【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）と酸性化合物成分（Ｇ）とを含有するレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、を露光する工程（２）と、ベークを行い、露光部において光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と酸性化合物成分（Ｇ）とを中和させ、未露光部において酸性化合物成分（Ｇ）の作用により基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型パターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法の工程（１）で用いられるレジスト組成物であって、酸性化合物成分（Ｇ）が、ｐＫａが７以下の含窒素カチオンと対アニオンとからなる化合物（Ｇ１）を含有する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）と、酸性化合物成分（Ｇ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と、前記酸性化合物成分（Ｇ）とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸性化合物成分（Ｇ）の作用により、前記基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、
を含むレジストパターン形成方法の前記工程（１）で用いられるレジスト組成物であって、
前記酸性化合物成分（Ｇ）が、ｐＫａが７以下の含窒素カチオンと、対アニオンとからなる化合物（Ｇ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
さらに、アミン（Ｄ）を含有する請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）と、ｐＫａが７以下の含窒素カチオンと対アニオンとからなる化合物（Ｇ１）を含有する酸性化合物成分（Ｇ）と、を含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と、前記酸性化合物成分（Ｇ）とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸性化合物成分（Ｇ）の作用により、前記基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、
を含むレジストパターン形成方法。

【図１】

【公開番号】特開２０１３−６８８５１（Ｐ２０１３−６８８５１Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０８１４７（Ｐ２０１１−２０８１４７）
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】