【課題】レジストパターン形成方法及びレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と含フッ素高分子化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及びレジスト膜を有機溶剤含有現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法であって、基材成分（Ａ）がアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、樹脂成分（Ａ１）及び含フッ素高分子化合物（Ｆ）の現像液への溶解速度が夫々１０ｎｍ／ｓ以上であり、樹脂成分（Ａ１）と含フッ素高分子化合物（Ｆ）との現像液への溶解速度の差の絶対値が８０ｎｍ／ｓ以下である。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、含フッ素高分子化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、
前記基材成分（Ａ）が、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ａ１）及び前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）の、前記現像液への溶解速度が、それぞれ１０ｎｍ／ｓ以上であり、
前記樹脂成分（Ａ１）と、前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）との、前記現像液への溶解速度の差の絶対値が８０ｎｍ／ｓ以下であることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記樹脂成分（Ａ１）の質量平均分子量が６０００〜１５０００であり、前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）の質量平均分子量が７０００〜７００００である請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】
酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、含フッ素高分子化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ａ１）及び前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）の、前記現像液への溶解速度が、それぞれ１０ｎｍ／ｓ以上であり、
前記樹脂成分（Ａ１）と、前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）との、前記現像液への溶解速度の差の絶対値が８０ｎｍ／ｓ以下であることを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。
【請求項４】
前記樹脂成分（Ａ１）の質量平均分子量が６０００〜１５０００であり、前記含フッ素高分子化合物（Ｆ）の質量平均分子量が７０００〜７００００である請求項３に記載のネガ型現像用レジスト組成物。

【公開番号】特開２０１２−２３０３２８（Ｐ２０１２−２３０３２８Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９９９５２（Ｐ２０１１−９９９５２）
【出願日】平成２３年４月２７日（２０１１．４．２７）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】