光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法及び光学活性化合物
【課題】光学活性が高度に制御された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法、及び該製造方法により得られる光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の提供を目的とする。
【解決手段】光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のカルボキシ基を保護した誘導体（Ｉ）と、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のヒドロキシ基を保護した誘導体（ＩＩ）とを縮合する縮合工程を有する光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。また、該製造方法により得られる光学活性化合物。
【解決手段】光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のカルボキシ基を保護した誘導体（Ｉ）と、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のヒドロキシ基を保護した誘導体（ＩＩ）とを縮合する縮合工程を有する光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。また、該製造方法により得られる光学活性化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法及び光学活性化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸の光学活性を維持して縮合した、所望の光学活性を有する高分子量の光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体が得られれば、該縮合体における芳香族環同士が効率的に相互作用でき、耐熱性、力学特性、配向特性、光学特性等に優れた高機能性材料として有用であると考えられる。また、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸はその構造が乳酸と類似（乳酸のメチル基が芳香族炭化水素基に置換された化合物。）していることから、得られる光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体は酸・アルカリ加水分解や生分解が行える高機能性材料として利用できる可能性がある。
光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸の代表例としては、Ｄ−マンデル酸あるいはＬ−マンデル酸が知られている。
【０００３】
しかし、マンデル酸を重縮合しようとすると、２分子が縮合して縮合度が２の環状化合物（マンデライド）が生成されるため、高分子量の縮合体を得ることができない（非特許文献１）。
そこで、高分子量のマンデル酸縮合体を得る方法として、環状化合物であるマンデライドの開環重縮合を行う方法が示されている（非特許文献２）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】J. Whitesell, J. Pojman, Chem. Mater., 2, 248 (1990)
【非特許文献２】T. Liu, T. L. Simmons, D. A. Bohnsack, M. E. Mackay, M. R. Smith, G. L. Baker, Macromolecules, 40, 6040 (2007)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、非特許文献２に記載の方法では、環状化合物（マンデライド）を開環する際に立体反転してラセミ化してしまい、用いるマンデル酸の光学活性をそのまま維持した芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体を得ることができない。
以上のように従来の方法では、芳香族環同士が効率的に相互作用でき、耐熱性等に優れた高機能性材料として利用できると考えられる、光学活性が高度に制御された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体を得ることはできなかった。
【０００６】
本発明は、光学活性が高度に制御された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法、及び光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰り返し単位を有する光学活性が高度に制御された光学活性化合物の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
［１］下記式（１）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）と、下記式（２）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）とを縮合する縮合工程を有する光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。
【０００８】
【化１】
【０００９】
【化２】
【００１０】
（式（１）及び式（２）中、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１以上の整数である。Ｒ１１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基又はオキシカルボニル型保護基のいずれかであり、Ｒ２１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかである。ｐ個のＲ３１は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。ｑ個のＲ３２は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。＊で示した炭素原子は不斉炭素原子を意味する。）
［２］前記Ｒ１１とＲ２１とがオルトゴナルな保護基であり、前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）と前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）とを縮合して得られる、下記式（３）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体（ＩＩＩ）のＲ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護する脱保護工程を更に有し、該Ｒ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護した縮合体を、前記縮合工程における前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）及び／又は前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）として用いる、前記［１］に記載の光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。
【００１１】
【化３】
【００１２】
（式（３）中、ｎは２以上の整数であり、ｐとｑの和である。ｎ個のＲ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。）
【００１３】
［３］下記式（４）で表される光学活性化合物。
【００１４】
【化４】
【００１５】
（式（４）中、ｎは２以上の整数である。Ｒ１は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基又はオキシカルボニル型保護基のいずれかであり、Ｒ２は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかであり、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は前記いずれかの保護基である。ｎ個のＲ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。）
［４］前記Ｒ３がフェニル基である前記［３］に記載の光学活性化合物。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の製造方法によれば、光学活性が高度に制御された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体が得られる。
また、本発明の光学活性化合物は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰り返し単位を有し、光学活性が高度に制御されている。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】合成例１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸（ｔＢｕ−ＭＤＡ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２】合成例２で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図３】合成例３で得られたＤ−マンデル酸ベンジル（ＭＤＡ−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図４】実施例１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図５】実施例１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図６】実施例２で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図７】実施例３で得られたＤ−マンデル酸２量体ベンジル（ＭＤＡ２−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図８】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）のＨＭＢＣスペクトルである。
【図９】図８のＨＭＢＣスペクトルにおけるＨ：４．８〜６．２ｐｐｍ、Ｃ：１６５〜１７５ｐｐｍの拡大図である。
【図１０】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）のＨＭＱＣスペクトルである。
【図１１】図１０のＨＭＱＣスペクトルにおけるＨ：４．８〜６．２ｐｐｍ、Ｃ：６５〜８０ｐｐｍの拡大図である。
【図１２】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１３】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１４】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルである。
【図１５】実施例５で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ４）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１６】実施例６で得られたＤ−マンデル酸４量体ベンジル（ＭＤＡ４−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１７】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）のＨＭＢＣスペクトルである。
【図１８】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）のＨＭＱＣスペクトルである。
【図１９】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２０】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２１】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルである。
【図２２】合成例４で得られたＤ−マンデル酸フェナシル（ＭＤＡ−Ｐａｃ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２３】実施例８で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２４】実施例８で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃ）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルである。
【図２５】実施例９で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２６】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）のＨＭＢＣスペクトルである。
【図２７】図２６のＨＭＢＣスペクトルにおけるＨ：５．０〜６．６ｐｐｍ、Ｃ：１５０．０〜２００．０ｐｐｍの拡大図である。
【図２８】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）のＨＭＢＣスペクトルである。
【図２９】図２８のＨＭＢＣスペクトルにおけるＨ：５．０〜６．５ｐｐｍ、Ｃ：６５．０〜８０．０ｐｐｍの拡大図である。
【図３０】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図３１】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図３２】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルである。
【図３３】合成例５で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ニトロベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
［光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法］
本発明の光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体（以下、「本縮合体」という。）の製造方法は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のカルボキシ基が保護された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）（以下、「誘導体（Ｉ）」という。）と、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のヒドロキシ基が保護された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）（以下、「誘導体（ＩＩ）」という。）とを縮合する縮合工程を有する方法である。
【００１９】
誘導体（Ｉ）は、下記式（１）で表される、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸の誘導体である。誘導体（Ｉ）は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のカルボキシ基が保護基Ｒ２１により保護されている。
【００２０】
【化５】
【００２１】
式（１）中、＊で示した炭素原子は不斉炭素原子を意味する。
ｐは１以上の整数である。ｐは、目的の本縮合体の縮合度により適宜選定すればよく、縮合反応の効率の点から、１００００以下が好ましい。
【００２２】
Ｒ２１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかの保護基である。
アラルキルエーテル型保護基としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、１−フェニルブチル基、２−メチル−１−フェニルプロピル基、１−フェニルペンチル基、２−メチル−１−フェニルブチル基、３−メチル−１−フェニルブチル基、ジフェニルメチル基、１，１−ジフェニルエチル基、ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基が挙げられる。前記保護基は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトロ基、アシル基、ハロゲン原子が挙げられる。置換基を有する保護基の具体例としては、フェナシル基、ニトロベンジル基等が挙げられる。
アラルキルエーテル型保護基としては、前記したものの中でも、脱保護反応時の主鎖エステル結合の切断が抑制できる点から、フェナシル基、ニトロベンジル基が好ましい。
アルキルエーテル型保護基としては、例えば、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１−エトキシエチル基、３，４，５，６−テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−イル基、１−メトキシ−１−メチルエチル基、メトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基が挙げられる。前記保護基は置換基を有していてもよい。置換基としては、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子が挙げられる。
シリル型保護基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリブチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基が挙げられる。
【００２３】
Ｒ３１は、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。また、ｐ個のＲ３１は、全て同一であってもよく、２種以上であってもよいが、全て同一であることが好ましい。
Ｒ３１の具体例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基が挙げられる。
Ｒ３１の芳香族炭化水素基は、置換基及び／又はヘテロ原子を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子が挙げられる。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。
Ｒ３１は、原料入手の容易さと、得られた重合体の溶剤溶解性が良好な点から、フェニル基であることが好ましい。
【００２４】
誘導体（ＩＩ）は、下記式（２）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸の誘導体である。誘導体（ＩＩ）は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のヒドロキシ基が保護基Ｒ１１により保護されている。
【００２５】
【化６】
【００２６】
式（２）中、＊で示した炭素原子は不斉炭素原子を意味する。
ｑは１以上の整数である。ｑは、目的の本縮合体の縮合度により適宜選定すればよく、縮合反応の効率の点から、１００００以下が好ましい。
【００２７】
Ｒ１１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基、又はオキシカルボニル型保護基のいずれかの保護基である。
アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基は、Ｒ２１で挙げたものと同じ保護基が挙げられる。
エステル型保護基としては、例えば、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、イソプロパノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、４−ニトロベンゾイル基、４−メトキシベンゾイル基、４−メチルベンゾイル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル基、４−フルオロベンゾイル基、４−クロロベンゾイル基、４−ブロモベンゾイル基、４−フェニルベンゾイル基、４−メトキシカルボニルベンゾイル基が挙げられる。
オキシカルボニル型保護基としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ベンジルオキシカルボニル基が挙げられる。
【００２８】
Ｒ３２は、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。また、ｑ個のＲ３２は、全て同一であってもよく、２種以上であってもよいが、全て同一であることが好ましい。
Ｒ３２の具体例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基が挙げられる。
Ｒ３２の芳香族炭化水素基は、置換基及び／又はヘテロ原子を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子が挙げられる。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。
Ｒ３２は、原料入手の容易さと、得られた重合体の溶剤溶解性が良好な点から、フェニル基であることが好ましい。
また、耐熱性、力学特性、配向特性、光学特性等に優れた本縮合体が得られやすい点から、全てのＲ３１及びＲ３２が同一の芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【００２９】
誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）の製造方法としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基を保護基で保護する際に通常使用される保護方法が使用できる。
また、縮合工程の原料となる誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）は、ナトリウム塩、カルシウム塩、アルミニウム塩、亜鉛塩等の金属塩、水和物、溶媒和物、結晶多形等の様々な形態で使用できる。
【００３０】
縮合工程では、前述した誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）を縮合する。該縮合は、縮合反応を促進する点から、溶媒中で行うことが好ましい。縮合反応に用いる溶媒は、水、メタノール等のアルコール類、Ｎ−メチルアミン等の１級アミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン等の２級アミン類、酢酸等のカルボン酸類、無水酢酸等のカルボン酸無水物、塩酸等の鉱酸類等の縮合反応に活性な溶媒を用いない限りは特に限定されない。縮合反応に用いる溶媒の具体例としては、例えば、酢酸エチル等のエステル類、アセトン等のケトン類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアミン、ピリジン等の３級アミン類、トルエン等の芳香族化合物類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類が挙げられる。
【００３１】
縮合反応における誘導体（Ｉ）の濃度は、縮合反応が充分に進行する濃度であればよく、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましい。誘導体（Ｉ）の濃度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であれば、縮合反応が進行しやすい。また、誘導体（Ｉ）の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌ以下であれば、安定して縮合反応を進行させやすい。
縮合反応における誘導体（ＩＩ）の濃度は、誘導体（Ｉ）と同じ濃度とすることが好ましい。
【００３２】
誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の縮合は、縮合反応の進行を促進させるために縮合剤を添加して行ってもよい。
縮合剤としては、反応系中で活性カルボン酸誘導体を生成するものであればよく、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド（以下、「ＤＣＣ」という。）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−エチル−３−（３’−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド（別名、水溶性カルボジイミドともいう。以下、「ＷＳＣＩ」という。）、ジフェニルリン酸アジド、ベンゾトリアゾール−１−イルオキシ−トリスジメチルアミノホスホニウム塩等のＢＯＰ試薬が挙げられる。
【００３３】
縮合剤の添加量は、縮合反応を促進できる量であればよく、誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の少ない方の仕込み量に対して、等モル量〜５倍モル量が好ましく、１．１〜３倍モル量がより好ましい。縮合剤の前記添加量が等モル量以上であれば、縮合反応を完結させやすい。また、縮合剤の前記添加量が５倍モル量以下であれば、精製工程が簡素化できる。
【００３４】
また、誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の縮合は、縮合反応の進行をさらに促進させるために、縮合剤とともに触媒を添加して行ってもよい。
触媒としては、縮合反応を促進できるものであればよく、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（以下、「ＤＭＡＰ」という。）が挙げられる。
【００３５】
触媒の添加量は、縮合反応を促進できる量であればよく、誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の少ない方の仕込み量に対して、０．０１〜０．７倍モル量が好ましく、０．０５〜０．５倍モル量がより好ましい。触媒の前記添加量が０．０１倍モル量以上であれば、縮合反応が完結しやすい。また、触媒の前記添加量が０．７倍モル量以下であれば、精製工程が簡素化できる。
【００３６】
誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の縮合反応における反応容器内の雰囲気は、縮合反応に不活性な雰囲気であればよく、窒素又はアルゴンの雰囲気が好ましい。
また、縮合反応における反応温度は、−１００〜１００℃が好ましく、０〜８０℃がより好ましい。反応温度が−１００℃以上であれば、縮合反応が進行しやすい。また、反応温度が１００℃以下であれば、得られる本縮合体の熱劣化を抑制しやすい。また、前記縮合剤を用いる場合、縮合剤を添加すると激しく発熱することから、反応開始時には冷媒等で反応容器を冷却しておいてもよい。
誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の縮合反応における反応時間は、１０分〜５０時間が好ましく、２〜３０時間がより好ましい。反応時間が１０分以上であれば、縮合反応が充分に進行しやすい。また、反応時間が５０時間以下であれば、生産性が向上する。
【００３７】
本発明の製造方法では、以上のように誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）を縮合することにより、ヒドロキシ基及びカルボキシ基の両方が保護基で保護された本縮合体が得られる。
また、本発明の製造方法では、誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）におけるＲ１１とＲ２１がオルトゴナルな保護基であることが好ましい。これにより、誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）を縮合して得られる、下記式（３）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体（ＩＩＩ）（以下、「縮合体（ＩＩＩ）」という。）におけるＲ１１又はＲ２１のいずれか一方のみを脱保護する脱保護工程を行うことが可能となる。該脱保護工程によりＲ１１又はＲ２１のいずれか一方のみが脱保護された縮合体は、前述した誘導体（Ｉ）及び／又は誘導体（ＩＩ）として再度縮合工程に用いることができる。
【００３８】
【化７】
【００３９】
縮合体（ＩＩＩ）におけるｎは、２以上の整数であり、ｐとｑの和である。
Ｒ３は、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基であり、縮合する誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）のＲ３１、Ｒ３２によって決まる。ｎ個のＲ３は、全て同一あってもよく、２種以上であってもよいが、全て同一であることが好ましい。すなわち、誘導体（Ｉ）のＲ３１と誘導体（ＩＩ）のＲ３２が全て同じ芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【００４０】
Ｒ１１とＲ２１がオルトゴナルな保護基となる組み合わせとしては、特定の反応条件で一方の保護基のみが脱保護される組み合わせであればよく、例えば、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がベンジル基の組み合わせ、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がトリエチルシリル基の組み合わせ、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がアリル基の組み合わせ、Ｒ１１がメトキシメチル基、Ｒ２１がトリエチルシリル基の組み合わせ、Ｒ１１がトリエチルシリル基、Ｒ２１がｔｅｒｔ−ブチル基の組み合わせ、Ｒ１１がアリル基、Ｒ２１がｔｅｒｔ−ブチル基の組み合わせ、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がフェナシル基の組み合わせ、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がニトロベンジル基の組み合わせが挙げられる。
【００４１】
脱保護工程を行ったものを再度縮合工程に用いる場合の具体例としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。
下記式に示すように、Ｄ−マンデル酸のカルボキシ基をＲ２１で保護した誘導体（Ｉ−Ａ）（ｐ＝１、Ｒ３がフェニル基の誘導体（Ｉ））と、Ｄ−マンデル酸のヒドロキシ基を前記Ｒ２１とはオルトゴナルな関係のＲ１１で保護した誘導体（ＩＩ−Ａ）（ｑ＝１、Ｒ３がフェニル基の誘導体（ＩＩ））とを縮合することにより、縮合度２で直鎖状のＤ−マンデル酸の縮合体（ＩＩＩ−Ａ）（ｎ＝２、Ｒ３がフェニル基の縮合体（ＩＩＩ））が得られる。
【００４２】
【化８】
【００４３】
そして、得られた縮合体（ＩＩＩ−Ａ）におけるＲ２１及びＲ１１の一方をそれぞれ脱保護することにより、下記式で表される誘導体（Ｉ−Ｂ）（ｐ＝２、Ｒ３がフェニル基の誘導体（Ｉ））及び誘導体（ＩＩ−Ｂ）（ｑ＝２、Ｒ３がフェニル基の誘導体（ＩＩ））が得られる。これら誘導体（Ｉ−Ｂ）及び誘導体（ＩＩ−Ｂ）は、さらに縮合工程にて縮合することにより、縮合度４で直鎖状のＤ−マンデル酸の縮合体（ＩＩＩ−Ｂ）（ｎ＝４、Ｒ３がフェニル基の縮合体（ＩＩＩ））が得られる。
また、縮合体（ＩＩＩ−Ｂ）を脱保護した縮合体は、さらに縮合工程における誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）として用いることができる。つまり、前記と同様に脱保護工程及び縮合工程を行うことでｎ＝８のＤ−マンデル酸の縮合体を得ることができる。このように、オルトゴナルな保護基Ｒ１１及びＲ２１を用いて縮合工程と脱保護工程繰り返すことにより、高分子量の本縮合体を高い効率で製造できる。
【００４４】
【化９】
【００４５】
また、脱保護工程後の縮合体は、誘導体（Ｉ）又は誘導体（ＩＩ）のいずれか一方のみとして用いてもよい。例えば、前記誘導体（Ｉ−Ｂ）と前記誘導体（ＩＩ−Ａ）とを縮合してｎ＝３のＤ−マンデル酸の縮合体を得る方法としてもよい。
【００４６】
縮合体（ＩＩＩ）の脱保護は、脱保護反応の進行を促進する点から、溶媒中で行うことが好ましい。
脱保護に用いる溶媒としては、脱保護反応に不活性な溶媒であればよく、例えば、水、メタノール等のアルコール類、Ｎ−メチルアミン等の１級アミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン等の２級アミン類、酢酸等のカルボン酸類、無水酢酸等のカルボン酸無水物、塩酸等の鉱酸類、酢酸エチル等のエステル類、アセトン等のケトン類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアミン、ピリジン等の３級アミン類、トルエン等の芳香族化合物類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類が挙げられる。
【００４７】
また、縮合体（ＩＩＩ）の脱保護は脱保護剤を用いて行う。
脱保護剤としては、ヒドロキシ基又はカルボキシル基のいずれか一方の保護基、すなわちＲ１１又はＲ２１を選択的に脱保護できるものであればよく、例えば、トリフルオロ酢酸（以下、「ＴＦＡ」という。）、酢酸等の有機酸；前記有機酸の亜鉛、マグネシウム等の金属塩；塩酸等の鉱酸；水酸化ナトリウム、テトラブチルアンモニウムフッ化物（以下、「ＴＢＡＦ」という。）等のアルカリ；パラジウム−炭素と水素の混合物；テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム；リンドラー触媒が挙げられる。
【００４８】
例えば、ヒドロキシ基の保護基Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、カルボキシル基の保護基Ｒ２１がベンジル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にパラジウム−炭素と水素の混合物、またはリンドラー触媒の組み合わせが使用できる。Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がトリエチルシリル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＢＡＦの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がアリル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がメトキシメチル基、Ｒ２１がトリエチルシリル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＢＡＦの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がトリエチルシリル基、Ｒ２１がｔｅｒｔ−ブチル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＢＡＦ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＦＡの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がアリル基、Ｒ２１がｔｅｒｔ−ブチル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、Ｒ２１の脱保護反応にＴＦＡの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がフェナシル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＢＡＦの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がニトロベンジル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＢＡＦ、酢酸亜鉛、あるいは酢酸マグネシウムの組み合わせが使用できる。
前記脱保護剤は、反応溶媒として兼用してもよく、前記溶媒と組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
脱保護剤の添加量は、脱保護反応が充分に進行できる量であればよく、縮合体（ＩＩＩ）の全質量に対して、０．０１〜３０倍モル量が好ましく、０．０５〜２０倍モル量がより好ましい。脱保護剤の前記添加量が０．０１倍モル量以上であれば、脱保護反応を完結させやすい。また、脱保護剤の前記添加量が３０倍モル量以下であれば、精製工程が簡素化できる。
【００５０】
脱保護反応における縮合体（ＩＩＩ）の濃度は、脱保護反応が充分に進行する濃度であればよく、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましい。縮合体（ＩＩＩ）の濃度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であれば、本縮合体の生産性が向上する。また、縮合体（ＩＩＩ）の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌ以下であれば、脱保護反応が進行しやすい。
【００５１】
縮合体（ＩＩＩ）の脱保護反応における反応容器内の雰囲気は、脱保護反応に不活性な雰囲気であればよく、窒素又はアルゴンの雰囲気とすることが好ましい。また、脱保護反応に必要な元素を供給するためには水素を用いる必要があるため、窒素やアルゴンを用いずに水素雰囲気とすることも好ましい。
縮合体（ＩＩＩ）の脱保護反応における反応温度は、−１００〜１００℃が好ましく、０〜８０℃がより好ましい。反応温度が−１００℃以上であれば、脱保護反応が進行しやすい。また、反応温度が１００℃以下であれば、得られる本縮合体の熱劣化を抑制しやすい。
縮合体（ＩＩＩ）の脱保護反応における反応時間は、１０分〜５０時間が好ましく、２〜３０時間がより好ましい。反応時間が１０分以上であれば、縮合反応が充分に進行しやすい。また、反応時間が５０時間以下であれば、生産性が向上する。
【００５２】
また、縮合工程や脱保護工程の後には、精製工程を行うことが好ましい。精製工程を行うことにより、縮合工程及び脱保護工程を繰り返し行う際、各工程の反応効率が向上する。精製方法は、縮合工程、脱保護工程の各工程における目的生成物を精製できる方法であれば特に限定されず、例えば、再結晶法が挙げられる。
【００５３】
本発明の製造方法は、少ない工程数で光学活性が高度に制御された高分子量の本縮合体が得られる点から、前述のようにオルトゴナルな保護基を用いて縮合工程と脱保護工程を繰り返して、ｎが２、４、８、１６等と順次構成単位が長くなるように縮合体（ＩＩＩ）を製造していく方法（以下、「方法（Ｘ）」という。）が好ましい。
方法（Ｘ）は、前記誘導体（Ｉ−Ｂ）と前記誘導体（ＩＩ−Ａ）を縮合して縮合度が３（ｎ＝３）の縮合体（ＩＩＩ）とし、その縮合体（ＩＩＩ）を基にｎが６、１２、２４等のように順次構成単位が長くなるように縮合体（ＩＩＩ）を製造する方法であってもよい。
ただし、本発明の製造方法は方法（Ｘ）には限定されず、例えば、誘導体（ＩＩ−Ａ）に対して、誘導体（Ｉ−Ａ）を加えて縮合した後、Ｒ２１を脱保護することを繰り返して、誘導体（Ｉ−Ａ）を１つずつ縮合していく方法であってもよい。
【００５４】
従来のマンデル酸の重縮合方法では、Ｄ−マンデル酸やＬ−マンデル酸を重縮合しようとしても、縮合度が２の環状化合物であるマンデライドが生成してしまうために高分子量の縮合体を得ることができなかった。また、非特許文献２に記載のようにマンデライドの開環重縮合によれば高分子量の縮合体を得ることは可能であるが、立体反転によりラセミ化してしまうため光学活性を高度に制御した縮合体を得ることはできなかった。
【００５５】
これに対し、本発明の製造方法では、誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）をそれらの光学活性を維持したまま縮合できるため、光学活性が高度に制御された、光学的に純粋な本縮合体が得られる。
例えば、Ｄ−マンデル酸のカルボキシ基を保護した誘導体（Ｉ）と、Ｄ−マンデル酸のヒドロキシ基を保護した誘導体（ＩＩ）を用い、方法（Ｘ）により縮合工程と脱保護工程を繰り返していくことにより、Ｄ−マンデル酸の光学活性が全ての構成単位において維持された、鏡像体過剰率が１００％ｅｅの高分子量の縮合体（ＩＩＩ）を得ることができる。
また、Ｄ−マンデル酸及びＬ−マンデル酸のカルボキシ基又はヒドロキシ基を保護した誘導体（Ｉ）、誘導体（ＩＩ）を適宜用いることで、Ｄ−マンデル酸とＬ−マンデル酸とが所望の順に縮合した縮合体（ＩＩＩ）を得ることもできる。
【００５６】
［光学活性化合物］
本発明の光学活性化合物（以下、「本化合物」という。）は、下記式（４）で表される化合物である。
【００５７】
【化１０】
【００５８】
式（４）中のｎは２以上の整数である。ｎは特に制限されないが、本化合物が効率良く得られる点から１００００以下が好ましい。
Ｒ１は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基、又はオキシカルボニル型保護基のいずれかである。
Ｒ２は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、又はシリル型保護基のいずれかである。
Ｒ１とＲ２は、少なくとも一方が前記いずれかの保護基である。Ｒ１とＲ２における前記各保護基は、前述のＲ１１とＲ２１で挙げたものと同じ保護基が挙げられる。Ｒ１とＲ２の両方が水素原子でない場合、化学的に安定である点から、Ｒ１とＲ２はオルトゴナルな保護基であることが好ましい。オルトゴナルな保護基の組み合わせは、Ｒ１１とＲ２１の場合と同様である。
【００５９】
Ｒ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。ｎ個のＲ３は、全て同一あってもよく、２種以上であってもよいが、全て同一であることが好ましい。
Ｒ３は、フェニル基が特に好ましい。すなわち、下記式（５）で表される本縮合体であることが好ましい。
【００６０】
【化１１】
【００６１】
本化合物の鏡像体過剰率は、耐熱性、力学特性、配向特性、光学特性等に優れる点から、７０〜１００％ｅｅであることが好ましく、８０〜１００％ｅｅがより好ましく、９０〜１００％ｅｅがさらに好ましい。
【００６２】
また、本化合物の形態は特に限定されず、例えば、ナトリウム塩、カルシウム塩、アルミニウム塩、亜鉛塩等の金属塩、水和物、溶媒和物、結晶多形等の様々な形態とすることができる。
【００６３】
本化合物の製造方法としては、前述の製造方法を用いることが好ましい。前述の製造方法を用いることにより、光学活性が高度に制御された本化合物を得ることができる。すなわち、本化合物は、前述の製造方法により誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）を縮合して得られるヒドロキシ基及びカルボキシ基の両方が保護された縮合体、又はオルトゴナルな保護基Ｒ１１、Ｒ２１で保護された縮合体（ＩＩＩ）のＲ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護した縮合体からなる群から選ばれる化合物であることが好ましい。この場合、本化合物は、Ｒ１が水素原子又はＲ１１であり、Ｒ２が水素原子又はＲ２１であり、Ｒ１とＲ２のいずれか一方が保護基である。
前記式（５）で表わされる本化合物の製造方法としては、Ｄ−マンデル酸、Ｌ−マンデル酸のヒドロキシ基又はカルボキシ基を保護した誘導体（Ｉ−Ａ）及び誘導体（ＩＩ−Ａ）を縮合する方法、又は該方法により得られた縮合体（ＩＩＩ−Ａ）におけるＲ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護する方法が好ましい。
【実施例】
【００６４】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。
［ＮＭＲ分析］
本実施例で得られた縮合体及び誘導体の化学構造は、１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ（日本電子株式会社製、ＪＮＭ−ＥＣＸ４００）により確認した。測定条件は、測定溶媒を重水素化クロロホルム、試料濃度２質量／容量％、測定温度を室温とした。積算回数は、観測核が１Ｈのときは１６回、観測核が１３Ｃのときは５０００回とした。
【００６５】
［質量分析］
縮合体の質量は、窒素レーザーを備えたマトリックス支援レーザー脱離イオン化時間飛行型質量分析計（以下、「ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ」という。）（株式会社島津製作所製、ＡＸＩＭＡ−ＣＦＲｐｌｕｓ）により確認した。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ測定試料は、以下の手順で準備した。
まず、カチオン化剤としてヨウ化ナトリウム１ｍｇを１ｍＬのテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」という。）に溶解した溶液を調製し、該溶液を試料プレートに１μＬ滴下し、自然乾燥させた。次に、実施例で合成した縮合体１ｍｇを１ｍＬの塩化メチレンに溶解した溶液を、前記試料プレートのヨウ化ナトリウムが析出した部分に１μＬ滴下し、自然乾燥させた。そして、マトリクス剤としてトランス−２−［３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−２−メチル−２−プロペニルインデン］マロノニトリル１０ｍｇを１ｍＬのＴＨＦに溶解した溶液を、前記試料プレートのヨウ化ナトリウムと化合物が析出した部分に１μＬ滴下し、自然乾燥させた。
また、質量のキャリブレーションは、Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ−１００（商品名、和光純薬工業株式会社製）を用いて外部標準法で行った。キャリブレーションに用いたＴｒｉｔｏｎ Ｘ−１００の質量は、１０量体の６６９．４１７２、１１量体の７１３．４４３３、１２量体の７５７．４６９４（いずれも、ナトリウムイオン付加体。）であった。
【００６６】
［比旋光度］
縮合体及び誘導体の比旋光度は、クロロホルム１０ｍＬに試料０．１ｇを溶解させた溶液について、旋光計（日本分光株式会社製、ＤＩＰ−３６０）を用いて室温にて測定した。
【００６７】
［融点］
縮合体及び誘導体の融点は、微量融点測定装置（ヤナコ株式会社製、ＭＰ−Ｓ２）を用いて測定した。
【００６８】
［合成例１］Ｄ−マンデル酸ベンジル（ＭＤＡ−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた５００ｍＬのナスフラスコに、下記式（６）で表されるＤ−マンデル酸３０．４ｇ（２００ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１５．２ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍＬ、及び臭化ベンジル３４．２ｇ（２００ｍｍｏｌ）を加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２時間攪拌し、カルボキシ基の保護反応を行った。反応終了後、反応液を分液漏斗に移した。また、反応液が入っていたフラスコを酢酸エチル２００ｍＬで洗浄し、該洗浄液も分液漏斗に移した。分液漏斗に移した溶液を、蒸留水３００ｍＬで３回洗浄した。
洗浄後の有機相を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（７）で表される白色固体のＤ−マンデル酸ベンジルの粗体（粗ＭＤＡ−Ｂｎ）を４２．２ｇ（収率８７％）得た。
【００６９】
【化１２】
【００７０】
粗ＭＤＡ−Ｂｎの入った５００ｍＬナスフラスコに、室温にて粗ＭＤＡ−Ｂｎが完全に溶解するまで酢酸エチルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙を用いてろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のＤ−マンデル酸ベンジル（ＭＤＡ−Ｂｎ、誘導体（Ｉ））を３５．４ｇ（収率７３％）得た。
得られたＭＤＡ−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲにより確認した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１に示す。また、ＭＤＡ−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−５６°であり、融点は１０６．０〜１０６．５℃であった。
【００７１】
［合成例２］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた５００ｍＬのナスフラスコに、合成例１と同様の方法で得られた前記式（７）で表されるＭＤＡ−Ｂｎを４８．５ｇ（２００ｍｍｏｌ）、塩化メチレンを３００ｍＬ加え、内容物を溶解した後、ドライアイス／メタノール浴にて、溶液を−７８℃に冷却した。
一方、ドライアイス／メタノール浴にてあらかじめ冷却したデュワー冷却器付きの密閉した２００ｍＬナスフラスコに、ボンベ充填されたイソブテン（沸点−６．９℃）を導入し、液化したイソブテン１００ｍＬを捕集した。
前述の−７８℃に冷却したＭＤＡ−Ｂｎ／塩化メチレン溶液の入ったフラスコに液化イソブテン１００ｍＬを移した後、濃硫酸９．２ｇを加えた。このフラスコに三方コックを取り付けて密封した状態で、−７８℃にてスターラーで３時間攪拌し、さらに、氷水浴（０℃）にて２１時間攪拌し、ヒドロキシ基の保護反応を行った。
反応終了後、反応液を分液漏斗に移した。また、反応液の入っていたフラスコを塩化メチレン２００ｍＬで洗浄し、その洗浄液も分液漏斗に移した。分液漏斗に移した溶液を、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで１回、蒸留水３００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（８）で表されるクリーム色の液体のＤ−マンデル酸ｔ−ブチルエーテル−ベンジルエステル（ｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎ）を５６．７ｇ（収率９５％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２に示す。
【００７２】
【化１３】
【００７３】
［合成例３］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸（ｔＢｕ−ＭＤＡ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた５００ｍＬのナスフラスコに、合成例２で得られた前記式（８）のｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎを５６．７ｇ（１９０ｍｍｏｌ）、約５５％の水で湿潤されたパラジウム／炭素混合物（パラジウム含有量５質量％）を５．０ｇ加え、三方コックを取り付けた。次いで、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。その後、さらにフラスコ内を真空ポンプで減圧した後、水素ガスを導入して常圧に戻す水素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を水素雰囲気で保持したまま、安定剤無添加のＴＨＦ２００ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２４時間攪拌し、脱保護反応を行った。
パラジウムに吸着した水素を脱離させるため、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻した。フラスコ内の反応液を３０分間スターラーで攪拌した後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を安定剤無添加のＴＨＦ１００ｍＬで洗浄した。
ろ液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、式（９）で表される淡黄色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸（ｔＢｕ−ＭＤＡ、誘導体（ＩＩ））を３９．２ｇ（収率９９％）得た。
得られたＭＤＡ−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ＭＤＡ−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３に示す。また、ＭＤＡ−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−１１２°であり、融点は８７．５〜８８．５℃であった。
【００７４】
【化１４】
【００７５】
［実施例１］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、合成例１で得られた前記式（７）のＭＤＡ−Ｂｎを２．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、合成例３で得られた前記式（９）のｔＢｕ−ＭＤＡを２．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、縮合剤としてＤＣＣを２．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）、触媒としてＤＭＡＰを０．２４ｇ（２ｍｍｏｌ）加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、脱水塩化メチレン２０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２４時間攪拌し、縮合反応を行った。
【００７６】
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン８０ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１０）で表される無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）を３．７ｇ（収率９８％）得た。
５００ｍＬナスフラスコに粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎを全量移し、メタノール１０ｍＬを加え、粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎが完全に溶解するまでジエチルエーテルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶で精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙でろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）を２．８ｇ（収率７５％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ及び１３Ｃ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図４、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図５に示す。また、ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−５７°であり、融点は９２．０〜９３．０℃であった。
【００７７】
【化１５】
【００７８】
［実施例２］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例１で得られた前記式（１０）のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎを５．２ｇ（１２ｍｍｏｌ）、約５５％の水で湿潤されたパラジウム／炭素混合物（パラジウム含有量５質量％）を０．５ｇ加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。さらに、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、水素ガスを導入して常圧に戻す水素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を水素雰囲気で保持したまま、安定剤無添加のＴＨＦ２０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで１時間攪拌し、脱保護反応を行った。
【００７９】
反応液を薄層クロマトグラフィーで展開して原料スポットの消失を確認した後に、パラジウムに吸着した水素を脱離させるためにフラスコ内を真空ポンプで減圧し、その後乾燥窒素を導入して常圧に戻した。なお、展開液はｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１／４（容量比）を用いた。下記式（１０）で表される原料のＲｆ値は０．３４、下記式（１１）で表される生成物のＲｆ値は０．１１であった。
フラスコ内の反応液を３０分間スターラーで攪拌した後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を安定剤無添加のＴＨＦ８０ｍＬで洗浄した。
ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１１）で表される無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体の粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２）を４．１ｇ（収率９９％）得た。
５００ｍＬナスフラスコに粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２を全量移し、ｎ−ヘキサン１０ｍＬを加え、粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２が完全に溶解するまでジエチルエーテルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙でろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した針状で無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）を３．３ｇ（収率８０％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ２の化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図６に示す。また、ｔＢｕ−ＭＤＡ２の比旋光度［α］Ｄは−９４°であり、融点は１４５．５〜１４６．５℃であった。
【００８０】
【化１６】
【００８１】
［実施例３］Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ＭＤＡ２−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例１で得られた前記式（１０）のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎを６．５ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ＴＦＡを６２ｍＬ加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで３時間攪拌し、脱保護反応を行った。
フラスコ内の反応液をエバポレーターで濃縮した後、ジエチルエーテルを２０ｍＬ加え、残留物を溶解した後、分液漏斗に移した。また、フラスコを８０ｍＬのジエチルエーテルで洗浄し、前記分液漏斗に移した。分液漏斗内の溶液を、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで３回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１２）で表される無色〜白色固体のＤ−マンデル酸２量体ベンジルの粗体（粗ＭＤＡ２−Ｂｎ）を５．５ｇ（収率９８％）得た。
５００ｍＬナスフラスコに粗ＭＤＡ２−Ｂｎを全量移し、ｎ−ヘキサン１０ｍＬを加え、粗ＭＤＡ２−Ｂｎが完全に溶解するまでジエチルエーテルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙でろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した無色〜白色固体のＤ−マンデル酸２量体ベンジル（ＭＤＡ２−Ｂｎ）を４．６ｇ（収率８２％）得た。
得られたＭＤＡ２−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ＭＤＡ２−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図７に示す。また、ＭＤＡ２−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−７９°であり、融点は８２．５〜８３．０℃であった。
【００８２】
【化１７】
【００８３】
［実施例４］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例２で得られた前記式（１１）のｔＢｕ−ＭＤＡ２を０．５８ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、実施例３で得られた前記式（１２）のＭＤＡ２−Ｂｎを０．６４ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、縮合剤としてＷＳＣＩを０．３１ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、触媒としてＤＭＡＰを０．０５ｇ（０．４ｍｍｏｌ）加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、脱水塩化メチレン１０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２４時間攪拌し、縮合反応を行った。
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン１４０ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１５０ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１３）で表される薄い黄褐色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）を２．３ｇ（収率９５％）得た。
５００ｍＬナスフラスコに粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎを全量移し、メタノール１０ｍＬを加え、粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎが完全に溶解するまでジエチルエーテルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙でろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ、本縮合体）を２．１ｇ（収率８７％）得た。
【００８４】
【化１８】
【００８５】
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ４−ＢｎのＨＭＢＣスペクトルを図８及び図９、ＨＭＱＣスペクトルを図１０及び図１１、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１２、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図１３、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルを図１４に示す。
ＨＭＢＣスペクトルにてプロトンのアサインを行った後、ＨＭＱＣスペクトルにてカーボンのアサインを行なった。図９に示すように、得られたｔＢｕ−ＭＤＡ４−ＢｎではＨＭＢＣスペクトルにおいて領域αに相関ピークが見られない。これは、得られたｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎにおいて、Ｄ−マンデル酸の光学活性を維持したまま縮合して分子鎖が伸張し、結合角が固定されているためである。ラセミ体のｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎであれば領域αに相関ピークが見られるはずであり、この結果からＤ−マンデル酸の光学活性を維持したｎ＝４の縮合体（４量体）が得られたことが確認できた。
また、ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−８４°であり、融点は１０９．０〜１１０．０℃であった。
【００８６】
［実施例５］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ４）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例４で得られた前記式（１３）のｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎを１．００ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、リンドラー触媒を０．１ｇ加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。さらに、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、水素ガスを導入して常圧に戻す水素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を水素雰囲気で保持したまま、安定剤無添加のＴＨＦ２０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２時間攪拌し、脱保護反応を行った。
【００８７】
反応液を薄層クロマトグラフィーで展開して原料スポットの消失を確認した後に、リンドラー触媒に吸着した水素を脱離させるためにフラスコ内を真空ポンプで減圧し、その後に乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。なお、展開液はｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１／４（容量比）を用いた。下記式（１３）で表される原料のＲｆ値は０．２７８、下記式（１４）で表される生成物のＲｆ値は０．００であった。
フラスコ内の反応液を３０分間スターラーで攪拌した後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を安定剤無添加のＴＨＦ８０ｍＬで洗浄した。
ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１４）で表される無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体の粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４）を０．９０ｇ（収率９９％）得た。
得られた粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４の化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ４の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１５に示す。
【００８８】
【化１９】
【００８９】
［実施例６］Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ＭＤＡ４−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例４で得られた前記式（１３）のｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎを１．００ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、ＴＦＡを５ｍＬ加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで３時間攪拌し、脱保護反応を行った。
フラスコ内の反応液をエバポレーターで濃縮した後、塩化メチレンを２０ｍＬ加え、残留物を溶解した後、分液漏斗に移した。また、フラスコを６０ｍＬの塩化メチレンで洗浄し、前記分液漏斗に移した。分液漏斗内の溶液を、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで３回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１５）で表される無色〜白色固体のＤ−マンデル酸４量体ベンジルの粗体（粗ＭＤＡ４−Ｂｎ）を０．８８ｇ（収率９６％）得た。
得られた粗ＭＤＡ４−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ＭＤＡ４−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１６に示す。
【００９０】
【化２０】
【００９１】
［実施例７］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例５で得られた前記式（１４）の粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４を０．８８ｇ、実施例６で得られた前記式（１５）の粗ＭＤＡ４−Ｂｎを０．９５ｇ、縮合剤としてＥＤＣを０．３３ｇ（１．７３ｍｍｏｌ）、触媒としてＤＭＡＰを０．０３５ｇ（０．２８８ｍｍｏｌ）加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、フラスコを０℃の氷浴へ浸漬した。その後、脱水塩化メチレン１０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解し、０℃にてスターラーで２時間攪拌した。その後、フラスコを室温へ移し、さらに２２時間撹拌し、縮合反応を行った。
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン８０ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１６）で表される薄い黄褐色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）を１．６７ｇ（収率９４％）得た。
【００９２】
【化２１】
【００９３】
得られた粗ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ８−ＢｎのＨＭＢＣスペクトルを図１７、ＨＭＱＣスペクトルを図１８、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１９、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図２０、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルを図２１に示す。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルにて、質量／電荷比（ｍ／ｚ）＝１２５９．５４の信号が最も強く観測された。このｍ／ｚは、ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎのナトリウムイオン付加体のモノアイソトープ質量（１２５９．４０Ｄａ）と誤差範囲で一致した。
また、実施例４と同様に、ＨＭＢＣスペクトル及びＨＭＱＣスペクトルから、Ｄ−マンデル酸の光学活性を維持したｎ＝８の縮合体（８量体）が得られたことが確認できた。
【００９４】
［合成例４］Ｄ−マンデル酸フェナシル（ＭＤＡ−Ｐａｃ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた３００ｍＬのナスフラスコに、下記式（６）で表されるＤ−マンデル酸１６．７４ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム８．３６ｇ（６０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５５ｍＬ、及び２−ブロモアセトフェノン２１．８９ｇ（１１０ｍｍｏｌ）を加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２時間攪拌し、カルボキシ基の保護反応を行った。なお、前記保護反応は、暗所にて行った。反応終了後、反応液を分液漏斗に移した。また、反応液が入っていたフラスコを酢酸エチル２００ｍＬで洗浄し、該洗浄液も分液漏斗に移した。分液漏斗に移した溶液を、蒸留水３００ｍＬで３回洗浄した。
洗浄後の有機相を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１７）で表される白色固体のＤ−マンデル酸フェナシルの粗体（粗ＭＤＡ−Ｐａｃ）を２５．７５ｇ（収率９９％）得た。
【００９５】
【化２２】
【００９６】
粗ＭＤＡ−Ｐａｃの入った５００ｍＬナスフラスコに、４０℃にて粗ＭＤＡ−Ｐａｃが完全に溶解するまで酢酸エチルを加えた後、５℃の冷暗所に４８時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙を用いてろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のＤ−マンデル酸フェナシル（ＭＤＡ−Ｐａｃ、誘導体（Ｉ））を２５．８ｇ（収率８７％）得た。
得られたＭＤＡ−Ｐａｃの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲにより確認した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２２に示す。また、ＭＤＡ−Ｐａｃの比旋光度［α］Ｄは１１０°であり、融点は９７．０〜９９．０℃であった。
【００９７】
［実施例８］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃ）の合成
まず、縮合剤である３１．６ｇ（１５３ｍｍｏｌ）のＤＣＣと、触媒である３．７ｇ（３０．６ｍｍｏｌ）のＤＭＡＰを、脱水塩化メチレン１００ｍＬに溶解し、この溶液を２００ｍＬの滴下漏斗へ移した。
あらかじめ攪拌子を入れ、前記滴下漏斗を接続した１０００ｍＬの三ツ口フラスコに、合成例４で得られた前記式（１７）のＭＤＡ−Ｐａｃを３３．１ｇ（１２２．５ｍｍｏｌ）、合成例３で得られた前記式（９）のｔＢｕ−ＭＤＡを２７．５ｇ（１２２．５ｍｍｏｌ）加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、脱水塩化メチレン３００ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した。
三ツ口フラスコを０℃の氷浴へ浸漬した後、滴下漏斗内の溶液を、三ツ口フラスコへ１時間かけて滴下し、さらに０℃、２時間スターラーで攪拌した後、三ツ口フラスコを室温へ移し、さらに２２時間撹拌し、縮合反応を行った。
【００９８】
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン１５０ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液２００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液２００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム２０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を１０００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１８）で表される無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体フェナシルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃ）を７０．６ｇ（収率１２５％）得た。
７０．６ｇの粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃを、展開溶媒を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝２／３（容積比）としたカラムクロマトグラフィーを用いて精製した。
得られた溶液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎを５６．６ｇ（収率９４％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２３、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルを図２４に示す。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルにて、質量／電荷比（ｍ／ｚ）＝４８３．１５の信号が最も強く観測された。このｍ／ｚは、ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃのナトリウムイオン付加体のモノアイソトープ質量（４８３．１９Ｄａ）と誤差範囲内で一致した。
また、ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃの比旋光度［α］Ｄは５８．９°であり、融点は１００．０〜１０１．０℃であった。
【００９９】
【化２３】
【０１００】
［実施例９］ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃのフェナシル基脱保護によるＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例８で得られた前記式（１８）のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃを０．１０ｇ（０．２１７ｍｍｏｌ）、１ｍｏｌ／Ｌのテトラブチルアンモニウムフルオリド／ＴＨＦ溶液を１．００ｍＬ、蒸留水を０．０６ｇ、ＴＨＦを２ｍＬ加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで３０分間攪拌し、脱保護反応を行った。
【０１０１】
フラスコ内の反応液をエバポレーターで濃縮した後、塩化メチレンを２０ｍＬ加え、残留物を溶解した後、分液漏斗に移した。また、フラスコを６０ｍＬの塩化メチレンで洗浄し、前記分液漏斗に移した。分液漏斗内の溶液を、水酸化ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで３回、クエン酸飽和水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１１）で表される薄い黄色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体の粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２）を得た。
得られた粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２の化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２５に示す。
【０１０２】
【化２４】
【０１０３】
［実施例１０］Ｄ−マンデル酸２量体フェナシル（ＭＤＡ２−Ｐａｃ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた３００ｍＬのナスフラスコに、実施例８で得られた前記式（１８）のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃを２１．９ｇ（４７．６ｍｍｏｌ）、ＴＦＡを４８ｍＬ加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで３時間攪拌し、脱保護反応を行った。
フラスコ内の反応液をエバポレーターで濃縮した後、塩化メチレンを５０ｍＬ加え、残留物を溶解した後、分液漏斗に移した。また、フラスコを１００ｍＬの塩化メチレンで洗浄し、前記分液漏斗に移した。分液漏斗内の溶液を、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液２００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液２００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム２０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１９）で表される淡黄色固体のＤ−マンデル酸２量体フェナシルの粗体（粗ＭＤＡ２−Ｐａｃ）を１９．５ｇ（収率９８％）得た。
【０１０４】
【化２５】
【０１０５】
［実施例１１］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）の合成
まず、縮合剤である１２．８ｇ（６０ｍｍｏｌ）のＤＣＣと、触媒である１．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）のＤＭＡＰを、脱水塩化メチレン１００ｍＬに溶解し、この溶液を２００ｍＬの滴下漏斗へ移した。
あらかじめ攪拌子を入れた１０００ｍＬの三ツ口フラスコに、実施例９で得られた前記式（１１）のｔＢｕ−ＭＤＡ２を１６．６ｇ、実施例１０で得られた前記式（１９）の粗ＭＤＡ２−Ｐａｃを１９．５ｇ加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、脱水塩化メチレン１５０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した。
三ツ口フラスコを０℃の氷浴へ浸漬した後、滴下漏斗内の溶液を、三ツ口フラスコへ１時間かけて滴下し、さらに０℃、２時間スターラーで攪拌した後、三ツ口フラスコを室温へ移し、さらに２２時間撹拌し、縮合反応を行った。
【０１０６】
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン１００ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液２００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液２００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を５００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（２０）で表される薄い黄褐色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）を３７．３ｇ（収率１０６％）得た。
３７．３ｇの粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃを、展開溶媒を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝１／２（容積比）としたカラムクロマトグラフィーを用いて精製した。
得られた溶液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した薄い黄褐色固体のｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃを３４．０ｇ（収率９７％）得た。
【０１０７】
【化２６】
【０１０８】
得られた粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ４−ＰａｃのＨＭＢＣスペクトルを図２６及び図２７、ＨＭＱＣスペクトルを図２８及び図２９、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３０、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図３１、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルを図３２に示す。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルにて、質量／電荷比（ｍ／ｚ）＝７５１．３０の信号が最も強く観測された。このｍ／ｚは、ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃのナトリウムイオン付加体のモノアイソトープ質量（７５１．２５Ｄａ）と誤差範囲内で一致した。
また、実施例４と同様に、ＨＭＢＣスペクトル及びＨＭＱＣスペクトルから、Ｄ−マンデル酸の光学活性を維持したｎ＝４の縮合体（４量体）が得られたことが確認できた。
【０１０９】
［合成例５］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ニトロベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例２で得られた前記式（１１）のｔＢｕ−ＭＤＡ２を１．００ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、炭酸カリウムを０．２４ｇ（１．７４ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを７ｍＬ、及び４−ニトロベンジルブロミドを０．９４ｇ（２．９ｍｍｏｌ）加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２時間攪拌し、カルボキシ基の保護反応を行った。反応終了後、反応液を分液漏斗に移した。また、反応液が入っていたフラスコを酢酸エチル８０ｍＬで洗浄し、該洗浄液も分液漏斗に移した。分液漏斗に移した溶液を、蒸留水１２０ｍＬで３回洗浄した。
【０１１０】
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム５ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（２１）で表される白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ニトロベンジルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎ）を１．３３ｇ（収率９６％）得た。
１．３３ｇの粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎを、展開溶媒を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝１／２（容積比）としたカラムクロマトグラフィーを用いて精製した。
得られた溶液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎを１．０３ｇ（収率７４％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３３に示す。
【０１１１】
【化２７】
【０１１２】
実施例１〜１１のように、オルトゴナルな保護基でＤ−マンデル酸のヒドロキシ基又はカルボキシ基を保護した誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）を用いて、縮合工程と脱保護工程を繰り返すことにより、Ｄ−マンデル酸の光学活性を維持した縮合度が２、４、及び８の縮合体が得られた。さらに、同様の脱保護工程及び縮合工程を繰り返すことで、さらに高分子量の縮合体も得ることができると考えられる。
また、合成例５のように、Ｒ２１の保護基がニトロベンジル基である前記式（２１）で表される化合物も得られた。該化合物からは、ｔｅｒｔ−ブチル基を脱保護すれば、Ｒ２１の保護基がニトロベンジル基である誘導体（Ｉ）を得ることができ、該誘導体（Ｉ）によっても高分子量の縮合体を得ることができると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明の製造方法は、光学活性が高度に制御された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体が得られるため、極めて有用である。また、本発明の光学活性化合物は、光学活性が高度に制御されているため、耐熱性、力学特性、配向特性、光学特性等に優れた高機能性材料として、ディスプレイ配向フィルム、環境調和材料、構造／建築材料等に好適に利用できると考えられる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法及び光学活性化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸の光学活性を維持して縮合した、所望の光学活性を有する高分子量の光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体が得られれば、該縮合体における芳香族環同士が効率的に相互作用でき、耐熱性、力学特性、配向特性、光学特性等に優れた高機能性材料として有用であると考えられる。また、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸はその構造が乳酸と類似（乳酸のメチル基が芳香族炭化水素基に置換された化合物。）していることから、得られる光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体は酸・アルカリ加水分解や生分解が行える高機能性材料として利用できる可能性がある。
光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸の代表例としては、Ｄ−マンデル酸あるいはＬ−マンデル酸が知られている。
【０００３】
しかし、マンデル酸を重縮合しようとすると、２分子が縮合して縮合度が２の環状化合物（マンデライド）が生成されるため、高分子量の縮合体を得ることができない（非特許文献１）。
そこで、高分子量のマンデル酸縮合体を得る方法として、環状化合物であるマンデライドの開環重縮合を行う方法が示されている（非特許文献２）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】J. Whitesell, J. Pojman, Chem. Mater., 2, 248 (1990)
【非特許文献２】T. Liu, T. L. Simmons, D. A. Bohnsack, M. E. Mackay, M. R. Smith, G. L. Baker, Macromolecules, 40, 6040 (2007)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、非特許文献２に記載の方法では、環状化合物（マンデライド）を開環する際に立体反転してラセミ化してしまい、用いるマンデル酸の光学活性をそのまま維持した芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体を得ることができない。
以上のように従来の方法では、芳香族環同士が効率的に相互作用でき、耐熱性等に優れた高機能性材料として利用できると考えられる、光学活性が高度に制御された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体を得ることはできなかった。
【０００６】
本発明は、光学活性が高度に制御された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法、及び光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰り返し単位を有する光学活性が高度に制御された光学活性化合物の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
［１］下記式（１）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）と、下記式（２）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）とを縮合する縮合工程を有する光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。
【０００８】
【化１】
【０００９】
【化２】
【００１０】
（式（１）及び式（２）中、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１以上の整数である。Ｒ１１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基又はオキシカルボニル型保護基のいずれかであり、Ｒ２１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかである。ｐ個のＲ３１は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。ｑ個のＲ３２は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。＊で示した炭素原子は不斉炭素原子を意味する。）
［２］前記Ｒ１１とＲ２１とがオルトゴナルな保護基であり、前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）と前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）とを縮合して得られる、下記式（３）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体（ＩＩＩ）のＲ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護する脱保護工程を更に有し、該Ｒ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護した縮合体を、前記縮合工程における前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）及び／又は前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）として用いる、前記［１］に記載の光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。
【００１１】
【化３】
【００１２】
（式（３）中、ｎは２以上の整数であり、ｐとｑの和である。ｎ個のＲ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。）
【００１３】
［３］下記式（４）で表される光学活性化合物。
【００１４】
【化４】
【００１５】
（式（４）中、ｎは２以上の整数である。Ｒ１は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基又はオキシカルボニル型保護基のいずれかであり、Ｒ２は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかであり、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は前記いずれかの保護基である。ｎ個のＲ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。）
［４］前記Ｒ３がフェニル基である前記［３］に記載の光学活性化合物。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の製造方法によれば、光学活性が高度に制御された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体が得られる。
また、本発明の光学活性化合物は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰り返し単位を有し、光学活性が高度に制御されている。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】合成例１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸（ｔＢｕ−ＭＤＡ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２】合成例２で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図３】合成例３で得られたＤ−マンデル酸ベンジル（ＭＤＡ−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図４】実施例１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図５】実施例１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図６】実施例２で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図７】実施例３で得られたＤ−マンデル酸２量体ベンジル（ＭＤＡ２−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図８】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）のＨＭＢＣスペクトルである。
【図９】図８のＨＭＢＣスペクトルにおけるＨ：４．８〜６．２ｐｐｍ、Ｃ：１６５〜１７５ｐｐｍの拡大図である。
【図１０】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）のＨＭＱＣスペクトルである。
【図１１】図１０のＨＭＱＣスペクトルにおけるＨ：４．８〜６．２ｐｐｍ、Ｃ：６５〜８０ｐｐｍの拡大図である。
【図１２】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１３】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１４】実施例４で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルである。
【図１５】実施例５で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ４）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１６】実施例６で得られたＤ−マンデル酸４量体ベンジル（ＭＤＡ４−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図１７】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）のＨＭＢＣスペクトルである。
【図１８】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）のＨＭＱＣスペクトルである。
【図１９】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２０】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２１】実施例７で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルである。
【図２２】合成例４で得られたＤ−マンデル酸フェナシル（ＭＤＡ−Ｐａｃ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２３】実施例８で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２４】実施例８で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃ）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルである。
【図２５】実施例９で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２６】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）のＨＭＢＣスペクトルである。
【図２７】図２６のＨＭＢＣスペクトルにおけるＨ：５．０〜６．６ｐｐｍ、Ｃ：１５０．０〜２００．０ｐｐｍの拡大図である。
【図２８】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）のＨＭＢＣスペクトルである。
【図２９】図２８のＨＭＢＣスペクトルにおけるＨ：５．０〜６．５ｐｐｍ、Ｃ：６５．０〜８０．０ｐｐｍの拡大図である。
【図３０】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【図３１】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。
【図３２】実施例１１で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルである。
【図３３】合成例５で得られたＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ニトロベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎ）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
［光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法］
本発明の光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体（以下、「本縮合体」という。）の製造方法は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のカルボキシ基が保護された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）（以下、「誘導体（Ｉ）」という。）と、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のヒドロキシ基が保護された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）（以下、「誘導体（ＩＩ）」という。）とを縮合する縮合工程を有する方法である。
【００１９】
誘導体（Ｉ）は、下記式（１）で表される、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸の誘導体である。誘導体（Ｉ）は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のカルボキシ基が保護基Ｒ２１により保護されている。
【００２０】
【化５】
【００２１】
式（１）中、＊で示した炭素原子は不斉炭素原子を意味する。
ｐは１以上の整数である。ｐは、目的の本縮合体の縮合度により適宜選定すればよく、縮合反応の効率の点から、１００００以下が好ましい。
【００２２】
Ｒ２１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかの保護基である。
アラルキルエーテル型保護基としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、１−フェニルブチル基、２−メチル−１−フェニルプロピル基、１−フェニルペンチル基、２−メチル−１−フェニルブチル基、３−メチル−１−フェニルブチル基、ジフェニルメチル基、１，１−ジフェニルエチル基、ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基が挙げられる。前記保護基は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトロ基、アシル基、ハロゲン原子が挙げられる。置換基を有する保護基の具体例としては、フェナシル基、ニトロベンジル基等が挙げられる。
アラルキルエーテル型保護基としては、前記したものの中でも、脱保護反応時の主鎖エステル結合の切断が抑制できる点から、フェナシル基、ニトロベンジル基が好ましい。
アルキルエーテル型保護基としては、例えば、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１−エトキシエチル基、３，４，５，６−テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−イル基、１−メトキシ−１−メチルエチル基、メトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基が挙げられる。前記保護基は置換基を有していてもよい。置換基としては、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子が挙げられる。
シリル型保護基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリブチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基が挙げられる。
【００２３】
Ｒ３１は、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。また、ｐ個のＲ３１は、全て同一であってもよく、２種以上であってもよいが、全て同一であることが好ましい。
Ｒ３１の具体例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基が挙げられる。
Ｒ３１の芳香族炭化水素基は、置換基及び／又はヘテロ原子を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子が挙げられる。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。
Ｒ３１は、原料入手の容易さと、得られた重合体の溶剤溶解性が良好な点から、フェニル基であることが好ましい。
【００２４】
誘導体（ＩＩ）は、下記式（２）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸の誘導体である。誘導体（ＩＩ）は、光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸のヒドロキシ基が保護基Ｒ１１により保護されている。
【００２５】
【化６】
【００２６】
式（２）中、＊で示した炭素原子は不斉炭素原子を意味する。
ｑは１以上の整数である。ｑは、目的の本縮合体の縮合度により適宜選定すればよく、縮合反応の効率の点から、１００００以下が好ましい。
【００２７】
Ｒ１１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基、又はオキシカルボニル型保護基のいずれかの保護基である。
アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基は、Ｒ２１で挙げたものと同じ保護基が挙げられる。
エステル型保護基としては、例えば、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、イソプロパノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、４−ニトロベンゾイル基、４−メトキシベンゾイル基、４−メチルベンゾイル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル基、４−フルオロベンゾイル基、４−クロロベンゾイル基、４−ブロモベンゾイル基、４−フェニルベンゾイル基、４−メトキシカルボニルベンゾイル基が挙げられる。
オキシカルボニル型保護基としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ベンジルオキシカルボニル基が挙げられる。
【００２８】
Ｒ３２は、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。また、ｑ個のＲ３２は、全て同一であってもよく、２種以上であってもよいが、全て同一であることが好ましい。
Ｒ３２の具体例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基が挙げられる。
Ｒ３２の芳香族炭化水素基は、置換基及び／又はヘテロ原子を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子が挙げられる。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。
Ｒ３２は、原料入手の容易さと、得られた重合体の溶剤溶解性が良好な点から、フェニル基であることが好ましい。
また、耐熱性、力学特性、配向特性、光学特性等に優れた本縮合体が得られやすい点から、全てのＲ３１及びＲ３２が同一の芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【００２９】
誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）の製造方法としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基を保護基で保護する際に通常使用される保護方法が使用できる。
また、縮合工程の原料となる誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）は、ナトリウム塩、カルシウム塩、アルミニウム塩、亜鉛塩等の金属塩、水和物、溶媒和物、結晶多形等の様々な形態で使用できる。
【００３０】
縮合工程では、前述した誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）を縮合する。該縮合は、縮合反応を促進する点から、溶媒中で行うことが好ましい。縮合反応に用いる溶媒は、水、メタノール等のアルコール類、Ｎ−メチルアミン等の１級アミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン等の２級アミン類、酢酸等のカルボン酸類、無水酢酸等のカルボン酸無水物、塩酸等の鉱酸類等の縮合反応に活性な溶媒を用いない限りは特に限定されない。縮合反応に用いる溶媒の具体例としては、例えば、酢酸エチル等のエステル類、アセトン等のケトン類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアミン、ピリジン等の３級アミン類、トルエン等の芳香族化合物類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類が挙げられる。
【００３１】
縮合反応における誘導体（Ｉ）の濃度は、縮合反応が充分に進行する濃度であればよく、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましい。誘導体（Ｉ）の濃度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であれば、縮合反応が進行しやすい。また、誘導体（Ｉ）の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌ以下であれば、安定して縮合反応を進行させやすい。
縮合反応における誘導体（ＩＩ）の濃度は、誘導体（Ｉ）と同じ濃度とすることが好ましい。
【００３２】
誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の縮合は、縮合反応の進行を促進させるために縮合剤を添加して行ってもよい。
縮合剤としては、反応系中で活性カルボン酸誘導体を生成するものであればよく、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド（以下、「ＤＣＣ」という。）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−エチル−３−（３’−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド（別名、水溶性カルボジイミドともいう。以下、「ＷＳＣＩ」という。）、ジフェニルリン酸アジド、ベンゾトリアゾール−１−イルオキシ−トリスジメチルアミノホスホニウム塩等のＢＯＰ試薬が挙げられる。
【００３３】
縮合剤の添加量は、縮合反応を促進できる量であればよく、誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の少ない方の仕込み量に対して、等モル量〜５倍モル量が好ましく、１．１〜３倍モル量がより好ましい。縮合剤の前記添加量が等モル量以上であれば、縮合反応を完結させやすい。また、縮合剤の前記添加量が５倍モル量以下であれば、精製工程が簡素化できる。
【００３４】
また、誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の縮合は、縮合反応の進行をさらに促進させるために、縮合剤とともに触媒を添加して行ってもよい。
触媒としては、縮合反応を促進できるものであればよく、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（以下、「ＤＭＡＰ」という。）が挙げられる。
【００３５】
触媒の添加量は、縮合反応を促進できる量であればよく、誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の少ない方の仕込み量に対して、０．０１〜０．７倍モル量が好ましく、０．０５〜０．５倍モル量がより好ましい。触媒の前記添加量が０．０１倍モル量以上であれば、縮合反応が完結しやすい。また、触媒の前記添加量が０．７倍モル量以下であれば、精製工程が簡素化できる。
【００３６】
誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の縮合反応における反応容器内の雰囲気は、縮合反応に不活性な雰囲気であればよく、窒素又はアルゴンの雰囲気が好ましい。
また、縮合反応における反応温度は、−１００〜１００℃が好ましく、０〜８０℃がより好ましい。反応温度が−１００℃以上であれば、縮合反応が進行しやすい。また、反応温度が１００℃以下であれば、得られる本縮合体の熱劣化を抑制しやすい。また、前記縮合剤を用いる場合、縮合剤を添加すると激しく発熱することから、反応開始時には冷媒等で反応容器を冷却しておいてもよい。
誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）の縮合反応における反応時間は、１０分〜５０時間が好ましく、２〜３０時間がより好ましい。反応時間が１０分以上であれば、縮合反応が充分に進行しやすい。また、反応時間が５０時間以下であれば、生産性が向上する。
【００３７】
本発明の製造方法では、以上のように誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）を縮合することにより、ヒドロキシ基及びカルボキシ基の両方が保護基で保護された本縮合体が得られる。
また、本発明の製造方法では、誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）におけるＲ１１とＲ２１がオルトゴナルな保護基であることが好ましい。これにより、誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）を縮合して得られる、下記式（３）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体（ＩＩＩ）（以下、「縮合体（ＩＩＩ）」という。）におけるＲ１１又はＲ２１のいずれか一方のみを脱保護する脱保護工程を行うことが可能となる。該脱保護工程によりＲ１１又はＲ２１のいずれか一方のみが脱保護された縮合体は、前述した誘導体（Ｉ）及び／又は誘導体（ＩＩ）として再度縮合工程に用いることができる。
【００３８】
【化７】
【００３９】
縮合体（ＩＩＩ）におけるｎは、２以上の整数であり、ｐとｑの和である。
Ｒ３は、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基であり、縮合する誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）のＲ３１、Ｒ３２によって決まる。ｎ個のＲ３は、全て同一あってもよく、２種以上であってもよいが、全て同一であることが好ましい。すなわち、誘導体（Ｉ）のＲ３１と誘導体（ＩＩ）のＲ３２が全て同じ芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【００４０】
Ｒ１１とＲ２１がオルトゴナルな保護基となる組み合わせとしては、特定の反応条件で一方の保護基のみが脱保護される組み合わせであればよく、例えば、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がベンジル基の組み合わせ、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がトリエチルシリル基の組み合わせ、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がアリル基の組み合わせ、Ｒ１１がメトキシメチル基、Ｒ２１がトリエチルシリル基の組み合わせ、Ｒ１１がトリエチルシリル基、Ｒ２１がｔｅｒｔ−ブチル基の組み合わせ、Ｒ１１がアリル基、Ｒ２１がｔｅｒｔ−ブチル基の組み合わせ、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がフェナシル基の組み合わせ、Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がニトロベンジル基の組み合わせが挙げられる。
【００４１】
脱保護工程を行ったものを再度縮合工程に用いる場合の具体例としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。
下記式に示すように、Ｄ−マンデル酸のカルボキシ基をＲ２１で保護した誘導体（Ｉ−Ａ）（ｐ＝１、Ｒ３がフェニル基の誘導体（Ｉ））と、Ｄ−マンデル酸のヒドロキシ基を前記Ｒ２１とはオルトゴナルな関係のＲ１１で保護した誘導体（ＩＩ−Ａ）（ｑ＝１、Ｒ３がフェニル基の誘導体（ＩＩ））とを縮合することにより、縮合度２で直鎖状のＤ−マンデル酸の縮合体（ＩＩＩ−Ａ）（ｎ＝２、Ｒ３がフェニル基の縮合体（ＩＩＩ））が得られる。
【００４２】
【化８】
【００４３】
そして、得られた縮合体（ＩＩＩ−Ａ）におけるＲ２１及びＲ１１の一方をそれぞれ脱保護することにより、下記式で表される誘導体（Ｉ−Ｂ）（ｐ＝２、Ｒ３がフェニル基の誘導体（Ｉ））及び誘導体（ＩＩ−Ｂ）（ｑ＝２、Ｒ３がフェニル基の誘導体（ＩＩ））が得られる。これら誘導体（Ｉ−Ｂ）及び誘導体（ＩＩ−Ｂ）は、さらに縮合工程にて縮合することにより、縮合度４で直鎖状のＤ−マンデル酸の縮合体（ＩＩＩ−Ｂ）（ｎ＝４、Ｒ３がフェニル基の縮合体（ＩＩＩ））が得られる。
また、縮合体（ＩＩＩ−Ｂ）を脱保護した縮合体は、さらに縮合工程における誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）として用いることができる。つまり、前記と同様に脱保護工程及び縮合工程を行うことでｎ＝８のＤ−マンデル酸の縮合体を得ることができる。このように、オルトゴナルな保護基Ｒ１１及びＲ２１を用いて縮合工程と脱保護工程繰り返すことにより、高分子量の本縮合体を高い効率で製造できる。
【００４４】
【化９】
【００４５】
また、脱保護工程後の縮合体は、誘導体（Ｉ）又は誘導体（ＩＩ）のいずれか一方のみとして用いてもよい。例えば、前記誘導体（Ｉ−Ｂ）と前記誘導体（ＩＩ−Ａ）とを縮合してｎ＝３のＤ−マンデル酸の縮合体を得る方法としてもよい。
【００４６】
縮合体（ＩＩＩ）の脱保護は、脱保護反応の進行を促進する点から、溶媒中で行うことが好ましい。
脱保護に用いる溶媒としては、脱保護反応に不活性な溶媒であればよく、例えば、水、メタノール等のアルコール類、Ｎ−メチルアミン等の１級アミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン等の２級アミン類、酢酸等のカルボン酸類、無水酢酸等のカルボン酸無水物、塩酸等の鉱酸類、酢酸エチル等のエステル類、アセトン等のケトン類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアミン、ピリジン等の３級アミン類、トルエン等の芳香族化合物類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類が挙げられる。
【００４７】
また、縮合体（ＩＩＩ）の脱保護は脱保護剤を用いて行う。
脱保護剤としては、ヒドロキシ基又はカルボキシル基のいずれか一方の保護基、すなわちＲ１１又はＲ２１を選択的に脱保護できるものであればよく、例えば、トリフルオロ酢酸（以下、「ＴＦＡ」という。）、酢酸等の有機酸；前記有機酸の亜鉛、マグネシウム等の金属塩；塩酸等の鉱酸；水酸化ナトリウム、テトラブチルアンモニウムフッ化物（以下、「ＴＢＡＦ」という。）等のアルカリ；パラジウム−炭素と水素の混合物；テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム；リンドラー触媒が挙げられる。
【００４８】
例えば、ヒドロキシ基の保護基Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、カルボキシル基の保護基Ｒ２１がベンジル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にパラジウム−炭素と水素の混合物、またはリンドラー触媒の組み合わせが使用できる。Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がトリエチルシリル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＢＡＦの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がアリル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がメトキシメチル基、Ｒ２１がトリエチルシリル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＢＡＦの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がトリエチルシリル基、Ｒ２１がｔｅｒｔ−ブチル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＢＡＦ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＦＡの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がアリル基、Ｒ２１がｔｅｒｔ−ブチル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、Ｒ２１の脱保護反応にＴＦＡの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がフェナシル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＢＡＦの組み合わせが使用できる。Ｒ１１がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２１がニトロベンジル基であれば、Ｒ１１の脱保護反応にＴＦＡ、Ｒ２１の脱保護反応にＴＢＡＦ、酢酸亜鉛、あるいは酢酸マグネシウムの組み合わせが使用できる。
前記脱保護剤は、反応溶媒として兼用してもよく、前記溶媒と組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
脱保護剤の添加量は、脱保護反応が充分に進行できる量であればよく、縮合体（ＩＩＩ）の全質量に対して、０．０１〜３０倍モル量が好ましく、０．０５〜２０倍モル量がより好ましい。脱保護剤の前記添加量が０．０１倍モル量以上であれば、脱保護反応を完結させやすい。また、脱保護剤の前記添加量が３０倍モル量以下であれば、精製工程が簡素化できる。
【００５０】
脱保護反応における縮合体（ＩＩＩ）の濃度は、脱保護反応が充分に進行する濃度であればよく、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましい。縮合体（ＩＩＩ）の濃度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であれば、本縮合体の生産性が向上する。また、縮合体（ＩＩＩ）の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌ以下であれば、脱保護反応が進行しやすい。
【００５１】
縮合体（ＩＩＩ）の脱保護反応における反応容器内の雰囲気は、脱保護反応に不活性な雰囲気であればよく、窒素又はアルゴンの雰囲気とすることが好ましい。また、脱保護反応に必要な元素を供給するためには水素を用いる必要があるため、窒素やアルゴンを用いずに水素雰囲気とすることも好ましい。
縮合体（ＩＩＩ）の脱保護反応における反応温度は、−１００〜１００℃が好ましく、０〜８０℃がより好ましい。反応温度が−１００℃以上であれば、脱保護反応が進行しやすい。また、反応温度が１００℃以下であれば、得られる本縮合体の熱劣化を抑制しやすい。
縮合体（ＩＩＩ）の脱保護反応における反応時間は、１０分〜５０時間が好ましく、２〜３０時間がより好ましい。反応時間が１０分以上であれば、縮合反応が充分に進行しやすい。また、反応時間が５０時間以下であれば、生産性が向上する。
【００５２】
また、縮合工程や脱保護工程の後には、精製工程を行うことが好ましい。精製工程を行うことにより、縮合工程及び脱保護工程を繰り返し行う際、各工程の反応効率が向上する。精製方法は、縮合工程、脱保護工程の各工程における目的生成物を精製できる方法であれば特に限定されず、例えば、再結晶法が挙げられる。
【００５３】
本発明の製造方法は、少ない工程数で光学活性が高度に制御された高分子量の本縮合体が得られる点から、前述のようにオルトゴナルな保護基を用いて縮合工程と脱保護工程を繰り返して、ｎが２、４、８、１６等と順次構成単位が長くなるように縮合体（ＩＩＩ）を製造していく方法（以下、「方法（Ｘ）」という。）が好ましい。
方法（Ｘ）は、前記誘導体（Ｉ−Ｂ）と前記誘導体（ＩＩ−Ａ）を縮合して縮合度が３（ｎ＝３）の縮合体（ＩＩＩ）とし、その縮合体（ＩＩＩ）を基にｎが６、１２、２４等のように順次構成単位が長くなるように縮合体（ＩＩＩ）を製造する方法であってもよい。
ただし、本発明の製造方法は方法（Ｘ）には限定されず、例えば、誘導体（ＩＩ−Ａ）に対して、誘導体（Ｉ−Ａ）を加えて縮合した後、Ｒ２１を脱保護することを繰り返して、誘導体（Ｉ−Ａ）を１つずつ縮合していく方法であってもよい。
【００５４】
従来のマンデル酸の重縮合方法では、Ｄ−マンデル酸やＬ−マンデル酸を重縮合しようとしても、縮合度が２の環状化合物であるマンデライドが生成してしまうために高分子量の縮合体を得ることができなかった。また、非特許文献２に記載のようにマンデライドの開環重縮合によれば高分子量の縮合体を得ることは可能であるが、立体反転によりラセミ化してしまうため光学活性を高度に制御した縮合体を得ることはできなかった。
【００５５】
これに対し、本発明の製造方法では、誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）をそれらの光学活性を維持したまま縮合できるため、光学活性が高度に制御された、光学的に純粋な本縮合体が得られる。
例えば、Ｄ−マンデル酸のカルボキシ基を保護した誘導体（Ｉ）と、Ｄ−マンデル酸のヒドロキシ基を保護した誘導体（ＩＩ）を用い、方法（Ｘ）により縮合工程と脱保護工程を繰り返していくことにより、Ｄ−マンデル酸の光学活性が全ての構成単位において維持された、鏡像体過剰率が１００％ｅｅの高分子量の縮合体（ＩＩＩ）を得ることができる。
また、Ｄ−マンデル酸及びＬ−マンデル酸のカルボキシ基又はヒドロキシ基を保護した誘導体（Ｉ）、誘導体（ＩＩ）を適宜用いることで、Ｄ−マンデル酸とＬ−マンデル酸とが所望の順に縮合した縮合体（ＩＩＩ）を得ることもできる。
【００５６】
［光学活性化合物］
本発明の光学活性化合物（以下、「本化合物」という。）は、下記式（４）で表される化合物である。
【００５７】
【化１０】
【００５８】
式（４）中のｎは２以上の整数である。ｎは特に制限されないが、本化合物が効率良く得られる点から１００００以下が好ましい。
Ｒ１は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基、又はオキシカルボニル型保護基のいずれかである。
Ｒ２は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、又はシリル型保護基のいずれかである。
Ｒ１とＲ２は、少なくとも一方が前記いずれかの保護基である。Ｒ１とＲ２における前記各保護基は、前述のＲ１１とＲ２１で挙げたものと同じ保護基が挙げられる。Ｒ１とＲ２の両方が水素原子でない場合、化学的に安定である点から、Ｒ１とＲ２はオルトゴナルな保護基であることが好ましい。オルトゴナルな保護基の組み合わせは、Ｒ１１とＲ２１の場合と同様である。
【００５９】
Ｒ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。ｎ個のＲ３は、全て同一あってもよく、２種以上であってもよいが、全て同一であることが好ましい。
Ｒ３は、フェニル基が特に好ましい。すなわち、下記式（５）で表される本縮合体であることが好ましい。
【００６０】
【化１１】
【００６１】
本化合物の鏡像体過剰率は、耐熱性、力学特性、配向特性、光学特性等に優れる点から、７０〜１００％ｅｅであることが好ましく、８０〜１００％ｅｅがより好ましく、９０〜１００％ｅｅがさらに好ましい。
【００６２】
また、本化合物の形態は特に限定されず、例えば、ナトリウム塩、カルシウム塩、アルミニウム塩、亜鉛塩等の金属塩、水和物、溶媒和物、結晶多形等の様々な形態とすることができる。
【００６３】
本化合物の製造方法としては、前述の製造方法を用いることが好ましい。前述の製造方法を用いることにより、光学活性が高度に制御された本化合物を得ることができる。すなわち、本化合物は、前述の製造方法により誘導体（Ｉ）と誘導体（ＩＩ）を縮合して得られるヒドロキシ基及びカルボキシ基の両方が保護された縮合体、又はオルトゴナルな保護基Ｒ１１、Ｒ２１で保護された縮合体（ＩＩＩ）のＲ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護した縮合体からなる群から選ばれる化合物であることが好ましい。この場合、本化合物は、Ｒ１が水素原子又はＲ１１であり、Ｒ２が水素原子又はＲ２１であり、Ｒ１とＲ２のいずれか一方が保護基である。
前記式（５）で表わされる本化合物の製造方法としては、Ｄ−マンデル酸、Ｌ−マンデル酸のヒドロキシ基又はカルボキシ基を保護した誘導体（Ｉ−Ａ）及び誘導体（ＩＩ−Ａ）を縮合する方法、又は該方法により得られた縮合体（ＩＩＩ−Ａ）におけるＲ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護する方法が好ましい。
【実施例】
【００６４】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。
［ＮＭＲ分析］
本実施例で得られた縮合体及び誘導体の化学構造は、１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ（日本電子株式会社製、ＪＮＭ−ＥＣＸ４００）により確認した。測定条件は、測定溶媒を重水素化クロロホルム、試料濃度２質量／容量％、測定温度を室温とした。積算回数は、観測核が１Ｈのときは１６回、観測核が１３Ｃのときは５０００回とした。
【００６５】
［質量分析］
縮合体の質量は、窒素レーザーを備えたマトリックス支援レーザー脱離イオン化時間飛行型質量分析計（以下、「ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ」という。）（株式会社島津製作所製、ＡＸＩＭＡ−ＣＦＲｐｌｕｓ）により確認した。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ測定試料は、以下の手順で準備した。
まず、カチオン化剤としてヨウ化ナトリウム１ｍｇを１ｍＬのテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」という。）に溶解した溶液を調製し、該溶液を試料プレートに１μＬ滴下し、自然乾燥させた。次に、実施例で合成した縮合体１ｍｇを１ｍＬの塩化メチレンに溶解した溶液を、前記試料プレートのヨウ化ナトリウムが析出した部分に１μＬ滴下し、自然乾燥させた。そして、マトリクス剤としてトランス−２−［３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−２−メチル−２−プロペニルインデン］マロノニトリル１０ｍｇを１ｍＬのＴＨＦに溶解した溶液を、前記試料プレートのヨウ化ナトリウムと化合物が析出した部分に１μＬ滴下し、自然乾燥させた。
また、質量のキャリブレーションは、Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ−１００（商品名、和光純薬工業株式会社製）を用いて外部標準法で行った。キャリブレーションに用いたＴｒｉｔｏｎ Ｘ−１００の質量は、１０量体の６６９．４１７２、１１量体の７１３．４４３３、１２量体の７５７．４６９４（いずれも、ナトリウムイオン付加体。）であった。
【００６６】
［比旋光度］
縮合体及び誘導体の比旋光度は、クロロホルム１０ｍＬに試料０．１ｇを溶解させた溶液について、旋光計（日本分光株式会社製、ＤＩＰ−３６０）を用いて室温にて測定した。
【００６７】
［融点］
縮合体及び誘導体の融点は、微量融点測定装置（ヤナコ株式会社製、ＭＰ−Ｓ２）を用いて測定した。
【００６８】
［合成例１］Ｄ−マンデル酸ベンジル（ＭＤＡ−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた５００ｍＬのナスフラスコに、下記式（６）で表されるＤ−マンデル酸３０．４ｇ（２００ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１５．２ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍＬ、及び臭化ベンジル３４．２ｇ（２００ｍｍｏｌ）を加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２時間攪拌し、カルボキシ基の保護反応を行った。反応終了後、反応液を分液漏斗に移した。また、反応液が入っていたフラスコを酢酸エチル２００ｍＬで洗浄し、該洗浄液も分液漏斗に移した。分液漏斗に移した溶液を、蒸留水３００ｍＬで３回洗浄した。
洗浄後の有機相を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（７）で表される白色固体のＤ−マンデル酸ベンジルの粗体（粗ＭＤＡ−Ｂｎ）を４２．２ｇ（収率８７％）得た。
【００６９】
【化１２】
【００７０】
粗ＭＤＡ−Ｂｎの入った５００ｍＬナスフラスコに、室温にて粗ＭＤＡ−Ｂｎが完全に溶解するまで酢酸エチルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙を用いてろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のＤ−マンデル酸ベンジル（ＭＤＡ−Ｂｎ、誘導体（Ｉ））を３５．４ｇ（収率７３％）得た。
得られたＭＤＡ−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲにより確認した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１に示す。また、ＭＤＡ−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−５６°であり、融点は１０６．０〜１０６．５℃であった。
【００７１】
［合成例２］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた５００ｍＬのナスフラスコに、合成例１と同様の方法で得られた前記式（７）で表されるＭＤＡ−Ｂｎを４８．５ｇ（２００ｍｍｏｌ）、塩化メチレンを３００ｍＬ加え、内容物を溶解した後、ドライアイス／メタノール浴にて、溶液を−７８℃に冷却した。
一方、ドライアイス／メタノール浴にてあらかじめ冷却したデュワー冷却器付きの密閉した２００ｍＬナスフラスコに、ボンベ充填されたイソブテン（沸点−６．９℃）を導入し、液化したイソブテン１００ｍＬを捕集した。
前述の−７８℃に冷却したＭＤＡ−Ｂｎ／塩化メチレン溶液の入ったフラスコに液化イソブテン１００ｍＬを移した後、濃硫酸９．２ｇを加えた。このフラスコに三方コックを取り付けて密封した状態で、−７８℃にてスターラーで３時間攪拌し、さらに、氷水浴（０℃）にて２１時間攪拌し、ヒドロキシ基の保護反応を行った。
反応終了後、反応液を分液漏斗に移した。また、反応液の入っていたフラスコを塩化メチレン２００ｍＬで洗浄し、その洗浄液も分液漏斗に移した。分液漏斗に移した溶液を、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで１回、蒸留水３００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（８）で表されるクリーム色の液体のＤ−マンデル酸ｔ−ブチルエーテル−ベンジルエステル（ｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎ）を５６．７ｇ（収率９５％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２に示す。
【００７２】
【化１３】
【００７３】
［合成例３］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸（ｔＢｕ−ＭＤＡ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた５００ｍＬのナスフラスコに、合成例２で得られた前記式（８）のｔＢｕ−ＭＤＡ−Ｂｎを５６．７ｇ（１９０ｍｍｏｌ）、約５５％の水で湿潤されたパラジウム／炭素混合物（パラジウム含有量５質量％）を５．０ｇ加え、三方コックを取り付けた。次いで、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。その後、さらにフラスコ内を真空ポンプで減圧した後、水素ガスを導入して常圧に戻す水素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を水素雰囲気で保持したまま、安定剤無添加のＴＨＦ２００ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２４時間攪拌し、脱保護反応を行った。
パラジウムに吸着した水素を脱離させるため、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻した。フラスコ内の反応液を３０分間スターラーで攪拌した後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を安定剤無添加のＴＨＦ１００ｍＬで洗浄した。
ろ液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、式（９）で表される淡黄色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸（ｔＢｕ−ＭＤＡ、誘導体（ＩＩ））を３９．２ｇ（収率９９％）得た。
得られたＭＤＡ−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ＭＤＡ−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３に示す。また、ＭＤＡ−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−１１２°であり、融点は８７．５〜８８．５℃であった。
【００７４】
【化１４】
【００７５】
［実施例１］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、合成例１で得られた前記式（７）のＭＤＡ−Ｂｎを２．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、合成例３で得られた前記式（９）のｔＢｕ−ＭＤＡを２．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、縮合剤としてＤＣＣを２．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）、触媒としてＤＭＡＰを０．２４ｇ（２ｍｍｏｌ）加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、脱水塩化メチレン２０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２４時間攪拌し、縮合反応を行った。
【００７６】
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン８０ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１０）で表される無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）を３．７ｇ（収率９８％）得た。
５００ｍＬナスフラスコに粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎを全量移し、メタノール１０ｍＬを加え、粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎが完全に溶解するまでジエチルエーテルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶で精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙でろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎ）を２．８ｇ（収率７５％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ及び１３Ｃ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図４、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図５に示す。また、ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−５７°であり、融点は９２．０〜９３．０℃であった。
【００７７】
【化１５】
【００７８】
［実施例２］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例１で得られた前記式（１０）のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎを５．２ｇ（１２ｍｍｏｌ）、約５５％の水で湿潤されたパラジウム／炭素混合物（パラジウム含有量５質量％）を０．５ｇ加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。さらに、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、水素ガスを導入して常圧に戻す水素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を水素雰囲気で保持したまま、安定剤無添加のＴＨＦ２０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで１時間攪拌し、脱保護反応を行った。
【００７９】
反応液を薄層クロマトグラフィーで展開して原料スポットの消失を確認した後に、パラジウムに吸着した水素を脱離させるためにフラスコ内を真空ポンプで減圧し、その後乾燥窒素を導入して常圧に戻した。なお、展開液はｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１／４（容量比）を用いた。下記式（１０）で表される原料のＲｆ値は０．３４、下記式（１１）で表される生成物のＲｆ値は０．１１であった。
フラスコ内の反応液を３０分間スターラーで攪拌した後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を安定剤無添加のＴＨＦ８０ｍＬで洗浄した。
ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１１）で表される無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体の粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２）を４．１ｇ（収率９９％）得た。
５００ｍＬナスフラスコに粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２を全量移し、ｎ−ヘキサン１０ｍＬを加え、粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２が完全に溶解するまでジエチルエーテルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙でろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した針状で無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）を３．３ｇ（収率８０％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ２の化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図６に示す。また、ｔＢｕ−ＭＤＡ２の比旋光度［α］Ｄは−９４°であり、融点は１４５．５〜１４６．５℃であった。
【００８０】
【化１６】
【００８１】
［実施例３］Ｄ−マンデル酸２量体ベンジル（ＭＤＡ２−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例１で得られた前記式（１０）のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎを６．５ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ＴＦＡを６２ｍＬ加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで３時間攪拌し、脱保護反応を行った。
フラスコ内の反応液をエバポレーターで濃縮した後、ジエチルエーテルを２０ｍＬ加え、残留物を溶解した後、分液漏斗に移した。また、フラスコを８０ｍＬのジエチルエーテルで洗浄し、前記分液漏斗に移した。分液漏斗内の溶液を、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで３回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１２）で表される無色〜白色固体のＤ−マンデル酸２量体ベンジルの粗体（粗ＭＤＡ２−Ｂｎ）を５．５ｇ（収率９８％）得た。
５００ｍＬナスフラスコに粗ＭＤＡ２−Ｂｎを全量移し、ｎ−ヘキサン１０ｍＬを加え、粗ＭＤＡ２−Ｂｎが完全に溶解するまでジエチルエーテルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙でろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した無色〜白色固体のＤ−マンデル酸２量体ベンジル（ＭＤＡ２−Ｂｎ）を４．６ｇ（収率８２％）得た。
得られたＭＤＡ２−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ＭＤＡ２−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図７に示す。また、ＭＤＡ２−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−７９°であり、融点は８２．５〜８３．０℃であった。
【００８２】
【化１７】
【００８３】
［実施例４］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例２で得られた前記式（１１）のｔＢｕ−ＭＤＡ２を０．５８ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、実施例３で得られた前記式（１２）のＭＤＡ２−Ｂｎを０．６４ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、縮合剤としてＷＳＣＩを０．３１ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、触媒としてＤＭＡＰを０．０５ｇ（０．４ｍｍｏｌ）加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、脱水塩化メチレン１０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２４時間攪拌し、縮合反応を行った。
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン１４０ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１５０ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１３）で表される薄い黄褐色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ）を２．３ｇ（収率９５％）得た。
５００ｍＬナスフラスコに粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎを全量移し、メタノール１０ｍＬを加え、粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎが完全に溶解するまでジエチルエーテルを加えた後、−３０℃の冷暗所に２４時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙でろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎ、本縮合体）を２．１ｇ（収率８７％）得た。
【００８４】
【化１８】
【００８５】
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ４−ＢｎのＨＭＢＣスペクトルを図８及び図９、ＨＭＱＣスペクトルを図１０及び図１１、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１２、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図１３、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルを図１４に示す。
ＨＭＢＣスペクトルにてプロトンのアサインを行った後、ＨＭＱＣスペクトルにてカーボンのアサインを行なった。図９に示すように、得られたｔＢｕ−ＭＤＡ４−ＢｎではＨＭＢＣスペクトルにおいて領域αに相関ピークが見られない。これは、得られたｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎにおいて、Ｄ−マンデル酸の光学活性を維持したまま縮合して分子鎖が伸張し、結合角が固定されているためである。ラセミ体のｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎであれば領域αに相関ピークが見られるはずであり、この結果からＤ−マンデル酸の光学活性を維持したｎ＝４の縮合体（４量体）が得られたことが確認できた。
また、ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎの比旋光度［α］Ｄは−８４°であり、融点は１０９．０〜１１０．０℃であった。
【００８６】
［実施例５］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ４）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例４で得られた前記式（１３）のｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎを１．００ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、リンドラー触媒を０．１ｇ加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。さらに、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、水素ガスを導入して常圧に戻す水素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を水素雰囲気で保持したまま、安定剤無添加のＴＨＦ２０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２時間攪拌し、脱保護反応を行った。
【００８７】
反応液を薄層クロマトグラフィーで展開して原料スポットの消失を確認した後に、リンドラー触媒に吸着した水素を脱離させるためにフラスコ内を真空ポンプで減圧し、その後に乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。なお、展開液はｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１／４（容量比）を用いた。下記式（１３）で表される原料のＲｆ値は０．２７８、下記式（１４）で表される生成物のＲｆ値は０．００であった。
フラスコ内の反応液を３０分間スターラーで攪拌した後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を安定剤無添加のＴＨＦ８０ｍＬで洗浄した。
ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１４）で表される無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体の粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４）を０．９０ｇ（収率９９％）得た。
得られた粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４の化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ４の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１５に示す。
【００８８】
【化１９】
【００８９】
［実施例６］Ｄ−マンデル酸４量体ベンジル（ＭＤＡ４−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例４で得られた前記式（１３）のｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｂｎを１．００ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、ＴＦＡを５ｍＬ加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで３時間攪拌し、脱保護反応を行った。
フラスコ内の反応液をエバポレーターで濃縮した後、塩化メチレンを２０ｍＬ加え、残留物を溶解した後、分液漏斗に移した。また、フラスコを６０ｍＬの塩化メチレンで洗浄し、前記分液漏斗に移した。分液漏斗内の溶液を、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで３回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１５）で表される無色〜白色固体のＤ−マンデル酸４量体ベンジルの粗体（粗ＭＤＡ４−Ｂｎ）を０．８８ｇ（収率９６％）得た。
得られた粗ＭＤＡ４−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ＭＤＡ４−Ｂｎの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１６に示す。
【００９０】
【化２０】
【００９１】
［実施例７］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例５で得られた前記式（１４）の粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４を０．８８ｇ、実施例６で得られた前記式（１５）の粗ＭＤＡ４−Ｂｎを０．９５ｇ、縮合剤としてＥＤＣを０．３３ｇ（１．７３ｍｍｏｌ）、触媒としてＤＭＡＰを０．０３５ｇ（０．２８８ｍｍｏｌ）加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、フラスコを０℃の氷浴へ浸漬した。その後、脱水塩化メチレン１０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解し、０℃にてスターラーで２時間攪拌した。その後、フラスコを室温へ移し、さらに２２時間撹拌し、縮合反応を行った。
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン８０ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１６）で表される薄い黄褐色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸８量体ベンジルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎ）を１．６７ｇ（収率９４％）得た。
【００９２】
【化２１】
【００９３】
得られた粗ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ８−ＢｎのＨＭＢＣスペクトルを図１７、ＨＭＱＣスペクトルを図１８、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１９、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図２０、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルを図２１に示す。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルにて、質量／電荷比（ｍ／ｚ）＝１２５９．５４の信号が最も強く観測された。このｍ／ｚは、ｔＢｕ−ＭＤＡ８−Ｂｎのナトリウムイオン付加体のモノアイソトープ質量（１２５９．４０Ｄａ）と誤差範囲で一致した。
また、実施例４と同様に、ＨＭＢＣスペクトル及びＨＭＱＣスペクトルから、Ｄ−マンデル酸の光学活性を維持したｎ＝８の縮合体（８量体）が得られたことが確認できた。
【００９４】
［合成例４］Ｄ−マンデル酸フェナシル（ＭＤＡ−Ｐａｃ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた３００ｍＬのナスフラスコに、下記式（６）で表されるＤ−マンデル酸１６．７４ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム８．３６ｇ（６０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５５ｍＬ、及び２−ブロモアセトフェノン２１．８９ｇ（１１０ｍｍｏｌ）を加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２時間攪拌し、カルボキシ基の保護反応を行った。なお、前記保護反応は、暗所にて行った。反応終了後、反応液を分液漏斗に移した。また、反応液が入っていたフラスコを酢酸エチル２００ｍＬで洗浄し、該洗浄液も分液漏斗に移した。分液漏斗に移した溶液を、蒸留水３００ｍＬで３回洗浄した。
洗浄後の有機相を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１７）で表される白色固体のＤ−マンデル酸フェナシルの粗体（粗ＭＤＡ−Ｐａｃ）を２５．７５ｇ（収率９９％）得た。
【００９５】
【化２２】
【００９６】
粗ＭＤＡ−Ｐａｃの入った５００ｍＬナスフラスコに、４０℃にて粗ＭＤＡ−Ｐａｃが完全に溶解するまで酢酸エチルを加えた後、５℃の冷暗所に４８時間保持し、再結晶により精製した。
得られた結晶を５Ｃろ紙を用いてろ別し、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のＤ−マンデル酸フェナシル（ＭＤＡ−Ｐａｃ、誘導体（Ｉ））を２５．８ｇ（収率８７％）得た。
得られたＭＤＡ−Ｐａｃの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲにより確認した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２２に示す。また、ＭＤＡ−Ｐａｃの比旋光度［α］Ｄは１１０°であり、融点は９７．０〜９９．０℃であった。
【００９７】
［実施例８］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃ）の合成
まず、縮合剤である３１．６ｇ（１５３ｍｍｏｌ）のＤＣＣと、触媒である３．７ｇ（３０．６ｍｍｏｌ）のＤＭＡＰを、脱水塩化メチレン１００ｍＬに溶解し、この溶液を２００ｍＬの滴下漏斗へ移した。
あらかじめ攪拌子を入れ、前記滴下漏斗を接続した１０００ｍＬの三ツ口フラスコに、合成例４で得られた前記式（１７）のＭＤＡ−Ｐａｃを３３．１ｇ（１２２．５ｍｍｏｌ）、合成例３で得られた前記式（９）のｔＢｕ−ＭＤＡを２７．５ｇ（１２２．５ｍｍｏｌ）加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、脱水塩化メチレン３００ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した。
三ツ口フラスコを０℃の氷浴へ浸漬した後、滴下漏斗内の溶液を、三ツ口フラスコへ１時間かけて滴下し、さらに０℃、２時間スターラーで攪拌した後、三ツ口フラスコを室温へ移し、さらに２２時間撹拌し、縮合反応を行った。
【００９８】
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン１５０ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液２００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液２００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム２０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を１０００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１８）で表される無色〜白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体フェナシルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃ）を７０．６ｇ（収率１２５％）得た。
７０．６ｇの粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃを、展開溶媒を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝２／３（容積比）としたカラムクロマトグラフィーを用いて精製した。
得られた溶液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｂｎを５６．６ｇ（収率９４％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２３、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルを図２４に示す。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルにて、質量／電荷比（ｍ／ｚ）＝４８３．１５の信号が最も強く観測された。このｍ／ｚは、ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃのナトリウムイオン付加体のモノアイソトープ質量（４８３．１９Ｄａ）と誤差範囲内で一致した。
また、ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃの比旋光度［α］Ｄは５８．９°であり、融点は１００．０〜１０１．０℃であった。
【００９９】
【化２３】
【０１００】
［実施例９］ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃのフェナシル基脱保護によるＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体（ｔＢｕ−ＭＤＡ２）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例８で得られた前記式（１８）のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃを０．１０ｇ（０．２１７ｍｍｏｌ）、１ｍｏｌ／Ｌのテトラブチルアンモニウムフルオリド／ＴＨＦ溶液を１．００ｍＬ、蒸留水を０．０６ｇ、ＴＨＦを２ｍＬ加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで３０分間攪拌し、脱保護反応を行った。
【０１０１】
フラスコ内の反応液をエバポレーターで濃縮した後、塩化メチレンを２０ｍＬ加え、残留物を溶解した後、分液漏斗に移した。また、フラスコを６０ｍＬの塩化メチレンで洗浄し、前記分液漏斗に移した。分液漏斗内の溶液を、水酸化ナトリウム飽和水溶液１００ｍＬで３回、クエン酸飽和水溶液１００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１１）で表される薄い黄色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体の粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２）を得た。
得られた粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２の化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図２５に示す。
【０１０２】
【化２４】
【０１０３】
［実施例１０］Ｄ−マンデル酸２量体フェナシル（ＭＤＡ２−Ｐａｃ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた３００ｍＬのナスフラスコに、実施例８で得られた前記式（１８）のｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃを２１．９ｇ（４７．６ｍｍｏｌ）、ＴＦＡを４８ｍＬ加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで３時間攪拌し、脱保護反応を行った。
フラスコ内の反応液をエバポレーターで濃縮した後、塩化メチレンを５０ｍＬ加え、残留物を溶解した後、分液漏斗に移した。また、フラスコを１００ｍＬの塩化メチレンで洗浄し、前記分液漏斗に移した。分液漏斗内の溶液を、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液２００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液２００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム２０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（１９）で表される淡黄色固体のＤ−マンデル酸２量体フェナシルの粗体（粗ＭＤＡ２−Ｐａｃ）を１９．５ｇ（収率９８％）得た。
【０１０４】
【化２５】
【０１０５】
［実施例１１］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシル（ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）の合成
まず、縮合剤である１２．８ｇ（６０ｍｍｏｌ）のＤＣＣと、触媒である１．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）のＤＭＡＰを、脱水塩化メチレン１００ｍＬに溶解し、この溶液を２００ｍＬの滴下漏斗へ移した。
あらかじめ攪拌子を入れた１０００ｍＬの三ツ口フラスコに、実施例９で得られた前記式（１１）のｔＢｕ−ＭＤＡ２を１６．６ｇ、実施例１０で得られた前記式（１９）の粗ＭＤＡ２−Ｐａｃを１９．５ｇ加え、三方コックを取り付けた。その後、フラスコ内を真空ポンプで減圧した後、乾燥窒素を導入して常圧に戻す窒素置換操作を合計３回繰り返した。
フラスコ内を窒素雰囲気で保持したまま、脱水塩化メチレン１５０ｍＬをフラスコに加え、内容物を溶解した。
三ツ口フラスコを０℃の氷浴へ浸漬した後、滴下漏斗内の溶液を、三ツ口フラスコへ１時間かけて滴下し、さらに０℃、２時間スターラーで攪拌した後、三ツ口フラスコを室温へ移し、さらに２２時間撹拌し、縮合反応を行った。
【０１０６】
反応終了後、反応液中の固形物を５Ｃろ紙でろ別した。また、フラスコと固形物を塩化メチレン１００ｍＬで洗浄した。ろ液を分液漏斗に移し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液２００ｍＬで２回、１０質量％塩化ナトリウム水溶液２００ｍＬで１回洗浄した。
洗浄後の有機相を５００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム１０ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（２０）で表される薄い黄褐色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸４量体フェナシルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃ）を３７．３ｇ（収率１０６％）得た。
３７．３ｇの粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃを、展開溶媒を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝１／２（容積比）としたカラムクロマトグラフィーを用いて精製した。
得られた溶液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した薄い黄褐色固体のｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃを３４．０ｇ（収率９７％）得た。
【０１０７】
【化２６】
【０１０８】
得られた粗ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ４−ＰａｃのＨＭＢＣスペクトルを図２６及び図２７、ＨＭＱＣスペクトルを図２８及び図２９、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３０、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図３１、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルを図３２に示す。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトルにて、質量／電荷比（ｍ／ｚ）＝７５１．３０の信号が最も強く観測された。このｍ／ｚは、ｔＢｕ−ＭＤＡ４−Ｐａｃのナトリウムイオン付加体のモノアイソトープ質量（７５１．２５Ｄａ）と誤差範囲内で一致した。
また、実施例４と同様に、ＨＭＢＣスペクトル及びＨＭＱＣスペクトルから、Ｄ−マンデル酸の光学活性を維持したｎ＝４の縮合体（４量体）が得られたことが確認できた。
【０１０９】
［合成例５］Ｏ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ニトロベンジル（ｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎ）の合成
あらかじめ攪拌子を入れた１００ｍＬのナスフラスコに、実施例２で得られた前記式（１１）のｔＢｕ−ＭＤＡ２を１．００ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、炭酸カリウムを０．２４ｇ（１．７４ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを７ｍＬ、及び４−ニトロベンジルブロミドを０．９４ｇ（２．９ｍｍｏｌ）加え、内容物を溶解した後、室温にてスターラーで２時間攪拌し、カルボキシ基の保護反応を行った。反応終了後、反応液を分液漏斗に移した。また、反応液が入っていたフラスコを酢酸エチル８０ｍＬで洗浄し、該洗浄液も分液漏斗に移した。分液漏斗に移した溶液を、蒸留水１２０ｍＬで３回洗浄した。
【０１１０】
洗浄後の有機相を２００ｍＬビーカーに移した後、硫酸ナトリウム５ｇを加えて１２時間保持して脱水し、その後に５Ｃろ紙で硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液を２００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、下記式（２１）で表される白色固体のＯ−ｔ−ブチル−Ｄ−マンデル酸２量体ニトロベンジルの粗体（粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎ）を１．３３ｇ（収率９６％）得た。
１．３３ｇの粗ｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎを、展開溶媒を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝１／２（容積比）としたカラムクロマトグラフィーを用いて精製した。
得られた溶液を５００ｍＬナスフラスコに移し、エバポレーターで濃縮した後、真空ポンプで減圧乾燥し、精製した白色固体のｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎを１．０３ｇ（収率７４％）得た。
得られたｔＢｕ−ＭＤＡ２−ＮＢｎの化学構造は１Ｈ−ＮＭＲで確認した。ｔＢｕ−ＭＤＡ２−Ｐａｃの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３３に示す。
【０１１１】
【化２７】
【０１１２】
実施例１〜１１のように、オルトゴナルな保護基でＤ−マンデル酸のヒドロキシ基又はカルボキシ基を保護した誘導体（Ｉ）及び誘導体（ＩＩ）を用いて、縮合工程と脱保護工程を繰り返すことにより、Ｄ−マンデル酸の光学活性を維持した縮合度が２、４、及び８の縮合体が得られた。さらに、同様の脱保護工程及び縮合工程を繰り返すことで、さらに高分子量の縮合体も得ることができると考えられる。
また、合成例５のように、Ｒ２１の保護基がニトロベンジル基である前記式（２１）で表される化合物も得られた。該化合物からは、ｔｅｒｔ−ブチル基を脱保護すれば、Ｒ２１の保護基がニトロベンジル基である誘導体（Ｉ）を得ることができ、該誘導体（Ｉ）によっても高分子量の縮合体を得ることができると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明の製造方法は、光学活性が高度に制御された光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体が得られるため、極めて有用である。また、本発明の光学活性化合物は、光学活性が高度に制御されているため、耐熱性、力学特性、配向特性、光学特性等に優れた高機能性材料として、ディスプレイ配向フィルム、環境調和材料、構造／建築材料等に好適に利用できると考えられる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）と、下記式（２）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）とを縮合する縮合工程を有する光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。
【化１】
【化２】
（式（１）及び式（２）中、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１以上の整数である。Ｒ１１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基又はオキシカルボニル型保護基のいずれかであり、Ｒ２１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかである。ｐ個のＲ３１は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。ｑ個のＲ３２は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。＊で示した炭素原子は不斉炭素原子を意味する。）
【請求項２】
前記Ｒ１１とＲ２１とがオルトゴナルな保護基であり、
前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）と前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）とを縮合して得られる、下記式（３）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体（ＩＩＩ）のＲ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護する脱保護工程を更に有し、
該Ｒ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護した縮合体を、前記縮合工程における前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）及び／又は前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）として用いる、請求項１に記載の光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。
【化３】
（式（３）中、ｎは２以上の整数であり、ｐとｑの和である。ｎ個のＲ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。）
【請求項３】
下記式（４）で表される光学活性化合物。
【化４】
（式（４）中、ｎは２以上の整数である。Ｒ１は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基又はオキシカルボニル型保護基のいずれかであり、Ｒ２は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかであり、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は前記いずれかの保護基である。ｎ個のＲ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。）
【請求項４】
前記Ｒ３がフェニル基である請求項３に記載の光学活性化合物。
【請求項１】
下記式（１）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）と、下記式（２）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）とを縮合する縮合工程を有する光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。
【化１】
【化２】
（式（１）及び式（２）中、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１以上の整数である。Ｒ１１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基又はオキシカルボニル型保護基のいずれかであり、Ｒ２１は、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかである。ｐ個のＲ３１は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。ｑ個のＲ３２は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。＊で示した炭素原子は不斉炭素原子を意味する。）
【請求項２】
前記Ｒ１１とＲ２１とがオルトゴナルな保護基であり、
前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）と前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）とを縮合して得られる、下記式（３）で表される光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体（ＩＩＩ）のＲ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護する脱保護工程を更に有し、
該Ｒ１１又はＲ２１のいずれか一方を脱保護した縮合体を、前記縮合工程における前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（Ｉ）及び／又は前記光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体（ＩＩ）として用いる、請求項１に記載の光学活性芳香族ヒドロキシカルボン酸縮合体の製造方法。
【化３】
（式（３）中、ｎは２以上の整数であり、ｐとｑの和である。ｎ個のＲ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。）
【請求項３】
下記式（４）で表される光学活性化合物。
【化４】
（式（４）中、ｎは２以上の整数である。Ｒ１は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基、シリル型保護基、エステル型保護基又はオキシカルボニル型保護基のいずれかであり、Ｒ２は、水素原子、アラルキルエーテル型保護基、アルキルエーテル型保護基又はシリル型保護基のいずれかであり、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は前記いずれかの保護基である。ｎ個のＲ３は、それぞれ独立に炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基である。）
【請求項４】
前記Ｒ３がフェニル基である請求項３に記載の光学活性化合物。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【公開番号】特開２０１０−２８５４２０（Ｐ２０１０−２８５４２０Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１０７４３８（Ｐ２０１０−１０７４３８）
【出願日】平成２２年５月７日（２０１０．５．７）
【出願人】（０００００６０３５）三菱レイヨン株式会社 (2,875)
【出願人】（３０４０２０２９２）国立大学法人徳島大学 (307)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月７日（２０１０．５．７）
【出願人】（０００００６０３５）三菱レイヨン株式会社 (2,875)
【出願人】（３０４０２０２９２）国立大学法人徳島大学 (307)
【Ｆターム（参考）】
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