半導体装置
【課題】ＩＣカードは磁気カードと比較してコストが高く、電子タグもバーコードの代替品としてはコスト高である。そこでは、シリコンウェハのチップと異なり、低コストで大量生産でき、さらに非常に薄い集積回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】薄膜集積回路と、第１のアンテナと、第２のアンテナとを有し、薄膜集積回路は第１のアンテナ及び第２のアンテナと電気的に接続され、薄膜集積回路は、第１のアンテナと、第２のアンテナとの間に配置された半導体装置である。
【解決手段】薄膜集積回路と、第１のアンテナと、第２のアンテナとを有し、薄膜集積回路は第１のアンテナ及び第２のアンテナと電気的に接続され、薄膜集積回路は、第１のアンテナと、第２のアンテナとの間に配置された半導体装置である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリなどを有し、紙のように薄い薄膜集積回路を搭載したチップ、該チップ
を利用したラベルが付された製品又は商品、及びそれらの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、一人当たりが携帯するカード数が増加してきている。カードにはあらゆる情報が記
録され、必要に応じて書き換えられるため、情報量は増加の一途をたどっている。
【０００３】
このような情報量の増加は、多岐の分野にわたって必要不可欠なこととなっている。例え
ば食品業界や製造業界に対して、商品の安全性や管理体制の強化を求める声が高まってお
り、それに伴って商品情報は増加してしまう。しかし現状の商品情報は、主にバーコード
の十数桁の数字により提供されるにとどまり、製造国、メーカー、商品番号等の程度の情
報が一般的である。またバーコードを利用した場合、一つ一つの読み取りを手作業で行う
ため、時間を要してしまった。
【０００４】
そこでネットワークを利用した商品管理方法であって、ネットワークに接続された各販売
店の端末から、返却された商品の識別子が入力され、サーバを経由して、商品に関する情
報を販売店に通知する方法がある（特許文献１参照）。特許文献１によると、商品の識別
子は２次元バーコードや文字列などからなり、販売店の端末への入力を介してサーバに送
られる。また商品は、商品に関連するプログラムやデータ、あるいは個人情報を格納する
着脱可能な記憶媒体を有し、該記憶媒体はＩＣカード、スマートカード、コンパクトフラ
ッシュ（登録商標）カード等のカードなどを含んでいることが開示されている。
【０００５】
また、有価な証券類に微細なＩＣチップを搭載し、不正利用を防ぐとともに、正規な管理
元に取り戻せた場合には再利用が可能となる方法が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２３０１４１号公報
【特許文献２】特開２００１−２６０５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
情報量の増加に伴い、バーコードによる情報管理では、提供可能な情報量に限界が生じて
いた。またさらにバーコードによる情報管理では、手作業での読み取り時間を費やすため
、効率が悪かった。そしてバーコードの読み取り作業は人手を介するため、読み取りミス
などを避けることはできなかった。
【０００８】
また、ＩＣカードは磁気カードと比較してコストが高く、電子タグもバーコードの代替品
としてはコスト高である。その結果、付加価値が重要となる用途に限られ、普及を妨げる
要因となっている。
【０００９】
上記特許文献１に関してみると、消費者がインターネットにアクセスするには手間がかか
り、パーソナルコンピュータ等を所有する必要があった。更に、上記特許文献１及び２で
は、使用されるシリコンウェハからなる集積回路は厚いため製品や商品、特に紙幣等の紙
、又は製品や商品に付すラベル自体に搭載する場合、表面に凹凸が生じてしまう。その結
果、製品や商品のデザイン性が低下してしまった。
【００１０】
そこで本発明は、従来のシリコンウェハと異なり、低コストで大量生産でき、さらに非常
に薄い集積回路及びその形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を鑑み本発明は、ガラス基板、石英基板、ステンレス基板、アクリル等の可撓性
を有する合成樹脂からなる基板等のバルク基板以外に、選択的にパターンを形成可能な方
法により、非常に薄い集積回路（以下、薄膜集積回路と表記する）を形成することを特徴
とする。そして、本発明の薄膜集積回路及びアンテナを実装したチップ（以下、ＩＤチッ
プ又は半導体装置と表記する）を形成することを特徴とする。
【００１２】
選択的にパターンを形成可能な方法としては、導電膜や絶縁膜などの材料が混入された組
成物の液滴（ドットとも表記する）を選択的に吐出（噴出）する液滴吐出法を用いること
ができる。液滴吐出法は、その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。また選
択的にパターンを形成可能な方法として、印刷法がある。
【００１３】
このような選択的に形成するパターンとしては、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン
電極、画素電極等の電極、ソース配線、ドレイン配線等の配線、半導体膜、半導体膜等を
パターニングするためのマスク等、が挙げられる。
【００１４】
具体的な本発明のＩＤチップは、液滴吐出法又は印刷法を用いて形成されたパターンを有
する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、アンテナと、を有
し、薄膜集積回路は、アンテナと電気的に接続するように基板へ実装されていることを特
徴とする。
【００１５】
また本発明のＩＤチップは、液滴吐出法又は印刷法を用いて形成されたパターンを有する
薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、アンテナと、を有し、
薄膜集積回路は、アンテナと電気的に接続するように基板へ実装され、アンテナは薄膜集
積回路を介して対称に設けられていることを特徴とする。
【００１６】
また本発明のＩＤチップは、液滴吐出法又は印刷法を用いて形成されたパターンを有する
薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、アンテナと、を有し、
アンテナは可撓性を有する基板上に設けられ、薄膜集積回路は、アンテナと電気的に接続
するように基板へ実装され、基板は薄膜集積回路を間に挟むように折り畳まれていること
を特徴とする。
【００１７】
なお本発明の薄膜集積回路の作製工程において、全てのパターンを、選択的にパターンを
形成可能な方法により形成しなくともよい。本発明は薄膜集積回路の一工程において選択
的にパターンを形成可能な方法な方法を用いれば、その効果を奏することができるからで
ある。もちろん、薄膜集積回路の作製工程に、複数の工程のパターンを、選択的にパター
ンを形成可能な方法により形成しても構わない。
【００１８】
具体的な本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を
用いて、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、第２の基板上に、アンテナを形成し、薄
膜集積回路がアンテナに電気的に接続されるように、第１の基板と第２の基板とを張り合
わせることを特徴とする。
【００１９】
また本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を用い
て、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、可撓性を有する第２の基板上に、アンテナを
形成し、薄膜集積回路がアンテナに電気的に接続されるように、第２の基板は薄膜集積回
路を間に挟むように折り畳むことを特徴とする。
【００２０】
また本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を用い
て、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、第２の基板上に、アンテナを形成し、薄膜集
積回路がアンテナに電気的に接続されるように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ
た後、第１の基板を薄膜集積回路から剥離することを特徴とする。
【００２１】
また本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を用い
て、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、薄膜集積回路上に第２の基板を接着し、第１
基板を薄膜集積回路から剥離し、第３の基板上に、アンテナを形成し、薄膜集積回路がア
ンテナに電気的に接続されるように、第２の基板と第３の基板とを張り合わせることを特
徴とする。
【００２２】
また本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を用い
て、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、薄膜集積回路上にアンテナを形成し、薄膜集
積回路がアンテナに電気的に接続されるように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ
た後、第１の基板を薄膜集積回路から剥離することを特徴とする。
【００２３】
本発明において、アンテナは、スパッタリング法、液滴吐出法、印刷法、メッキ法、フォ
トリソグラフィー法及びメタルマスクを用いた蒸着法から選ばれたいずれかにより形成す
ることができる。またアンテナ形成後、加圧によりプレスし、平坦性を高めることができ
る。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の薄膜集積回路は、バーコード等の情報提供手段と比較し、情報取引又は情報管理
を簡便、短時間に行うことができ、多種多様な情報を提供することができる。さらに本発
明の薄膜集積回路は、従来のシリコンウェハと異なり非常に薄い集積回路であるため、商
品等に付す場合であってもデザイン性を損なうことがない。
【００２５】
またガラス基板等に形成するため、従来のシリコンウェハからなるチップと比較してチッ
プ、つまりＩＤチップのコストを削減することができる。またシリコンウェハで作製され
たチップは、円形のシリコンウェハからチップを取り出すため、母体基板形状に制約があ
るが、一方本発明のＩＤチップは、母体基板がガラス等の絶縁基板であり、形状に制約が
ない。そのため、生産性を高めることができ、大量生産することができる。その結果さら
なるコストの削減が期待できる。チップのように単価が非常に低い集積回路は、単価コス
トの削減により非常に大きな利益を生むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図である。
【図２】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図である。
【図３】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図である。
【図４】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図である。
【図５】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図及び斜視図である。
【図６】アンテナを示した上面図である。
【図７】アンテナの作製工程を示した断面図である。
【図８】アンテナの作製工程を示した断面図である。
【図９】薄膜集積回路の実装形態を示した図である。
【図１０】薄膜集積回路の実装形態を示した図である。
【図１１】薄膜集積回路を搭載したカードを示した図である。
【図１２】商品に付された薄膜集積回路を示した図である。
【図１３】薄膜集積回路を付した商品管理を示した図である。
【図１４】薄膜集積回路の作製工程を示した図である。
【図１５】ＩＤチップの機能的な構成を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明は多くの異なる態
様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するため
の全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り
返しの説明は省略する。
【００２８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、ＩＤチップに実装される薄膜集積回路の作製方法の一例について説明
する。
【００２９】
まず図１（Ａ）に示すように、絶縁表面を有する基板１００を用意する。基板１００には
、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石
英基板、ステンレス基板等を用いることができる。また、ポリエチレン-テレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）
に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一
般的に他の基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐
え得るのであれば用いることが可能である。
【００３０】
また基板の平坦性を高めるため、化学的又は機械的ポリッシング法、いわゆるＣＭＰ法（
Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により、表面研磨して
から用いると好ましい。ＣＭＰの研磨剤（スラリー）には、例えば、塩化シリコンガスを
熱分解して得られるフュームドシリカ粒子をＫＯＨ添加水溶液に分散したものを用いるこ
とができる。
【００３１】
基板１００上に、下地膜１０１を形成する。下地膜は、基板中に含まれるＮａなどのアル
カリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響を及ぼ
すのを防ぐために設ける。そのため、アルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜への拡
散を抑えることができる酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化チタン、窒化チタンな
どの絶縁膜を用いて下地膜を形成することができる。
【００３２】
下地膜１０１は積層構造を有してもよく、例えば第１の下地膜として、窒化酸化珪素膜を
１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）、第２の下地膜として、酸化窒化珪素
膜を５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の順に積層して形成してもよい
。なお窒化酸化珪素膜は、プラズマＣＶＤ法を用い、原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3
、Ｈ2、圧力が０．３Ｔｏｒｒ（３９．９Ｐａ）、ＲＦパワーが５０Ｗ、ＲＦ周波数が６
０ＭＨｚ、基板温度が４００℃として形成することができる。また酸化珪素膜は、プラズ
マＣＶＤ法を用い、原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、圧力が０．３Ｔｏｒｒ（３９．９Ｐａ）
、ＲＦパワーが１５０Ｗ、ＲＦ周波数が６０ＭＨｚ、基板温度が４００℃として形成する
ことができる。
【００３３】
また下地膜は、不純物が半導体膜へ拡散することが防止できれば、必ずしも設ける必要は
ない。そのため、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、必ずしも下
地膜を設ける必要はない。一方、ガラス基板、ステンレス基板又はプラスチック基板のよ
うに、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含まれている基板を用いる場合、
不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜を設けることは有効である。
【００３４】
下地膜１０１上に非晶質半導体膜１０２を形成する。非晶質半導体膜の膜厚は２５〜１０
０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）とする。また非晶質半導体は珪素だけではなくシリ
コンゲルマニウムも用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウ
ムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。本実施の形態で
は、珪素を主成分とする半導体膜を用いて非晶質半導体膜（非晶質珪素膜、アモルファス
シリコンとも表記する）を形成する。
【００３５】
次に、非晶質半導体膜を結晶化するため加熱処理を行う。加熱処理とは、加熱炉、レーザ
ー照射、若しくはレーザー光の代わりにランプから発する光の照射（以下、ランプアニー
ルと表記する）、又はそれら組み合わせて用いることができる。
【００３６】
加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜１０２を５００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加
熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を５００〜５５０℃の範囲で多段階に設
定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結
晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができる。さらに、結晶化を
促進させる金属元素、例えばＮｉを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減する
ことができ好ましい。
【００３７】
但し、金属元素を形成する場合、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念され
るので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例
えば、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するよう工程を行えば
よい。
【００３８】
またレーザー照射を用いる場合、連続発振型のレーザー（ＣＷレーザー）やパルス発振型
のレーザー（パルスレーザー）を用いることができる。レーザーとしては、Ａｒレーザー
、Krレーザー、エキシマレーザー、YAGレーザー、Y2O3レーザー、YVO4レーザー、YLFレー
ザー、ＹＡｌＯ3レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレー
ザー、Ti：サファイヤレーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または
複数種を用いることができる。またレーザーのビーム形状は、線状とすると好ましく、長
軸の長さは２００〜３５０μｍとすればよい。またさらにレーザーは、半導体膜に対して
入射角θ（０°＜θ＜９０°）を持たせてもよい。
【００３９】
なおレーザー照射を用いる場合、連続発振の基本波のレーザー光と連続発振の高調波のレ
ーザー光とを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザー光とパルス発振
の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよい。
【００４０】
なお、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザー光を照射するようにしてもよい
。これにより、レーザー光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密
度のばらつきによって生じる閾値のばらつきを抑えることができる。
【００４１】
また直接被形成面に、結晶性半導体膜を形成してもよい。この場合、ＧｅＦ4、又はＦ2等
のフッ素系ガスと、ＳｉＨ4、又はＳｉ2Ｈ6等のシラン系ガスとを用い、熱又はプラズマ
を利用して直接被形成面に、結晶性半導体膜を形成することができる。
【００４２】
このように形成された結晶性半導体膜を、所定の形状にパターニングし、島状の半導体膜
１０３を得る。パターニングに際し、フォトリソグラフィー法又は液滴吐出法により所定
のマスクを形成する。なお、材料の利用効率が向上し、コストの削減、廃液処理量の削減
が可能となるため液滴吐出法を用いてマスクを形成すると好ましい。さらに液滴吐出法に
よりマスクを形成すると、フォトリソグラフィー工程の簡略化を行うことができる。すな
わち、フォトマスク形成、露光等が不要となり、設備投資コストの削減を達成でき、製造
時間を短縮することができる。
【００４３】
液滴吐出法を用いるとき、組成物はドット状に吐出したり、ドットが連なった柱状に吐出
することがある。また組成物は、ドット状又は柱状に吐出される。すなわち、複数のドッ
トが連続して吐出されるため、ドットとして認識されず柱状に吐出されることもある。こ
のような組成物がドット状又は柱状に吐出されることを滴下若しくは噴出と表記する。
【００４４】
マスク材料として、無機材料（酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素など）、感光性又は非
感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ポリビニル
アルコール、レジスト又はベンゾシクロブテン）を用いることができる。例えばポリイミ
ドを用いて液滴吐出法によりマスクを形成する場合、所望箇所に液滴吐出法によりポリイ
ミドを吐出した後、焼成するため１５０〜３００℃で加熱処理を行うとよい。
【００４５】
マスクを用いて、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により結晶性半導体膜を
パターニングする。パターニング後、マスクを除去するため、プラズマ処理を行う。なお
、マスクは除去せずに絶縁膜として機能させることもできる。
【００４６】
その後、島状の半導体を覆うように絶縁膜、いわゆるゲート絶縁膜１０５を形成する。ゲ
ート絶縁膜はプラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、またはスパッタ法を用い、厚さを１０〜
１５０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。勿論、ゲー
ト絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または
積層構造として用いてもよい。
【００４７】
その後、結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を介して導電膜、いわゆるゲート電極１０６を
形成する。ゲート電極は、液滴吐出法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により形成するこ
とができる。ゲート電極は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、また
は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。勿論ゲート電
極は、単層であっても積層であってもよい。例えば、第１の導電膜１０８ａとして膜厚１
０〜５０ｎｍの窒化タンタル膜を形成し、第２の導電膜１０８ｂとして膜厚２００〜４０
０ｎｍのタングステン膜を順次積層したゲート電極を形成することができる。
【００４８】
また液滴吐出法によりゲート電極を形成する場合、溶媒に混在される導電体として、金（
Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（
Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、インジウ
ム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、若しくはアルミニウム（Ａｌ
）が挙げられ、これら導電体が複数混在した材料を用いることができる。また、上記導電
体からなる合金、これらの分散性ナノ粒子、又はハロゲン化銀の微粒子を用いることがで
きる。
【００４９】
例えば、ゲート電極のパターンを形成するために、金属微粒子を有機溶媒中に分散させた
組成物を用いる場合、金属微粒子は平均粒径が１〜５０ｎｍ、好ましくは３〜７ｎｍのも
のを用いるとよい。このような組成物は、電解法、アトマイズ法又は湿式還元法等の公知
の方法を用いて形成することができる。また、ガス中蒸発法で形成すると、分散剤で保護
された微粒子は約７ｎｍと微細なものとなる。またこの微粒子は、被覆剤を用いて各粒子
の表面を覆うと、溶剤中に凝集がなく、室温で安定に分散し、液体とほぼ同じ挙動を示す
ため、好ましい。
【００５０】
導電体等の材料が効率よく分散するため、微粒子となる導電体の表面を有機物、又は導電
物によりコーティングするとよい。また表面を覆う物質は、積層構造を有してもよい。表
面を覆う物質は導電性を有すると好ましいが、絶縁性を有しても加熱処理等により除去す
ればよい。特に銅を用いる場合、半導体膜中等に銅が拡散することを防止するため、銅微
粒子の表面をニッケル（Ｎｉ）又はニッケルボロン（ＮｉＢ）等の材料で覆うとよい。ま
たその表面にアミン、アルコール、チオールなどの分散剤を被覆してもよい。有機溶媒は
フェノール樹脂やエポキシ系樹脂などであり、熱硬化性又は光硬化性のものを適用してい
る。
【００５１】
これら組成物の粘度調整は、チキソ剤若又は希釈溶剤を添加すればよい。
【００５２】
本実施の形態では、液滴吐出法を用いて、液滴吐出ヘッドによって、Ａｇの導電体を被形
成面に適量吐出し、ゲート電極を形成する。
【００５３】
その後、液滴中の溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥させるため加熱処理
を施す。または光照射処理により溶媒を硬化させてもよい。具体的には、所定の温度、例
えば２００℃〜３００℃で加熱すればよく、好ましくは酸素を有する雰囲気で加熱処理を
行う。このときゲート電極表面に凹凸が生じないように加熱温度を設定する。特に本実施
の形態のようにＡｇを用いる場合、酸素及び窒素を有する雰囲気で加熱処理を行うとよい
。例えば、酸素の組成比は、１０〜２５％となるように設定する。すると、液滴の溶媒中
に含まれる接着剤等の熱硬化性樹脂などの有機物が分解されるため、有機物を含まない銀
（Ａｇ）を得ることができる。その結果、ゲート電極表面の平坦性を高め、比抵抗値を低
くすることができる。さらに有機溶媒の硬化に伴う体積収縮で金属微粒子間は接触し、融
合及び、融着若しくは凝集が促進される。すなわち、平均粒径が１〜５０ｎｍ、好ましく
は３〜７ｎｍの金属微粒子が融合若しくは、融着若しくは凝集したゲート電極が形成され
る。なおこのとき同時にゲート配線も形成される。このように、融合若しくは、融着若し
くは凝集により金属微粒子同士が面接触する状態を形成することにより、配線の低抵抗化
を実現することができる。
【００５４】
本発明は、このような組成物を用いて配線パターンを形成することで、線幅が１〜１０μ
m程度のゲート電極、又はゲート配線パターンの形成も容易になる。また、これら電極や
配線と接続するためのコンタクトホールの直径が１〜１０μm程度であっても、組成物を
その中に充填することができる。
【００５５】
なお、金属微粒子の換わりに、絶縁物質の微粒子を用いれば、同様に絶縁性のパターンを
形成することができる。
【００５６】
このように液滴吐出法によりゲート電極を形成する場合、ゲート絶縁膜の材料は、ゲート
電極材料と密着性の高いものを選択するとよい。例えば、ゲート電極にＡｇを用いる場合
、酸化チタン（ＴｉＯｘ）からなるゲート絶縁膜を形成すると好ましい。すなわち酸化チ
タン（ＴｉＯｘ）は、ゲート絶縁膜としての機能と、密着性向上機能とを併せ持っている
。
【００５７】
次いで、ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域に、ゲート電極１０６をマスクとして自己整合的
に不純物元素であるリン（Ｐ）を添加し、不純物領域１０８を形成する。不純物添加時の
ゲート電極１０６下方への不純物元素の回り込みにより、ゲート電極と重なるように不純
物領域が形成されることもある。またゲート電極の側面をテーパ形状とし、ゲート電極と
重なる不純物領域を形成することもできる。
【００５８】
その後、ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域をレジストマスクで覆った状態で、ｐチャネル型
ＴＦＴとなる領域にゲート電極１０６をマスクとして、自己整合的に不純物元素であるボ
ロン（Ｂ）を添加し、不純物領域１０９を形成する。
【００５９】
このように形成される薄膜トランジスタは、半導体膜より上方にゲート電極が設けられた
、所謂トップゲート型の薄膜トランジスタである。このような薄膜トランジスタが複数設
けられた基板をＴＦＴ基板と表記することができる。
【００６０】
図１（Ｂ）に示すように、絶縁膜１１０、及び各不純物領域に接続された配線１１２を形
成する。絶縁膜は、有機材料や無機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリ
イミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、
シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）と酸素
（Ｏ）との結合で骨格構造が構造され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基にフ
ッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有するポリマー材料、を
出発原料として形成される。またポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を
有するポリマー材料を含む液体材料を出発原料として形成される。無機材料としては、酸
化珪素、又は窒化珪素を用いることができる。絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ
法、液滴吐出法、スピンコーティング法又はディップ法を用いて形成することができる。
粘性の高い原料を用いて形成する場合、液滴吐出法、スピンコーティング法、又はディッ
プ法を用いると好ましい。
【００６１】
配線は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又は液滴吐出により形成することができる。配線
材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングス
テン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜
を用いればよい。また液滴吐出法により配線を形成する場合、溶媒に混在される導電体と
して、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タン
グステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）
、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、若しくはアルミニ
ウム（Ａｌ）、これらからなる合金、これらの分散性ナノ粒子、又はハロゲン化銀の微粒
子を用いることができる。
【００６２】
本実施の形態では、液滴吐出法により層間絶縁膜及び配線を形成する。このとき、層間絶
縁膜材料を有する溶媒と、導電膜材料を有する溶媒とを同時に吐出したり、層間絶縁膜材
料を有する溶媒を吐出後、導電膜材料を有する溶媒を吐出してもよい。
【００６３】
図１（Ｂ）では、配線層は一層であるが、多層としてもよい。多層配線層とすることによ
り、薄膜集積回路の小型化を達成することができる。
【００６４】
その後、配線１１２を接続するための導電膜１１５を形成する。導電膜１１５の作製方法
や材料は、配線１１２を参照することができる。
【００６５】
図１（Ｃ）に示すように、導電膜１１５を覆うように保護膜として機能する絶縁膜１１６
を形成する。絶縁膜１１６の作製方法や材料は、層間絶縁膜１１０を参照することができ
る。
【００６６】
絶縁膜１１６には、導電膜１１５とアンテナ等の端子と接続するためのコンタクトホール
を形成し、コンタクトホールには、導電膜１１７を形成し、接続端子部１１８を形成する
。
【００６７】
また図２に示すように、アンテナ１２１を一体形成してもよい。この場合、接続端子部を
形成後、アンテナ１２１を形成する。アンテナの一部は、接続端子部と接続するように形
成する。その後、保護膜として機能する絶縁膜１２２を形成する。絶縁膜１２２の作製方
法や材料は、層間絶縁膜１１０を参照することができる。
【００６８】
このようにアンテナを一体形成すると、アンテナが実装されたＩＤチップの作製コストを
削減することができる。ＩＤチップのように単価が非常に低い集積回路は、単価コストの
削減により非常に大きな利益を生むことができる。
【００６９】
また図２では、薄膜集積回路上にアンテナを形成しているが、薄膜集積回路の周囲にアン
テナを一体形成しても構わない。この場合、絶縁膜１２２を形成する工程を省き、絶縁膜
の厚みをなくすことができる。
【００７０】
またさらに、アンテナは、ゲート電極、配線１１２、又は導電膜１１５と同一導電膜から
形成することができる。この場合、作製工程を削除することができ、好ましい。特にアン
テナを液滴吐出法や印刷法により形成する場合、同一レイヤーに形成するゲート電極、配
線１１２、又は導電膜１１５も液滴吐出法や印刷法により形成すると好ましい。
【００７１】
図１（Ｄ）には、このように作製された薄膜集積回路の全体図を示す。薄膜集積回路は、
基板１００上に設けられた薄膜集積回路１２０は、該集積回路の所定の領域には接続端子
部１１８が設けられている。
【００７２】
このように非常に薄い薄膜集積回路を実装するＩＤチップにより、多種多様な情報を提供
することができる。またＩＤチップにより、情報取引又は情報管理を簡便、短時間に行う
ことができる。また更に商品容器にラベルと共にＩＤチップを付する場合であっても、非
常に薄いためデザイン性を損ねることがない。
【００７３】
また本発明の薄膜集積回路は、シリコンウェハで作製された集積回路のように、クラック
や研磨痕の原因となるバックグラインド処理を行う必要がない。またさらに本発明の薄膜
集積回路は、厚さのバラツキも、半導体膜等の成膜時におけるばらつきに依存することに
なるので、大きくても数百ｎｍ程度であり、バックグラインド処理による数〜数十μｍの
ばらつきと比べて格段に小さく抑えることができる。
【００７４】
また本発明のＩＤチップは、シリコンウェハで作製されたチップと比較して、低コストで
形成することができる。ガラス基板等の低価格な母体基板に形成するためである。またシ
リコンウェハで作製されたチップは、円形のシリコンウェハからチップを取り出すため、
母体基板形状に制約があるが、一方本発明のＩＤチップは、母体基板がガラス等の絶縁基
板であり、形状に制約がない。そのため、生産性を高めることができ、さらにＩＤチップ
の形状寸法は自由に設定することができる。
【００７５】
またＩＤチップを形成する材料の面からみても、シリコンウェハから形成されるチップと
比較して低コスト、且つ安全な材料を使用している。そのため使用済みのＩＤチップを回
収する必要性が低く、環境に優しい。またＩＤチップを破棄する際、ある程度の面積を有
するため、ハサミ等で切断することができ、不正使用を防止することができる。
【００７６】
またシリコンウェハで作製されたＩＣチップは、シリコンウェハによる電波吸収が懸念さ
れ、信号の感度が問題となる場合がある。特に、よく用いられる電波１３．５６ＭＨｚ、
又は２．４５ＧＨｚに関して電波吸収が懸念される。一方、本発明のＩＤチップは、ガラ
ス等の絶縁基板であるため電波吸収は生じないため好ましい。その結果、高感度なＩＤチ
ップを形成することができる。そのため、本発明のＩＤチップが有するアンテナの面積を
小さくすることができ、ＩＤチップの小型化が期待できる。
【００７７】
またシリコンウェハ上に形成するチップは、シリコンウェハが半導体性を有するため、交
流の電波に対し、接合が順バイアスになりやすく、ラッチアップ対策の必要がある。一方
、本発明のＩＤチップは、絶縁性を有する基板上へ薄膜集積回路を形成するため、このよ
うな心配がない。
【００７８】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なり、非結晶性の半導体膜を有する薄膜トランジ
スタを具備する薄膜集積回路の作製方法について説明する。
【００７９】
上記実施の形態と同様に、図３（Ａ）に示すように、絶縁表面を有する基板１００を用意
する。絶縁表面を有する基板の材料は、上記実施の形態を参照することができる。本実施
の形態では、非結晶性の半導体膜を有するため、半導体膜を結晶化するための加熱工程を
要しない。その結果、可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いやすい。
【００８０】
また上記実施の形態と同様に、平坦性を高めるため、絶縁表面を有する基板に表面研磨を
施してもよい。
【００８１】
その後、下地膜１０１を形成する。下地膜の材料や作製手段は、上記実施の形態を参照す
ればよい。また下地膜の材料として、チタン等の導電膜を用いることもできる。この場合
、導電膜は、作製工程における加熱処理等により、少なくとも表面酸化される。その他の
下地膜の材料は、３ｄ遷移元素（Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ
，Ｚｎ）、及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物を用いることができる。
【００８２】
また下地膜は、不純物が半導体膜へ拡散することが防止できれば、必ずしも設ける必要は
ないことは、上記実施の形態で述べたとおりである。
【００８３】
次いで、下地膜上にゲート電極１０６を形成する。ゲート電極の材料又は作製手段は、上
記実施の形態を参照することができる。本実施の形態では、液滴吐出法を用いて、Ａｇの
導電体を用いてゲート電極を形成する。
【００８４】
その後、液滴中の溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥させるため加熱処理
を施す。加熱条件は上記実施の形態を参照することができる。
【００８５】
このように液滴吐出法によりゲート電極を形成する場合、下地膜の材料は、ゲート電極材
料と密着性の高いものを選択するとよい。例えば、ゲート電極にＡｇを用いる場合、酸化
チタン（ＴｉＯｘ）からなる下地膜を形成すると好ましい。すなわち酸化チタン（ＴｉＯ
ｘ）は、下地膜としての機能と、密着性向上機能とを併せ持っている。
【００８６】
その後、ゲート電極上に保護膜として機能する絶縁膜を設けてもよい。特に、Ａｇを用い
て液滴吐出法により形成されたゲート電極上には窒化珪素を有する絶縁膜を形成するとよ
い。その結果、ゲート電極の酸化を防止したり、表面の平坦化を向上することができる。
一方、酸素を有する絶縁膜を用いると、Ａｇと反応し、酸化銀が形成され、ゲート電極表
面が荒れる恐れがあるため好ましくない。
【００８７】
その後ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜１０５を形成する。ゲート絶縁膜の材料や作
製手段は上記実施の形態を参照すればよい。また上記実施の形態以外に加えて、ゲート絶
縁膜の材料は、ポリシラザン、ポリビニルアルコール等の有機材料からなる絶縁体を用い
ることができる。またゲート絶縁膜の作製手段は、液滴吐出法、スピンコーティング法又
はディップ法を用いて形成することができる。粘性の高い原料を用いて形成する場合、液
滴吐出法、スピンコーティング法、又はディップ法を用いると好ましい。
【００８８】
次いで、ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成する。半導体膜は、プラズマＣＶＤ法、スパッ
タリング法、液滴吐出法等により形成することができる。本実施の形態において半導体膜
は、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体（ＳＡＳ
とも表記する）、非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができ
る微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの非結晶性状態を有してもよい。
特に、０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を粒観察することができる微結晶状態はいわゆるマイ
クロクリスタル（μｃ）と呼ばれている。
【００８９】
ＳＡＳは、非晶質構造と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）との中間的な構造を有し、自
由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体である。また短距離秩序を持ち格子歪
みを有する結晶質な領域を含んでいる。そして少なくとも膜中の一部の領域には、０．５
〜２０ｎｍの結晶領域を観測することができ、珪素を主成分とする場合にはラマンスペク
トルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折では珪素結晶格子に由来
するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。また未結合手（ダング
リングボンド）を終端させるための中和剤として、ＳＡＳは水素或いはハロゲンを１原子
％、又はそれ以上含んでいる。
【００９０】
ＳＡＳは、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化
物気体としては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、Ｓ
ｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることができる。珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アル
ゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種又は複数種の希ガス元素で希釈して用いるこ
とによりＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。このとき希釈率が１０倍〜１０
００倍の範囲となるように、珪化物気体を希釈すると好ましい。またＳｉ2Ｈ6及びＧｅＦ
4を用い、ヘリウムガスで希釈する方法を用いてＳＡＳを形成することができる。グロー
放電分解による被膜の反応生成は減圧下で行うと好ましく、圧力は概略０．１Ｐａ〜１３
３Ｐａの範囲で行えばよい。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ
、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すればよい。基板加熱温度は３
００度以下が好ましく、１００〜２５０度の基板加熱温度が推奨される。
【００９１】
本実施の形態では、半導体膜として、プラズマＣＶＤ法を用いて、珪素を主成分とするＳ
ＡＳを形成する。ＳＡＳを用いて薄膜トランジスタを形成すると、移動度は１〜１０cm2/
Vsecとなる。
【００９２】
次いで、一導電型を有する半導体膜を形成する。なお一導電型を有する半導体膜を形成す
ると、半導体膜と電極とのコンタクト抵抗が低くなり好ましいが、必要に応じて設ければ
よい。一導電型を有する半導体膜は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、液滴吐出法
等を用いて形成することができる。
【００９３】
プラズマＣＶＤ法により形成する場合、半導体膜と、Ｎ型を有する半導体膜、さらにゲー
ト絶縁膜を連続形成することができる。具体的には、プラズマＣＶＤ装置の処理室内への
原料ガスの供給を変化させることにより大気開放することなく、連続形成することができ
る。その結果、半導体膜と、Ｎ型を有する半導体膜、さらにゲート絶縁膜の各々の界面へ
の不純物付着を防止することができる。
【００９４】
その後、半導体膜、及びＮ型を有する半導体膜を所望の形状にパターニングし、島状の半
導体膜１０３、島状のＮ型を有する半導体膜１０４を得る。パターニングに際し、上記実
施の形態を参照することができる。
【００９５】
半導体膜、及びＮ型を有する半導体膜を同時にパターニングするため、島状の半導体膜１
０３、及び島状のＮ型を有する半導体膜１０４の端部が一致する構造となる。すなわち、
島状の半導体膜１０３、及び島状のＮ型を有する半導体膜１０４のそれぞれの端部は、互
いの端部を越えないように設けられている。
【００９６】
図３（Ａ）に示すように、ソース電極及びドレイン電極１１１として機能する導電膜を形
成する。導電膜は、単層構造及び積層構造のいずれを有してもよい。また導電膜の材料や
作製手段は、上記実施の形態を参照することができる。上記実施の形態と同様に、導電膜
はスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法により形成することができ、リン等の不純物元素
をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いること
ができる。
【００９７】
さらに液滴吐出法を用いる場合、ソース電極及びドレイン電極の被形成面上の撥液性を高
めるため、撥液処理を行ってもよい。撥液処理としては、フッ素系のシランカップリング
剤等を塗布する方法がある。別の撥液処理として、ＣＨＦ3、Ｏ2混合ガス等を用いたプラ
ズマ処理を行ってもよい。その後、液滴の溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、
乾燥させるため加熱処理を施す。
【００９８】
その後、ソース電極及びドレイン電極１１１をマスクとして、Ｎ型を有する半導体膜１０
４をエッチングする。Ｎ型を有する半導体膜が、ソース電極及びドレイン電極を短絡する
ことを防止するためである。このとき、半導体膜１０３が多少エッチングされることがあ
る。
【００９９】
その後、ソース電極及びドレイン電極上に保護膜として機能する絶縁膜を設けてもよい。
特に、Ａｇを用いて液滴吐出法により形成されたソース電極及びドレイン電極上には窒化
珪素を有する絶縁膜を形成するとよい。その結果、ソース電極及びドレイン電極の酸化を
防止したり、表面の平坦化を向上することができる。一方、酸素を有する絶縁膜を用いる
と、Ａｇと反応し、酸化銀が形成され、ソース電極及びドレイン電極表面が荒れる恐れが
あるため好ましくない。
【０１００】
以上のように、ソース電極及びドレイン電極まで設けられた薄膜トランジスタが完成する
。本実施の形態の薄膜トランジスタは、半導体膜より下方にゲート電極が設けられた、所
謂ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。より詳細には、半導体膜が多少エッチング
されている、所謂チャネルエッチ型である。このような薄膜トランジスタが複数設けられ
た基板をＴＦＴ基板と表記する。
【０１０１】
図３（Ｂ）に示すように、絶縁膜１１０、及び配線１１２を形成する。絶縁膜及び配線の
材料、及び作製手段は上記実施の形態を参照することができる。詳しくは、絶縁膜材料を
有する液滴、及び導電膜材料を有する液滴を、同時にノズルから吐出することができる。
このとき例えば二つのヘッドを設置したノズルを用いる場合、各ヘッドが有するノズルを
、絶縁膜材料を有するノズル専用、導電膜材料を有するノズル専用とすることもできる。
また、絶縁膜及び導電膜を同時ではなく別に形成してもよい。この場合、絶縁膜及び導電
膜のいずれを先に形成してもよいが、好ましくは絶縁膜を先に形成すると、微細な導電膜
を先に形成する場合と比較し、導電膜パターンのくずれを防止することが期待できる。
【０１０２】
図２（Ｃ）に示すように、導電膜１１５を覆うように保護膜として機能する絶縁膜１１６
を形成する。絶縁膜１１６の作製方法や材料は、上記実施の形態を参照することができる
。
【０１０３】
また本実施の形態においても、図２に示すように、アンテナ１２１を一体形成してもよい
。
【０１０４】
以上、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを用いて形成される薄膜集積回路について説
明したが、図４に示すように、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタに代えて、半導体膜
上に保護膜１３０が設けられている、所謂チャネル保護型の薄膜トランジスタを用いて薄
膜集積回路を形成してもよい。
【０１０５】
図３（Ｄ）には、このように作製された薄膜集積回路の全体図を示す。ＩＤチップは、基
板１００上に設けられた薄膜集積回路１２０を有し、該集積回路の所定の領域には接続端
子部１１８が設けられている。
【０１０６】
このような非結晶性半導体膜を用いた薄膜集積回路では、１３．５６ＭＨｚのように低い
周波数を有する電波により通信を行うことが望ましい。また通信距離が１０ｃｍ未満であ
る近接型、又は数ｃｍ程度である密着型に適している。
【０１０７】
本実施の形態では、ボトムゲート型の薄膜トランジスタを形成するため、薄膜集積回路を
非常に薄くすることができる。そのため、デザイン性を損ねることがなく、ＩＤチップと
して紙幣等の紙へ搭載すると好ましい。
【０１０８】
また非結晶性の半導体膜を用いるため、結晶性の薄膜集積回路と比較すると、半導体膜の
面積が大きくなることが懸念される。しかし、ＩＤチップを破棄する際、ある程度の面積
を有するため、ハサミ等で容易に切断することができ、不正使用を防止することができる
というメリットがある。
【０１０９】
また従来のシリコンウェハで作製されたチップは、応力に弱い。特に非結晶性の半導体膜
を用いる薄膜集積回路は面積が大きくなることがあり、応力破壊が懸念される。しかし、
ＩＤチップはシリコンウェハチップと比較して、ある程度の面積を有するため、更にはフ
レキシブル性の高い基板を用いることにより、応力破壊、つまり曲げ応力に対して強い。
【０１１０】
また本実施の形態で示した薄膜トランジスタは、少なくとも液滴吐出法により導電膜やマ
スク等を形成することを特徴とする。そのため、材料の利用効率が向上し、コストの削減
、廃液処理量の削減が可能となる。特に液滴吐出法によりマスクを形成すると、フォトリ
ソグラフィー工程と比較して工程の簡略化を行うことができる。その結果、設備投資コス
トの削減、ＩＤチップのコスト削減、製造時間を短縮することができる。
【０１１１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる方法により作製する薄膜集積回路について説
明する。本実施の形態では上記実施の形態１に示す薄膜トランジスタで説明するが、上記
実施の形態２に示す薄膜トランジスタを用いてもよい。
【０１１２】
図５（Ａ）に示すように基板１００上に、金属膜１４０を形成する。金属膜としては、Ｗ
、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒか
ら選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層
、或いはこれらの積層を用いることができる。金属膜の作製方法として例えば、金属のタ
ーゲットを用いるスパッタリング法により形成すればよい。なお金属膜の膜厚は、１０ｎ
ｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍとなるように形成すればよい。
【０１１３】
金属膜の代わりに、上記金属が窒化された（例えば、窒化タングステンや窒化モリブデン
）膜を用いても構わない。また金属膜の代わりに上記金属の合金（例えば、ＷとＭｏとの
合金：ＷxＭｏ1-X）膜を用いてもよい。この場合、成膜室内に第１の金属（Ｗ）及び第２
の金属（Ｍｏ）といった複数のターゲットを用いたり、第１の金属（Ｗ）と第２の金属（
Ｍｏ）との合金のターゲットを用いたスパッタリング法により形成すればよい。また更に
、金属膜に窒素や酸素を添加してもよい。添加する方法として例えば、金属膜に窒素や酸
素をイオン注入したり、成膜室を窒素や酸素雰囲気としてスパッタリング法により形成す
ればよく、このときターゲットとして窒化された金属を用いてもよい。
【０１１４】
このような金属膜の形成方法により、剥離工程を制御することができる。すなわち、金属
の合金を用いた場合、合金の各金属の組成比を制御することにより、剥離工程を制御でき
る。具体的には、剥離するための加熱温度の制御や、加熱処理の要否までも制御すること
ができる。その結果、プロセスマージンを広げることができる。
【０１１５】
その後、金属膜１４０上に被剥離層１４１を形成する。この被剥離層は珪素を有する酸化
膜を有し、酸化膜は下地膜としての機能も有する。またさらに金属膜や基板からの不純物
やゴミの侵入を防ぐため、半導体膜より下面に窒化珪素（ＳｉＮ）膜、窒化酸化珪素（Ｓ
ｉＯＮやＳｉＮＯ）膜等の窒素を有する絶縁膜を設けてもよい。このような金属膜上に形
成される絶縁膜を被剥離層と表記する。
【０１１６】
珪素を有する酸化膜は、スパッタリング法やＣＶＤ法により酸化珪素、酸化窒化珪素等を
形成すればよい。珪素を有する酸化膜の膜厚は、金属膜の約２倍以上であることが望まし
い。本実施の形態では、シリコンターゲットを用いたスパッタリング法により、酸化珪素
膜を１５０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚として形成する。
【０１１７】
この珪素を有する酸化膜を形成するときに、金属膜１４０の表面に当該金属を有する酸化
物（以下、金属酸化物と表記し、図示しない）が形成される。金属酸化物の膜厚は、０．
１ｎｍ〜１μｍ、好ましくは０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、更に好ましくは０．１ｎｍ〜５ｎ
ｍとなるように形成すればよい。また金属酸化物は、硫酸、塩酸或いは硝酸を有する水溶
液、硫酸、塩酸或いは硝酸と過酸化水素水とを混同させた水溶液又はオゾン水で処理する
ことにより金属膜表面に形成される薄い金属酸化物を用いることもできる。更に他の方法
としては、酸素雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中で紫外線照射することに
よりオゾンを発生させて酸化処理を行ってもよく、クリーンオーブンを用い２００〜３５
０℃程度に加熱して金属酸化物を形成してもよい。
【０１１８】
次いで、被剥離層１４１に半導体膜１０３等を形成し、薄膜トランジスタを完成させる。
その後、絶縁膜１１０、及び各不純物領域に接続された配線１１２、導電膜１１５、絶縁
膜１１６、導電膜１１７が形成された接続端子部１１８を形成する。薄膜トランジスタの
作製方法等は、上記実施の形態を参照することができる。
【０１１９】
このように、金属膜１４０と、金属酸化物と、被剥離層１４１と、半導体膜とが積層され
た状態、つまり被剥離層の一方の面に半導体膜が設けられ、他方の面に金属酸化物及び金
属膜が設けられる構造となる。
【０１２０】
以上のように薄膜トランジスタを形成後、少なくとも金属酸化物形成後に加熱処理を行い
、金属酸化物を加熱する。その結果、金属酸化膜は結晶状態となる。例えば、金属膜にＷ
（タングステン）を用いる場合、４００℃以上で加熱処理を行うと、ＷＯ2又はＷＯ3の金
属酸化物が結晶状態となる。加熱処理は、選択される金属膜により温度や要否を決定すれ
ばよい。その結果、必要に応じて金属酸化物を結晶化することができ、剥離を容易に行う
ことができる。
【０１２１】
なお上述の加熱処理は、半導体素子の作製中の加熱処理と兼用させることができる。例え
ば半導体膜を形成後に加熱を行うことにより、半導体膜の水素を出す、所謂水素出し工程
の加熱処理と兼用することができる。また結晶性半導体膜を形成する場合、加熱炉やレー
ザー照射を用いて加熱処理を行うことができる。その結果、作製工程を低減することがで
きる。
【０１２２】
次いで、図５（Ｂ）に示すように基板上に形成された薄膜集積回路１２０を商品表面へ接
着する。なお、商品は瓶の側面のように曲面であってもよい。本実施の形態では、アンテ
ナ１２１及び接続端子部１４４が設けられた基板１４２へ接着する。このとき、集積回路
の接続端子部１１８と、基板上の接続端子部１４３とが接続するように接着剤により接着
する。接着剤としては、紫外線硬化樹脂、具体的にはエポキシ樹脂系接着剤或いは樹脂添
加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いることができる。
【０１２３】
そして図５（Ｃ）に示すように、基板１００を、物理的手段により剥離する。このとき、
結晶化された金属酸化物の層内、又は金属酸化物の両面の境界（界面）、すなわち金属酸
化物と金属膜との界面或いは金属酸化物と被剥離層との界面で剥がれる。
【０１２４】
このとき剥離を容易に行うため、基板の一部を切断し、切断面における剥離界面、すなわ
ち金属膜と金属酸化物との界面付近にカッター等で傷を付けるとよい。または、半導体素
子が設けられていない領域の被剥離層に傷を付けてもよい。
【０１２５】
基板１００を剥離後、金属酸化物は、薄膜集積回路側において全て除去されている場合、
又は一部或いは大部分が薄膜集積回路側に点在（残留）している場合がある。金属酸化物
が残留している場合は、エッチング等により除去してもよい。このとき、更に珪素を有す
る酸化膜を除去しても構わない。
【０１２６】
以上のように薄膜集積回路が搭載された商品を形成することができる。
【０１２７】
本実施の形態では、接続端子部の導電膜が下方を向いている所謂フェイスダウン状態で薄
膜集積回路を実装する場合について説明したが、接続端子部の導電膜が上方を向いている
所謂フェイスアップ状態で薄膜集積回路を実装してもよい。この場合、集積回路の接続端
子部の導電膜と、アンテナ等のコンタクトには、ワイヤボンディングを用いるとよい。
【０１２８】
以上、基板１００上に薄膜トランジスタを形成後、転写し、基板１００を剥離する形態を
説明したが、被転写物、又は剥離するタイミング若しくは回数は上記形態に限定されない
。例えば、被転写物として可撓性を有する合成樹脂基板を用い、金属酸化物形成後に該合
成樹脂基板へ半導体膜の転写を行い、その後薄膜トランジスタを完成させてもよい。特に
、上記実施の形態２にように非結晶性の半導体膜を有する薄膜トランジスタを形成する場
合、合成樹脂基板へ転写を行った後であっても、薄膜トランジスタを完成することが可能
となる。非結晶性の半導体膜を有する薄膜トランジスタは、加熱温度を低く、又は加熱処
理を行わずに形成することができるからである。その後更に、薄膜集積回路をプリント基
板等へ転写してもよい。このような転写及び剥離により形成される薄膜集積回路は、フェ
イスアップ状態又はフェイスダウン状態で商品へ搭載することができる。
【０１２９】
また剥離を行う場合、剥離する必要がある基板の接着には、接着剤としては剥離可能な接
着剤、例えば紫外線により剥離する紫外線剥離型、熱による剥離する熱剥離型或いは水に
より剥離する水溶性の接着剤、又は両面テープ等を使用するとよい。そして接着剤を除去
するために、接着剤を剥がすために紫外線照射を照射したり、加熱したり、水洗すればよ
い。
【０１３０】
本実施の形態では、金属膜等を用いた剥離法を説明したが、その他の剥離法により基板１
００を剥離してもよい。例えば、剥離層へレーザーを照射して、基板１００を剥離したり
、基板１００をエッチング除去することにより基板１００を剥離したりすることができる
。また、剥離層へ切り込みを入れ、フッ素系、又は塩素系、例えばＣｌＦ3等のエッチャ
ントにより剥離することもできる。
【０１３１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、ＩＤチップのアンテナの作製方法について説明する。
【０１３２】
非接触型ＩＤチップとして機能するためには、上述のように薄膜集積回路及びアンテナが
必要となる。アンテナは、多様な配置をとることができ、少なくともアンテナの先端には
、薄膜集積回路と接続するための接続端子が設けられている。
【０１３３】
例えば図６（Ａ）に示すように、基板１４２上に設けられたアンテナは、矩形上に蛇行す
るように設けられ、先端にはそれぞれ接続端子１４３が設けられている。図６（Ａ）では
、各接続端子が近接して設けられているが、これに限定されるものではない。薄膜集積回
路の接続端子に合わせて、各接続端子の配置を決定することができる。
【０１３４】
アンテナは、図６（Ｂ）に示すような巻くように設けてもよい。そしてアンテナの先端に
は、接続端子１４３が設けられている。図６（Ｂ）では、各接続端子は離れるように設け
られているが、図６（Ａ）のように近接して設けてもよい。
【０１３５】
またアンテナは、矩形状に配置せずとも、円状に配置してもよい。
【０１３６】
次いで、アンテナの作製方法について説明する。
【０１３７】
図７（Ａ）に示すように、基板１４２上に所定な配置となるようにアンテナを形成する。
アンテナ材料には、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ
（白金）等の導電材料を用いることができる。比較的抵抗の高いＡｌやＡｕを用いる場合
、配線抵抗が懸念される。しかし、アンテナを厚くしたり、アンテナ形成面積が広い場合
には、アンテナの幅を広くすることで配線抵抗を低減することができる。Ｃｕのように拡
散が懸念される導電材料は、アンテナの被形成面、又はＣｕの周囲を覆うように保護膜と
して機能する絶縁膜を形成するとよい。またアンテナは、スパッタリング法、液滴吐出法
、印刷法、メッキ法、フォトリソグラフィー法及びメタルマスクを用いた蒸着法のいずれ
かにより形成することができる。特に、液滴吐出法、印刷法、又はメッキ法によりアンテ
ナを形成する場合、導電膜をパターニングする必要がないため、作製工程数を低減するこ
とができる。本実施の形態では、ノズル１５１からＡｇを有する液滴を吐出する液滴吐出
法によりアンテナを形成する。このとき、Ａｇの密着性を高めるため、ＴｉＯｘ等を有す
る下地膜を形成してもよい。
【０１３８】
液滴を吐出後、液滴中の溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥させるため加
熱処理を施す。加熱処理は、上記実施の形態におけるゲート電極の作製方法を参照するこ
とができる。
【０１３９】
更に好ましくは、図７（Ｂ）に示すように、加圧するとよい。その結果、アンテナを薄膜
化することができ、加えてアンテナ表面の平坦性を高めることができる。加圧手段１５２
に加えて、加熱手段を有してもよく、上記加熱処理を同時に行うことができる。
【０１４０】
図７（Ｃ）に示すように、アンテナが形成された基板（以下、アンテナ基板と表記する）
を完成することができる。また、アンテナを覆って保護膜として機能する絶縁膜を形成し
てもよい。
【０１４１】
また図８（Ａ）に示すように基板１４２に開口部１５４を形成し、開口部にアンテナを形
成してもよい。図７（Ａ）と同様に、ノズル１５１からＡｇを有する液滴を吐出する液滴
吐出法によりアンテナを形成する。その他のアンテナ材料や作製手段は図７（Ａ）の記載
を参照することができる。
【０１４２】
図８（Ｂ）に示すように、図７（Ｂ）と同様に、加圧手段１５２によりアンテナをプレス
すると好ましい。加圧手段１５２に加えて、加熱手段を有してもよく、上記加熱処理を同
時に行うことができる。
【０１４３】
図８（Ｃ）に示すように、アンテナ基板を完成することができる。また、アンテナを覆っ
て保護膜として機能する絶縁膜を形成してもよい。
【０１４４】
図８において、開口部内にアンテナを形成することができるため、アンテナ基板の薄膜化
を達成することができる。
【０１４５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、アンテナ基板に薄膜集積回路を実装する具体的な方法について説明す
る。
【０１４６】
上記実施の形態に基づいて形成されたアンテナ基板上に、上記実施の形態に基づき形成さ
れた薄膜集積回路を実装する。図９に示すように、アンテナ１２１が形成された一組のア
ンテナ基板１５０を用意する。アンテナ基板間に、薄膜集積回路１２０を配置し、つまり
、アンテナ基板は前記薄膜集積回路を介して対称に配置する。その後、それぞれの接続端
子部１１８及び１４３が接続するように固定する。接続する手段にワイヤボンディング法
を用いてもよい。そしてＩＤチップが完成する。
【０１４７】
次に図９に記載の実装方法により、大型基板からIDチップを複数個作製する、いわゆる多
面取りにについて説明する。
【０１４８】
図１４（Ａ）に示すように、大型基板１００に複数（例えば２５個）の薄膜集積回路１２
０を形成する。アンテナ基板１５０間に、大型基板１００を配置し、各薄膜集積回路の接
続端子部１１８と、各アンテナの接続端子部１４３とが接続するように固定する。
【０１４９】
その後図１４（Ｂ）に示すように、大型基板に複数のＩＤチップを形成し、スクライビイ
グまたはダイシング等で切り離し一つのＩＤチップ１５７が完成する。なおＩＤチップの
切り離しには、レーザーを用いてもよい。特にＩＤチップを切断する場合、シリコンウェ
ハ上に形成されたチップと比較し、切断時のダメージを受けにくいと思われる。そのため
、ＩＤチップの切断領域は、シリコンウェハ上に形成されたチップの切断領域より小さく
することが可能である。そのため、アンテナ形成領域を大きくすることができる。その後
さらに、ＩＤチップを封止膜として機能する絶縁膜で封止してもよい。
【０１５０】
このように、大型基板から複数のＩＤチップを得ることで、ＩＤチップのコストを削減す
ることができる。チップのように単価が非常に低い集積回路は、コストの削減により非常
に大きな利益を生むことができる。
【０１５１】
図９と異なる方法により薄膜集積回路を実装する方法を図１０に示す。
【０１５２】
図１０（Ａ）に示すように、一組のアンテナが形成されたアンテナ基板１５０を用意する
。アンテナ基板は、中心部から折り畳むことができる可撓性を有する基板、例えばポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、塩化ビニリデン、塩化ビニル樹脂、等の可撓性を有す
る基板を使用する。
【０１５３】
その後図１０（Ｂ）に示すように、薄膜集積回路１２０を間に挟むように、アンテナ基板
を折り畳む。折り畳み安いように、アンテナ基板の折り目に切り込みや凹部を形成すると
よい。その後、それぞれの接続端子部１１８及び１４３が接続するように固定する。接続
する手段にワイヤボンディング法を用いてもよい。そしてＩＤチップが完成する。
【０１５４】
一組のアンテナを設けることにより、一方のアンテナは電源発生回路用に使用し、他方の
アンテナは変調回路用に使用することができる。その結果、各回路に対してアンテナを設
定することができ、通信距離や感度を高めることができる。また一組のアンテナへ薄膜集
積回路を接続するため、薄膜集積回路の両面（上面及び下面）にそれぞれ接続端子部１１
８を形成する必要がある。
【０１５５】
但し、各アンテナがショートしないように保護膜として機能する絶縁膜を設ける必要があ
る。また接続端子部間には導電性の樹脂を塗布し、それ以外の領域には絶縁性の樹脂を塗
布してもよい。
【０１５６】
または、アンテナ基板にコンタクトを開口し、アンテナの接続端子部をアンテナ基板の裏
面（アンテナが設けられていない面）に形成することにより、各アンテナがショートしな
い構成とすることができる。
【０１５７】
本実施の形態では、一組のアンテナ基板間に薄膜集積回路を実装する場合を説明したが、
一つのアンテナ基板上に薄膜集積回路を実装してもよい。また薄膜集積回路上にアンテナ
を配置しない形態で説明したが、絶縁膜を介して薄膜回路上にアンテナを配置しても構わ
ない。
【０１５８】
図１０に示す実装形態においても、大型基板から複数の薄膜集積回路を形成し、大型基板
から複数のアンテナ基板を形成することにより、ＩＤチップのコストを削減することがで
きる。
【０１５９】
次に図１５を用いて、ＩＤチップの、機能的な構成の一形態について説明する。
【０１６０】
４００はアンテナ、４０１は薄膜集積回路に相当する。アンテナ４００は、アンテナコイ
ル４０２と、アンテナコイル４０２内で形成される容量素子４０３とを有する。また薄膜
集積回路４０１は、復調回路４０９、変調回路４０４、整流回路４０５、マイクロプロセ
ッサ４０６、メモリ４０７、負荷をアンテナ４００に与えるためのスイッチ４０８とを有
している。なおメモリ４０７は１つに限定されず、複数であってもよい。
【０１６１】
リーダライタから電波として送られてきた信号は、アンテナコイル４０２において電磁誘
導により交流の電気信号に変換される。復調回路４０９では該交流の電気信号を復調し、
後段のマイクロプロセッサ４０６に送信する。また整流回路４０５では、交流の電気信号
を用いて電源電圧を生成し、後段のマイクロプロセッサ４０６に供給する。
【０１６２】
マイクロプロセッサ４０６では、入力された信号に従って各種演算処理を行う。メモリ４
０７にはマイクロプロセッサ４０６において用いられるプログラム、データなどが記憶さ
れている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。そしてマイクロプロ
セッサ４０６から変調回路４０４に送られた信号は、交流の電気信号に変調される。スイ
ッチ４０８は、変調回路４０４からの交流の電気信号に従って、アンテナコイル４０２に
負荷を加えることができる。リーダライタは、アンテナコイル４０２に加えられた負荷を
電波で受け取ることで、結果的にマイクロプロセッサ４０６からの信号を読み取ることが
できる。
【０１６３】
なお、図１５に示すＩＤチップは、本発明の一形態を示したのに過ぎず、本発明は上記構
成に限定されない。信号の伝送方式は、図１５に示したような電磁誘導方式に限定されず
、電磁誘導方式、マイクロ波方式やその他の伝送方式を用いていてもよい。また例えばＧ
ＰＳなどの機能を有していてもよい。
【０１６４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、ＩＤチップを搭載した商品について説明する。
【０１６５】
アンテナ基板が、カード用のプリント基板である場合、ＩＤチップが搭載されたカード（
以下、ＩＤカードと表記する）として使用することができる。図１１（Ａ）には、ＩＤチ
ップを搭載したＩＤカードの上面図を示す。ＩＤカードには、カード周辺に設けられたア
ンテナ１２１と、アンテナに接続される薄膜集積回路１２０とが実装されている。
【０１６６】
図１１（Ｂ）には、図１１（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図を示す。薄膜集積回路と、ア
ンテナとを同一層に設けてもよいが、本実施の形態では、アンテナ上に保護膜として絶縁
膜１６０を形成し、絶縁膜上に薄膜集積回路を実装する。そのため、カード周辺に設けら
れたアンテナを薄膜集積回路に接続する場合、その他のアンテナとショートしないように
、絶縁膜上にアンテナ（リード線と表記する）を形成し、リード線と薄膜集積回路とを接
続することができる。そして、薄膜集積回路１２０と、アンテナ１２１とは、接続端子部
を介して接続される。本実施の形態では、フェイスダウン状態で設けられた薄膜集積回路
と、アンテナとを接続している。そのため、それぞれの各接続端子部は、接続用配線１６
２を介して接続されている。または、各接続端子部間を導電性の樹脂を用いて接続しても
よい。
【０１６７】
その後、封止を行うためラミネート法又は印刷法により保護膜として機能するフィルム１
６１を形成する。フィルムには、ＩＤカードの図柄を印刷してもよい。
【０１６８】
また図１１（Ｃ）には、図１１（Ｂ）と異なる方法によりアンテナと薄膜集積回路を接続
する形態を示す。図１１（Ｃ）に示す薄膜集積回路はフェイスアップ状態で設けられてい
るため、ワイヤボンディング法によりワイヤ１６３を用いて接続する構成が特徴である。
その他の構成は図１１（Ｂ）と同様であるため、説明を省略する。
【０１６９】
なお薄膜集積回路と、アンテナとは、上記実施の形態のように接続してもよい。
【０１７０】
以上のようにして、ＩＤカードを完成することができる。
【０１７１】
またＩＤチップは、商品又は製品の管理手段として利用するタグ（以下、ＩＤタグと表記
する）として使用することができる。例えば、図１２（Ａ）に示すように、商品１７０に
ＩＤチップが搭載されたバーコード１７１を付し、ＩＤタグとして使用する。
【０１７２】
図１２（Ｂ）には、図１２（Ａ）のＢ−Ｂ’における断面図を示す。商品１７０に、薄膜
集積回路１２０を有するＩＤチップが、バーコード１７１と共に接着されている。
【０１７３】
次いで、商品の瓶へラベルと共にＩＤチップを付する場合を示す。
【０１７４】
図１３（Ａ）には、大型基板１００から複数の薄膜集積回路１２０を形成する。その後、
図１３（Ｂ）に示すように、一つの薄膜集積回路１２０を切り離し、アンテナ１２１が形
成されたラベル１８１へ実装する。このとき、薄膜集積回路の接続端子部と、アンテナの
接続端子部１４３とが接続するように固定する。なお、ラベル上へアンテナを形成する方
法は、上記実施の形態３に示したような剥離技術を用いればよい。具体的には、ガラス基
板上に、被剥離層、及びアンテナを形成し、ラベルに転写した後にガラス基板を剥離する
。本発明の剥離技術を用いると、ラベルのように耐熱性のない絶縁表面上へアンテナを転
写することができる。また上記実施の形態３に基づき、アンテナが一体形成されたＩＤチ
ップをラベルへ転写してもよい。なおアンテナの作製方法は、上記実施の形態４を参照す
ればよい。
【０１７５】
図１３（Ｃ）に示すように、曲面を有する瓶１８０の表面に、ラベル１８１と共に薄膜集
積回路及びアンテナ、つまりＩＤチップが付されている。
【０１７６】
このような商品は、ベルトコンベア１８３等に配置され、リーダ装置１８２の近傍を通過
することで、情報を読み出すことができる。またリーダ装置に加えて、ライター装置を設
けることにより、ＩＤタグへ情報を入力したり、既存の情報を書き換えることができる。
【０１７７】
さらにＩＤチップは、非接触で情報管理を行うことができるため、段ボール等に商品が梱
包された状態で、リーダ装置、又はライター装置により情報管理することができる。この
ような非接触で通信を行うＩＤチップを無線チップと表記する。
【０１７８】
このようにＩＤチップを搭載した商品の流通を自動化することにより、物流時の人件費を
大幅に削減することができる。また人為的なミスを削減することもできる。
【０１７９】
商品としては、飲食品、衣料品、書籍等がある。またレンタル商品にＩＤタグを付して、
商品管理を簡便にすることができる。
【０１８０】
また本発明のＩＤチップは、非常に薄いため、紙幣等の有価証券に搭載し、不正使用等を
防止したり、管理を簡便にすることができる。有価証券にＩＤチップを搭載する場合、有
価証券の内部に搭載し、改ざん等ができないようにするとよい。
【０１８１】
以上のように商品に搭載又は付されたＩＤチップの情報は、生産又は製造に関する場所、
者、日付等の基本事項から、アレルギー情報、主成分、宣伝等、多岐にわたる。また図１
２に示すように、バーコードと併用する場合、バーコードには書き換え不要な情報、例え
ば上記基本情報を入力し、ＩＤチップには書き換え可能な情報を入力するとよい。
【０１８２】
このような情報を読むためのリーダは、専用のリーダ装置以外に、携帯電子機器、例えば
携帯電話機にリーダ機能を搭載すればよい。携帯電話機の場合、音声や画面への表示によ
り、ＩＤチップの情報を提供することができる。
【０１８３】
その他のＩＤチップを搭載した商品としては、携帯電話機、時計、自転車等がある。例え
ば、携帯電話機のような携帯型電子機器にIDチップを搭載することにより、クレジットカ
ードのような決算機能を有することができる。また時計のように消費者の年齢層が広く、
容易に身につける商品では、迷子時等に位置を把握することができる。また、子供がIDチ
ップ搭載の商品を携帯することにより、両親は子供の現在地を把握することができる。同
様にペットの首輪等にIDチップを搭載することにより、ペットの現在地を把握することが
できる。また自転車のように、盗難が多い商品では、商品の現在地を把握することができ
、盗難防止の効果を奏する。またこのようなIDチップ搭載の商品を紛失した場合、商品の
現在地を把握することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリなどを有し、紙のように薄い薄膜集積回路を搭載したチップ、該チップ
を利用したラベルが付された製品又は商品、及びそれらの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、一人当たりが携帯するカード数が増加してきている。カードにはあらゆる情報が記
録され、必要に応じて書き換えられるため、情報量は増加の一途をたどっている。
【０００３】
このような情報量の増加は、多岐の分野にわたって必要不可欠なこととなっている。例え
ば食品業界や製造業界に対して、商品の安全性や管理体制の強化を求める声が高まってお
り、それに伴って商品情報は増加してしまう。しかし現状の商品情報は、主にバーコード
の十数桁の数字により提供されるにとどまり、製造国、メーカー、商品番号等の程度の情
報が一般的である。またバーコードを利用した場合、一つ一つの読み取りを手作業で行う
ため、時間を要してしまった。
【０００４】
そこでネットワークを利用した商品管理方法であって、ネットワークに接続された各販売
店の端末から、返却された商品の識別子が入力され、サーバを経由して、商品に関する情
報を販売店に通知する方法がある（特許文献１参照）。特許文献１によると、商品の識別
子は２次元バーコードや文字列などからなり、販売店の端末への入力を介してサーバに送
られる。また商品は、商品に関連するプログラムやデータ、あるいは個人情報を格納する
着脱可能な記憶媒体を有し、該記憶媒体はＩＣカード、スマートカード、コンパクトフラ
ッシュ（登録商標）カード等のカードなどを含んでいることが開示されている。
【０００５】
また、有価な証券類に微細なＩＣチップを搭載し、不正利用を防ぐとともに、正規な管理
元に取り戻せた場合には再利用が可能となる方法が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２３０１４１号公報
【特許文献２】特開２００１−２６０５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
情報量の増加に伴い、バーコードによる情報管理では、提供可能な情報量に限界が生じて
いた。またさらにバーコードによる情報管理では、手作業での読み取り時間を費やすため
、効率が悪かった。そしてバーコードの読み取り作業は人手を介するため、読み取りミス
などを避けることはできなかった。
【０００８】
また、ＩＣカードは磁気カードと比較してコストが高く、電子タグもバーコードの代替品
としてはコスト高である。その結果、付加価値が重要となる用途に限られ、普及を妨げる
要因となっている。
【０００９】
上記特許文献１に関してみると、消費者がインターネットにアクセスするには手間がかか
り、パーソナルコンピュータ等を所有する必要があった。更に、上記特許文献１及び２で
は、使用されるシリコンウェハからなる集積回路は厚いため製品や商品、特に紙幣等の紙
、又は製品や商品に付すラベル自体に搭載する場合、表面に凹凸が生じてしまう。その結
果、製品や商品のデザイン性が低下してしまった。
【００１０】
そこで本発明は、従来のシリコンウェハと異なり、低コストで大量生産でき、さらに非常
に薄い集積回路及びその形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を鑑み本発明は、ガラス基板、石英基板、ステンレス基板、アクリル等の可撓性
を有する合成樹脂からなる基板等のバルク基板以外に、選択的にパターンを形成可能な方
法により、非常に薄い集積回路（以下、薄膜集積回路と表記する）を形成することを特徴
とする。そして、本発明の薄膜集積回路及びアンテナを実装したチップ（以下、ＩＤチッ
プ又は半導体装置と表記する）を形成することを特徴とする。
【００１２】
選択的にパターンを形成可能な方法としては、導電膜や絶縁膜などの材料が混入された組
成物の液滴（ドットとも表記する）を選択的に吐出（噴出）する液滴吐出法を用いること
ができる。液滴吐出法は、その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。また選
択的にパターンを形成可能な方法として、印刷法がある。
【００１３】
このような選択的に形成するパターンとしては、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン
電極、画素電極等の電極、ソース配線、ドレイン配線等の配線、半導体膜、半導体膜等を
パターニングするためのマスク等、が挙げられる。
【００１４】
具体的な本発明のＩＤチップは、液滴吐出法又は印刷法を用いて形成されたパターンを有
する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、アンテナと、を有
し、薄膜集積回路は、アンテナと電気的に接続するように基板へ実装されていることを特
徴とする。
【００１５】
また本発明のＩＤチップは、液滴吐出法又は印刷法を用いて形成されたパターンを有する
薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、アンテナと、を有し、
薄膜集積回路は、アンテナと電気的に接続するように基板へ実装され、アンテナは薄膜集
積回路を介して対称に設けられていることを特徴とする。
【００１６】
また本発明のＩＤチップは、液滴吐出法又は印刷法を用いて形成されたパターンを有する
薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、アンテナと、を有し、
アンテナは可撓性を有する基板上に設けられ、薄膜集積回路は、アンテナと電気的に接続
するように基板へ実装され、基板は薄膜集積回路を間に挟むように折り畳まれていること
を特徴とする。
【００１７】
なお本発明の薄膜集積回路の作製工程において、全てのパターンを、選択的にパターンを
形成可能な方法により形成しなくともよい。本発明は薄膜集積回路の一工程において選択
的にパターンを形成可能な方法な方法を用いれば、その効果を奏することができるからで
ある。もちろん、薄膜集積回路の作製工程に、複数の工程のパターンを、選択的にパター
ンを形成可能な方法により形成しても構わない。
【００１８】
具体的な本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を
用いて、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、第２の基板上に、アンテナを形成し、薄
膜集積回路がアンテナに電気的に接続されるように、第１の基板と第２の基板とを張り合
わせることを特徴とする。
【００１９】
また本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を用い
て、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、可撓性を有する第２の基板上に、アンテナを
形成し、薄膜集積回路がアンテナに電気的に接続されるように、第２の基板は薄膜集積回
路を間に挟むように折り畳むことを特徴とする。
【００２０】
また本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を用い
て、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、第２の基板上に、アンテナを形成し、薄膜集
積回路がアンテナに電気的に接続されるように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ
た後、第１の基板を薄膜集積回路から剥離することを特徴とする。
【００２１】
また本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を用い
て、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、薄膜集積回路上に第２の基板を接着し、第１
基板を薄膜集積回路から剥離し、第３の基板上に、アンテナを形成し、薄膜集積回路がア
ンテナに電気的に接続されるように、第２の基板と第３の基板とを張り合わせることを特
徴とする。
【００２２】
また本発明のＩＤチップの作製方法は、少なくとも一工程に液滴吐出法又は印刷法を用い
て、第１の基板上に薄膜集積回路を形成し、薄膜集積回路上にアンテナを形成し、薄膜集
積回路がアンテナに電気的に接続されるように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ
た後、第１の基板を薄膜集積回路から剥離することを特徴とする。
【００２３】
本発明において、アンテナは、スパッタリング法、液滴吐出法、印刷法、メッキ法、フォ
トリソグラフィー法及びメタルマスクを用いた蒸着法から選ばれたいずれかにより形成す
ることができる。またアンテナ形成後、加圧によりプレスし、平坦性を高めることができ
る。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の薄膜集積回路は、バーコード等の情報提供手段と比較し、情報取引又は情報管理
を簡便、短時間に行うことができ、多種多様な情報を提供することができる。さらに本発
明の薄膜集積回路は、従来のシリコンウェハと異なり非常に薄い集積回路であるため、商
品等に付す場合であってもデザイン性を損なうことがない。
【００２５】
またガラス基板等に形成するため、従来のシリコンウェハからなるチップと比較してチッ
プ、つまりＩＤチップのコストを削減することができる。またシリコンウェハで作製され
たチップは、円形のシリコンウェハからチップを取り出すため、母体基板形状に制約があ
るが、一方本発明のＩＤチップは、母体基板がガラス等の絶縁基板であり、形状に制約が
ない。そのため、生産性を高めることができ、大量生産することができる。その結果さら
なるコストの削減が期待できる。チップのように単価が非常に低い集積回路は、単価コス
トの削減により非常に大きな利益を生むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図である。
【図２】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図である。
【図３】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図である。
【図４】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図である。
【図５】薄膜集積回路の作製工程を示した断面図及び斜視図である。
【図６】アンテナを示した上面図である。
【図７】アンテナの作製工程を示した断面図である。
【図８】アンテナの作製工程を示した断面図である。
【図９】薄膜集積回路の実装形態を示した図である。
【図１０】薄膜集積回路の実装形態を示した図である。
【図１１】薄膜集積回路を搭載したカードを示した図である。
【図１２】商品に付された薄膜集積回路を示した図である。
【図１３】薄膜集積回路を付した商品管理を示した図である。
【図１４】薄膜集積回路の作製工程を示した図である。
【図１５】ＩＤチップの機能的な構成を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明は多くの異なる態
様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するため
の全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り
返しの説明は省略する。
【００２８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、ＩＤチップに実装される薄膜集積回路の作製方法の一例について説明
する。
【００２９】
まず図１（Ａ）に示すように、絶縁表面を有する基板１００を用意する。基板１００には
、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石
英基板、ステンレス基板等を用いることができる。また、ポリエチレン-テレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）
に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一
般的に他の基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐
え得るのであれば用いることが可能である。
【００３０】
また基板の平坦性を高めるため、化学的又は機械的ポリッシング法、いわゆるＣＭＰ法（
Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により、表面研磨して
から用いると好ましい。ＣＭＰの研磨剤（スラリー）には、例えば、塩化シリコンガスを
熱分解して得られるフュームドシリカ粒子をＫＯＨ添加水溶液に分散したものを用いるこ
とができる。
【００３１】
基板１００上に、下地膜１０１を形成する。下地膜は、基板中に含まれるＮａなどのアル
カリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響を及ぼ
すのを防ぐために設ける。そのため、アルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜への拡
散を抑えることができる酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化チタン、窒化チタンな
どの絶縁膜を用いて下地膜を形成することができる。
【００３２】
下地膜１０１は積層構造を有してもよく、例えば第１の下地膜として、窒化酸化珪素膜を
１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）、第２の下地膜として、酸化窒化珪素
膜を５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の順に積層して形成してもよい
。なお窒化酸化珪素膜は、プラズマＣＶＤ法を用い、原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3
、Ｈ2、圧力が０．３Ｔｏｒｒ（３９．９Ｐａ）、ＲＦパワーが５０Ｗ、ＲＦ周波数が６
０ＭＨｚ、基板温度が４００℃として形成することができる。また酸化珪素膜は、プラズ
マＣＶＤ法を用い、原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、圧力が０．３Ｔｏｒｒ（３９．９Ｐａ）
、ＲＦパワーが１５０Ｗ、ＲＦ周波数が６０ＭＨｚ、基板温度が４００℃として形成する
ことができる。
【００３３】
また下地膜は、不純物が半導体膜へ拡散することが防止できれば、必ずしも設ける必要は
ない。そのため、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、必ずしも下
地膜を設ける必要はない。一方、ガラス基板、ステンレス基板又はプラスチック基板のよ
うに、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含まれている基板を用いる場合、
不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜を設けることは有効である。
【００３４】
下地膜１０１上に非晶質半導体膜１０２を形成する。非晶質半導体膜の膜厚は２５〜１０
０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）とする。また非晶質半導体は珪素だけではなくシリ
コンゲルマニウムも用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウ
ムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。本実施の形態で
は、珪素を主成分とする半導体膜を用いて非晶質半導体膜（非晶質珪素膜、アモルファス
シリコンとも表記する）を形成する。
【００３５】
次に、非晶質半導体膜を結晶化するため加熱処理を行う。加熱処理とは、加熱炉、レーザ
ー照射、若しくはレーザー光の代わりにランプから発する光の照射（以下、ランプアニー
ルと表記する）、又はそれら組み合わせて用いることができる。
【００３６】
加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜１０２を５００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加
熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を５００〜５５０℃の範囲で多段階に設
定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結
晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができる。さらに、結晶化を
促進させる金属元素、例えばＮｉを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減する
ことができ好ましい。
【００３７】
但し、金属元素を形成する場合、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念され
るので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例
えば、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するよう工程を行えば
よい。
【００３８】
またレーザー照射を用いる場合、連続発振型のレーザー（ＣＷレーザー）やパルス発振型
のレーザー（パルスレーザー）を用いることができる。レーザーとしては、Ａｒレーザー
、Krレーザー、エキシマレーザー、YAGレーザー、Y2O3レーザー、YVO4レーザー、YLFレー
ザー、ＹＡｌＯ3レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレー
ザー、Ti：サファイヤレーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または
複数種を用いることができる。またレーザーのビーム形状は、線状とすると好ましく、長
軸の長さは２００〜３５０μｍとすればよい。またさらにレーザーは、半導体膜に対して
入射角θ（０°＜θ＜９０°）を持たせてもよい。
【００３９】
なおレーザー照射を用いる場合、連続発振の基本波のレーザー光と連続発振の高調波のレ
ーザー光とを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザー光とパルス発振
の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよい。
【００４０】
なお、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザー光を照射するようにしてもよい
。これにより、レーザー光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密
度のばらつきによって生じる閾値のばらつきを抑えることができる。
【００４１】
また直接被形成面に、結晶性半導体膜を形成してもよい。この場合、ＧｅＦ4、又はＦ2等
のフッ素系ガスと、ＳｉＨ4、又はＳｉ2Ｈ6等のシラン系ガスとを用い、熱又はプラズマ
を利用して直接被形成面に、結晶性半導体膜を形成することができる。
【００４２】
このように形成された結晶性半導体膜を、所定の形状にパターニングし、島状の半導体膜
１０３を得る。パターニングに際し、フォトリソグラフィー法又は液滴吐出法により所定
のマスクを形成する。なお、材料の利用効率が向上し、コストの削減、廃液処理量の削減
が可能となるため液滴吐出法を用いてマスクを形成すると好ましい。さらに液滴吐出法に
よりマスクを形成すると、フォトリソグラフィー工程の簡略化を行うことができる。すな
わち、フォトマスク形成、露光等が不要となり、設備投資コストの削減を達成でき、製造
時間を短縮することができる。
【００４３】
液滴吐出法を用いるとき、組成物はドット状に吐出したり、ドットが連なった柱状に吐出
することがある。また組成物は、ドット状又は柱状に吐出される。すなわち、複数のドッ
トが連続して吐出されるため、ドットとして認識されず柱状に吐出されることもある。こ
のような組成物がドット状又は柱状に吐出されることを滴下若しくは噴出と表記する。
【００４４】
マスク材料として、無機材料（酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素など）、感光性又は非
感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ポリビニル
アルコール、レジスト又はベンゾシクロブテン）を用いることができる。例えばポリイミ
ドを用いて液滴吐出法によりマスクを形成する場合、所望箇所に液滴吐出法によりポリイ
ミドを吐出した後、焼成するため１５０〜３００℃で加熱処理を行うとよい。
【００４５】
マスクを用いて、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により結晶性半導体膜を
パターニングする。パターニング後、マスクを除去するため、プラズマ処理を行う。なお
、マスクは除去せずに絶縁膜として機能させることもできる。
【００４６】
その後、島状の半導体を覆うように絶縁膜、いわゆるゲート絶縁膜１０５を形成する。ゲ
ート絶縁膜はプラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、またはスパッタ法を用い、厚さを１０〜
１５０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。勿論、ゲー
ト絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または
積層構造として用いてもよい。
【００４７】
その後、結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を介して導電膜、いわゆるゲート電極１０６を
形成する。ゲート電極は、液滴吐出法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により形成するこ
とができる。ゲート電極は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、また
は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。勿論ゲート電
極は、単層であっても積層であってもよい。例えば、第１の導電膜１０８ａとして膜厚１
０〜５０ｎｍの窒化タンタル膜を形成し、第２の導電膜１０８ｂとして膜厚２００〜４０
０ｎｍのタングステン膜を順次積層したゲート電極を形成することができる。
【００４８】
また液滴吐出法によりゲート電極を形成する場合、溶媒に混在される導電体として、金（
Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（
Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、インジウ
ム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、若しくはアルミニウム（Ａｌ
）が挙げられ、これら導電体が複数混在した材料を用いることができる。また、上記導電
体からなる合金、これらの分散性ナノ粒子、又はハロゲン化銀の微粒子を用いることがで
きる。
【００４９】
例えば、ゲート電極のパターンを形成するために、金属微粒子を有機溶媒中に分散させた
組成物を用いる場合、金属微粒子は平均粒径が１〜５０ｎｍ、好ましくは３〜７ｎｍのも
のを用いるとよい。このような組成物は、電解法、アトマイズ法又は湿式還元法等の公知
の方法を用いて形成することができる。また、ガス中蒸発法で形成すると、分散剤で保護
された微粒子は約７ｎｍと微細なものとなる。またこの微粒子は、被覆剤を用いて各粒子
の表面を覆うと、溶剤中に凝集がなく、室温で安定に分散し、液体とほぼ同じ挙動を示す
ため、好ましい。
【００５０】
導電体等の材料が効率よく分散するため、微粒子となる導電体の表面を有機物、又は導電
物によりコーティングするとよい。また表面を覆う物質は、積層構造を有してもよい。表
面を覆う物質は導電性を有すると好ましいが、絶縁性を有しても加熱処理等により除去す
ればよい。特に銅を用いる場合、半導体膜中等に銅が拡散することを防止するため、銅微
粒子の表面をニッケル（Ｎｉ）又はニッケルボロン（ＮｉＢ）等の材料で覆うとよい。ま
たその表面にアミン、アルコール、チオールなどの分散剤を被覆してもよい。有機溶媒は
フェノール樹脂やエポキシ系樹脂などであり、熱硬化性又は光硬化性のものを適用してい
る。
【００５１】
これら組成物の粘度調整は、チキソ剤若又は希釈溶剤を添加すればよい。
【００５２】
本実施の形態では、液滴吐出法を用いて、液滴吐出ヘッドによって、Ａｇの導電体を被形
成面に適量吐出し、ゲート電極を形成する。
【００５３】
その後、液滴中の溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥させるため加熱処理
を施す。または光照射処理により溶媒を硬化させてもよい。具体的には、所定の温度、例
えば２００℃〜３００℃で加熱すればよく、好ましくは酸素を有する雰囲気で加熱処理を
行う。このときゲート電極表面に凹凸が生じないように加熱温度を設定する。特に本実施
の形態のようにＡｇを用いる場合、酸素及び窒素を有する雰囲気で加熱処理を行うとよい
。例えば、酸素の組成比は、１０〜２５％となるように設定する。すると、液滴の溶媒中
に含まれる接着剤等の熱硬化性樹脂などの有機物が分解されるため、有機物を含まない銀
（Ａｇ）を得ることができる。その結果、ゲート電極表面の平坦性を高め、比抵抗値を低
くすることができる。さらに有機溶媒の硬化に伴う体積収縮で金属微粒子間は接触し、融
合及び、融着若しくは凝集が促進される。すなわち、平均粒径が１〜５０ｎｍ、好ましく
は３〜７ｎｍの金属微粒子が融合若しくは、融着若しくは凝集したゲート電極が形成され
る。なおこのとき同時にゲート配線も形成される。このように、融合若しくは、融着若し
くは凝集により金属微粒子同士が面接触する状態を形成することにより、配線の低抵抗化
を実現することができる。
【００５４】
本発明は、このような組成物を用いて配線パターンを形成することで、線幅が１〜１０μ
m程度のゲート電極、又はゲート配線パターンの形成も容易になる。また、これら電極や
配線と接続するためのコンタクトホールの直径が１〜１０μm程度であっても、組成物を
その中に充填することができる。
【００５５】
なお、金属微粒子の換わりに、絶縁物質の微粒子を用いれば、同様に絶縁性のパターンを
形成することができる。
【００５６】
このように液滴吐出法によりゲート電極を形成する場合、ゲート絶縁膜の材料は、ゲート
電極材料と密着性の高いものを選択するとよい。例えば、ゲート電極にＡｇを用いる場合
、酸化チタン（ＴｉＯｘ）からなるゲート絶縁膜を形成すると好ましい。すなわち酸化チ
タン（ＴｉＯｘ）は、ゲート絶縁膜としての機能と、密着性向上機能とを併せ持っている
。
【００５７】
次いで、ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域に、ゲート電極１０６をマスクとして自己整合的
に不純物元素であるリン（Ｐ）を添加し、不純物領域１０８を形成する。不純物添加時の
ゲート電極１０６下方への不純物元素の回り込みにより、ゲート電極と重なるように不純
物領域が形成されることもある。またゲート電極の側面をテーパ形状とし、ゲート電極と
重なる不純物領域を形成することもできる。
【００５８】
その後、ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域をレジストマスクで覆った状態で、ｐチャネル型
ＴＦＴとなる領域にゲート電極１０６をマスクとして、自己整合的に不純物元素であるボ
ロン（Ｂ）を添加し、不純物領域１０９を形成する。
【００５９】
このように形成される薄膜トランジスタは、半導体膜より上方にゲート電極が設けられた
、所謂トップゲート型の薄膜トランジスタである。このような薄膜トランジスタが複数設
けられた基板をＴＦＴ基板と表記することができる。
【００６０】
図１（Ｂ）に示すように、絶縁膜１１０、及び各不純物領域に接続された配線１１２を形
成する。絶縁膜は、有機材料や無機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリ
イミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、
シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）と酸素
（Ｏ）との結合で骨格構造が構造され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基にフ
ッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有するポリマー材料、を
出発原料として形成される。またポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を
有するポリマー材料を含む液体材料を出発原料として形成される。無機材料としては、酸
化珪素、又は窒化珪素を用いることができる。絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ
法、液滴吐出法、スピンコーティング法又はディップ法を用いて形成することができる。
粘性の高い原料を用いて形成する場合、液滴吐出法、スピンコーティング法、又はディッ
プ法を用いると好ましい。
【００６１】
配線は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又は液滴吐出により形成することができる。配線
材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングス
テン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜
を用いればよい。また液滴吐出法により配線を形成する場合、溶媒に混在される導電体と
して、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タン
グステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）
、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、若しくはアルミニ
ウム（Ａｌ）、これらからなる合金、これらの分散性ナノ粒子、又はハロゲン化銀の微粒
子を用いることができる。
【００６２】
本実施の形態では、液滴吐出法により層間絶縁膜及び配線を形成する。このとき、層間絶
縁膜材料を有する溶媒と、導電膜材料を有する溶媒とを同時に吐出したり、層間絶縁膜材
料を有する溶媒を吐出後、導電膜材料を有する溶媒を吐出してもよい。
【００６３】
図１（Ｂ）では、配線層は一層であるが、多層としてもよい。多層配線層とすることによ
り、薄膜集積回路の小型化を達成することができる。
【００６４】
その後、配線１１２を接続するための導電膜１１５を形成する。導電膜１１５の作製方法
や材料は、配線１１２を参照することができる。
【００６５】
図１（Ｃ）に示すように、導電膜１１５を覆うように保護膜として機能する絶縁膜１１６
を形成する。絶縁膜１１６の作製方法や材料は、層間絶縁膜１１０を参照することができ
る。
【００６６】
絶縁膜１１６には、導電膜１１５とアンテナ等の端子と接続するためのコンタクトホール
を形成し、コンタクトホールには、導電膜１１７を形成し、接続端子部１１８を形成する
。
【００６７】
また図２に示すように、アンテナ１２１を一体形成してもよい。この場合、接続端子部を
形成後、アンテナ１２１を形成する。アンテナの一部は、接続端子部と接続するように形
成する。その後、保護膜として機能する絶縁膜１２２を形成する。絶縁膜１２２の作製方
法や材料は、層間絶縁膜１１０を参照することができる。
【００６８】
このようにアンテナを一体形成すると、アンテナが実装されたＩＤチップの作製コストを
削減することができる。ＩＤチップのように単価が非常に低い集積回路は、単価コストの
削減により非常に大きな利益を生むことができる。
【００６９】
また図２では、薄膜集積回路上にアンテナを形成しているが、薄膜集積回路の周囲にアン
テナを一体形成しても構わない。この場合、絶縁膜１２２を形成する工程を省き、絶縁膜
の厚みをなくすことができる。
【００７０】
またさらに、アンテナは、ゲート電極、配線１１２、又は導電膜１１５と同一導電膜から
形成することができる。この場合、作製工程を削除することができ、好ましい。特にアン
テナを液滴吐出法や印刷法により形成する場合、同一レイヤーに形成するゲート電極、配
線１１２、又は導電膜１１５も液滴吐出法や印刷法により形成すると好ましい。
【００７１】
図１（Ｄ）には、このように作製された薄膜集積回路の全体図を示す。薄膜集積回路は、
基板１００上に設けられた薄膜集積回路１２０は、該集積回路の所定の領域には接続端子
部１１８が設けられている。
【００７２】
このように非常に薄い薄膜集積回路を実装するＩＤチップにより、多種多様な情報を提供
することができる。またＩＤチップにより、情報取引又は情報管理を簡便、短時間に行う
ことができる。また更に商品容器にラベルと共にＩＤチップを付する場合であっても、非
常に薄いためデザイン性を損ねることがない。
【００７３】
また本発明の薄膜集積回路は、シリコンウェハで作製された集積回路のように、クラック
や研磨痕の原因となるバックグラインド処理を行う必要がない。またさらに本発明の薄膜
集積回路は、厚さのバラツキも、半導体膜等の成膜時におけるばらつきに依存することに
なるので、大きくても数百ｎｍ程度であり、バックグラインド処理による数〜数十μｍの
ばらつきと比べて格段に小さく抑えることができる。
【００７４】
また本発明のＩＤチップは、シリコンウェハで作製されたチップと比較して、低コストで
形成することができる。ガラス基板等の低価格な母体基板に形成するためである。またシ
リコンウェハで作製されたチップは、円形のシリコンウェハからチップを取り出すため、
母体基板形状に制約があるが、一方本発明のＩＤチップは、母体基板がガラス等の絶縁基
板であり、形状に制約がない。そのため、生産性を高めることができ、さらにＩＤチップ
の形状寸法は自由に設定することができる。
【００７５】
またＩＤチップを形成する材料の面からみても、シリコンウェハから形成されるチップと
比較して低コスト、且つ安全な材料を使用している。そのため使用済みのＩＤチップを回
収する必要性が低く、環境に優しい。またＩＤチップを破棄する際、ある程度の面積を有
するため、ハサミ等で切断することができ、不正使用を防止することができる。
【００７６】
またシリコンウェハで作製されたＩＣチップは、シリコンウェハによる電波吸収が懸念さ
れ、信号の感度が問題となる場合がある。特に、よく用いられる電波１３．５６ＭＨｚ、
又は２．４５ＧＨｚに関して電波吸収が懸念される。一方、本発明のＩＤチップは、ガラ
ス等の絶縁基板であるため電波吸収は生じないため好ましい。その結果、高感度なＩＤチ
ップを形成することができる。そのため、本発明のＩＤチップが有するアンテナの面積を
小さくすることができ、ＩＤチップの小型化が期待できる。
【００７７】
またシリコンウェハ上に形成するチップは、シリコンウェハが半導体性を有するため、交
流の電波に対し、接合が順バイアスになりやすく、ラッチアップ対策の必要がある。一方
、本発明のＩＤチップは、絶縁性を有する基板上へ薄膜集積回路を形成するため、このよ
うな心配がない。
【００７８】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なり、非結晶性の半導体膜を有する薄膜トランジ
スタを具備する薄膜集積回路の作製方法について説明する。
【００７９】
上記実施の形態と同様に、図３（Ａ）に示すように、絶縁表面を有する基板１００を用意
する。絶縁表面を有する基板の材料は、上記実施の形態を参照することができる。本実施
の形態では、非結晶性の半導体膜を有するため、半導体膜を結晶化するための加熱工程を
要しない。その結果、可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いやすい。
【００８０】
また上記実施の形態と同様に、平坦性を高めるため、絶縁表面を有する基板に表面研磨を
施してもよい。
【００８１】
その後、下地膜１０１を形成する。下地膜の材料や作製手段は、上記実施の形態を参照す
ればよい。また下地膜の材料として、チタン等の導電膜を用いることもできる。この場合
、導電膜は、作製工程における加熱処理等により、少なくとも表面酸化される。その他の
下地膜の材料は、３ｄ遷移元素（Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ
，Ｚｎ）、及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物を用いることができる。
【００８２】
また下地膜は、不純物が半導体膜へ拡散することが防止できれば、必ずしも設ける必要は
ないことは、上記実施の形態で述べたとおりである。
【００８３】
次いで、下地膜上にゲート電極１０６を形成する。ゲート電極の材料又は作製手段は、上
記実施の形態を参照することができる。本実施の形態では、液滴吐出法を用いて、Ａｇの
導電体を用いてゲート電極を形成する。
【００８４】
その後、液滴中の溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥させるため加熱処理
を施す。加熱条件は上記実施の形態を参照することができる。
【００８５】
このように液滴吐出法によりゲート電極を形成する場合、下地膜の材料は、ゲート電極材
料と密着性の高いものを選択するとよい。例えば、ゲート電極にＡｇを用いる場合、酸化
チタン（ＴｉＯｘ）からなる下地膜を形成すると好ましい。すなわち酸化チタン（ＴｉＯ
ｘ）は、下地膜としての機能と、密着性向上機能とを併せ持っている。
【００８６】
その後、ゲート電極上に保護膜として機能する絶縁膜を設けてもよい。特に、Ａｇを用い
て液滴吐出法により形成されたゲート電極上には窒化珪素を有する絶縁膜を形成するとよ
い。その結果、ゲート電極の酸化を防止したり、表面の平坦化を向上することができる。
一方、酸素を有する絶縁膜を用いると、Ａｇと反応し、酸化銀が形成され、ゲート電極表
面が荒れる恐れがあるため好ましくない。
【００８７】
その後ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜１０５を形成する。ゲート絶縁膜の材料や作
製手段は上記実施の形態を参照すればよい。また上記実施の形態以外に加えて、ゲート絶
縁膜の材料は、ポリシラザン、ポリビニルアルコール等の有機材料からなる絶縁体を用い
ることができる。またゲート絶縁膜の作製手段は、液滴吐出法、スピンコーティング法又
はディップ法を用いて形成することができる。粘性の高い原料を用いて形成する場合、液
滴吐出法、スピンコーティング法、又はディップ法を用いると好ましい。
【００８８】
次いで、ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成する。半導体膜は、プラズマＣＶＤ法、スパッ
タリング法、液滴吐出法等により形成することができる。本実施の形態において半導体膜
は、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体（ＳＡＳ
とも表記する）、非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができ
る微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの非結晶性状態を有してもよい。
特に、０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を粒観察することができる微結晶状態はいわゆるマイ
クロクリスタル（μｃ）と呼ばれている。
【００８９】
ＳＡＳは、非晶質構造と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）との中間的な構造を有し、自
由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体である。また短距離秩序を持ち格子歪
みを有する結晶質な領域を含んでいる。そして少なくとも膜中の一部の領域には、０．５
〜２０ｎｍの結晶領域を観測することができ、珪素を主成分とする場合にはラマンスペク
トルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折では珪素結晶格子に由来
するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。また未結合手（ダング
リングボンド）を終端させるための中和剤として、ＳＡＳは水素或いはハロゲンを１原子
％、又はそれ以上含んでいる。
【００９０】
ＳＡＳは、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化
物気体としては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、Ｓ
ｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることができる。珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アル
ゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種又は複数種の希ガス元素で希釈して用いるこ
とによりＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。このとき希釈率が１０倍〜１０
００倍の範囲となるように、珪化物気体を希釈すると好ましい。またＳｉ2Ｈ6及びＧｅＦ
4を用い、ヘリウムガスで希釈する方法を用いてＳＡＳを形成することができる。グロー
放電分解による被膜の反応生成は減圧下で行うと好ましく、圧力は概略０．１Ｐａ〜１３
３Ｐａの範囲で行えばよい。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ
、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すればよい。基板加熱温度は３
００度以下が好ましく、１００〜２５０度の基板加熱温度が推奨される。
【００９１】
本実施の形態では、半導体膜として、プラズマＣＶＤ法を用いて、珪素を主成分とするＳ
ＡＳを形成する。ＳＡＳを用いて薄膜トランジスタを形成すると、移動度は１〜１０cm2/
Vsecとなる。
【００９２】
次いで、一導電型を有する半導体膜を形成する。なお一導電型を有する半導体膜を形成す
ると、半導体膜と電極とのコンタクト抵抗が低くなり好ましいが、必要に応じて設ければ
よい。一導電型を有する半導体膜は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、液滴吐出法
等を用いて形成することができる。
【００９３】
プラズマＣＶＤ法により形成する場合、半導体膜と、Ｎ型を有する半導体膜、さらにゲー
ト絶縁膜を連続形成することができる。具体的には、プラズマＣＶＤ装置の処理室内への
原料ガスの供給を変化させることにより大気開放することなく、連続形成することができ
る。その結果、半導体膜と、Ｎ型を有する半導体膜、さらにゲート絶縁膜の各々の界面へ
の不純物付着を防止することができる。
【００９４】
その後、半導体膜、及びＮ型を有する半導体膜を所望の形状にパターニングし、島状の半
導体膜１０３、島状のＮ型を有する半導体膜１０４を得る。パターニングに際し、上記実
施の形態を参照することができる。
【００９５】
半導体膜、及びＮ型を有する半導体膜を同時にパターニングするため、島状の半導体膜１
０３、及び島状のＮ型を有する半導体膜１０４の端部が一致する構造となる。すなわち、
島状の半導体膜１０３、及び島状のＮ型を有する半導体膜１０４のそれぞれの端部は、互
いの端部を越えないように設けられている。
【００９６】
図３（Ａ）に示すように、ソース電極及びドレイン電極１１１として機能する導電膜を形
成する。導電膜は、単層構造及び積層構造のいずれを有してもよい。また導電膜の材料や
作製手段は、上記実施の形態を参照することができる。上記実施の形態と同様に、導電膜
はスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法により形成することができ、リン等の不純物元素
をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いること
ができる。
【００９７】
さらに液滴吐出法を用いる場合、ソース電極及びドレイン電極の被形成面上の撥液性を高
めるため、撥液処理を行ってもよい。撥液処理としては、フッ素系のシランカップリング
剤等を塗布する方法がある。別の撥液処理として、ＣＨＦ3、Ｏ2混合ガス等を用いたプラ
ズマ処理を行ってもよい。その後、液滴の溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、
乾燥させるため加熱処理を施す。
【００９８】
その後、ソース電極及びドレイン電極１１１をマスクとして、Ｎ型を有する半導体膜１０
４をエッチングする。Ｎ型を有する半導体膜が、ソース電極及びドレイン電極を短絡する
ことを防止するためである。このとき、半導体膜１０３が多少エッチングされることがあ
る。
【００９９】
その後、ソース電極及びドレイン電極上に保護膜として機能する絶縁膜を設けてもよい。
特に、Ａｇを用いて液滴吐出法により形成されたソース電極及びドレイン電極上には窒化
珪素を有する絶縁膜を形成するとよい。その結果、ソース電極及びドレイン電極の酸化を
防止したり、表面の平坦化を向上することができる。一方、酸素を有する絶縁膜を用いる
と、Ａｇと反応し、酸化銀が形成され、ソース電極及びドレイン電極表面が荒れる恐れが
あるため好ましくない。
【０１００】
以上のように、ソース電極及びドレイン電極まで設けられた薄膜トランジスタが完成する
。本実施の形態の薄膜トランジスタは、半導体膜より下方にゲート電極が設けられた、所
謂ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。より詳細には、半導体膜が多少エッチング
されている、所謂チャネルエッチ型である。このような薄膜トランジスタが複数設けられ
た基板をＴＦＴ基板と表記する。
【０１０１】
図３（Ｂ）に示すように、絶縁膜１１０、及び配線１１２を形成する。絶縁膜及び配線の
材料、及び作製手段は上記実施の形態を参照することができる。詳しくは、絶縁膜材料を
有する液滴、及び導電膜材料を有する液滴を、同時にノズルから吐出することができる。
このとき例えば二つのヘッドを設置したノズルを用いる場合、各ヘッドが有するノズルを
、絶縁膜材料を有するノズル専用、導電膜材料を有するノズル専用とすることもできる。
また、絶縁膜及び導電膜を同時ではなく別に形成してもよい。この場合、絶縁膜及び導電
膜のいずれを先に形成してもよいが、好ましくは絶縁膜を先に形成すると、微細な導電膜
を先に形成する場合と比較し、導電膜パターンのくずれを防止することが期待できる。
【０１０２】
図２（Ｃ）に示すように、導電膜１１５を覆うように保護膜として機能する絶縁膜１１６
を形成する。絶縁膜１１６の作製方法や材料は、上記実施の形態を参照することができる
。
【０１０３】
また本実施の形態においても、図２に示すように、アンテナ１２１を一体形成してもよい
。
【０１０４】
以上、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを用いて形成される薄膜集積回路について説
明したが、図４に示すように、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタに代えて、半導体膜
上に保護膜１３０が設けられている、所謂チャネル保護型の薄膜トランジスタを用いて薄
膜集積回路を形成してもよい。
【０１０５】
図３（Ｄ）には、このように作製された薄膜集積回路の全体図を示す。ＩＤチップは、基
板１００上に設けられた薄膜集積回路１２０を有し、該集積回路の所定の領域には接続端
子部１１８が設けられている。
【０１０６】
このような非結晶性半導体膜を用いた薄膜集積回路では、１３．５６ＭＨｚのように低い
周波数を有する電波により通信を行うことが望ましい。また通信距離が１０ｃｍ未満であ
る近接型、又は数ｃｍ程度である密着型に適している。
【０１０７】
本実施の形態では、ボトムゲート型の薄膜トランジスタを形成するため、薄膜集積回路を
非常に薄くすることができる。そのため、デザイン性を損ねることがなく、ＩＤチップと
して紙幣等の紙へ搭載すると好ましい。
【０１０８】
また非結晶性の半導体膜を用いるため、結晶性の薄膜集積回路と比較すると、半導体膜の
面積が大きくなることが懸念される。しかし、ＩＤチップを破棄する際、ある程度の面積
を有するため、ハサミ等で容易に切断することができ、不正使用を防止することができる
というメリットがある。
【０１０９】
また従来のシリコンウェハで作製されたチップは、応力に弱い。特に非結晶性の半導体膜
を用いる薄膜集積回路は面積が大きくなることがあり、応力破壊が懸念される。しかし、
ＩＤチップはシリコンウェハチップと比較して、ある程度の面積を有するため、更にはフ
レキシブル性の高い基板を用いることにより、応力破壊、つまり曲げ応力に対して強い。
【０１１０】
また本実施の形態で示した薄膜トランジスタは、少なくとも液滴吐出法により導電膜やマ
スク等を形成することを特徴とする。そのため、材料の利用効率が向上し、コストの削減
、廃液処理量の削減が可能となる。特に液滴吐出法によりマスクを形成すると、フォトリ
ソグラフィー工程と比較して工程の簡略化を行うことができる。その結果、設備投資コス
トの削減、ＩＤチップのコスト削減、製造時間を短縮することができる。
【０１１１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる方法により作製する薄膜集積回路について説
明する。本実施の形態では上記実施の形態１に示す薄膜トランジスタで説明するが、上記
実施の形態２に示す薄膜トランジスタを用いてもよい。
【０１１２】
図５（Ａ）に示すように基板１００上に、金属膜１４０を形成する。金属膜としては、Ｗ
、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒか
ら選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層
、或いはこれらの積層を用いることができる。金属膜の作製方法として例えば、金属のタ
ーゲットを用いるスパッタリング法により形成すればよい。なお金属膜の膜厚は、１０ｎ
ｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍとなるように形成すればよい。
【０１１３】
金属膜の代わりに、上記金属が窒化された（例えば、窒化タングステンや窒化モリブデン
）膜を用いても構わない。また金属膜の代わりに上記金属の合金（例えば、ＷとＭｏとの
合金：ＷxＭｏ1-X）膜を用いてもよい。この場合、成膜室内に第１の金属（Ｗ）及び第２
の金属（Ｍｏ）といった複数のターゲットを用いたり、第１の金属（Ｗ）と第２の金属（
Ｍｏ）との合金のターゲットを用いたスパッタリング法により形成すればよい。また更に
、金属膜に窒素や酸素を添加してもよい。添加する方法として例えば、金属膜に窒素や酸
素をイオン注入したり、成膜室を窒素や酸素雰囲気としてスパッタリング法により形成す
ればよく、このときターゲットとして窒化された金属を用いてもよい。
【０１１４】
このような金属膜の形成方法により、剥離工程を制御することができる。すなわち、金属
の合金を用いた場合、合金の各金属の組成比を制御することにより、剥離工程を制御でき
る。具体的には、剥離するための加熱温度の制御や、加熱処理の要否までも制御すること
ができる。その結果、プロセスマージンを広げることができる。
【０１１５】
その後、金属膜１４０上に被剥離層１４１を形成する。この被剥離層は珪素を有する酸化
膜を有し、酸化膜は下地膜としての機能も有する。またさらに金属膜や基板からの不純物
やゴミの侵入を防ぐため、半導体膜より下面に窒化珪素（ＳｉＮ）膜、窒化酸化珪素（Ｓ
ｉＯＮやＳｉＮＯ）膜等の窒素を有する絶縁膜を設けてもよい。このような金属膜上に形
成される絶縁膜を被剥離層と表記する。
【０１１６】
珪素を有する酸化膜は、スパッタリング法やＣＶＤ法により酸化珪素、酸化窒化珪素等を
形成すればよい。珪素を有する酸化膜の膜厚は、金属膜の約２倍以上であることが望まし
い。本実施の形態では、シリコンターゲットを用いたスパッタリング法により、酸化珪素
膜を１５０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚として形成する。
【０１１７】
この珪素を有する酸化膜を形成するときに、金属膜１４０の表面に当該金属を有する酸化
物（以下、金属酸化物と表記し、図示しない）が形成される。金属酸化物の膜厚は、０．
１ｎｍ〜１μｍ、好ましくは０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、更に好ましくは０．１ｎｍ〜５ｎ
ｍとなるように形成すればよい。また金属酸化物は、硫酸、塩酸或いは硝酸を有する水溶
液、硫酸、塩酸或いは硝酸と過酸化水素水とを混同させた水溶液又はオゾン水で処理する
ことにより金属膜表面に形成される薄い金属酸化物を用いることもできる。更に他の方法
としては、酸素雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中で紫外線照射することに
よりオゾンを発生させて酸化処理を行ってもよく、クリーンオーブンを用い２００〜３５
０℃程度に加熱して金属酸化物を形成してもよい。
【０１１８】
次いで、被剥離層１４１に半導体膜１０３等を形成し、薄膜トランジスタを完成させる。
その後、絶縁膜１１０、及び各不純物領域に接続された配線１１２、導電膜１１５、絶縁
膜１１６、導電膜１１７が形成された接続端子部１１８を形成する。薄膜トランジスタの
作製方法等は、上記実施の形態を参照することができる。
【０１１９】
このように、金属膜１４０と、金属酸化物と、被剥離層１４１と、半導体膜とが積層され
た状態、つまり被剥離層の一方の面に半導体膜が設けられ、他方の面に金属酸化物及び金
属膜が設けられる構造となる。
【０１２０】
以上のように薄膜トランジスタを形成後、少なくとも金属酸化物形成後に加熱処理を行い
、金属酸化物を加熱する。その結果、金属酸化膜は結晶状態となる。例えば、金属膜にＷ
（タングステン）を用いる場合、４００℃以上で加熱処理を行うと、ＷＯ2又はＷＯ3の金
属酸化物が結晶状態となる。加熱処理は、選択される金属膜により温度や要否を決定すれ
ばよい。その結果、必要に応じて金属酸化物を結晶化することができ、剥離を容易に行う
ことができる。
【０１２１】
なお上述の加熱処理は、半導体素子の作製中の加熱処理と兼用させることができる。例え
ば半導体膜を形成後に加熱を行うことにより、半導体膜の水素を出す、所謂水素出し工程
の加熱処理と兼用することができる。また結晶性半導体膜を形成する場合、加熱炉やレー
ザー照射を用いて加熱処理を行うことができる。その結果、作製工程を低減することがで
きる。
【０１２２】
次いで、図５（Ｂ）に示すように基板上に形成された薄膜集積回路１２０を商品表面へ接
着する。なお、商品は瓶の側面のように曲面であってもよい。本実施の形態では、アンテ
ナ１２１及び接続端子部１４４が設けられた基板１４２へ接着する。このとき、集積回路
の接続端子部１１８と、基板上の接続端子部１４３とが接続するように接着剤により接着
する。接着剤としては、紫外線硬化樹脂、具体的にはエポキシ樹脂系接着剤或いは樹脂添
加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いることができる。
【０１２３】
そして図５（Ｃ）に示すように、基板１００を、物理的手段により剥離する。このとき、
結晶化された金属酸化物の層内、又は金属酸化物の両面の境界（界面）、すなわち金属酸
化物と金属膜との界面或いは金属酸化物と被剥離層との界面で剥がれる。
【０１２４】
このとき剥離を容易に行うため、基板の一部を切断し、切断面における剥離界面、すなわ
ち金属膜と金属酸化物との界面付近にカッター等で傷を付けるとよい。または、半導体素
子が設けられていない領域の被剥離層に傷を付けてもよい。
【０１２５】
基板１００を剥離後、金属酸化物は、薄膜集積回路側において全て除去されている場合、
又は一部或いは大部分が薄膜集積回路側に点在（残留）している場合がある。金属酸化物
が残留している場合は、エッチング等により除去してもよい。このとき、更に珪素を有す
る酸化膜を除去しても構わない。
【０１２６】
以上のように薄膜集積回路が搭載された商品を形成することができる。
【０１２７】
本実施の形態では、接続端子部の導電膜が下方を向いている所謂フェイスダウン状態で薄
膜集積回路を実装する場合について説明したが、接続端子部の導電膜が上方を向いている
所謂フェイスアップ状態で薄膜集積回路を実装してもよい。この場合、集積回路の接続端
子部の導電膜と、アンテナ等のコンタクトには、ワイヤボンディングを用いるとよい。
【０１２８】
以上、基板１００上に薄膜トランジスタを形成後、転写し、基板１００を剥離する形態を
説明したが、被転写物、又は剥離するタイミング若しくは回数は上記形態に限定されない
。例えば、被転写物として可撓性を有する合成樹脂基板を用い、金属酸化物形成後に該合
成樹脂基板へ半導体膜の転写を行い、その後薄膜トランジスタを完成させてもよい。特に
、上記実施の形態２にように非結晶性の半導体膜を有する薄膜トランジスタを形成する場
合、合成樹脂基板へ転写を行った後であっても、薄膜トランジスタを完成することが可能
となる。非結晶性の半導体膜を有する薄膜トランジスタは、加熱温度を低く、又は加熱処
理を行わずに形成することができるからである。その後更に、薄膜集積回路をプリント基
板等へ転写してもよい。このような転写及び剥離により形成される薄膜集積回路は、フェ
イスアップ状態又はフェイスダウン状態で商品へ搭載することができる。
【０１２９】
また剥離を行う場合、剥離する必要がある基板の接着には、接着剤としては剥離可能な接
着剤、例えば紫外線により剥離する紫外線剥離型、熱による剥離する熱剥離型或いは水に
より剥離する水溶性の接着剤、又は両面テープ等を使用するとよい。そして接着剤を除去
するために、接着剤を剥がすために紫外線照射を照射したり、加熱したり、水洗すればよ
い。
【０１３０】
本実施の形態では、金属膜等を用いた剥離法を説明したが、その他の剥離法により基板１
００を剥離してもよい。例えば、剥離層へレーザーを照射して、基板１００を剥離したり
、基板１００をエッチング除去することにより基板１００を剥離したりすることができる
。また、剥離層へ切り込みを入れ、フッ素系、又は塩素系、例えばＣｌＦ3等のエッチャ
ントにより剥離することもできる。
【０１３１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、ＩＤチップのアンテナの作製方法について説明する。
【０１３２】
非接触型ＩＤチップとして機能するためには、上述のように薄膜集積回路及びアンテナが
必要となる。アンテナは、多様な配置をとることができ、少なくともアンテナの先端には
、薄膜集積回路と接続するための接続端子が設けられている。
【０１３３】
例えば図６（Ａ）に示すように、基板１４２上に設けられたアンテナは、矩形上に蛇行す
るように設けられ、先端にはそれぞれ接続端子１４３が設けられている。図６（Ａ）では
、各接続端子が近接して設けられているが、これに限定されるものではない。薄膜集積回
路の接続端子に合わせて、各接続端子の配置を決定することができる。
【０１３４】
アンテナは、図６（Ｂ）に示すような巻くように設けてもよい。そしてアンテナの先端に
は、接続端子１４３が設けられている。図６（Ｂ）では、各接続端子は離れるように設け
られているが、図６（Ａ）のように近接して設けてもよい。
【０１３５】
またアンテナは、矩形状に配置せずとも、円状に配置してもよい。
【０１３６】
次いで、アンテナの作製方法について説明する。
【０１３７】
図７（Ａ）に示すように、基板１４２上に所定な配置となるようにアンテナを形成する。
アンテナ材料には、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ
（白金）等の導電材料を用いることができる。比較的抵抗の高いＡｌやＡｕを用いる場合
、配線抵抗が懸念される。しかし、アンテナを厚くしたり、アンテナ形成面積が広い場合
には、アンテナの幅を広くすることで配線抵抗を低減することができる。Ｃｕのように拡
散が懸念される導電材料は、アンテナの被形成面、又はＣｕの周囲を覆うように保護膜と
して機能する絶縁膜を形成するとよい。またアンテナは、スパッタリング法、液滴吐出法
、印刷法、メッキ法、フォトリソグラフィー法及びメタルマスクを用いた蒸着法のいずれ
かにより形成することができる。特に、液滴吐出法、印刷法、又はメッキ法によりアンテ
ナを形成する場合、導電膜をパターニングする必要がないため、作製工程数を低減するこ
とができる。本実施の形態では、ノズル１５１からＡｇを有する液滴を吐出する液滴吐出
法によりアンテナを形成する。このとき、Ａｇの密着性を高めるため、ＴｉＯｘ等を有す
る下地膜を形成してもよい。
【０１３８】
液滴を吐出後、液滴中の溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥させるため加
熱処理を施す。加熱処理は、上記実施の形態におけるゲート電極の作製方法を参照するこ
とができる。
【０１３９】
更に好ましくは、図７（Ｂ）に示すように、加圧するとよい。その結果、アンテナを薄膜
化することができ、加えてアンテナ表面の平坦性を高めることができる。加圧手段１５２
に加えて、加熱手段を有してもよく、上記加熱処理を同時に行うことができる。
【０１４０】
図７（Ｃ）に示すように、アンテナが形成された基板（以下、アンテナ基板と表記する）
を完成することができる。また、アンテナを覆って保護膜として機能する絶縁膜を形成し
てもよい。
【０１４１】
また図８（Ａ）に示すように基板１４２に開口部１５４を形成し、開口部にアンテナを形
成してもよい。図７（Ａ）と同様に、ノズル１５１からＡｇを有する液滴を吐出する液滴
吐出法によりアンテナを形成する。その他のアンテナ材料や作製手段は図７（Ａ）の記載
を参照することができる。
【０１４２】
図８（Ｂ）に示すように、図７（Ｂ）と同様に、加圧手段１５２によりアンテナをプレス
すると好ましい。加圧手段１５２に加えて、加熱手段を有してもよく、上記加熱処理を同
時に行うことができる。
【０１４３】
図８（Ｃ）に示すように、アンテナ基板を完成することができる。また、アンテナを覆っ
て保護膜として機能する絶縁膜を形成してもよい。
【０１４４】
図８において、開口部内にアンテナを形成することができるため、アンテナ基板の薄膜化
を達成することができる。
【０１４５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、アンテナ基板に薄膜集積回路を実装する具体的な方法について説明す
る。
【０１４６】
上記実施の形態に基づいて形成されたアンテナ基板上に、上記実施の形態に基づき形成さ
れた薄膜集積回路を実装する。図９に示すように、アンテナ１２１が形成された一組のア
ンテナ基板１５０を用意する。アンテナ基板間に、薄膜集積回路１２０を配置し、つまり
、アンテナ基板は前記薄膜集積回路を介して対称に配置する。その後、それぞれの接続端
子部１１８及び１４３が接続するように固定する。接続する手段にワイヤボンディング法
を用いてもよい。そしてＩＤチップが完成する。
【０１４７】
次に図９に記載の実装方法により、大型基板からIDチップを複数個作製する、いわゆる多
面取りにについて説明する。
【０１４８】
図１４（Ａ）に示すように、大型基板１００に複数（例えば２５個）の薄膜集積回路１２
０を形成する。アンテナ基板１５０間に、大型基板１００を配置し、各薄膜集積回路の接
続端子部１１８と、各アンテナの接続端子部１４３とが接続するように固定する。
【０１４９】
その後図１４（Ｂ）に示すように、大型基板に複数のＩＤチップを形成し、スクライビイ
グまたはダイシング等で切り離し一つのＩＤチップ１５７が完成する。なおＩＤチップの
切り離しには、レーザーを用いてもよい。特にＩＤチップを切断する場合、シリコンウェ
ハ上に形成されたチップと比較し、切断時のダメージを受けにくいと思われる。そのため
、ＩＤチップの切断領域は、シリコンウェハ上に形成されたチップの切断領域より小さく
することが可能である。そのため、アンテナ形成領域を大きくすることができる。その後
さらに、ＩＤチップを封止膜として機能する絶縁膜で封止してもよい。
【０１５０】
このように、大型基板から複数のＩＤチップを得ることで、ＩＤチップのコストを削減す
ることができる。チップのように単価が非常に低い集積回路は、コストの削減により非常
に大きな利益を生むことができる。
【０１５１】
図９と異なる方法により薄膜集積回路を実装する方法を図１０に示す。
【０１５２】
図１０（Ａ）に示すように、一組のアンテナが形成されたアンテナ基板１５０を用意する
。アンテナ基板は、中心部から折り畳むことができる可撓性を有する基板、例えばポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、塩化ビニリデン、塩化ビニル樹脂、等の可撓性を有す
る基板を使用する。
【０１５３】
その後図１０（Ｂ）に示すように、薄膜集積回路１２０を間に挟むように、アンテナ基板
を折り畳む。折り畳み安いように、アンテナ基板の折り目に切り込みや凹部を形成すると
よい。その後、それぞれの接続端子部１１８及び１４３が接続するように固定する。接続
する手段にワイヤボンディング法を用いてもよい。そしてＩＤチップが完成する。
【０１５４】
一組のアンテナを設けることにより、一方のアンテナは電源発生回路用に使用し、他方の
アンテナは変調回路用に使用することができる。その結果、各回路に対してアンテナを設
定することができ、通信距離や感度を高めることができる。また一組のアンテナへ薄膜集
積回路を接続するため、薄膜集積回路の両面（上面及び下面）にそれぞれ接続端子部１１
８を形成する必要がある。
【０１５５】
但し、各アンテナがショートしないように保護膜として機能する絶縁膜を設ける必要があ
る。また接続端子部間には導電性の樹脂を塗布し、それ以外の領域には絶縁性の樹脂を塗
布してもよい。
【０１５６】
または、アンテナ基板にコンタクトを開口し、アンテナの接続端子部をアンテナ基板の裏
面（アンテナが設けられていない面）に形成することにより、各アンテナがショートしな
い構成とすることができる。
【０１５７】
本実施の形態では、一組のアンテナ基板間に薄膜集積回路を実装する場合を説明したが、
一つのアンテナ基板上に薄膜集積回路を実装してもよい。また薄膜集積回路上にアンテナ
を配置しない形態で説明したが、絶縁膜を介して薄膜回路上にアンテナを配置しても構わ
ない。
【０１５８】
図１０に示す実装形態においても、大型基板から複数の薄膜集積回路を形成し、大型基板
から複数のアンテナ基板を形成することにより、ＩＤチップのコストを削減することがで
きる。
【０１５９】
次に図１５を用いて、ＩＤチップの、機能的な構成の一形態について説明する。
【０１６０】
４００はアンテナ、４０１は薄膜集積回路に相当する。アンテナ４００は、アンテナコイ
ル４０２と、アンテナコイル４０２内で形成される容量素子４０３とを有する。また薄膜
集積回路４０１は、復調回路４０９、変調回路４０４、整流回路４０５、マイクロプロセ
ッサ４０６、メモリ４０７、負荷をアンテナ４００に与えるためのスイッチ４０８とを有
している。なおメモリ４０７は１つに限定されず、複数であってもよい。
【０１６１】
リーダライタから電波として送られてきた信号は、アンテナコイル４０２において電磁誘
導により交流の電気信号に変換される。復調回路４０９では該交流の電気信号を復調し、
後段のマイクロプロセッサ４０６に送信する。また整流回路４０５では、交流の電気信号
を用いて電源電圧を生成し、後段のマイクロプロセッサ４０６に供給する。
【０１６２】
マイクロプロセッサ４０６では、入力された信号に従って各種演算処理を行う。メモリ４
０７にはマイクロプロセッサ４０６において用いられるプログラム、データなどが記憶さ
れている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。そしてマイクロプロ
セッサ４０６から変調回路４０４に送られた信号は、交流の電気信号に変調される。スイ
ッチ４０８は、変調回路４０４からの交流の電気信号に従って、アンテナコイル４０２に
負荷を加えることができる。リーダライタは、アンテナコイル４０２に加えられた負荷を
電波で受け取ることで、結果的にマイクロプロセッサ４０６からの信号を読み取ることが
できる。
【０１６３】
なお、図１５に示すＩＤチップは、本発明の一形態を示したのに過ぎず、本発明は上記構
成に限定されない。信号の伝送方式は、図１５に示したような電磁誘導方式に限定されず
、電磁誘導方式、マイクロ波方式やその他の伝送方式を用いていてもよい。また例えばＧ
ＰＳなどの機能を有していてもよい。
【０１６４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、ＩＤチップを搭載した商品について説明する。
【０１６５】
アンテナ基板が、カード用のプリント基板である場合、ＩＤチップが搭載されたカード（
以下、ＩＤカードと表記する）として使用することができる。図１１（Ａ）には、ＩＤチ
ップを搭載したＩＤカードの上面図を示す。ＩＤカードには、カード周辺に設けられたア
ンテナ１２１と、アンテナに接続される薄膜集積回路１２０とが実装されている。
【０１６６】
図１１（Ｂ）には、図１１（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図を示す。薄膜集積回路と、ア
ンテナとを同一層に設けてもよいが、本実施の形態では、アンテナ上に保護膜として絶縁
膜１６０を形成し、絶縁膜上に薄膜集積回路を実装する。そのため、カード周辺に設けら
れたアンテナを薄膜集積回路に接続する場合、その他のアンテナとショートしないように
、絶縁膜上にアンテナ（リード線と表記する）を形成し、リード線と薄膜集積回路とを接
続することができる。そして、薄膜集積回路１２０と、アンテナ１２１とは、接続端子部
を介して接続される。本実施の形態では、フェイスダウン状態で設けられた薄膜集積回路
と、アンテナとを接続している。そのため、それぞれの各接続端子部は、接続用配線１６
２を介して接続されている。または、各接続端子部間を導電性の樹脂を用いて接続しても
よい。
【０１６７】
その後、封止を行うためラミネート法又は印刷法により保護膜として機能するフィルム１
６１を形成する。フィルムには、ＩＤカードの図柄を印刷してもよい。
【０１６８】
また図１１（Ｃ）には、図１１（Ｂ）と異なる方法によりアンテナと薄膜集積回路を接続
する形態を示す。図１１（Ｃ）に示す薄膜集積回路はフェイスアップ状態で設けられてい
るため、ワイヤボンディング法によりワイヤ１６３を用いて接続する構成が特徴である。
その他の構成は図１１（Ｂ）と同様であるため、説明を省略する。
【０１６９】
なお薄膜集積回路と、アンテナとは、上記実施の形態のように接続してもよい。
【０１７０】
以上のようにして、ＩＤカードを完成することができる。
【０１７１】
またＩＤチップは、商品又は製品の管理手段として利用するタグ（以下、ＩＤタグと表記
する）として使用することができる。例えば、図１２（Ａ）に示すように、商品１７０に
ＩＤチップが搭載されたバーコード１７１を付し、ＩＤタグとして使用する。
【０１７２】
図１２（Ｂ）には、図１２（Ａ）のＢ−Ｂ’における断面図を示す。商品１７０に、薄膜
集積回路１２０を有するＩＤチップが、バーコード１７１と共に接着されている。
【０１７３】
次いで、商品の瓶へラベルと共にＩＤチップを付する場合を示す。
【０１７４】
図１３（Ａ）には、大型基板１００から複数の薄膜集積回路１２０を形成する。その後、
図１３（Ｂ）に示すように、一つの薄膜集積回路１２０を切り離し、アンテナ１２１が形
成されたラベル１８１へ実装する。このとき、薄膜集積回路の接続端子部と、アンテナの
接続端子部１４３とが接続するように固定する。なお、ラベル上へアンテナを形成する方
法は、上記実施の形態３に示したような剥離技術を用いればよい。具体的には、ガラス基
板上に、被剥離層、及びアンテナを形成し、ラベルに転写した後にガラス基板を剥離する
。本発明の剥離技術を用いると、ラベルのように耐熱性のない絶縁表面上へアンテナを転
写することができる。また上記実施の形態３に基づき、アンテナが一体形成されたＩＤチ
ップをラベルへ転写してもよい。なおアンテナの作製方法は、上記実施の形態４を参照す
ればよい。
【０１７５】
図１３（Ｃ）に示すように、曲面を有する瓶１８０の表面に、ラベル１８１と共に薄膜集
積回路及びアンテナ、つまりＩＤチップが付されている。
【０１７６】
このような商品は、ベルトコンベア１８３等に配置され、リーダ装置１８２の近傍を通過
することで、情報を読み出すことができる。またリーダ装置に加えて、ライター装置を設
けることにより、ＩＤタグへ情報を入力したり、既存の情報を書き換えることができる。
【０１７７】
さらにＩＤチップは、非接触で情報管理を行うことができるため、段ボール等に商品が梱
包された状態で、リーダ装置、又はライター装置により情報管理することができる。この
ような非接触で通信を行うＩＤチップを無線チップと表記する。
【０１７８】
このようにＩＤチップを搭載した商品の流通を自動化することにより、物流時の人件費を
大幅に削減することができる。また人為的なミスを削減することもできる。
【０１７９】
商品としては、飲食品、衣料品、書籍等がある。またレンタル商品にＩＤタグを付して、
商品管理を簡便にすることができる。
【０１８０】
また本発明のＩＤチップは、非常に薄いため、紙幣等の有価証券に搭載し、不正使用等を
防止したり、管理を簡便にすることができる。有価証券にＩＤチップを搭載する場合、有
価証券の内部に搭載し、改ざん等ができないようにするとよい。
【０１８１】
以上のように商品に搭載又は付されたＩＤチップの情報は、生産又は製造に関する場所、
者、日付等の基本事項から、アレルギー情報、主成分、宣伝等、多岐にわたる。また図１
２に示すように、バーコードと併用する場合、バーコードには書き換え不要な情報、例え
ば上記基本情報を入力し、ＩＤチップには書き換え可能な情報を入力するとよい。
【０１８２】
このような情報を読むためのリーダは、専用のリーダ装置以外に、携帯電子機器、例えば
携帯電話機にリーダ機能を搭載すればよい。携帯電話機の場合、音声や画面への表示によ
り、ＩＤチップの情報を提供することができる。
【０１８３】
その他のＩＤチップを搭載した商品としては、携帯電話機、時計、自転車等がある。例え
ば、携帯電話機のような携帯型電子機器にIDチップを搭載することにより、クレジットカ
ードのような決算機能を有することができる。また時計のように消費者の年齢層が広く、
容易に身につける商品では、迷子時等に位置を把握することができる。また、子供がIDチ
ップ搭載の商品を携帯することにより、両親は子供の現在地を把握することができる。同
様にペットの首輪等にIDチップを搭載することにより、ペットの現在地を把握することが
できる。また自転車のように、盗難が多い商品では、商品の現在地を把握することができ
、盗難防止の効果を奏する。またこのようなIDチップ搭載の商品を紛失した場合、商品の
現在地を把握することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜集積回路と、
第１のアンテナと、
第２のアンテナと、を有し、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは液滴吐出法又は印刷法を用いて形成され、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナと電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナと、前記第２のアンテナとの間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜集積回路と、
第１のアンテナと、
第２のアンテナと、を有し、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは液滴吐出法又は印刷法を用いて形成され、
前記第１のアンテナは第１の接続端子部を有し、
前記第２のアンテナは第２の接続端子部を有し、
前記薄膜集積回路は、前記第１の接続端子部を介して、前記第１のアンテナと電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、前記第２の接続端子部を介して、前記第２のアンテナと電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナと、前記第２のアンテナとの間に配置され、
前記第１の接続端子部と、前記第２の接続端子部とは、前記薄膜集積回路を介して重ならないように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜集積回路と、
第１のアンテナと、
第２のアンテナと、を有し、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナはアンテナ用基板上に形成され、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは液滴吐出法又は印刷法を用いて形成され、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナと電気的に接続され、
前記アンテナ用基板は、前記薄膜集積回路を挟むように折りたたまれ、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナと、前記第２のアンテナとの間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
薄膜集積回路と、
第１のアンテナと、
第２のアンテナと、を有し、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナはアンテナ用基板上に形成され、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは液滴吐出法又は印刷法を用いて形成され、
前記第１のアンテナは第１の接続端子部を有し、
前記第２のアンテナは第２の接続端子部を有し、
前記薄膜集積回路は、前記第１の接続端子部を介して、前記第１のアンテナと電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、前記第２の接続端子部を介して、前記第２のアンテナと電気的に接続され、
前記アンテナ用基板は、前記薄膜集積回路を挟むように折りたたまれ、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナと、前記第２のアンテナとの間に配置され、
前記第１の接続端子部と、前記第２の接続端子部とは、前記薄膜集積回路を介して重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
折りたたまれた前記アンテナ用基板の折り目には、切り込み又は凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１のアンテナ又は前記第２のアンテナの一方は電源発生回路用であって、前記第１のアンテナ又は前記第２のアンテナの他方は変調回路用であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置を搭載したカード。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置を搭載したタグ。
【請求項１】
薄膜集積回路と、
第１のアンテナと、
第２のアンテナと、を有し、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは液滴吐出法又は印刷法を用いて形成され、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナと電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナと、前記第２のアンテナとの間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜集積回路と、
第１のアンテナと、
第２のアンテナと、を有し、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは液滴吐出法又は印刷法を用いて形成され、
前記第１のアンテナは第１の接続端子部を有し、
前記第２のアンテナは第２の接続端子部を有し、
前記薄膜集積回路は、前記第１の接続端子部を介して、前記第１のアンテナと電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、前記第２の接続端子部を介して、前記第２のアンテナと電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナと、前記第２のアンテナとの間に配置され、
前記第１の接続端子部と、前記第２の接続端子部とは、前記薄膜集積回路を介して重ならないように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜集積回路と、
第１のアンテナと、
第２のアンテナと、を有し、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナはアンテナ用基板上に形成され、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは液滴吐出法又は印刷法を用いて形成され、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナと電気的に接続され、
前記アンテナ用基板は、前記薄膜集積回路を挟むように折りたたまれ、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナと、前記第２のアンテナとの間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
薄膜集積回路と、
第１のアンテナと、
第２のアンテナと、を有し、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナはアンテナ用基板上に形成され、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは液滴吐出法又は印刷法を用いて形成され、
前記第１のアンテナは第１の接続端子部を有し、
前記第２のアンテナは第２の接続端子部を有し、
前記薄膜集積回路は、前記第１の接続端子部を介して、前記第１のアンテナと電気的に接続され、
前記薄膜集積回路は、前記第２の接続端子部を介して、前記第２のアンテナと電気的に接続され、
前記アンテナ用基板は、前記薄膜集積回路を挟むように折りたたまれ、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナと、前記第２のアンテナとの間に配置され、
前記第１の接続端子部と、前記第２の接続端子部とは、前記薄膜集積回路を介して重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
折りたたまれた前記アンテナ用基板の折り目には、切り込み又は凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１のアンテナ又は前記第２のアンテナの一方は電源発生回路用であって、前記第１のアンテナ又は前記第２のアンテナの他方は変調回路用であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置を搭載したカード。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置を搭載したタグ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１１−６０３２０（Ｐ２０１１−６０３２０Ａ）
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２６３４１３（Ｐ２０１０−２６３４１３）
【出願日】平成２２年１１月２６日（２０１０．１１．２６）
【分割の表示】特願２００４−３６５７７１（Ｐ２００４−３６５７７１）の分割
【原出願日】平成１６年１２月１７日（２００４．１２．１７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月２６日（２０１０．１１．２６）
【分割の表示】特願２００４−３６５７７１（Ｐ２００４−３６５７７１）の分割
【原出願日】平成１６年１２月１７日（２００４．１２．１７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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