半導体装置の製造方法
【課題】半導体素子が形成された半導体基板から切り出される半導体チップの抗折強度を高めることができる半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】一面に半導体素子が形成された半導体基板に対し、前記一面側から格子状に溝を形成する工程と、前記半導体基板の前記一面側に粘着テープを貼る工程と、前記半導体基板の他面を前記溝が表出するまで研削し、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、前記半導体基板の他面側から前記半導体チップにレーザー光線を、前記半導体基板に形成された前記溝の延伸方向に沿った垂直断面に向けて、前記他面に対して斜め方向から照射しつつ、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させる工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【解決手段】一面に半導体素子が形成された半導体基板に対し、前記一面側から格子状に溝を形成する工程と、前記半導体基板の前記一面側に粘着テープを貼る工程と、前記半導体基板の他面を前記溝が表出するまで研削し、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、前記半導体基板の他面側から前記半導体チップにレーザー光線を、前記半導体基板に形成された前記溝の延伸方向に沿った垂直断面に向けて、前記他面に対して斜め方向から照射しつつ、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させる工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。より詳しくは、半導体装置の製造方法における半導体基板の個片化工程で、半導体チップに生じた加工痕を抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体基板（ウエハ）の主面にダイシングラインで格子状に区画された複数の領域にＩＣ等の回路が形成され、このダイシングラインに沿って該半導体基板を切削して回路毎に分割することで、個々の半導体チップを製造する。このような半導体チップを多数使用する携帯電話、スマートフォン、モバイルＰＣ等は小型・薄型化が進んでおり、半導体チップの厚さをできるだけ薄く形成することが望まれている。そのため、半導体基板を個々の半導体チップに分割する前に、該半導体基板の裏面を研削することによって薄型化の実現が図られている。
【０００３】
しかしながら、上述の半導体装置の製造方法では、切削や研削によって半導体チップの側面や裏面に微細なマイクロクラックやチッピング等の加工痕が生じるため、半導体チップの抗折強度が低下する問題がある。すなわち、半導体チップをピックアップする際や、プリント基板にフリップチップ実装する際などに、該半導体チップと周辺部材の熱膨張係数の差異によって生じる応力や機械的な圧力が該半導体チップに加わると、該半導体チップの周縁辺に生じた該加工痕を起点に該半導体チップに亀裂が入って割れてしまうことがある。
【０００４】
今日では、先ダイシングと呼ばれる方法によって半導体チップを半導体基板から切り出す方法（特許文献１参照）がよく用いられている。この方法によれば、ダイシングブレードを用いて半導体基板の表面からダイシングラインに沿って所定の深さの切り込みを形成した後、該半導体基板の裏面を研削して、先に形成した切り込みを表出させることにより、各半導体チップを個片化するとともに薄厚化することができる。さらに、この研削によって、半導体チップの裏面と側面で構成される周縁辺に生じていたチッピングを一部除去することができる。しかしながら、切削や研削による加工痕が該周縁辺に生じるため、該半導体チップの抗折強度の低下を解消するには至らない。
【０００５】
このような半導体チップの表面に生じる加工痕を除去するために、半導体チップの表面をエッチングする方法が提案されているが（特許文献２参照）、半導体素子がエッチング液によって損なわれる恐れがあり、該エッチング液の廃液処理の問題も生じる。また、半導体チップの表面に生じた加工痕にレーザー光線を照射して、該加工痕を溶融又は気化させることによって該半導体チップの表面を滑らかにする方法が提案されている（特許文献３及び４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６１−１１２３４５号公報
【特許文献２】特開２００２−０１６０２１号公報
【特許文献３】特開２００４−２２８２１８号公報
【特許文献４】特開２００４−２８２０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体素子が形成された半導体基板から切り出される半導体チップを、従来のレーザー照射によって処理した後においても、該半導体チップの抗折強度は満足できるものではないという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体素子が形成された半導体基板から切り出される半導体チップの抗折強度を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らが上記問題を鋭意検討したところ、半導体素子が形成された半導体基板から切り出される半導体チップの側面に生じた加工痕が該半導体チップの抗折強度を低下させる原因であることを見出し、以下の手段によって上記問題を解決した。
【０００９】
本発明の請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、一面に半導体素子が形成された半導体基板に対し、前記一面側から格子状に溝を形成する工程と、前記半導体基板の前記一面側に粘着テープを貼る工程と、前記半導体基板の他面を前記溝が表出するまで研削し、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、前記半導体基板の他面側から前記半導体チップにレーザー光線を、前記半導体基板に形成された前記溝の延伸方向に沿った垂直断面に向けて、前記他面に対して斜め方向から照射しつつ、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させる工程とを備えることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、前記レーザー光線を照射する際、前記レーザー光線の光軸と前記他面とのなす角度を一定とすることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１又は２において、前記レーザー光線を、前記垂直断面に加えて、前記他面にも照射することを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜３のいずれか一項において、前記レーザー光線を、前記垂直断面の端部及び前記他面の端部で構成される周縁辺にも照射することを特徴とする。
本発明の請求項５に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一項において、前記レーザー光線を、一方の半導体チップに照射すると同時に、隣接する他方の半導体チップにも照射することを特徴とする。
本発明の請求項６に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜５のいずれか一項において、前記レーザー光線を、前記一面側に貼った前記粘着テープ以外の領域に照射することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの側面である前記垂直断面をレーザー照射することによって、半導体基板に溝を形成する工程（溝形成工程）および半導体基板を研削して半導体チップを分離する工程（研削工程）において半導体チップの側面に生じてしまう加工痕を除去することができる。該加工痕を除去することにより、該半導体チップの抗折強度を高めることができる。
【００１１】
また、前記レーザー光線を前記他面に対して斜め方向から照射しつつ、前記レーザー光線の光軸と前記他面とのなす角度を一定として、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させることにより、レーザー照射されるエリアごとの照射エネルギーを一定にすることができ、エリアごとの加工痕除去の程度のばらつきを少なくすることができる。
【００１２】
また、前記垂直断面に加えて、前記他面にもレーザー照射した場合には、前記研削工程において前記他面に生じてしまう加工痕を除去して、該半導体チップの抗折強度を一層高めることができる。
さらに、前記垂直断面および前記他面に加えて、前記垂直断面の端部及び前記他面の端部で構成される前記半導体チップの周縁辺（エッジ）にもレーザー照射した場合には、前記溝形成工程又は前記研削工程で該周縁辺に生じてしまう加工痕を除去して、該半導体チップの抗折強度をさらに一層高めることができる。
【００１３】
また、前記レーザー光線を、互いに隣接する一方の半導体チップと他方の半導体チップの両方に同時に照射した場合には、レーザー照射の工程を短縮して当該半導体装置の製造効率を高めることができる。
また、前記レーザー光線を前記粘着テープ以外の領域に照射して、該粘着テープに照射しない場合には、該粘着テープがレーザー照射によって溶解されて、その溶解された粘着テープが半導体チップに付着して汚染することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は本発明の溝形成工程を示す概略図、（ｂ）は本発明の固定工程を示す概略図、（ｃ）は本発明の研削工程を示す概略図、（ｄ）は本発明のレーザー照射工程を示す概略図である。
【図２】照射工程における半導体基板に形成された半導体チップの配列を示す、半導体基板の上面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部とレーザー照射を示す概略図である。
【図４】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部で半導体チップが位置ずれした場合のレーザー照射を示す概略図である。
【図５】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部とレーザー照射を示す斜視図である。
【図６】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部とレーザー照射を示す別の概略図である。
【図７】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部とレーザー照射のスキャンを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
＜第一実施形態＞
本発明に係る半導体装置の製造方法の第一実施形態は、図１に示すように、溝形成工程（ａ）、固定工程（ｂ）、研削工程（ｃ）、及びレーザー照射工程（ｄ）の少なくとも４工程を有する。
【００１６】
前記溝形成工程（ａ）は、半導体素子が形成された半導体基板Ｗ（半導体ウエハ）の一面２において、格子状の溝５（ダイシングライン）を形成する工程である。
前記半導体基板Ｗは、半導体素子を形成するために用いられる公知の半導体基板が用いられ、例えば、シリコン（Ｓｉ）半導体基板が挙げられる。
前記半導体基板Ｗの一面２には、格子状に区切られた区画の所定位置において半導体素子が予め形成されている（図示略）。該半導体素子には、絶縁樹脂や再配線層、封止樹脂層、はんだバンプ等のウエハレベルのパッケージ加工が施されていてもよい。
【００１７】
前記溝形成工程（ａ）では、前記区画に沿った溝５（切り込み）を所定の深さで形成する、いわゆるハーフカットダイシングを行う。溝５の深さとしては、半導体チップ１の仕上げ厚よりも１０〜６０μｍ程度深くすることが好ましい。このことにより、形成された溝５の底部近傍に生じやすい大きな加工痕を、後工程の研削工程（ｃ）で除去することができる。
【００１８】
この溝５を形成する切削方法としては、先ダイシング法で用いられる公知の切削方法が用いられる。一般には、ダイヤモンドブレードあるいはレジンブレード等の切削刃を備えた回転ブレード（ダイシングブレード）を高速で回転させながら半導体基板Ｗの一面２に押し付けて徐々に溝を深くしていき、該切削刃の先端が該半導体基板Ｗを貫通しないように制御して行う。この段階では、該半導体基板Ｗから個々の半導体チップ１はまだ切り出されていない。また、切削で形成される溝５の垂直断面９（半導体チップの側面）には、切削刃による加工痕が生じる。
【００１９】
前記固定工程（ｂ）では、溝５を形成した前記半導体基板Ｗの一面２側に粘着テープ３（保護テープ）を貼り付ける工程である。該粘着テープ３を貼り付けることにより、半導体基板Ｗの一面２に形成されている半導体素子を保護することができ、後工程において半導体基板Ｗから個々の半導体チップ１を切り出す際に、個々の半導体チップ１が散らばることを防ぐことができ、個々の半導体チップ１の取り扱いを容易にすることができる。このとき、前記粘着テープ３はシート状のものであって、半導体基板Ｗの一面２を単一の粘着シートの粘着面に固定できる形態であることが望ましい。このような用途で用いられる前記粘着テープ３（粘着シート）は市販の入手可能な公知のものを用いることができる。
【００２０】
前記研削工程（ｃ）では、前記半導体基板Ｗの他面４を、該半導体基板Ｗの一面２側から形成した前記溝５が他面４側に表出するまで研削（研磨）して、その結果、前記半導体基板Ｗを複数の半導体チップ１に分離（個片化）する工程である。この研削方法としては、公知のバックグラインド法で用いられる研削方法を用いることができる。例えば、細かい粒径の研磨剤を含む研磨液を用いて、砥石を備えた回転ホイールを３０００〜７０００ｒｐｍで回転させながら、２００〜５００ｒｐｍで逆方向に回転している前記半導体基板Ｗの他面４に押し付けて徐々に該半導体基板Ｗの他面４を研削して、所定の厚さになるまで薄くする機械的研磨法が挙げられる。このとき、研削された該他面４には、砥石及び研磨剤による加工痕が生じる。
【００２１】
前記レーザー照射工程（ｄ）は、前記半導体基板Ｗの他面４側から前記半導体チップ１にレーザー光線７を照射する工程である。前記半導体チップ１の側面９や他面４に該レーザー光線７を照射することにより、側面９や他面４に生じた前記加工痕を除去することができる。
【００２２】
このとき、後で詳細に説明するように、レーザー光線７を、半導体基板Ｗに形成された溝５の延伸方向（図１の点Ｓで表す紙面垂直方向）に沿った垂直断面９に向けて、他面４に対して斜め方向から照射しつつ、レーザー光線７及び／又は半導体基板Ｗを相対的に移動させて、レーザー光線７を前記延伸方向へスキャンする。
【００２３】
前記レーザー照射工程（ｄ）に用いうるレーザー照射装置としては、ＹＡＧレーザーやＹＶＯ４レーザー等の固体レーザー、あるいはＣＯ２レーザーやエキシマレーザー等のガスレーザーが挙げられる。前記加工痕に照射されるレーザーの照射エネルギーが大きい場合には該加工痕は気化されて除去され、該照射エネルギーが小さい場合には該加工痕は溶融及び再結晶化されて除去される。
【００２４】
前記照射エネルギーは、レーザー光線７の波長、強度、及びレーザー光線７と半導体基板との相対的な移動速度によって適宜調整する必要がある。レーザー光線７の強度が大き過ぎると、半導体チップ１の表面に形成されている半導体素子にダメージを与える危険性がある。また、レーザー光線７の強度が大き過ぎる場合には、半導体チップ１の側面９で反射されたレーザー光線７が、半導体チップ１の一面２を固定している前記粘着テープ３に到達して該粘着テープ３を溶融・飛散させて半導体チップ１を汚損することもある。
【００２５】
このようなリスクを回避するため、半導体チップ１の厚さによって使用するレーザー光線の種類を変え、レーザー光線７の強度を調整する方法が挙げられる。例えば、半導体チップ１の厚さが５０μｍの場合は、比較的低エネルギーのＹＶＯ４レーザーの第二高調波を使用し、半導体チップ１の厚さが２００μｍの場合は、エキシマレーザーを使用する方法が挙げられる。
【００２６】
図２に示すように、このレーザー照射工程の段階においては、個々の半導体チップ１はそれぞれ半導体基板Ｗから切り離されてはいるが、前記粘着テープ３に固定されているため、切り離される前の位置をほぼ維持している。すなわち、図３の断面図（図２におけるＡ−Ａ間の断面）に示すように、個々の半導体チップ１ａ（１）〜１ｃ（１）は整列した状態にあって、隣接する半導体チップ同士の離間距離ｈは、前記切削工程で前記半導体基板Ｗの一面２に形成した溝５の幅程度となっている。
【００２７】
この半導体基板Ｗにおいて、レーザー光線７を、前記半導体基板Ｗに形成された前記溝５の延伸方向Ｄ１およびＤ２に沿った垂直断面９に向けて、他面４に対して斜め方向から照射することによって、前記粘着テープ３上に整列して固定された状態の個々の半導体チップ１の側面（垂直断面９）にレーザー光線７を照射することができる（図３参照）。レーザー光線７が照射された領域ではその表面の一部が溶融又は気化することにより、該領域に生じていた加工痕が除去される。
【００２８】
また、レーザー光線７の径、レーザー光線７と他面４とのなす角度θ、半導体チップ１の厚さｔ、及び半導体チップ１同士の離間距離ｈ等にもよるが、図３のようにレーザー光線７を他面４に対して斜め方向から照射すると、半導体チップ１ｂ（１）の側面９（垂直断面９）と同時に、半導体チップ１ｂ（１）の側面９と他面４とで構成される周縁辺（エッジ）１１、および半導体チップ１ａ（１）の周縁辺１３の他面４側にもレーザー光線７を照射することができる。この場合、一度の照射によって隣接する２個の半導体チップ１ａ（１）及び１ｂ（１）を同時に処理して製造効率を高めることができる。
【００２９】
このとき、周縁辺１１を構成する側面９及び他面４に同時にレーザー照射することを利用して、該周縁辺１１の角を丸くしたＲ（アール）を形成してもよい。該Ｒを形成することにより、半導体チップの抗折強度をより高めることができる。
【００３０】
また、レーザー光線７を他面４に対して斜め方向から照射することによって、レーザー光線７を粘着テープ３に照射してしまうことを防ぐことができる。すなわち、前記研削工程において、粘着テープ３上の半導体チップ１ｂ（１）の位置が動いてしまうことが起きうるが、この場合であっても図４に示すように、レーザー光線７が粘着テープ３に照射されることを防ぐことができる。
【００３１】
レーザー光線７と他面４のなす角度θとしては、１５〜７５度が好ましく、２５〜６５度がより好ましく、４０〜５０度が最も好ましい。上記範囲であると溝５の垂直断面９（半導体チップ１の側面９）に対してレーザー光線７を十分に照射することができる。なす角度θが９０度に近い角度であると垂直断面９に対するレーザー光線７の照射量が小さくなり、さらにレーザー光線７が粘着テープ３に照射されてしまう恐れがある。一方、なす角度θが０度に近い角度であると他面４に対するレーザー光線７の照射量が小さくなり、さらにレーザー光線７を所定の半導体チップの垂直断面及び周縁辺に位置合わせすることが難しくなり、高度な制御技術が要求される。
【００３２】
ここで、なす角度θが１５〜７５度であるときの他面４の垂直断面９に対する照射量の比は０．２５〜４．０であり、なす角度θが２５〜６５度であるときの該照射量の比は０．５〜２．０であり、なす角度θが４０〜５０度であるときの該照射量の比は０．８〜１．２である。粘着テープ３にレーザー光線７を照射しないための適切ななす角度θは、関係式θ＜ｔａｎ-1（ｔ／ｈ）で表される。
【００３３】
図５は、図２のＡ−Ａ間における断面の一部を示す斜視図である。斜視図とともに示したｘｙｚ軸座標において、ｘ軸は図２で半導体チップ１が整列するＤ１方向に相当し、ｙ軸は図２で半導体チップ１が整列するＤ２方向に相当し、ｚ軸は半導体チップ１の他面４に対する垂直方向に相当する。この図５において、レーザー光線７の照射角度をベクトルＰと平行に設定して、半導体チップ１ａ（１）の半導体チップ１ｂ（１）に隣接する垂直断面９α（９）へ照射しながら、該レーザー光線７をｘ軸の負方向（Ｄ１方向）にスキャン（移動）する場合、該レーザー光線７の照射角度を規定する角度θおよび角度φは次の範囲が好適である。
【００３４】
角度θは前述のとおりであり、１５〜７５度が好ましく、２５〜６５度がより好ましく、４０〜５０度が最も好ましい。
角度φは、図５に示したように、ベクトルＰをｘｙ平面に投影したベクトルＨとｘ軸の単位ベクトルとがなす角度である。この角度φは、半導体チップ１の厚さや溝５の幅にもよるが、２５〜６５度が好ましく、３５〜５５度がより好ましく、４０〜５０度が最も好ましい。
【００３５】
角度θ及びφが上記範囲であると、前述のようにＤ１方向へレーザー光線７をスキャンしながら半導体チップ１ａ（１）の側面９α（９）から、Ｄ２方向へ延伸する溝５を跨いで、半導体チップ１ｄ（１）の側面９β（９）へレーザー光線７が移動する際に、該レーザー光線７が溝５の底部の粘着テープ３に照射されてしまうことを防ぐことができる。
一方、角度φが０度又は９０度であると、レーザー光線７を、Ｄ１又はＤ２方向へスキャンしながら、隣接する半導体チップを跨がせる際に、粘着テープ３にレーザー光線７が照射されてしまう。
【００３６】
また、図６に示すように、角度θが９０度又は角度φが０度であると、溝５の垂直断面９（半導体チップ１の側面９）にレーザー光線７ｐ（７）を照射することができないだけでなく、周縁辺１１の近くを照射することも困難である。少しでもレーザー光線の位置が溝５側へずれたり、半導体チップ１ｂ（１）が溝５の幅を広くするように位置ずれしていた場合には、点線で示したように、レーザー光線７ｑ（７）が粘着テープ３に照射されてしまうからである。よって、角度θが９０度又は角度φが０度である場合、このような位置ずれを想定して、レーザー光線７の光軸の中心を、レーザー光線７の直径に相当する距離だけ周縁辺１１から離す必要が一般にある。この場合、最も加工痕の集中する周縁辺１１には、レーザー光線７が照射されないか、照射されたとしても加工痕を除去するには不十分な量である。
【００３７】
本発明におけるレーザー光線７の照射方法を、図５でまとめると、以下のように説明できる。半導体基板Ｗに形成された溝５の延伸方向（ｘ軸方向又はＤ１方向）に沿った垂直断面９に向けて、半導体基板Ｗ（半導体チップ１）の他面４に対して斜め方向から照射するとき、レーザー光線７は他面４（ｘｙ平面）に対して角度θを成して傾いていると同時に、レーザー光線７は溝５の延伸方向（ｘ軸方向）に対して角度φで傾いている。
【００３８】
このようにレーザー光線７を照射することによって、レーザー光線７を垂直断面９に照射しながら、該レーザー光線７を溝５の延伸方向（ｘ軸方向又はＤ１方向）へ移動（スキャン）する。このとき角度θ及びφは、必ずしも一定に固定する必要はなく、レーザー照射口を首振り運動させることにより、例えば前述した好適な角度θ及びφの範囲の中で、連続的に変化させてもよい。
【００３９】
しかし、レーザー照射されるエリアごとの照射エネルギーを一定にし、エリアごとの加工痕除去のばらつきを少なくして均一な表面処理を行えることから、前記レーザー光線の光軸と前記他面とのなす角度θを一定として、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させることが好ましい。
【００４０】
次に、レーザー光線７を溝５の延伸方向（Ｄ１方向）へスキャンするときの、レーザー照射方法の一例を示す。図７では、半導体チップ１ａ（１）及び１ｂ（１）に照射されたレーザー光線７の光軸の中心位置の軌跡Ｔを点線で示す。また、他面４におけるレーザー光線７の照射エリアの形状を楕円で示す。この軌跡Ｔのようにレーザー光線７を照射しながら、Ｄ１方向へスキャンすると、半導体チップ１ａ（１）の側面９、他面４、及び該側面９と他面４とで構成される周縁辺１３、並びに半導体チップ１ｂ（１）の他面４及とその端部に生じていた前記加工痕を除去することができる。また、このスキャンの過程において、半導体チップ１ａ（１）及び１ｂ（１）の他面４に、レーザー照射による捺印を行ってもよい。
【００４１】
以上では、粘着テープ３上に整列して固定された状態の各半導体チップ１に対してレーザー光線７を照射する場合を説明した。これ以外の方法によって、個片化された半導体チップ１の側面９にレーザー照射し、該側面９における加工痕を除去する方法として、個片化された半導体チップ１の各々をコレットで吸着して持ち上げて、レーザー光線を照射する方法が挙げられる。この場合、当該半導体チップには粘着テープが張り付いていないので、レーザー照射における前記角度θ及びφを自在に選択することができる。また、半導体チップを吸引するコレットの位置を変えて、半導体チップ表裏を反転させることにより、半導体チップの全ての面に対してレーザー照射することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、半導体基板から個片化された半導体チップの側面部に形成された加工痕をレーザーによって除去して、該半導体チップの抗折強度を高めるために広く利用することが可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１…半導体チップ、Ｗ…半導体基板（ウエハ）、Ｂ…支持台、２…一面、３…粘着テープ、４…他面、５…溝（ダイシングライン）、７，７ｐ，７ｑ…レーザー光線、９…垂直断面（半導体チップの側面）、Ｓ…溝の延伸方向、Ｄ１…溝の延伸方向、Ｄ２…溝の延伸方向、１１…周縁辺、１３…周縁辺、ｈ…溝の幅、Ｔ…軌跡、ｔ…半導体チップの厚さ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。より詳しくは、半導体装置の製造方法における半導体基板の個片化工程で、半導体チップに生じた加工痕を抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体基板（ウエハ）の主面にダイシングラインで格子状に区画された複数の領域にＩＣ等の回路が形成され、このダイシングラインに沿って該半導体基板を切削して回路毎に分割することで、個々の半導体チップを製造する。このような半導体チップを多数使用する携帯電話、スマートフォン、モバイルＰＣ等は小型・薄型化が進んでおり、半導体チップの厚さをできるだけ薄く形成することが望まれている。そのため、半導体基板を個々の半導体チップに分割する前に、該半導体基板の裏面を研削することによって薄型化の実現が図られている。
【０００３】
しかしながら、上述の半導体装置の製造方法では、切削や研削によって半導体チップの側面や裏面に微細なマイクロクラックやチッピング等の加工痕が生じるため、半導体チップの抗折強度が低下する問題がある。すなわち、半導体チップをピックアップする際や、プリント基板にフリップチップ実装する際などに、該半導体チップと周辺部材の熱膨張係数の差異によって生じる応力や機械的な圧力が該半導体チップに加わると、該半導体チップの周縁辺に生じた該加工痕を起点に該半導体チップに亀裂が入って割れてしまうことがある。
【０００４】
今日では、先ダイシングと呼ばれる方法によって半導体チップを半導体基板から切り出す方法（特許文献１参照）がよく用いられている。この方法によれば、ダイシングブレードを用いて半導体基板の表面からダイシングラインに沿って所定の深さの切り込みを形成した後、該半導体基板の裏面を研削して、先に形成した切り込みを表出させることにより、各半導体チップを個片化するとともに薄厚化することができる。さらに、この研削によって、半導体チップの裏面と側面で構成される周縁辺に生じていたチッピングを一部除去することができる。しかしながら、切削や研削による加工痕が該周縁辺に生じるため、該半導体チップの抗折強度の低下を解消するには至らない。
【０００５】
このような半導体チップの表面に生じる加工痕を除去するために、半導体チップの表面をエッチングする方法が提案されているが（特許文献２参照）、半導体素子がエッチング液によって損なわれる恐れがあり、該エッチング液の廃液処理の問題も生じる。また、半導体チップの表面に生じた加工痕にレーザー光線を照射して、該加工痕を溶融又は気化させることによって該半導体チップの表面を滑らかにする方法が提案されている（特許文献３及び４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６１−１１２３４５号公報
【特許文献２】特開２００２−０１６０２１号公報
【特許文献３】特開２００４−２２８２１８号公報
【特許文献４】特開２００４−２８２０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体素子が形成された半導体基板から切り出される半導体チップを、従来のレーザー照射によって処理した後においても、該半導体チップの抗折強度は満足できるものではないという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体素子が形成された半導体基板から切り出される半導体チップの抗折強度を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らが上記問題を鋭意検討したところ、半導体素子が形成された半導体基板から切り出される半導体チップの側面に生じた加工痕が該半導体チップの抗折強度を低下させる原因であることを見出し、以下の手段によって上記問題を解決した。
【０００９】
本発明の請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、一面に半導体素子が形成された半導体基板に対し、前記一面側から格子状に溝を形成する工程と、前記半導体基板の前記一面側に粘着テープを貼る工程と、前記半導体基板の他面を前記溝が表出するまで研削し、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、前記半導体基板の他面側から前記半導体チップにレーザー光線を、前記半導体基板に形成された前記溝の延伸方向に沿った垂直断面に向けて、前記他面に対して斜め方向から照射しつつ、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させる工程とを備えることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、前記レーザー光線を照射する際、前記レーザー光線の光軸と前記他面とのなす角度を一定とすることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１又は２において、前記レーザー光線を、前記垂直断面に加えて、前記他面にも照射することを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜３のいずれか一項において、前記レーザー光線を、前記垂直断面の端部及び前記他面の端部で構成される周縁辺にも照射することを特徴とする。
本発明の請求項５に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一項において、前記レーザー光線を、一方の半導体チップに照射すると同時に、隣接する他方の半導体チップにも照射することを特徴とする。
本発明の請求項６に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜５のいずれか一項において、前記レーザー光線を、前記一面側に貼った前記粘着テープ以外の領域に照射することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの側面である前記垂直断面をレーザー照射することによって、半導体基板に溝を形成する工程（溝形成工程）および半導体基板を研削して半導体チップを分離する工程（研削工程）において半導体チップの側面に生じてしまう加工痕を除去することができる。該加工痕を除去することにより、該半導体チップの抗折強度を高めることができる。
【００１１】
また、前記レーザー光線を前記他面に対して斜め方向から照射しつつ、前記レーザー光線の光軸と前記他面とのなす角度を一定として、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させることにより、レーザー照射されるエリアごとの照射エネルギーを一定にすることができ、エリアごとの加工痕除去の程度のばらつきを少なくすることができる。
【００１２】
また、前記垂直断面に加えて、前記他面にもレーザー照射した場合には、前記研削工程において前記他面に生じてしまう加工痕を除去して、該半導体チップの抗折強度を一層高めることができる。
さらに、前記垂直断面および前記他面に加えて、前記垂直断面の端部及び前記他面の端部で構成される前記半導体チップの周縁辺（エッジ）にもレーザー照射した場合には、前記溝形成工程又は前記研削工程で該周縁辺に生じてしまう加工痕を除去して、該半導体チップの抗折強度をさらに一層高めることができる。
【００１３】
また、前記レーザー光線を、互いに隣接する一方の半導体チップと他方の半導体チップの両方に同時に照射した場合には、レーザー照射の工程を短縮して当該半導体装置の製造効率を高めることができる。
また、前記レーザー光線を前記粘着テープ以外の領域に照射して、該粘着テープに照射しない場合には、該粘着テープがレーザー照射によって溶解されて、その溶解された粘着テープが半導体チップに付着して汚染することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は本発明の溝形成工程を示す概略図、（ｂ）は本発明の固定工程を示す概略図、（ｃ）は本発明の研削工程を示す概略図、（ｄ）は本発明のレーザー照射工程を示す概略図である。
【図２】照射工程における半導体基板に形成された半導体チップの配列を示す、半導体基板の上面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部とレーザー照射を示す概略図である。
【図４】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部で半導体チップが位置ずれした場合のレーザー照射を示す概略図である。
【図５】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部とレーザー照射を示す斜視図である。
【図６】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部とレーザー照射を示す別の概略図である。
【図７】図２のＡ−Ａ線に沿う断面の一部とレーザー照射のスキャンを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
＜第一実施形態＞
本発明に係る半導体装置の製造方法の第一実施形態は、図１に示すように、溝形成工程（ａ）、固定工程（ｂ）、研削工程（ｃ）、及びレーザー照射工程（ｄ）の少なくとも４工程を有する。
【００１６】
前記溝形成工程（ａ）は、半導体素子が形成された半導体基板Ｗ（半導体ウエハ）の一面２において、格子状の溝５（ダイシングライン）を形成する工程である。
前記半導体基板Ｗは、半導体素子を形成するために用いられる公知の半導体基板が用いられ、例えば、シリコン（Ｓｉ）半導体基板が挙げられる。
前記半導体基板Ｗの一面２には、格子状に区切られた区画の所定位置において半導体素子が予め形成されている（図示略）。該半導体素子には、絶縁樹脂や再配線層、封止樹脂層、はんだバンプ等のウエハレベルのパッケージ加工が施されていてもよい。
【００１７】
前記溝形成工程（ａ）では、前記区画に沿った溝５（切り込み）を所定の深さで形成する、いわゆるハーフカットダイシングを行う。溝５の深さとしては、半導体チップ１の仕上げ厚よりも１０〜６０μｍ程度深くすることが好ましい。このことにより、形成された溝５の底部近傍に生じやすい大きな加工痕を、後工程の研削工程（ｃ）で除去することができる。
【００１８】
この溝５を形成する切削方法としては、先ダイシング法で用いられる公知の切削方法が用いられる。一般には、ダイヤモンドブレードあるいはレジンブレード等の切削刃を備えた回転ブレード（ダイシングブレード）を高速で回転させながら半導体基板Ｗの一面２に押し付けて徐々に溝を深くしていき、該切削刃の先端が該半導体基板Ｗを貫通しないように制御して行う。この段階では、該半導体基板Ｗから個々の半導体チップ１はまだ切り出されていない。また、切削で形成される溝５の垂直断面９（半導体チップの側面）には、切削刃による加工痕が生じる。
【００１９】
前記固定工程（ｂ）では、溝５を形成した前記半導体基板Ｗの一面２側に粘着テープ３（保護テープ）を貼り付ける工程である。該粘着テープ３を貼り付けることにより、半導体基板Ｗの一面２に形成されている半導体素子を保護することができ、後工程において半導体基板Ｗから個々の半導体チップ１を切り出す際に、個々の半導体チップ１が散らばることを防ぐことができ、個々の半導体チップ１の取り扱いを容易にすることができる。このとき、前記粘着テープ３はシート状のものであって、半導体基板Ｗの一面２を単一の粘着シートの粘着面に固定できる形態であることが望ましい。このような用途で用いられる前記粘着テープ３（粘着シート）は市販の入手可能な公知のものを用いることができる。
【００２０】
前記研削工程（ｃ）では、前記半導体基板Ｗの他面４を、該半導体基板Ｗの一面２側から形成した前記溝５が他面４側に表出するまで研削（研磨）して、その結果、前記半導体基板Ｗを複数の半導体チップ１に分離（個片化）する工程である。この研削方法としては、公知のバックグラインド法で用いられる研削方法を用いることができる。例えば、細かい粒径の研磨剤を含む研磨液を用いて、砥石を備えた回転ホイールを３０００〜７０００ｒｐｍで回転させながら、２００〜５００ｒｐｍで逆方向に回転している前記半導体基板Ｗの他面４に押し付けて徐々に該半導体基板Ｗの他面４を研削して、所定の厚さになるまで薄くする機械的研磨法が挙げられる。このとき、研削された該他面４には、砥石及び研磨剤による加工痕が生じる。
【００２１】
前記レーザー照射工程（ｄ）は、前記半導体基板Ｗの他面４側から前記半導体チップ１にレーザー光線７を照射する工程である。前記半導体チップ１の側面９や他面４に該レーザー光線７を照射することにより、側面９や他面４に生じた前記加工痕を除去することができる。
【００２２】
このとき、後で詳細に説明するように、レーザー光線７を、半導体基板Ｗに形成された溝５の延伸方向（図１の点Ｓで表す紙面垂直方向）に沿った垂直断面９に向けて、他面４に対して斜め方向から照射しつつ、レーザー光線７及び／又は半導体基板Ｗを相対的に移動させて、レーザー光線７を前記延伸方向へスキャンする。
【００２３】
前記レーザー照射工程（ｄ）に用いうるレーザー照射装置としては、ＹＡＧレーザーやＹＶＯ４レーザー等の固体レーザー、あるいはＣＯ２レーザーやエキシマレーザー等のガスレーザーが挙げられる。前記加工痕に照射されるレーザーの照射エネルギーが大きい場合には該加工痕は気化されて除去され、該照射エネルギーが小さい場合には該加工痕は溶融及び再結晶化されて除去される。
【００２４】
前記照射エネルギーは、レーザー光線７の波長、強度、及びレーザー光線７と半導体基板との相対的な移動速度によって適宜調整する必要がある。レーザー光線７の強度が大き過ぎると、半導体チップ１の表面に形成されている半導体素子にダメージを与える危険性がある。また、レーザー光線７の強度が大き過ぎる場合には、半導体チップ１の側面９で反射されたレーザー光線７が、半導体チップ１の一面２を固定している前記粘着テープ３に到達して該粘着テープ３を溶融・飛散させて半導体チップ１を汚損することもある。
【００２５】
このようなリスクを回避するため、半導体チップ１の厚さによって使用するレーザー光線の種類を変え、レーザー光線７の強度を調整する方法が挙げられる。例えば、半導体チップ１の厚さが５０μｍの場合は、比較的低エネルギーのＹＶＯ４レーザーの第二高調波を使用し、半導体チップ１の厚さが２００μｍの場合は、エキシマレーザーを使用する方法が挙げられる。
【００２６】
図２に示すように、このレーザー照射工程の段階においては、個々の半導体チップ１はそれぞれ半導体基板Ｗから切り離されてはいるが、前記粘着テープ３に固定されているため、切り離される前の位置をほぼ維持している。すなわち、図３の断面図（図２におけるＡ−Ａ間の断面）に示すように、個々の半導体チップ１ａ（１）〜１ｃ（１）は整列した状態にあって、隣接する半導体チップ同士の離間距離ｈは、前記切削工程で前記半導体基板Ｗの一面２に形成した溝５の幅程度となっている。
【００２７】
この半導体基板Ｗにおいて、レーザー光線７を、前記半導体基板Ｗに形成された前記溝５の延伸方向Ｄ１およびＤ２に沿った垂直断面９に向けて、他面４に対して斜め方向から照射することによって、前記粘着テープ３上に整列して固定された状態の個々の半導体チップ１の側面（垂直断面９）にレーザー光線７を照射することができる（図３参照）。レーザー光線７が照射された領域ではその表面の一部が溶融又は気化することにより、該領域に生じていた加工痕が除去される。
【００２８】
また、レーザー光線７の径、レーザー光線７と他面４とのなす角度θ、半導体チップ１の厚さｔ、及び半導体チップ１同士の離間距離ｈ等にもよるが、図３のようにレーザー光線７を他面４に対して斜め方向から照射すると、半導体チップ１ｂ（１）の側面９（垂直断面９）と同時に、半導体チップ１ｂ（１）の側面９と他面４とで構成される周縁辺（エッジ）１１、および半導体チップ１ａ（１）の周縁辺１３の他面４側にもレーザー光線７を照射することができる。この場合、一度の照射によって隣接する２個の半導体チップ１ａ（１）及び１ｂ（１）を同時に処理して製造効率を高めることができる。
【００２９】
このとき、周縁辺１１を構成する側面９及び他面４に同時にレーザー照射することを利用して、該周縁辺１１の角を丸くしたＲ（アール）を形成してもよい。該Ｒを形成することにより、半導体チップの抗折強度をより高めることができる。
【００３０】
また、レーザー光線７を他面４に対して斜め方向から照射することによって、レーザー光線７を粘着テープ３に照射してしまうことを防ぐことができる。すなわち、前記研削工程において、粘着テープ３上の半導体チップ１ｂ（１）の位置が動いてしまうことが起きうるが、この場合であっても図４に示すように、レーザー光線７が粘着テープ３に照射されることを防ぐことができる。
【００３１】
レーザー光線７と他面４のなす角度θとしては、１５〜７５度が好ましく、２５〜６５度がより好ましく、４０〜５０度が最も好ましい。上記範囲であると溝５の垂直断面９（半導体チップ１の側面９）に対してレーザー光線７を十分に照射することができる。なす角度θが９０度に近い角度であると垂直断面９に対するレーザー光線７の照射量が小さくなり、さらにレーザー光線７が粘着テープ３に照射されてしまう恐れがある。一方、なす角度θが０度に近い角度であると他面４に対するレーザー光線７の照射量が小さくなり、さらにレーザー光線７を所定の半導体チップの垂直断面及び周縁辺に位置合わせすることが難しくなり、高度な制御技術が要求される。
【００３２】
ここで、なす角度θが１５〜７５度であるときの他面４の垂直断面９に対する照射量の比は０．２５〜４．０であり、なす角度θが２５〜６５度であるときの該照射量の比は０．５〜２．０であり、なす角度θが４０〜５０度であるときの該照射量の比は０．８〜１．２である。粘着テープ３にレーザー光線７を照射しないための適切ななす角度θは、関係式θ＜ｔａｎ-1（ｔ／ｈ）で表される。
【００３３】
図５は、図２のＡ−Ａ間における断面の一部を示す斜視図である。斜視図とともに示したｘｙｚ軸座標において、ｘ軸は図２で半導体チップ１が整列するＤ１方向に相当し、ｙ軸は図２で半導体チップ１が整列するＤ２方向に相当し、ｚ軸は半導体チップ１の他面４に対する垂直方向に相当する。この図５において、レーザー光線７の照射角度をベクトルＰと平行に設定して、半導体チップ１ａ（１）の半導体チップ１ｂ（１）に隣接する垂直断面９α（９）へ照射しながら、該レーザー光線７をｘ軸の負方向（Ｄ１方向）にスキャン（移動）する場合、該レーザー光線７の照射角度を規定する角度θおよび角度φは次の範囲が好適である。
【００３４】
角度θは前述のとおりであり、１５〜７５度が好ましく、２５〜６５度がより好ましく、４０〜５０度が最も好ましい。
角度φは、図５に示したように、ベクトルＰをｘｙ平面に投影したベクトルＨとｘ軸の単位ベクトルとがなす角度である。この角度φは、半導体チップ１の厚さや溝５の幅にもよるが、２５〜６５度が好ましく、３５〜５５度がより好ましく、４０〜５０度が最も好ましい。
【００３５】
角度θ及びφが上記範囲であると、前述のようにＤ１方向へレーザー光線７をスキャンしながら半導体チップ１ａ（１）の側面９α（９）から、Ｄ２方向へ延伸する溝５を跨いで、半導体チップ１ｄ（１）の側面９β（９）へレーザー光線７が移動する際に、該レーザー光線７が溝５の底部の粘着テープ３に照射されてしまうことを防ぐことができる。
一方、角度φが０度又は９０度であると、レーザー光線７を、Ｄ１又はＤ２方向へスキャンしながら、隣接する半導体チップを跨がせる際に、粘着テープ３にレーザー光線７が照射されてしまう。
【００３６】
また、図６に示すように、角度θが９０度又は角度φが０度であると、溝５の垂直断面９（半導体チップ１の側面９）にレーザー光線７ｐ（７）を照射することができないだけでなく、周縁辺１１の近くを照射することも困難である。少しでもレーザー光線の位置が溝５側へずれたり、半導体チップ１ｂ（１）が溝５の幅を広くするように位置ずれしていた場合には、点線で示したように、レーザー光線７ｑ（７）が粘着テープ３に照射されてしまうからである。よって、角度θが９０度又は角度φが０度である場合、このような位置ずれを想定して、レーザー光線７の光軸の中心を、レーザー光線７の直径に相当する距離だけ周縁辺１１から離す必要が一般にある。この場合、最も加工痕の集中する周縁辺１１には、レーザー光線７が照射されないか、照射されたとしても加工痕を除去するには不十分な量である。
【００３７】
本発明におけるレーザー光線７の照射方法を、図５でまとめると、以下のように説明できる。半導体基板Ｗに形成された溝５の延伸方向（ｘ軸方向又はＤ１方向）に沿った垂直断面９に向けて、半導体基板Ｗ（半導体チップ１）の他面４に対して斜め方向から照射するとき、レーザー光線７は他面４（ｘｙ平面）に対して角度θを成して傾いていると同時に、レーザー光線７は溝５の延伸方向（ｘ軸方向）に対して角度φで傾いている。
【００３８】
このようにレーザー光線７を照射することによって、レーザー光線７を垂直断面９に照射しながら、該レーザー光線７を溝５の延伸方向（ｘ軸方向又はＤ１方向）へ移動（スキャン）する。このとき角度θ及びφは、必ずしも一定に固定する必要はなく、レーザー照射口を首振り運動させることにより、例えば前述した好適な角度θ及びφの範囲の中で、連続的に変化させてもよい。
【００３９】
しかし、レーザー照射されるエリアごとの照射エネルギーを一定にし、エリアごとの加工痕除去のばらつきを少なくして均一な表面処理を行えることから、前記レーザー光線の光軸と前記他面とのなす角度θを一定として、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させることが好ましい。
【００４０】
次に、レーザー光線７を溝５の延伸方向（Ｄ１方向）へスキャンするときの、レーザー照射方法の一例を示す。図７では、半導体チップ１ａ（１）及び１ｂ（１）に照射されたレーザー光線７の光軸の中心位置の軌跡Ｔを点線で示す。また、他面４におけるレーザー光線７の照射エリアの形状を楕円で示す。この軌跡Ｔのようにレーザー光線７を照射しながら、Ｄ１方向へスキャンすると、半導体チップ１ａ（１）の側面９、他面４、及び該側面９と他面４とで構成される周縁辺１３、並びに半導体チップ１ｂ（１）の他面４及とその端部に生じていた前記加工痕を除去することができる。また、このスキャンの過程において、半導体チップ１ａ（１）及び１ｂ（１）の他面４に、レーザー照射による捺印を行ってもよい。
【００４１】
以上では、粘着テープ３上に整列して固定された状態の各半導体チップ１に対してレーザー光線７を照射する場合を説明した。これ以外の方法によって、個片化された半導体チップ１の側面９にレーザー照射し、該側面９における加工痕を除去する方法として、個片化された半導体チップ１の各々をコレットで吸着して持ち上げて、レーザー光線を照射する方法が挙げられる。この場合、当該半導体チップには粘着テープが張り付いていないので、レーザー照射における前記角度θ及びφを自在に選択することができる。また、半導体チップを吸引するコレットの位置を変えて、半導体チップ表裏を反転させることにより、半導体チップの全ての面に対してレーザー照射することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、半導体基板から個片化された半導体チップの側面部に形成された加工痕をレーザーによって除去して、該半導体チップの抗折強度を高めるために広く利用することが可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１…半導体チップ、Ｗ…半導体基板（ウエハ）、Ｂ…支持台、２…一面、３…粘着テープ、４…他面、５…溝（ダイシングライン）、７，７ｐ，７ｑ…レーザー光線、９…垂直断面（半導体チップの側面）、Ｓ…溝の延伸方向、Ｄ１…溝の延伸方向、Ｄ２…溝の延伸方向、１１…周縁辺、１３…周縁辺、ｈ…溝の幅、Ｔ…軌跡、ｔ…半導体チップの厚さ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に半導体素子が形成された半導体基板に対し、前記一面側から格子状に溝を形成する工程と、
前記半導体基板の前記一面側に粘着テープを貼る工程と、
前記半導体基板の他面を前記溝が表出するまで研削し、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、
前記半導体基板の他面側から前記半導体チップにレーザー光線を、前記半導体基板に形成された前記溝の延伸方向に沿った垂直断面に向けて、前記他面に対して斜め方向から照射しつつ、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レーザー光線を照射する際、前記レーザー光線の光軸と前記他面とのなす角度を一定とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レーザー光線を、前記垂直断面に加えて、前記他面にも照射することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザー光線を、前記垂直断面の端部及び前記他面の端部で構成される周縁辺にも照射することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記レーザー光線を、一方の半導体チップに照射すると同時に、隣接する他方の半導体チップにも照射することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記レーザー光線を、前記一面側に貼った前記粘着テープ以外の領域に照射することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
一面に半導体素子が形成された半導体基板に対し、前記一面側から格子状に溝を形成する工程と、
前記半導体基板の前記一面側に粘着テープを貼る工程と、
前記半導体基板の他面を前記溝が表出するまで研削し、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、
前記半導体基板の他面側から前記半導体チップにレーザー光線を、前記半導体基板に形成された前記溝の延伸方向に沿った垂直断面に向けて、前記他面に対して斜め方向から照射しつつ、前記レーザー光線及び／又は前記半導体基板を相対的に移動させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レーザー光線を照射する際、前記レーザー光線の光軸と前記他面とのなす角度を一定とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レーザー光線を、前記垂直断面に加えて、前記他面にも照射することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザー光線を、前記垂直断面の端部及び前記他面の端部で構成される周縁辺にも照射することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記レーザー光線を、一方の半導体チップに照射すると同時に、隣接する他方の半導体チップにも照射することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記レーザー光線を、前記一面側に貼った前記粘着テープ以外の領域に照射することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１２９７０９（Ｐ２０１１−１２９７０９Ａ）
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８６７４６（Ｐ２００９−２８６７４６）
【出願日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
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