半導体情報処理装置
【課題】ライトプロテクト機能のない不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置において、不揮発性のソフトウェアライトプロテクトが可能な不揮発性メモリおよびそれを用いたシステム技術を提供する。
【解決手段】不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを用いたＦｌａｓｈメモリカード１であって、一括電気的消去および書き込み可能なＦｌａｓｈメモリ２と、電源投入時のパワーオンリセット信号を発生するリセットＩＣ３と、これらのデバイス間のコントロールとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラ４とから構成され、Ｆｌａｓｈメモリ２には、ライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトするライトプロテクト保存レジスタ５がアトリビュート領域で設定され、システムからプロテクト範囲が設定されるようになっている。
【解決手段】不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを用いたＦｌａｓｈメモリカード１であって、一括電気的消去および書き込み可能なＦｌａｓｈメモリ２と、電源投入時のパワーオンリセット信号を発生するリセットＩＣ３と、これらのデバイス間のコントロールとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラ４とから構成され、Ｆｌａｓｈメモリ２には、ライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトするライトプロテクト保存レジスタ５がアトリビュート領域で設定され、システムからプロテクト範囲が設定されるようになっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリおよびそれを用いたシステム技術に関し、特に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを使用したシステム、たとえば情報処理装置全般およびメモリカード全般、さらに不揮発性メモリデバイスにおいて、不揮発性のソフトウェアライトプロテクトを可能とする不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、不揮発性メモリとしてのＦｌａｓｈメモリ（フラッシュＥＥＰＲＯＭ）を用い、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能を有するＦｌａｓｈメモリカードとしては、Ｉｎｔｅｌ社のＳｅｒｉｅｓ ２＋が製品化されている。これは、Ｉｎｔｅｌ社のＦｌａｓｈメモリを使用しており、消去ブロック単位でのライトプロテクト機能をＦｌａｓｈメモリ自体が有している。
【０００３】
なお、このソフトウェアライトプロテクト機能とは、書き込み禁止スイッチなどによるハードウェアライトプロテクト機能に対する言葉で、ユーザ（システム）側がＦｌａｓｈメモリ領域内の書き込み禁止領域を任意に設定できるという意味でのソフトウェアであり、このソフトウェアによってライトプロテクトを行うことをソフトウェアライトプロテクトと定義することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、前記のようなＦｌａｓｈメモリカードにおいては、ライトプロテクト機能をＦｌａｓｈメモリ自体が有しているために、ソフトウェアライトプロテクトが可能であるが、たとえば任意のエリアでのライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリを用いたメモリカードにおいては、ライトプロテクトエリアの書き換え可能な不揮発性のソフトウェアライトプロテクトが不可能となっている。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、ライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリなどの不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置において、不揮発性メモリ内へのライトプロテクト保存レジスタの設定によって不揮発性のソフトウェアライトプロテクトを行うことができる不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法を提供することにある。
【０００６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０００８】
すなわち、本発明の不揮発性メモリは、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリに適用され、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を可能とするために、不揮発性メモリ内に所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタを設定するものである。
【０００９】
この場合に、ライトプロテクトエリアの設定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単位またはデバイスのブロック単位で変更可能とし、たとえばＦｌａｓｈメモリに適用するようにしたものである。
【００１０】
また、本発明のメモリカードは、前記不揮発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリと、少なくとも不揮発性メモリとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラとから構成するものである。
【００１１】
さらに、本発明の情報処理装置は、前記不揮発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリと、少なくとも中央処理装置およびその周辺装置とから構成するものである。
【００１２】
また、本発明の不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法は、不揮発性メモリ内のライトプロテクト保存レジスタに任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込み、そのアドレスを用いてユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かを判定し、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を行うものである。
【００１３】
（作用）
前記した不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法によれば、たとえば一括電気的消去および書き込み可能なＦｌａｓｈメモリの最終アドレスをライトプロテクト保存レジスタとしてアトリビュート領域で設定し、このライトプロテクト保存レジスタにライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトする。
【００１４】
この場合に、このライトプロテクトエリアは、Ｆｌａｓｈメモリの機能仕様などに対応して、Ｆｌａｓｈメモリの先頭セクタ、最終セクタまたは任意のセクタからの１セクタ刻み、２セクタ刻みなどのデータ単位の５１２ｂｙｔｅ（４０９６ｂｉｔ）で定義されるセクタ単位、または数セクタのデータの集まりを表すデバイスのブロック単位による先頭ブロック、最終ブロックまたは任意のブロックから任意のブロックまでのブロック単位で領域可変プロテクト方式により設定することができる。
【００１５】
さらに、ライトプロテクト保存レジスタにライトしたライトデータを、システム側からの入力によるハードウェアリセット、システム側からのレジスタライトによるソフトウェアリセット、あるいは電源投入時によるパワーオンリセットをカードコントローラに入れることによって、カードコントローラ内のライトプロテクトレジスタに転送する。
【００１６】
そして、それ以降、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かをカードコントローラで判定し、この結果ライトプロテクトエリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能として、消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御を行うことができる。
【００１７】
これにより、ライトプロテクト情報が不揮発性であり、かつ任意の領域でのライトプロテクトが可能となり、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリなどの書き換え可能な不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置などのシステムにおいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内のデータの保守性を向上させることができる。
【００１８】
また、任意の領域でのライトプロテクトが可能なため、メモリのソフトウェアライトプロテクトにより書き込みが禁止されている領域のプロテクトエリアと、この領域以外の書き込みが禁止されていない領域のワークエリアをシステムに合わせて設定することができ、不揮発性メモリの有効利用を可能とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２０】
（１）不揮発性メモリ内に所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタを設定することにより、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かを判定し、ライトプロテクトエリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能とすることができるので、消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御が可能となる。
【００２１】
（２）前記（１）において、ライトプロテクトエリアの設定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単位またはデバイスのブロック単位で変更可能とすることにより、不揮発性メモリの機能仕様に対応した良好なソフトウェアライトプロテクト制御が可能となる。
【００２２】
（３）前記（１）において、Ｆｌａｓｈメモリに適用することにより、特に一括電気的消去および書き込みが可能となる。
【００２３】
（４）前記（１）〜（３）により、ライトプロテクト情報を不揮発性とし、かつ任意の領域でのライトプロテクトが可能となるので、ソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置などのシステムにおいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内データの保守性の向上が可能となる。
【００２４】
（５）前記（１）〜（３）により、任意の領域でのライトプロテクトが可能となり、不揮発性メモリのプロテクトエリアとワークエリアをシステムに合わせて設定することができるので、不揮発性メモリの有効利用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態１である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図２】実施の形態１におけるソフトウェアライトプロテクト設定のフローチャートである。
【図３】実施の形態１におけるライトプロテクト情報転送のタイムチャートである。
【図４】実施の形態１におけるライトプロテクト情報転送を説明するブロック図である。
【図５】実施の形態１におけるメモリカードのアドレスマップを示す説明図である。
【図６】実施の形態１におけるライトプロテクト制御のフローチャートである。
【図７】実施の形態１におけるライトプロテクト判定回路を示す構成図である。
【図８】実施の形態１におけるライトプロテクト制御のタイムチャートである。
【図９】実施の形態１におけるライトプロテクト制御を説明するブロック図である。
【図１０】実施の形態１におけるメモリカードを用いたシステム構成図である。
【図１１】本発明の実施の形態２である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図１２】本発明の実施の形態３である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図１３】本発明の実施の形態４である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図１４】本発明の実施の形態５である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図１５】本発明の実施の形態６である不揮発性メモリを用いたメモリカードにおけるライトプロテクト制御のフローチャートである。
【図１６】実施の形態６におけるライトプロテクト制御のタイムチャートである。
【図１７】本発明の実施の形態７である不揮発性メモリを用いた半導体メモリを示す構成図である。
【実施例】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は本発明の一実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図、図２は本実施の形態におけるソフトウェアライトプロテクト設定のフローチャート、図３はライトプロテクト情報転送のタイムチャート、図４はライトプロテクト情報転送を説明するブロック図、図５はメモリカードのアドレスマップを示す説明図、図６はライトプロテクト制御のフローチャート、図７はライトプロテクト判定回路を示す構成図、図８はライトプロテクト制御のタイムチャート、図９はライトプロテクト制御を説明するブロック図、図１０は本実施の形態のメモリカードを用いたシステム構成図である。
【００２８】
まず、図１により本実施の形態の不揮発性メモリを用いたメモリカードの構成を説明する。
【００２９】
本実施の形態のメモリカードは、たとえば不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを用いたＦｌａｓｈメモリカード１とされ、一括電気的消去および書き込み可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２と、電源投入時のパワーオンリセット信号を発生するリセットＩＣ３と、これらのデバイス間のコントロールとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラ４とから構成されている。
【００３０】
本実施の形態において、Ｆｌａｓｈメモリカード１に搭載されるＦｌａｓｈメモリ２には、たとえばこのＦｌａｓｈメモリ２のメモリ空間を意味するコモンＦｌａｓｈエリアの最終チップ、データ単位（５１２ｂｙｔｅ）である最終セクタ内に、ライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトするライトプロテクト保存レジスタ（ＷＰ保存Ｒｅｇ）５がアトリビュート領域で設定され、システムからプロテクト範囲（プロテクトエンドセクタ）の設定が可能となっている。
【００３１】
このアトリビュート領域とは、Ｆｌａｓｈメモリカード１の識別情報と、ハードウェアの構成やＦｌａｓｈメモリカード１をシステムのアドレス空間のどこに割り当てるかなどを示すコンフィギュレーション情報を記憶するメモリ領域を表すものである。
【００３２】
そして、このライトプロテクト保存レジスタ５によるライトプロテクト範囲が、たとえばコモンＦｌａｓｈエリアの先頭（０）セクタから（最終−１）セクタまでの任意のセクタまでとして可変プロテクト方式で設定され、これはＦｌａｓｈメモリ２の消去単位がセクタ単位（５１２ｂｙｔｅ）であることによるものである。この消去単位は、Ｆｌａｓｈメモリ２の機能仕様に対応して設定される。
【００３３】
カードコントローラ４には、電源投入時に行われるリセットのパワーオンリセット、Ｆｌａｓｈメモリカード１を使用するシステム側からのリセット信号によるハードウェアリセット、このカードコントローラ４に設定されるソフトリセットレジスタにシステム側が書き込むことにより行われるソフトウェアリセットを行うことによって、Ｆｌａｓｈメモリ２のライトプロテクト保存レジスタ５から転送されるライトデータを格納するライトプロテクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６が設定されている。
【００３４】
次に、本実施の形態の作用について、始めにライトプロテクト設定の手順を図２に基づいて図１を参照しながら説明する。なお、このライトプロテクト設定の制御、さらに後述するライトプロテクト情報の転送制御、ライトプロテクト制御などの各制御は、カードコントローラ４を構成する論理素子による論理回路により行われている。
【００３５】
まず、Ｆｌａｓｈメモリカード１に搭載されたＦｌａｓｈメモリ２の最終チップ、最終セクタをライトプロテクト保存レジスタ５として設定する。このレジスタ５はアトリビュート領域に属し、このレジスタ５にライトプロテクトエンドアドレスをライトしてライトプロテクト範囲を設定する（ステップ２０１）。
【００３６】
このＦｌａｓｈメモリ２の最終チップ、最終セクタのライトプロテクト保存レジスタ５は、Ｆｌａｓｈメモリ２内にあるために、この情報を書き換えるか、またはＦｌａｓｈメモリ２が破壊される以外は不揮発性の情報として保持することができる。
【００３７】
さらに、ライトプロテクト保存レジスタ５にライトされた情報を転送するために、電源投入時によるパワーオンリセット、システム側からの入力によるハードウェアリセット、あるいはシステム側からのレジスタライトによるソフトウェアリセットを入れる（ステップ２０２〜２０４）。
【００３８】
これによって、ライトされた情報を、カードコントローラ４内に設定されたライトプロテクトレジスタ６に転送し、ソフトウェアライトプロテクト設定を完了することができる（ステップ２０５，２０６）。
【００３９】
そして、ライトプロテクトレジスタ６にライトプロテクト情報が転送された後、システム側からアクセスされたアドレスとライトプロテクトレジスタ６に書き込まれたライトプロテクトエンドアドレスとを比較し、この比較結果に応じてライトプロテクト制御を行うことができる。
【００４０】
続いて、ライトプロテクト情報の転送について、図３のタイムチャートに基づいて図４を参照しながら説明する。
【００４１】
始めに、図４に示すように、カードコントローラ４には、ライトプロテクトレジスタ６の他に、ライトプロテクト情報転送機能として、パワーオンリセット、ハードウェアリセット、ソフトウェアリセットによるリセットパルスを用いて転送用の信号を発生させるリセット部７、Ｆｌａｓｈメモリ２への書き込み、読み出しを行う際にアドレスを発生させるアドレス制御部８、チップイネーブル信号、アウトプットイネーブル信号を発生させるＦｌａｓｈメモリコントロール信号発生部９、カードコントローラ４内に設定するレジスタの初期化や、ソフトウェアリセットによるリセットパルスを発生させるソフトウェアリセットレジスタ１０、およびレジスタの制御を行うレジスタコントロール部１１が設けられている。
【００４２】
そして、まずＦｌａｓｈメモリ２内のライトプロテクト保存レジスタ５にライトプロテクトエンドアドレスをライトした後、たとえばハードウェアリセット時には、システム側からのリセット部７に入力されるリセットパルスを用いて、カードコントローラ４内において以下のような転送用の信号を発生させる。
【００４３】
すなわち、カードコントローラ４内において、アドレス制御部８ではリセット部７からの信号をもとにライトプロテクト保存レジスタ５のアドレス信号（Ａｄｒ）を発生させる。また、Ｆｌａｓｈメモリコントロール信号発生部９においては、リセット部７からの信号をもとに、チップイネーブル信号（／ＣＥ）、アウトプットイネーブル信号（／ＯＥ）を発生（ロウレベル）させる。
【００４４】
そして、これらの発生されたライトプロテクト保存レジスタのアドレス信号、チップイネーブル信号、アウトプットイネーブル信号により、読み出されたライトプロテクト情報をカードコントローラ４内のライトプロテクトレジスタ６にラッチするためのラッチ信号を発生させる。
【００４５】
これによって、ハードウェアリセット時において、Ｆｌａｓｈメモリ２のライトプロテクト保存レジスタ５から読み出されたライトプロテクト情報を、カードコントローラ４内のライトプロテクトレジスタ６に転送してラッチすることができる。
【００４６】
また、ソフトウェアリセット時には、システム側からのレジスタライトにおけるアドレスコントロール信号を用いて、カードコントローラ４内のレジスタコントロール部１１から発生されるライト信号をソフトウェアリセットレジスタ１０に入力して、“１”をライトした後に“０”のライトを行ってソフトウェアリセットパルスを発生させる。
【００４７】
そして、そのソフトウェアリセットパルスをリセット部７に入力し、カードコントローラ４内において、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の信号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ５からライトプロテクトレジスタ６にライトプロテクト情報を転送することができる。
【００４８】
さらに、パワーオンリセット時には、Ｆｌａｓｈメモリカード１の電源が投入されると、リセットＩＣ３によりパワーオンリセットパルスを発生させ、それをリセット部７に入力し、カードコントローラ４内において、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の信号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ５からライトプロテクトレジスタ６へのライトプロテクト情報の転送を可能とすることができる。
【００４９】
続いて、ライトプロテクト制御について、図６のフローに基づいて、図５、図７〜図９を参照しながら説明する。
【００５０】
始めに、Ｆｌａｓｈメモリカード１は、図５に示すようなアドレスマッピングになっており、ライトプロテクト保存レジスタ５はコモンＦｌａｓｈ領域の最終チップ、最終セクタ内に設定されているため、そのセクタはアトリビュート領域に属し、よってコモンＦｌａｓｈ領域としてはアクセス不可能となっている。
【００５１】
また、カードコントローラ４には、ライトプロテクト制御機能として、図９に示すように、システム側がＦｌａｓｈメモリカード１にアクセスしたアドレスがライトプロテクト領域内か否かを判定するライトプロテクト領域判定部１２、およびＦｌａｓｈメモリ２への書き込みデータの制御を行うデータ制御部１３が設けられ、このライトプロテクト領域判定部１２において、セクタアドレスとプロテクトエンドセクタアドレスとが比較され、データ制御部１３にライトプロテクト制御を行うプロテクト信号が転送されるようになっている。
【００５２】
すなわち、ライトプロテクト領域判定部１２には、図７に示すように、セクタアドレスと、セクタアドレスの上位８ｂｉｔを格納するライトプロテクトアッパーレジスタ（ＷＰＵＲｅｇ）、および下位８ｂｉｔを格納するライトプロテクトローレジスタ（ＷＰＬＲｅｇ）のライトプロテクトレジスタ６に格納されたプロテクトエンドセクタアドレスとを比較する大小判別回路１４が設けられ、プロテクト信号が発生される。
【００５３】
そして、まずソフトウェアライトプロテクトの設定後、システム側からコモンＦｌａｓｈ領域へのライトアクセス（／ＣＥ，／ＷＥ）がＦｌａｓｈメモリカード１に対して発生されると、カードコントローラ４内のライトプロテクト領域判定部１２において、ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドアドレスとシステム側からアクセスされたセクタアドレスとを比較する（ステップ６０１，６０２）。
【００５４】
その結果、たとえば（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時のセクタアドレス）≦（ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライトプロテクト領域判定部１２よりライトプロテクト信号を発生させ、それをデータ制御部１３に入力し、データ制御部１３において、Ｆｌａｓｈメモリ２へのライトデータをリセットコマンドもしくは無効コマンドにし、Ｆｌａｓｈメモリ２へライトする（ステップ６０３，６０４）。
【００５５】
このリセットコマンドは、書き込みセットアップ状態をリセットするコマンドであり、また無効コマンドは、予め設定されているコマンド以外のコマンドを表し、これらのコマンドはライトプロテクトのときに用いられる。
【００５６】
一方、（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時のセクタアドレス）＞（ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロテクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータをそのままＦｌａｓｈメモリ２にライトする（ステップ６０３，６０５）。
【００５７】
これにより、ライト時にアクセスしたアドレスに対してライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合は、ライトプロテクトを不可能として正常ライトを可能とすることができる。
【００５８】
以上のように構成されるＦｌａｓｈメモリカード１は、たとえば図１０に示すような情報処理装置などのシステムに適用され、Ｆｌａｓｈメモリ２を搭載したＦｌａｓｈメモリカード１の他に、このメモリカード１とのカードインタフェース１５を介して接続されるＣＰＵ１６、ＲＡＭ１７、ＲＯＭ１８、プリンタ１９、ハードディスク２０、フロッピー（登録商標）ディスク２１などから構成されている。
【００５９】
このシステムにおいては、ＲＡＭ１７、ＲＯＭ１８およびＦｌａｓｈメモリカード１はメモリ領域に属し、またプリンタ１９、ハードディスク２０およびフロッピー（登録商標）ディスク２１はＩ／Ｏ領域に属し、よってメモリカード１へのアクセスに対して、アドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定することによって、システムとしてのソフトウェアライトプロテクト制御を行うことができる。
【００６０】
従って、本実施の形態のＦｌａｓｈメモリカード１によれば、Ｆｌａｓｈメモリ２にライトプロテクト保存レジスタ５が設定され、このライトプロテクト保存レジスタ５にライトプロテクト範囲のエンドセクタアドレスが格納されることにより、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意の領域で行うことができる。
【００６１】
特に、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２を使用したＦｌａｓｈメモリカード１ならびに情報処理装置などのシステムに良好に適用可能となり、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内のデータの保守性を高めることができ、さらにライトプロテクト範囲を任意の領域に設定し、Ｆｌａｓｈメモリ２の有効利用のために書き込み禁止領域のプロテクトエリアとそれ以外の領域のワークエリアをシステムに合わせて設定することができる。
【００６２】
（実施の形態２）
図１１は本発明の他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【００６３】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２ａを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ａとされ、実施の形態１との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ａのライトプロテクト範囲を（最終−１）セクタから規定する点である。
【００６４】
すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ａのライトプロテクト保存レジスタ５ａに設定されるライトプロテクト範囲（プロテクトスタートセクタ）を、コモンＦｌａｓｈエリアの（最終−１）セクタから任意のセクタまでとして設定することができる。
【００６５】
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６ａが設定されるカードコントローラ４ａの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ａを使用したＦｌａｓｈメモリカード１ａの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を（最終−１）セクタからの任意の領域で可能とすることができる。
【００６６】
（実施の形態３）
図１２は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【００６７】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１および２と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２ｂを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ｂとされ、実施の形態１および２との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ｂのライトプロテクト範囲をスタートアドレスとエンドアドレスによる可変方式で規定する点である。
【００６８】
すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ｂのライトプロテクト保存レジスタ５ｂに設定されるライトプロテクト範囲（プロテクトスタートとエンドセクタ）を、コモンＦｌａｓｈエリアの任意のセクタから任意のセクタまでとして設定することができる。
【００６９】
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトスタートレジスタ（ＷＰＳＲｅｇ）およびライトプロテクトエンドレジスタ（ＷＰＥＲｅｇ）のライトプロテクトレジスタ６ｂが設定されるカードコントローラ４ｂの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ｂを使用したＦｌａｓｈメモリカード１ｂの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意から任意の領域で可能とすることができる。
【００７０】
（実施の形態４）
図１３は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【００７１】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１〜３と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２ｃを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ｃとされ、実施の形態１〜３との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ｃのライトプロテクト単位を２セクタ単位とする点である。
【００７２】
すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ｃの（最終−１）、最終セクタに設定されるライトプロテクト保存レジスタ５ｃのライトプロテクト範囲（プロテクトエンドセクタ）を、コモンＦｌａｓｈエリアに２セクタ単位で設定することができる。
【００７３】
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６ｃが設定されるカードコントローラ４ｃの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ｃを使用したＦｌａｓｈメモリカード１ｃの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を２セクタ単位の領域で可能とすることができる。
【００７４】
（実施の形態５）
図１４は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【００７５】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１〜４と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２ｄを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ｄとされ、実施の形態１〜４との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ｄのライトプロテクト単位をセクタ単位に限らず、デバイスの消去単位を数セクタなどの複数のデータの集まりを表すブロック単位とする点である。
【００７６】
すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ｄの最終ブロックに設定されるライトプロテクト保存レジスタ５ｄのライトプロテクト範囲（プロテクトエンドブロック）を、コモンＦｌａｓｈエリアにデバイスのブロック単位で設定することができる。
【００７７】
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６ｄが設定されるカードコントローラ４ｄの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ｄを使用したＦｌａｓｈメモリカード１ｄの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御をデバイスのブロック単位の領域で可能とすることができる。
【００７８】
（実施の形態６）
図１５は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードにおけるライトプロテクト制御のフローチャート、図１６はライトプロテクト制御のタイムチャートである。
【００７９】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１（２〜５）と同様に構成されて、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２を用いたＦｌａｓｈメモリカード１とされ、実施の形態１〜５との相違点は、ライトプロテクト制御をライトデータではなく、Ｆｌａｓｈメモリ２へのコントロール信号で行う点である。
【００８０】
すなわち、本実施の形態においては、まずソフトウェアライトプロテクトの設定後、システム側からコモンＦｌａｓｈ領域へのライトアクセスがＦｌａｓｈメモリカード１に対して発生されると、ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドアドレスとシステム側からアクセスされたセクタアドレスとを比較する（ステップ１５０１，１５０２）。
【００８１】
その結果、たとえば（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時のセクタアドレス）≦（ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライト用のライトイネーブル信号（／ＷＥ）もしくはチップイネーブル信号（／ＣＥ）のコントロール信号をネゲート（ハイレベル）したままにしてライトプロテクトする（ステップ１５０３，１５０４）。
【００８２】
一方、（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時のセクタアドレス）＞（ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロテクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータをそのままＦｌａｓｈメモリ２にライトする（ステップ１５０３，１５０５）。
【００８３】
従って、本実施の形態においても、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライト用のコントロール信号をネゲートしてライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意の領域で可能とすることができる。
【００８４】
（実施の形態７）
図１７は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いた半導体メモリを示す構成図である。
【００８５】
本実施の形態は実施の形態１〜６と異なり、不揮発性メモリ２２自体にライトプロテクトレジスタ２３を持ち、さらにシステム側がアクセスしたアドレスがライトプロテクト領域内か否かを判定するライトプロテクト領域判定部２４、および不揮発性メモリ２２への書き込み信号および書き込みデータの制御を行うライト制御部２５が設けられる半導体メモリ２６とされ、ライトプロテクト領域判定部２４からのプロテクト信号を用いて、ライトデータもしくはライト信号が制御され、不揮発性メモリ２２のライトプロテクト制御が可能となっている。
【００８６】
すなわち、本実施の形態においては、たとえばＦｌａｓｈメモリなどの半導体メモリ２６単体としてライトプロテクト機能を実現し、ライトプロテクト領域判定部２４の結果、ライトプロテクト領域内であれば、ライトプロテクト領域判定部２４よりライトプロテクト信号を発生させ、それをライト制御部２５に入力し、不揮発性メモリ２２への書き込み信号（／ＣＥ，／ＷＥ）をハイレベルにするか、または書き込みデータをリセットコマンドか無効コマンドにする。
【００８７】
従って、本実施の形態においては、不揮発性メモリ２２のライトプロテクトレジスタ２３に設定されたプロテクトアドレスと、不揮発性メモリ２２に対するアクセスのアドレスとを比較し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能として、ライトプロテクトレジスタ２３を不揮発性メモリ２２自体に持つ場合における不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を可能とすることができる。
【００８８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態１〜７に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８９】
たとえば、前記実施の形態におけるＦｌａｓｈメモリについては、コモンＦｌａｓｈエリアの最終チップ、最終セクタ内にライトプロテクト保存レジスタが設定される場合について説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、コモンＦｌａｓｈエリアの先頭チップ、先頭セクタ内に設定する場合についても適用可能である。
【００９０】
さらに、このライトプロテクト保存レジスタの設定とともに、ライトプロテクト範囲、消去単位はＦｌａｓｈメモリの機能仕様に対応して、適宜設定されることはいうまでもない。
【００９１】
また、本実施の形態における不揮発性メモリは、Ｆｌａｓｈメモリの他に、ビット毎に電気的消去および書き込み可能なＥＥＰＲＯＭなどの他の不揮発性メモリについても適用でき、さらにこの不揮発性メモリを使用したシステム、たとえば情報処理装置全般およびメモリカード全般、さらに不揮発性メモリデバイスなどにおいても広く適用可能である。
【００９２】
以下に、本発明の実施態様を列挙する。
【００９３】
１．ライトプロテクトアドレスを示すライトプロテクト保存レジスタを有するフラッシュメモリが搭載され、前記ライトプロテクト保持レジスタのデータに基づき、外部から入力されたアドレスが、ライトプロテクト範囲内か否か判断するフラッシュメモリカードと、
前記フラッシュメモリカードに接続されるカードインターフェイスと、
前記カードインターフェイスを介して接続される中央演算装置とを、
有する半導体情報処理装置。
【００９４】
２．前記フラッシュメモリは、ソフトウエアライトプロテクト機能を有しない、前項１に記載の半導体情報処理装置。
【符号の説明】
【００９５】
１，１ａ〜１ｄ Ｆｌａｓｈメモリカード
２，２ａ〜２ｄ Ｆｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）
３ リセットＩＣ
４，４ａ〜４ｄ カードコントローラ
５，５ａ〜５ｄ ライトプロテクト保存レジスタ
６，６ａ〜６ｄ ライトプロテクトレジスタ
７ リセット部
８ アドレス制御部
９ Ｆｌａｓｈメモリコントロール信号発生部
１０ ソフトウェアリセットレジスタ
１１ レジスタコントロール部
１２ ライトプロテクト領域判定部
１３ データ制御部
１４ 大小判別回路
１５ カードインタフェース
１６ ＣＰＵ
１７ ＲＡＭ
１８ ＲＯＭ
１９ プリンタ
２０ ハードディスク
２１ フロッピー（登録商標）ディスク
２２ 不揮発性メモリ
２３ ライトプロテクトレジスタ
２４ ライトプロテクト領域判定部
２５ ライト制御部
２６ 半導体メモリ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリおよびそれを用いたシステム技術に関し、特に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを使用したシステム、たとえば情報処理装置全般およびメモリカード全般、さらに不揮発性メモリデバイスにおいて、不揮発性のソフトウェアライトプロテクトを可能とする不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、不揮発性メモリとしてのＦｌａｓｈメモリ（フラッシュＥＥＰＲＯＭ）を用い、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能を有するＦｌａｓｈメモリカードとしては、Ｉｎｔｅｌ社のＳｅｒｉｅｓ ２＋が製品化されている。これは、Ｉｎｔｅｌ社のＦｌａｓｈメモリを使用しており、消去ブロック単位でのライトプロテクト機能をＦｌａｓｈメモリ自体が有している。
【０００３】
なお、このソフトウェアライトプロテクト機能とは、書き込み禁止スイッチなどによるハードウェアライトプロテクト機能に対する言葉で、ユーザ（システム）側がＦｌａｓｈメモリ領域内の書き込み禁止領域を任意に設定できるという意味でのソフトウェアであり、このソフトウェアによってライトプロテクトを行うことをソフトウェアライトプロテクトと定義することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、前記のようなＦｌａｓｈメモリカードにおいては、ライトプロテクト機能をＦｌａｓｈメモリ自体が有しているために、ソフトウェアライトプロテクトが可能であるが、たとえば任意のエリアでのライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリを用いたメモリカードにおいては、ライトプロテクトエリアの書き換え可能な不揮発性のソフトウェアライトプロテクトが不可能となっている。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、ライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリなどの不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置において、不揮発性メモリ内へのライトプロテクト保存レジスタの設定によって不揮発性のソフトウェアライトプロテクトを行うことができる不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法を提供することにある。
【０００６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０００８】
すなわち、本発明の不揮発性メモリは、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリに適用され、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を可能とするために、不揮発性メモリ内に所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタを設定するものである。
【０００９】
この場合に、ライトプロテクトエリアの設定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単位またはデバイスのブロック単位で変更可能とし、たとえばＦｌａｓｈメモリに適用するようにしたものである。
【００１０】
また、本発明のメモリカードは、前記不揮発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリと、少なくとも不揮発性メモリとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラとから構成するものである。
【００１１】
さらに、本発明の情報処理装置は、前記不揮発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリと、少なくとも中央処理装置およびその周辺装置とから構成するものである。
【００１２】
また、本発明の不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法は、不揮発性メモリ内のライトプロテクト保存レジスタに任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込み、そのアドレスを用いてユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かを判定し、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を行うものである。
【００１３】
（作用）
前記した不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法によれば、たとえば一括電気的消去および書き込み可能なＦｌａｓｈメモリの最終アドレスをライトプロテクト保存レジスタとしてアトリビュート領域で設定し、このライトプロテクト保存レジスタにライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトする。
【００１４】
この場合に、このライトプロテクトエリアは、Ｆｌａｓｈメモリの機能仕様などに対応して、Ｆｌａｓｈメモリの先頭セクタ、最終セクタまたは任意のセクタからの１セクタ刻み、２セクタ刻みなどのデータ単位の５１２ｂｙｔｅ（４０９６ｂｉｔ）で定義されるセクタ単位、または数セクタのデータの集まりを表すデバイスのブロック単位による先頭ブロック、最終ブロックまたは任意のブロックから任意のブロックまでのブロック単位で領域可変プロテクト方式により設定することができる。
【００１５】
さらに、ライトプロテクト保存レジスタにライトしたライトデータを、システム側からの入力によるハードウェアリセット、システム側からのレジスタライトによるソフトウェアリセット、あるいは電源投入時によるパワーオンリセットをカードコントローラに入れることによって、カードコントローラ内のライトプロテクトレジスタに転送する。
【００１６】
そして、それ以降、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かをカードコントローラで判定し、この結果ライトプロテクトエリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能として、消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御を行うことができる。
【００１７】
これにより、ライトプロテクト情報が不揮発性であり、かつ任意の領域でのライトプロテクトが可能となり、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリなどの書き換え可能な不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置などのシステムにおいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内のデータの保守性を向上させることができる。
【００１８】
また、任意の領域でのライトプロテクトが可能なため、メモリのソフトウェアライトプロテクトにより書き込みが禁止されている領域のプロテクトエリアと、この領域以外の書き込みが禁止されていない領域のワークエリアをシステムに合わせて設定することができ、不揮発性メモリの有効利用を可能とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２０】
（１）不揮発性メモリ内に所定の消去単位に任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存レジスタを設定することにより、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かを判定し、ライトプロテクトエリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能とすることができるので、消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御が可能となる。
【００２１】
（２）前記（１）において、ライトプロテクトエリアの設定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単位またはデバイスのブロック単位で変更可能とすることにより、不揮発性メモリの機能仕様に対応した良好なソフトウェアライトプロテクト制御が可能となる。
【００２２】
（３）前記（１）において、Ｆｌａｓｈメモリに適用することにより、特に一括電気的消去および書き込みが可能となる。
【００２３】
（４）前記（１）〜（３）により、ライトプロテクト情報を不揮発性とし、かつ任意の領域でのライトプロテクトが可能となるので、ソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを使用したメモリカードならびに情報処理装置などのシステムにおいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内データの保守性の向上が可能となる。
【００２４】
（５）前記（１）〜（３）により、任意の領域でのライトプロテクトが可能となり、不揮発性メモリのプロテクトエリアとワークエリアをシステムに合わせて設定することができるので、不揮発性メモリの有効利用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態１である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図２】実施の形態１におけるソフトウェアライトプロテクト設定のフローチャートである。
【図３】実施の形態１におけるライトプロテクト情報転送のタイムチャートである。
【図４】実施の形態１におけるライトプロテクト情報転送を説明するブロック図である。
【図５】実施の形態１におけるメモリカードのアドレスマップを示す説明図である。
【図６】実施の形態１におけるライトプロテクト制御のフローチャートである。
【図７】実施の形態１におけるライトプロテクト判定回路を示す構成図である。
【図８】実施の形態１におけるライトプロテクト制御のタイムチャートである。
【図９】実施の形態１におけるライトプロテクト制御を説明するブロック図である。
【図１０】実施の形態１におけるメモリカードを用いたシステム構成図である。
【図１１】本発明の実施の形態２である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図１２】本発明の実施の形態３である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図１３】本発明の実施の形態４である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図１４】本発明の実施の形態５である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【図１５】本発明の実施の形態６である不揮発性メモリを用いたメモリカードにおけるライトプロテクト制御のフローチャートである。
【図１６】実施の形態６におけるライトプロテクト制御のタイムチャートである。
【図１７】本発明の実施の形態７である不揮発性メモリを用いた半導体メモリを示す構成図である。
【実施例】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は本発明の一実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図、図２は本実施の形態におけるソフトウェアライトプロテクト設定のフローチャート、図３はライトプロテクト情報転送のタイムチャート、図４はライトプロテクト情報転送を説明するブロック図、図５はメモリカードのアドレスマップを示す説明図、図６はライトプロテクト制御のフローチャート、図７はライトプロテクト判定回路を示す構成図、図８はライトプロテクト制御のタイムチャート、図９はライトプロテクト制御を説明するブロック図、図１０は本実施の形態のメモリカードを用いたシステム構成図である。
【００２８】
まず、図１により本実施の形態の不揮発性メモリを用いたメモリカードの構成を説明する。
【００２９】
本実施の形態のメモリカードは、たとえば不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを用いたＦｌａｓｈメモリカード１とされ、一括電気的消去および書き込み可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２と、電源投入時のパワーオンリセット信号を発生するリセットＩＣ３と、これらのデバイス間のコントロールとメモリカードインタフェースとの間の制御を行うカードコントローラ４とから構成されている。
【００３０】
本実施の形態において、Ｆｌａｓｈメモリカード１に搭載されるＦｌａｓｈメモリ２には、たとえばこのＦｌａｓｈメモリ２のメモリ空間を意味するコモンＦｌａｓｈエリアの最終チップ、データ単位（５１２ｂｙｔｅ）である最終セクタ内に、ライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトするライトプロテクト保存レジスタ（ＷＰ保存Ｒｅｇ）５がアトリビュート領域で設定され、システムからプロテクト範囲（プロテクトエンドセクタ）の設定が可能となっている。
【００３１】
このアトリビュート領域とは、Ｆｌａｓｈメモリカード１の識別情報と、ハードウェアの構成やＦｌａｓｈメモリカード１をシステムのアドレス空間のどこに割り当てるかなどを示すコンフィギュレーション情報を記憶するメモリ領域を表すものである。
【００３２】
そして、このライトプロテクト保存レジスタ５によるライトプロテクト範囲が、たとえばコモンＦｌａｓｈエリアの先頭（０）セクタから（最終−１）セクタまでの任意のセクタまでとして可変プロテクト方式で設定され、これはＦｌａｓｈメモリ２の消去単位がセクタ単位（５１２ｂｙｔｅ）であることによるものである。この消去単位は、Ｆｌａｓｈメモリ２の機能仕様に対応して設定される。
【００３３】
カードコントローラ４には、電源投入時に行われるリセットのパワーオンリセット、Ｆｌａｓｈメモリカード１を使用するシステム側からのリセット信号によるハードウェアリセット、このカードコントローラ４に設定されるソフトリセットレジスタにシステム側が書き込むことにより行われるソフトウェアリセットを行うことによって、Ｆｌａｓｈメモリ２のライトプロテクト保存レジスタ５から転送されるライトデータを格納するライトプロテクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６が設定されている。
【００３４】
次に、本実施の形態の作用について、始めにライトプロテクト設定の手順を図２に基づいて図１を参照しながら説明する。なお、このライトプロテクト設定の制御、さらに後述するライトプロテクト情報の転送制御、ライトプロテクト制御などの各制御は、カードコントローラ４を構成する論理素子による論理回路により行われている。
【００３５】
まず、Ｆｌａｓｈメモリカード１に搭載されたＦｌａｓｈメモリ２の最終チップ、最終セクタをライトプロテクト保存レジスタ５として設定する。このレジスタ５はアトリビュート領域に属し、このレジスタ５にライトプロテクトエンドアドレスをライトしてライトプロテクト範囲を設定する（ステップ２０１）。
【００３６】
このＦｌａｓｈメモリ２の最終チップ、最終セクタのライトプロテクト保存レジスタ５は、Ｆｌａｓｈメモリ２内にあるために、この情報を書き換えるか、またはＦｌａｓｈメモリ２が破壊される以外は不揮発性の情報として保持することができる。
【００３７】
さらに、ライトプロテクト保存レジスタ５にライトされた情報を転送するために、電源投入時によるパワーオンリセット、システム側からの入力によるハードウェアリセット、あるいはシステム側からのレジスタライトによるソフトウェアリセットを入れる（ステップ２０２〜２０４）。
【００３８】
これによって、ライトされた情報を、カードコントローラ４内に設定されたライトプロテクトレジスタ６に転送し、ソフトウェアライトプロテクト設定を完了することができる（ステップ２０５，２０６）。
【００３９】
そして、ライトプロテクトレジスタ６にライトプロテクト情報が転送された後、システム側からアクセスされたアドレスとライトプロテクトレジスタ６に書き込まれたライトプロテクトエンドアドレスとを比較し、この比較結果に応じてライトプロテクト制御を行うことができる。
【００４０】
続いて、ライトプロテクト情報の転送について、図３のタイムチャートに基づいて図４を参照しながら説明する。
【００４１】
始めに、図４に示すように、カードコントローラ４には、ライトプロテクトレジスタ６の他に、ライトプロテクト情報転送機能として、パワーオンリセット、ハードウェアリセット、ソフトウェアリセットによるリセットパルスを用いて転送用の信号を発生させるリセット部７、Ｆｌａｓｈメモリ２への書き込み、読み出しを行う際にアドレスを発生させるアドレス制御部８、チップイネーブル信号、アウトプットイネーブル信号を発生させるＦｌａｓｈメモリコントロール信号発生部９、カードコントローラ４内に設定するレジスタの初期化や、ソフトウェアリセットによるリセットパルスを発生させるソフトウェアリセットレジスタ１０、およびレジスタの制御を行うレジスタコントロール部１１が設けられている。
【００４２】
そして、まずＦｌａｓｈメモリ２内のライトプロテクト保存レジスタ５にライトプロテクトエンドアドレスをライトした後、たとえばハードウェアリセット時には、システム側からのリセット部７に入力されるリセットパルスを用いて、カードコントローラ４内において以下のような転送用の信号を発生させる。
【００４３】
すなわち、カードコントローラ４内において、アドレス制御部８ではリセット部７からの信号をもとにライトプロテクト保存レジスタ５のアドレス信号（Ａｄｒ）を発生させる。また、Ｆｌａｓｈメモリコントロール信号発生部９においては、リセット部７からの信号をもとに、チップイネーブル信号（／ＣＥ）、アウトプットイネーブル信号（／ＯＥ）を発生（ロウレベル）させる。
【００４４】
そして、これらの発生されたライトプロテクト保存レジスタのアドレス信号、チップイネーブル信号、アウトプットイネーブル信号により、読み出されたライトプロテクト情報をカードコントローラ４内のライトプロテクトレジスタ６にラッチするためのラッチ信号を発生させる。
【００４５】
これによって、ハードウェアリセット時において、Ｆｌａｓｈメモリ２のライトプロテクト保存レジスタ５から読み出されたライトプロテクト情報を、カードコントローラ４内のライトプロテクトレジスタ６に転送してラッチすることができる。
【００４６】
また、ソフトウェアリセット時には、システム側からのレジスタライトにおけるアドレスコントロール信号を用いて、カードコントローラ４内のレジスタコントロール部１１から発生されるライト信号をソフトウェアリセットレジスタ１０に入力して、“１”をライトした後に“０”のライトを行ってソフトウェアリセットパルスを発生させる。
【００４７】
そして、そのソフトウェアリセットパルスをリセット部７に入力し、カードコントローラ４内において、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の信号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ５からライトプロテクトレジスタ６にライトプロテクト情報を転送することができる。
【００４８】
さらに、パワーオンリセット時には、Ｆｌａｓｈメモリカード１の電源が投入されると、リセットＩＣ３によりパワーオンリセットパルスを発生させ、それをリセット部７に入力し、カードコントローラ４内において、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の信号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ５からライトプロテクトレジスタ６へのライトプロテクト情報の転送を可能とすることができる。
【００４９】
続いて、ライトプロテクト制御について、図６のフローに基づいて、図５、図７〜図９を参照しながら説明する。
【００５０】
始めに、Ｆｌａｓｈメモリカード１は、図５に示すようなアドレスマッピングになっており、ライトプロテクト保存レジスタ５はコモンＦｌａｓｈ領域の最終チップ、最終セクタ内に設定されているため、そのセクタはアトリビュート領域に属し、よってコモンＦｌａｓｈ領域としてはアクセス不可能となっている。
【００５１】
また、カードコントローラ４には、ライトプロテクト制御機能として、図９に示すように、システム側がＦｌａｓｈメモリカード１にアクセスしたアドレスがライトプロテクト領域内か否かを判定するライトプロテクト領域判定部１２、およびＦｌａｓｈメモリ２への書き込みデータの制御を行うデータ制御部１３が設けられ、このライトプロテクト領域判定部１２において、セクタアドレスとプロテクトエンドセクタアドレスとが比較され、データ制御部１３にライトプロテクト制御を行うプロテクト信号が転送されるようになっている。
【００５２】
すなわち、ライトプロテクト領域判定部１２には、図７に示すように、セクタアドレスと、セクタアドレスの上位８ｂｉｔを格納するライトプロテクトアッパーレジスタ（ＷＰＵＲｅｇ）、および下位８ｂｉｔを格納するライトプロテクトローレジスタ（ＷＰＬＲｅｇ）のライトプロテクトレジスタ６に格納されたプロテクトエンドセクタアドレスとを比較する大小判別回路１４が設けられ、プロテクト信号が発生される。
【００５３】
そして、まずソフトウェアライトプロテクトの設定後、システム側からコモンＦｌａｓｈ領域へのライトアクセス（／ＣＥ，／ＷＥ）がＦｌａｓｈメモリカード１に対して発生されると、カードコントローラ４内のライトプロテクト領域判定部１２において、ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドアドレスとシステム側からアクセスされたセクタアドレスとを比較する（ステップ６０１，６０２）。
【００５４】
その結果、たとえば（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時のセクタアドレス）≦（ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライトプロテクト領域判定部１２よりライトプロテクト信号を発生させ、それをデータ制御部１３に入力し、データ制御部１３において、Ｆｌａｓｈメモリ２へのライトデータをリセットコマンドもしくは無効コマンドにし、Ｆｌａｓｈメモリ２へライトする（ステップ６０３，６０４）。
【００５５】
このリセットコマンドは、書き込みセットアップ状態をリセットするコマンドであり、また無効コマンドは、予め設定されているコマンド以外のコマンドを表し、これらのコマンドはライトプロテクトのときに用いられる。
【００５６】
一方、（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時のセクタアドレス）＞（ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロテクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータをそのままＦｌａｓｈメモリ２にライトする（ステップ６０３，６０５）。
【００５７】
これにより、ライト時にアクセスしたアドレスに対してライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合は、ライトプロテクトを不可能として正常ライトを可能とすることができる。
【００５８】
以上のように構成されるＦｌａｓｈメモリカード１は、たとえば図１０に示すような情報処理装置などのシステムに適用され、Ｆｌａｓｈメモリ２を搭載したＦｌａｓｈメモリカード１の他に、このメモリカード１とのカードインタフェース１５を介して接続されるＣＰＵ１６、ＲＡＭ１７、ＲＯＭ１８、プリンタ１９、ハードディスク２０、フロッピー（登録商標）ディスク２１などから構成されている。
【００５９】
このシステムにおいては、ＲＡＭ１７、ＲＯＭ１８およびＦｌａｓｈメモリカード１はメモリ領域に属し、またプリンタ１９、ハードディスク２０およびフロッピー（登録商標）ディスク２１はＩ／Ｏ領域に属し、よってメモリカード１へのアクセスに対して、アドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定することによって、システムとしてのソフトウェアライトプロテクト制御を行うことができる。
【００６０】
従って、本実施の形態のＦｌａｓｈメモリカード１によれば、Ｆｌａｓｈメモリ２にライトプロテクト保存レジスタ５が設定され、このライトプロテクト保存レジスタ５にライトプロテクト範囲のエンドセクタアドレスが格納されることにより、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意の領域で行うことができる。
【００６１】
特に、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２を使用したＦｌａｓｈメモリカード１ならびに情報処理装置などのシステムに良好に適用可能となり、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域内のデータの保守性を高めることができ、さらにライトプロテクト範囲を任意の領域に設定し、Ｆｌａｓｈメモリ２の有効利用のために書き込み禁止領域のプロテクトエリアとそれ以外の領域のワークエリアをシステムに合わせて設定することができる。
【００６２】
（実施の形態２）
図１１は本発明の他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【００６３】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２ａを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ａとされ、実施の形態１との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ａのライトプロテクト範囲を（最終−１）セクタから規定する点である。
【００６４】
すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ａのライトプロテクト保存レジスタ５ａに設定されるライトプロテクト範囲（プロテクトスタートセクタ）を、コモンＦｌａｓｈエリアの（最終−１）セクタから任意のセクタまでとして設定することができる。
【００６５】
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６ａが設定されるカードコントローラ４ａの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ａを使用したＦｌａｓｈメモリカード１ａの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を（最終−１）セクタからの任意の領域で可能とすることができる。
【００６６】
（実施の形態３）
図１２は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【００６７】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１および２と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２ｂを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ｂとされ、実施の形態１および２との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ｂのライトプロテクト範囲をスタートアドレスとエンドアドレスによる可変方式で規定する点である。
【００６８】
すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ｂのライトプロテクト保存レジスタ５ｂに設定されるライトプロテクト範囲（プロテクトスタートとエンドセクタ）を、コモンＦｌａｓｈエリアの任意のセクタから任意のセクタまでとして設定することができる。
【００６９】
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトスタートレジスタ（ＷＰＳＲｅｇ）およびライトプロテクトエンドレジスタ（ＷＰＥＲｅｇ）のライトプロテクトレジスタ６ｂが設定されるカードコントローラ４ｂの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ｂを使用したＦｌａｓｈメモリカード１ｂの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意から任意の領域で可能とすることができる。
【００７０】
（実施の形態４）
図１３は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【００７１】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１〜３と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２ｃを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ｃとされ、実施の形態１〜３との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ｃのライトプロテクト単位を２セクタ単位とする点である。
【００７２】
すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ｃの（最終−１）、最終セクタに設定されるライトプロテクト保存レジスタ５ｃのライトプロテクト範囲（プロテクトエンドセクタ）を、コモンＦｌａｓｈエリアに２セクタ単位で設定することができる。
【００７３】
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６ｃが設定されるカードコントローラ４ｃの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ｃを使用したＦｌａｓｈメモリカード１ｃの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を２セクタ単位の領域で可能とすることができる。
【００７４】
（実施の形態５）
図１４は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
【００７５】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１〜４と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２ｄを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ｄとされ、実施の形態１〜４との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ｄのライトプロテクト単位をセクタ単位に限らず、デバイスの消去単位を数セクタなどの複数のデータの集まりを表すブロック単位とする点である。
【００７６】
すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ｄの最終ブロックに設定されるライトプロテクト保存レジスタ５ｄのライトプロテクト範囲（プロテクトエンドブロック）を、コモンＦｌａｓｈエリアにデバイスのブロック単位で設定することができる。
【００７７】
従って、本実施の形態においても、ライトプロテクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６ｄが設定されるカードコントローラ４ｄの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ｄを使用したＦｌａｓｈメモリカード１ｄの不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御をデバイスのブロック単位の領域で可能とすることができる。
【００７８】
（実施の形態６）
図１５は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードにおけるライトプロテクト制御のフローチャート、図１６はライトプロテクト制御のタイムチャートである。
【００７９】
本実施の形態のメモリカードは、実施の形態１（２〜５）と同様に構成されて、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２を用いたＦｌａｓｈメモリカード１とされ、実施の形態１〜５との相違点は、ライトプロテクト制御をライトデータではなく、Ｆｌａｓｈメモリ２へのコントロール信号で行う点である。
【００８０】
すなわち、本実施の形態においては、まずソフトウェアライトプロテクトの設定後、システム側からコモンＦｌａｓｈ領域へのライトアクセスがＦｌａｓｈメモリカード１に対して発生されると、ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドアドレスとシステム側からアクセスされたセクタアドレスとを比較する（ステップ１５０１，１５０２）。
【００８１】
その結果、たとえば（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時のセクタアドレス）≦（ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライト用のライトイネーブル信号（／ＷＥ）もしくはチップイネーブル信号（／ＣＥ）のコントロール信号をネゲート（ハイレベル）したままにしてライトプロテクトする（ステップ１５０３，１５０４）。
【００８２】
一方、（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時のセクタアドレス）＞（ライトプロテクトレジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロテクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータをそのままＦｌａｓｈメモリ２にライトする（ステップ１５０３，１５０５）。
【００８３】
従って、本実施の形態においても、ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライト用のコントロール信号をネゲートしてライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を任意の領域で可能とすることができる。
【００８４】
（実施の形態７）
図１７は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いた半導体メモリを示す構成図である。
【００８５】
本実施の形態は実施の形態１〜６と異なり、不揮発性メモリ２２自体にライトプロテクトレジスタ２３を持ち、さらにシステム側がアクセスしたアドレスがライトプロテクト領域内か否かを判定するライトプロテクト領域判定部２４、および不揮発性メモリ２２への書き込み信号および書き込みデータの制御を行うライト制御部２５が設けられる半導体メモリ２６とされ、ライトプロテクト領域判定部２４からのプロテクト信号を用いて、ライトデータもしくはライト信号が制御され、不揮発性メモリ２２のライトプロテクト制御が可能となっている。
【００８６】
すなわち、本実施の形態においては、たとえばＦｌａｓｈメモリなどの半導体メモリ２６単体としてライトプロテクト機能を実現し、ライトプロテクト領域判定部２４の結果、ライトプロテクト領域内であれば、ライトプロテクト領域判定部２４よりライトプロテクト信号を発生させ、それをライト制御部２５に入力し、不揮発性メモリ２２への書き込み信号（／ＣＥ，／ＷＥ）をハイレベルにするか、または書き込みデータをリセットコマンドか無効コマンドにする。
【００８７】
従って、本実施の形態においては、不揮発性メモリ２２のライトプロテクトレジスタ２３に設定されたプロテクトアドレスと、不揮発性メモリ２２に対するアクセスのアドレスとを比較し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能として、ライトプロテクトレジスタ２３を不揮発性メモリ２２自体に持つ場合における不揮発性のソフトウェアライトプロテクト制御を可能とすることができる。
【００８８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態１〜７に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８９】
たとえば、前記実施の形態におけるＦｌａｓｈメモリについては、コモンＦｌａｓｈエリアの最終チップ、最終セクタ内にライトプロテクト保存レジスタが設定される場合について説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、コモンＦｌａｓｈエリアの先頭チップ、先頭セクタ内に設定する場合についても適用可能である。
【００９０】
さらに、このライトプロテクト保存レジスタの設定とともに、ライトプロテクト範囲、消去単位はＦｌａｓｈメモリの機能仕様に対応して、適宜設定されることはいうまでもない。
【００９１】
また、本実施の形態における不揮発性メモリは、Ｆｌａｓｈメモリの他に、ビット毎に電気的消去および書き込み可能なＥＥＰＲＯＭなどの他の不揮発性メモリについても適用でき、さらにこの不揮発性メモリを使用したシステム、たとえば情報処理装置全般およびメモリカード全般、さらに不揮発性メモリデバイスなどにおいても広く適用可能である。
【００９２】
以下に、本発明の実施態様を列挙する。
【００９３】
１．ライトプロテクトアドレスを示すライトプロテクト保存レジスタを有するフラッシュメモリが搭載され、前記ライトプロテクト保持レジスタのデータに基づき、外部から入力されたアドレスが、ライトプロテクト範囲内か否か判断するフラッシュメモリカードと、
前記フラッシュメモリカードに接続されるカードインターフェイスと、
前記カードインターフェイスを介して接続される中央演算装置とを、
有する半導体情報処理装置。
【００９４】
２．前記フラッシュメモリは、ソフトウエアライトプロテクト機能を有しない、前項１に記載の半導体情報処理装置。
【符号の説明】
【００９５】
１，１ａ〜１ｄ Ｆｌａｓｈメモリカード
２，２ａ〜２ｄ Ｆｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）
３ リセットＩＣ
４，４ａ〜４ｄ カードコントローラ
５，５ａ〜５ｄ ライトプロテクト保存レジスタ
６，６ａ〜６ｄ ライトプロテクトレジスタ
７ リセット部
８ アドレス制御部
９ Ｆｌａｓｈメモリコントロール信号発生部
１０ ソフトウェアリセットレジスタ
１１ レジスタコントロール部
１２ ライトプロテクト領域判定部
１３ データ制御部
１４ 大小判別回路
１５ カードインタフェース
１６ ＣＰＵ
１７ ＲＡＭ
１８ ＲＯＭ
１９ プリンタ
２０ ハードディスク
２１ フロッピー（登録商標）ディスク
２２ 不揮発性メモリ
２３ ライトプロテクトレジスタ
２４ ライトプロテクト領域判定部
２５ ライト制御部
２６ 半導体メモリ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライトプロテクトアドレスを示すライトプロテクト保存レジスタを有するフラッシュメモリが搭載され、前記ライトプロテクト保持レジスタのデータに基づき、外部から入力されたアドレスが、ライトプロテクト範囲内か否か判断するフラッシュメモリカードと、
前記フラッシュメモリカードに接続されるカードインターフェイスと、
前記カードインターフェイスを介して接続される中央演算装置とを、
有する半導体情報処理装置。
【請求項１】
ライトプロテクトアドレスを示すライトプロテクト保存レジスタを有するフラッシュメモリが搭載され、前記ライトプロテクト保持レジスタのデータに基づき、外部から入力されたアドレスが、ライトプロテクト範囲内か否か判断するフラッシュメモリカードと、
前記フラッシュメモリカードに接続されるカードインターフェイスと、
前記カードインターフェイスを介して接続される中央演算装置とを、
有する半導体情報処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１０−１６５３７１（Ｐ２０１０−１６５３７１Ａ）
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５０４１２（Ｐ２０１０−５０４１２）
【出願日】平成２２年３月８日（２０１０．３．８）
【分割の表示】特願２００７−１２０７１７（Ｐ２００７−１２０７１７）の分割
【原出願日】平成６年８月３日（１９９４．８．３）
【出願人】（５０８１１７７９８）ソリッド ステート ストレージ ソリューションズ エルエルシー (11)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月８日（２０１０．３．８）
【分割の表示】特願２００７−１２０７１７（Ｐ２００７−１２０７１７）の分割
【原出願日】平成６年８月３日（１９９４．８．３）
【出願人】（５０８１１７７９８）ソリッド ステート ストレージ ソリューションズ エルエルシー (11)
【Ｆターム（参考）】
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