説明

光学フィルタ及びその製造方法及び光量絞り装置

【課題】 蒸着膜にクラックが生じない光学フィルタを得る。
【解決手段】 基板41の上面に溝部61を設け、その上にNDフィルタ膜54を成膜する。型抜きパンチ73を上昇させることにより、上型72の開口部72aとの剪断により溝部61においてNDフィルタ20の形状に切断する。NDフィルタ20は予め基板41に加工されている溝部61の谷底部近傍で切断されるため、NDフィルタ20の内側のNDフィルタ膜54にクラックを生ずることなく、最終形状に切断できる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、カメラ等の撮影装置や光学機器等に使用される光学フィルタ及びその製造方法及び光量絞り装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来から、デジタルカメラやビデオカメラ等の光学機器には、光量を調節するための絞り装置が組み込まれ、通常では絞り羽根を用いて光量調節することが行われている。しかし、特に高輝度被写体に対しては、その絞り径の大きさが小さくなり過ぎると、回折による解像力の劣化が生ずるため、その絞り径の大きさを制限している。同時に、光量調節部材としてND(Neutral Density)フィルタ等を用いることにより、通過光量を制限し、これにより画質の低下を防止している。具体的には、絞り羽根の一部に絞り羽根とは別部材から成るNDフィルタを接着することにより、NDフィルタを光軸上に位置させ、被写体が高輝度の場合においても絞り径が極端に小さくなるまで絞り込まないようにして、絞り開口を一定の大きさ以上に維持している。
【0003】
一般に、NDフィルタの作製方法としては、セルロースアセテート、PET(ポリエチレンテレフタレート)、塩化ビニル等の透明樹脂材料中に光を吸収する有機色素又は顔料を混入して練り込むことによりシート状に加工している。また、透明な合成樹脂基板上に光吸収材料を真空蒸着法やスパッタ法等を用いて成膜する場合もある。しかし近年では、真空蒸着法等により成膜したものが光学特性や耐環境性に優れることから多用されている。
【0004】
図15はNDフィルタを打ち抜く状態の断面図を示し、光吸収材料から成る光吸収膜1を蒸着したシート状の透明合成樹脂基板2は、一対の下型3、上型4により挟持され、パンチ5を介してプレス加工等により最終形状に切断される。しかし、この際に基板2上に成膜された蒸着膜1の切断部yにクラックが発生することにより、この部分で光が乱反射してフレアが生じたり、切断部yから蒸着膜1が剥離し、異物として絞り装置の駆動部に付着し、動作不良を起こす虞れがある。
【0005】
このような問題に対する対策として、特許文献1に開示するフィルタ形状の外周端部から退避して蒸着膜を形成する方法や、特許文献2に開示する蒸着膜形成前にフィルタ形状の外形部の一部を残して切断する方法が開示されている。
【0006】
【特許文献1】特開2003−202612号公報
【特許文献2】特開2003−202613号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかし特許文献1の方法では、外周端部から退避して蒸着膜が形成されるため蒸着膜が形成されていない端部で基板面の反射が大きくなる問題がある。また、特許文献2の方法では、蒸着する前に外形部の一部を残して基板が切断されているため、蒸着時に基板が加熱されると樹脂の熱収縮により、残された連結部に応力が集中し、蒸着膜にクラックが生ずる虞れがある。
【0008】
本発明の目的は、上述の問題点を解消し、蒸着膜にクラックが生じ難い光学フィルタ及びその製造方法を提供することにある。
【0009】
また、本発明の他の目的は、この光学フィルタを用いて支障なく作動し得る光量絞り装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を達成するための本発明に係る光学フィルタの技術的特徴は、蒸着膜を形成した合成樹脂基板を該合成樹脂基板に予め形成した溝部に沿って切断したことにある。
【0011】
また、本発明に係る光学フィルタの製造方法の技術的特徴は、蒸着膜の形成前に合成樹脂基板面に溝部を形成し、前記蒸着膜を形成した後に前記合成樹脂基板を前記溝部に沿って光学フィルタ形状に切断することにある。
【0012】
更に、本発明に係る光量絞り装置の技術的特徴は、複数の絞り羽根を相対的に駆動して絞り開口の大きさを可変する光量絞り装置であって、これらの絞り羽根により形成される前記絞り開口の少なくとも一部を、蒸着膜を形成した合成樹脂基板を該合成樹脂基板に予め形成した溝部に沿って切断した光学フィルタで覆うことにある。
【発明の効果】
【0013】
本発明に係る光学フィルタ及びその製造方法によれば、合成樹脂基板の切断時に蒸着膜にクラックが発生することを避けることができる。また、外形全周に渡ってその外側の不要部と基板の厚さ方向の一部又は全部で連結されているため、蒸着時の基板の熱収縮による応力の部分的な集中が避けられ、端部まで蒸着膜が均一に形成され端部で反射が大きくなるという問題も発生しない。更には、基板や蒸着膜から発生する微小なバリがフィルタ面から突き出すこともない。
【0014】
また、本発明に係る光量絞り装置によれば、光学フィルタによる光の乱反射に起因する画像不良や、蒸着膜にクラック生ずることもなく、バリが生じて他部材に引っ掛かることもないので、良好な動作が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
本発明を図1〜図14に図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
【実施例1】
【0016】
図1は光学フィルタを用いた撮影光学系の構成図を示し、レンズ11、光量絞り装置12、レンズ13〜15、ローパスフィルタ16、CCD等の固体撮像素子17が順次に配列されている。光量絞り装置12においては、絞り羽根支持板18に一対の絞り羽根19a、19bが可動に取り付けられている。絞り羽根19aには、絞り羽根19a、19bにより形成される略菱形形状の開口部を通過する光量を減光するための光学フィルタとしてNDフィルタ20が装着されている。
【0017】
NDフィルタ20は絞り羽根19aに接着することが多いが、絞り羽根19の一部を半透明にしてNDフィルタ20の機能を持たせたり、NDフィルタ20を絞り羽根19aと分離して直接NDフィルタ20を駆動してもよい。
【0018】
図2はNDフィルタ20を製造するための真空蒸着機におけるチャンバの構成図を示している。チャンバ31内には、蒸着源32、回転可能な蒸着傘33が設けられ、この蒸着傘33には図示しない透明な合成樹脂基板を固定するための基板治具34が設けられている。蒸着傘33に固定された合成樹脂基板は、1度に複数枚成膜する基板の基板温度や蒸着膜厚を均一にするために、この蒸着傘33と共に回転しながら成膜が行われる。
【0019】
図3は基板治具34の断面図を示しており、基板治具34には予め所定の形状に沿った溝部が形成された合成樹脂基板41が取り付けられている。この基板41の蒸着面側にはNDフィルタ20の形状よりも大きく、溝部が囲む形状と等しいか、それよりも大きい開口部42aを有するパターンマスク42が取り付けられている。通常では、このパターンマスク42には1枚の基板41から複数個のNDフィルタ20が得られるように複数の開口部42aが設けられている。また、基板治具34には合成樹脂基板41とパターンマスク42を位置決めするための図示しない基準孔が設けられている。
【0020】
そして、チャンバ31内に基板治具34をセットした後に、真空引き及び基板41の加熱を行う。本実施例においては、100℃に加熱しながら真空引きを行ったが、この加熱温度は基板41の材質により異なり、低過ぎると基板41と蒸着膜の密着性が悪く、高過ぎると熱収縮や熱膨張による基板41の変形が大きくなる。そして、チャンバ31内の真空度及び基板温度が所定の値に達した後に蒸着を開始する。
【0021】
図4は本実施例における9層構成から成るNDフィルタ20の膜構成図を示し、合成樹脂基板41には光線透過率、機械的強度、耐熱性が比較的高いPET樹脂を用いる。厚みが約100μmの基板41上に、真空蒸着、スパッタ、イオンプレーティング法等の成膜法により誘電体膜であるAl23膜51と可視光吸収膜であるTiOx膜52を交互に積層する。更に、第8層のTiOx膜52上の最表層である第9層には、保護層の役割を果たすMgF2膜53を積層し、9層構成から成るNDフィルタ膜54を形成する。最表層のMgF2膜53の成膜が終了すると、真空引きを終了し、チャンバ31内に大気を導入し、チャンバ31から基板治具34及び基板41を取り出す。
【0022】
本実施例においては、基板41にPET樹脂を用いたが、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PC(ポリカーボネート)、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド等の透明樹脂を用いてもよい。また、基板41の厚みも50〜200μm程度としてもよい。
【0023】
更に、Al23膜51以外の誘電体膜としては、SiO2、SiO、MgF2、ZrO2等の金属合金、金属酸化物とすることもできる。また、TiOx膜52以外の可視光吸収膜としては、Ti、Cr、Ni、NiCr等の金属、合金、金属酸化物等を用いてもよく、層数は特性や生産性に応じて適宜に使い分けられる。
【0024】
図5はNDフィルタ20を形成した基板41の断面図、図6は平面図を示している。基板41には、予めNDフィルタ20の外形線として深さ50μm程度の溝部61が刻設され、この溝部61を有する基板41上には、図4に示す膜構成の複数層のNDフィルタ膜54が溝部61内に入り込むようにして形成されている。
【0025】
この溝部61の形成方法としては、鋭利な刃物で切り込みを入れたり、プレスで刃を押し付けたり、加熱した刃を押し付ける等があるが、これらの方法に限定されるものではない。所謂ハーフカットの状態である溝部61の深さに関しても特に限定されないが、あまり深すぎると残りの厚みが極て薄くなってしまったり、一部が裏側まで貫通してしまったりすると、成膜時の熱収縮により変形し、膜むらの原因となる。また、基板41の端部には基板治具34に位置決めする際に用いる基準孔62が設けられている。
【0026】
また、上述したNDフィルタ膜54が形成された面の反対面には、更に別のNDフィルタ膜を形成したり、或いは反射防止のために、上述した透明誘電体層を積層することにより反射防止膜を形成してもよい。
【0027】
本実施例においては、NDフィルタ膜54を積層する前に、図5に示すように予め基板41上にNDフィルタ20の外形線として溝部61を形成している。この溝部61は必ずしもNDフィルタ20の外形全周に形成する必要はなく、光量絞り装置12の開口部に挿入される部分等のクラック防止や反射防止が特に必要な部分だけに形成してもよい。
【0028】
NDフィルタ膜54はパターンマスク42の開口部42a上の基板41上に形成されるため、基板41にはパターンマスク42の開口部42aの形状によって、図6に示すような1辺が例えば10mmの三角形の形状から成る複数個のNDフィルタ20が形成される。次に、基板41から溝部61に沿って個々のNDフィルタ20を切り出す。
【0029】
図7に示すように、溝部61上にNDフィルタ膜54を成膜した基板41を図8に示すように下型71と上型72から成る切断型により挟持し、下型71にガイドされて上下動を行う型抜きパンチ73により打ち抜く。上型72の開口部72aと型抜きパンチ73はNDフィルタ20の形状と略同形状であるが、これらの大きさはNDフィルタ20の形状よりも少々大きくしておき、NDフィルタ20の内側部分で切断がなされないようにする必要がある。
【0030】
これはNDフィルタ20と同じ大きさとすると、位置ずれ等により上型72,型抜きパンチ73のエッジがNDフィルタ20内に掛かり、NDフィルタ膜54にクラックが入ってしまうことがあるからである。開口部72aを若干大きくしても切り込みによって強度が弱くなった溝部61の谷底部において切断がなされるので寸法上の問題は生じない。更に、基板41を切断型にセットする際にも、溝部61の谷底部から少々外側に上型72の開口部72aのエッジが当り、NDフィルタ20内にはエッジが掛からないように位置を調整する。
【0031】
そして図9に示すように、型抜きパンチ73を上昇させて、上型72の開口部72aによる剪断により溝部61の谷底部においてNDフィルタ20を所定の形状に切断する。このように、NDフィルタ20は予め基板41に加工されている溝部61の谷底部近傍で切断されるため、NDフィルタ20の内側にクラックを生ずることはない。
【0032】
また図10に示すように、基板41の両面に基板41の厚さ方向に対して略対称な位置に溝部61、61’をハーフカット加工を施した後に、NDフィルタ膜54を蒸着することもできる。この溝部61、61’の加工方法は実施例1と同様にカッタ等を使用し、例えば片側30μmの深さに刃を入れる。
【0033】
そして、図11に示すように、この基板41の上面にNDフィルタ膜54を成膜し、図9と同様に切断型で最終形状に切断する。この方法では基板41の蒸着面側の溝部61だけでなく、その裏面側にも溝部61’が刻設されているため、図12のZ部に示すように、バリの発生し易い下面部位においても、基板41の平坦面からバリが突出することを防止できる。
【実施例2】
【0034】
図13はNDフィルタ20を用いた光量絞り装置12の分解斜視図を示している。光学絞り装置12の静止構造体の絞り羽根支持板18上には2枚の絞り羽根19a、19bを駆動させるため4本の方向固定ピン81a〜81dが突設されている。また、絞り羽根支持板18上には円形の開口部82と、2本の円弧状のガイド孔83a、83bが設けられ、この絞り羽根支持板18の裏面には駆動モータ84が配置されている。更に、この駆動モータ84には駆動アーム85が取り付けられ、この駆動アーム85の両端には絞り羽根19a、19bを駆動する2本の駆動ピン86a、86bが取り付けられ、ガイド孔83a、83b内に挿通されている。
【0035】
絞り羽根19aには、絞り羽根支持板18の方向固定ピン81a、81bを挿通するための長孔87a、87bが設けられ、駆動ピン86aが挿通する長孔87cが設けられている。また、絞り羽根19aの開口部88の凹部には、NDフィルタ20が取り付けられている。
【0036】
また、絞り羽根19bには絞り羽根支持板18の方向固定ピン81c、81dを挿通するための長孔89a、89bが設けられ、駆動ピン86bが挿通する長孔89cが設けられている。更に、絞り羽根19の開口部88と共動して開口の大きさを可変する開口部90が設けられている。
【0037】
上述の実施例においては、絞り羽根19aにNDフィルタ20を取り付けたが、図14に示すように、絞り羽根19a、19bに取り付けずに、NDフィルタを別体として使用することもできる。
【0038】
この別体のNDフィルタ91は絞り羽根19aと同じ形状に形成した溝部に沿って切断している。絞り羽根19aと同様に設けた方向固定ピン81a、81b、駆動ピン86aを挿通するための長孔も溝部を用いて切り出し、絞り羽根19aの開閉動作と同期して作動する。このNDフィルタ91は絞り羽根19aに接着していないので、接着剥がれや接着部周辺の汚れ、接着位置ずれ等の不具合がなく、厚みも薄くできる利点がある。
【0039】
しかし、このNDフィルタ91と絞り羽根19aの隙間は極めて狭いため、NDフィルタ91に微小なバリ等があると動作不良を起こしてしまうが、本実施例のNDフィルタ91はこのようなバリの発生が防止される。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】撮影光学系の概略図である。
【図2】真空蒸着機のチャンバの構成図である。
【図3】基板治具の断面図である。
【図4】NDフィルタの膜構成図である。
【図5】NDフィルタを形成した基板の断面図である。
【図6】NDフィルタを形成した基板の平面図である。
【図7】基板の断面図である。
【図8】基板を切断する場合の断面図である。
【図9】基板を切断する場合の断面図である。
【図10】他の基板の断面図である。
【図11】基板を切断する場合の断面図である。
【図12】基板を切断する場合の断面図である。
【図13】光量絞り装置の分解斜視図である。
【図14】他の光量絞り装置の分解斜視図である。
【図15】従来例における基板を切断する場合の断面図である。
【符号の説明】
【0041】
11 レンズ
12 光量絞り装置
13〜15 レンズ
16 ローパスフィルタ
17 固体撮像素子
18 絞り羽根支持板
19a、19b 絞り羽根
20、91 NDフィルタ
31 チャンバ
32 蒸着源
33 蒸着傘
34 基板治具
41 合成樹脂基板
42 パターンマスク
51 Al23
52 TiOx膜
53 MgF2
54 NDフィルタ膜
61、61’ 溝部
71 下型
72 上型
73 型抜きパンチ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
蒸着膜を形成した合成樹脂基板を該合成樹脂基板に予め形成した溝部に沿って切断したことを特徴とする光学フィルタ。
【請求項2】
前記蒸着膜はNDフィルタ膜としたことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルタ。
【請求項3】
蒸着膜の形成前に合成樹脂基板面に溝部を形成し、前記蒸着膜を形成した後に前記合成樹脂基板を前記溝部に沿って光学フィルタ形状に切断することを特徴とする光学フィルタの製造方法。
【請求項4】
前記合成樹脂基板の切断位置は、前記光学フィルタの内側に掛からない前記溝部の谷底部近傍としたことを特徴とする請求項3に記載の光学フィルタの製造方法。
【請求項5】
前記溝部は前記合成樹脂基板の両面に、前記合成樹脂基板の厚さ方向に対して略対称な位置に形成したことを特徴とする請求項4に記載の光学フィルタの製造方法。
【請求項6】
複数の絞り羽根を相対的に駆動して絞り開口の大きさを可変する光量絞り装置であって、これらの絞り羽根により形成される前記絞り開口の少なくとも一部を、蒸着膜を形成した合成樹脂基板を該合成樹脂基板に予め形成した溝部に沿って切断した光学フィルタで覆うことを特徴とする光量絞り装置。
【請求項7】
前記光学フィルタは前記複数の絞り羽根の1つと同一形状であって、前記光学フィルタの一部が前記開口内に入るような形状に形成し、開口状態可変用の駆動部材が係合する係合部を、前記同一形状の絞り羽根に設けた前記駆動部材との係合部と一致する位置に設けたことを特徴とする請求項6に記載の光量絞り装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【公開番号】特開2007−316546(P2007−316546A)
【公開日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−148782(P2006−148782)
【出願日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【出願人】(000104652)キヤノン電子株式会社 (876)
【Fターム(参考)】