半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法
【課題】絶縁テープの両面を覆う導体箔間の高い導通信頼性を確保し、導体箔に形成される配線パターンのファインピッチ化を実現し、配線パターンを形成する際に良好な歩留まりを得るとともに、耐屈曲性が改善した半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置用両面配線テープキャリアは、絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔が貼り付けられた３層のテープ基材１と、第１の導体箔および絶縁テープをテープ基材の厚さ方向に貫通するよう設けられて、底面が第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホール３と、ブラインドビアホールの内部全体を埋めるように第１の導体箔の開口部側面に接触して、第１の導体箔と第２の導体箔とを導通する金属めっき層とを備える。
【解決手段】半導体装置用両面配線テープキャリアは、絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔が貼り付けられた３層のテープ基材１と、第１の導体箔および絶縁テープをテープ基材の厚さ方向に貫通するよう設けられて、底面が第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホール３と、ブラインドビアホールの内部全体を埋めるように第１の導体箔の開口部側面に接触して、第１の導体箔と第２の導体箔とを導通する金属めっき層とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に用いるテープキャリアおよびその製造方法に関し、特に、ファインピッチ化に好適な半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やＩＣカードを始めとする情報関連機器等では、小型化、薄型化に加え、高周波数領域での低ノイズ化、高配線密度化が必要となってきており、そのような要請に答えるべく半導体装置用両面配線テープキャリアが実用化されてきた。
【０００３】
半導体装置用両面配線テープキャリアの材料としては、一般的には、ポリイミド等の有機絶縁テープと、かかる絶縁テープの両面をそれぞれ覆う銅箔とを有する３層のテープ基材が用いられる。
【０００４】
両面の銅箔を電気的に導通させるため、テープ基材には、一方の銅箔と絶縁テープとを厚さ方向に貫通し、底面が他方の銅箔により塞がれるブラインドビアホールが設けられる。ブラインドビアホールの内面に銅めっき層を形成することにより、両面の銅箔が導通される。
【０００５】
そして、両面の銅箔を導通させた後、フォトエッチング法を用いて両面の銅箔に配線パターンを形成する。
【０００６】
ブラインドビアホールの内面を銅めっき層で覆う方法としては、コンフォーマルめっき方法とビアフィリングめっき方法が知られているが、いずれの方法もブラインドビアホールの内面に銅めっき層を形成する際、めっき液が入り込む側にある銅箔上にもめっきが形成されることになる。そのため、ブラインドビアホールをめっきで埋め込むようにする場合、銅箔上にも厚いめっき膜が形成されることになるため、厚さを低減すべく、めっき後に研磨することで薄くすることがある（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２４２７９０号公報
【特許文献２】特開２００４−１２８１７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一方、例えば、携帯電話用途の半導体装置用テープキャリアにおいては、携帯電話を使用する上でのフレキシブル性が要求されており、かつ、繰り返される屈曲に対する耐久性が必要となっている。
【０００９】
しかしながら、従来技術においては、導体箔上にめっきが形成されているために耐屈曲性が悪く、配線が破断してしまう虞があった。
【００１０】
また、片面だけにめっきを施すため、両面のバランスが悪くなり、幅方向で反りが生じる虞があった。反りが生じると、搬送性や位置決め精度が悪化し、歩留まりの低下を引き起こす要因となる。
【００１１】
そこで本発明は上記事情に鑑み、絶縁テープの両面を覆う導体箔間の高い導通信頼性を確保し、導体箔に形成される配線パターンのファインピッチ化を実現し、配線パターンを形成する際に良好な歩留まりを得るとともに、耐屈曲性が改善した半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は次のような構成をとる。
【００１３】
請求項１の発明に係る半導体装置用両面配線テープキャリアは、絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔が貼り付けられた３層のテープ基材と、前記第１の導体箔および前記絶縁テープを前記テープ基材の厚さ方向に貫通するよう設けられて、底面が前記第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホールと、前記ブラインドビアホールの内部全体を埋めるように前記第１の導体箔の開口部側面に接触して、前記第１の導体箔と前記第２の導体箔とを導通する金属めっき層とを備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアにおいて、前記第２の導体箔の厚さが１５μｍ以下であることを特徴とする。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアにおいて、前記第１の導体箔および前記第２の導体箔に配線パターンが形成されており、該配線パターンの配線ピッチが６０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４の発明にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法は、絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔を貼り付けることにより、３層のテープ基材を形成する工程と、前記第１の導体箔および前記絶縁テープを前記テープ基材の厚さ方向に穿孔することより、底面が前記第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホールを形成する工程と、前記第１の導体箔の表面全面に所定厚さの金属めっき層を形成することにより、前記ブラインドビアホールの内部全体を金属めっきで埋めて、前記第１の導体箔と前記第２の導体箔とを導通する工程と、前記第１の導体箔の裏面を基準面として、該基準面から前記第１の導体箔と前記金属めっき層とから成る導体層の表面までの合計厚さが基準厚さ以下となるように、前記導体層の表面側を削る工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、前記第２の導体箔の厚さが１５μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法によれば、絶縁テープの両面を覆う導体箔間の高い導通信頼性を確保し、導体箔に形成される配線パターンのファインピッチ化を実現し、配線パターンを形成する際に良好な歩留まりを得るとともに、耐屈曲性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法の説明図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの断面図である。
【図３】ビアフィリングめっき方法の説明図である。
【図４】ブラインドビアホールにおける銅めっき層の充填率を示す説明図である。
【図５】分解生成物の蓄積により充填率が悪化する様子の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
つぎに、図面を参照しながら、本発明にかかる実施形態を説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法の説明図である。図２は、本発明の実施形態にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの断面図である。図３は、ビアフィリングめっき方法の説明図である。図４は、ブラインドビアホールにおける銅めっき層の充填率を示す説明図である。図５は、分解生成物の蓄積により充填率が悪化する様子の説明図である。
【００２１】
図２に示すとおり、絶縁テープとしてのポリイミドテープ２の表面には、第１の導体箔として圧延銅箔からなる銅箔２ａが貼り付けられ、ポリイミドテープ２の裏面には第２の導体箔として圧延銅箔からなる銅箔２ｂが貼り付けられ、３層のテープ基材１が形成されている。
【００２２】
テープ基材１には、銅箔２ａとポリイミドテープ２とを厚さ方向に貫通するブラインドビアホール３が複数設けられている。各ブラインドビアホール３の底面は、ポリイミドテープ２の裏面側にて銅箔２ｂにより塞がれている。ブラインドビアホール３の直径は例えば４０μｍから１００μｍである。
【００２３】
ブラインドビアホール３の内面と銅箔２ａの表面には、錫−パラジウム又はその化合物、ニッケル又はその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマーのいずれかを材料とする導電性薄膜４が形成されている。
【００２４】
さらに、ブラインドビアホール３の内面には、前述の導電性薄膜４を下地として、金属めっき層としての銅めっき層５が形成されている。銅箔２ａの開口縁と銅めっき層とが接触していることにより、銅箔２ａと銅箔２ｂとは電気的に導通される。銅めっき工程において、銅箔２ａの表面にも銅めっき層５が形成されるが、後述する研磨工程でこの部分の銅めっき層５は研磨され、銅箔２ａの表面を露出するようにしている。つまり、ビアホール内のみに導電性薄膜４と銅めっき層５とが形成された構成となる。
【００２５】
このように、ブラインドビアホール３の内部全体は、銅めっき層５で満たされている。図４において、Ａ／Ｂ×１００％を充填率と定義した場合、本実施の形態における充填率は９０％以上である。したがって、ブラインドビアホール３の上面は、ほぼ平坦な構造となっている。ここで、Ａとはブラインドビアホール３の底面からブラインドビアホール３内部の銅めっき層５の最下面までの高さであり、Ｂはブラインドビアホール３の底面からブラインドビアホール３内部の銅めっき層５の最上面（銅箔２ａの表面）までの高さである。
【００２６】
また、銅箔２ａの表面と銅箔２ｂの表面は粗面化されており、各面の中心線表面粗さは０．２μｍ以上である。
【００２７】
銅箔２ａおよび銅箔２ｂには、配線パターン８が形成されている。配線パターン８の配線ピッチ９は６０μｍ以下である。
【００２８】
配線パターン８の一部表面は、絶縁層６としての熱硬化性又は感光性のソルダーレジスト、又はカバーレイで覆われている。一方、絶縁層６で覆われていない配線パターン８の表面は、ニッケルめっき又は金めっきによる表面処理層７で覆われている。
【００２９】
続いて、前記半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法について、図１を用いて説明する。
【００３０】
絶縁テープとしてのポリイミドテープ２を用意し、ポリイミドテープ２の表面に第１の導体箔としての銅箔２ａを貼り付け、ポリイミドテープ２の裏面に第２の導体箔としての銅箔２ｂを貼り付け、３層のテープ基材１を形成する（図１（ａ））。
【００３１】
かかる貼り付けは接着剤を用いてもよく、用いなくてもよい。接着剤を用いない方法としては、銅箔にワニス状の樹脂を塗りつけるキャスティング法、銅箔とフィルムを熱で圧着するラミネート法、フィルムに銅を蒸着するめっき法がある。また、貼り付け順序は不問であり、銅箔２ａまたは銅箔２ｂのいずれを先に貼り付けてもよく、銅箔２ａと銅箔２ｂを同時に貼り付けても良い。なお、銅箔２ｂの貼り付けは、後述する銅箔２ａとポリイミドテープ２の穿孔後に行っても良い。
【００３２】
その後、金型プレスを用い、テープ基材１に製品搬送用のパーフォレーション穴（図示しない）を形成する。
【００３３】
その後、銅箔２ａの一部をフォトエッチング法により除去し、ポリイミドテープ２の表面を露出する（図１（ｂ））。除去する部位の形状は、直径が４０〜１００μｍ程度の円形とするのが一般的である。
【００３４】
その後、露出したポリイミドテープ２の表面にＣＯ2レーザ光を照射してポリイミドテープ２を厚さ方向に穿孔し、ブラインドビアホール３を形成する（図１（ｃ））。ブラインドビアホール３の底面は、ポリイミドテープ２の裏面側にて銅箔２ｂにより塞がれている。
【００３５】
レーザ加工の際に、ブラインドビアホール３の内面にスミアと呼ばれる焼け焦げ残渣が残った場合には、デスミア処理と呼ばれるスミアの除去が必要となる。なお、ポリイミドテープ２の穿孔は、湿式処理によるエッチング手段を用いてもよい。
【００３６】
その後、無電解めっき等の手段を用いて、ブラインドビアホール３の内面と銅箔２ａの表面に、錫−パラジウム又はその化合物、ニッケル又はその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマーのいずれかを材料とする導電性薄膜４を形成する（図１（ｄ））。かかる導電性薄膜４は、後述の銅めっき層５を析出するための下地電極となる。
【００３７】
その後、導電性薄膜４を下地とし、ブラインドビアホール３の内面と銅箔２ａの表面に金属めっき層としての銅めっき層５を形成する（図１（ｅ））。この際、後述するビアフィリングめっき方法を用いることで、ブラインドビアホール３の内部全体を銅めっき層５で充填し、銅箔２ａと銅箔２ｂとを電気的に導通させる。
【００３８】
ビアフィリングめっきの実施に際しては、銅箔２ａの表面に所定厚さの銅めっき層５を析出させ、９０％以上の充填率を安定して得られるようにする。所定厚さは、ブラインドビアホール３の直径および深さによって変化するが、一般的には５μｍ以上とすることが望ましい。これにより、ブラインドビアホール３の上面は、ほぼ平坦な構造となる。
【００３９】
その後、銅箔２ａの表面が露出するよう、銅箔２ａの表面に析出した銅めっき層５を研磨により削る（図１（ｆ））。配線パターンのファインピッチ化を実現するためには、研磨後の銅箔２ａの厚さを１５μｍ以下とすることが望ましい。
【００４０】
上述の研磨は、加水硫酸系のソフトエッチング液を用いた化学研磨であっても、機械研磨であってもよい。
【００４１】
一方、銅箔２ｂも、配線パターンのファインピッチ化を実現するため、同様の研磨手段によって厚さを調節することができる。
【００４２】
なお、上記の研磨の際、銅箔２ａの表面と銅箔２ｂの表面の中心線表面粗さが０．２μｍ以上になるように研磨するとよい。かかる粗面化により表面の摩擦係数が高まる。
【００４３】
研磨完了後、後述の配線パターンを形成するため、銅めっき層５の表面を含む銅箔２ａと銅箔２ｂの表面にドライフィルムレジスト（図示しない）をラミネートする。両面の配線パターンを効率よく形成するためには、ドライフィルムレジストを両面同時にラミネートすることが望ましい。また、配線パターンのファインピッチ化を実現するためには、ドライフィルムレジストの厚さは２０μｍ以下であることが望ましい。
【００４４】
次いで、かかるドライフィルムレジストの表面にフォトマスクを介して紫外線を照射し、ドライフィルムレジストを光硬化させる。こののち、有機溶剤、アルカリ水溶液などの現像液を用い、未硬化部分のドライフィルムレジストを除去して、レジストパターン（図示しない）を形成する。
【００４５】
前述のレジストパターンに覆われていない銅箔２ａおよび銅箔２ｂをエッチングにより除去し、配線パターン８を形成する（図１（ｇ））。配線パターン８の配線ピッチ９は両面とも６０μｍ以下とする。配線パターン８を形成した後、レジストパターンは除去する。
【００４６】
その後、配線パターン８の一部表面上に、スクリーン印刷法を用いて熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布し、絶縁層６を作成する（図１（ｈ））。絶縁層６として、接着剤を用いてカバーレイを貼り付ける場合もある。
【００４７】
最後に、絶縁層６に覆われていない配線パターン８の表面に、電気ニッケルめっきおよび電気金めっきの順で表面処理層７を施す（図１（ｉ））。
【００４８】
以上により、図２に示す半導体装置用両面配線テープキャリアの製造が完了する。
【００４９】
本発明の形態によれば、銅箔として圧延銅箔を用いているため、耐屈曲性を著しく向上させることができる。
【００５０】
本実施の形態によれば、ビアフィリングめっきの際に銅箔２ａの表面へ所定厚さ以上の銅めっき層５を析出させることによって、ブラインドビアホール３内部への銅めっき層５の充填率を常に９０％以上とすることができる。したがって、銅箔２ａと銅箔２ｂとの導通信頼性が高い。
【００５１】
また、銅箔２ａの厚さおよび銅箔２ｂの厚さは１５μｍ以下となるよう研磨されている。したがって、配線パターン８のファインピッチ化を実現できる。
【００５２】
さらに、ブラインドビアホール３のテント性が良好であることから、ファインピッチ化に好適な薄いドライフィルムレジストを用いることが出来る。したがって、配線パターン８のファインピッチ化が実現できる。
【００５３】
また、銅箔２ａの表面と銅箔２ｂの表面は中心線表面粗さが０．２μｍ以上になるように研磨されており、ドライフィルムレジストとの密着性が高い。したがって、配線パターン８を形成する際の歩留まりが良い。
【００５４】
続いて、前述のビアフィリングめっき方法について、図３を用いて説明する。
【００５５】
まず、めっき液にレベラー１０、ブライトナー１１と呼ばれる添加剤を添加して、めっき電解を開始する。めっき電解に際しては、銅箔２ａの表面へレベラー１０を多く吸着させ、ブラインドビアホール３の底部へブライトナー１１を多く吸着させる（図３（ａ））。
【００５６】
レベラー１０は析出抑制効果を有するため、銅箔２ａの表面への銅めっき層５の析出は抑制される。一方、ブライトナー１１は析出促進効果を有するため、ブラインドビアホール３の内面への銅めっき層５の析出は促進される（図３（ｂ））。
【００５７】
その後、ブラインドビアホール３の内部への銅めっき層５の充填率が９０％以上になったら、めっき電解を終了する（図３（ｃ））。
【００５８】
ブラインドビアホール３の内部への銅めっき層５の充填特性は、めっき液の組成変動、すなわちレベラー１０およびブライトナー１１およびポリマーの濃度変化によって変化する。したがって、めっき電解中には、めっき液中の添加剤濃度の分析を頻繁に行い、めっき液の組成を一定に保つ制御が必要となる。
【００５９】
ここで、めっき液中の添加剤はめっき電解と共に分解し、その一部は分解生成物（老廃物）としてめっき液中に蓄積していく。そして、分解生成物の蓄積が進むにつれ、ブラインドビアホール３の内部への充填率が悪化していく。
【００６０】
分解生成物がブラインドビアホール３の内部への充填率を悪化させていく様子を図５に示す。めっき電解の開始直後は、分解生成物の蓄積が少なく、高い充填率が得られる（図５（ａ））。しかし、同一のめっき液を用いてめっき電解を進行していくと、徐々に分解生成物の蓄積が進み、充填率が悪化し始める（図５（ｂ））。そして、さらに分解生成物の蓄積が進むと、充填率は一層悪化する（図５（ｃ））。したがって、活性炭フィルター等を用いて分解生成物を定期的にフィルタリングすることが必要となる。
【００６１】
分解生成物の蓄積による充填率の悪化を防ぐためには、銅箔２ａの表面へ析出させる銅めっき層５を厚くすることが有効な手段の一つである。必要な銅めっき層５の厚さはブラインドビアホール３の直径および深さによって変化するが、銅箔２ａの表面へ析出させる銅めっき層５が厚いほど、高い充填率を安定して得られる傾向がある。一般的には、銅箔２ａの表面へ析出させる銅めっき層５の厚さが５μｍ以下では、充填率を安定させることが困難である。
【００６２】
ただし、銅箔２ａの表面へ析出させる銅めっき層５が厚くなると、配線パターン８のファインピッチ化が困難となる問題がある。
【００６３】
そこで、本実施の形態においては、高い充填率を安定して得られるよう、銅箔２ａの表面へ５μｍ以上の銅めっき層５を一旦析出させ、その後に銅箔２ａを研磨して薄くすることとしている。
【００６４】
以下に、実施例１と比較例１及び２について、表１を用いつつ説明する。
【００６５】
【表１】
【００６６】
（実施例１）
本実施の形態に示す方法により、半導体装置用両面配線テープキャリアを製造した。
【００６７】
ポリイミドテープ２の厚さは２５μｍとし、圧延銅箔からなる銅箔２ａと銅箔２ｂの厚さはそれぞれ１２μｍとした。
【００６８】
ビアフィリングめっきを実施する際、めっき液の濃度は、硫酸銅濃度２００ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度５００ｍｇ／Ｌとした。
【００６９】
添加剤は、レベラー１０としてＪＧＢ（ヤーヌスグリーンＢ）を、ブライトナー１１としてＳＰＳ（ＳＰＳ（３−スルホプロピル）ジスルフィド）を、ポリマーとしてＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を使用した。レベラー１０、ブライトナー１１、ポリマーの濃度はいずれも１００ｐｐｍとした。
【００７０】
電流密度を１Ａ／ｄｍ2、めっき時間を４５分とし、銅箔２ａへ析出させる銅めっき層５の所定厚さを１０μｍとした。
【００７１】
銅箔２ａ上に形成された銅めっき層５の厚さは、５μｍである。それを化学研磨し、６μｍ削ることにより、銅箔２ａを露出させた。
【００７２】
化学研磨の後、厚さ１０μｍのドライフィルムレジストを使用して配線パターン８を形成した。その際、銅箔２ａの配線パターン８の配線ピッチ９を４５μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２２．５±５μｍとした。
【００７３】
また、銅箔２ｂの配線パターン８の配線ピッチ９を５０μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２５±６μｍとした。
【００７４】
以上の条件で、複数のユニットが列なって成る１００ｍの半導体装置用両面配線テープキャリアを１０ロット作成した。その後、各ロットの先頭ユニットについて、以下の評価を実施した。
【００７５】
（比較例１）
本実施の形態に示す方法により、半導体装置用両面配線テープキャリアを製造した。
【００７６】
ポリイミドテープ２の厚さは２５μｍとし、電解銅箔からなる銅箔２ａと銅箔２ｂの厚さはそれぞれ１２μｍとした。
【００７７】
ビアフィリングめっきを実施する際、めっき液の濃度は、硫酸銅濃度２００ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度５００ｍｇ／Ｌとした。
【００７８】
添加剤は、レベラー１０としてＪＧＢ（ヤーヌスグリーンＢ）を、ブライトナー１１としてＳＰＳ（ＳＰＳ（３−スルホプロピル）ジスルフィド）を、ポリマーとしてＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を使用した。レベラー１０、ブライトナー１１、ポリマーの濃度はいずれも１００ｐｐｍとした。
【００７９】
電流密度を１Ａ／ｄｍ2、めっき時間を４５分とし、銅箔２ａへ析出させる銅めっき層５の所定厚さを１０μｍとした。
【００８０】
銅箔２ａ上に形成された銅めっき層５の厚さは、５μｍである。それを化学研磨し、６μｍ削ることにより、銅箔２ａを露出させた。
【００８１】
化学研磨の後、厚さ１０μｍのドライフィルムレジストを使用して配線パターン８を形成した。その際、銅箔２ａの配線パターン８の配線ピッチ９を４５μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２２．５±５μｍとした。
【００８２】
また、銅箔２ｂの配線パターン８の配線ピッチ９を５０μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２５±６μｍとした。
【００８３】
以上の条件で、複数のユニットが列なって成る１００ｍの半導体装置用両面配線テープキャリアを１０ロット作成した。その後、各ロットの先頭ユニットについて、以下の評価を実施した。
【００８４】
（比較例２）
本実施の形態に示す方法により、半導体装置用両面配線テープキャリアを製造した。
【００８５】
ポリイミドテープ２の厚さは２５μｍとし、圧延銅箔からなる銅箔２ａと銅箔２ｂの厚さはそれぞれ１２μｍとした。
【００８６】
ビアフィリングめっきを実施する際、めっき液の濃度は、硫酸銅濃度２００ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度５００ｍｇ／Ｌとした。
【００８７】
添加剤は、レベラー１０としてＪＧＢ（ヤーヌスグリーンＢ）を、ブライトナー１１としてＳＰＳ（ＳＰＳ（３−スルホプロピル）ジスルフィド）を、ポリマーとしてＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を使用した。レベラー１０、ブライトナー１１、ポリマーの濃度はいずれも１００ｐｐｍとした。
【００８８】
電流密度を１Ａ／ｄｍ２、めっき時間を４５分とし、銅箔２ａへ析出させる銅めっき層５の所定厚さを１０μｍとした。
【００８９】
銅箔２ａ上に形成された銅めっき層５の厚さは、５μｍである。それを化学研磨し、２μｍ削ることにより、銅箔２ａ上に銅めっき層５を３μｍ残存させた。
【００９０】
化学研磨の後、厚さ１０μｍのドライフィルムレジストを使用して配線パターン８を形成した。その際、銅箔２ａの配線パターン８の配線ピッチ９を４５μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２２．５±５μｍとした。
【００９１】
また、銅箔２ｂの配線パターン８の配線ピッチ９を５０μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２５±６μｍとした。
【００９２】
以上の条件で、複数のユニットが列なって成る１００ｍの半導体装置用両面配線テープキャリアを１０ロット作成した。その後、各ロットの先頭ユニットについて、以下の評価を実施した。
【００９３】
＜耐屈曲性試験＞
実施例１及び比較例１、２の半導体装置用両面配線テープキャリアの各先頭ユニットを、屈曲試験機を用いて曲げ半径１５ｍｍにて連続往復屈曲させ、配線の切断、クラックが生じる回数を比較した。
【００９４】
その結果、電解銅箔を用いたものよりも圧延銅箔を用いる方が耐屈曲性に優れており、また、圧延銅箔を用いた場合、その上面に銅めっき層がないほうが良いということがわかった。
【００９５】
＜反り量＞
実施例１及び比較例１、２の半導体装置用両面配線テープキャリアの各先頭ユニットを平坦なテーブル上に置き、半導体装置用両面配線テープキャリアの中央付近の最大反り量を測定したものである。
【００９６】
実施例１と比較例２の結果から、銅箔２ａ側に銅めっき層５を形成しない方が、基板の反りの影響が少ないことがわかった。
【符号の説明】
【００９７】
１ テープ基材
２ ポリイミドテープ
２ａ 銅箔
２ｂ 銅箔
３ ブラインドビアホール
４ 導電性薄膜
５ 銅めっき層
６ 絶縁層
７ 表面処理層
８ 配線パターン
９ ピッチ
１０ レベラー
１１ ブライトナー
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に用いるテープキャリアおよびその製造方法に関し、特に、ファインピッチ化に好適な半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やＩＣカードを始めとする情報関連機器等では、小型化、薄型化に加え、高周波数領域での低ノイズ化、高配線密度化が必要となってきており、そのような要請に答えるべく半導体装置用両面配線テープキャリアが実用化されてきた。
【０００３】
半導体装置用両面配線テープキャリアの材料としては、一般的には、ポリイミド等の有機絶縁テープと、かかる絶縁テープの両面をそれぞれ覆う銅箔とを有する３層のテープ基材が用いられる。
【０００４】
両面の銅箔を電気的に導通させるため、テープ基材には、一方の銅箔と絶縁テープとを厚さ方向に貫通し、底面が他方の銅箔により塞がれるブラインドビアホールが設けられる。ブラインドビアホールの内面に銅めっき層を形成することにより、両面の銅箔が導通される。
【０００５】
そして、両面の銅箔を導通させた後、フォトエッチング法を用いて両面の銅箔に配線パターンを形成する。
【０００６】
ブラインドビアホールの内面を銅めっき層で覆う方法としては、コンフォーマルめっき方法とビアフィリングめっき方法が知られているが、いずれの方法もブラインドビアホールの内面に銅めっき層を形成する際、めっき液が入り込む側にある銅箔上にもめっきが形成されることになる。そのため、ブラインドビアホールをめっきで埋め込むようにする場合、銅箔上にも厚いめっき膜が形成されることになるため、厚さを低減すべく、めっき後に研磨することで薄くすることがある（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２４２７９０号公報
【特許文献２】特開２００４−１２８１７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一方、例えば、携帯電話用途の半導体装置用テープキャリアにおいては、携帯電話を使用する上でのフレキシブル性が要求されており、かつ、繰り返される屈曲に対する耐久性が必要となっている。
【０００９】
しかしながら、従来技術においては、導体箔上にめっきが形成されているために耐屈曲性が悪く、配線が破断してしまう虞があった。
【００１０】
また、片面だけにめっきを施すため、両面のバランスが悪くなり、幅方向で反りが生じる虞があった。反りが生じると、搬送性や位置決め精度が悪化し、歩留まりの低下を引き起こす要因となる。
【００１１】
そこで本発明は上記事情に鑑み、絶縁テープの両面を覆う導体箔間の高い導通信頼性を確保し、導体箔に形成される配線パターンのファインピッチ化を実現し、配線パターンを形成する際に良好な歩留まりを得るとともに、耐屈曲性が改善した半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は次のような構成をとる。
【００１３】
請求項１の発明に係る半導体装置用両面配線テープキャリアは、絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔が貼り付けられた３層のテープ基材と、前記第１の導体箔および前記絶縁テープを前記テープ基材の厚さ方向に貫通するよう設けられて、底面が前記第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホールと、前記ブラインドビアホールの内部全体を埋めるように前記第１の導体箔の開口部側面に接触して、前記第１の導体箔と前記第２の導体箔とを導通する金属めっき層とを備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアにおいて、前記第２の導体箔の厚さが１５μｍ以下であることを特徴とする。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアにおいて、前記第１の導体箔および前記第２の導体箔に配線パターンが形成されており、該配線パターンの配線ピッチが６０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４の発明にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法は、絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔を貼り付けることにより、３層のテープ基材を形成する工程と、前記第１の導体箔および前記絶縁テープを前記テープ基材の厚さ方向に穿孔することより、底面が前記第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホールを形成する工程と、前記第１の導体箔の表面全面に所定厚さの金属めっき層を形成することにより、前記ブラインドビアホールの内部全体を金属めっきで埋めて、前記第１の導体箔と前記第２の導体箔とを導通する工程と、前記第１の導体箔の裏面を基準面として、該基準面から前記第１の導体箔と前記金属めっき層とから成る導体層の表面までの合計厚さが基準厚さ以下となるように、前記導体層の表面側を削る工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、前記第２の導体箔の厚さが１５μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法によれば、絶縁テープの両面を覆う導体箔間の高い導通信頼性を確保し、導体箔に形成される配線パターンのファインピッチ化を実現し、配線パターンを形成する際に良好な歩留まりを得るとともに、耐屈曲性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法の説明図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの断面図である。
【図３】ビアフィリングめっき方法の説明図である。
【図４】ブラインドビアホールにおける銅めっき層の充填率を示す説明図である。
【図５】分解生成物の蓄積により充填率が悪化する様子の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
つぎに、図面を参照しながら、本発明にかかる実施形態を説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法の説明図である。図２は、本発明の実施形態にかかる半導体装置用両面配線テープキャリアの断面図である。図３は、ビアフィリングめっき方法の説明図である。図４は、ブラインドビアホールにおける銅めっき層の充填率を示す説明図である。図５は、分解生成物の蓄積により充填率が悪化する様子の説明図である。
【００２１】
図２に示すとおり、絶縁テープとしてのポリイミドテープ２の表面には、第１の導体箔として圧延銅箔からなる銅箔２ａが貼り付けられ、ポリイミドテープ２の裏面には第２の導体箔として圧延銅箔からなる銅箔２ｂが貼り付けられ、３層のテープ基材１が形成されている。
【００２２】
テープ基材１には、銅箔２ａとポリイミドテープ２とを厚さ方向に貫通するブラインドビアホール３が複数設けられている。各ブラインドビアホール３の底面は、ポリイミドテープ２の裏面側にて銅箔２ｂにより塞がれている。ブラインドビアホール３の直径は例えば４０μｍから１００μｍである。
【００２３】
ブラインドビアホール３の内面と銅箔２ａの表面には、錫−パラジウム又はその化合物、ニッケル又はその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマーのいずれかを材料とする導電性薄膜４が形成されている。
【００２４】
さらに、ブラインドビアホール３の内面には、前述の導電性薄膜４を下地として、金属めっき層としての銅めっき層５が形成されている。銅箔２ａの開口縁と銅めっき層とが接触していることにより、銅箔２ａと銅箔２ｂとは電気的に導通される。銅めっき工程において、銅箔２ａの表面にも銅めっき層５が形成されるが、後述する研磨工程でこの部分の銅めっき層５は研磨され、銅箔２ａの表面を露出するようにしている。つまり、ビアホール内のみに導電性薄膜４と銅めっき層５とが形成された構成となる。
【００２５】
このように、ブラインドビアホール３の内部全体は、銅めっき層５で満たされている。図４において、Ａ／Ｂ×１００％を充填率と定義した場合、本実施の形態における充填率は９０％以上である。したがって、ブラインドビアホール３の上面は、ほぼ平坦な構造となっている。ここで、Ａとはブラインドビアホール３の底面からブラインドビアホール３内部の銅めっき層５の最下面までの高さであり、Ｂはブラインドビアホール３の底面からブラインドビアホール３内部の銅めっき層５の最上面（銅箔２ａの表面）までの高さである。
【００２６】
また、銅箔２ａの表面と銅箔２ｂの表面は粗面化されており、各面の中心線表面粗さは０．２μｍ以上である。
【００２７】
銅箔２ａおよび銅箔２ｂには、配線パターン８が形成されている。配線パターン８の配線ピッチ９は６０μｍ以下である。
【００２８】
配線パターン８の一部表面は、絶縁層６としての熱硬化性又は感光性のソルダーレジスト、又はカバーレイで覆われている。一方、絶縁層６で覆われていない配線パターン８の表面は、ニッケルめっき又は金めっきによる表面処理層７で覆われている。
【００２９】
続いて、前記半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法について、図１を用いて説明する。
【００３０】
絶縁テープとしてのポリイミドテープ２を用意し、ポリイミドテープ２の表面に第１の導体箔としての銅箔２ａを貼り付け、ポリイミドテープ２の裏面に第２の導体箔としての銅箔２ｂを貼り付け、３層のテープ基材１を形成する（図１（ａ））。
【００３１】
かかる貼り付けは接着剤を用いてもよく、用いなくてもよい。接着剤を用いない方法としては、銅箔にワニス状の樹脂を塗りつけるキャスティング法、銅箔とフィルムを熱で圧着するラミネート法、フィルムに銅を蒸着するめっき法がある。また、貼り付け順序は不問であり、銅箔２ａまたは銅箔２ｂのいずれを先に貼り付けてもよく、銅箔２ａと銅箔２ｂを同時に貼り付けても良い。なお、銅箔２ｂの貼り付けは、後述する銅箔２ａとポリイミドテープ２の穿孔後に行っても良い。
【００３２】
その後、金型プレスを用い、テープ基材１に製品搬送用のパーフォレーション穴（図示しない）を形成する。
【００３３】
その後、銅箔２ａの一部をフォトエッチング法により除去し、ポリイミドテープ２の表面を露出する（図１（ｂ））。除去する部位の形状は、直径が４０〜１００μｍ程度の円形とするのが一般的である。
【００３４】
その後、露出したポリイミドテープ２の表面にＣＯ2レーザ光を照射してポリイミドテープ２を厚さ方向に穿孔し、ブラインドビアホール３を形成する（図１（ｃ））。ブラインドビアホール３の底面は、ポリイミドテープ２の裏面側にて銅箔２ｂにより塞がれている。
【００３５】
レーザ加工の際に、ブラインドビアホール３の内面にスミアと呼ばれる焼け焦げ残渣が残った場合には、デスミア処理と呼ばれるスミアの除去が必要となる。なお、ポリイミドテープ２の穿孔は、湿式処理によるエッチング手段を用いてもよい。
【００３６】
その後、無電解めっき等の手段を用いて、ブラインドビアホール３の内面と銅箔２ａの表面に、錫−パラジウム又はその化合物、ニッケル又はその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマーのいずれかを材料とする導電性薄膜４を形成する（図１（ｄ））。かかる導電性薄膜４は、後述の銅めっき層５を析出するための下地電極となる。
【００３７】
その後、導電性薄膜４を下地とし、ブラインドビアホール３の内面と銅箔２ａの表面に金属めっき層としての銅めっき層５を形成する（図１（ｅ））。この際、後述するビアフィリングめっき方法を用いることで、ブラインドビアホール３の内部全体を銅めっき層５で充填し、銅箔２ａと銅箔２ｂとを電気的に導通させる。
【００３８】
ビアフィリングめっきの実施に際しては、銅箔２ａの表面に所定厚さの銅めっき層５を析出させ、９０％以上の充填率を安定して得られるようにする。所定厚さは、ブラインドビアホール３の直径および深さによって変化するが、一般的には５μｍ以上とすることが望ましい。これにより、ブラインドビアホール３の上面は、ほぼ平坦な構造となる。
【００３９】
その後、銅箔２ａの表面が露出するよう、銅箔２ａの表面に析出した銅めっき層５を研磨により削る（図１（ｆ））。配線パターンのファインピッチ化を実現するためには、研磨後の銅箔２ａの厚さを１５μｍ以下とすることが望ましい。
【００４０】
上述の研磨は、加水硫酸系のソフトエッチング液を用いた化学研磨であっても、機械研磨であってもよい。
【００４１】
一方、銅箔２ｂも、配線パターンのファインピッチ化を実現するため、同様の研磨手段によって厚さを調節することができる。
【００４２】
なお、上記の研磨の際、銅箔２ａの表面と銅箔２ｂの表面の中心線表面粗さが０．２μｍ以上になるように研磨するとよい。かかる粗面化により表面の摩擦係数が高まる。
【００４３】
研磨完了後、後述の配線パターンを形成するため、銅めっき層５の表面を含む銅箔２ａと銅箔２ｂの表面にドライフィルムレジスト（図示しない）をラミネートする。両面の配線パターンを効率よく形成するためには、ドライフィルムレジストを両面同時にラミネートすることが望ましい。また、配線パターンのファインピッチ化を実現するためには、ドライフィルムレジストの厚さは２０μｍ以下であることが望ましい。
【００４４】
次いで、かかるドライフィルムレジストの表面にフォトマスクを介して紫外線を照射し、ドライフィルムレジストを光硬化させる。こののち、有機溶剤、アルカリ水溶液などの現像液を用い、未硬化部分のドライフィルムレジストを除去して、レジストパターン（図示しない）を形成する。
【００４５】
前述のレジストパターンに覆われていない銅箔２ａおよび銅箔２ｂをエッチングにより除去し、配線パターン８を形成する（図１（ｇ））。配線パターン８の配線ピッチ９は両面とも６０μｍ以下とする。配線パターン８を形成した後、レジストパターンは除去する。
【００４６】
その後、配線パターン８の一部表面上に、スクリーン印刷法を用いて熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布し、絶縁層６を作成する（図１（ｈ））。絶縁層６として、接着剤を用いてカバーレイを貼り付ける場合もある。
【００４７】
最後に、絶縁層６に覆われていない配線パターン８の表面に、電気ニッケルめっきおよび電気金めっきの順で表面処理層７を施す（図１（ｉ））。
【００４８】
以上により、図２に示す半導体装置用両面配線テープキャリアの製造が完了する。
【００４９】
本発明の形態によれば、銅箔として圧延銅箔を用いているため、耐屈曲性を著しく向上させることができる。
【００５０】
本実施の形態によれば、ビアフィリングめっきの際に銅箔２ａの表面へ所定厚さ以上の銅めっき層５を析出させることによって、ブラインドビアホール３内部への銅めっき層５の充填率を常に９０％以上とすることができる。したがって、銅箔２ａと銅箔２ｂとの導通信頼性が高い。
【００５１】
また、銅箔２ａの厚さおよび銅箔２ｂの厚さは１５μｍ以下となるよう研磨されている。したがって、配線パターン８のファインピッチ化を実現できる。
【００５２】
さらに、ブラインドビアホール３のテント性が良好であることから、ファインピッチ化に好適な薄いドライフィルムレジストを用いることが出来る。したがって、配線パターン８のファインピッチ化が実現できる。
【００５３】
また、銅箔２ａの表面と銅箔２ｂの表面は中心線表面粗さが０．２μｍ以上になるように研磨されており、ドライフィルムレジストとの密着性が高い。したがって、配線パターン８を形成する際の歩留まりが良い。
【００５４】
続いて、前述のビアフィリングめっき方法について、図３を用いて説明する。
【００５５】
まず、めっき液にレベラー１０、ブライトナー１１と呼ばれる添加剤を添加して、めっき電解を開始する。めっき電解に際しては、銅箔２ａの表面へレベラー１０を多く吸着させ、ブラインドビアホール３の底部へブライトナー１１を多く吸着させる（図３（ａ））。
【００５６】
レベラー１０は析出抑制効果を有するため、銅箔２ａの表面への銅めっき層５の析出は抑制される。一方、ブライトナー１１は析出促進効果を有するため、ブラインドビアホール３の内面への銅めっき層５の析出は促進される（図３（ｂ））。
【００５７】
その後、ブラインドビアホール３の内部への銅めっき層５の充填率が９０％以上になったら、めっき電解を終了する（図３（ｃ））。
【００５８】
ブラインドビアホール３の内部への銅めっき層５の充填特性は、めっき液の組成変動、すなわちレベラー１０およびブライトナー１１およびポリマーの濃度変化によって変化する。したがって、めっき電解中には、めっき液中の添加剤濃度の分析を頻繁に行い、めっき液の組成を一定に保つ制御が必要となる。
【００５９】
ここで、めっき液中の添加剤はめっき電解と共に分解し、その一部は分解生成物（老廃物）としてめっき液中に蓄積していく。そして、分解生成物の蓄積が進むにつれ、ブラインドビアホール３の内部への充填率が悪化していく。
【００６０】
分解生成物がブラインドビアホール３の内部への充填率を悪化させていく様子を図５に示す。めっき電解の開始直後は、分解生成物の蓄積が少なく、高い充填率が得られる（図５（ａ））。しかし、同一のめっき液を用いてめっき電解を進行していくと、徐々に分解生成物の蓄積が進み、充填率が悪化し始める（図５（ｂ））。そして、さらに分解生成物の蓄積が進むと、充填率は一層悪化する（図５（ｃ））。したがって、活性炭フィルター等を用いて分解生成物を定期的にフィルタリングすることが必要となる。
【００６１】
分解生成物の蓄積による充填率の悪化を防ぐためには、銅箔２ａの表面へ析出させる銅めっき層５を厚くすることが有効な手段の一つである。必要な銅めっき層５の厚さはブラインドビアホール３の直径および深さによって変化するが、銅箔２ａの表面へ析出させる銅めっき層５が厚いほど、高い充填率を安定して得られる傾向がある。一般的には、銅箔２ａの表面へ析出させる銅めっき層５の厚さが５μｍ以下では、充填率を安定させることが困難である。
【００６２】
ただし、銅箔２ａの表面へ析出させる銅めっき層５が厚くなると、配線パターン８のファインピッチ化が困難となる問題がある。
【００６３】
そこで、本実施の形態においては、高い充填率を安定して得られるよう、銅箔２ａの表面へ５μｍ以上の銅めっき層５を一旦析出させ、その後に銅箔２ａを研磨して薄くすることとしている。
【００６４】
以下に、実施例１と比較例１及び２について、表１を用いつつ説明する。
【００６５】
【表１】
【００６６】
（実施例１）
本実施の形態に示す方法により、半導体装置用両面配線テープキャリアを製造した。
【００６７】
ポリイミドテープ２の厚さは２５μｍとし、圧延銅箔からなる銅箔２ａと銅箔２ｂの厚さはそれぞれ１２μｍとした。
【００６８】
ビアフィリングめっきを実施する際、めっき液の濃度は、硫酸銅濃度２００ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度５００ｍｇ／Ｌとした。
【００６９】
添加剤は、レベラー１０としてＪＧＢ（ヤーヌスグリーンＢ）を、ブライトナー１１としてＳＰＳ（ＳＰＳ（３−スルホプロピル）ジスルフィド）を、ポリマーとしてＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を使用した。レベラー１０、ブライトナー１１、ポリマーの濃度はいずれも１００ｐｐｍとした。
【００７０】
電流密度を１Ａ／ｄｍ2、めっき時間を４５分とし、銅箔２ａへ析出させる銅めっき層５の所定厚さを１０μｍとした。
【００７１】
銅箔２ａ上に形成された銅めっき層５の厚さは、５μｍである。それを化学研磨し、６μｍ削ることにより、銅箔２ａを露出させた。
【００７２】
化学研磨の後、厚さ１０μｍのドライフィルムレジストを使用して配線パターン８を形成した。その際、銅箔２ａの配線パターン８の配線ピッチ９を４５μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２２．５±５μｍとした。
【００７３】
また、銅箔２ｂの配線パターン８の配線ピッチ９を５０μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２５±６μｍとした。
【００７４】
以上の条件で、複数のユニットが列なって成る１００ｍの半導体装置用両面配線テープキャリアを１０ロット作成した。その後、各ロットの先頭ユニットについて、以下の評価を実施した。
【００７５】
（比較例１）
本実施の形態に示す方法により、半導体装置用両面配線テープキャリアを製造した。
【００７６】
ポリイミドテープ２の厚さは２５μｍとし、電解銅箔からなる銅箔２ａと銅箔２ｂの厚さはそれぞれ１２μｍとした。
【００７７】
ビアフィリングめっきを実施する際、めっき液の濃度は、硫酸銅濃度２００ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度５００ｍｇ／Ｌとした。
【００７８】
添加剤は、レベラー１０としてＪＧＢ（ヤーヌスグリーンＢ）を、ブライトナー１１としてＳＰＳ（ＳＰＳ（３−スルホプロピル）ジスルフィド）を、ポリマーとしてＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を使用した。レベラー１０、ブライトナー１１、ポリマーの濃度はいずれも１００ｐｐｍとした。
【００７９】
電流密度を１Ａ／ｄｍ2、めっき時間を４５分とし、銅箔２ａへ析出させる銅めっき層５の所定厚さを１０μｍとした。
【００８０】
銅箔２ａ上に形成された銅めっき層５の厚さは、５μｍである。それを化学研磨し、６μｍ削ることにより、銅箔２ａを露出させた。
【００８１】
化学研磨の後、厚さ１０μｍのドライフィルムレジストを使用して配線パターン８を形成した。その際、銅箔２ａの配線パターン８の配線ピッチ９を４５μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２２．５±５μｍとした。
【００８２】
また、銅箔２ｂの配線パターン８の配線ピッチ９を５０μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２５±６μｍとした。
【００８３】
以上の条件で、複数のユニットが列なって成る１００ｍの半導体装置用両面配線テープキャリアを１０ロット作成した。その後、各ロットの先頭ユニットについて、以下の評価を実施した。
【００８４】
（比較例２）
本実施の形態に示す方法により、半導体装置用両面配線テープキャリアを製造した。
【００８５】
ポリイミドテープ２の厚さは２５μｍとし、圧延銅箔からなる銅箔２ａと銅箔２ｂの厚さはそれぞれ１２μｍとした。
【００８６】
ビアフィリングめっきを実施する際、めっき液の濃度は、硫酸銅濃度２００ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度５００ｍｇ／Ｌとした。
【００８７】
添加剤は、レベラー１０としてＪＧＢ（ヤーヌスグリーンＢ）を、ブライトナー１１としてＳＰＳ（ＳＰＳ（３−スルホプロピル）ジスルフィド）を、ポリマーとしてＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を使用した。レベラー１０、ブライトナー１１、ポリマーの濃度はいずれも１００ｐｐｍとした。
【００８８】
電流密度を１Ａ／ｄｍ２、めっき時間を４５分とし、銅箔２ａへ析出させる銅めっき層５の所定厚さを１０μｍとした。
【００８９】
銅箔２ａ上に形成された銅めっき層５の厚さは、５μｍである。それを化学研磨し、２μｍ削ることにより、銅箔２ａ上に銅めっき層５を３μｍ残存させた。
【００９０】
化学研磨の後、厚さ１０μｍのドライフィルムレジストを使用して配線パターン８を形成した。その際、銅箔２ａの配線パターン８の配線ピッチ９を４５μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２２．５±５μｍとした。
【００９１】
また、銅箔２ｂの配線パターン８の配線ピッチ９を５０μｍとし、配線パターン８を構成するリードのリード幅の目標値を２５±６μｍとした。
【００９２】
以上の条件で、複数のユニットが列なって成る１００ｍの半導体装置用両面配線テープキャリアを１０ロット作成した。その後、各ロットの先頭ユニットについて、以下の評価を実施した。
【００９３】
＜耐屈曲性試験＞
実施例１及び比較例１、２の半導体装置用両面配線テープキャリアの各先頭ユニットを、屈曲試験機を用いて曲げ半径１５ｍｍにて連続往復屈曲させ、配線の切断、クラックが生じる回数を比較した。
【００９４】
その結果、電解銅箔を用いたものよりも圧延銅箔を用いる方が耐屈曲性に優れており、また、圧延銅箔を用いた場合、その上面に銅めっき層がないほうが良いということがわかった。
【００９５】
＜反り量＞
実施例１及び比較例１、２の半導体装置用両面配線テープキャリアの各先頭ユニットを平坦なテーブル上に置き、半導体装置用両面配線テープキャリアの中央付近の最大反り量を測定したものである。
【００９６】
実施例１と比較例２の結果から、銅箔２ａ側に銅めっき層５を形成しない方が、基板の反りの影響が少ないことがわかった。
【符号の説明】
【００９７】
１ テープ基材
２ ポリイミドテープ
２ａ 銅箔
２ｂ 銅箔
３ ブラインドビアホール
４ 導電性薄膜
５ 銅めっき層
６ 絶縁層
７ 表面処理層
８ 配線パターン
９ ピッチ
１０ レベラー
１１ ブライトナー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔が貼り付けられた３層のテープ基材と、
前記第１の導体箔および前記絶縁テープを前記テープ基材の厚さ方向に貫通するよう設けられて、底面が前記第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホールと、
前記ブラインドビアホールの内部全体を埋めるように前記第１の導体箔の開口部側面に接触して、前記第１の導体箔と前記第２の導体箔とを導通する金属めっき層と
を備えることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリア。
【請求項２】
前記第２の導体箔の厚さが１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用両面配線テープキャリア。
【請求項３】
前記第１の導体箔および前記第２の導体箔に配線パターンが形成されており、該配線パターンの配線ピッチが６０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用両面配線テープキャリア。
【請求項４】
絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔を貼り付けることにより、３層のテープ基材を形成する工程と、
前記第１の導体箔および前記絶縁テープを前記テープ基材の厚さ方向に穿孔することより、底面が前記第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホールを形成する工程と、
前記第１の導体箔の表面全面に所定厚さの金属めっき層を形成することにより、前記ブラインドビアホールの内部全体を金属めっきで埋めて、前記第１の導体箔と前記第２の導体箔とを導通する工程と、
前記第１の導体箔の裏面を基準面として、該基準面から前記第１の導体箔と前記金属めっき層とから成る導体層の表面までの合計厚さが基準厚さ以下となるように、前記導体層の表面側を削る工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
前記第２の導体箔の厚さが１５μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項１】
絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔が貼り付けられた３層のテープ基材と、
前記第１の導体箔および前記絶縁テープを前記テープ基材の厚さ方向に貫通するよう設けられて、底面が前記第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホールと、
前記ブラインドビアホールの内部全体を埋めるように前記第１の導体箔の開口部側面に接触して、前記第１の導体箔と前記第２の導体箔とを導通する金属めっき層と
を備えることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリア。
【請求項２】
前記第２の導体箔の厚さが１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用両面配線テープキャリア。
【請求項３】
前記第１の導体箔および前記第２の導体箔に配線パターンが形成されており、該配線パターンの配線ピッチが６０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用両面配線テープキャリア。
【請求項４】
絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔を貼り付けることにより、３層のテープ基材を形成する工程と、
前記第１の導体箔および前記絶縁テープを前記テープ基材の厚さ方向に穿孔することより、底面が前記第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホールを形成する工程と、
前記第１の導体箔の表面全面に所定厚さの金属めっき層を形成することにより、前記ブラインドビアホールの内部全体を金属めっきで埋めて、前記第１の導体箔と前記第２の導体箔とを導通する工程と、
前記第１の導体箔の裏面を基準面として、該基準面から前記第１の導体箔と前記金属めっき層とから成る導体層の表面までの合計厚さが基準厚さ以下となるように、前記導体層の表面側を削る工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
前記第２の導体箔の厚さが１５μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−２２７４００（Ｐ２０１２−２２７４００Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９４６２２（Ｐ２０１１−９４６２２）
【出願日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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