半導体装置用ＴＡＢテープ及びその製造方法
【課題】ビアホールの径に係らずビア底面の接合面積を大きくすることにより、導通不良を低減させた半導体装置用ＴＡＢテープ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ビアホール内の接着材を絶縁性基板に形成した開口径よりも広く（断面で見た場合に、前記開口径よりも外側に）なるように溶解したために、ビア底面、つまり、ビアホール内の第１導体パターンのめっき形成面を広く取ることができ、接合面積を大きくすることができるため、ビアの導通不良を低減させることが可能であり信頼性の高い半導体装置用ＴＡＢテープを提供することができる。
【解決手段】ビアホール内の接着材を絶縁性基板に形成した開口径よりも広く（断面で見た場合に、前記開口径よりも外側に）なるように溶解したために、ビア底面、つまり、ビアホール内の第１導体パターンのめっき形成面を広く取ることができ、接合面積を大きくすることができるため、ビアの導通不良を低減させることが可能であり信頼性の高い半導体装置用ＴＡＢテープを提供することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ及びＴＡＢテープの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型軽量化に伴い、その構成部品についても一層の高機能化、高密度化が図られている。近年、ＬＳＩなどの半導体素子の実装部品は高集積化と共に多ピン化が進められ、これに対応するため、ＢＧＡ（Ball Grid Array ）／ＣＳＰ（Chip Size Package or Chip Scale Package ）のようにピンピッチが広くとれ、ベアチップの採用が可能なパッケージ実装技術の開発が行われている。また、高密度実装化を推進するに当たっては、ＴＡＢテープやプリント配線板などの基板のファインパターン化が図られ、さらにプリント配線板ではビルドアップ多層配線板のように基板の多層化が進められている。
【０００３】
例えば、これらのパッケージに対応したファインピッチのＴＡＢテープとして、２層配線ＴＡＢテープが実用化されている。
【０００４】
この２層配線ＴＡＢテープを製造する従来技術として、特許文献１には、ポリイミドやアラミドからなる絶縁性樹脂基材を準備する工程、絶縁性樹脂基材の一方の面に第１接着材を塗布する工程、上記第１接着材の上に第１導体層として導体層をラミネートする工程、上記第１接着材を硬化させることにより、上記基板の一方の面に上記第１導体層を接合して第１導体層とする工程、上記基材の他方の面に第２接着材を塗布する工程、上記導体層の自由表面に保護皮膜を被覆する工程、上記第２接着材、上記基材および上記第１接着材を貫通して上記導体層により底部が確定されたビア穴を形成する工程、上記ビア穴の内部をクリーニング（デスミア）する工程、上記ビア穴の底部に露出した上記導体層を給電層とする電解めっきにより上記ビア穴内全体に導体を充填して、該導体層で底面が画定されたビアを形成する工程、上記第２接着材の表面および上記ビアの露出面に、表面粗化処理を施した後に、無電解めっきにより導体の薄層を形成する工程、上記導体薄層を給電層とする電解めっきにより該導体薄層上に第２導体層を形成する工程、上記第２ 接着材を硬化させることにより上記基板の他方の面に上記第２導体層を接合する工程を順次行なう２層配線ＴＡＢテープの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１０３７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来技術のように、第１導体層と第２導体層との導通はビアの底面で図られるが、ビアホールをレーザーにより１００μｍ以下の小径（特許文献１においては２０〜３０μｍ）のものを形成するような場合、ビア穴の底面の面積が小さくなるためにビア穴底面とめっき面との接合面積が小さくなり導通不良が発生し易くなるという問題がある。このように、レーザー加工では、小径のビアを形成することも可能であり、ビア底面の面積が小さくなればなるほどこの問題は顕著となる。
【０００７】
そこで本発明は、上記課題を解決し、ビアホールの径に係らずビア底面の接合面積を大きくすることにより、導通不良を低減させた半導体装置用ＴＡＢテープ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【０００９】
本発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の片面に接着材を介して設けられた第１導体パターンと、前記絶縁性基板の前記第１導体パターンの反対側の面に設けられた第２導体パターンと、前記絶縁性基板と前記接着材とを貫通するビアホールと、前記ビアホール内に前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを導通するように形成されためっき層とを有し、前記接着材は、絶縁性基板に設けられた開口径よりも大きいことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープを提供する。
【００１０】
また、本発明は、絶縁性基板の片面に第１導体層が形成され、もう一方の面に第２導体層が設けられた積層板であって、少なくとも第１導体層が接着材を介して絶縁性基板に貼り合わせられた積層板を準備する工程と、前記第２導体層、前記絶縁性基板、及び前記接着材を貫通するビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内に露出する前記接着材を溶解する接着材溶解工程と、前記ビアホール内に露出した前記第１導体層と第２導体層と導通するめっき層を形成するめっき工程と、前記第１導体層及び第２導体層をフォトプロセスによりエッチング加工し、夫々第１導体パターンと第２導体パターンとを形成するパターニング工程とを有する半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ビアホール内の接着材を絶縁性基板に形成した開口径よりも広く（断面で見た場合に、前記開口径よりも外側）になるように溶解したために、ビア底面、つまり、ビアホール内の第１導体パターンのめっき形成面を広く取ることができ、接合面積を大きくすることができるため、ビアの導通不良を低減させることが可能であり信頼性の高い半導体装置用ＴＡＢテープを提供することができる。
【００１２】
加えて、ビアを小径に形成することが可能になることにより、パッケージの小型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープを示す概略断面図である。（ｂ）は、（ａ）のビア部拡大図である。（ｃ）は、（ａ）のビア部を上面から見た場合の模式図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープ１およびその製造方法について、図面を参照して説明する。
【００１５】
この半導体装置用ＴＡＢテープ１は、図１（ａ）に示したように、絶縁性基板２と、その片面に接着材３を介して設けられた第１導体パターン４ａと、第１導体パターン４ａの反対側の面に設けられた第２導体パターン５ａとからなり、ビアホール６内は、第１導体パターン４ａと第２導体パターン５ａを繋ぐめっき層７によって導通されている。
【００１６】
絶縁性基板２は、例えばポリイミド樹脂フィルムのような所定の機械的強度を有する絶縁性材料からなるフィルム基板であって、レーザー加工により、ビアホール６が設けられている。
【００１７】
第１導体パターン４ａは、絶縁性基板２の片面に接着材３を介して貼り合わされた第１導体層４ｂをパターン加工して形成されたものである。第１導体層４ｂとして、例えば銅からなる導体層が用いられるが、この限りではない。
【００１８】
第１導体パターン４ａを貼り付けている接着材３は、ビアホール６を形成する際のレーザー加工などの穿孔工程で絶縁性基板２に穿孔した開口径と略同等の大きさで除去されるが、その後の接着材溶解処理により、絶縁性基板２に設けられた開口Ｗの径よりも大きくなるように、ビアホール６の断面図において外側方向に退行する溶解部Ａが形成されている（図１（ｂ）、（ｃ））。ここで、接着材３の材料としては、絶縁性基板２に用いられた材料と異なる材質のものを用いると良い。例えば、絶縁性基板２がポリイミド系の場合は、エポキシ系の接着材３を用いることができる。そうすることで、接着材３を溶解するための処理液の選定を容易にできるばかりでなく、確実に接着材３を溶解させることができる。
【００１９】
第２導体パターン５ａは、絶縁性基板２の第１導体パターン４ａが形成された面と反対の面に貼り合わされた第２導体層５ｂをパターン加工して形成されたものである。第２導体層５ｂは接着材を介して設けられたものであってもよいし、接着材を介さないで設けられたものでもよい。また、第２導体層５ｂとして、例えば銅からなる導体層が用いられるが、この限りではない。
【００２０】
ビアホール６は、絶縁性基板２及び第２導体層５ｂを貫通するものであり、特に小径のビアを形成する場合には、レーザー加工により形成される。そして、前述の通り、レーザー加工により接着材３も除去されている。用いられるレーザーは、加工性が良好なＵＶレーザーが好ましいが、その他のレーザーを用いても構わないし、エッチングと組み合わせてレーザーを用いることでも構わない。
【００２１】
図２は、この半導体装置用ＴＡＢテープ１の製造方法の一例を示したものである。
【００２２】
この半導体装置用ＴＡＢテープ１は、次のような製造方法によって製造される。
【００２３】
まず、図２（ａ）に示すように、まず、絶縁性基板２の少なくとも片面に接着材３が設けられ、両面に例えば銅からなる導体層（第１導体層４ｂ、第２導体層５ｂ）を設けた積層板を準備する。
【００２４】
そして、図２（ｂ）に示すように、所望の領域に、第２導体層５ｂ、絶縁性基板２、及び接着材３を貫通するビアホール６を形成する。ビアホール６の形成には、ＵＶレーザーなどのレーザー加工を用いれば３０μｍ以下の小径のビアホール６を形成することが可能であり好ましい。その際、同一のレーザーで一括してビアホール６を形成しても良いし、レーザーとエッチングとを併用しても構わない。
【００２５】
さらに、図２（ｃ）に示すように、形成したビアホール６内に露出する接着材３を溶解するための接着材溶解処理を行う。この接着材溶解処理において、ビアホール６内に露出した接着材３は処理液によって侵食される。そのため、断面図に見られるように絶縁性基板２に設けられた開口Ｗの径よりも大きくなるように溶解部Ａの分だけ外側に退行するような形状に形成される。接着材溶解処理には、絶縁性基材よりも接着材３との反応が高く、接着材３の溶解を促進させるように作用する処理液を用いるのが好ましい。接着材溶解処理の工程は、レーザー加工後のデスミア処理によって同時に行うことが可能である。この場合、ビアホール６内の残渣を除去し、且つ接着材３を溶解させることができる処理液を選定すればよい。このようにデスミア処理と同時に行えば、余分な工程を増やす必要がないのでより望ましい。
【００２６】
そして、図２（ｄ）に示すように、ビアホール６内に露出した第１導体層４ｂと第２導体との導通を図るためにめっき層７を形成する。
【００２７】
最後に、図２（ｅ）に示すように、第１導体層４ｂ及び第２導体層５ｂをフォトプロセスによりエッチング加工し、夫々第１導体パターン４ａと第２導体パターン５ａとを形成する。
【００２８】
その後、必要に応じて、機能めっきを施し、ソルダーレジストなどの保護膜を設けることにより半導体装置用ＴＡＢが完成する。
【００２９】
次に、本発明を実施例により具体的に説明する。
【実施例】
【００３０】
まず、厚さ５０μｍのポリイミドの片面に厚さ１５μｍのエポキシ系接着材３を介して厚さ１８μｍの銅からなる第１導体層４ｂが設けられ、もう一方の面に厚さ１８μｍの銅からなる第２導体層５ｂが設けられた積層板を準備する。
【００３１】
その積層板に、第２導体層５ｂ側から、ＵＶレーザーを照射して、第２導体層５ｂ、絶縁性基板２、及び接着材３を貫通する直径８０μｍのビアホール６を形成する。
【００３２】
次に、形成したビアホール６内を過マンガン酸塩からなる処理液によりデスミア処理を行う。このデスミア処理でビアホール６内の残渣が除去されるとともに、ビアホール６内に露出した接着材３が処理液によって５μｍ程度侵食され、第１導体層４ｂが直径９０μｍ露出することになる。
【００３３】
そして、ビアホール６内に露出した第１導体層４ｂと第２導体層５ｂとを繋ぐように銅のめっき層７を形成し、第１導体層４ｂ及び第２導体層５ｂをフォトプロセスによりエッチング加工し、夫々第１導体パターン４ａと第２導体パターン５ａとを形成する。
【００３４】
最後に、第１導体パターン４ａ及び第２導体パターン５ａ上に金などの機能めっきを施した後、ソルダーレジストなどの保護膜を設けて半導体装置用ＴＡＢテープ１を製造した。
【００３５】
以上説明したように、本発明の実施の形態の半導体装置用ＴＡＢテープ及びその製造方法によれば、ビアホール内の第１導体層の露出面が大きくなり、めっき層との接合面積が大きくなるため、ビアホール内の接合安定性に優れ、信頼性の高いＴＡＢテープを提供することが可能となる。
【００３６】
特にレーザー加工で設けられた例えば１００μｍ以下、より好ましくは直径２０μｍ〜１００μｍのビアホールにおいて有効である。加えて、レーザー加工後のデスミア工程によってビアホール内の残渣除去及び接着材の溶解を同時に行うことができるため好ましい。
【００３７】
しかしながら、ビアホールの形成はレーザー加工に限られるものではなく、所望の直径に応じて穿孔方法を設定すればよい。例えばビアホールをエッチングにより形成した後接着材溶解工程を行うことも可能であるし、第２導体層、絶縁性基板、及び接着材をパンチングにより形成した後、第1導体層を貼り合わせてビアホールを形成した基材に接着材溶解工程を行うことも可能であり、このような場合であってもビアホール内の第１導体層の露出面が大きくなるので、本発明の効果を得ることができるのは勿論である。
【００３８】
なお、本発明の実施の形態では、半導体装置、特に半導体チップ（図示しない）との接合については特に言及していないが、半導体装置用ＴＡＢテープに半導体チップと半導体装置用ＴＡＢテープに形成されたパターンとを接合をするためのデバイスホールを設けても構わない。つまり、所望とするパッケージの態様に応じて適宜変更が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００３９】
１ 半導体装置用ＴＡＢテープ
２ 絶縁性基板
３ 接着材
４ａ 第１導体パターン
４ｂ 第１導体層
５ａ 第２導体パターン
５ｂ 第２導体層
６ ビアホール
７ めっき層
Ａ 溶解部
Ｗ 絶縁性基板に設けられた開口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ及びＴＡＢテープの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型軽量化に伴い、その構成部品についても一層の高機能化、高密度化が図られている。近年、ＬＳＩなどの半導体素子の実装部品は高集積化と共に多ピン化が進められ、これに対応するため、ＢＧＡ（Ball Grid Array ）／ＣＳＰ（Chip Size Package or Chip Scale Package ）のようにピンピッチが広くとれ、ベアチップの採用が可能なパッケージ実装技術の開発が行われている。また、高密度実装化を推進するに当たっては、ＴＡＢテープやプリント配線板などの基板のファインパターン化が図られ、さらにプリント配線板ではビルドアップ多層配線板のように基板の多層化が進められている。
【０００３】
例えば、これらのパッケージに対応したファインピッチのＴＡＢテープとして、２層配線ＴＡＢテープが実用化されている。
【０００４】
この２層配線ＴＡＢテープを製造する従来技術として、特許文献１には、ポリイミドやアラミドからなる絶縁性樹脂基材を準備する工程、絶縁性樹脂基材の一方の面に第１接着材を塗布する工程、上記第１接着材の上に第１導体層として導体層をラミネートする工程、上記第１接着材を硬化させることにより、上記基板の一方の面に上記第１導体層を接合して第１導体層とする工程、上記基材の他方の面に第２接着材を塗布する工程、上記導体層の自由表面に保護皮膜を被覆する工程、上記第２接着材、上記基材および上記第１接着材を貫通して上記導体層により底部が確定されたビア穴を形成する工程、上記ビア穴の内部をクリーニング（デスミア）する工程、上記ビア穴の底部に露出した上記導体層を給電層とする電解めっきにより上記ビア穴内全体に導体を充填して、該導体層で底面が画定されたビアを形成する工程、上記第２接着材の表面および上記ビアの露出面に、表面粗化処理を施した後に、無電解めっきにより導体の薄層を形成する工程、上記導体薄層を給電層とする電解めっきにより該導体薄層上に第２導体層を形成する工程、上記第２ 接着材を硬化させることにより上記基板の他方の面に上記第２導体層を接合する工程を順次行なう２層配線ＴＡＢテープの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１０３７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来技術のように、第１導体層と第２導体層との導通はビアの底面で図られるが、ビアホールをレーザーにより１００μｍ以下の小径（特許文献１においては２０〜３０μｍ）のものを形成するような場合、ビア穴の底面の面積が小さくなるためにビア穴底面とめっき面との接合面積が小さくなり導通不良が発生し易くなるという問題がある。このように、レーザー加工では、小径のビアを形成することも可能であり、ビア底面の面積が小さくなればなるほどこの問題は顕著となる。
【０００７】
そこで本発明は、上記課題を解決し、ビアホールの径に係らずビア底面の接合面積を大きくすることにより、導通不良を低減させた半導体装置用ＴＡＢテープ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【０００９】
本発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の片面に接着材を介して設けられた第１導体パターンと、前記絶縁性基板の前記第１導体パターンの反対側の面に設けられた第２導体パターンと、前記絶縁性基板と前記接着材とを貫通するビアホールと、前記ビアホール内に前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを導通するように形成されためっき層とを有し、前記接着材は、絶縁性基板に設けられた開口径よりも大きいことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープを提供する。
【００１０】
また、本発明は、絶縁性基板の片面に第１導体層が形成され、もう一方の面に第２導体層が設けられた積層板であって、少なくとも第１導体層が接着材を介して絶縁性基板に貼り合わせられた積層板を準備する工程と、前記第２導体層、前記絶縁性基板、及び前記接着材を貫通するビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内に露出する前記接着材を溶解する接着材溶解工程と、前記ビアホール内に露出した前記第１導体層と第２導体層と導通するめっき層を形成するめっき工程と、前記第１導体層及び第２導体層をフォトプロセスによりエッチング加工し、夫々第１導体パターンと第２導体パターンとを形成するパターニング工程とを有する半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ビアホール内の接着材を絶縁性基板に形成した開口径よりも広く（断面で見た場合に、前記開口径よりも外側）になるように溶解したために、ビア底面、つまり、ビアホール内の第１導体パターンのめっき形成面を広く取ることができ、接合面積を大きくすることができるため、ビアの導通不良を低減させることが可能であり信頼性の高い半導体装置用ＴＡＢテープを提供することができる。
【００１２】
加えて、ビアを小径に形成することが可能になることにより、パッケージの小型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープを示す概略断面図である。（ｂ）は、（ａ）のビア部拡大図である。（ｃ）は、（ａ）のビア部を上面から見た場合の模式図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープ１およびその製造方法について、図面を参照して説明する。
【００１５】
この半導体装置用ＴＡＢテープ１は、図１（ａ）に示したように、絶縁性基板２と、その片面に接着材３を介して設けられた第１導体パターン４ａと、第１導体パターン４ａの反対側の面に設けられた第２導体パターン５ａとからなり、ビアホール６内は、第１導体パターン４ａと第２導体パターン５ａを繋ぐめっき層７によって導通されている。
【００１６】
絶縁性基板２は、例えばポリイミド樹脂フィルムのような所定の機械的強度を有する絶縁性材料からなるフィルム基板であって、レーザー加工により、ビアホール６が設けられている。
【００１７】
第１導体パターン４ａは、絶縁性基板２の片面に接着材３を介して貼り合わされた第１導体層４ｂをパターン加工して形成されたものである。第１導体層４ｂとして、例えば銅からなる導体層が用いられるが、この限りではない。
【００１８】
第１導体パターン４ａを貼り付けている接着材３は、ビアホール６を形成する際のレーザー加工などの穿孔工程で絶縁性基板２に穿孔した開口径と略同等の大きさで除去されるが、その後の接着材溶解処理により、絶縁性基板２に設けられた開口Ｗの径よりも大きくなるように、ビアホール６の断面図において外側方向に退行する溶解部Ａが形成されている（図１（ｂ）、（ｃ））。ここで、接着材３の材料としては、絶縁性基板２に用いられた材料と異なる材質のものを用いると良い。例えば、絶縁性基板２がポリイミド系の場合は、エポキシ系の接着材３を用いることができる。そうすることで、接着材３を溶解するための処理液の選定を容易にできるばかりでなく、確実に接着材３を溶解させることができる。
【００１９】
第２導体パターン５ａは、絶縁性基板２の第１導体パターン４ａが形成された面と反対の面に貼り合わされた第２導体層５ｂをパターン加工して形成されたものである。第２導体層５ｂは接着材を介して設けられたものであってもよいし、接着材を介さないで設けられたものでもよい。また、第２導体層５ｂとして、例えば銅からなる導体層が用いられるが、この限りではない。
【００２０】
ビアホール６は、絶縁性基板２及び第２導体層５ｂを貫通するものであり、特に小径のビアを形成する場合には、レーザー加工により形成される。そして、前述の通り、レーザー加工により接着材３も除去されている。用いられるレーザーは、加工性が良好なＵＶレーザーが好ましいが、その他のレーザーを用いても構わないし、エッチングと組み合わせてレーザーを用いることでも構わない。
【００２１】
図２は、この半導体装置用ＴＡＢテープ１の製造方法の一例を示したものである。
【００２２】
この半導体装置用ＴＡＢテープ１は、次のような製造方法によって製造される。
【００２３】
まず、図２（ａ）に示すように、まず、絶縁性基板２の少なくとも片面に接着材３が設けられ、両面に例えば銅からなる導体層（第１導体層４ｂ、第２導体層５ｂ）を設けた積層板を準備する。
【００２４】
そして、図２（ｂ）に示すように、所望の領域に、第２導体層５ｂ、絶縁性基板２、及び接着材３を貫通するビアホール６を形成する。ビアホール６の形成には、ＵＶレーザーなどのレーザー加工を用いれば３０μｍ以下の小径のビアホール６を形成することが可能であり好ましい。その際、同一のレーザーで一括してビアホール６を形成しても良いし、レーザーとエッチングとを併用しても構わない。
【００２５】
さらに、図２（ｃ）に示すように、形成したビアホール６内に露出する接着材３を溶解するための接着材溶解処理を行う。この接着材溶解処理において、ビアホール６内に露出した接着材３は処理液によって侵食される。そのため、断面図に見られるように絶縁性基板２に設けられた開口Ｗの径よりも大きくなるように溶解部Ａの分だけ外側に退行するような形状に形成される。接着材溶解処理には、絶縁性基材よりも接着材３との反応が高く、接着材３の溶解を促進させるように作用する処理液を用いるのが好ましい。接着材溶解処理の工程は、レーザー加工後のデスミア処理によって同時に行うことが可能である。この場合、ビアホール６内の残渣を除去し、且つ接着材３を溶解させることができる処理液を選定すればよい。このようにデスミア処理と同時に行えば、余分な工程を増やす必要がないのでより望ましい。
【００２６】
そして、図２（ｄ）に示すように、ビアホール６内に露出した第１導体層４ｂと第２導体との導通を図るためにめっき層７を形成する。
【００２７】
最後に、図２（ｅ）に示すように、第１導体層４ｂ及び第２導体層５ｂをフォトプロセスによりエッチング加工し、夫々第１導体パターン４ａと第２導体パターン５ａとを形成する。
【００２８】
その後、必要に応じて、機能めっきを施し、ソルダーレジストなどの保護膜を設けることにより半導体装置用ＴＡＢが完成する。
【００２９】
次に、本発明を実施例により具体的に説明する。
【実施例】
【００３０】
まず、厚さ５０μｍのポリイミドの片面に厚さ１５μｍのエポキシ系接着材３を介して厚さ１８μｍの銅からなる第１導体層４ｂが設けられ、もう一方の面に厚さ１８μｍの銅からなる第２導体層５ｂが設けられた積層板を準備する。
【００３１】
その積層板に、第２導体層５ｂ側から、ＵＶレーザーを照射して、第２導体層５ｂ、絶縁性基板２、及び接着材３を貫通する直径８０μｍのビアホール６を形成する。
【００３２】
次に、形成したビアホール６内を過マンガン酸塩からなる処理液によりデスミア処理を行う。このデスミア処理でビアホール６内の残渣が除去されるとともに、ビアホール６内に露出した接着材３が処理液によって５μｍ程度侵食され、第１導体層４ｂが直径９０μｍ露出することになる。
【００３３】
そして、ビアホール６内に露出した第１導体層４ｂと第２導体層５ｂとを繋ぐように銅のめっき層７を形成し、第１導体層４ｂ及び第２導体層５ｂをフォトプロセスによりエッチング加工し、夫々第１導体パターン４ａと第２導体パターン５ａとを形成する。
【００３４】
最後に、第１導体パターン４ａ及び第２導体パターン５ａ上に金などの機能めっきを施した後、ソルダーレジストなどの保護膜を設けて半導体装置用ＴＡＢテープ１を製造した。
【００３５】
以上説明したように、本発明の実施の形態の半導体装置用ＴＡＢテープ及びその製造方法によれば、ビアホール内の第１導体層の露出面が大きくなり、めっき層との接合面積が大きくなるため、ビアホール内の接合安定性に優れ、信頼性の高いＴＡＢテープを提供することが可能となる。
【００３６】
特にレーザー加工で設けられた例えば１００μｍ以下、より好ましくは直径２０μｍ〜１００μｍのビアホールにおいて有効である。加えて、レーザー加工後のデスミア工程によってビアホール内の残渣除去及び接着材の溶解を同時に行うことができるため好ましい。
【００３７】
しかしながら、ビアホールの形成はレーザー加工に限られるものではなく、所望の直径に応じて穿孔方法を設定すればよい。例えばビアホールをエッチングにより形成した後接着材溶解工程を行うことも可能であるし、第２導体層、絶縁性基板、及び接着材をパンチングにより形成した後、第1導体層を貼り合わせてビアホールを形成した基材に接着材溶解工程を行うことも可能であり、このような場合であってもビアホール内の第１導体層の露出面が大きくなるので、本発明の効果を得ることができるのは勿論である。
【００３８】
なお、本発明の実施の形態では、半導体装置、特に半導体チップ（図示しない）との接合については特に言及していないが、半導体装置用ＴＡＢテープに半導体チップと半導体装置用ＴＡＢテープに形成されたパターンとを接合をするためのデバイスホールを設けても構わない。つまり、所望とするパッケージの態様に応じて適宜変更が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００３９】
１ 半導体装置用ＴＡＢテープ
２ 絶縁性基板
３ 接着材
４ａ 第１導体パターン
４ｂ 第１導体層
５ａ 第２導体パターン
５ｂ 第２導体層
６ ビアホール
７ めっき層
Ａ 溶解部
Ｗ 絶縁性基板に設けられた開口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の片面に接着材を介して設けられた第１導体パターンと、
前記絶縁性基板の前記第１導体パターンの反対側の面に設けられた第２導体パターンと、
前記絶縁性基板と前記接着材とを貫通するビアホールと、
前記ビアホール内に前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを導通するように形成されためっき層とを有し、
前記接着材は、絶縁性基板に設けられた開口径よりも大きいことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープ。
【請求項２】
前記絶縁性基板と前記接着材とは、異なる材料にて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用ＴＡＢテープ。
【請求項３】
前記絶縁性基板がポリイミドからなり、前記接着材がエポキシ系の接着材からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用ＴＡＢテープ。
【請求項４】
絶縁性基板の片面に第１導体層が形成され、もう一方の面に第２導体層が設けられた積層板であって、少なくとも第１導体層が接着材を介して絶縁性基板に貼り合わせられた積層板を準備する工程と、
前記第２導体層、前記絶縁性基板、及び前記接着材を貫通するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に露出する前記接着材を溶解する接着材溶解工程と、
前記ビアホール内に露出した前記第１導体層と第２導体層と導通するめっき層を形成するめっき工程と、
前記第１導体層及び第２導体層をフォトプロセスによりエッチング加工し、夫々第１導体パターンと第２導体パターンとを形成するパターニング工程とを有する半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁性基板と前記接着材とは、異なる材料にて形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項６】
前記接着材溶解工程は、ビアホール内の残渣を除去するデスミア処理であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項７】
前記ビアホールを形成する工程は、レーザー加工により行われることを特徴とする請求項４〜６に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項１】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の片面に接着材を介して設けられた第１導体パターンと、
前記絶縁性基板の前記第１導体パターンの反対側の面に設けられた第２導体パターンと、
前記絶縁性基板と前記接着材とを貫通するビアホールと、
前記ビアホール内に前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを導通するように形成されためっき層とを有し、
前記接着材は、絶縁性基板に設けられた開口径よりも大きいことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープ。
【請求項２】
前記絶縁性基板と前記接着材とは、異なる材料にて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用ＴＡＢテープ。
【請求項３】
前記絶縁性基板がポリイミドからなり、前記接着材がエポキシ系の接着材からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用ＴＡＢテープ。
【請求項４】
絶縁性基板の片面に第１導体層が形成され、もう一方の面に第２導体層が設けられた積層板であって、少なくとも第１導体層が接着材を介して絶縁性基板に貼り合わせられた積層板を準備する工程と、
前記第２導体層、前記絶縁性基板、及び前記接着材を貫通するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に露出する前記接着材を溶解する接着材溶解工程と、
前記ビアホール内に露出した前記第１導体層と第２導体層と導通するめっき層を形成するめっき工程と、
前記第１導体層及び第２導体層をフォトプロセスによりエッチング加工し、夫々第１導体パターンと第２導体パターンとを形成するパターニング工程とを有する半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁性基板と前記接着材とは、異なる材料にて形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項６】
前記接着材溶解工程は、ビアホール内の残渣を除去するデスミア処理であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項７】
前記ビアホールを形成する工程は、レーザー加工により行われることを特徴とする請求項４〜６に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−１７１４０４（Ｐ２０１１−１７１４０４Ａ）
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−３１９７３（Ｐ２０１０−３１９７３）
【出願日】平成２２年２月１７日（２０１０．２．１７）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月１７日（２０１０．２．１７）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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