【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）と、酸性化合物成分（Ｇ）と、アミン（Ｄ）とを含有するレジスト組成物を支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜を露光する工程（２）と、ベークを行い露光部において光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と、酸性化合物成分（Ｇ）とを中和させ、未露光部において酸性化合物成分（Ｇ）の作用により基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、を含むレジストパターン形成方法の工程（１）で用いられ、酸性化合物成分（Ｇ）１モルに対してアミン（Ｄ）を１モル以上含有するレジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）と、酸性化合物成分（Ｇ）と、アミン（Ｄ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と、前記酸性化合物成分（Ｇ）とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸性化合物成分（Ｇ）の作用により、前記基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、
を含むレジストパターン形成方法の前記工程（１）で用いられるレジスト組成物であって、
前記酸性化合物成分（Ｇ）１モルに対して、前記アミン（Ｄ）を１モル以上含有することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
前記酸性化合物成分（Ｇ）１モルに対して、前記アミン（Ｄ）を１〜１０モル含有する請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）と、酸性化合物成分（Ｇ）と、前記酸性化合物成分（Ｇ）１モルに対して１モル以上のアミン（Ｄ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と、前記酸性化合物成分（Ｇ）とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸性化合物成分（Ｇ）の作用により、前記基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、を含むレジストパターン形成方法。
【請求項４】
前記露光が、液浸媒体を介した浸漬露光である請求項３に記載のレジストパターン形成方法。

【図１】

【公開番号】特開２０１３−６８８４９（Ｐ２０１３−６８８４９Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０８１３６（Ｐ２０１１−２０８１３６）
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】