光源、装置
【課題】電極のピンホールによりエレクトロルミネッセンス層を介して水分が浸透してしまい、エレクトロルミネッセンス層全体が劣化してしまうことを防止する。
【解決手段】複数の島状エレクトロルミネセンス層を有する構成とする。即ち、エレクトロルミネッセンス層を複数に分断する。そして、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が浸透しても他の島状エレクトロルミネッセンス層には水分が浸透しなくなる。
【解決手段】複数の島状エレクトロルミネセンス層を有する構成とする。即ち、エレクトロルミネッセンス層を複数に分断する。そして、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が浸透しても他の島状エレクトロルミネッセンス層には水分が浸透しなくなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、光源（照明装置）、光源を備えた装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１にはエレクトロルミネッセンス素子を備えた光源（照明装置）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１３４２８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図２６は、従来の光源（照明装置）の概念図を示したものである。
【０００５】
図２６において、基板１０上に、第１の電極２０、エレクトロルミネッセンス層３０、第２の電極４０が順次積層されている。
【０００６】
そして、第２の電極４０にピンホール８０が発生してしまった場合、ピンホール８０から水分９１、水分９２が侵入してエレクトロルミネッセンス層３０の劣化が生じてしまうことになる。
【０００７】
ここで、エレクトロルミネッセンス層３０は水分を浸透しやすい性質を有する。
【０００８】
そのため、第２の電極４０に一箇所でもピンホールが生じると、水分がエレクトロルミネッセンス層３０の内部を伝わってエレクトロルミネッセンス層全体に浸透してしまうので、エレクトロルミネッセンス層３０全体が劣化してしまうことになる。
【０００９】
そして、エレクトロルミネッセンス層３０全体が劣化してしまうと光源自体が使用不能になってしまう。
【００１０】
そこで、以下に上記問題を解決する構成を開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
複数の島状エレクトロルミネセンス層を有する構成とする。
【００１２】
即ち、エレクトロルミネッセンス層を複数に分断する。
【００１３】
そして、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が浸透しても他の島状エレクトロルミネッセンス層には水分が浸透しなくなる。
【００１４】
したがって、水分がエレクトロルミネッセンス層の内部を伝わってエレクトロルミネッセンス層全体に浸透することを防止することができる。
【００１５】
但し、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟んだ場合、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所は一対の電極同士が接触するためショートしてしまう。
【００１６】
そこで、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所には、非導電体層（絶縁層又は半導体層）を設けることが好ましい。
【００１７】
ところで、複数のエレクトロルミネッセンス層を積層させ、各エレクトロルミネッセンス層を中間層によって仕切ることによって、複数のエレクトロルミネッセンス層を直列接続されたが如く動作させることができる。
【００１８】
複数のエレクトロルミネッセンス層を直列接続されたが如く動作させることによって、電流密度を上昇させることなく輝度を上昇させることができる。
【００１９】
ここで、中間層として導電体層を用いる場合と非導電体層を用いる場合とがある。（なお、非導電体層からなる中間層を中間非導電体層とする。）
【００２０】
中間層として非導電体層を用いる場合（中間非導電体層を用いる場合）、当該中間層を用いて一対の電極同士のショートを防止することができる。
【００２１】
即ち、複数のエレクトロルミネッセンス層を積層させ、各エレクトロルミネッセンス層を中間非導電体層によって仕切る場合において、複数のエレクトロルミネッセンス層は島状に分断し、中間非導電体層は島状に分断しない。
【００２２】
中間非導電体層を島状に分断しないこと（共通の中間非導電体層とすること）によって、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所に中間非導電体層が配置されることになり、一対の電極同士の導通を防止することができるようになる。
【００２３】
つまり、第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第１の電極及び前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた中間非導電体層と、前記中間非導電層上に設けられた複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記中間非導電層及び前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の電極とを有し、前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層とは対応する位置に配置されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２４】
また、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積とは異なっても良い。
【００２５】
また、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積は、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積よりも大きくしても良い。
【００２６】
さらに、第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第１の電極及び前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第１の中間非導電体層と、前記第１の中間非導電層上に設けられた複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第１の中間非導電層及び前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の中間非導電体層と、前記第２の中間非導電層上に設けられた複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第２の中間非導電層及び前記複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の電極とを有し、前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層とは対応する位置に配置されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２７】
また、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第３の島状エレクトロルミネッセンス層の面積とは異なると好ましい。
【００２８】
また、前記第３の島状エレクトロルミネッセンス層の面積は、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積及び前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積よりも大きくすると好ましい。
【００２９】
さらに、一対の電極と、前記一対の電極間に積層して設けられた複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、各島状エレクトロルミネッセンス層を仕切る位置に設けられた少なくとも１つの中間非導電体層と、を備えたユニットを複数有し、前記一対の電極及び前記少なくとも１つの中間非導電体層は前記ユニット全てに共有されて設けられており、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、前記ユニット毎に別々に設けられていることを特徴とする光源を提供することができる。なお、島状エレクトロルミネッセンス層の層の数をｎ個としたとき、中間導電層の層の数はｎ−１個が好ましい。但し、ｎは２以上の自然数である。
【００３０】
また、積層して設けられた前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、全て異なる面積にすると好ましい。
【００３１】
また、前記一対の電極の一方は、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層のうち最上層の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられており、積層して設けられた前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層のうち、前記最上層の島状エレクトロルミネッセンス層が最も大きい面積を有すると好ましい。
【００３２】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の間と重なる位置に切り取り用の破線状の孔が設けられていると好ましい。
【００３３】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層が一対の電極間に挟まれて設けられた光源と、前記光源に対向して設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置を提供することができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であると好ましい。
【００３４】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層が一対の電極間に挟まれて設けられた光源と、表示パネルと、前記光源と前記表示パネルの間に挟まれて設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置を提供することができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であると好ましい。
【発明の効果】
【００３５】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、光源が劣化してしまうことを防止することができる。
【００３６】
島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所に非導電体層（絶縁層又は半導体層）を設けることによって、一対の電極同 士のショートを防止することができる。
【００３７】
島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所に設ける非導電体層に、中間非導電体層を用いることによって、別途非導電体層を形成する必要がなくなるので、エレクトロルミネッセンス素子形成に用いる層の数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】光源の作製方法の一例
【図２】光源の作製方法の一例
【図３】光源の作製方法の一例
【図４】光源の作製方法の一例
【図５】光源の一例
【図６】光源の作製方法の一例
【図７】光源の作製方法の一例
【図８】光源の作製方法の一例
【図９】光源の作製方法の一例
【図１０】光源の作製方法の一例
【図１１】光源の作製方法の一例
【図１２】光源の作製方法の一例
【図１３】光源の作製方法の一例
【図１４】光源の一例
【図１５】光源の一例
【図１６】光源の一例
【図１７】光源の一例
【図１８】光源の一例
【図１９】光源の一例
【図２０】光源の一例
【図２１】光源の一例
【図２２】光源の一例
【図２３】光源を備えた装置の一例
【図２４】光源を備えた装置の一例
【図２５】光源の切断について
【図２６】従来技術の例
【発明を実施するための形態】
【００３９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
【００４０】
但し、発明の趣旨から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。
【００４１】
従って、発明の範囲は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４２】
なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００４３】
また、以下の実施の形態は、いくつかを適宜組み合わせて実施することができる。
【００４４】
また、島状エレクトロルミネッセンス層の数、中間非導電体層の数、島状エレクトロルミネッセンス層の積層数、接続部の数等は、実施の形態及び図に記載された数に限定されない。
【００４５】
（実施の形態１）
光源の作製方法の一例を図１乃至図４を用いて説明する。
【００４６】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【００４７】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層（島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９）を形成する。（図１（Ａ）、図１（Ｂ））
【００４８】
次に、複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層上及び露出している第１の電極２００上に中間非導電体層３００を形成する。（図２（Ａ）、図２（Ｂ））
【００４９】
つまり、中間非導電体層３００は、複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層及び第１の電極２００を覆って形成される。（図２（Ａ）、図２（Ｂ））
【００５０】
なお、中間非導電体層は、例えば電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層である。また、中間非導電体層は、絶縁層又は半導体層である。
【００５１】
次に、中間非導電体層３００上に複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層（島状エレクトロルミネッセンス層４１１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４１９）を形成する。（図３（Ａ）、図３（Ｂ））
【００５２】
なお、複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層は複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層にそれぞれ対応する位置に配置される。（図３（Ａ）、図３（Ｂ））第１の島状エレクトロルミネッセンス層と第２の島状エレクトロルミネッセンス層は少なくとも一部が重なっていれば良い。なお、図３では第１の島状エレクトロルミネッセンス層の中心点と第２の島状エレクトロルミネッセンス層の中心点とが一致するように重なっている。
【００５３】
次に、複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層上及び露出している中間非導電体層３００上に第２の電極５００を形成する。（図４（Ａ）、図４（Ｂ））
【００５４】
つまり、第２の電極５００は、複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層及び中間非導電体層３００を覆って形成される。（図４（Ａ）、図４（Ｂ））
【００５５】
なお、複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層上に、中間非導電体層及び複数の島状エレクトロルミネッセンス層を交互に積層しても良い。
【００５６】
即ち、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の積層数は２層に限られず３層以上でも良いということである。
【００５７】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を１層だけ設け、中間非導電体層を第１の電極又は第２の電極のいずれか一方の全面に接する構成としても良い。
【００５８】
つまり、一対の電極の間に複数の島状エレクトロルミネッセンス層を設け、前記一対の電極の一方と前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層との間に接して中間非導電体層を設ける構成とする。
【００５９】
上記構成によっても中間非導電体層からキャリアが注入されるため島状エレクトロルミネッセンス層を発光させることができる。
【００６０】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【００６１】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。
【００６２】
また、封止は保護膜のみで行っても良いし、保護膜と、前記保護膜上に設けられた前記保護膜を摩擦から保護する保護フィルムと、を用いても良い。
【００６３】
このように、第２の基板を用いず保護膜で封止をする封止方式を膜封止と呼ぶ。膜封止を行い且つ第１の基板を可撓性の基板とすることにより、光源を薄く且つ軽くできる。
【００６４】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【００６５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、材料並びに作製方法について説明する。
【００６６】
第１の基板及び第２の基板は、透光性を有する基板、遮光性を有する基板等を用いることができる。
【００６７】
透光性を有する基板は、ガラス基板、石英基板、透光性を有するプラスチック基板等がある。
【００６８】
遮光性を有する基板は、遮光性を有するプラスチック基板、金属基板（ステンレス、アルミニウム等）、半導体基板（シリコンウェハ等）、紙基板等がある。
【００６９】
なお、光源は光を取り出す必要があるため、少なくとも第１の基板又は第２の基板の一方は透光性を有する。
【００７０】
もちろん、第１の基板及び第２の基板の双方が透光性を有していても良い。
【００７１】
なお、プラスチック基板、金属基板、紙基板等は、厚さを薄くすることにより可撓性を持たせることが容易である。
【００７２】
そして、第１の基板及び第２の基板の双方を可撓性を有する基板とすることによって、可撓性を有する光源を提供することができる。
【００７３】
可撓性を有する光源は柔軟性を有するので割れにくく好ましい。
【００７４】
また、可撓性を有する基板を用いることにより、ハサミ、カッター等での切断が容易になるため、好みの形状に成型可能な光源を提供することもできる。
【００７５】
第１の電極及び第２の電極は、金属、酸化物導電体等を用いることができるがこれらに限定されない。
【００７６】
例えば、第１の電極及び第２の電極として、金属窒化物、金属酸化物、金属合金であって、導電性を有するものを用いても良い。
【００７７】
第１の電極及び第２の電極は、単層構造であっても積層構造であってもよい。
【００７８】
金属としては、タングステン、チタン、アルミニウム、モリブデン、金、銀、銅、白金、パラジウム、イリジウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属等があるがこれらに限定されない。
【００７９】
酸化物導電体としては、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛、インジウムを含む酸化亜鉛、インジウム及びガリウムを含む酸化亜鉛等があるがこれらに限定されない。
【００８０】
なお、仕事関数の低いもの（アルカリ金属、アルカリ土類金属、マグネシウム銀合金、アルミリチウム合金、マグネシウムリチウム合金等）を陰極に適用すると好適である。
【００８１】
また、仕事関数の高いもの（酸化物導電体等）を陽極に適用すると好適である。
【００８２】
なお、光源は光を取り出す必要があるため、少なくとも第１の電極又は第２の電極の一方は透光性を有する。
【００８３】
さらに、第１の電極及び第２の電極の双方が透光性を有しており、且つ、第１の基板及び第２の基板の双方が透光性を有していると、両面から光を取り出せる光源（両面射出型の光源）とすることができる。
【００８４】
なお、酸化物導電体は透光性を有する。
【００８５】
また、金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金であっても、膜厚が薄ければ透光性とすることができる。（膜厚は５０ｎｍ以下が好ましい。）
【００８６】
金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金等を透光性とするために膜厚を薄くすると、電極の抵抗値が上がってしまう。
【００８７】
そこで、エレクトロルミネッセンス層と接する面を金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金等としておき、エレクトロルミネッセンス層と接しない面を酸化物導電体とすることにより電極の抵抗値を下げることができる。
【００８８】
特に、エレクトロルミネッセンス層と接する面に仕事関数の低い材料を使用する場合は、仕事関数及び抵抗値の両方を好適なものにすることができるので好ましい。
【００８９】
中間非導電体層は、エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加したときに、陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入する役割を果たす層（電荷発生層）である。
【００９０】
具体的には、中間非導電体層には電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層を用いると好ましい。
【００９１】
つまり、電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層は、電子供与性材料と電子受容性材料との混合物からなる混合層、電子供与性材料と電子受容性材料との積層体からなる層、電子供与性材料と電子受容性材料との混合物からなる混合層を複数層積層させた層、電子供与性材料と電子受容性材料との混合物からなる混合層を複数層積層させ且つ混合層の間にバッファとなる有機化合物層を挿入した層等があるがこれらに限定されない。
【００９２】
即ち、中間非導電体層は、エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加したときに、陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入する役割を果たす層であればどのようなものでも好ましいといえる。
【００９３】
さらに、電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層は、酸化還元反応による電荷移動錯体を形成するようなものを用いると好ましい。
【００９４】
例えば、電子供与性材料として有機化合物を用い、電子受容性材料として遷移金属酸化物を用いることができる。
【００９５】
遷移金属酸化物として、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウム等があるがこれらに限定されない。
【００９６】
なお、遷移金属酸化物に対して電子供与性材料となるものは、アミン系化合物（特に、アリールアミン化合物）、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、Ａｌｑ等があるがこれらに限定されない。
【００９７】
また、電子供与性材料としてアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物（有機金属錯体、金属の有機塩、金属の無機塩、酸化物、ハロゲン化物等）、アルカリ土類金属化合物（有機金属錯体、金属の有機塩、金属の無機塩、酸化物、ハロゲン化物等）等があるがこれらに限定されない。
【００９８】
アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物等に対して電子受容性材料となるものは、金属キレートオキシノイド化合物、ブタジエン誘導体等があるがこれらに限定されない。
【００９９】
また、Ｆ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ等の電子受容性材料と、アミン系材料（アリールアミン化合物等）等の電子供与性材料と、の組み合わせでも良い。
【０１００】
もちろん、上記のような組み合わせに限定されず、電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層は、電荷移動錯体を形成し得るようなものであればどのようなものでも用いることができる。
【０１０１】
エレクトロルミネッセンス層は、少なくとも有機化合物を含む発光層を有する。
【０１０２】
エレクトロルミネッセンス層は、発光層の他に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等を有していても良い。
【０１０３】
エレクトロルミネッセンス層は、電圧を印加することにより発光するものであれば限定されない。
【０１０４】
したがって、エレクトロルミネッセンス層は、有機エレクトロルミネッセンス層でも良いし、無機エレクトロルミネッセンス層でも良い。
【０１０５】
保護膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等の無機化合物を用いると水分をブロックできるので好ましいがこれらに限定されない。また、保護膜は単層構造でも積層構造でも良い。
【０１０６】
なお、中間非導電体層、エレクトロルミネッセンス層、第１の電極、第２の電極等を所望の形状に加工する方法は、フォトリソグラフィを用いた方法、メタルマスクを用いた方法等を用いれば良い。また、インクジェット法等を用いて直接的にパターン（複数の島状エレクトロルミネッセンス層）を形成してもよい。
【０１０７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１０８】
（実施の形態３）
図５は光源のうち１ユニットを抜粋して示した図である。
【０１０９】
図５（Ａ）のように島状エレクトロルミネッセンス層４０１と島状エレクトロルミネッセンス層４１１とを同じ大きさ（面積（表面の面積））にすると、破線の楕円で囲ったように段差の高さが高くなり、第２の電極５００が段切れを生じやすくなる。段切れとは所定の層の側面に膜が被覆されない状態をいう。
【０１１０】
したがって、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）で示したように、島状エレクトロルミネッセンス層４０１と島状エレクトロルミネッセンス層４１１とを異なる大きさ（面積（表面の面積））とすることによって、破線の楕円で囲ったように階段状の断面となるので、段差の高さが低くなり、第２の電極５００の段切れの可能性を低減することができる。
【０１１１】
なお、第２の電極５００の段切れを起こして、第２の電極に切れ目が生じてしまうと、切れ目から水分が侵入して島状エレクトロルミネッセンス層が劣化を生じやすくなってしまうので好ましくない。
【０１１２】
つまり、積層した島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）同士が重ならないように配置すると好ましい。
【０１１３】
また、図５（Ａ）〜（Ｃ）の島状エレクトロルミネッセンス層４１１の実線の円で囲った部分は、上面と側面から電圧が印加されるため電界が集中しやすい。
【０１１４】
電界が集中するとエレクトロルミネッセンス層は劣化しやすくなる。
【０１１５】
そこで、図５（Ｃ）のように、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部（エッジ部）を島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部（エッジ部）よりも外側に配置すると好ましい。
【０１１６】
島状エレクトロルミネッセンス層を積層した構造のエレクトロルミネッセンス素子において、島状エレクトロルミネッセンス層同士が重なる位置にある領域が最も輝度が強くなる。
【０１１７】
そのため、図５（Ｃ）のように島状エレクトロルミネッセンス層同士が重ならない領域を犠牲領域として用いることによって、島状エレクトロルミネッセンス層同士が重なる位置にある領域の電界集中による劣化を防止することができるので好ましい。
【０１１８】
なお、島状エレクトロルミネッセンス層４１１が電界集中により劣化してしまうと、劣化した箇所の抵抗が高くなってしまうので、劣化した箇所と重なる位置の島状エレクトロルミネッセンス層４０１に流れる電流が減ってしまう。
【０１１９】
島状エレクトロルミネッセンス層４０１に流れる電流が減ってしまうと輝度が低下してしまうのである。
【０１２０】
一方、下層である島状レクトロルミネッセンス層４０１の端部（エッジ部）は中間非導電体層３００によって保護されているので電界集中が緩和されている。
【０１２１】
したがって、電界集中による劣化の影響を最も受ける層は最上層の島状エレクトロルミネッセンス層である。
【０１２２】
よって、最上層の島状エレクトロルミネッセンス層の大きさ（面積（表面の面積））を最も大きくすることが好ましいといえる。島状エレクトロルミネッセンス層の積層数が３層以上になっても同様である。
【０１２３】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１２４】
（実施の形態４）
図５（Ｂ）の光源の作製方法を図６〜図９を用いて説明する。
【０１２５】
なお、図６〜図９では説明の簡略化のため１ユニットだけ図示したが、実際は図１〜図４のように複数のユニットを同一基板上に形成する。
【０１２６】
また、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図である図６（Ａ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１２７】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１を形成する。（図６（Ａ）、図６（Ｂ））
【０１２８】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１上及び露出している第１の電極２００上に中間非導電体層３００を形成する。（図７（Ａ）、図７（Ｂ））
【０１２９】
つまり、中間非導電体層３００は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１及び第１の電極２００を覆って形成される。（図７（Ａ）、図７（Ｂ））
【０１３０】
次に、中間非導電体層３００上に島状エレクトロルミネッセンス層４１１を形成する。（図８（Ａ）、図８（Ｂ））
【０１３１】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４１１上及び露出している中間非導電体層３００上に第２の電極５００を形成する。（図９（Ａ）、図９（Ｂ））
【０１３２】
つまり、第２の電極５００は、島状エレクトロルミネッセンス層４１１及び中間非導電体層３００を覆って形成される。（図９（Ａ）、図９（Ｂ））
【０１３３】
本実施の形態では、島状エレクトロルミネッセンス層４１１が島状エレクトロルミネッセンス層４０１よりも一回り小さくなるようにした。
【０１３４】
つまり、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の周辺端部（全ての端部）が、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の周辺端部（全ての端部）の内側に配置されるようにした。
【０１３５】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１３６】
（実施の形態５）
図５（Ｃ）の光源の作製方法を図１０〜図１３を用いて説明する。
【０１３７】
なお、図１０〜図１３では説明の簡略化のため１ユニットだけ図示したが、実際は図１〜図４のように複数のユニットを同一基板上に形成する。
【０１３８】
また、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１３９】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１を形成する。（図１０（Ａ）、図１０（Ｂ））
【０１４０】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１上及び露出している第１の電極２００上に中間非導電体層３００を形成する。（図１１（Ａ）、図１１（Ｂ））
【０１４１】
つまり、中間非導電体層３００は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１及び第１の電極２００を覆って形成される。（図１１（Ａ）、図１１（Ｂ））
【０１４２】
次に、中間非導電体層３００上に島状エレクトロルミネッセンス層４１１を形成する。（図１２（Ａ）、図１２（Ｂ））
【０１４３】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４１１上及び露出している中間非導電体層３００上に第２の電極５００を形成する。（図１３（Ａ）、図１３（Ｂ））
【０１４４】
つまり、第２の電極５００は、島状エレクトロルミネッセンス層４１１及び中間非導電体層３００を覆って形成される。（図１３（Ａ）、図１３（Ｂ））
【０１４５】
本実施の形態では、島状エレクトロルミネッセンス層４１１が島状エレクトロルミネッセンス層４０１よりも一回り大きくなるようにした。
【０１４６】
つまり、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の周辺端部（全ての端部）が、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の周辺端部（全ての端部）の外側に配置されるようにした。
【０１４７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１４８】
（実施の形態６）
図１〜図１３では島状エレクトロルミネッセンス層の積層数を２層としたが、島状エレクトロルミネッセンス層の積層数を２層以上としても良い。（図１４、図１５）
【０１４９】
図１４、図１５では、３層を例示するために、中間非導電体層３１０と、島状エレクトロルミネッセンス層４２１を追加している。
【０１５０】
もちろん、積層数は４層以上でも良い。
【０１５１】
そして、図１４（Ａ）の破線の楕円で囲ったように、島状エレクトロルミネッセンス層の端部が重なっていると、積層数が増えるほど段切れの可能性が高くなる。
【０１５２】
そこで、図１４（Ｂ）のように、上層の島状エレクトロルミネッセンス層になるほど一回りずつ小さくしていくことにより、段切れの可能性を低くすることができる。（破線の楕円参照。）
【０１５３】
また、図１５（Ａ）のように、上層の島状エレクトロルミネッセンス層になるほど一回りずつ大きくしていくことにより、段切れの可能性を低くすることができる。（破線の楕円参照。）
【０１５４】
また、図１５（Ｂ）のように中央の島状エレクトロルミネッセンス層を最も小さくすることで段切れの可能性を低くしても良い。（破線の楕円参照。）
【０１５５】
つまり、各島状エレクトロルミネッセンス層のうち、少なくとも一つの島状エレクトロルミネッセンス層の大きさ（面積（表面の面積））が異なっていれば、段切れの可能性が低減できる。
【０１５６】
但し、各島状エレクトロルミネッセンス層の大きさ（面積（表面の面積））が全て異なっている場合が最も効果が高いといえる。
【０１５７】
即ち、各島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）が全てずれていると好ましい。
【０１５８】
また、図１５（Ａ）、（Ｂ）の実線の円で囲ったように、最上層の島状エレクトロルミネッセンス層を最も大きくすることによって、最上層の島状エレクトロルミネッセンス層の外側の領域を犠牲領域として用いることができる。
【０１５９】
犠牲領域を設けることによって、島状エレクトロルミネッセンス層同士が重なる位置にある領域の電界集中による劣化を防止することができるので好ましい。
【０１６０】
なお、本実施の形態では中間非導電体層３００と中間非導電体層３１０の双方を、第１の電極２００と第２の電極５００のショート防止層として用いた。
【０１６１】
中間非導電体層３００と中間非導電体層３１０のいずれか一方だけをショート防止層として用いてもよい。
【０１６２】
即ち、中間非導電体層３００と中間非導電体層３１０のいずれか他方を島状にしても良い。
【０１６３】
つまり、中間非導電体層が複数層ある場合は、少なくとも一つの中間非導電体層がショート防止層となれば良い。
【０１６４】
但し、複数の中間非導電体層の全てをショート防止層として用いた方が、抵抗値の増加及び段切れの防止の観点から好ましいといえる。
【０１６５】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１６６】
（実施の形態７）
図１６（Ａ）は、中間非導電体層として遷移金属酸化物層６１１と有機化合物層６２１との積層構造にした例である。
【０１６７】
この場合、遷移金属酸化物層６１１と有機化合物層６２１の界面において電荷移動錯体が形成される。
【０１６８】
また、有機化合物層６２１が正孔輸送性の材料（例えばアリールアミン化合物等）のような場合、図１６（Ｂ）のように有機化合物層６２１を中間非導電体層の一部と島状エレクトロルミネッセンス層４１１の一部として兼用させても良い。
【０１６９】
なお、図１６（Ｂ）のように有機化合物層６２１を島状とした方が、水分の浸透しやすい有機化合物層６２１の内部を水分が浸透していくことがないので好ましい。なお、遷移金属化合物は非常に水分を浸透しにくい性質を有する。
【０１７０】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１７１】
（実施の形態８）
光源の電源供給構造について説明する。
【０１７２】
図１７は電源供給構造の一例である。
【０１７３】
図１７（Ａ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃが、図１７（Ｂ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃに対応する。
【０１７４】
島状エレクトロルミネッセンス層が形成された発光領域において、発光領域の周囲に配置された第２のシール材７０２と第２の基板１１０とに囲まれた領域に第１のシール材７０１が充填されている。
【０１７５】
なお、保護膜６００も設けられている。
【０１７６】
一方、接続部において、中間非導電体層３００の一部に開口部が設けられており、開口部において第１の電極２００が露出している。
【０１７７】
また、接続部において、第２の電極５００が延在して設けられている。
【０１７８】
このように、接続部において、第１の電極及び第２の電極を露出させることによって電源の供給が可能となる。
【０１７９】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１８０】
（実施の形態９）
光源の電源供給構造について説明する。
【０１８１】
図１８及び図１９は電源供給構造の一例である。
【０１８２】
図１８（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図１８（Ｂ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１８３】
図１９（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図１９（Ｂ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１８４】
図１８では、接続部が発光領域に囲まれて配置されている。
【０１８５】
そのため、図１８において、第２の基板１１０には開口部が設けられている。
【０１８６】
そして、接続部では、第１の電極及び第２の電極が露出した構造となっている。
【０１８７】
また、図１９では複数の接続部が発光領域に囲まれて配置されている。
【０１８８】
そのため、図１９において、第２の基板１１０には複数の開口部が設けられている。
【０１８９】
また、図１８及び図１９において、島状エレクトロルミネッセンス層が形成された発光領域において、発光領域の周囲に配置された第２のシール材７０２と第３のシール材７０３と第２の基板１１０とに囲まれた領域に第１のシール材７０１が充填されている。
【０１９０】
なお、保護膜６００も設けられている。
【０１９１】
接続部が発光領域に囲まれて配置されていることによって、第１の基板１００の面積を小さくできる。
【０１９２】
さらに、図１９のように島状エレクトロルミネッセンス層の間に接続部を設けることによって、発光領域の面積を広くすることができる。
【０１９３】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１９４】
（実施の形態１０）
図２０に示すように、島状エレクトロルミネッセンス層を環状（円環状、多角環状等）にしても良い。
【０１９５】
図２０（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図２０（Ｂ）、図２０（Ｃ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１９６】
図２０（Ｂ）は島状エレクトロルミネッセンス層を環状（円環状、多角環状等）にした場合において、島状エレクトロルミネッセンス層４１１を島状エレクトロルミネッセンス層４０１よりも一回り小さくしたものである。
【０１９７】
即ち、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部の一方は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部の一方より内側に配置されている。
【０１９８】
また、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部の他方は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部の他方より内側に配置されている。
【０１９９】
つまり、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の２つの端部の双方が、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の２つの端部の双方よりも内側に配置されている。
【０２００】
図２０（Ｃ）は島状エレクトロルミネッセンス層を環状（円環状、多角環状等）にした場合において、島状エレクトロルミネッセンス層４１１を島状エレクトロルミネッセンス層４０１よりも一回り大きくしたものである。
【０２０１】
即ち、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部の一方は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部の一方より外側に配置されている。
【０２０２】
また、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部の他方は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部の他方より外側に配置されている。
【０２０３】
つまり、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の２つの端部の双方が、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の２つの端部の双方よりも外側に配置されている。
【０２０４】
図２０（Ｂ）、（Ｃ）のような構成とすることによって、島状エレクトロルミネッセンス層を環状とした場合でも第２の電極５００が段切れする可能性を低減することができる。
【０２０５】
また、図２０（Ｃ）のような構成とすることによって、島状エレクトロルミネッセンス層を環状とした場合でも犠牲領域を形成することができる。
【０２０６】
なお、島状エレクトロルミネッセンス層の積層数は３層以上でも良い。
【０２０７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２０８】
（実施の形態１１）
島状エレクトロルミネッセンス層を環状とした場合の接続部の設け方について説明する。
【０２０９】
図２１（Ａ）は接続部５０００を中心部のスペースに設けたものである。
【０２１０】
図２１（Ｂ）は環状の島状エレクトロルミネッセンス層に切り欠き部を形成し、切り欠き部の内部にそれぞれ接続部５００１、接続部５００２、接続部５００３を設けたものである。
【０２１１】
接続部の形成方法は他の実施の形態に記載されているように、第１の電極と第２の電極とが露出するようにすれば良い。
【０２１２】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２１３】
（実施の形態１２）
複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成することによって、光源を自由な形状に成型することが可能となる。
【０２１４】
即ち、従来の光源ではエレクトロルミネッセンス層が全面に形成されていたため、光源を切断すると、エレクトロルミネッセンス層の側面が露出してしまう。
【０２１５】
側面が露出するとエレクトロルミネッセンス層全体が劣化してしまい光源として機能しなくなっていた。
【０２１６】
ところが、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成することにより上記問題を解決することができる。
【０２１７】
図２５（Ａ）は切断前の光源である。
【０２１８】
図２５（Ｂ）は切断後の光源である。
【０２１９】
図２５において、白い島状部分が側面が露出していない島状エレクトロルミネッセンス層、黒い島状部分が側面が露出した島状エレクトロルミネッセンス層、破線部分が切断箇所である。
【０２２０】
図２５から明らかなように、切断箇所と重なる位置に形成された島状エレクトロルミネッセンス層は側面が露出して発光しなくなるが、切断箇所と重ならない島状エレクトロルミネッセンス層は側面が露出していないので発光が維持される。
【０２２１】
したがって、自由な形状に成型可能な光源を提供することができる。
【０２２２】
なお、第１の基板又は第２の基板がガラス基板、石英基板等のように硬い場合はレーザーカット、ダイシング装置等でカットすれば良い。
【０２２３】
一方、可撓性の光源のように基板自体が柔らかい場合は、ハサミ、カッター等の簡易的な切断道具で切断が可能であるので、誰でも簡単に成型できるため家庭、学校等で楽しむことができる。
【０２２４】
なお、切断を行うときは接続部が残るように切断を行うことが好ましい。
【０２２５】
一方、図１８、図２１（Ａ）のように接続部が発光領域に囲まれて配置されていると、接続部を中心に切断を行えば良いので、切断後の形状が制約されない。
【０２２６】
また、図１９、図２１（Ｂ）のように複数の接続部を設けておく構成は接続部の位置を気にせずに切断ができるので非常に好ましい。
【０２２７】
さらに、接続部が一つしかないと接続部が残っていない切れ端はゴミになるが、複数の接続部があれば切れ端も発光させることができるので光源として再利用することができる。
【０２２８】
また、図２２（Ａ）、図２２（Ｂ）に示すように、切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を設けておくことによって、切断道具を使用しなくとも切断ができるので家庭、学校等で簡便に切断ができる。
【０２２９】
切り取り用の破線状の孔（ミシン目）はレーザーカット等で精密に形成しておくと好ましい。
【０２３０】
また、切り取り用の破線状の孔（ミシン目）は第１及び第２の基板、シール材、第１及び第２の電極、非導電体層、保護膜等を全て貫いて形成される。
【０２３１】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２３２】
（実施の形態１３）
図２３は、両面射出型光源２００１に対向して導光板２００２を配置した装置である。
【０２３３】
両面射出型光源２００１はエレクトロルミネッセンス層を島状に分割したので面均一な光ではない。
【０２３４】
そこで、導光板２００２を設けることによって面均一な光としている。
【０２３５】
さらに、導光板２００２が配置されていない面においては面均一でない光となる。
【０２３６】
よって、島状エレクトロルミネッセンス層をマークを形成するように並べれば、一方では面均一に光り、他方からマークが光る構成とすることができるので、実用とおしゃれを兼ね備えた装置（又は発光パネル）を提供することができる。また、面均一な光を得ることを目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板は片面射出型光源の光が射出される側に設ける。
【０２３７】
また、例えば、図２４に示すように、導光板２００２を、両面射出型光源２００１と表示パネル２００３とで挟むことにより、一方の面で表示が楽しめ、他方の面ではマークが光る装置（又は表示装置）を提供することが可能である。また、面均一な光を得ることを目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板は片面射出型光源の光が射出される側に設ける。
【０２３８】
なお、表示パネルとしては液晶表示パネル、マイクロカプセルを用いた電気泳動式表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル、無機エレクトロルミネッセンス表示パネル等があるがこれらに限定されない。
【０２３９】
液晶表示パネル、電気泳動式表示パネル等は光変調方式の表示パネルである。
【０２４０】
有機エレクトロルミネッセンス表示パネル、無機エレクトロルミネッセンス表示パネル等は自発光方式の表示パネルである。
【０２４１】
自発光方式の表示パネルにバックライトを設けることによって明るさを補充することができる。
【０２４２】
明るさを補充する場合としては例えば自発光方式の表示パネルが劣化して表示が暗くなった場合、明るい場所で表示が見にくい場合等がある。
【０２４３】
自発光方式の表示パネルにバックライトを設ける場合、自発光方式の表示パネルの発光領域に光が透過するように自発光方式の表示パネルの有する発光素子の有する一対の電極が透光性であることが好ましい。
【０２４４】
マークとは、例えば、タイル状（図２２（Ａ）等）、複数の環状（図２２（Ｂ）等）、記号、文字、数字、幾何学的模様等があるがこれらに限定されない。
【０２４５】
一方の面をより面均一にするためには、タイル状（図２２（Ａ）等）、複数の環状（図２２（Ｂ）等）等の島状エレクトロルミネッセンス層が密に並べられた構成が好ましい。
【０２４６】
なお、導光板は、樹脂板（アクリル板等）に拡散剤を混入させて光拡散させるもの、樹脂板（アクリル板等）に表面加工を施し光拡散させるもの等を用いることができるがこれらに限定されない。。なお、導光板にはフィルム状のものも含まれる。なお、導光板２００２は必須の構成ではないので必要に応じて設ければ良い。
【０２４７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２４８】
（実施の形態１４）
ユニット毎に発光色を異ならせても良い。
【０２４９】
また、ユニット内において積層された島状エレクトロルミネッセンス層毎に発光色を異ならせても良い。
【０２５０】
さらに、ユニット内において積層された島状エレクトロルミネッセンス層毎に発光色を異ならせ、且つ、ユニット毎に発光色を異ならせても良い。
【０２５１】
このように発光色を異ならせることによって様々な色、様々なマーク等を表現できるので好ましい。
【０２５２】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０２５３】
１０ 基板
２０ 第１の電極
３０ エレクトロルミネッセンス層
４０ 第２の電極
８０ ピンホール
９１ 水分
９２ 水分
１００ 第１の基板
１１０ 第２の基板
２００ 第１の電極
２００ 第１の電極
３００ 中間非導電体層
３１０ 中間非導電体層
４０１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０３ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０４ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０５ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０６ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０７ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０８ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０９ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１３ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１４ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１５ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１６ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１７ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１８ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１９ 島状エレクトロルミネッセンス層
４２１ 島状エレクトロルミネッセンス層
５００ 第２の電極
６００ 保護膜
７０１ 第１のシール材
７０２ 第２のシール材
７０３ 第３のシール材
２００１ 両面射出型光源
２００２ 導光板
２００３ 表示パネル
５０００ 接続部
５００１ 接続部
５００２ 接続部
５００３ 接続部
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、光源（照明装置）、光源を備えた装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１にはエレクトロルミネッセンス素子を備えた光源（照明装置）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１３４２８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図２６は、従来の光源（照明装置）の概念図を示したものである。
【０００５】
図２６において、基板１０上に、第１の電極２０、エレクトロルミネッセンス層３０、第２の電極４０が順次積層されている。
【０００６】
そして、第２の電極４０にピンホール８０が発生してしまった場合、ピンホール８０から水分９１、水分９２が侵入してエレクトロルミネッセンス層３０の劣化が生じてしまうことになる。
【０００７】
ここで、エレクトロルミネッセンス層３０は水分を浸透しやすい性質を有する。
【０００８】
そのため、第２の電極４０に一箇所でもピンホールが生じると、水分がエレクトロルミネッセンス層３０の内部を伝わってエレクトロルミネッセンス層全体に浸透してしまうので、エレクトロルミネッセンス層３０全体が劣化してしまうことになる。
【０００９】
そして、エレクトロルミネッセンス層３０全体が劣化してしまうと光源自体が使用不能になってしまう。
【００１０】
そこで、以下に上記問題を解決する構成を開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
複数の島状エレクトロルミネセンス層を有する構成とする。
【００１２】
即ち、エレクトロルミネッセンス層を複数に分断する。
【００１３】
そして、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が浸透しても他の島状エレクトロルミネッセンス層には水分が浸透しなくなる。
【００１４】
したがって、水分がエレクトロルミネッセンス層の内部を伝わってエレクトロルミネッセンス層全体に浸透することを防止することができる。
【００１５】
但し、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟んだ場合、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所は一対の電極同士が接触するためショートしてしまう。
【００１６】
そこで、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所には、非導電体層（絶縁層又は半導体層）を設けることが好ましい。
【００１７】
ところで、複数のエレクトロルミネッセンス層を積層させ、各エレクトロルミネッセンス層を中間層によって仕切ることによって、複数のエレクトロルミネッセンス層を直列接続されたが如く動作させることができる。
【００１８】
複数のエレクトロルミネッセンス層を直列接続されたが如く動作させることによって、電流密度を上昇させることなく輝度を上昇させることができる。
【００１９】
ここで、中間層として導電体層を用いる場合と非導電体層を用いる場合とがある。（なお、非導電体層からなる中間層を中間非導電体層とする。）
【００２０】
中間層として非導電体層を用いる場合（中間非導電体層を用いる場合）、当該中間層を用いて一対の電極同士のショートを防止することができる。
【００２１】
即ち、複数のエレクトロルミネッセンス層を積層させ、各エレクトロルミネッセンス層を中間非導電体層によって仕切る場合において、複数のエレクトロルミネッセンス層は島状に分断し、中間非導電体層は島状に分断しない。
【００２２】
中間非導電体層を島状に分断しないこと（共通の中間非導電体層とすること）によって、島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所に中間非導電体層が配置されることになり、一対の電極同士の導通を防止することができるようになる。
【００２３】
つまり、第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第１の電極及び前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた中間非導電体層と、前記中間非導電層上に設けられた複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記中間非導電層及び前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の電極とを有し、前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層とは対応する位置に配置されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２４】
また、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積とは異なっても良い。
【００２５】
また、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積は、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積よりも大きくしても良い。
【００２６】
さらに、第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第１の電極及び前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第１の中間非導電体層と、前記第１の中間非導電層上に設けられた複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第１の中間非導電層及び前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の中間非導電体層と、前記第２の中間非導電層上に設けられた複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層と、前記第２の中間非導電層及び前記複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の電極とを有し、前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層とは対応する位置に配置されていることを特徴とする光源を提供することができる。
【００２７】
また、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第３の島状エレクトロルミネッセンス層の面積とは異なると好ましい。
【００２８】
また、前記第３の島状エレクトロルミネッセンス層の面積は、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積及び前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積よりも大きくすると好ましい。
【００２９】
さらに、一対の電極と、前記一対の電極間に積層して設けられた複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、各島状エレクトロルミネッセンス層を仕切る位置に設けられた少なくとも１つの中間非導電体層と、を備えたユニットを複数有し、前記一対の電極及び前記少なくとも１つの中間非導電体層は前記ユニット全てに共有されて設けられており、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、前記ユニット毎に別々に設けられていることを特徴とする光源を提供することができる。なお、島状エレクトロルミネッセンス層の層の数をｎ個としたとき、中間導電層の層の数はｎ−１個が好ましい。但し、ｎは２以上の自然数である。
【００３０】
また、積層して設けられた前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、全て異なる面積にすると好ましい。
【００３１】
また、前記一対の電極の一方は、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層のうち最上層の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられており、積層して設けられた前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層のうち、前記最上層の島状エレクトロルミネッセンス層が最も大きい面積を有すると好ましい。
【００３２】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の間と重なる位置に切り取り用の破線状の孔が設けられていると好ましい。
【００３３】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層が一対の電極間に挟まれて設けられた光源と、前記光源に対向して設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置を提供することができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であると好ましい。
【００３４】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層が一対の電極間に挟まれて設けられた光源と、表示パネルと、前記光源と前記表示パネルの間に挟まれて設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置を提供することができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であると好ましい。
【発明の効果】
【００３５】
複数の島状エレクトロルミネッセンス層を共通の一対の電極で挟むことによって、光源が劣化してしまうことを防止することができる。
【００３６】
島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所に非導電体層（絶縁層又は半導体層）を設けることによって、一対の電極同 士のショートを防止することができる。
【００３７】
島状エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所に設ける非導電体層に、中間非導電体層を用いることによって、別途非導電体層を形成する必要がなくなるので、エレクトロルミネッセンス素子形成に用いる層の数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】光源の作製方法の一例
【図２】光源の作製方法の一例
【図３】光源の作製方法の一例
【図４】光源の作製方法の一例
【図５】光源の一例
【図６】光源の作製方法の一例
【図７】光源の作製方法の一例
【図８】光源の作製方法の一例
【図９】光源の作製方法の一例
【図１０】光源の作製方法の一例
【図１１】光源の作製方法の一例
【図１２】光源の作製方法の一例
【図１３】光源の作製方法の一例
【図１４】光源の一例
【図１５】光源の一例
【図１６】光源の一例
【図１７】光源の一例
【図１８】光源の一例
【図１９】光源の一例
【図２０】光源の一例
【図２１】光源の一例
【図２２】光源の一例
【図２３】光源を備えた装置の一例
【図２４】光源を備えた装置の一例
【図２５】光源の切断について
【図２６】従来技術の例
【発明を実施するための形態】
【００３９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
【００４０】
但し、発明の趣旨から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。
【００４１】
従って、発明の範囲は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４２】
なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００４３】
また、以下の実施の形態は、いくつかを適宜組み合わせて実施することができる。
【００４４】
また、島状エレクトロルミネッセンス層の数、中間非導電体層の数、島状エレクトロルミネッセンス層の積層数、接続部の数等は、実施の形態及び図に記載された数に限定されない。
【００４５】
（実施の形態１）
光源の作製方法の一例を図１乃至図４を用いて説明する。
【００４６】
なお、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【００４７】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層（島状エレクトロルミネッセンス層４０１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４０９）を形成する。（図１（Ａ）、図１（Ｂ））
【００４８】
次に、複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層上及び露出している第１の電極２００上に中間非導電体層３００を形成する。（図２（Ａ）、図２（Ｂ））
【００４９】
つまり、中間非導電体層３００は、複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層及び第１の電極２００を覆って形成される。（図２（Ａ）、図２（Ｂ））
【００５０】
なお、中間非導電体層は、例えば電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層である。また、中間非導電体層は、絶縁層又は半導体層である。
【００５１】
次に、中間非導電体層３００上に複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層（島状エレクトロルミネッセンス層４１１乃至島状エレクトロルミネッセンス層４１９）を形成する。（図３（Ａ）、図３（Ｂ））
【００５２】
なお、複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層は複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層にそれぞれ対応する位置に配置される。（図３（Ａ）、図３（Ｂ））第１の島状エレクトロルミネッセンス層と第２の島状エレクトロルミネッセンス層は少なくとも一部が重なっていれば良い。なお、図３では第１の島状エレクトロルミネッセンス層の中心点と第２の島状エレクトロルミネッセンス層の中心点とが一致するように重なっている。
【００５３】
次に、複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層上及び露出している中間非導電体層３００上に第２の電極５００を形成する。（図４（Ａ）、図４（Ｂ））
【００５４】
つまり、第２の電極５００は、複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層及び中間非導電体層３００を覆って形成される。（図４（Ａ）、図４（Ｂ））
【００５５】
なお、複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層上に、中間非導電体層及び複数の島状エレクトロルミネッセンス層を交互に積層しても良い。
【００５６】
即ち、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の積層数は２層に限られず３層以上でも良いということである。
【００５７】
また、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を１層だけ設け、中間非導電体層を第１の電極又は第２の電極のいずれか一方の全面に接する構成としても良い。
【００５８】
つまり、一対の電極の間に複数の島状エレクトロルミネッセンス層を設け、前記一対の電極の一方と前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層との間に接して中間非導電体層を設ける構成とする。
【００５９】
上記構成によっても中間非導電体層からキャリアが注入されるため島状エレクトロルミネッセンス層を発光させることができる。
【００６０】
次に、第２の基板を第２の電極５００側に対向させてシール材を用いて封止を行う。
【００６１】
なお、封止を行う前に、第２の電極５００を覆う保護膜を設けることが好ましい。
【００６２】
また、封止は保護膜のみで行っても良いし、保護膜と、前記保護膜上に設けられた前記保護膜を摩擦から保護する保護フィルムと、を用いても良い。
【００６３】
このように、第２の基板を用いず保護膜で封止をする封止方式を膜封止と呼ぶ。膜封止を行い且つ第１の基板を可撓性の基板とすることにより、光源を薄く且つ軽くできる。
【００６４】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【００６５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、材料並びに作製方法について説明する。
【００６６】
第１の基板及び第２の基板は、透光性を有する基板、遮光性を有する基板等を用いることができる。
【００６７】
透光性を有する基板は、ガラス基板、石英基板、透光性を有するプラスチック基板等がある。
【００６８】
遮光性を有する基板は、遮光性を有するプラスチック基板、金属基板（ステンレス、アルミニウム等）、半導体基板（シリコンウェハ等）、紙基板等がある。
【００６９】
なお、光源は光を取り出す必要があるため、少なくとも第１の基板又は第２の基板の一方は透光性を有する。
【００７０】
もちろん、第１の基板及び第２の基板の双方が透光性を有していても良い。
【００７１】
なお、プラスチック基板、金属基板、紙基板等は、厚さを薄くすることにより可撓性を持たせることが容易である。
【００７２】
そして、第１の基板及び第２の基板の双方を可撓性を有する基板とすることによって、可撓性を有する光源を提供することができる。
【００７３】
可撓性を有する光源は柔軟性を有するので割れにくく好ましい。
【００７４】
また、可撓性を有する基板を用いることにより、ハサミ、カッター等での切断が容易になるため、好みの形状に成型可能な光源を提供することもできる。
【００７５】
第１の電極及び第２の電極は、金属、酸化物導電体等を用いることができるがこれらに限定されない。
【００７６】
例えば、第１の電極及び第２の電極として、金属窒化物、金属酸化物、金属合金であって、導電性を有するものを用いても良い。
【００７７】
第１の電極及び第２の電極は、単層構造であっても積層構造であってもよい。
【００７８】
金属としては、タングステン、チタン、アルミニウム、モリブデン、金、銀、銅、白金、パラジウム、イリジウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属等があるがこれらに限定されない。
【００７９】
酸化物導電体としては、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛、インジウムを含む酸化亜鉛、インジウム及びガリウムを含む酸化亜鉛等があるがこれらに限定されない。
【００８０】
なお、仕事関数の低いもの（アルカリ金属、アルカリ土類金属、マグネシウム銀合金、アルミリチウム合金、マグネシウムリチウム合金等）を陰極に適用すると好適である。
【００８１】
また、仕事関数の高いもの（酸化物導電体等）を陽極に適用すると好適である。
【００８２】
なお、光源は光を取り出す必要があるため、少なくとも第１の電極又は第２の電極の一方は透光性を有する。
【００８３】
さらに、第１の電極及び第２の電極の双方が透光性を有しており、且つ、第１の基板及び第２の基板の双方が透光性を有していると、両面から光を取り出せる光源（両面射出型の光源）とすることができる。
【００８４】
なお、酸化物導電体は透光性を有する。
【００８５】
また、金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金であっても、膜厚が薄ければ透光性とすることができる。（膜厚は５０ｎｍ以下が好ましい。）
【００８６】
金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金等を透光性とするために膜厚を薄くすると、電極の抵抗値が上がってしまう。
【００８７】
そこで、エレクトロルミネッセンス層と接する面を金属、金属窒化物、金属酸化物、金属合金等としておき、エレクトロルミネッセンス層と接しない面を酸化物導電体とすることにより電極の抵抗値を下げることができる。
【００８８】
特に、エレクトロルミネッセンス層と接する面に仕事関数の低い材料を使用する場合は、仕事関数及び抵抗値の両方を好適なものにすることができるので好ましい。
【００８９】
中間非導電体層は、エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加したときに、陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入する役割を果たす層（電荷発生層）である。
【００９０】
具体的には、中間非導電体層には電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層を用いると好ましい。
【００９１】
つまり、電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層は、電子供与性材料と電子受容性材料との混合物からなる混合層、電子供与性材料と電子受容性材料との積層体からなる層、電子供与性材料と電子受容性材料との混合物からなる混合層を複数層積層させた層、電子供与性材料と電子受容性材料との混合物からなる混合層を複数層積層させ且つ混合層の間にバッファとなる有機化合物層を挿入した層等があるがこれらに限定されない。
【００９２】
即ち、中間非導電体層は、エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加したときに、陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入する役割を果たす層であればどのようなものでも好ましいといえる。
【００９３】
さらに、電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層は、酸化還元反応による電荷移動錯体を形成するようなものを用いると好ましい。
【００９４】
例えば、電子供与性材料として有機化合物を用い、電子受容性材料として遷移金属酸化物を用いることができる。
【００９５】
遷移金属酸化物として、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウム等があるがこれらに限定されない。
【００９６】
なお、遷移金属酸化物に対して電子供与性材料となるものは、アミン系化合物（特に、アリールアミン化合物）、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、Ａｌｑ等があるがこれらに限定されない。
【００９７】
また、電子供与性材料としてアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物（有機金属錯体、金属の有機塩、金属の無機塩、酸化物、ハロゲン化物等）、アルカリ土類金属化合物（有機金属錯体、金属の有機塩、金属の無機塩、酸化物、ハロゲン化物等）等があるがこれらに限定されない。
【００９８】
アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物等に対して電子受容性材料となるものは、金属キレートオキシノイド化合物、ブタジエン誘導体等があるがこれらに限定されない。
【００９９】
また、Ｆ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ等の電子受容性材料と、アミン系材料（アリールアミン化合物等）等の電子供与性材料と、の組み合わせでも良い。
【０１００】
もちろん、上記のような組み合わせに限定されず、電子供与性材料と電子受容性材料を組み合わせた層は、電荷移動錯体を形成し得るようなものであればどのようなものでも用いることができる。
【０１０１】
エレクトロルミネッセンス層は、少なくとも有機化合物を含む発光層を有する。
【０１０２】
エレクトロルミネッセンス層は、発光層の他に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等を有していても良い。
【０１０３】
エレクトロルミネッセンス層は、電圧を印加することにより発光するものであれば限定されない。
【０１０４】
したがって、エレクトロルミネッセンス層は、有機エレクトロルミネッセンス層でも良いし、無機エレクトロルミネッセンス層でも良い。
【０１０５】
保護膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等の無機化合物を用いると水分をブロックできるので好ましいがこれらに限定されない。また、保護膜は単層構造でも積層構造でも良い。
【０１０６】
なお、中間非導電体層、エレクトロルミネッセンス層、第１の電極、第２の電極等を所望の形状に加工する方法は、フォトリソグラフィを用いた方法、メタルマスクを用いた方法等を用いれば良い。また、インクジェット法等を用いて直接的にパターン（複数の島状エレクトロルミネッセンス層）を形成してもよい。
【０１０７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１０８】
（実施の形態３）
図５は光源のうち１ユニットを抜粋して示した図である。
【０１０９】
図５（Ａ）のように島状エレクトロルミネッセンス層４０１と島状エレクトロルミネッセンス層４１１とを同じ大きさ（面積（表面の面積））にすると、破線の楕円で囲ったように段差の高さが高くなり、第２の電極５００が段切れを生じやすくなる。段切れとは所定の層の側面に膜が被覆されない状態をいう。
【０１１０】
したがって、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）で示したように、島状エレクトロルミネッセンス層４０１と島状エレクトロルミネッセンス層４１１とを異なる大きさ（面積（表面の面積））とすることによって、破線の楕円で囲ったように階段状の断面となるので、段差の高さが低くなり、第２の電極５００の段切れの可能性を低減することができる。
【０１１１】
なお、第２の電極５００の段切れを起こして、第２の電極に切れ目が生じてしまうと、切れ目から水分が侵入して島状エレクトロルミネッセンス層が劣化を生じやすくなってしまうので好ましくない。
【０１１２】
つまり、積層した島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）同士が重ならないように配置すると好ましい。
【０１１３】
また、図５（Ａ）〜（Ｃ）の島状エレクトロルミネッセンス層４１１の実線の円で囲った部分は、上面と側面から電圧が印加されるため電界が集中しやすい。
【０１１４】
電界が集中するとエレクトロルミネッセンス層は劣化しやすくなる。
【０１１５】
そこで、図５（Ｃ）のように、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部（エッジ部）を島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部（エッジ部）よりも外側に配置すると好ましい。
【０１１６】
島状エレクトロルミネッセンス層を積層した構造のエレクトロルミネッセンス素子において、島状エレクトロルミネッセンス層同士が重なる位置にある領域が最も輝度が強くなる。
【０１１７】
そのため、図５（Ｃ）のように島状エレクトロルミネッセンス層同士が重ならない領域を犠牲領域として用いることによって、島状エレクトロルミネッセンス層同士が重なる位置にある領域の電界集中による劣化を防止することができるので好ましい。
【０１１８】
なお、島状エレクトロルミネッセンス層４１１が電界集中により劣化してしまうと、劣化した箇所の抵抗が高くなってしまうので、劣化した箇所と重なる位置の島状エレクトロルミネッセンス層４０１に流れる電流が減ってしまう。
【０１１９】
島状エレクトロルミネッセンス層４０１に流れる電流が減ってしまうと輝度が低下してしまうのである。
【０１２０】
一方、下層である島状レクトロルミネッセンス層４０１の端部（エッジ部）は中間非導電体層３００によって保護されているので電界集中が緩和されている。
【０１２１】
したがって、電界集中による劣化の影響を最も受ける層は最上層の島状エレクトロルミネッセンス層である。
【０１２２】
よって、最上層の島状エレクトロルミネッセンス層の大きさ（面積（表面の面積））を最も大きくすることが好ましいといえる。島状エレクトロルミネッセンス層の積層数が３層以上になっても同様である。
【０１２３】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１２４】
（実施の形態４）
図５（Ｂ）の光源の作製方法を図６〜図９を用いて説明する。
【０１２５】
なお、図６〜図９では説明の簡略化のため１ユニットだけ図示したが、実際は図１〜図４のように複数のユニットを同一基板上に形成する。
【０１２６】
また、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図である図６（Ａ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１２７】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１を形成する。（図６（Ａ）、図６（Ｂ））
【０１２８】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１上及び露出している第１の電極２００上に中間非導電体層３００を形成する。（図７（Ａ）、図７（Ｂ））
【０１２９】
つまり、中間非導電体層３００は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１及び第１の電極２００を覆って形成される。（図７（Ａ）、図７（Ｂ））
【０１３０】
次に、中間非導電体層３００上に島状エレクトロルミネッセンス層４１１を形成する。（図８（Ａ）、図８（Ｂ））
【０１３１】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４１１上及び露出している中間非導電体層３００上に第２の電極５００を形成する。（図９（Ａ）、図９（Ｂ））
【０１３２】
つまり、第２の電極５００は、島状エレクトロルミネッセンス層４１１及び中間非導電体層３００を覆って形成される。（図９（Ａ）、図９（Ｂ））
【０１３３】
本実施の形態では、島状エレクトロルミネッセンス層４１１が島状エレクトロルミネッセンス層４０１よりも一回り小さくなるようにした。
【０１３４】
つまり、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の周辺端部（全ての端部）が、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の周辺端部（全ての端部）の内側に配置されるようにした。
【０１３５】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１３６】
（実施の形態５）
図５（Ｃ）の光源の作製方法を図１０〜図１３を用いて説明する。
【０１３７】
なお、図１０〜図１３では説明の簡略化のため１ユニットだけ図示したが、実際は図１〜図４のように複数のユニットを同一基板上に形成する。
【０１３８】
また、断面図の破線Ａ−Ｂは、斜視図の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１３９】
第１の基板１００上に、第１の電極２００を形成し、第１の電極２００上に島状エレクトロルミネッセンス層４０１を形成する。（図１０（Ａ）、図１０（Ｂ））
【０１４０】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４０１上及び露出している第１の電極２００上に中間非導電体層３００を形成する。（図１１（Ａ）、図１１（Ｂ））
【０１４１】
つまり、中間非導電体層３００は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１及び第１の電極２００を覆って形成される。（図１１（Ａ）、図１１（Ｂ））
【０１４２】
次に、中間非導電体層３００上に島状エレクトロルミネッセンス層４１１を形成する。（図１２（Ａ）、図１２（Ｂ））
【０１４３】
次に、島状エレクトロルミネッセンス層４１１上及び露出している中間非導電体層３００上に第２の電極５００を形成する。（図１３（Ａ）、図１３（Ｂ））
【０１４４】
つまり、第２の電極５００は、島状エレクトロルミネッセンス層４１１及び中間非導電体層３００を覆って形成される。（図１３（Ａ）、図１３（Ｂ））
【０１４５】
本実施の形態では、島状エレクトロルミネッセンス層４１１が島状エレクトロルミネッセンス層４０１よりも一回り大きくなるようにした。
【０１４６】
つまり、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の周辺端部（全ての端部）が、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の周辺端部（全ての端部）の外側に配置されるようにした。
【０１４７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１４８】
（実施の形態６）
図１〜図１３では島状エレクトロルミネッセンス層の積層数を２層としたが、島状エレクトロルミネッセンス層の積層数を２層以上としても良い。（図１４、図１５）
【０１４９】
図１４、図１５では、３層を例示するために、中間非導電体層３１０と、島状エレクトロルミネッセンス層４２１を追加している。
【０１５０】
もちろん、積層数は４層以上でも良い。
【０１５１】
そして、図１４（Ａ）の破線の楕円で囲ったように、島状エレクトロルミネッセンス層の端部が重なっていると、積層数が増えるほど段切れの可能性が高くなる。
【０１５２】
そこで、図１４（Ｂ）のように、上層の島状エレクトロルミネッセンス層になるほど一回りずつ小さくしていくことにより、段切れの可能性を低くすることができる。（破線の楕円参照。）
【０１５３】
また、図１５（Ａ）のように、上層の島状エレクトロルミネッセンス層になるほど一回りずつ大きくしていくことにより、段切れの可能性を低くすることができる。（破線の楕円参照。）
【０１５４】
また、図１５（Ｂ）のように中央の島状エレクトロルミネッセンス層を最も小さくすることで段切れの可能性を低くしても良い。（破線の楕円参照。）
【０１５５】
つまり、各島状エレクトロルミネッセンス層のうち、少なくとも一つの島状エレクトロルミネッセンス層の大きさ（面積（表面の面積））が異なっていれば、段切れの可能性が低減できる。
【０１５６】
但し、各島状エレクトロルミネッセンス層の大きさ（面積（表面の面積））が全て異なっている場合が最も効果が高いといえる。
【０１５７】
即ち、各島状エレクトロルミネッセンス層の端部（エッジ部）が全てずれていると好ましい。
【０１５８】
また、図１５（Ａ）、（Ｂ）の実線の円で囲ったように、最上層の島状エレクトロルミネッセンス層を最も大きくすることによって、最上層の島状エレクトロルミネッセンス層の外側の領域を犠牲領域として用いることができる。
【０１５９】
犠牲領域を設けることによって、島状エレクトロルミネッセンス層同士が重なる位置にある領域の電界集中による劣化を防止することができるので好ましい。
【０１６０】
なお、本実施の形態では中間非導電体層３００と中間非導電体層３１０の双方を、第１の電極２００と第２の電極５００のショート防止層として用いた。
【０１６１】
中間非導電体層３００と中間非導電体層３１０のいずれか一方だけをショート防止層として用いてもよい。
【０１６２】
即ち、中間非導電体層３００と中間非導電体層３１０のいずれか他方を島状にしても良い。
【０１６３】
つまり、中間非導電体層が複数層ある場合は、少なくとも一つの中間非導電体層がショート防止層となれば良い。
【０１６４】
但し、複数の中間非導電体層の全てをショート防止層として用いた方が、抵抗値の増加及び段切れの防止の観点から好ましいといえる。
【０１６５】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１６６】
（実施の形態７）
図１６（Ａ）は、中間非導電体層として遷移金属酸化物層６１１と有機化合物層６２１との積層構造にした例である。
【０１６７】
この場合、遷移金属酸化物層６１１と有機化合物層６２１の界面において電荷移動錯体が形成される。
【０１６８】
また、有機化合物層６２１が正孔輸送性の材料（例えばアリールアミン化合物等）のような場合、図１６（Ｂ）のように有機化合物層６２１を中間非導電体層の一部と島状エレクトロルミネッセンス層４１１の一部として兼用させても良い。
【０１６９】
なお、図１６（Ｂ）のように有機化合物層６２１を島状とした方が、水分の浸透しやすい有機化合物層６２１の内部を水分が浸透していくことがないので好ましい。なお、遷移金属化合物は非常に水分を浸透しにくい性質を有する。
【０１７０】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１７１】
（実施の形態８）
光源の電源供給構造について説明する。
【０１７２】
図１７は電源供給構造の一例である。
【０１７３】
図１７（Ａ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃが、図１７（Ｂ）の破線Ａ−Ｂ−Ｃに対応する。
【０１７４】
島状エレクトロルミネッセンス層が形成された発光領域において、発光領域の周囲に配置された第２のシール材７０２と第２の基板１１０とに囲まれた領域に第１のシール材７０１が充填されている。
【０１７５】
なお、保護膜６００も設けられている。
【０１７６】
一方、接続部において、中間非導電体層３００の一部に開口部が設けられており、開口部において第１の電極２００が露出している。
【０１７７】
また、接続部において、第２の電極５００が延在して設けられている。
【０１７８】
このように、接続部において、第１の電極及び第２の電極を露出させることによって電源の供給が可能となる。
【０１７９】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１８０】
（実施の形態９）
光源の電源供給構造について説明する。
【０１８１】
図１８及び図１９は電源供給構造の一例である。
【０１８２】
図１８（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図１８（Ｂ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１８３】
図１９（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図１９（Ｂ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１８４】
図１８では、接続部が発光領域に囲まれて配置されている。
【０１８５】
そのため、図１８において、第２の基板１１０には開口部が設けられている。
【０１８６】
そして、接続部では、第１の電極及び第２の電極が露出した構造となっている。
【０１８７】
また、図１９では複数の接続部が発光領域に囲まれて配置されている。
【０１８８】
そのため、図１９において、第２の基板１１０には複数の開口部が設けられている。
【０１８９】
また、図１８及び図１９において、島状エレクトロルミネッセンス層が形成された発光領域において、発光領域の周囲に配置された第２のシール材７０２と第３のシール材７０３と第２の基板１１０とに囲まれた領域に第１のシール材７０１が充填されている。
【０１９０】
なお、保護膜６００も設けられている。
【０１９１】
接続部が発光領域に囲まれて配置されていることによって、第１の基板１００の面積を小さくできる。
【０１９２】
さらに、図１９のように島状エレクトロルミネッセンス層の間に接続部を設けることによって、発光領域の面積を広くすることができる。
【０１９３】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１９４】
（実施の形態１０）
図２０に示すように、島状エレクトロルミネッセンス層を環状（円環状、多角環状等）にしても良い。
【０１９５】
図２０（Ａ）の破線Ａ−Ｂが、図２０（Ｂ）、図２０（Ｃ）の破線Ａ−Ｂに対応する。
【０１９６】
図２０（Ｂ）は島状エレクトロルミネッセンス層を環状（円環状、多角環状等）にした場合において、島状エレクトロルミネッセンス層４１１を島状エレクトロルミネッセンス層４０１よりも一回り小さくしたものである。
【０１９７】
即ち、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部の一方は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部の一方より内側に配置されている。
【０１９８】
また、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部の他方は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部の他方より内側に配置されている。
【０１９９】
つまり、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の２つの端部の双方が、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の２つの端部の双方よりも内側に配置されている。
【０２００】
図２０（Ｃ）は島状エレクトロルミネッセンス層を環状（円環状、多角環状等）にした場合において、島状エレクトロルミネッセンス層４１１を島状エレクトロルミネッセンス層４０１よりも一回り大きくしたものである。
【０２０１】
即ち、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部の一方は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部の一方より外側に配置されている。
【０２０２】
また、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の端部の他方は、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の端部の他方より外側に配置されている。
【０２０３】
つまり、島状エレクトロルミネッセンス層４１１の２つの端部の双方が、島状エレクトロルミネッセンス層４０１の２つの端部の双方よりも外側に配置されている。
【０２０４】
図２０（Ｂ）、（Ｃ）のような構成とすることによって、島状エレクトロルミネッセンス層を環状とした場合でも第２の電極５００が段切れする可能性を低減することができる。
【０２０５】
また、図２０（Ｃ）のような構成とすることによって、島状エレクトロルミネッセンス層を環状とした場合でも犠牲領域を形成することができる。
【０２０６】
なお、島状エレクトロルミネッセンス層の積層数は３層以上でも良い。
【０２０７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２０８】
（実施の形態１１）
島状エレクトロルミネッセンス層を環状とした場合の接続部の設け方について説明する。
【０２０９】
図２１（Ａ）は接続部５０００を中心部のスペースに設けたものである。
【０２１０】
図２１（Ｂ）は環状の島状エレクトロルミネッセンス層に切り欠き部を形成し、切り欠き部の内部にそれぞれ接続部５００１、接続部５００２、接続部５００３を設けたものである。
【０２１１】
接続部の形成方法は他の実施の形態に記載されているように、第１の電極と第２の電極とが露出するようにすれば良い。
【０２１２】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２１３】
（実施の形態１２）
複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成することによって、光源を自由な形状に成型することが可能となる。
【０２１４】
即ち、従来の光源ではエレクトロルミネッセンス層が全面に形成されていたため、光源を切断すると、エレクトロルミネッセンス層の側面が露出してしまう。
【０２１５】
側面が露出するとエレクトロルミネッセンス層全体が劣化してしまい光源として機能しなくなっていた。
【０２１６】
ところが、複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成することにより上記問題を解決することができる。
【０２１７】
図２５（Ａ）は切断前の光源である。
【０２１８】
図２５（Ｂ）は切断後の光源である。
【０２１９】
図２５において、白い島状部分が側面が露出していない島状エレクトロルミネッセンス層、黒い島状部分が側面が露出した島状エレクトロルミネッセンス層、破線部分が切断箇所である。
【０２２０】
図２５から明らかなように、切断箇所と重なる位置に形成された島状エレクトロルミネッセンス層は側面が露出して発光しなくなるが、切断箇所と重ならない島状エレクトロルミネッセンス層は側面が露出していないので発光が維持される。
【０２２１】
したがって、自由な形状に成型可能な光源を提供することができる。
【０２２２】
なお、第１の基板又は第２の基板がガラス基板、石英基板等のように硬い場合はレーザーカット、ダイシング装置等でカットすれば良い。
【０２２３】
一方、可撓性の光源のように基板自体が柔らかい場合は、ハサミ、カッター等の簡易的な切断道具で切断が可能であるので、誰でも簡単に成型できるため家庭、学校等で楽しむことができる。
【０２２４】
なお、切断を行うときは接続部が残るように切断を行うことが好ましい。
【０２２５】
一方、図１８、図２１（Ａ）のように接続部が発光領域に囲まれて配置されていると、接続部を中心に切断を行えば良いので、切断後の形状が制約されない。
【０２２６】
また、図１９、図２１（Ｂ）のように複数の接続部を設けておく構成は接続部の位置を気にせずに切断ができるので非常に好ましい。
【０２２７】
さらに、接続部が一つしかないと接続部が残っていない切れ端はゴミになるが、複数の接続部があれば切れ端も発光させることができるので光源として再利用することができる。
【０２２８】
また、図２２（Ａ）、図２２（Ｂ）に示すように、切り取り用の破線状の孔（ミシン目）を設けておくことによって、切断道具を使用しなくとも切断ができるので家庭、学校等で簡便に切断ができる。
【０２２９】
切り取り用の破線状の孔（ミシン目）はレーザーカット等で精密に形成しておくと好ましい。
【０２３０】
また、切り取り用の破線状の孔（ミシン目）は第１及び第２の基板、シール材、第１及び第２の電極、非導電体層、保護膜等を全て貫いて形成される。
【０２３１】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２３２】
（実施の形態１３）
図２３は、両面射出型光源２００１に対向して導光板２００２を配置した装置である。
【０２３３】
両面射出型光源２００１はエレクトロルミネッセンス層を島状に分割したので面均一な光ではない。
【０２３４】
そこで、導光板２００２を設けることによって面均一な光としている。
【０２３５】
さらに、導光板２００２が配置されていない面においては面均一でない光となる。
【０２３６】
よって、島状エレクトロルミネッセンス層をマークを形成するように並べれば、一方では面均一に光り、他方からマークが光る構成とすることができるので、実用とおしゃれを兼ね備えた装置（又は発光パネル）を提供することができる。また、面均一な光を得ることを目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板は片面射出型光源の光が射出される側に設ける。
【０２３７】
また、例えば、図２４に示すように、導光板２００２を、両面射出型光源２００１と表示パネル２００３とで挟むことにより、一方の面で表示が楽しめ、他方の面ではマークが光る装置（又は表示装置）を提供することが可能である。また、面均一な光を得ることを目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板は片面射出型光源の光が射出される側に設ける。
【０２３８】
なお、表示パネルとしては液晶表示パネル、マイクロカプセルを用いた電気泳動式表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル、無機エレクトロルミネッセンス表示パネル等があるがこれらに限定されない。
【０２３９】
液晶表示パネル、電気泳動式表示パネル等は光変調方式の表示パネルである。
【０２４０】
有機エレクトロルミネッセンス表示パネル、無機エレクトロルミネッセンス表示パネル等は自発光方式の表示パネルである。
【０２４１】
自発光方式の表示パネルにバックライトを設けることによって明るさを補充することができる。
【０２４２】
明るさを補充する場合としては例えば自発光方式の表示パネルが劣化して表示が暗くなった場合、明るい場所で表示が見にくい場合等がある。
【０２４３】
自発光方式の表示パネルにバックライトを設ける場合、自発光方式の表示パネルの発光領域に光が透過するように自発光方式の表示パネルの有する発光素子の有する一対の電極が透光性であることが好ましい。
【０２４４】
マークとは、例えば、タイル状（図２２（Ａ）等）、複数の環状（図２２（Ｂ）等）、記号、文字、数字、幾何学的模様等があるがこれらに限定されない。
【０２４５】
一方の面をより面均一にするためには、タイル状（図２２（Ａ）等）、複数の環状（図２２（Ｂ）等）等の島状エレクトロルミネッセンス層が密に並べられた構成が好ましい。
【０２４６】
なお、導光板は、樹脂板（アクリル板等）に拡散剤を混入させて光拡散させるもの、樹脂板（アクリル板等）に表面加工を施し光拡散させるもの等を用いることができるがこれらに限定されない。。なお、導光板にはフィルム状のものも含まれる。なお、導光板２００２は必須の構成ではないので必要に応じて設ければ良い。
【０２４７】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０２４８】
（実施の形態１４）
ユニット毎に発光色を異ならせても良い。
【０２４９】
また、ユニット内において積層された島状エレクトロルミネッセンス層毎に発光色を異ならせても良い。
【０２５０】
さらに、ユニット内において積層された島状エレクトロルミネッセンス層毎に発光色を異ならせ、且つ、ユニット毎に発光色を異ならせても良い。
【０２５１】
このように発光色を異ならせることによって様々な色、様々なマーク等を表現できるので好ましい。
【０２５２】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０２５３】
１０ 基板
２０ 第１の電極
３０ エレクトロルミネッセンス層
４０ 第２の電極
８０ ピンホール
９１ 水分
９２ 水分
１００ 第１の基板
１１０ 第２の基板
２００ 第１の電極
２００ 第１の電極
３００ 中間非導電体層
３１０ 中間非導電体層
４０１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０３ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０４ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０５ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０６ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０７ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０８ 島状エレクトロルミネッセンス層
４０９ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１１ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１２ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１３ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１４ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１５ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１６ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１７ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１８ 島状エレクトロルミネッセンス層
４１９ 島状エレクトロルミネッセンス層
４２１ 島状エレクトロルミネッセンス層
５００ 第２の電極
６００ 保護膜
７０１ 第１のシール材
７０２ 第２のシール材
７０３ 第３のシール材
２００１ 両面射出型光源
２００２ 導光板
２００３ 表示パネル
５０００ 接続部
５００１ 接続部
５００２ 接続部
５００３ 接続部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第１の電極及び前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた中間非導電体層と、
前記中間非導電層上に設けられた複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記中間非導電層及び前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の電極とを有し、
前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層とは対応する位置に配置されていることを特徴とする光源。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積とは異なることを特徴とする光源。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積は、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積よりも大きいことを特徴とする光源。
【請求項４】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第１の電極及び前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第１の中間非導電体層と、
前記第１の中間非導電層上に設けられた複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第１の中間非導電層及び前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の中間非導電体層と、
前記第２の中間非導電層上に設けられた複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第２の中間非導電層及び前記複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の電極とを有し、
前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層とは対応する位置に配置されていることを特徴とする光源。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第３の島状エレクトロルミネッセンス層の面積とは異なることを特徴とする光源。
【請求項６】
請求項４において、
前記第３の島状エレクトロルミネッセンス層の面積は、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積及び前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積よりも大きいことを特徴とする光源。
【請求項７】
一対の電極と、前記一対の電極間に積層して設けられた複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、各島状エレクトロルミネッセンス層を仕切る位置に設けられた少なくとも１つの中間非導電体層と、を備えたユニットを複数有し、
前記一対の電極及び前記少なくとも１つの中間非導電体層は前記ユニット全てに共有されて設けられており、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、前記ユニット毎に別々に設けられていることを特徴とする光源。
【請求項８】
請求項７において、
積層して設けられた前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、全て異なる面積であることを特徴とする光源。
【請求項９】
請求項７において、
前記一対の電極の一方は、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層のうち最上層の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられており、
積層して設けられた前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層のうち、前記最上層の島状エレクトロルミネッセンス層が最も大きい面積を有することを特徴とする光源。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の光源と、
前記光源に対向して設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の光源と、
表示パネルと、
前記光源と前記表示パネルの間に挟まれて設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記光源は、両面射出型光源であることを特徴とする装置。
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第１の電極及び前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた中間非導電体層と、
前記中間非導電層上に設けられた複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記中間非導電層及び前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の電極とを有し、
前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層とは対応する位置に配置されていることを特徴とする光源。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積とは異なることを特徴とする光源。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積は、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積よりも大きいことを特徴とする光源。
【請求項４】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第１の電極及び前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第１の中間非導電体層と、
前記第１の中間非導電層上に設けられた複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第１の中間非導電層及び前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の中間非導電体層と、
前記第２の中間非導電層上に設けられた複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記第２の中間非導電層及び前記複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられた第２の電極とを有し、
前記複数の第１の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第２の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の第３の島状エレクトロルミネッセンス層とは対応する位置に配置されていることを特徴とする光源。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積と、前記第３の島状エレクトロルミネッセンス層の面積とは異なることを特徴とする光源。
【請求項６】
請求項４において、
前記第３の島状エレクトロルミネッセンス層の面積は、前記第１の島状エレクトロルミネッセンス層の面積及び前記第２の島状エレクトロルミネッセンス層の面積よりも大きいことを特徴とする光源。
【請求項７】
一対の電極と、前記一対の電極間に積層して設けられた複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、各島状エレクトロルミネッセンス層を仕切る位置に設けられた少なくとも１つの中間非導電体層と、を備えたユニットを複数有し、
前記一対の電極及び前記少なくとも１つの中間非導電体層は前記ユニット全てに共有されて設けられており、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、前記ユニット毎に別々に設けられていることを特徴とする光源。
【請求項８】
請求項７において、
積層して設けられた前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、全て異なる面積であることを特徴とする光源。
【請求項９】
請求項７において、
前記一対の電極の一方は、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層のうち最上層の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って設けられており、
積層して設けられた前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層のうち、前記最上層の島状エレクトロルミネッセンス層が最も大きい面積を有することを特徴とする光源。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の光源と、
前記光源に対向して設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の光源と、
表示パネルと、
前記光源と前記表示パネルの間に挟まれて設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記光源は、両面射出型光源であることを特徴とする装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【公開番号】特開２０１１−４０３７３（Ｐ２０１１−４０３７３Ａ）
【公開日】平成２３年２月２４日（２０１１．２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５８４３９（Ｐ２０１０−１５８４３９）
【出願日】平成２２年７月１３日（２０１０．７．１３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月２４日（２０１１．２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月１３日（２０１０．７．１３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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