こさせる。反応時間は、加熱温度が前記の範囲内であることを条件として、２４０〜３９０時間、特に２６４〜２８８時間であることが好ましい。この反応によって、メソ孔がミクロ孔に転化し、かつ生成した全シリカベータ型ゼオライトの結晶性が高まる。なお、反応中は水の添加は行わない。
【００３７】
このようにして目的とする全シリカベータ型ゼオライトが得られる。得られた全シリカベータ型ゼオライトはその細孔内に構造規定剤を有しているので、焼成によってこれを除去する。焼成は、大気下に４５０〜８５０℃で４５０〜５５０時間行えばよい。このようにして得られた全シリカベータ型ゼオライトはミクロ孔を有し、かつ結晶性の高いものとなる。また、このベータ型ゼオライトは、その骨格中にリンを含むものである。リンの含有比率は、Ｓｉ／Ｐの原子比で表して好ましくは５以上、更に好ましくは１０〜７００である。
【００３８】
この全シリカベータ型ゼオライトは、例えば自動車の排気ガス中の炭化水素類のトラップ；金属触媒の担体；石油分野、石油化学分野及びファインケミカル分野における不均一系触媒などとして有用である。
【実施例】
【００３９】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り、「％」は「重量％」を意味する。
【００４０】
〔実施例１〕
第４級ホスホニウム塩として、セチル−トリ−ｎ−ブチルホスホニウムクロライド（日本化学工業(株）製のヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１６Ｃ、５１％）を用いた。また、ケイ素源としてテトラエトキシシランを用いた。２５０ｍｌのポリプロピレン製容器に、２２ｇのヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１６Ｃを入れ、そこに１２４ｇの蒸留水を入れて希釈した。次に、３６％塩酸水溶液を１０１ｇ入れて室温下で１０分間攪拌した後に、４℃で約３０分間静置した。次に、この液に、予め４℃に冷却しておいた４ｇのテトラエトキシシラン（９５％）を加えると、透明なゾルが生成した。このゾルを４℃で約３時間連続攪拌した。このゾルのｐＨは１未満であった。この反応によって白色の物質が生成した。この物質を濾別して多量の蒸留水で洗浄した。このようにして得られた固体物質を７０℃で２時間乾燥させた。次いで、空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物であるリン含有メソポーラスシリカを得た。
【００４１】
このようにして得られたリン含有メソポーラスシリカのＸ線回折図を図１（ａ）に示す。また、焼成前の物質のＸ線回折図を図１（ｂ）に示す。更に、このメソポーラスシリカの細孔径の分布をカンタクローム社製のオートソーブ１を用いて測定した。その結果を図２に示す。また、このメソポーラスシリカの透過型電子顕微鏡像を図３に示す。このメソポーラスシリカにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ９．１であった。更に、このメソポーラスシリカについて、ＳＥＭ−ＥＤＳ（エネルギー分散形Ｘ線分光器）による元素のマッピングをリン（Ｐ）、ケイ素（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）について行った。その結果を図４（ａ）〜（ｄ）に示す。同図に示す結果から明らかなように、リンは、メソポーラスシリカの壁構造内に存在していることが判る。
【００４２】
〔実施例２〕
第４級ホスホニウム塩として、ドデシル−トリ−ｎ−ブチルホスホニウムクロライド（日本化学工業(株）製のヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１２Ｃ、５１％）を用いた。また、ケイ素源としてテトラエトキシシランを用いた。２５０ｍｌのポリプロピレン製容器に、１４．７ｇのヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１２Ｃを入れ、そこに９４ｇの蒸留水を入れて希釈した。次に、３６％塩酸水溶液を７６ｇ入れて室温下で１０分間攪拌した後に、４℃で約３０分間静置した。次に、この液に、予め４℃に冷却しておいた３ｇのテトラエトキシシラン（９５％）を加えると、透明なゾルが生成した。このゾルを４℃で約５時間連続攪拌した。このゾルのｐＨは１未満であった。この反応によって白色の物質が生成した。この物質を濾別して多量の蒸留水で洗浄した。このようにして得られた固体物質を７０℃で２時間乾燥させた。次いで、空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物であるリン含有メソポーラスシリカを得た。このメソポーラスシリカの細孔径の分布を測定したところ、約２．２ｎｍに分布のピークを有していた。このメソポーラスシリカにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ９．１であった。
【００４３】
〔実施例３〕
第４級ホスホニウム塩として、セチル−トリ−ｎ−ブチルホスホニウムクロライド（日本化学工業(株）製のヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１６Ｃ、５１％）を用いた。また、ケイ素源として水ガラスを用いた。１００ｍｌのポリプロピレン製容器に、２８．３ｇのヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１６Ｃを入れ、そこに２５ｇの蒸留水を入れて希釈し、１５分間攪拌した。次に、１２ｇの水ガラス（ＳｉＯ2分２９％）を加えて３０分間攪拌を継続した。更に、０．７ｇの濃硫酸（９６％）を３ｇの蒸留水で希釈した水溶液を加えると、濃厚なゲルが約３０分で均一化された。このゲルのｐＨは１０．５であった。次いで、このゲルを１００℃で２４時間放置した。それによって白色の物質が生成した。この物質を濾別して多量の蒸留水で洗浄した。このようにして得られた固体物質を５０℃で２時間乾燥させ、引き続き室温で約２日間乾燥させ、更に７０℃で２時間乾燥させた。次いで、空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物であるリン含有メソポーラスシリカを得た。このメソポーラスシリカの細孔径の分布を測定したところ、約２．６ｎｍに分布のピークを有していた。このメソポーラスシリカにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ１５．３であった。
【００４４】
〔実施例４〕
第４級ホスホニウム塩として、ドデシル−トリ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド（日本化学工業(株）製のヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１２Ｂ、９８％）を用いた。また、ケイ素源として水ガラスを用いた。１００ｍｌのポリプロピレン製容器に、７ｇのヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１２Ｂを入れ、そこに１９ｇの蒸留水を入れて希釈した。次に、６ｇの水ガラス（ＳｉＯ2分２９％）を加えて３０分間攪拌を継続した。更に、０．４ｇの濃硫酸（９６％）を２ｇの蒸留水で希釈した水溶液を加えると、濃厚なゲルが約３０分で均一化された。次いで、このゲルを１００℃で２４時間放置した。このゲルのｐＨは１０．６であった。それによって白色の物質が生成した。この物質を濾別してエタノールで洗浄し、引く続き蒸留水で洗浄した。このようにして得られた固体物質を１００℃で一晩乾燥させ、次いで、空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物であるリン含有メソポーラスシリカを得た。このメソポーラスシリカの細孔径の分布を測定したところ、約２．２ｎｍに分布のピークを有していた。このメソポーラスシリカにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ１８．２であった。
【００４５】
〔実施例５〕
本実施例では、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカを原料として、全シリカベータ型ゼオライトを合成した。すなわち、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカ０．３６ｇをポリ四フッ化エチレンのカップに入れ、これに１ｇの水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（３６％）を滴下した。この状態での混合物中における水の含有量は０．６９７ｇであった。この混合物を室温下で約２０時間静置した。この状態での混合物中における水の含有量は０．６６７ｇであった。次にカップの内容物をオートクレーブに移し変え、ドライゲルコンバージョン法を行った。その条件は１５０℃の自生圧力下とした。反応は約１２日間行った。反応中、水の添加は行わなかった。この反応によって得られた生成物を蒸留水で洗浄し、濾別し、１００℃で一晩乾燥させた。次いで空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物である全シリカベータ型ゼオライトを得た。このようにして得られたシリカベータ型ゼオライトのＸ線回折図を図５に示す。このベータ型ゼオライトにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ６６８であった。ＢＥＴ比表面積は４５５ｍ2／ｇ、ミクロ孔表面積は３１０ｍ2／ｇ、ミクロ孔体積は０．１６２ｃｍ3／ｇ、全孔体積は０．３５２ｃｍ3／ｇであった。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リン含有メソポーラスシリカ及びその製造方法に関する。本発明のリン含有メソポーラスシリカは、例えば各種の触媒、吸着剤、ドラッグデリバリシステム等として好適に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
メソポーラスシリカは、メソポア領域に均一な細孔径を有し、触媒や吸着剤等として幅広い用途が期待されている。メソポーラスシリカは、例えばセチルトリメチルアンモニウムブロミド（ＣＴＡＢ）を構造規定剤（ＳＤＡ）として用い、ケイ酸成分を反応させることによって得ることができる。このメソポーラスシリカの各種の性能を高める観点から、他の元素をドープさせる試みがなされている。例えばメソポーラスシリカの一種であるＭＣＭ−４１にリンをドープさせることが提案されている（非特許文献１参照）。同文献には、ＭＣＭ−４１にリンをドープすることで、このメソポーラスシリカの生体活性を高めることができると記載されている。しかし、このメソポーラスシリカは、細孔の壁構造の表面にリンを含有するものであり、壁構造の内部にリンを含有するものではない。
【０００３】
ゼオライトに関しても、これにリンをドープする技術が知られている。例えば特許文献１には、ＺＳＭ−５やモルデナイト等におけるアルミニウムをリンで置換することで、その耐熱性を高めることが提案されている。リン以外の元素に関しては、例えばベータ型ゼオライトに鉄、マンガン又はコバルトをドープすることが提案されている（特許文献２参照）。同文献に記載のベータ型ゼオライトは、メソポーラスシリカの一種であるＭＣＭ−４１から合成されている。これらの技術によれば、ゼオライトの骨格中に異種の元素を含有させることができるが、メソポーラスシリカそのものに異種元素を含有させることまでは言及されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−９７２０９号公報
【特許文献２】特開２００８−７３６２５号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】M. Vallet-Regi et al., Solid State Sciences, 7, 2005, pp.233-237
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって本発明の課題は、前述した従来技術のメソポーラスシリカよりも更に各種の性能が向上したメソポーラスシリカを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、細孔の壁構造内にリンが含まれ、かつリンが該壁構造を構成するＳｉＯ2繰り返し単位と直接結合していることを特徴とするリン含有メソポーラスシリカを提供するものである。
【０００８】
また本発明は、前記のリン含有メソポーラスシリカの好適な製造方法として、
第四級ホスホニウム塩からなるイオン液体とケイ素源となる化合物とを混合して反応させ、それによって得られた生成物を大気下に焼成することを特徴とするリン含有メソポーラスシリカの製造方法を提供するものである。
【０００９】
更に本発明は、リン含有メソポーラスシリカと構造規定剤とを混合し、その混合物をオートクレーブ内に充填し、加熱して自生圧力下で反応させることを特徴とする全シリカベータ型ゼオライトの製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、触媒、ガス吸着、ドラッグデリバリシステム等に有用なメソポーラスシリカが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカのＸ線回折図であり、図１（ｂ）は、その焼成前のＸ線回折図である。
【図２】図２は、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカの細孔径分布図である。
【図３】図３は、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカの透過型電子顕微鏡像である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカの走査型電子顕微鏡像であり、図４（ｂ）〜（ｄ）はそれぞれ、図４（ａ）に示す観察視野におけるリン（Ｐ）、ケイ素（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）のＥＤＳ（エネルギー分散形Ｘ線分光器）による元素マッピング像である。
【図５】図５は、実施例５で得られた全シリカベータ型ゼオライトのＸ線回折図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のメソポーラスシリカは、細孔の壁構造内にリン（Ｐ）を含有していることが特徴の一つである。リンは、細孔の壁構造を構成するＳｉＯ2繰り返し単位と直接に、共有結合によって結合している。リンがこのような状態で存在していることに起因して、本発明のメソポーラスシリカにおいては、リンの溶出が起こりにくくなっている。これに対して、先に背景技術の項で述べた特許文献１に記載のメソポーラスシリカでは、リンが細孔の壁構造の表面に存在しているので、リンの溶出が起こりやすくなっている。尤も、このことは、本発明において、細孔の壁構造の表面にリンが存在することを排除するものではない。
【００１３】
本発明のメソポーラスシリカにおいて、リンが細孔の壁構造内に存在していることは、例えば31Ｐ−ＮＭＲによって確認することができる。
【００１４】
本発明のメソポーラスシリカにおけるリンの含有量は、リンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）で表して、０．５〜１００、特に０．５〜２０、とりわけ９〜１５であることが好ましい。また、本発明のメソポーラスシリカは、ゼオライトに比較すると非晶質性は高いが、アモルファスシリカに比較すると非晶質性は低い。
【００１５】
本発明のメソポーラスシリカは、ケイ素及び酸素から構成されており、更にリンを含むものである。これら以外の元素がメソポーラスシリカ中に含まれていてもよいが、好ましくは本発明のメソポーラスシリカは、実質的にこれら３種の元素から構成されている。「実質的に」とは、これら３種の元素以外の元素を意図的に含有させることを排除するとともに、不可避的に混入する微量の不純物元素は許容する趣旨である。
【００１６】
本発明のメソポーラスシリカは、メソ孔を多数有するものである。メソ孔のサイズは好ましくは２〜５０ｎｍ、更に好ましくは２〜１０ｎｍである。またメソ孔の体積は、好ましくは０．３〜２ｃｍ3／ｇ、更に好ましくは０．５〜１．５ｃｍ3／ｇである。更にメソポーラスシリカのＢＥＴ比表面積は、好ましくは２００〜１８００ｍ2／ｇ、更に好ましくは８００〜１５００ｍ2／ｇである。これらの物性値は、例えばカンタクローム社製のオートソーブ１を用いた窒素吸着法によって測定することができる。
【００１７】
本発明のメソポーラスシリカは、好適には、構造規定剤として第四級ホスホニウム塩を用いて製造される。この製造方法は、（イ）第四級ホスホニウム塩からなるイオン液体とケイ素源となる化合物とを混合して反応させる工程と、（ロ）反応生成物を大気下に焼成する工程とに大別される。以下、それぞれの工程について説明する。
【００１８】
（イ）の工程において用いられる第四級ホスホニウム塩は、室温（２０〜２５℃）において液体のものである。すなわちイオン液体である。構造規定剤としてイオン液体を用いることには、本発明のメソポーラスシリカ中に、リン原子を直接含有させることができるという利点がある。
【００１９】
この第四級ホスホニウム塩としては、長鎖アルキル基を１個有し、かつ短鎖アルキル基を３個有するホスホニウムイオンの塩を用いることが好ましい。特に好ましい第四級ホスホニウム塩は以下の式（１）で表されるものである。
【００２０】
【化１】
【００２１】
式（１）における長鎖アルキル基であるＲ1としては、好ましくはオクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル、セチル基等が挙げられる。短鎖アルキル基であるＲ2〜Ｒ4としては、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。Ｒ2〜Ｒ4は同一の基でもよく、あるいは異なる基でもよいが、ホスホニウム塩の合成の容易さの点からは、Ｒ2〜Ｒ4は同一の基であることが好ましい。
【００２２】
式（１）における一価のアニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオン等のハロゲン化物イオンや、アンモニウムイオン、水酸化物イオンなどを用いることができる。
【００２３】
イオン液体からなる前記第４級ホスホニウム塩の使用量は、ケイ素源に含まれるＳｉの量との関係で、Ｓｉ／第４級ホスホニウム塩のモル数を０．５〜１００、特に０．５〜２０、とりわけ９〜１５とすることが、構造規則性の高いメソポーラスシリカを得やすい点から好ましい。
【００２４】
（イ）の工程において用いられるケイ素源（ケイ酸源）としては、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン、水ガラス、ヒュームドシリカ、シリカゾルなどが挙げられる。ケイ素源として水ガラスを用いる場合には、その濃度はＳｉＯ2換算で２５〜３０重量％とすることが好ましい。
【００２５】
（イ）の工程においては、第４級ホスホニウム塩を含む水溶液にケイ素源を添加する。ケイ素源として例えばテトラアルコキシシランを用いる場合には、その添加に先立ち、第４級ホスホニウム塩を含む水溶液に塩酸等の酸を添加して、系のｐＨを酸性域に調整することが、均一な形状で、かつ細孔の大きさも均一なメソポーラスシリカが得やすいので好ましい。また、ケイ素源の添加に先立ち、第４級ホスホニウム塩を含む水溶液を比較的低温、例えば１〜１５℃に保持し、かつ該水溶液を静置してもよい。
【００２６】
第４級ホスホニウム塩を含む水溶液にケイ素源を添加する場合には、該ケイ素源も、比較的低温、例えば１〜１５℃に冷却された状態で添加されることが好ましい。また、ケイ素源は徐々に添加することが、メソポーラスシリカを首尾よく合成できる点から好ましい。この時点での反応液のｐＨは５以下、特に２以下であることが好ましい。
【００２７】
ケイ素源として水ガラスを用いる場合には、第４級ホスホニウム塩を含む水溶液に水ガラスを添加した後に、硫酸等の酸を添加して液のｐＨを９〜１１．５に調整することが、シラノール基の脱水縮合が起こりやすくなる点から好ましい。
【００２８】
第４級ホスホニウム塩を含む水溶液にケイ素源を添加したら、所定の時間放置して反応を進行させる。これによって目的とするメソポーラスシリカの前駆体が生成する。この前駆体はまだリンを含有していない。
【００２９】
（ロ）の工程においては、（イ）の工程で得られた前駆体を濾別し、水で洗浄して乾燥させた後に焼成する。焼成は、一般に大気下に行うことができるが、含酸素雰囲気下であれば、大気下でなくてもよい。焼成温度は４００〜８００℃、特に４５０〜６５０℃とすることが、目的物であるメソポーラスシリカの構造に悪影響を与えることなく、構造規定剤である前記の第四級ホスホニウム塩を確実に除去し得る点から好ましい。焼成時間は、焼成温度が前記の範囲内であることを条件として、４〜７２時間、特に１０〜２４時間とすることが好ましい。
【００３０】
焼成によって、第４級ホスホニウム塩が前駆体から除去され、除去された部位がメソ孔となる。第４級ホスホニウム塩が除去されるときに、一部のリンが残留して、それがメソポーラスシリカの細孔の壁構造内に取り込まれる。これによって、目的とするメソポーラスシリカはリンを含有したものとなる。
【００３１】
このようにして得られたリン含有メソポーラスシリカは、それが有するメソ孔の特徴を生かして、例えば各種の触媒及びその担体、吸着剤、ドラッグデリバリシステム、モレキュラーシーブ等として好適に用いられる。また、このリン含有メソポーラスシリカは、全シリカベータ型ゼオライトを合成するときの出発物質としても有用である。
【００３２】
全シリカベータ型ゼオライトは、通常、Ｓｉ／Ａｌの原子比が１０〜２００程度のベータ型ゼオライトを酸で処理して、ゼオライト中のアルミニウムを浸出することで得られる。このようにして得られた全シリカベータ型ゼオライトは、一般にＳｉ／Ａｌの原子比が１５００以上になる。Ｓｉ／Ａｌの原子比がこのように高いことから、全シリカベータ型ゼオライトは、ハイシリカベータ型ゼオライトとも呼ばれる。ゼオライトからアルミニウムを浸出して得られる従来の全シリカベータ型ゼオライトは、その製造方法に起因して多くの欠陥を有している。これに対して、本発明のリン含有メソポーラスシリカを出発物質として用い、以下の製造方法を実施すると、それによって得られる全シリカベータ型ゼオライトは欠陥が少なく、かつ結晶性の高いものとなる。
【００３３】
本発明のリン含有メソポーラスシリカを出発物質とする全シリカベータ型ゼオライトの製造においては、いわゆるドライゲルコンバージョン法を用いることが好ましい。この方法を用いることで、結晶性の高い全シリカベータ型ゼオライトを得ることができる。この方法においては、出発物質としてリン含有メソポーラスシリカと構造規定剤とを用いる。ベータ型ゼオライトを首尾よく得る観点からは、構造規定剤として、水酸化テトラエチルアンモニウムを用いることが好ましい。
【００３４】
構造規定剤とリン含有メソポーラスシリカとの比率（重量比）は、リン含有メソポーラスシリカに含まれるＳｉＯ2ユニットに換算して、構造規定剤／ＳｉＯ2＝０．５〜３、特に０．７５〜１．８であることが好ましい。構造規定剤は、一般に水溶液の状態でリン含有メソポーラスシリカと混合される。
【００３５】
リン含有メソポーラスシリカと構造規定剤との混合物は、例えば２０〜７０℃の温度下で、大気下に静置されて乾燥される。静置時間は２〜７２時間、特に２〜４８時間とすることが好ましい。乾燥後の混合物に含まれている水とリン含有メソポーラスシリカとの比率（重量比）は、リン含有メソポーラスシリカに含まれるＳｉＯ2ユニットに換算して、水／ＳｉＯ2＝１〜５、特に１．４〜３．７であることが好ましい。
【００３６】
乾燥後の混合物はオートクレーブ内に移されて、密閉される。この状態下にオートクレーブを加熱する。加熱によって混合物中に含まれる水が揮発してオートクレーブ内の圧力が上昇する。つまり自生圧力が発生する。加熱温度を好ましくは１３５から１６０℃、更に好ましくは１４０〜１５０℃に設定して、その温度での自生圧力下に反応を起こさせる。反応時間は、加熱温度が前記の範囲内であることを条件として、２４０〜３９０時間、特に２６４〜２８８時間であることが好ましい。この反応によって、メソ孔がミクロ孔に転化し、かつ生成した全シリカベータ型ゼオライトの結晶性が高まる。なお、反応中は水の添加は行わない。
【００３７】
このようにして目的とする全シリカベータ型ゼオライトが得られる。得られた全シリカベータ型ゼオライトはその細孔内に構造規定剤を有しているので、焼成によってこれを除去する。焼成は、大気下に４５０〜８５０℃で４５０〜５５０時間行えばよい。このようにして得られた全シリカベータ型ゼオライトはミクロ孔を有し、かつ結晶性の高いものとなる。また、このベータ型ゼオライトは、その骨格中にリンを含むものである。リンの含有比率は、Ｓｉ／Ｐの原子比で表して好ましくは５以上、更に好ましくは１０〜７００である。
【００３８】
この全シリカベータ型ゼオライトは、例えば自動車の排気ガス中の炭化水素類のトラップ；金属触媒の担体；石油分野、石油化学分野及びファインケミカル分野における不均一系触媒などとして有用である。
【実施例】
【００３９】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り、「％」は「重量％」を意味する。
【００４０】
〔実施例１〕
第４級ホスホニウム塩として、セチル−トリ−ｎ−ブチルホスホニウムクロライド（日本化学工業(株）製のヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１６Ｃ、５１％）を用いた。また、ケイ素源としてテトラエトキシシランを用いた。２５０ｍｌのポリプロピレン製容器に、２２ｇのヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１６Ｃを入れ、そこに１２４ｇの蒸留水を入れて希釈した。次に、３６％塩酸水溶液を１０１ｇ入れて室温下で１０分間攪拌した後に、４℃で約３０分間静置した。次に、この液に、予め４℃に冷却しておいた４ｇのテトラエトキシシラン（９５％）を加えると、透明なゾルが生成した。このゾルを４℃で約３時間連続攪拌した。このゾルのｐＨは１未満であった。この反応によって白色の物質が生成した。この物質を濾別して多量の蒸留水で洗浄した。このようにして得られた固体物質を７０℃で２時間乾燥させた。次いで、空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物であるリン含有メソポーラスシリカを得た。
【００４１】
このようにして得られたリン含有メソポーラスシリカのＸ線回折図を図１（ａ）に示す。また、焼成前の物質のＸ線回折図を図１（ｂ）に示す。更に、このメソポーラスシリカの細孔径の分布をカンタクローム社製のオートソーブ１を用いて測定した。その結果を図２に示す。また、このメソポーラスシリカの透過型電子顕微鏡像を図３に示す。このメソポーラスシリカにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ９．１であった。更に、このメソポーラスシリカについて、ＳＥＭ−ＥＤＳ（エネルギー分散形Ｘ線分光器）による元素のマッピングをリン（Ｐ）、ケイ素（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）について行った。その結果を図４（ａ）〜（ｄ）に示す。同図に示す結果から明らかなように、リンは、メソポーラスシリカの壁構造内に存在していることが判る。
【００４２】
〔実施例２〕
第４級ホスホニウム塩として、ドデシル−トリ−ｎ−ブチルホスホニウムクロライド（日本化学工業(株）製のヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１２Ｃ、５１％）を用いた。また、ケイ素源としてテトラエトキシシランを用いた。２５０ｍｌのポリプロピレン製容器に、１４．７ｇのヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１２Ｃを入れ、そこに９４ｇの蒸留水を入れて希釈した。次に、３６％塩酸水溶液を７６ｇ入れて室温下で１０分間攪拌した後に、４℃で約３０分間静置した。次に、この液に、予め４℃に冷却しておいた３ｇのテトラエトキシシラン（９５％）を加えると、透明なゾルが生成した。このゾルを４℃で約５時間連続攪拌した。このゾルのｐＨは１未満であった。この反応によって白色の物質が生成した。この物質を濾別して多量の蒸留水で洗浄した。このようにして得られた固体物質を７０℃で２時間乾燥させた。次いで、空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物であるリン含有メソポーラスシリカを得た。このメソポーラスシリカの細孔径の分布を測定したところ、約２．２ｎｍに分布のピークを有していた。このメソポーラスシリカにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ９．１であった。
【００４３】
〔実施例３〕
第４級ホスホニウム塩として、セチル−トリ−ｎ−ブチルホスホニウムクロライド（日本化学工業(株）製のヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１６Ｃ、５１％）を用いた。また、ケイ素源として水ガラスを用いた。１００ｍｌのポリプロピレン製容器に、２８．３ｇのヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１６Ｃを入れ、そこに２５ｇの蒸留水を入れて希釈し、１５分間攪拌した。次に、１２ｇの水ガラス（ＳｉＯ2分２９％）を加えて３０分間攪拌を継続した。更に、０．７ｇの濃硫酸（９６％）を３ｇの蒸留水で希釈した水溶液を加えると、濃厚なゲルが約３０分で均一化された。このゲルのｐＨは１０．５であった。次いで、このゲルを１００℃で２４時間放置した。それによって白色の物質が生成した。この物質を濾別して多量の蒸留水で洗浄した。このようにして得られた固体物質を５０℃で２時間乾燥させ、引き続き室温で約２日間乾燥させ、更に７０℃で２時間乾燥させた。次いで、空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物であるリン含有メソポーラスシリカを得た。このメソポーラスシリカの細孔径の分布を測定したところ、約２．６ｎｍに分布のピークを有していた。このメソポーラスシリカにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ１５．３であった。
【００４４】
〔実施例４〕
第４級ホスホニウム塩として、ドデシル−トリ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド（日本化学工業(株）製のヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１２Ｂ、９８％）を用いた。また、ケイ素源として水ガラスを用いた。１００ｍｌのポリプロピレン製容器に、７ｇのヒシコーリン（登録商標）ＰＸ−４１２Ｂを入れ、そこに１９ｇの蒸留水を入れて希釈した。次に、６ｇの水ガラス（ＳｉＯ2分２９％）を加えて３０分間攪拌を継続した。更に、０．４ｇの濃硫酸（９６％）を２ｇの蒸留水で希釈した水溶液を加えると、濃厚なゲルが約３０分で均一化された。次いで、このゲルを１００℃で２４時間放置した。このゲルのｐＨは１０．６であった。それによって白色の物質が生成した。この物質を濾別してエタノールで洗浄し、引く続き蒸留水で洗浄した。このようにして得られた固体物質を１００℃で一晩乾燥させ、次いで、空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物であるリン含有メソポーラスシリカを得た。このメソポーラスシリカの細孔径の分布を測定したところ、約２．２ｎｍに分布のピークを有していた。このメソポーラスシリカにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ１８．２であった。
【００４５】
〔実施例５〕
本実施例では、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカを原料として、全シリカベータ型ゼオライトを合成した。すなわち、実施例１で得られたリン含有メソポーラスシリカ０．３６ｇをポリ四フッ化エチレンのカップに入れ、これに１ｇの水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（３６％）を滴下した。この状態での混合物中における水の含有量は０．６９７ｇであった。この混合物を室温下で約２０時間静置した。この状態での混合物中における水の含有量は０．６６７ｇであった。次にカップの内容物をオートクレーブに移し変え、ドライゲルコンバージョン法を行った。その条件は１５０℃の自生圧力下とした。反応は約１２日間行った。反応中、水の添加は行わなかった。この反応によって得られた生成物を蒸留水で洗浄し、濾別し、１００℃で一晩乾燥させた。次いで空気の流通下、５５０℃で約１０時間焼成し、目的物である全シリカベータ型ゼオライトを得た。このようにして得られたシリカベータ型ゼオライトのＸ線回折図を図５に示す。このベータ型ゼオライトにおけるリンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）を、上述の方法で測定したところ６６８であった。ＢＥＴ比表面積は４５５ｍ2／ｇ、ミクロ孔表面積は３１０ｍ2／ｇ、ミクロ孔体積は０．１６２ｃｍ3／ｇ、全孔体積は０．３５２ｃｍ3／ｇであった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細孔の壁構造内にリンが含まれ、かつリンが該壁構造を構成するＳｉＯ2繰り返し単位と直接結合していることを特徴とするリン含有メソポーラスシリカ。
【請求項２】
リンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）が、０．５〜１００である請求項１記載のリン含有メソポーラスシリカ。
【請求項３】
請求項１記載のリン含有メソポーラスシリカの製造方法であって、
第四級ホスホニウム塩からなるイオン液体とケイ素源となる化合物とを混合して反応させ、それによって得られた生成物を大気下に焼成することを特徴とするリン含有メソポーラスシリカの製造方法。
【請求項４】
第四級ホスホニウム塩が以下の式（１）で表される請求項３記載の製造方法。
【化１】
【請求項５】
ケイ素源となる化合物がテトラエトキシシラン又は水ガラスである請求項３又は４記載の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載のリン含有メソポーラスシリカと構造規定剤とを混合し、その混合物をオートクレーブ内に充填し、加熱して自生圧力下で反応させることを特徴とする全シリカベータ型ゼオライトの製造方法。
【請求項１】
細孔の壁構造内にリンが含まれ、かつリンが該壁構造を構成するＳｉＯ2繰り返し単位と直接結合していることを特徴とするリン含有メソポーラスシリカ。
【請求項２】
リンに対するケイ素の原子比（Ｓｉ／Ｐ）が、０．５〜１００である請求項１記載のリン含有メソポーラスシリカ。
【請求項３】
請求項１記載のリン含有メソポーラスシリカの製造方法であって、
第四級ホスホニウム塩からなるイオン液体とケイ素源となる化合物とを混合して反応させ、それによって得られた生成物を大気下に焼成することを特徴とするリン含有メソポーラスシリカの製造方法。
【請求項４】
第四級ホスホニウム塩が以下の式（１）で表される請求項３記載の製造方法。
【化１】
【請求項５】
ケイ素源となる化合物がテトラエトキシシラン又は水ガラスである請求項３又は４記載の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載のリン含有メソポーラスシリカと構造規定剤とを混合し、その混合物をオートクレーブ内に充填し、加熱して自生圧力下で反応させることを特徴とする全シリカベータ型ゼオライトの製造方法。
【図１】
【図２】
【図５】
【図３】
【図４】
【図２】
【図５】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−２２５４０１（Ｐ２０１１−２２５４０１Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−９７３４９（Ｐ２０１０−９７３４９）
【出願日】平成２２年４月２０日（２０１０．４．２０）
【出願人】（０００２３０５９３）日本化学工業株式会社 (296)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月２０日（２０１０．４．２０）
【出願人】（０００２３０５９３）日本化学工業株式会社 (296)
【Ｆターム（参考）】
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