【課題】絶縁テープの両面を覆う導体箔間の高い導通信頼性を確保し、導体箔に形成される配線パターンのファインピッチ化を実現し、配線パターンを形成する際に良好な歩留まりを得るとともに、耐屈曲性が改善した半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置用両面配線テープキャリアは、絶縁テープの両面にそれぞれ圧延箔からなる第１の導体箔および第２の導体箔が貼り付けられた３層のテープ基材１と、第１の導体箔および絶縁テープをテープ基材の厚さ方向に貫通するよう設けられて、底面が第２の導体箔で塞がれるブラインドビアホール３と、ブラインドビアホールの内部全体を埋めるように第１の導体箔の開口部側面に接触して、第１の導体箔と第２の導体箔とを導通する金属めっき層とを備える。 （もっと読む）

【課題】低価格化、開口部の形成および素子や電子部品などの高密度化や導体パターンの多層化が容易なフレキシブル回路基板およびフレキシブル回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミのシート１１１とこのアルミのシート１１１の表面に形成される第一の保護膜１１２とからなり、スプロケットホール１１３やデバイスホール１１４が形成されるベースフィルム１１と、このベースフィルムの表面に形成される所定の導体パターン１２と、アルミとこのアルミの表面に形成される電気的な絶縁性を有する膜とからなり所定の導体パターン１２を覆うように形成される第二の保護膜１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化や高出力化に適用できるように、高温高湿環境下であっても、従来よりも端子間の絶縁抵抗が劣化しにくい半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体キャリア用フィルム１は、絶縁性を有するベースフィルム１０と、ベースフィルム１０の上に形成されたニッケル−クロム合金を主成分とするバリア層２と、バリア層２の上に形成された銅を含んだ導電物からなる配線層３とを有しており、バリア層２におけるクロム含有率が１５〜５０重量％である。また、配線層３に半導体素子が接合されることで、半導体装置が形成される。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させるための金属層を有していても、高い折り曲げ性を有する半導体装置用フレキシブル基板を提供する。
【解決手段】絶縁ベースフィルム基材２と、該絶縁ベースフィルム基材の表面に形成された配線パターン３と、該配線パターンの表面を被覆する絶縁保護膜４と、該絶縁保護膜上に形成された接着剤層５と、該接着剤層により前記絶縁保護膜に接着された金属層６とを有してなる半導体装置用フレキシブル基板であって、前記接着剤層の弾性率が１．０ＭＰａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置接合用バンプ同士や半導体装置接合用バンプと配線との短絡を抑制し、ファインピッチ化を容易とする。
【解決手段】配線２１が形成された第１主面Ｓ１および複数の半導体装置接合用バンプ３１が形成された第２主面Ｓ２を有する絶縁性基板１０を備え、半導体装置接合用バンプ３１は、第２主面Ｓ２上でそれぞれが独立して分散状に配置され、絶縁性基板１０を貫通するビア１２を介して第１主面Ｓ１の配線２１と導通している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおける金の使用量を減らすことで、その材料コストの低減を図り、コスト低減を可能とした半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性フィルム基材の表面上に張り合わされた、銅箔をパターン加工してなるボンディングパッド及びランドを含む導体パターンを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記導体パターンのうち、ボンディングワイヤ接地箇所のみに金めっき皮膜を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおける金の使用量を減らすことで、その材料コストの低減を図り、コスト低減を可能とした半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔をパターン加工してなるフライングリード部を含む導体パターンを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記導体パターンのうち、前記フライングリード部のみに金めっき皮膜を備える。 （もっと読む）

【課題】ドライバの半導体集積回路装置の出力端子数が増加しても、半導体集積回路装置内部の配線層による電圧降下を防止する。
【解決手段】第１の配線層と第２の配線層とが形成されたフィルム基板と、前記フィルム基板上にチップオンフィルム方式で実装された半導体チップとを有し、前記第１の配線層と前記半導体チップの出力端子とが電気的に接続され、前記第２の配線層によって、前記半導体チップの複数の端子同士が電気的に接続されており、前記第２の配線層を介して、前記半導体チップの電源、或いはクロックが伝達される。前記第２の配線層は、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に形成される。 （もっと読む）

【課題】放熱効率の良いフレキシブルプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＣＰ型フレキシブルプリント配線板１２Ａの製造方法は、金属基材フィルム１に接着剤層１Ａを積層する工程と、接着剤層１Ａに導電体箔２を貼り付ける工程と、導電体箔２にフォトレジスト膜４を積層する工程と、フォトレジスト膜４を露光及び現像する工程と、金属基材フィルム１の導電体箔２に覆われていない部分にエッチング保護膜１５を被せる工程と、エッチング保護膜１５が被せられている状態で、露光及び現像後のフォトレジスト膜４（現像パターン４Ａ）を介して導電体箔２をエッチングして導電パターン３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載後の樹脂封止工程において、半導体チップを確実に封止する。
【解決手段】基材１上にＣｕ箔２を用いて導電性パターン４を形成する。この際に、チップ搭載部１１に第１のベタパターン４Ａを形成し、基材１の外周の押さえ部１２にも第２のベタパターン４Ｂを角形状に形成する。この後に、ベタパターン４Ａ，４Ｂをレジスト層６で覆って基板１０を形成する。基板１０のチップ搭載部１１に半導体チップ２１を搭載させたら、トランスファモールド装置３１で半導体チップ２１をモールドする。上型３３で押さえ部１２を押さえ付けることで型締めを行う。押さえ部１２におけるレジスト層６の盛り上がりによって、半導体チップ２１と上型３３との間の距離として、モールド樹脂の流動に十分な距離が確保される。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの径に係らずビア底面の接合面積を大きくすることにより、導通不良を低減させた半導体装置用ＴＡＢテープ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ビアホール内の接着材を絶縁性基板に形成した開口径よりも広く（断面で見た場合に、前記開口径よりも外側に）なるように溶解したために、ビア底面、つまり、ビアホール内の第１導体パターンのめっき形成面を広く取ることができ、接合面積を大きくすることができるため、ビアの導通不良を低減させることが可能であり信頼性の高い半導体装置用ＴＡＢテープを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】空中配線部を有する両面配線板の製造方法において、製造時間を短縮するとともに製造コストを低減し、安定したチップとの接合が可能な配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の第１、第２主面とに第１及び第２導体膜とが設けられ、第２主面に接着剤がない両面銅張積層板を準備する工程と、第1導体膜と絶縁基板とを貫通するブラインドビアホールを形成する工程と、絶縁基板の第１主面側の表面全面に導電膜を形成する工程と、第１導体膜上及びブラインドビアホール内にめっきを形成する工程と、第１導体膜及び第２導体膜をパターニングして第１、第２導体パターンを形成する工程とを有し、導体パターンの形成工程の後、デバイスホール形成予定領域を除いた第１主面側及び第２主面側の表面全面にレジスト膜を形成する工程と、エッチングにより絶縁基板にデバイスホールを形成する工程と、レジスト膜を剥膜する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線からの金属イオンの析出によるマイグレーション発生を防止できる、高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】ベースフィルム１に複数の配線９が配置されたフレキシブル配線基板１１と、上記フレキシブル配線基板１１に搭載された半導体チップ５と、フレキシブル配線基板１１と半導体チップ５との間に、少なくとも一部が配線９に接するように配置された封止樹脂６を有し、封止樹脂６に金属イオン結合剤が混合されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のＡｕバンプと金錫共晶接合により接続される接続端子部を構成する配線をダウンセット加工して成形したときに、配線の形状をその成形により十分安定化させることができる、ＣＯＦテープを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスホールがないＣＯＦテープから構成される配線基板２上に半導体素子３を搭載するにあたり、接続部を構成する半導体素子３のＡｕバンプ４と配線基板２上の配線５のＳｎめっきされた接続端子部６とを加熱ツール７により接触加圧して加熱して金錫共晶接合により接続すると共に、接続部領域に位置する配線基板２の配線５と反対側の対応する面上に剛性の高い金属箔１４を設けて、金属箔１４とともに配線基板２上の配線５を接続部から遠ざかるようにダウンセット加工して成形するようにした。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体装置用両面テープキャリアのようなプリント配線板のブラインドビアホールにおける銅めっきの異常析出やボイド等を生じることなく、均一な膜厚の銅めっきのような導体膜を形成して、両面の導体パターン間の良好な電気的導通を確保する。
【解決手段】絶縁性基材１の片面に第１の金属材料層３ａを張り合わせてなる銅張基板における、第１の金属材料層３ａが張り合わされた面とは反対側の面に、絶縁性基材１の溶融物および／または分解物が生じる温度で当該溶融物および／または分解物に対して融着可能な材質の有機材料からなるバリ除去用シート４を張り合わせておき、レーザ照射５によって第１の金属材料層３ａおよび絶縁性基材１を貫通してさらにバリ除去用シート４にまで達するようにスルーホール７を形成すると共にそのときのレーザ照射５によって不可避的に生じるバリ８をバリ除去用シート４に融着させておき、その後、そのバリ除去用シート４と共にバリ８を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極によって半導体チップ間あるいは半導体チップと配線基板とを電気的に接続する半導体装置において、特に、接続部の高密度化や狭ピッチ化が進んでも、接続不良の発生を低減できる技術を提供する。
【解決手段】接続部ＣＮＴにバンプ電極ＢＭＰ１を押し付けることにより、接続部ＣＮＴを構成する梁ＢＭが曲がる（たわむ）。そして、さらに、バンプ電極ＢＭＰ１を接続部ＣＮＴに押し付けると、バンプ電極ＢＭＰ１の先端部が空洞部ＣＡの底面に到達する。このとき、押し曲げられた梁ＢＭには復元力が働き、空洞部ＣＡの底面にまで挿入されたバンプ電極ＢＭＰ１を左右から挟む。このため、空洞部ＣＡに挿入されたバンプ電極ＢＭＰ１は、左右から梁ＢＭの復元力により固定される。 （もっと読む）

【課題】 曲げ加工性の低下や反りの発生を回避しつつ放熱性の向上を達成することを可能とした半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基材の片面に銅（Ｃｕ）または銅合金からなる配線パターンを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記片面とは反対側の面に、蒸着により形成された金属膜を備えたことを特徴としている。また、その製造方法は、絶縁性フィルム基材の片面に銅（Ｃｕ）または銅合金からなる配線パターンを形成する工程を有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記片面とは反対側の面に、蒸着法によって金属膜からなる放熱層を形成する工程を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】単純な構造で比較的安価に製造でき、半導体チップからの熱を効率よく放熱することができるフレキシブルプリント配線基板及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基材１１と、この絶縁基材１１の一方面に設けられた導電体層からなる配線パターン１２とを具備し、前記配線パターン１２は半導体チップ搭載用のインナーリード２１と、入出力配線接続用のアウターリード２２，２３とを有し、当該配線パターン１２上に絶縁性接着層１４を介して金属層１５が接着されている。 （もっと読む）

【課題】 耐折性や曲げ応力特性の悪化を招くことなく熱放散性を向上せしめることを可能とした半導体装置用テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基材１と、前記絶縁性フィルム基材１の片面に設けられた配線パターン２と、前記絶縁性フィルム基材１における前記片面とは反対側の面に設けられた、当該半導体装置用テープキャリアにおける熱放散性を高めるための放熱板４とを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記放熱板４が、当該半導体装置用テープキャリアにおける曲げ応力特性を調節するためのパターン間スペース３のようなスリットおよび／または開口を設けてなるものであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】チップの小型化と高信頼性を実現するＣＯＦパッケージ及びそれに用いられるテープ基板を提供する。
【解決手段】テープ基板のチップ搭載領域６１の周縁部と内側部で半導体チップの電極とバンプを介して電気的に接続するＣＯＦパッケージであって、テープ基板は少なくとも２本以上の入力配線と、同一種別の信号が入力される４本以上の複数の内部入力配線と、ダミー配線２４４と、を備え、ダミー配線２４４は、一方の複数の内部入力配線と他方の複数の内部入力配線とに挟まれると共に、少なくとも４本の内部入力配線は、入力配線に挟まれて配置され、内部入力配線は、チップ搭載領域６１の周縁部では、半導体チップと電気的に接続されること無く通過し、チップ搭載領域６１の内側部で半導体チップと接続され、入力配線、及びダミー配線２４４は、チップ搭載領域６１の周縁部で半導体チップと接続される。 （もっと読む）