【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、支持体上に膜厚均一性の高いレジスト膜を形成できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分とを、特定の有機溶剤成分（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜にプレベークを行わず、該レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分とを有機溶剤成分（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜にプレベークを行わず、該レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記酸供給成分に由来する酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸供給成分に由来する酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と
を含むレジストパターン形成方法における、前記工程（１）で用いられる前記レジスト組成物であって、
前記有機溶剤成分（Ｓ）は、有機溶剤の沸点Ｔ（℃）と、該有機溶剤の前記有機溶剤成分（Ｓ）全体に占める割合ｒ（質量％）との積の総和［Σ（Ｔ×ｒ／１００）］が１６０℃以下であることを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
前記レジスト組成物が、前記酸供給成分として酸性化合物成分又は酸発生剤成分を含有する、請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分とを有機溶剤成分（Ｓ）に溶解してなり、有機溶剤の沸点Ｔ（℃）と、該有機溶剤の前記有機溶剤成分（Ｓ）全体に占める割合ｒ（質量％）との積の総和［Σ（Ｔ×ｒ／１００）］が１６０℃以下であるレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜にプレベークを行わず、該レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記酸供給成分に由来する酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸供給成分に由来する酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と
を含むレジストパターン形成方法。
【請求項４】
前記工程（１）で形成されるレジスト膜の膜厚が３００ｎｍ以下である、請求項３記載のレジストパターン形成方法。
【請求項５】
前記工程（２）が、液浸媒体を介して露光する工程である、請求項３又は４記載のレジストパターン形成方法。

【図１】

【公開番号】特開２０１３−６８８４０（Ｐ２０１３−６８８４０Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０８０１３（Ｐ２０１１−２０８０１３）
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】