レーザ光検出回路及び光ディスク装置
【課題】光ディスク装置の動作停止モードにおいて、半導体レーザ１のレーザ光の強度を抑制して半導体レーザ１の破壊を防止する。
【解決手段】レーザ光検出回路３は、フォトダイオード１０、電流電圧変換回路１１、前段の増幅回路１２、出力段の第１の増幅回路１３、第２の増幅回路１４、第１の出力端子１５、第２の出力端子１６，入力端子１７、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５を含んで構成される。動作停止モードの場合、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５はオンするように構成されている。第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５がオンすると、第１の出力端子１５の第１の出力電圧Ｖopは電源電圧Ｖｃｃに設定され、第２の出力端子１６の第２の出力電圧Ｖonは接地電圧Ｖｓｓに設定される。
【解決手段】レーザ光検出回路３は、フォトダイオード１０、電流電圧変換回路１１、前段の増幅回路１２、出力段の第１の増幅回路１３、第２の増幅回路１４、第１の出力端子１５、第２の出力端子１６，入力端子１７、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５を含んで構成される。動作停止モードの場合、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５はオンするように構成されている。第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５がオンすると、第１の出力端子１５の第１の出力電圧Ｖopは電源電圧Ｖｃｃに設定され、第２の出力端子１６の第２の出力電圧Ｖonは接地電圧Ｖｓｓに設定される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザにより生成されたレーザ光の強度に応じた電気信号を出力するレーザ光検出回路、及びそのレーザ光検出回路が組み込まれた光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マルチメディア時代の主役としてＣＤ（Compact Discの略）等の光ディスクは目覚ましい普及を遂げている。こうした中で新世代の光ディスクとして、青紫色半導体レーザを用いたブルーレイ・ディスク（Blu-ray Disc）が登場している。
【０００３】
図２は、光ディスク装置１００の構成を示す概略図である。光ディスク装置１００は、半導体レーザ１、ハーフミラー２、レーザ光検出回路３、レーザドライバ４、マイクロコンピュータ５、光ディスク６及びデータ読み取り装置７を含んで構成されている。
【０００４】
半導体レーザ１から発生されたレーザ光は、ハーフミラー２により反射されて光ディスク６の表面に照射される。光ディスク６の表面からの反射光はハーフミラー２を通してデータ読み取り装置７により受光される。データ読み取り装置７は受光した反射光に基づき、光ディスク６に記録されたデータを読み取る。
【０００５】
その一方で、半導体レーザ１から発生されたレーザ光は、ハーフミラー２を通してレーザ光検出回路３により受光される。レーザ光検出回路３はレーザ光の強度に応じた電気信号を出力する回路である。この場合、レーザ光検出回路３は、第１の出力端子から第１の出力電圧Ｖopを出力し、第２の出力端子から第２の出力電圧Ｖonを出力する。第２の出力電圧Ｖonは、第１の出力電圧Ｖopを基準電圧に対して反転した電圧である。
【０００６】
レーザドライバ４は、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonを受けて、それらの電圧差（Ｖop−Ｖon）に応じて半導体レーザ１のレーザ光の強度を制御する回路である。この場合、レーザドライバ４は、電圧差（Ｖop−Ｖon）が大きくなるに連れて、半導体レーザ１のレーザ光の強度が小さくなるように半導体レーザ１を制御する。
【０００７】
逆に言えば、レーザドライバ４は、電圧差（Ｖop−Ｖon）が小さくなるに連れて、半導体レーザ１のレーザ光の強度が大きくなるように半導体レーザ１を制御する。レーザドライバ４のフィードバック制御により、半導体レーザ１から発生されるレーザ光の強度は、一定になるように制御される。このような光ディスク装置１００は特許文献１に記載されている。
【０００８】
ところで、動作停止モード（スリープ・モード）と動作モード（アクティブ・モード）という２つのモードを持った光ディスク装置１００が開発されている。動作停止モードの場合、レーザ光検出回路３の動作は停止されると共に、第１及び第２の出力端子における出力インピーダンスは、高インピーダンスに設定されるように設計されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１４１７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の動作停止モードにおいて、レーザ光検出回路３の第１及び第２の出力端子における出力インピーダンスは、高インピーダンスに設定される。このため、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの値は、後段のレーザドライバ４により決定され、電圧差（Ｖop−Ｖon）が小さくなる可能性がある。
【００１１】
すると、レーザドライバ４は、半導体レーザ１のレーザ光の強度が大きくなるように半導体レーザ１を制御するので、半導体レーザ１のレーザ光の強度が過大になり、半導体レーザ１が破壊に至るおそれがあった。
【００１２】
そこで、本発明は、光ディスク装置の動作停止モードにおいて、半導体レーザ１のレーザ光の強度を抑制して半導体レーザ１の破壊を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のレーザ光検出回路は、第１及び第２の出力端子と、半導体レーザからのレーザ光の強度に応じた第１の出力電圧を前記第１の出力端子に出力する第１の増幅回路と、前記第１の出力電圧を基準電圧に対して反転した第２の出力電圧を前記第２の出力端子に出力する第２の増幅回路と、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時に、前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差を一定値以上に設定するスイッチング回路とを備えることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の光ディスク装置は、レーザ光を生成する半導体レーザと、第１及び第２の出力端子と、半導体レーザからのレーザ光の強度に応じた第１の出力電圧を前記第１の出力端子に出力する第１の増幅回路と、前記第１の出力電圧を基準電圧に対して反転した第２の出力電圧を前記第２の出力端子に出力する第２の増幅回路と、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時に、前記半導体レーザが破壊しないように前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差を一定値以上に設定するスイッチング回路とを備えるレーザ光検出回路と、前記第１及び前記第２の出力電圧を受けて、前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差が大きくなるに連れて前記半導体レーザのレーザ光の強度が小さくなるように前記半導体レーザを制御するレーザドライバとを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、光ディスク装置の動作停止モードにおいて、半導体レーザのレーザ光の強度を抑制して半導体レーザの破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態のレーザ光検出回路の回路図である。
【図２】光ディスク装置の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施形態を図１に基づいて説明する。レーザ光検出回路３は、図２の光ディスク装置１００の一部を構成している。レーザ光検出回路３はＩＣ（Integrated Circuit）で構成することができ、レーザ光の強度に応じた電気信号を出力する回路である。レーザ光検出回路３は、フォトダイオード１０、電流電圧変換回路１１、前段の増幅回路１２、出力段の第１の増幅回路１３、第２の増幅回路１４、第１の出力端子１５、第２の出力端子１６、入力端子１７、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５を含んで構成される。
【００１８】
フォトダイオード１０は、図２の半導体レーザ１によって発生されたレーザ光を受光し、レーザ光の強度に応じた電流Ｉ１を発生する。電流電圧変換回路１１は、電流Ｉ１を電圧Ｖ１に変換する回路であり、オペアンプ１８及び抵抗１９を含んで構成される。オペアンプ１８の非反転入力端子には基準電圧Ｖｒｅｆ１が印加されている。
【００１９】
抵抗１９は、オペアンプ１８の反転入力端子と出力端子の間に接続されている。このため、オペアンプ１８の出力端子には基準電圧Ｖｒｅｆ１を中心に電流Ｉ１の電流値と抵抗１９の抵抗値の積に応じて変化する電圧Ｖ１が生じる。
【００２０】
前段の増幅回路１２は、電圧Ｖ１を増幅する増幅回路であり、オペアンプ２０、抵抗２１，２２、コンデンサ２３を含んで構成される。オペアンプ２０の非反転入力端子には基準電圧Ｖｒｅｆ２が印加されている。抵抗２１は、オペアンプ１８の出力端子とオペアンプ２０の反転入力端子の間に接続されている。抵抗２２は、オペアンプ２０の反転入力端子と出力端子との間に接続されている。
【００２１】
コンデンサ２３は、増幅回路１２の周波数帯域を制限する容量であり、オペアンプ２０の反転入力端子と出力端子との間に接続されている。増幅回路１２の直流利得の大きさは、Ｒ２／Ｒ１となる。
【００２２】
したがって、オペアンプ２０は、利得Ｒ２／Ｒ１で電圧Ｖ１を反転増幅する反転増幅回路として動作する。オペアンプ２０の非反転入力端子には基準電圧Ｖｒｅｆ２が印加されているため、出力端子の電圧Ｖ２は、基準電圧Ｖｒｅｆ２を中心に変化する。
【００２３】
出力段の第１の増幅回路１３は、バッファアンプであり、電圧Ｖ２を所定の利得で増幅した第１の出力電圧Ｖopを第１の出力端子１５に出力する。第２の増幅回路１４は、電圧Ｖ２を所定の利得で反転増幅した第２の出力電圧Ｖonを第２の出力端子１６に出力する。つまり、電圧Ｖ２は、第１及び第２の増幅回路１３，１４にて差動で増幅される。この場合、第２の出力電圧Ｖonは基準電圧Ｖｒｅｆ３に対して第１の出力電圧Ｖopを反転したものである。
【００２４】
レーザ光検出回路３は、図２のマイクロコンピュータ５からのモード切り替え信号に応じて、動作停止モード（スリープ・モード）と動作モード（アクティブ・モード）のいずれかのモードに設定される。即ち、レーザ光検出回路３の入力端子１７からマイクロコンピュータ５からのモード切り替え信号が印加される。例えば、モード切り替え信号がＬレベルの場合、オペアンプ１８，２０及び第１及び第２の増幅回路１３，１４は動作停止モードに設定され、これら回路の動作は停止される。具体的には、オペアンプ１８，２０及び第１及び第２の増幅回路１３，１４にそれぞれ内蔵され、動作電流を供給する各定電流源の電流値が「０」に設定されることにより、これらの回路の動作は停止される。
【００２５】
一方、モード切り替え信号がＨレベルの場合、オペアンプ１８，２０及び第１及び第２の増幅回路１３，１４は動作モードに設定され、それら回路は動作するように構成されている。つまり、オペアンプ１８，２０及び第１及び第２の増幅回路１３，１４に対応する各定電流源から動作電流が供給される。
【００２６】
レーザ光検出回路３は、動作停止モードに設定された場合、第１及び第２の増幅回路１３，１４の出力インピーダンスは、高インピーダンスになるように構成されている。具体的には、第１及び第２の増幅回路１３，１４の各出力トランジスタ（不図示）は、モード切り替え信号に応じてオフに設定される。
【００２７】
第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５は、スイッチング回路を構成する。第１のスイッチング素子２４は、電源電圧Ｖｃｃが供給される電源線２６と第１の増幅回路１３の第１の出力端子１５との間に接続される。第２のスイッチング素子２５は、第２の増幅回路１４の第２の出力端子１６と接地電圧Ｖｓｓが供給される接地線２７との間に接続される。
【００２８】
そして、モード切り替え信号がＬレベル（動作停止モード）の場合、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５はオンするように構成されている。第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５がオンすると、第１の出力端子１５の第１の出力電圧Ｖopは電源電圧Ｖｃｃに設定され、第２の出力端子１６の第２の出力電圧Ｖonは接地電圧Ｖｓｓに設定される。これにより、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）は（Ｖｃｃ−Ｖｓｓ）という最大値になる。
【００２９】
前述のように、レーザドライバ４は、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonを受けて、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）が大きくなるに連れて、半導体レーザ１のレーザ光の強度が小さくなるように半導体レーザ１を制御するので、電圧差（Ｖｃｃ−Ｖｓｓ）に応じて半導体レーザ１のレーザ光の強度は最小値に抑制される。これにより、動作停止モードにおいて、半導体レーザ１のレーザ光の強度を抑制して半導体レーザ１の破壊を防止することができる。
【００３０】
一方、モード切り替え信号がＨレベル（動作モード）の場合、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５はオフし、レーザ光検出回路３は通常の動作を行う。
【００３１】
なお、本実施形態においては、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５の両方を設けているが、それらのいずれか一方だけを設けても、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）をある程度大きくできるので、半導体レーザ１のレーザ光の強度を抑制する効果が得られる。
【００３２】
また、動作停止モードにおける第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）は上述のように（Ｖｃｃ−Ｖｓｓ）という最大値であることが好ましいが、半導体レーザ１が破壊しない程度に半導体レーザ１のレーザ光の強度を抑制することができれば、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）は、ある閾値以上に設定されていれば良い。
【００３３】
また、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５は、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ等で形成することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１ 半導体レーザ ２ ハーフミラー ３ レーザ光検出回路
４ レーザドライバ ５ マイクロコンピュータ ６ 光ディスク
７ データ読み取り装置
１０ フォトダイオード １１ 電流電圧変換回路
１２ 増幅回路 １３ 第１の増幅回路 １４ 第２の増幅回路
１５ 第１の出力端子 １６ 第２の出力端子 １７ 入力端子
１８ オペアンプ １９ 抵抗
２０ オペアンプ ２１，２２ 抵抗 ２３ コンデンサ
２４ 第１のスイッチング素子 ２５ 第２のスイッチング素子
２６ 電源線 ２７ 接地線 １００ 光ディスク装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザにより生成されたレーザ光の強度に応じた電気信号を出力するレーザ光検出回路、及びそのレーザ光検出回路が組み込まれた光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マルチメディア時代の主役としてＣＤ（Compact Discの略）等の光ディスクは目覚ましい普及を遂げている。こうした中で新世代の光ディスクとして、青紫色半導体レーザを用いたブルーレイ・ディスク（Blu-ray Disc）が登場している。
【０００３】
図２は、光ディスク装置１００の構成を示す概略図である。光ディスク装置１００は、半導体レーザ１、ハーフミラー２、レーザ光検出回路３、レーザドライバ４、マイクロコンピュータ５、光ディスク６及びデータ読み取り装置７を含んで構成されている。
【０００４】
半導体レーザ１から発生されたレーザ光は、ハーフミラー２により反射されて光ディスク６の表面に照射される。光ディスク６の表面からの反射光はハーフミラー２を通してデータ読み取り装置７により受光される。データ読み取り装置７は受光した反射光に基づき、光ディスク６に記録されたデータを読み取る。
【０００５】
その一方で、半導体レーザ１から発生されたレーザ光は、ハーフミラー２を通してレーザ光検出回路３により受光される。レーザ光検出回路３はレーザ光の強度に応じた電気信号を出力する回路である。この場合、レーザ光検出回路３は、第１の出力端子から第１の出力電圧Ｖopを出力し、第２の出力端子から第２の出力電圧Ｖonを出力する。第２の出力電圧Ｖonは、第１の出力電圧Ｖopを基準電圧に対して反転した電圧である。
【０００６】
レーザドライバ４は、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonを受けて、それらの電圧差（Ｖop−Ｖon）に応じて半導体レーザ１のレーザ光の強度を制御する回路である。この場合、レーザドライバ４は、電圧差（Ｖop−Ｖon）が大きくなるに連れて、半導体レーザ１のレーザ光の強度が小さくなるように半導体レーザ１を制御する。
【０００７】
逆に言えば、レーザドライバ４は、電圧差（Ｖop−Ｖon）が小さくなるに連れて、半導体レーザ１のレーザ光の強度が大きくなるように半導体レーザ１を制御する。レーザドライバ４のフィードバック制御により、半導体レーザ１から発生されるレーザ光の強度は、一定になるように制御される。このような光ディスク装置１００は特許文献１に記載されている。
【０００８】
ところで、動作停止モード（スリープ・モード）と動作モード（アクティブ・モード）という２つのモードを持った光ディスク装置１００が開発されている。動作停止モードの場合、レーザ光検出回路３の動作は停止されると共に、第１及び第２の出力端子における出力インピーダンスは、高インピーダンスに設定されるように設計されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１４１７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の動作停止モードにおいて、レーザ光検出回路３の第１及び第２の出力端子における出力インピーダンスは、高インピーダンスに設定される。このため、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの値は、後段のレーザドライバ４により決定され、電圧差（Ｖop−Ｖon）が小さくなる可能性がある。
【００１１】
すると、レーザドライバ４は、半導体レーザ１のレーザ光の強度が大きくなるように半導体レーザ１を制御するので、半導体レーザ１のレーザ光の強度が過大になり、半導体レーザ１が破壊に至るおそれがあった。
【００１２】
そこで、本発明は、光ディスク装置の動作停止モードにおいて、半導体レーザ１のレーザ光の強度を抑制して半導体レーザ１の破壊を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のレーザ光検出回路は、第１及び第２の出力端子と、半導体レーザからのレーザ光の強度に応じた第１の出力電圧を前記第１の出力端子に出力する第１の増幅回路と、前記第１の出力電圧を基準電圧に対して反転した第２の出力電圧を前記第２の出力端子に出力する第２の増幅回路と、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時に、前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差を一定値以上に設定するスイッチング回路とを備えることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の光ディスク装置は、レーザ光を生成する半導体レーザと、第１及び第２の出力端子と、半導体レーザからのレーザ光の強度に応じた第１の出力電圧を前記第１の出力端子に出力する第１の増幅回路と、前記第１の出力電圧を基準電圧に対して反転した第２の出力電圧を前記第２の出力端子に出力する第２の増幅回路と、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時に、前記半導体レーザが破壊しないように前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差を一定値以上に設定するスイッチング回路とを備えるレーザ光検出回路と、前記第１及び前記第２の出力電圧を受けて、前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差が大きくなるに連れて前記半導体レーザのレーザ光の強度が小さくなるように前記半導体レーザを制御するレーザドライバとを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、光ディスク装置の動作停止モードにおいて、半導体レーザのレーザ光の強度を抑制して半導体レーザの破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態のレーザ光検出回路の回路図である。
【図２】光ディスク装置の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施形態を図１に基づいて説明する。レーザ光検出回路３は、図２の光ディスク装置１００の一部を構成している。レーザ光検出回路３はＩＣ（Integrated Circuit）で構成することができ、レーザ光の強度に応じた電気信号を出力する回路である。レーザ光検出回路３は、フォトダイオード１０、電流電圧変換回路１１、前段の増幅回路１２、出力段の第１の増幅回路１３、第２の増幅回路１４、第１の出力端子１５、第２の出力端子１６、入力端子１７、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５を含んで構成される。
【００１８】
フォトダイオード１０は、図２の半導体レーザ１によって発生されたレーザ光を受光し、レーザ光の強度に応じた電流Ｉ１を発生する。電流電圧変換回路１１は、電流Ｉ１を電圧Ｖ１に変換する回路であり、オペアンプ１８及び抵抗１９を含んで構成される。オペアンプ１８の非反転入力端子には基準電圧Ｖｒｅｆ１が印加されている。
【００１９】
抵抗１９は、オペアンプ１８の反転入力端子と出力端子の間に接続されている。このため、オペアンプ１８の出力端子には基準電圧Ｖｒｅｆ１を中心に電流Ｉ１の電流値と抵抗１９の抵抗値の積に応じて変化する電圧Ｖ１が生じる。
【００２０】
前段の増幅回路１２は、電圧Ｖ１を増幅する増幅回路であり、オペアンプ２０、抵抗２１，２２、コンデンサ２３を含んで構成される。オペアンプ２０の非反転入力端子には基準電圧Ｖｒｅｆ２が印加されている。抵抗２１は、オペアンプ１８の出力端子とオペアンプ２０の反転入力端子の間に接続されている。抵抗２２は、オペアンプ２０の反転入力端子と出力端子との間に接続されている。
【００２１】
コンデンサ２３は、増幅回路１２の周波数帯域を制限する容量であり、オペアンプ２０の反転入力端子と出力端子との間に接続されている。増幅回路１２の直流利得の大きさは、Ｒ２／Ｒ１となる。
【００２２】
したがって、オペアンプ２０は、利得Ｒ２／Ｒ１で電圧Ｖ１を反転増幅する反転増幅回路として動作する。オペアンプ２０の非反転入力端子には基準電圧Ｖｒｅｆ２が印加されているため、出力端子の電圧Ｖ２は、基準電圧Ｖｒｅｆ２を中心に変化する。
【００２３】
出力段の第１の増幅回路１３は、バッファアンプであり、電圧Ｖ２を所定の利得で増幅した第１の出力電圧Ｖopを第１の出力端子１５に出力する。第２の増幅回路１４は、電圧Ｖ２を所定の利得で反転増幅した第２の出力電圧Ｖonを第２の出力端子１６に出力する。つまり、電圧Ｖ２は、第１及び第２の増幅回路１３，１４にて差動で増幅される。この場合、第２の出力電圧Ｖonは基準電圧Ｖｒｅｆ３に対して第１の出力電圧Ｖopを反転したものである。
【００２４】
レーザ光検出回路３は、図２のマイクロコンピュータ５からのモード切り替え信号に応じて、動作停止モード（スリープ・モード）と動作モード（アクティブ・モード）のいずれかのモードに設定される。即ち、レーザ光検出回路３の入力端子１７からマイクロコンピュータ５からのモード切り替え信号が印加される。例えば、モード切り替え信号がＬレベルの場合、オペアンプ１８，２０及び第１及び第２の増幅回路１３，１４は動作停止モードに設定され、これら回路の動作は停止される。具体的には、オペアンプ１８，２０及び第１及び第２の増幅回路１３，１４にそれぞれ内蔵され、動作電流を供給する各定電流源の電流値が「０」に設定されることにより、これらの回路の動作は停止される。
【００２５】
一方、モード切り替え信号がＨレベルの場合、オペアンプ１８，２０及び第１及び第２の増幅回路１３，１４は動作モードに設定され、それら回路は動作するように構成されている。つまり、オペアンプ１８，２０及び第１及び第２の増幅回路１３，１４に対応する各定電流源から動作電流が供給される。
【００２６】
レーザ光検出回路３は、動作停止モードに設定された場合、第１及び第２の増幅回路１３，１４の出力インピーダンスは、高インピーダンスになるように構成されている。具体的には、第１及び第２の増幅回路１３，１４の各出力トランジスタ（不図示）は、モード切り替え信号に応じてオフに設定される。
【００２７】
第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５は、スイッチング回路を構成する。第１のスイッチング素子２４は、電源電圧Ｖｃｃが供給される電源線２６と第１の増幅回路１３の第１の出力端子１５との間に接続される。第２のスイッチング素子２５は、第２の増幅回路１４の第２の出力端子１６と接地電圧Ｖｓｓが供給される接地線２７との間に接続される。
【００２８】
そして、モード切り替え信号がＬレベル（動作停止モード）の場合、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５はオンするように構成されている。第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５がオンすると、第１の出力端子１５の第１の出力電圧Ｖopは電源電圧Ｖｃｃに設定され、第２の出力端子１６の第２の出力電圧Ｖonは接地電圧Ｖｓｓに設定される。これにより、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）は（Ｖｃｃ−Ｖｓｓ）という最大値になる。
【００２９】
前述のように、レーザドライバ４は、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonを受けて、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）が大きくなるに連れて、半導体レーザ１のレーザ光の強度が小さくなるように半導体レーザ１を制御するので、電圧差（Ｖｃｃ−Ｖｓｓ）に応じて半導体レーザ１のレーザ光の強度は最小値に抑制される。これにより、動作停止モードにおいて、半導体レーザ１のレーザ光の強度を抑制して半導体レーザ１の破壊を防止することができる。
【００３０】
一方、モード切り替え信号がＨレベル（動作モード）の場合、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５はオフし、レーザ光検出回路３は通常の動作を行う。
【００３１】
なお、本実施形態においては、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５の両方を設けているが、それらのいずれか一方だけを設けても、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）をある程度大きくできるので、半導体レーザ１のレーザ光の強度を抑制する効果が得られる。
【００３２】
また、動作停止モードにおける第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）は上述のように（Ｖｃｃ−Ｖｓｓ）という最大値であることが好ましいが、半導体レーザ１が破壊しない程度に半導体レーザ１のレーザ光の強度を抑制することができれば、第１及び第２の出力電圧Ｖop，Ｖonの電圧差（Ｖop−Ｖon）は、ある閾値以上に設定されていれば良い。
【００３３】
また、第１のスイッチング素子２４及び第２のスイッチング素子２５は、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ等で形成することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１ 半導体レーザ ２ ハーフミラー ３ レーザ光検出回路
４ レーザドライバ ５ マイクロコンピュータ ６ 光ディスク
７ データ読み取り装置
１０ フォトダイオード １１ 電流電圧変換回路
１２ 増幅回路 １３ 第１の増幅回路 １４ 第２の増幅回路
１５ 第１の出力端子 １６ 第２の出力端子 １７ 入力端子
１８ オペアンプ １９ 抵抗
２０ オペアンプ ２１，２２ 抵抗 ２３ コンデンサ
２４ 第１のスイッチング素子 ２５ 第２のスイッチング素子
２６ 電源線 ２７ 接地線 １００ 光ディスク装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の出力端子と、
半導体レーザからのレーザ光の強度に応じた第１の出力電圧を前記第１の出力端子に出力する第１の増幅回路と、
前記第１の出力電圧を基準電圧に対して反転した第２の出力電圧を前記第２の出力端子に出力する第２の増幅回路と、
前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時に、前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差を一定値以上に設定するスイッチング回路とを備えることを特徴とするレーザ光検出回路。
【請求項２】
前記スイッチング回路は、前記第１の出力端子と電源電圧が供給された電源線との間に接続され、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時にオンして、前記第１の出力端子の電圧を電源電圧に設定する第１のスイッチング素子を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ光検出回路。
【請求項３】
前記スイッチング回路は、前記第１の出力端子と接地との間に接続され、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時にオンして、前記第２の出力端子の電圧を接地電圧に設定する第２のスイッチング素子を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ光検出回路。
【請求項４】
レーザ光を生成する半導体レーザと、
第１及び第２の出力端子と、半導体レーザからのレーザ光の強度に応じた第１の出力電圧を前記第１の出力端子に出力する第１の増幅回路と、前記第１の出力電圧を基準電圧に対して反転した第２の出力電圧を前記第２の出力端子に出力する第２の増幅回路と、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時に、前記半導体レーザが破壊しないように前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差を一定値以上に設定するスイッチング回路とを備えるレーザ光検出回路と、
前記第１及び前記第２の出力電圧を受けて、前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差が大きくなるに連れて前記半導体レーザのレーザ光の強度が小さくなるように前記半導体レーザを制御するレーザドライバとを備えることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
前記スイッチング回路は、前記第１の出力端子と前記レーザ光検出回路の電源電圧が供給された電源線との間に接続され、前記第１の前記レーザ光検出回路の動作停止時にオンして、前記第１の出力端子の電圧を電源電圧に設定する第１のスイッチング素子を備えることを特徴とする請求項４に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記スイッチング回路は、前記第１の出力端子と前記レーザ光検出回路の接地との間に接続され、前記第１の前記レーザ光検出回路の動作停止時にオンして、前記第２の出力端子の電圧を接地電圧に設定する第２のスイッチング素子を備えることを特徴とする請求項４又は５に記載の光ディスク装置。
【請求項１】
第１及び第２の出力端子と、
半導体レーザからのレーザ光の強度に応じた第１の出力電圧を前記第１の出力端子に出力する第１の増幅回路と、
前記第１の出力電圧を基準電圧に対して反転した第２の出力電圧を前記第２の出力端子に出力する第２の増幅回路と、
前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時に、前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差を一定値以上に設定するスイッチング回路とを備えることを特徴とするレーザ光検出回路。
【請求項２】
前記スイッチング回路は、前記第１の出力端子と電源電圧が供給された電源線との間に接続され、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時にオンして、前記第１の出力端子の電圧を電源電圧に設定する第１のスイッチング素子を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ光検出回路。
【請求項３】
前記スイッチング回路は、前記第１の出力端子と接地との間に接続され、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時にオンして、前記第２の出力端子の電圧を接地電圧に設定する第２のスイッチング素子を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ光検出回路。
【請求項４】
レーザ光を生成する半導体レーザと、
第１及び第２の出力端子と、半導体レーザからのレーザ光の強度に応じた第１の出力電圧を前記第１の出力端子に出力する第１の増幅回路と、前記第１の出力電圧を基準電圧に対して反転した第２の出力電圧を前記第２の出力端子に出力する第２の増幅回路と、前記第１及び第２の増幅回路の動作停止時に、前記半導体レーザが破壊しないように前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差を一定値以上に設定するスイッチング回路とを備えるレーザ光検出回路と、
前記第１及び前記第２の出力電圧を受けて、前記第１の出力電圧と前記第２の出力電圧の差が大きくなるに連れて前記半導体レーザのレーザ光の強度が小さくなるように前記半導体レーザを制御するレーザドライバとを備えることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
前記スイッチング回路は、前記第１の出力端子と前記レーザ光検出回路の電源電圧が供給された電源線との間に接続され、前記第１の前記レーザ光検出回路の動作停止時にオンして、前記第１の出力端子の電圧を電源電圧に設定する第１のスイッチング素子を備えることを特徴とする請求項４に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記スイッチング回路は、前記第１の出力端子と前記レーザ光検出回路の接地との間に接続され、前記第１の前記レーザ光検出回路の動作停止時にオンして、前記第２の出力端子の電圧を接地電圧に設定する第２のスイッチング素子を備えることを特徴とする請求項４又は５に記載の光ディスク装置。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−２２７９５２（Ｐ２０１１−２２７９５２Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−９５０１０（Ｐ２０１０−９５０１０）
【出願日】平成２２年４月１６日（２０１０．４．１６）
【出願人】（３１１００３７４３）オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド (166)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月１６日（２０１０．４．１６）
【出願人】（３１１００３７４３）オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド (166)
【Ｆターム（参考）】
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