内部欠陥計測方法及び内部欠陥計測装置
【課題】表面に開口を有さない内部き裂等の欠陥をより確実に検出することを可能とする。
【解決手段】被検体の内部の欠陥を検査する際に、周波数を変化させつつ交流磁場を与えることによって被検体に渦電流を生じさせ、渦電流で誘起される誘導磁場の周波数に対する変化に基づいて被検体の欠陥を検出する。
【解決手段】被検体の内部の欠陥を検査する際に、周波数を変化させつつ交流磁場を与えることによって被検体に渦電流を生じさせ、渦電流で誘起される誘導磁場の周波数に対する変化に基づいて被検体の欠陥を検出する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、渦電流を用いた内部欠陥計測方法及び内部欠陥計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
溶接接合等では接合部において凝固割れに起因する欠陥（き裂）が発生することがある。このうち、表面に開口したき裂は、目視、浸透、磁粉探傷等の様々な手法により検出することができる。一方、欠陥には表面に開口しない場合があり、このような場合にはこれらの手法は適用困難となる。そこで、超音波、放射線、電磁気等を用いた非破壊計測技術が開発されている。
【０００３】
超音波を利用した手法では、一般的に接触媒質を介した接触探傷の必要があり、計測対象の表面に前処理が要求される。さらに、溶融・凝固組織によるノイズの影響を受けるので溶接部の欠陥の検出は困難である。
【０００４】
また、Ｘ線に代表される放射線を利用した手法では、放射線の取り扱いに専門的な知識が必要であり、安全管理の面からも様々な制約がある。
【０００５】
電磁気を利用した非破壊計測技術は、非接触計測が可能であり、安全上の問題もなく、比較的簡便に欠陥検出と評価を行うことができる手法である。特許文献１には、非接触計測が可能な漏洩磁束法を改良し、計測対象を通過する磁束に対する欠陥の存在による変化を漏洩磁束としてではなく計測用に設けた磁路に誘導して計測する。これによって、表面開口き裂のみならず内部き裂の検出にも適用可能としている。
【０００６】
また、特許文献２には、渦電流センサを用いて溶接部のき裂等の欠陥の有無を検出する方法が開示されている。ここでは、渦電流のセンサを計測箇所へ再現性よく近接させる技術が開示されている。また、特許文献３には、非接触検査装置において変位検出センサとして渦電流センサを用いる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−４８５５２号公報
【特許文献２】特開２０００−１１１５３０号公報
【特許文献３】特開昭６３−３０８５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
漏洩磁束法では、被測定物に磁束を通してその漏れ磁束を測定するので、被測定物が強磁性体でなければならないという制約がある。
【０００９】
また、渦電流を用いた欠陥検出方法では、被測定物が強磁性体のみならず常磁性体であっても測定が可能である。しかしながら、従来の渦電流を用いた欠陥計測では、検出対象となる内部き裂等の欠陥の表面からの深さや大きさによっては欠陥の検出が困難となる場合があった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、被検体の内部の欠陥を検査するための内部欠陥計測方法であって、周波数を変化させつつ交流磁場を与えることによって前記被検体に渦電流を生じさせ、前記渦電流で誘起される誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥を検出する内部欠陥計測方法である。
【００１１】
上記方法は、被検体の内部の欠陥を検査するための内部欠陥計測装置であって、交流磁場を発生させる励磁コイルと、前記被検体に生ずる渦電流により誘起される誘導磁場を検出する検出コイルと、を備え、前記励磁コイルに流す電流の周波数を変化させつつ前記交流磁場を与えることによって前記被検体に渦電流を生じさせ、その渦電流で誘起される誘導磁場を前記検出コイルで検出し、検出された誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥を検出する内部欠陥計測装置により実現することができる。
【００１２】
ここで、前記周波数は、１０Ｈｚ以上１０ＭＨｚ以下の周波数範囲に含まれる範囲であることが好適である。
【００１３】
また、前記周波数の増加と共に前記誘導磁場が増加する場合に前記被検体に欠陥が存在するものと判定することが好適である。
【００１４】
また、前記誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥の前記被検体の表面から深さ方向プロファイルを求めることが好適である。
【００１５】
また、前記誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥の大きさを求めることが好適である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、表面に開口を有さない内部き裂等の欠陥をより確実に検出することを可能とする内部欠陥計測方法及び内部欠陥計測装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態における内部欠陥計測装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるセンサの構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における測定時のセンサと被測定物との配置を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法で計測される磁束密度の比（渦電流信号比：Ｂｃ／Ｂｏ）の周波数特性を示す図である。
【図６（ａ）】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法で計測される磁束密度の比（渦電流信号比：Ｂｃ／Ｂｏ）の周波数特性を説明する図である。
【図６（ｂ）】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法で計測される磁束密度の比（渦電流信号比：Ｂｃ／Ｂｏ）の周波数特性を説明する図である。
【図６（ｃ）】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法で計測される磁束密度の比（渦電流信号比：Ｂｃ／Ｂｏ）の周波数特性を説明する図である。
【図７】実施例における渦電流信号比の周波数特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜装置構成＞
本発明の実施の形態における内部欠陥計測装置１００は、図１に示すように、センサ２、電流源３、発振器４、渦電流信号計測器５及び制御装置６を含んで構成される。内部欠陥計測装置１００は、図１に示すように、被測定物１の被測定箇所にセンサ２を近接配置させた状態で被測定物１に存在する欠陥（き裂）の検出を行うために用いられる。
【００１９】
センサ２は、被測定物１の被測定箇所に渦電流を発生させ、その渦電流によって２次的に誘導される誘導磁場を計測することによって被測定物１に存在する欠陥を検出するために用いられる。センサ２は、図２に示すように、励磁コイル２ａ及び検出コイル２ｂを組み合わせて構成することができる。
【００２０】
励磁コイル２ａは、後述する電流源３から流される励磁電流によって磁界を発生させる。励磁コイル２ａは、図３に示すように、励磁された磁界によって被測定物１の被測定箇所に渦電流が発生するように配置される。励磁コイル２ａは、導電体を矩形状、円形状等に巻回させて形成することが好適である。例えば、被測定箇所が図３に示すようにＴ字突き当て溶接部である場合等には、２０ｍｍ×２０ｍｍの辺を有し、隅を欠いた略矩形状に形成することが好適である。
【００２１】
検出コイル２ｂは、励磁コイル２ａによって被測定物１に発生した渦電流によって誘導される誘導磁場を測定するように配置される。検出コイル２ｂは、導電体を矩形状、円形状等に巻回させて形成することが好適である。例えば、被測定箇所が図３に示すようにＴ字突き当て溶接部である場合等には、６０μｍ径の導体線を４層重ねて巻回し、内径０．５ｍｍ及び外径０．９８ｍｍの円筒状コイルとなるように形成することが好適である。隅を欠いた矩形状の励磁コイル２ａの巻回方向に沿ってこのような検出コイル２ｂを配置することによって、Ｔ字突き当て溶接部に発生した渦電流によって誘導される誘導磁場を効率的に検出することができる。
【００２２】
なお、励磁コイル２ａ及び検出コイル２ｂは、これらの例に限定されるものではなく、被測定物１に渦電流を効率的に発生させ、渦電流によって誘導される誘導磁場を効率的に測定できる形状、大きさ、配置等であればよい。
【００２３】
電流源３は、発振器４から入力される周波数に同調した周波数の励磁電流を励磁コイル２ａに流すために設けられる。発振器４は、渦電流信号計測器５から検波信号を受けて、検波信号の周波数に応じて周波数を変更しつつ信号を発振出力する。発振器４は、例えば、１０Ｈｚから１０ＭＨｚの周波数範囲で周波数を変更しつつ発振信号を出力する。この信号によって電流源３からの励磁電流の周波数が決定される。
【００２４】
渦電流信号計測器５は、図１に示すように、位相検波器５ａ、アンプ５ｂ、フィルタ５ｃ及び表示装置５ｄを含んで構成される。位相検波器５ａは、ロックインアンプを含んで構成され、検出コイル２ｂに接続される。位相検波器５ａは、発振器４から励磁電流の周波数と同じ周波数の信号を受け、誘導磁場によって検出コイル２ｂに生じた電流のうち励磁電流の周波数と同じ周波数の成分を検波して出力する。位相検波器５ａによって検波された信号は、アンプ５ｂにおいて増幅され、フィルタ５ｃによってノイズ成分等がカットされて表示装置５ｄ、発振器４及び制御装置６へ出力される。表示装置５ｄは、検出された信号の強度等を表示する。
【００２５】
制御装置６は、図１に示すように、アナログ／デジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）６ａ、記録部６ｂ、データ処理部６ｃ及び表示部６ｄを含んで構成される。制御装置６は、一般的なコンピュータで構成することができる。
【００２６】
Ａ／Ｄ変換器６ａは、過電流信号計測器５で検波された信号をデジタル信号へ変換して記録部６ｂ及びデータ処理部６ｃへ送信する。記録部６ｂは、デジタル信号に変換された検波信号のデータを記録及び保持する。記録部６ｂは、半導体メモリ、ハードディスク装置等のデータ記録装置を含んで構成することができる。データ処理部６ｃは、デジタル信号に変換された検波信号を受けて、被測定物１における欠陥の検出処理等を行う。データ処理部６ｃにおける処理については後述する。表示部６ｄは、検波信号のデータやデータ処理部６ｃにおけるデータ処理結果を表示してユーザに呈示する。表示部６ｄは、ディスプレイ装置等で構成することができる。
＜欠陥計測処理＞
【００２７】
以下、内部欠陥計測装置１００を用いた欠陥計測処理について、図４のフローチャートを参照しつつ説明する。以下では、図３に示したＴ字突き当て溶接部材を被測定物１として測定を行う例について説明する。ただし、これに限定されるものではなく、渦電流を生じさせることができる被測定物１であれば同様に欠陥計測を行うことができる。
【００２８】
測定を開始するに先立って、センサ２を被測定物１の被測定箇所に近接させて配置する。センサ２は、励磁コイル２ａによって被測定物１の被測定箇所（例えば溶接部分）及びその近傍に渦電流が発生し、検出コイル２ｂによって渦電流によって誘導された誘導磁界が検出できるように配置する。例えば、被測定物１がＴ字突き当て溶接部材であれば、図３に示すように、励磁コイル２ａの２辺で形成される隅のうち検出コイル２ｂが配置されている隅を溶接箇所１ａに近接させ、その隅を形成する励磁コイル２ａの隣り合う２辺が被測定物１を構成する２つの部材（底板１ｂ及び立て板１ｃ）の面に沿うよう励磁コイル２ａを配置することが好適である。
【００２９】
このとき、励磁コイル２ａは、隣り合う２つのコイル辺で形成される角度が被測定物１の突き当てられた２つの部材（底板１ｂ及び立て板１ｃ）で形成される角度（９０°）と略等しくなるように形成することが好適である。これによって、突き当てられた両部材に励磁コイル２ａを近接して配置することができ、被測定箇所（溶接箇所１ａ）を跨いで両部材に亘って渦電流を効率的に生じさせることができる。また、被測定箇所（溶接箇所１ａ）から十分に離れた位置まで励磁コイル２ａの各辺を延伸させることによって、両部材（底板１ｂ及び立て板１ｃ）の被測定箇所（溶接箇所１ａ）から十分に離れた位置まで渦電流を生じさせることができる。
【００３０】
ステップＳ１では、計測の初期設定が行われる。ここでは、計測の開始周波数、停止周波数、周波数間隔及び励磁電流値を含む計測に関する設定が行われる。以下の説明では、開始周波数は停止周波数よりも小さい値とし、周波数を徐々に増加させつつ計測を行う態様を説明する。ただし、これに限定されるものではなく、開始周波数を停止周波数よりも大きな値とし、周波数を徐々に低減させつつ計測を行ってもよい。
【００３１】
ステップＳ２では、開始周波数が発振器４に設定される。これにより、発振器４は、開始周波数を有する発振信号を電流源３及び渦電流信号計測器５へ出力する。
【００３２】
ステップＳ３では、励磁コイル２ａに励磁電流が印加される。電流源３は、発振器４からの発振信号を受けて、発振信号の周波数と同じ周波数の励磁電流を励磁コイル２ａに流す。励磁電流の大きさはステップＳ１において設定された励磁電流値となるように調整される。これによって、被測定箇所を跨いで被測定物１に渦電流が発生する。
【００３３】
ステップＳ４では、渦電流によって誘導された誘導磁場の測定が行われる。被測定物１に流れる渦電流によって誘導された誘導磁場によって、被測定箇所の近傍に配置された検出コイル２ｂに誘導電流が生ずる。渦電流信号計測器５は、検出コイル２ｂに生ずるこの誘導電流を計測する。位相検波器５ａでは誘導電流のうち発振器４から出力されている周波数に一致する周波数を有する成分を抽出する。検波された信号は、アンプ５ｂ及びフィルタ５ｃを介して表示装置５ｄ、発振器４及び制御装置６へ出力される。
【００３４】
表示装置５ｄでは、検波信号を示す情報がユーザに対して表示される。制御装置６では、Ａ／Ｄ変換器６ａにより検波信号がデジタル化され、記録部６ｂに順次格納及び保持される。
【００３５】
ステップＳ５では、次の周波数が発振器４に設定される。発振器４は、現在設定されている周波数からステップＳ１で設定された周波数間隔だけ周波数を増加させて次の計測のための周波数を設定する。
【００３６】
周波数間隔は、例えば、現在の周波数を２倍とする間隔とすることができる。例えば、現在の周波数が１０Ｈｚであれば、次の周波数は２０Ｈｚとし、さらに次の周波数は４０Ｈｚとするように周波数間隔を設定する。ただし、これに限定されず、周波数間隔は、計測を行う周波数範囲、欠陥の計測に必要とされる精度、計測時間の制限等に応じて適宜設定すればよい。
【００３７】
ステップＳ６では、励磁コイル２ａに励磁電流が印加される。ステップＳ６は、ステップＳ３と同様に行われる。すなわち、電流源３は、発振器４からの発振信号を受けて、発振信号の周波数と同じ周波数の励磁電流を励磁コイル２ａに流す。
【００３８】
ステップＳ７では、渦電流によって誘導された誘導磁場の測定が行われる。ステップＳ７は、ステップＳ４と同様に行われる。すなわち、被測定物１に流れる渦電流によって誘導された誘導磁場が検出コイル２ｂによって計測され、その計測結果が表示装置５ｄ、発振器４及び制御装置６へ出力される。
【００３９】
ステップＳ８では、現在の周波数が停止周波数に到達したか否かが判断される。発振器４は、現在の発振信号の周波数がステップＳ１で設定された停止周波数に到達していなければステップＳ５へ処理を戻して次の周波数を設定し、そうでなければ処理をステップＳ９へ移行させる。
【００４０】
ステップＳ９では、渦電流によって誘導された誘導磁場の計測結果から、渦電流と周波数との相関関係を求める。制御装置６のデータ処理部６ｃは、図５に示すように、横軸を周波数（対数表示）、縦軸を渦電流信号比とした相関関係を求める。ここで、渦電流の大きさは誘導磁場の磁束の計測値に比例するものとし、渦電流信号比は、実際の誘導磁場の磁束の測定値（Ｂｃ）を内部欠陥（き裂）がない場合の誘導磁場の磁束の値（Ｂｏ）で除算した値（Ｂｃ／Ｂｏ）である。ここで、内部欠陥（き裂）がない場合の誘導磁場の磁束の値（Ｂｏ）は、シミュレーションで算出した値を用いてもよいし、内部欠陥（き裂）がないことが明確である被測定物１を同一の条件で実際に測定した結果として得られた誘導磁場の磁束の測定値を用いてもよい。
【００４１】
ステップＳ１０では、渦電流信号比の上昇がみられるか否かが判定される。制御装置６のデータ処理部６ｃは、ステップＳ９で得られた渦電流と周波数との相関関係において、周波数の増加に伴う渦電流信号比の増加の有無を判断し、渦電流信号比の上昇がみられればステップＳ１１に処理を移行させ、そうでなければステップＳ１２に処理を移行させる。
【００４２】
図６は、有限要素法を適用した数値解析によって、内部き裂の有無による誘導電流密度（渦電流密度）の周波数特性を算出した結果を示す。図６（ｂ）は、図６（ａ）にハッチングを施して示した断面上において、内部き裂が無い場合の各周波数（１０Ｈｚ，１０００Ｈｚ，１０００００Ｈｚ）に対する誘導電流密度の面内分布を算出した結果を示している。図６（ｃ）は、図６（ａ）にハッチングを施して示した断面上において、内部き裂が有る場合の各周波数（１０Ｈｚ，１０００Ｈｚ，１０００００Ｈｚ）に対する誘導電流密度の面内分布を算出した結果を示している。
【００４３】
図６（ｂ）に示されるように、内部き裂が無い場合、誘導電流は周波数に応じた表皮深さで被測定物１の励磁コイル側の表層に集中して流れる。一方、図６（ｃ）に示されるように、内部き裂が有る場合、低周波数（１０Ｈｚ）では、誘導電流の一部が被測定物１の表層から離れた内部き裂の先端を迂回して流れる。また、中周波数（１０００Ｈｚ）では、内部き裂を迂回して誘導電流が被測定物１の表層側に集中して流れる。さらに、高周波数（１０００００Ｈｚ）では、表皮深さが内部き裂の存在する深さよりも十分に小さいため、誘導電流は内部き裂の有無に無関係に被測定物１の表層側を流れる。
【００４４】
すなわち、（１）渦電流が内部欠陥（き裂）の最深部以上に浸透する低周波数領域では、渦電流の一部は内部欠陥（き裂）の最深部を迂回して流れ、検出コイル２ｂの周辺の電流密度は低下し、内部き裂が無い同一形状の被測定物１に対して内部き裂が有る被測定物１の渦電流信号（誘導磁場）は小さくなる。（２）渦電流が計測面から内部欠陥（き裂）の存在する深さまで浸透する中周波数領域では、渦電流は表面と内部欠陥（き裂）との間に集中して流れ、内部き裂が無い同一形状の被測定物１に対して内部き裂が有る被測定物１では検出コイル２ｂ近傍の渦電流の密度は増加し、渦電流信号（誘導磁場）は大きくなる。（３）渦電流が計測面から内部欠陥（き裂）までの間のみに浸透する高周波数領域では、表皮効果により渦電流は内部欠陥（き裂）の影響を受けることなく被測定物１の表層を流れ、渦電流信号（誘導磁場）は内部欠陥（き裂）の有無に無関係となる。
【００４５】
このような傾向から、内部欠陥（き裂）が存在する被測定物１の計測値を内部欠陥（き裂）が存在しない被測定物１の計測値（又はシミュレーション値）で規格化した渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）は、低周波数から高周波数へと周波数を変化させた場合に被測定物１の表面から内部欠陥（き裂）までの距離に対応する周波数でピークを示した後、一定値に収束する。渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）は、被測定物１の表面から内部欠陥（き裂）までの距離によって最大値（ピーク）を示す周波数が異なる。すなわち、被測定物１の表面から内部欠陥（き裂）までの距離が大きくなるにつれてより低い周波数でピークを示し、それより高い周波数では１に収束する。
【００４６】
一方、内部欠陥（き裂）が存在しない場合には、渦電流信号比は周波数に対して変化しないので、渦電流と周波数との相関関係から内部欠陥（き裂）の有無を知ることができる。
【００４７】
また、渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）の変化の様子から内部欠陥の大きさを求めることもできる。すなわち、渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）が１からずれる周波数帯域が広いほど内部欠陥（き裂）はより広い範囲に広がって存在していると判断することができる。
【００４８】
なお、実際の計測では、溶接部の形状、内部欠陥の形状・大きさ等の違いにより渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）が必ずしも１に収束しない場合もある。
【００４９】
ステップＳ１１では、内部欠陥（き裂）が存在するものとして処理を行う。例えば、内部欠陥（き裂）が存在することを示す情報を制御装置６の表示部６ｄに表示させる。また、上記処理での計測結果を表示部６ｄに表示させる。
【００５０】
ステップＳ１２では、内部欠陥（き裂）が存在しないものして処理を行う。例えば、内部欠陥（き裂）が存在しないことを示す情報を制御装置６の表示部６ｄに表示させる。また、上記処理での計測結果を表示部６ｄに表示させる。
＜実施例＞
【００５１】
上記の内部欠陥計測方法を適用してＴ字突き当て溶接試験片に対する内部欠陥の計測を行った。各試験片は、底板１ｂに対して立て板１ｃを突き当てて溶接してものであり、溶接条件から約８０％の確率で内部き裂が発生しているものと考えられるものを用いた。ここでは、４つの試験片１〜４について計測を行った。
【００５２】
図７は、試験辺１〜４について内部欠陥の計測を行った結果を示す。図７の横軸は励磁電流の周波数を示し、縦軸は渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）を示している。なお、内部欠陥（き裂）がない場合の誘導磁場の磁束の値（Ｂｏ）は、内部欠陥（き裂）を生じないことが明確である溶接条件にて溶接を行った比較物を同一の条件で実際に測定した値を用いた。
【００５３】
試験片２及び４に対する渦電流信号比は、周波数と共に上昇を示しており、内部欠陥（き裂）が存在していると判断できる。また、試験片２及び４については、周波数の増加と共に渦電流信号比が減少し収束する傾向を示していないことから、数値解析で検討したモデルよりも試験片の表面から内部欠陥までの距離が小さいと推察される。
【００５４】
一方、試験片１及び３に対する渦電流信号比は、周波数と共に上昇を示さず、総ての周波数帯域において略一定となっており、内部欠陥（き裂）が存在していないと判断できる。なお、試験片１では渦電流信号比は常に１を超え、試験片３では常に１より小さいが、これらは比較物との溶接部の形状の違いに起因するものと推察される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、渦電流を用いた内部欠陥計測方法及び内部欠陥計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
溶接接合等では接合部において凝固割れに起因する欠陥（き裂）が発生することがある。このうち、表面に開口したき裂は、目視、浸透、磁粉探傷等の様々な手法により検出することができる。一方、欠陥には表面に開口しない場合があり、このような場合にはこれらの手法は適用困難となる。そこで、超音波、放射線、電磁気等を用いた非破壊計測技術が開発されている。
【０００３】
超音波を利用した手法では、一般的に接触媒質を介した接触探傷の必要があり、計測対象の表面に前処理が要求される。さらに、溶融・凝固組織によるノイズの影響を受けるので溶接部の欠陥の検出は困難である。
【０００４】
また、Ｘ線に代表される放射線を利用した手法では、放射線の取り扱いに専門的な知識が必要であり、安全管理の面からも様々な制約がある。
【０００５】
電磁気を利用した非破壊計測技術は、非接触計測が可能であり、安全上の問題もなく、比較的簡便に欠陥検出と評価を行うことができる手法である。特許文献１には、非接触計測が可能な漏洩磁束法を改良し、計測対象を通過する磁束に対する欠陥の存在による変化を漏洩磁束としてではなく計測用に設けた磁路に誘導して計測する。これによって、表面開口き裂のみならず内部き裂の検出にも適用可能としている。
【０００６】
また、特許文献２には、渦電流センサを用いて溶接部のき裂等の欠陥の有無を検出する方法が開示されている。ここでは、渦電流のセンサを計測箇所へ再現性よく近接させる技術が開示されている。また、特許文献３には、非接触検査装置において変位検出センサとして渦電流センサを用いる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−４８５５２号公報
【特許文献２】特開２０００−１１１５３０号公報
【特許文献３】特開昭６３−３０８５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
漏洩磁束法では、被測定物に磁束を通してその漏れ磁束を測定するので、被測定物が強磁性体でなければならないという制約がある。
【０００９】
また、渦電流を用いた欠陥検出方法では、被測定物が強磁性体のみならず常磁性体であっても測定が可能である。しかしながら、従来の渦電流を用いた欠陥計測では、検出対象となる内部き裂等の欠陥の表面からの深さや大きさによっては欠陥の検出が困難となる場合があった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、被検体の内部の欠陥を検査するための内部欠陥計測方法であって、周波数を変化させつつ交流磁場を与えることによって前記被検体に渦電流を生じさせ、前記渦電流で誘起される誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥を検出する内部欠陥計測方法である。
【００１１】
上記方法は、被検体の内部の欠陥を検査するための内部欠陥計測装置であって、交流磁場を発生させる励磁コイルと、前記被検体に生ずる渦電流により誘起される誘導磁場を検出する検出コイルと、を備え、前記励磁コイルに流す電流の周波数を変化させつつ前記交流磁場を与えることによって前記被検体に渦電流を生じさせ、その渦電流で誘起される誘導磁場を前記検出コイルで検出し、検出された誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥を検出する内部欠陥計測装置により実現することができる。
【００１２】
ここで、前記周波数は、１０Ｈｚ以上１０ＭＨｚ以下の周波数範囲に含まれる範囲であることが好適である。
【００１３】
また、前記周波数の増加と共に前記誘導磁場が増加する場合に前記被検体に欠陥が存在するものと判定することが好適である。
【００１４】
また、前記誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥の前記被検体の表面から深さ方向プロファイルを求めることが好適である。
【００１５】
また、前記誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥の大きさを求めることが好適である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、表面に開口を有さない内部き裂等の欠陥をより確実に検出することを可能とする内部欠陥計測方法及び内部欠陥計測装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態における内部欠陥計測装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるセンサの構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における測定時のセンサと被測定物との配置を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法で計測される磁束密度の比（渦電流信号比：Ｂｃ／Ｂｏ）の周波数特性を示す図である。
【図６（ａ）】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法で計測される磁束密度の比（渦電流信号比：Ｂｃ／Ｂｏ）の周波数特性を説明する図である。
【図６（ｂ）】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法で計測される磁束密度の比（渦電流信号比：Ｂｃ／Ｂｏ）の周波数特性を説明する図である。
【図６（ｃ）】本発明の実施の形態における内部欠陥計測方法で計測される磁束密度の比（渦電流信号比：Ｂｃ／Ｂｏ）の周波数特性を説明する図である。
【図７】実施例における渦電流信号比の周波数特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜装置構成＞
本発明の実施の形態における内部欠陥計測装置１００は、図１に示すように、センサ２、電流源３、発振器４、渦電流信号計測器５及び制御装置６を含んで構成される。内部欠陥計測装置１００は、図１に示すように、被測定物１の被測定箇所にセンサ２を近接配置させた状態で被測定物１に存在する欠陥（き裂）の検出を行うために用いられる。
【００１９】
センサ２は、被測定物１の被測定箇所に渦電流を発生させ、その渦電流によって２次的に誘導される誘導磁場を計測することによって被測定物１に存在する欠陥を検出するために用いられる。センサ２は、図２に示すように、励磁コイル２ａ及び検出コイル２ｂを組み合わせて構成することができる。
【００２０】
励磁コイル２ａは、後述する電流源３から流される励磁電流によって磁界を発生させる。励磁コイル２ａは、図３に示すように、励磁された磁界によって被測定物１の被測定箇所に渦電流が発生するように配置される。励磁コイル２ａは、導電体を矩形状、円形状等に巻回させて形成することが好適である。例えば、被測定箇所が図３に示すようにＴ字突き当て溶接部である場合等には、２０ｍｍ×２０ｍｍの辺を有し、隅を欠いた略矩形状に形成することが好適である。
【００２１】
検出コイル２ｂは、励磁コイル２ａによって被測定物１に発生した渦電流によって誘導される誘導磁場を測定するように配置される。検出コイル２ｂは、導電体を矩形状、円形状等に巻回させて形成することが好適である。例えば、被測定箇所が図３に示すようにＴ字突き当て溶接部である場合等には、６０μｍ径の導体線を４層重ねて巻回し、内径０．５ｍｍ及び外径０．９８ｍｍの円筒状コイルとなるように形成することが好適である。隅を欠いた矩形状の励磁コイル２ａの巻回方向に沿ってこのような検出コイル２ｂを配置することによって、Ｔ字突き当て溶接部に発生した渦電流によって誘導される誘導磁場を効率的に検出することができる。
【００２２】
なお、励磁コイル２ａ及び検出コイル２ｂは、これらの例に限定されるものではなく、被測定物１に渦電流を効率的に発生させ、渦電流によって誘導される誘導磁場を効率的に測定できる形状、大きさ、配置等であればよい。
【００２３】
電流源３は、発振器４から入力される周波数に同調した周波数の励磁電流を励磁コイル２ａに流すために設けられる。発振器４は、渦電流信号計測器５から検波信号を受けて、検波信号の周波数に応じて周波数を変更しつつ信号を発振出力する。発振器４は、例えば、１０Ｈｚから１０ＭＨｚの周波数範囲で周波数を変更しつつ発振信号を出力する。この信号によって電流源３からの励磁電流の周波数が決定される。
【００２４】
渦電流信号計測器５は、図１に示すように、位相検波器５ａ、アンプ５ｂ、フィルタ５ｃ及び表示装置５ｄを含んで構成される。位相検波器５ａは、ロックインアンプを含んで構成され、検出コイル２ｂに接続される。位相検波器５ａは、発振器４から励磁電流の周波数と同じ周波数の信号を受け、誘導磁場によって検出コイル２ｂに生じた電流のうち励磁電流の周波数と同じ周波数の成分を検波して出力する。位相検波器５ａによって検波された信号は、アンプ５ｂにおいて増幅され、フィルタ５ｃによってノイズ成分等がカットされて表示装置５ｄ、発振器４及び制御装置６へ出力される。表示装置５ｄは、検出された信号の強度等を表示する。
【００２５】
制御装置６は、図１に示すように、アナログ／デジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）６ａ、記録部６ｂ、データ処理部６ｃ及び表示部６ｄを含んで構成される。制御装置６は、一般的なコンピュータで構成することができる。
【００２６】
Ａ／Ｄ変換器６ａは、過電流信号計測器５で検波された信号をデジタル信号へ変換して記録部６ｂ及びデータ処理部６ｃへ送信する。記録部６ｂは、デジタル信号に変換された検波信号のデータを記録及び保持する。記録部６ｂは、半導体メモリ、ハードディスク装置等のデータ記録装置を含んで構成することができる。データ処理部６ｃは、デジタル信号に変換された検波信号を受けて、被測定物１における欠陥の検出処理等を行う。データ処理部６ｃにおける処理については後述する。表示部６ｄは、検波信号のデータやデータ処理部６ｃにおけるデータ処理結果を表示してユーザに呈示する。表示部６ｄは、ディスプレイ装置等で構成することができる。
＜欠陥計測処理＞
【００２７】
以下、内部欠陥計測装置１００を用いた欠陥計測処理について、図４のフローチャートを参照しつつ説明する。以下では、図３に示したＴ字突き当て溶接部材を被測定物１として測定を行う例について説明する。ただし、これに限定されるものではなく、渦電流を生じさせることができる被測定物１であれば同様に欠陥計測を行うことができる。
【００２８】
測定を開始するに先立って、センサ２を被測定物１の被測定箇所に近接させて配置する。センサ２は、励磁コイル２ａによって被測定物１の被測定箇所（例えば溶接部分）及びその近傍に渦電流が発生し、検出コイル２ｂによって渦電流によって誘導された誘導磁界が検出できるように配置する。例えば、被測定物１がＴ字突き当て溶接部材であれば、図３に示すように、励磁コイル２ａの２辺で形成される隅のうち検出コイル２ｂが配置されている隅を溶接箇所１ａに近接させ、その隅を形成する励磁コイル２ａの隣り合う２辺が被測定物１を構成する２つの部材（底板１ｂ及び立て板１ｃ）の面に沿うよう励磁コイル２ａを配置することが好適である。
【００２９】
このとき、励磁コイル２ａは、隣り合う２つのコイル辺で形成される角度が被測定物１の突き当てられた２つの部材（底板１ｂ及び立て板１ｃ）で形成される角度（９０°）と略等しくなるように形成することが好適である。これによって、突き当てられた両部材に励磁コイル２ａを近接して配置することができ、被測定箇所（溶接箇所１ａ）を跨いで両部材に亘って渦電流を効率的に生じさせることができる。また、被測定箇所（溶接箇所１ａ）から十分に離れた位置まで励磁コイル２ａの各辺を延伸させることによって、両部材（底板１ｂ及び立て板１ｃ）の被測定箇所（溶接箇所１ａ）から十分に離れた位置まで渦電流を生じさせることができる。
【００３０】
ステップＳ１では、計測の初期設定が行われる。ここでは、計測の開始周波数、停止周波数、周波数間隔及び励磁電流値を含む計測に関する設定が行われる。以下の説明では、開始周波数は停止周波数よりも小さい値とし、周波数を徐々に増加させつつ計測を行う態様を説明する。ただし、これに限定されるものではなく、開始周波数を停止周波数よりも大きな値とし、周波数を徐々に低減させつつ計測を行ってもよい。
【００３１】
ステップＳ２では、開始周波数が発振器４に設定される。これにより、発振器４は、開始周波数を有する発振信号を電流源３及び渦電流信号計測器５へ出力する。
【００３２】
ステップＳ３では、励磁コイル２ａに励磁電流が印加される。電流源３は、発振器４からの発振信号を受けて、発振信号の周波数と同じ周波数の励磁電流を励磁コイル２ａに流す。励磁電流の大きさはステップＳ１において設定された励磁電流値となるように調整される。これによって、被測定箇所を跨いで被測定物１に渦電流が発生する。
【００３３】
ステップＳ４では、渦電流によって誘導された誘導磁場の測定が行われる。被測定物１に流れる渦電流によって誘導された誘導磁場によって、被測定箇所の近傍に配置された検出コイル２ｂに誘導電流が生ずる。渦電流信号計測器５は、検出コイル２ｂに生ずるこの誘導電流を計測する。位相検波器５ａでは誘導電流のうち発振器４から出力されている周波数に一致する周波数を有する成分を抽出する。検波された信号は、アンプ５ｂ及びフィルタ５ｃを介して表示装置５ｄ、発振器４及び制御装置６へ出力される。
【００３４】
表示装置５ｄでは、検波信号を示す情報がユーザに対して表示される。制御装置６では、Ａ／Ｄ変換器６ａにより検波信号がデジタル化され、記録部６ｂに順次格納及び保持される。
【００３５】
ステップＳ５では、次の周波数が発振器４に設定される。発振器４は、現在設定されている周波数からステップＳ１で設定された周波数間隔だけ周波数を増加させて次の計測のための周波数を設定する。
【００３６】
周波数間隔は、例えば、現在の周波数を２倍とする間隔とすることができる。例えば、現在の周波数が１０Ｈｚであれば、次の周波数は２０Ｈｚとし、さらに次の周波数は４０Ｈｚとするように周波数間隔を設定する。ただし、これに限定されず、周波数間隔は、計測を行う周波数範囲、欠陥の計測に必要とされる精度、計測時間の制限等に応じて適宜設定すればよい。
【００３７】
ステップＳ６では、励磁コイル２ａに励磁電流が印加される。ステップＳ６は、ステップＳ３と同様に行われる。すなわち、電流源３は、発振器４からの発振信号を受けて、発振信号の周波数と同じ周波数の励磁電流を励磁コイル２ａに流す。
【００３８】
ステップＳ７では、渦電流によって誘導された誘導磁場の測定が行われる。ステップＳ７は、ステップＳ４と同様に行われる。すなわち、被測定物１に流れる渦電流によって誘導された誘導磁場が検出コイル２ｂによって計測され、その計測結果が表示装置５ｄ、発振器４及び制御装置６へ出力される。
【００３９】
ステップＳ８では、現在の周波数が停止周波数に到達したか否かが判断される。発振器４は、現在の発振信号の周波数がステップＳ１で設定された停止周波数に到達していなければステップＳ５へ処理を戻して次の周波数を設定し、そうでなければ処理をステップＳ９へ移行させる。
【００４０】
ステップＳ９では、渦電流によって誘導された誘導磁場の計測結果から、渦電流と周波数との相関関係を求める。制御装置６のデータ処理部６ｃは、図５に示すように、横軸を周波数（対数表示）、縦軸を渦電流信号比とした相関関係を求める。ここで、渦電流の大きさは誘導磁場の磁束の計測値に比例するものとし、渦電流信号比は、実際の誘導磁場の磁束の測定値（Ｂｃ）を内部欠陥（き裂）がない場合の誘導磁場の磁束の値（Ｂｏ）で除算した値（Ｂｃ／Ｂｏ）である。ここで、内部欠陥（き裂）がない場合の誘導磁場の磁束の値（Ｂｏ）は、シミュレーションで算出した値を用いてもよいし、内部欠陥（き裂）がないことが明確である被測定物１を同一の条件で実際に測定した結果として得られた誘導磁場の磁束の測定値を用いてもよい。
【００４１】
ステップＳ１０では、渦電流信号比の上昇がみられるか否かが判定される。制御装置６のデータ処理部６ｃは、ステップＳ９で得られた渦電流と周波数との相関関係において、周波数の増加に伴う渦電流信号比の増加の有無を判断し、渦電流信号比の上昇がみられればステップＳ１１に処理を移行させ、そうでなければステップＳ１２に処理を移行させる。
【００４２】
図６は、有限要素法を適用した数値解析によって、内部き裂の有無による誘導電流密度（渦電流密度）の周波数特性を算出した結果を示す。図６（ｂ）は、図６（ａ）にハッチングを施して示した断面上において、内部き裂が無い場合の各周波数（１０Ｈｚ，１０００Ｈｚ，１０００００Ｈｚ）に対する誘導電流密度の面内分布を算出した結果を示している。図６（ｃ）は、図６（ａ）にハッチングを施して示した断面上において、内部き裂が有る場合の各周波数（１０Ｈｚ，１０００Ｈｚ，１０００００Ｈｚ）に対する誘導電流密度の面内分布を算出した結果を示している。
【００４３】
図６（ｂ）に示されるように、内部き裂が無い場合、誘導電流は周波数に応じた表皮深さで被測定物１の励磁コイル側の表層に集中して流れる。一方、図６（ｃ）に示されるように、内部き裂が有る場合、低周波数（１０Ｈｚ）では、誘導電流の一部が被測定物１の表層から離れた内部き裂の先端を迂回して流れる。また、中周波数（１０００Ｈｚ）では、内部き裂を迂回して誘導電流が被測定物１の表層側に集中して流れる。さらに、高周波数（１０００００Ｈｚ）では、表皮深さが内部き裂の存在する深さよりも十分に小さいため、誘導電流は内部き裂の有無に無関係に被測定物１の表層側を流れる。
【００４４】
すなわち、（１）渦電流が内部欠陥（き裂）の最深部以上に浸透する低周波数領域では、渦電流の一部は内部欠陥（き裂）の最深部を迂回して流れ、検出コイル２ｂの周辺の電流密度は低下し、内部き裂が無い同一形状の被測定物１に対して内部き裂が有る被測定物１の渦電流信号（誘導磁場）は小さくなる。（２）渦電流が計測面から内部欠陥（き裂）の存在する深さまで浸透する中周波数領域では、渦電流は表面と内部欠陥（き裂）との間に集中して流れ、内部き裂が無い同一形状の被測定物１に対して内部き裂が有る被測定物１では検出コイル２ｂ近傍の渦電流の密度は増加し、渦電流信号（誘導磁場）は大きくなる。（３）渦電流が計測面から内部欠陥（き裂）までの間のみに浸透する高周波数領域では、表皮効果により渦電流は内部欠陥（き裂）の影響を受けることなく被測定物１の表層を流れ、渦電流信号（誘導磁場）は内部欠陥（き裂）の有無に無関係となる。
【００４５】
このような傾向から、内部欠陥（き裂）が存在する被測定物１の計測値を内部欠陥（き裂）が存在しない被測定物１の計測値（又はシミュレーション値）で規格化した渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）は、低周波数から高周波数へと周波数を変化させた場合に被測定物１の表面から内部欠陥（き裂）までの距離に対応する周波数でピークを示した後、一定値に収束する。渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）は、被測定物１の表面から内部欠陥（き裂）までの距離によって最大値（ピーク）を示す周波数が異なる。すなわち、被測定物１の表面から内部欠陥（き裂）までの距離が大きくなるにつれてより低い周波数でピークを示し、それより高い周波数では１に収束する。
【００４６】
一方、内部欠陥（き裂）が存在しない場合には、渦電流信号比は周波数に対して変化しないので、渦電流と周波数との相関関係から内部欠陥（き裂）の有無を知ることができる。
【００４７】
また、渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）の変化の様子から内部欠陥の大きさを求めることもできる。すなわち、渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）が１からずれる周波数帯域が広いほど内部欠陥（き裂）はより広い範囲に広がって存在していると判断することができる。
【００４８】
なお、実際の計測では、溶接部の形状、内部欠陥の形状・大きさ等の違いにより渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）が必ずしも１に収束しない場合もある。
【００４９】
ステップＳ１１では、内部欠陥（き裂）が存在するものとして処理を行う。例えば、内部欠陥（き裂）が存在することを示す情報を制御装置６の表示部６ｄに表示させる。また、上記処理での計測結果を表示部６ｄに表示させる。
【００５０】
ステップＳ１２では、内部欠陥（き裂）が存在しないものして処理を行う。例えば、内部欠陥（き裂）が存在しないことを示す情報を制御装置６の表示部６ｄに表示させる。また、上記処理での計測結果を表示部６ｄに表示させる。
＜実施例＞
【００５１】
上記の内部欠陥計測方法を適用してＴ字突き当て溶接試験片に対する内部欠陥の計測を行った。各試験片は、底板１ｂに対して立て板１ｃを突き当てて溶接してものであり、溶接条件から約８０％の確率で内部き裂が発生しているものと考えられるものを用いた。ここでは、４つの試験片１〜４について計測を行った。
【００５２】
図７は、試験辺１〜４について内部欠陥の計測を行った結果を示す。図７の横軸は励磁電流の周波数を示し、縦軸は渦電流信号比（Ｂｃ／Ｂｏ）を示している。なお、内部欠陥（き裂）がない場合の誘導磁場の磁束の値（Ｂｏ）は、内部欠陥（き裂）を生じないことが明確である溶接条件にて溶接を行った比較物を同一の条件で実際に測定した値を用いた。
【００５３】
試験片２及び４に対する渦電流信号比は、周波数と共に上昇を示しており、内部欠陥（き裂）が存在していると判断できる。また、試験片２及び４については、周波数の増加と共に渦電流信号比が減少し収束する傾向を示していないことから、数値解析で検討したモデルよりも試験片の表面から内部欠陥までの距離が小さいと推察される。
【００５４】
一方、試験片１及び３に対する渦電流信号比は、周波数と共に上昇を示さず、総ての周波数帯域において略一定となっており、内部欠陥（き裂）が存在していないと判断できる。なお、試験片１では渦電流信号比は常に１を超え、試験片３では常に１より小さいが、これらは比較物との溶接部の形状の違いに起因するものと推察される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の内部の欠陥を検査するための内部欠陥計測方法であって、
周波数を変化させつつ交流磁場を与えることによって前記被検体に渦電流を生じさせ、前記渦電流で誘起される誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥を検出する内部欠陥計測方法。
【請求項２】
請求項１に記載の内部欠陥計測方法であって、
前記周波数は、１０Ｈｚ以上１０ＭＨｚ以下の周波数範囲に含まれる範囲であることを特徴とする内部欠陥計測方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の内部欠陥計測方法であって、
前記周波数の増加と共に前記誘導磁場が増加する場合に前記被検体に欠陥が存在するものと判定することを特徴とする内部欠陥計測方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の内部欠陥計測方法であって、
前記誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥の前記被検体の表面から深さ方向プロファイルを求めることを特徴とする内部欠陥計測方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の内部欠陥計測方法であって、
前記誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥の大きさを求めることを特徴とする内部欠陥計測方法。
【請求項６】
被検体の内部の欠陥を検査するための内部欠陥計測装置であって、
交流磁場を発生させる励磁コイルと、
前記被検体に生ずる渦電流により誘起される誘導磁場を検出する検出コイルと、
を備え、
前記励磁コイルに流す電流の周波数を変化させつつ前記交流磁場を与えることによって前記被検体に渦電流を生じさせ、その渦電流で誘起される誘導磁場を前記検出コイルで検出し、検出された誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥を検出する内部欠陥計測装置。
【請求項１】
被検体の内部の欠陥を検査するための内部欠陥計測方法であって、
周波数を変化させつつ交流磁場を与えることによって前記被検体に渦電流を生じさせ、前記渦電流で誘起される誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥を検出する内部欠陥計測方法。
【請求項２】
請求項１に記載の内部欠陥計測方法であって、
前記周波数は、１０Ｈｚ以上１０ＭＨｚ以下の周波数範囲に含まれる範囲であることを特徴とする内部欠陥計測方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の内部欠陥計測方法であって、
前記周波数の増加と共に前記誘導磁場が増加する場合に前記被検体に欠陥が存在するものと判定することを特徴とする内部欠陥計測方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の内部欠陥計測方法であって、
前記誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥の前記被検体の表面から深さ方向プロファイルを求めることを特徴とする内部欠陥計測方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の内部欠陥計測方法であって、
前記誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥の大きさを求めることを特徴とする内部欠陥計測方法。
【請求項６】
被検体の内部の欠陥を検査するための内部欠陥計測装置であって、
交流磁場を発生させる励磁コイルと、
前記被検体に生ずる渦電流により誘起される誘導磁場を検出する検出コイルと、
を備え、
前記励磁コイルに流す電流の周波数を変化させつつ前記交流磁場を与えることによって前記被検体に渦電流を生じさせ、その渦電流で誘起される誘導磁場を前記検出コイルで検出し、検出された誘導磁場の前記周波数に対する変化に基づいて前記被検体の欠陥を検出する内部欠陥計測装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６（ａ）】
【図６（ｂ）】
【図６（ｃ）】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６（ａ）】
【図６（ｂ）】
【図６（ｃ）】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−１１２８６８（Ｐ２０１２−１１２８６８Ａ）
【公開日】平成２４年６月１４日（２０１２．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２６３４１４（Ｐ２０１０−２６３４１４）
【出願日】平成２２年１１月２６日（２０１０．１１．２６）
【出願人】（０００００３６０９）株式会社豊田中央研究所 (4,200)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月１４日（２０１２．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月２６日（２０１０．１１．２６）
【出願人】（０００００３６０９）株式会社豊田中央研究所 (4,200)
【Ｆターム（参考）】
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